七步掌握MOS管选型技巧
MOS功率与选型
品牌：美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA；NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。
MOS管选型指南.xls关于MOS选型第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。
器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。
对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。
第三步：确定热要求器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。
根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。
第四步：决定开关性能选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。
这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
详细的MOS管的选型可以参考资料3MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管选型
MOS管选型最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌替换参数的对应问题，很多时候我们只关注了电流电压满足要求，性能上的比较我们很少做比较，特从网上摘录此文，供大家参考：与系统相关的重要参数：在MOS管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：1．负载电流IL。
它直接决定于MOSFET的输出能力；2．输入—输出电压。
它受MOSFET负载占空比能力限制；3．开关频率FS.。
这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4． MOSFET最大允许工作温度。
这要满足系统指定的可靠性目标。
MOSFET设计选择：一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被确定，功率MOSFET在参数方面的选择如下：1． RDSON的值。
最低的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。
但是，较低电阻的MOSFET其成本将高于较高电阻器件。
2．散热。
如果空间足够大，可以起到外部散热效果，就可以以较低成本获得与较低RDSON一样的效果。
也可以使用表面贴装的MOSFET 达到同样效果，详见下文第15行。
3. MOSFET组合。
如果板上空间允许，有时候，可以用两个较高RDSON 的器件并联，以获得相同的工作温度，并且成本较低。
计算MOSFET 的功率损耗及其壳温：在MOSFET工作状态下，有三部分功率损耗：1． MOSFET在完全打开以后（可变电阻区）的功率损耗：PON=ILoad2 × RDSON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。
2． MOSFET在打开上升时功率损耗：PTRON= （ILoad × VDS × Tr ×FS）/ 2其中：。
3． MOSFET在截止状态下的功耗：PTRON= （ILoad × VDS × Tf ×Fs）/ 2其中：Tf 是MOSFET的下降时间。
在连续模式开关调节器中，占空比等于 Vout/Vin。
MOS管选型
MOS管选型1、预估使用环境温度T ambient一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C，较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C最差情况下T ambient=65°C2、计算I DT ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j例:ME4970RθJA =76°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°CT ambient=65°C得I D≤8.36A，与规格书中I D≤8.3A（T ambient=70°C）值很接近3、关于关键器件温升控制△T+To+RθJC * I D * I D * R DS（ON）=T jTo=25°C 室温△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。
RθJC=46°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°C得I D≤10.4A以上表明，规格书所标注的I D可以直接作为设计参考电流值（Tambient 取70°C）。
满足温升等要求。
也可用到80%，留有一定余量。
使用条件不同的，需通过T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j计算I D。
注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient 和junction-to-case两个参数juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度，junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。
mos管选择方法及计算
mos管选择方法及计算嘿，朋友们！今天咱就来聊聊 MOS 管那些事儿。
你说这 MOS 管啊，就像是电路世界里的小精灵，选对了它，那可真是能让整个电路都活起来呢！咱先来说说这选择方法。
就好比你去挑衣服，得看颜色、款式、大小合不合适吧？选 MOS 管也一样。
首先你得看看它的耐压值，这就好比衣服能不能禁得住拉扯，耐压值不够，那可容易出问题呀！然后呢，再看看它的电流能力，这就像衣服能不能让你活动自如，电流能力不行，那也带不动整个电路呀！还有它的导通电阻，这就像是衣服的舒适度，导通电阻太大，可不就费电又发热嘛！再来说说这计算。
哎呀，这可有点像解谜题呢！你得根据电路的需求，去算一算需要多大耐压的 MOS 管，需要能通过多少电流的 MOS 管。
这可不是随便瞎蒙的事儿啊！比如说，你知道了电路里的电压和电流，那就能算出 MOS 管得有多大的能耐才能扛得住。
这就好像你知道了要去多远的地方，就能算出得准备多少干粮一样。
咱举个例子哈，要是你要设计一个给手机充电的小电路，那你就得好好算算，选个耐压合适、电流够大、导通电阻又小的 MOS 管。
不然，充个电都慢吞吞的，或者干脆充不进去，那不是闹笑话嘛！你说是不是？还有啊，不同类型的 MOS 管也有不同的特点呢！就像不同款式的衣服适合不同的场合一样。
有的 MOS 管开关速度快，适合高频电路；有的 MOS 管导通电阻小，适合大电流场合。
你得根据你的实际需求来选呀，可不能瞎凑合。
这选 MOS 管啊，真的得细心再细心，就跟挑对象似的，得找个合适的才行呢！要是不小心选错了，那可就麻烦啦，电路可能就罢工咯！所以啊，大家可得好好研究研究这 MOS 管的选择方法和计算，可别马虎呀！总之呢，MOS 管的选择和计算可不是一件简单的事儿，但只要咱用心去琢磨，肯定能选出最合适的那个“小精灵”，让咱的电路变得超级厉害！加油吧，朋友们！让我们在电路的世界里畅游，和这些可爱的 MOS 管一起创造出更多的精彩！。
mos选型参数
mos选型参数
当设计和开发一个mos电路时，我们需要考虑很多因素，其中一个非常重要的因素是mos选型参数。
这些参数决定了mos管的性能、可靠性和成本。
以下是一些常见的mos选型参数：
1. 阈值电压(Vth)：这是mos管的最小门电压，当门电压高于该值时，管子才会导通。
通常情况下，Vth越小，mos管的导通能力越强。
2. 漏电流(Idss)：这是mos管在最小门电压下的漏电流，通常情况下，漏电流越小，mos管的性能越好。
3. 负载电容(Ciss)：这是mos管的输入电容，也就是由于门电极和晶体管结构而形成的电容。
通常情况下，Ciss越小，mos管的开关速度越快。
4. 开关速度：这是mos管从导通到截止的时间。
通常情况下，开关速度越快，mos管的性能越好。
5. 最大耗散功率(Pd)：这是mos管能承受的最大功率，超过该值将导致mos管损坏。
6. 工作温度范围：这是mos管能够正常工作的温度范围，超出该范围将导致mos管性能下降或损坏。
综合考虑以上因素，我们可以选择一个合适的mos管，以满足设计要求。
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正确选择MOS管的步骤
MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。
设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。
第二步：确定额定电流第二步是选择MOS管的额定电流。
视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。
选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。
从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。
MOS管选型指南
MOS管选型指南MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率开关器件。
其结构简单，能够在低电压下工作，并具有高开关速度和低开关损耗等优点。
因此，MOSFET广泛应用于电力电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。
在选择MOSFET时，需要考虑以下几个方面：1.电压与电流要求：首先，需要确定所需工作电压和电流范围。
根据应用的不同，MOSFET的电压和电流要求可能有所不同。
例如，电力电子领域通常需要承受较高的电压和电流，而通信设备领域则可能对电压和电流有较严格的限制。
2.耗散功率：MOSFET的耗散功率也是选择的重要考虑因素之一、当MOSFET处于导通状态时，其内部会产生一定的功耗，这会导致器件发热。
当功耗过大时，需要采取散热措施或选择功耗较低的器件。
3.开关速度：开关速度是指MOSFET从导通到截止（或相反）的时间。
一般来说，开关速度较快的MOSFET能够更快地响应控制信号，实现高频开关。
对于一些高频开关电路，如无线通信设备中的射频开关，开关速度要求较高。
4.RDS(ON)：RDS(ON)是MOSFET的导通电阻。
导通电阻越小，MOSFET的开关损耗就越小，并且能够更好地导通高电流。
因此，在选择MOSFET 时，需要根据应用的要求选择合适的RDS(ON)。
5.均衡特性：MOSFET的均衡特性是指在不同工况下，如温度、电压和电流等，其关键参数是否保持稳定。
一些高可靠性应用，如航空航天和军事领域，对器件的均衡特性要求较高。
6.可靠性：MOSFET的可靠性与其设计、制造和封装质量有关。
在选择MOSFET时，建议选择来自知名厂商的产品，并确保符合行业标准和认证要求。
此外，了解厂商的质量控制和售后服务也是必要的。
7.价格和供应链：价格和供应链也是考虑因素之一、选择合理的价格范围，并确保能够获得稳定的供应，以避免因材料短缺或停产等问题导致生产或维修困难。
总之，选型MOSFET需要综合考虑电压和电流要求、耗散功率、开关速度、RDS(ON)、均衡特性、可靠性、价格和供应链等因素。
开关电源MOS管选型
开关电源元器件选型A:反激式变换器:1. MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3. 缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4. 优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6. MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8. 缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9. 优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14. 优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16. MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19. 优点: 功率可做到100W~500W.20. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24. 优点: 功率可做到400W~2000W以上.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制。
功率MOSFET器件选型的3大法则
功率MOSFET器件选型的3大法则功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。
1. 功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。
需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：(1) 笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。
(2) 通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。
(3) 笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。
2. 选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：(1) 温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET 的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。
有时候由于其他条件的限制，需要使用多个MOSFET并联的方式来解决散热的问题，如在PFC应用、电动汽车电机控制器、通信系统的模块电源次级同步整流等应用中，都会选取多管并联的方式。
开关电源mos管耐压选型原则
开关电源mos管耐压选型原则开关电源是现代电子设备中常用的一种电源形式，它通过不断开关电流来实现稳定的输出电压。
而MOS管是实现开关电源的核心元件之一，所以如何选型合适的MOS管对于开关电源的性能是非常重要的。
下面我们将介绍开关电源MOS管耐压选型的原则。
首先，耐压是选型MOS管时的一个重要指标。
耐压是指MOS管能够承受的最大电压。
在开关电源中，输入电压经过变压器和整流电路的处理后，会转化为直流电压并供给给MOS管。
所以选型时要根据开关电源的输入电压来确定MOS管的耐压等级，以确保MOS管能够正常工作并具有较高的安全性。
其次，功率损耗也是选型MOS管时需要考虑的因素之一。
在开关电源中，MOS管会频繁地开关，开关的过程中会有一定的功率损耗。
因此，在选型MOS管时，需要根据开关电源的设计功率来确定MOS管的额定功率，以确保MOS管能够承受开关过程中的功率损耗，并保持良好的热稳定性。
另外，导通电阻也是MOS管选型的重要指标之一。
导通电阻是指MOS管在导通状态下的电阻大小。
导通电阻直接影响到MOS管的电流承载能力和开关速度。
一般而言，导通电阻越小，MOS管的电流承载能力越强，开关速度也越快。
因此，在选型时需要考虑开关电源的负载电流和开关速度的要求，并选择具有合适导通电阻的MOS管。
此外，过压保护也是选型时需要考虑的因素之一。
过压保护是指当开关电源的输出电压超出设定范围时，MOS管能够及时切断电流，保护其他电子元件不受损坏。
因此，在选型时需要选择具有过压保护功能的MOS管，以提高开关电源的安全性和稳定性。
综上所述，开关电源MOS管耐压选型的原则主要包括耐压、功率损耗、导通电阻和过压保护等方面。
在具体选型时，需要根据开关电源的输入电压、设计功率、负载电流、开关速度和过压保护等要求，选择具有合适参数的MOS管，以确保开关电源的正常工作和稳定性。
开关电源上MOS管的选择方法
开关电源上MOS管的选择方法MOS管最常见的应用可能是电源中的开关元件，此外，它们对电源输出也大有裨益。
服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，以支持N+1冗余与持续工作(图1)。
各并行电源平均分担负载，确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。
不过，这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起，并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。
在每个电源的输出端，有一个功率MOS管可以让众电源分担负载，同时各电源又彼此隔离。
起这种作用的MOS管被称为"ORing"FET，因为它们本质上是以"OR"【或】逻辑来连接多个电源的输出。
图1用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing FET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。
其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。
相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。
以服务器为例，在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。
因此，ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。
低R DS(ON)可把BOM及PCB尺寸降至最小一般而言，MOS管制造商采用R DS(ON)参数来定义导通阻抗；对ORing FET应用来说，R DS(ON)也是最重要的器件特性。
数据手册定义R DS(ON)与栅极(或驱动)电压V GS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，R DS(ON)是一个相对静态参数。
若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。
在电源设计中，每个电源常常需要多个ORing MOS管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。
在许多情况下，设计人员必须并联MOS管，以有效降低R DS(ON)。
需谨记，在DC电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。
MOSFET选型经验分享：经典案例教你10步法
MOSFET选型经验分享：经典案例教你10步法俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。
功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。
1、功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET 选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N 沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。
需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。
（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N 管。
（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。
2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是。
MOS管参数选型指南
SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)2N7000N-ch MOS0.6250.26050.5100.8~310000.110TO-92 2N7002N-ch MOS0.2250.1156050.5101~2.52500.0810SOT-23 2N7002K N-ch MOS0.6250.346050.5101~2.5250--TO-92 2N7002K N-ch MOS0.350.346050.5101~2.51000--SOT-23 2N7002KW N-ch MOS0.20.346050.5101~2.51000--SOT-323 2N7002T N-ch MOS0.150.1156050.5101~2.52500.0810SOT-523 2N7002W N-ch MOS0.20.1156050.5101~2.52500.0810SOT-323 2N7002X N-ch MOS0.50.1156050.5101~2.52500.0810SOT-89-3L 2SK1658N-ch MOS0.20.130100.0140.9~1.510.023SOT-323 2SK3018N-ch MOS0.350.13080.0140.8~1.51000.023SOT-23 2SK3018N-ch MOS0.20.13080.0140.8~1.51000.023SOT-323 2SK3019N-ch MOS0.150.13080.0140.8~1.51000.023SOT-523 2SK3541N-ch MOS0.15±0.13080.0140.8~1.51000.023SOT-723 BSS123N-ch MOS0.350.1710060.17101~2.82500.0810SOT-23 BSS138N-ch MOS0.350.2250 3.50.22100.8~1.510000.1210SOT-23 BSS138W N-ch MOS0.30.2250 3.50.22100.8~1.525012010SOT-323 BSS84P-ch MOS0.225-0.13-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-523 CJ2101P-ch MOS0.29-1.4-200.1-1-4.5-0.45-250--SOT-323型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ2102N-ch MOS0.2 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-323 CJ2301P-ch MOS0.4-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301B P-ch MOS0.35-2.3-200.12-2.6-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301S P-ch MOS0.35-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-2504+-5SOT-23 CJ2302N-ch MOS0.4 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2302S N-ch MOS0.35 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2303P-ch MOS0.35-1.9-300.19-1.9-10-1~-3-2501-5SOT-23 CJ2304N-ch MOS0.35 3.3300.06 3.210 1.2~2.2250 2.5 4.5SOT-23 CJ2305P-ch MOS0.35-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23 CJ2306N-ch MOS0.75 3.16300.047 3.5101~32507+ 4.5SOT-23 CJ2307P-ch MOS 1.1-2.7-300.088-3.5-10-1~-3-2507+-10SOT-23 CJ2310N-ch MOS0.353600.1053100.5~2250 1.415SOT-23 CJ2312N-ch MOS0.255200.03185 4.50.45~12506+10SOT-23 CJ2321P-ch MOS0.35-2.9-200.057-3.3-4.5-0.4~-0.9-2503-5SOT-23 CJ2324N-ch MOS0.3521000.234 1.510 1.2~2.82502+20SOT-23 CJ2333P-ch MOS0.35-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.350.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-723 CJ3134KW N-ch MOS0.20.75200.380.65 4.50.35~1.1250110SOT-323SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-723 CJ3139K P-ch MOS0.35-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-23 CJ3139KW P-ch MOS0.2-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-2500.8-10SOT-323 CJ3400N-ch MOS0.35 5.8300.035 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3400A N-ch MOS0.4 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3401P-ch MOS0.35-4.2-300.065-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3401A P-ch MOS0.4-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3402N-ch MOS0.354300.0554100.6~1.42508+15SOT-23 CJ3404N-ch MOS0.35 5.8300.03 5.8101~325055SOT-23 CJ3406N-ch MOS0.35 3.6300.065 3.6101~325035SOT-23 CJ3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23 CJ3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23 CJ3420N-ch MOS0.356200.0246100.5~125045SOT-23 CJ3434N-ch MOS0.35300.0425100.6~125015+5SOT-23 CJ4153N-ch MOS0.150.915200.570.6 4.50.45~1.12500.510SOT-523 CJ4459＊P-ch MOS0.35-5-300.046-5-10-1.4~-2.4-25014+-5SOT-23 CJ502K P-ch MOS0.35-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ502KW＊P-ch MOS0.3-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-323 CJ8810N-ch MOS0.37200.0267100.4~125095SOT-23SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ8820N-ch MOS0.37200.0217100.5~1.125020+5SOT-23CJA03N10N-ch MOS0.531000.145101~225035SOT-89-3L CJA9451P-ch MOS0.5-2.3-200.135-2.3-4.5-0.5~-1.5-250 2.3-5SOT-89-3L CJA9452N-ch MOS0.54200.0384100.7~1.525035SOT-89-3L CJAA3134K N-ch MOS0.10.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAA3139K P-ch MOS0.1-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAB25N03N-ch mos 1.525300.0110101~3250155PDFNWB3.3×3.3-8L CJAB35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB3.3×3.3-8L CJAC10H02＊N-ch MOS2100200.00220 4.50.5~1.225093+5PDFNWB5×6-8L CJAC10H03＊N-ch MOS2100300.00252010 1.2~2.52503210PDFNWB5×6-8L CJAC20N10N-ch MOS2201000.0311510 1.3~2.525015+5PDFNWB5×6-8L CJAC35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB5×6-8L CJAC50P03P-ch mos2-50-300.007-10-10-1.0~-2.525020-10PDFNWB5×6-8L CJB08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-263-2LCJB85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-263-2LCJD01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-251-3LCJD01N80N-ch mos-180013.50.5103~52500.7550TO-251-3LCJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251-3LCJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251SSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251-3L CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251S CJD02N80N-ch MOS 1.5 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-251S CJD04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250250TO-251S CJD04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N60B N-ch MOS--460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-251S CJD05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-251S CJD30N10＊N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+10TO-251S CJD4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-251-3L CJD4435P-ch MOS1-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10TO-251-3L CJE3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35-1.1250110SOT-523 CJE3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-523 CJI02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-126 CJK2305P-ch MOS0.4-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-3L CJK2333P-ch MOS0.4-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23-3L(12R) CJK3400A N-ch MOS0.45 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23-3L(12R) CJK3401A P-ch MOS0.45-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23-3L CJK3407P-ch MOS0.3-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJK3415P-ch MOS0.3-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23-3LCJL1206P-ch MOS0.35-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-6L(12R)CJL2301P-ch MOS0.35-2.3-200.09-2.5-4.5-0.4~-1-2504-5SOT-23-6L(12R)CJL3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-6LCJL3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-25016+-5SOT-23-6LCJM1206P-ch MOS 2.5-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1208P-ch MOS 2.5-8-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1216P-ch MOS 2.5-16-120.021-6.7-4.5-0.4~-1-25040+-10DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM3005＊N-ch MOS0.55300.0425100.6~125015+5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMN2012N-Ch MOS0.7512200.0155 4.50.35~1250204DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMP3009P-ch MOS0.75-9-300.028-9-4.5-0.6~-1.5-25024+-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJP01N80N-ch MOS2180013.50.5103~52500.7550TO-220-3LCJP02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220-3LCJP02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220-3LCJP02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-220-3LCJP04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220-3LCJP04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220-3LCJP04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220-3LCJP05N60B N-ch MOS-5600 2.5 2.25102~4250--TO-220-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJP07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220-3L CJP07N65N-ch mos-7.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220-3L CJP08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220-3L CJP08N65N-ch mos-8650 1.44102~42508.5+50TO-220-3L CJP10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220-3L CJP10N65N-ch MOS-1065015102~4250--TO-220-3L CJP12N60N-ch MOS2126000.86102~4250--TO-220-3L CJP12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220-3L CJP15H03＊N-ch mos2150300.00310 4.5 1.2~2.52503210TO-220-3L-C CJP50N06＊N-ch mos250600.022010 1.5~2.52502425TO-220-3L-C CJP55H12＊N-ch mos2120550.00554010 2.0~4.02505025TO-220-3L-C CJP80N03＊N-ch MOS 1.2580300.006530101~325020+5TO-220-3L-C CJP80N04＊N-ch MOS280400.0072010 1.2~2.525020+10TO-220-3L-C CJP85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-220-3L-C CJPF02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220F CJPF02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220F CJPF03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.115TO-220F CJPF04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220F CJPF04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220FSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJPF04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220F CJPF04N70B＊N-Ch MOS2 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-220F CJPF04N70＊N-ch mos- 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-220F CJPF04N80N-ch MOS-480032103~5250--TO-220F CJPF05N60B N-ch MOS25600 2.5 2.25102~4250--TO-220F CJPF05N65N-ch MOS25650 2.4 2.5102~42504+50TO-220F CJPF06N70N-ch MOS-6700 1.83102~4250TO-220F CJPF07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220F CJPF07N65N-ch MOS27.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220F CJPF08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220F CJPF08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-220F CJPF08N80N-ch MOS-8800 1.454103~5250 5.650TO-220F CJPF10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220F CJPF10N65N-ch MOS21065015102~4250--TO-220F CJPF12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220F CJPF55P30P-ch mos2-30-550.04-15-10-2~-4-2508-25TO-220F CJQ07N10N-ch mos 1.471000.0385 4.5 1.2~325022*5SOP8 CJQ4406N-ch mos 1.410300.01212101~325015*5SOP8 CJQ4407P-ch mos 1.4-12-300.017-10-6-1~-2.2-25025-5SOP8SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJQ4410N-ch MOS 1.47.5300.013510101~32508+15SOP8 CJQ4435P-ch MOS 1.4-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10SOP8 CJQ4438N-ch MOS 1.258.2600.0228.2101~3250105SOP8 CJQ4459P-ch MOS 1.4-6.5-300.046-6.5-10-1.4~-2.4-2506-5SOP8 CJQ60P05P-ch MOS 1.25-5-600.08-5-10-1.5~-3.5-2505-15SOP8 CJQ9435P-ch MOS 1.4-5.1-300.06-4.6-10-1~-2-2505-15SOP8 CJT04N15N-ch MOS141500.16410 1.5~2.52505+15SOT-223(8R) CJU01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-252-2L(4R) CJU01N80N-ch MOS-180013.50.5103~52500.75+50TO-252-2L(4R) CJU02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-252-2L(4R) CJU02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-252-2L(4R) CJU02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-252-2L(4R) CJU03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.1+15TO-252-2L(4R) CJU04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-252-2L(4R) CJU04N70B＊N-ch mos 1.25 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-252-2L(4R) CJU05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-252-2L(4R) CJU10N10N-ch MOS-9.61000.14510 1.2~2.5250 3.525TO-252-2L(4R)SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJU12P10＊P-ch MOS 1.25-12-1000.25-6-10-1~-3-250--TO-252-2L(4R) CJU18P10P-ch MOS 1.25-18-1000.1-16-10-1~-3-2505-10TO-252-2L(4R) CJU20N06N-ch mos 1.2520600.04520101~32502425TO-252-2L(4R) CJU30N03N-ch MOS 1.2530300.01415101~2.5250--TO-252-2L(4R) CJU30N10N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+5TO-252-2L(4R) CJU40N10N-ch mos 1.25401000.01728102~42503225TO-252-2L(4R) CJU40P04P-ch mos 1.25-40-400.014-12-10-1.5~-3-25034-5TO-252-2L(4R) CJU4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-252-2L(4R) CJU4828N-ch MOS 1.25 4.5600.056 4.5101~325045TO-252-2L(4R) CJU50N03＊N-ch mos 1.2550300.0162051~3250155TO-252-2L(4R) CJU50N06N-ch mos 1.2550600.022010 1.5~2.52502425TO-252-2L(4R) CJU55P30P-ch mos 1.25-30-550.04-15-10-2~-4-2508-25TO-252-2L(4R) CJU60N04＊N-ch mos 1.2560400.0220 4.5 1.2~2.52501510TO-252-2L(4R) CJU75N06N-ch mos 1.2575600.011530102~42502025TO-252-2L(4R) CJU80N03N-ch mos 1.2580300.012451~3250205TO-252-2L(4R) CJV01N65B N-ch MOS0.6251650140.6102~4250--TO-92 CJW1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-323 IRF630N-ch MOS-9.32000.4 5.4102~4250 3.850TO-220-3L IRF640N-ch MOS2182000.1811102~4250 6.750TO-220-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS (V)I D (μA)(S)V DS 封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)IRF730N-ch MOS 2 5.54001 3.3102~4250 2.950TO-220-3L IRF740N-ch MOS -104000.55 5.2102~4250 5.850TO-220-3L IRF830N-ch MOS 2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-220-3L IRF840N-ch MOS 285000.85 4.8102~4250 4.950TO-220-3L IRFB640N-ch MOS 2182000.1811102~4250 6.750TO-263-2L IRFB830N-ch MOS 2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-263-3L IRFF640N-ch MOS-182000.1811102~42506.750TO-220F深圳理悠科技有限公司SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTDw w 。
MOS管正确选择的步骤
MOS管正确选择的步骤浏览：898|更新：2013-10-31 15:08正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS.知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。
设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V.第二步：确定额定电流第二步是选择MOS管的额定电流。
视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
大功率mos管选择方法
大功率mos管选择方法1.引言1.1 概述概述部分的内容应该对文章主题进行简要介绍，提供读者对该主题的基本了解。
以下是一个可能的概述部分的内容：引言部分是对文章主题"大功率mos管选择方法"的简要介绍。
本文将介绍如何有效选择大功率MOS管，以满足不同应用领域对功率器件的需求。
在当今现代电子设备快速发展的背景下，大功率MOS管作为一种重要的功率器件，被广泛应用于各种电路和系统中。
它们在功率放大、开关和控制等方面具有出色的性能。
然而，选择适当的大功率MOS管并不是一件简单的任务。
不同的应用场景对功率管的要求不一样，例如负载特性、耐压能力、开关速度和导通损耗等。
因此，本文旨在给出一些选择大功率MOS管的方法和准则，以帮助读者更加深入地了解大功率MOS管的特性和选择适合的器件。
在正文中，我们将重点介绍一些基本的选择要点，包括如何确定功率需求、选择合适的耐压能力和导通损耗等。
最后，本文将总结这些要点，并提供一些关于如何选择大功率MOS管的建议，以供读者参考。
通过本文的阅读，读者将能够更好地理解大功率MOS管的选择方法，并在实际应用中更好地应对不同的需求。
文章结构部分是对整篇文章内容的概括和安排的说明，用于引导读者对文章的整体结构有一个清晰的认识。
下面是文章1.2 文章结构部分的内容：1.2 文章结构本文将以以下几个部分来展开对大功率MOS管选择方法的探讨：1. 引言：在这一部分，我们将简要地介绍大功率MOS管在电子设备中的重要性和应用领域，并阐述为什么选择合适的大功率MOS管对于电路设计具有关键意义。
2. 正文：在正文部分，我们将重点关注两个要点。
首先，我们将详细介绍大功率MOS管的基本工作原理和特性，包括结构、导通与截止状态等。
然后，我们将提供一些选择大功率MOS管的关键标准和方法，其中包括最大耗散功率、最大漏极电压、开启电阻、电流承载能力等参数的综合考虑，以及根据所需功率、电压等需求进行详细筛选的技巧和技术。
MOS基础和选型学习资料
目次1 MOS基础知识和分类 (2)1.1 N沟道增强型MOS管 (2)1.1.1 N沟道增强型MOS管的结构 (2)1.1.2 N沟道增强型MOS管的工作原理 (2)1.1.3 N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数 (3)1.2 N沟道耗尽型MOS管 (3)1.2.1 N沟道耗尽型MOS管的结构 (3)1.2.2 与N沟道增强型MOS管的区别 (4)1.3 P沟道MOS管 (5)1.3.1 P沟道MOS管与N沟道MOS管的区别 (5)1.3.2 P沟道MOS管特性比较 (5)2 MOS选型 (5)2.1 首先确定选用N MOS还是P MOS (6)2.1.1 MOS做低频物理开关 (6)2.1.2 MOS做高频开关 (6)2.2 确定主要参数 (7)2.2.1 确定Vds (7)2.2.2 确定Id (7)2.2.3 预估MOS的功耗，大致确定MOS的温升 (7)2.2.4 MOS的寄生参数 (8)MOS基础和选型1 MOS基础知识和分类1.1 N沟道增强型MOS管1.1.1 N沟道增强型MOS管的结构图 1.1 结构示意图在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。
图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。
代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。
P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。
1.1.2 N沟道增强型MOS管的工作原理vGS对iD及沟道的控制作用a)vGS=0 的情况从图 1.1 (a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。
当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。
一文详解！MOS开关管的选择及原理应用
一文详解！MOS开关管的选择及原理应用一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。
而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。
很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。
但如果要求开关频率较高时，栅对地或VCC可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。
下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。
01MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小，且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS.下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
02MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
mos管选型技巧
mos管选型技巧MOS管选型技巧在电子设备设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的电子元件。
选对适合的MOS管对于电路性能的稳定性和效果有着重要的影响。
本文将介绍一些关于MOS管选型的技巧，帮助您更好地选择适合的MOS管。
1. 确定工作参数在选型前，首先需要明确所需的工作参数，包括但不限于电流、电压、功率、频率等。
这些参数将对MOS管的最终选择产生重要影响。
2. 深入了解规格书在选型过程中，深入了解规格书是非常重要的。
规格书中包含了MOS管的详细信息，如最大额定电流、最大额定电压、开启时间、关断时间等。
合理解读规格书可以帮助更准确地选择MOS管。
3. 选择适当的封装类型MOS管有多种封装类型，如TO-220、SOT-23等。
根据实际需求和电路布局，选择适当的封装可以方便布局并最大程度地满足电路需求。
4. 考虑热特性MOS管在工作过程中会产生较多的热量，因此热特性也是选型时需要考虑的因素。
包括导热性能、最大工作温度、热阻等，这些参数对于确保MOS管的工作稳定性至关重要。
5. 精确计算电路负载正确计算电路负载有助于更准确地确定所需的MOS管参数。
根据实际电路负载，计算出电流和功率等参数，从而选择合适的MOS管。
6. 参考经验和评估工具除了以上技巧，参考经验和使用评估工具也是选型过程中的重要参考。
借鉴他人在类似电路中的选型经验，或使用在线选型工具，可以提供一些建议和参考，帮助您更好地选取适合的MOS管。
以上是关于MOS管选型的一些技巧，希望能够对您在电子设备设计中的选择过程有所帮助。
选型过程需要综合考虑多个因素，确保所选MOS管能够满足电路需求，并具备良好的性能和稳定性。
希望本文对您有所启发！7. 比较同类产品在选型过程中，可以比较不同厂家的同类产品，了解它们的特点和性能表现。
通过对比，可以找到最适合自己项目需求的MOS管。
8. 注意价格和可获得性除了性能和规格，价格和可获得性也是选型时需要考虑的因素。
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七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。
选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。
从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。
另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS 管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。
第三步为确定电流确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。
需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。
电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。
在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。
脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。
一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。
在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。
MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。
器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：最大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。
对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。
对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。
对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。
需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。
技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)增大。
对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。
业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。
在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。
为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。
例如，飞兆半导体开发的SupeRFET技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。
这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。
SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。
这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。
结果是晶片尺寸可减小达35%。
而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。
SuperFETIIIMOSFET系列参数第四步是确定热要求在确定电流之后，就要计算系统的散热要求。
设计人员必须考虑两种不同的情况：最坏情况和真实情况。
建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。
在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据，比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积，即结温=最大环境温度（热阻×功率耗散）。
根据这个方程可解出系统的最大功率耗散=I2×RDS(ON)。
由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。
值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量；即要求印刷电路板和封装不会立即升温。
雪崩击穿（指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加）形成的电流将耗散功率，使器件温度升高，而且有可能损坏器件。
半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。
计算额定雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。
而热计算因为较为实用而得到广泛采用。
除计算外，技术对雪崩效应也有很大影响。
例如，晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。
对最终用户而言，这意味着要在系统中采用更大的封装件。
第五步是确定开关性能选择MOS管的最后一步是确定其开关性能。
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。
因为在每次开关时都要对这些电容充电，会在器件中产生开关损耗；MOS管的开关速度也因此被降低，器件效率随之下降；其中，栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)，进而推导出MOS管开关总功率：Psw=(EonEoff)×开关频率。
增强型NMOS管构成的开关电路第六步为封装因素考量不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度（如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。
常见的MOS管封装有：①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92；②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN。
TO封装MOS管不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。
TO-3P/247：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流（电流10A以上、耐压值在100V以下）在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
TO-220/220F：这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。
这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
TO-251：该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A 以下、高压7N以下环境中。
TO-92：该封装只有低压MOS管（电流10A以下、耐压值60V以下）和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。
TO-263：是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。
TO-252：是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。
SOP-8：该封装同样是为降低成本而设计，一般在50A以下的中压、60V左右的低压MOS 管中较为多见。
SOT-23：适于几A电流、60V及以下电压环境中采用，其又分有大体积和小体积两种，主要区别在于电流值不同。
DFN：体积上，较SOT-23大，但小于TO-252，一般在低压和30A以下中压MOS管中有采用，得益于产品体积小，主要应用于DC小功率电流环境中。
第七步要选择好品牌MOS管的生产企业很多，大致说来，主要有欧美系、日系、韩系、台系、国产几大系列。
欧美系代表企业：ST、安森美（含仙童）、TI、PI、英飞凌（含IR）等；日系代表企业：东芝、瑞萨、新电元等；韩系代表企业：KEC、AUK、美格纳、森名浩、威士顿、信安、KIA等；台系代表企业：APEC 富鼎、CET 华瑞；国产代表企业：吉林华微、士兰微、华润华晶、东光微、世纪金光半导体等。
在这些品牌中，以欧美系企业的产品种类最全、技术及性能最优，从性能效果考虑，是为MOS管的首选；以瑞萨、东芝为代表的日系企业也是MOS管的高端品牌，同样具有很强的竞争优势；这些品牌也是市面上被仿冒最多的。
另外，由于品牌价值、技术优势等原因，欧美系和日系品牌企业的产品价格也往往较高。
韩国和中国台湾的MOS管企业也是行业的重要产品供应商，不过在技术上，要稍弱于欧美及日系企业，但在价格方面，较欧美及日系企业更具优势；性价比相对高很多。
而在中国大陆，同样活跃着一批本土企业，他们借助更低的成本优势和更快的客户服务响应速度，在中低端及细分领域具有很强的竞争力，部分实现了国产替代；目前也在不断冲击高端产品线，以满足本土客户的需求。
另外，本土企业还通过资本运作，成功收购了安世半导体等国际知名的功率器件公司，将更好地满足本土对功率器件的需求。
小结小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，工程师在选择MOS管时，一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管，从而获得最佳的产品设计体验。
当然，在考虑性能的同时，成本也是选择的因素之一，只有高性价比的产品，才能让工程师设计的产品在品质与收益中达到平衡。