计算机组成原理实验报告二 半导体存储器原理实验
计算机组成原理实验报告(运算器组成存储器)
计算机组成原理实验报告（运算器组成存储器）计算机组成原理实验报告（运算器组成、存储器）计算机组成原理实验报告一、实验1quartusⅱ的采用一．实验目的掌控quartusⅱ的基本采用方法。
了解74138（3：8）译码器、74244、74273的功能。
利用quartusⅱ检验74138（3：8）译码器、74244、74273的功能。
二．实验任务熟悉quartusⅱ中的管理项目、输入原理图以及仿真的设计方法与流程。
新建项目，利用原理编辑方式输出74138、74244、74273的功能特性，依照其功能表分别展开仿真，检验这三种期间的功能。
三．74138、74244、74273的原理图与仿真图1.74138的原理图与仿真图74244的原理图与仿真图1.4.74273的原理图与仿真图、实验2运算器组成实验一、实验目的1.掌握算术逻辑运算单元（alu）的工作原理。
2.熟悉简单运算器的数据传送通路。
3.检验4十一位运算器（74181）的女团功能。
4.按给定数据，完成几种指定的算术和逻辑运算。
二、实验电路附录中的图示出了本实验所用的运算器数据通路图。
8位字长的alu由2片74181构成。
2片74273构成两个操作数寄存器dr1和dr2，用来保存参与运算的数据。
dr1接alu的a数据输入端口，dr2接alu的b数据输入端口，alu的数据输出通过三态门74244发送到数据总线bus7-bus0上。
参与运算的数据可通过一个三态门74244输入到数据总线上，并可送到dr1或dr2暂存。
图中尾巴上拎细短线标记的信号都就是掌控信号。
除了t4就是脉冲信号外，其他均为电位信号。
nc0，nalu-bus，nsw-bus均为低电平有效率。
三、实验任务按右图实验电路，输出原理图，创建.bdf文件。
四.实验原理图及仿真图给dr1取走01010101，给dr2取走10101010，然后利用alu的直通功能，检查dr1、dr2中是否保存了所置的数。
[Other]计算机组成原理分解实验：实验二 RAM实验
![[Other]计算机组成原理分解实验：实验二 RAM实验](https://img.taocdn.com/s3/m/947a6215650e52ea55189843.png)
- - 各种图形学实验和数据结构实验以及其他一切琐碎杂乱的小笔记们都相遇在此齐聚一堂共同守候 0error(s), 0 warning(s) 这神奇时刻的到来分类： 计算机组成原理 2012-12-17 15:17 106人阅读 评论(0) 收藏举报实验二 RAM实验一、实验目的：了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。
掌握半导体存储器的字、位扩展技术。
二、实验所用器件和仪表：RAM采用两片MM2114隔离部件采用74LS125译码器采用74LS138三、实验内容：采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。
◆ 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的读/写操作实验。
◆采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4的存储器。
◆必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关）。
◆ 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的读/写操作实验。
◆ 选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。
◆ 分别设计试验步骤。
◆ 使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。
给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。
四、实验提示：为简化试验，地址可只用低4位（其余地址可接地）。
五、实验接线图及实验结果：基本的试验方案：第一部分：采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。
设计线路：字扩展的实验操作：1.初始化：将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。
将k13（RAM片选信号）推至低电平，选中RAM。
将k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。
2.写入数据：将k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。
将k4~k11调整至想要的二进制输入值。
将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。
将k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。
计组-实验二报告
管理学院信息管理与信息系统专业 3 班______组、学号姓名协作者教师评定_____________实验题目_半导体存储器原理实验_______________________1.实验目的与要求：实验目的：(1)掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
(2)掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
实验要求：实验前，要求先做好实验预习，了解实验电路的概况，然后按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程，最后总结实验中遇到的问题。
2.实验方案：(1)半导体静态随机存储器实验连线：按要求在实验仪上接好线，仔细检查正确与否，无误后才接通电源，每次实验都要接一些线，先接线，后打开电源，养成不带电接线的习惯，这样可以避免烧坏实验仪器。
(2)向存储单元写入数据：先将表2.2的地址和内容转化为二进制，然后向存储器单元里先写第一个单元的地址、然后向第一个地址，再写第二个地址，然后向第二个地址单元写内容，就这样不断循环操作，直到做完。
(3)读出存储单元内容: 依次读出表中各地址单元的内容，观察各单元中的内容与写入内容是否一致。
(4)检验结果: 若结果一致，读写操作顺利完成。
3.实验结果和数据处理：(1)填写表2.1各控制端的状态。
如下图所示：表2.1(2)记录表2.2的写入和读出操作过程。
（1）设置输入控制端的开关状态：将实验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7—D0设置为00000000。
（2）写地址操作。
SW-B=0, LDAR=1, CE=1, WE=0/1, 设置好各类数据后，按一下微动开关START即可。
最后，关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
完成写地址操作。
（3）写内容操作。
SW-B=0, LDAR=0, CE=0, WE=1, 输入好各项数据后，按一下微动开关START即可。
最后，关闭片选信号和写命令信号：CE=1, WE=0。
计算机组成原理实验报告二 半导体存储器原理实验
半导体存储器原理实验一、实验目的：1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
二、实验要求：按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。
三、实验方案及步骤：1、按实验连线图接线，检查正确与否，无误后接通电源。
2、根据存储器的读写原理，按表2.1的要求，将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。
3、根据实验指导书里面的例子练习，然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。
4、比较实验结果和理论值是否一致，如果不一致，就分析原因，然后重做。
四、实验结果与数据处理：（1）表2.1各控制端的状态（2）练习操作数据1：（AA）16 =（10101010）2写入操作过程：1)写地址操作：①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000000即可。
②应设置有关控制端的开关状态：先在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④应关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为10101010。
②应设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中：再按一下微动开关START即可。
《计算机组成原理》存储器实验报告
《计算机组成原理》实验报告学院：计算机学院专业：交通工程班级学号：AP0804114学生姓名：黄佳佳实验日期：2010.11.30指导老师：李鹤喜成绩评定：五邑大学信息学院计算机组成原理实验室存储器读写实验一、实验目的：掌握半导体静态随机存储器RAM的特性和使用方法。
掌握地址和数据在计算机总线的传送关系。
了解运算器和存储器如何协同工作。
二、预习要求：预习半导体静态随机存储器6116的功能。
三、实验设备：EL-JY-II8型计算机组成原理实验系统一套，排线若干。
四、电路组成：电路图见图3-1，6116的管脚分配和功能见图3-2。
图3-1 存储器电路图3-2（a）6116管脚分配图3-2（b）6116功能五、实验步骤Ⅰ、单片机键盘操作方式实验注：在进行单片机键盘控制实验时，必须把K4开关置于“OFF ”状态，否则系统处于自锁状态，无法进行实验。
1. 实验连线：实验连线图如图3－4所示。
连线时应按如下方法：对于横排座，应使排线插头上的箭头面向自己插在横排座上；对于竖排座，应使排线插头上的箭头面向左边插在竖排座上。
图3－4 实验三键盘实验接线图2．写数据：拨动清零开关CLR ，使其指示灯显示状态为亮—灭—亮。
在监控指示灯滚动显示【CLASS SELECt 】时按【实验选择】键，显示【ES--_ _ 】输入03或3，按【确认】键，监控指示灯显示为【ES03】，表示准备进入实验三程序，也可按【取消】键来取消上一步操作，重新输入。
再按【确认】键，进入实验三程序， 监控指示灯显示为【CtL= - -】，输入1,表示准备对RAM 进行写数据，在输入过程中，可按【取消】键进行输入修改。
按 【确认】键，监控指示灯显示【Addr- -】，提示输入2位16进制数地址，输入“00”按【确认】键，监控指示灯显示【dAtA 】，提示输入写入存储器该地址的数据（4位16进制数），输入“3344”按【确认】键，监控指示灯显示【PULSE 】，提示输入单步，按【单步】键，完成对RAM 一条数据的输入，数据总线显示灯（绿色）显示“0011001101000100”，即数据“3344”，地址显示灯显示“0000 0000”，即地址“00”，监控指示灯重新显示【Addr- -】，提示输入第二条数据的2位十六进制的地址。
计组存储器实验实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 理解存储器的基本组成和工作原理；2. 掌握存储器的读写操作过程；3. 熟悉存储器芯片的引脚功能及连接方式；4. 了解存储器与CPU的交互过程。
二、实验环境1. 实验设备：TD-CMA计算机组成原理实验箱、计算机；2. 实验软件：无。
三、实验原理1. 存储器由地址线、数据线、控制线、存储单元等组成；2. 地址线用于指定存储单元的位置，数据线用于传输数据，控制线用于控制读写操作；3. 存储器芯片的引脚功能：地址线、数据线、片选线、读线、写线等；4. 存储器与CPU的交互过程：CPU通过地址线访问存储器，通过控制线控制读写操作，通过数据线进行数据传输。
四、实验内容1. 连线：按照实验原理图连接实验箱中的存储器芯片、地址线、数据线、控制线等；2. 写入操作：将数据从输入单元IN输入到地址寄存器AR中，然后通过控制线将数据写入存储器的指定单元；3. 读取操作：通过地址线指定存储单元，通过控制线读取数据，然后通过数据线将数据输出到输出单元OUT；4. 实验步骤：a. 连接实验一（输入、输出实验）的全部连线；b. 按实验逻辑原理图连接两根信号低电平有效信号线；c. 连接A7-A0 8根地址线；d. 连接13-AR正脉冲有效信号线；e. 在输入数据开关上拨一个地址数据（如00000001，即16进制数01H），拨下开关，把地址数据送总线；f. 拨动一下B-AR开关，实现0-1-0”，产生一个正脉冲，把地址数据送地址寄存器AR保存；g. 在输入数据开关上拨一个实验数据（如10000000，即16进制数80H），拨下控制开关，把实验数据送到总线；h. 拨动控制开关，即实现1-0-1”，产生一个负脉冲，把实验数据存入存储器的01H号单元；i. 按表2-11所示的地址数据和实验数据，重复上述步骤。
五、实验结果与分析1. 通过实验，成功实现了存储器的读写操作；2. 观察到地址线、数据线、控制线在读写操作中的协同作用；3. 理解了存储器芯片的引脚功能及连接方式；4. 掌握了存储器与CPU的交互过程。
计算机组成原理实验报告完整版
计算机组成原理实HEN system office room [HEN 16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688]南通大学计算机科学与技术学院上机实验报告姓名：邓啥班级：软件工程142一、目的及要求1.熟悉静态随机存储器RAM和只读存储器ROM的工作特性和使用方法；2.熟悉半导体存储器存储和读出数据的过程；3.了解使用半导体存储器电路时的定时要求。
二、环境（软、硬件平台）硬件：计算机一台软件：Quartus II及以上版本三、内容及步骤（包括程序流程及说明）1.利用Quartus II器件库提供的参数化存储单元lpm.rom设计一个山128><8位的ROM （地址空间：OOH'7FH）构成的只读存储器系统。
（1）设计实验电路图，在Quartus II的编辑环境下，进行原理图的输入和编辑工作，要求编译通过，无错误。
（2）利用・Mf文件，对ROM的存储单元00H'05H进行初始化。
（3）给定ROM存储区的地址：OOH〜O5H,读ROM存储单元。
要求通过分析仿真波形，检查数据的正确性。
记录仿真波形、分析方法、分析过程和分析结果。
•首先利用器件库提供的存储单元lpm_rom器件设计一个128X8位的ROM只读存储器，注意这里要关联m辻文件；•设计的电路图如下：给入的八位地址的最高位作为器件脉冲端的控制信号，其余七位作为ROM的地址输入。
利用・m辻文件，对ROM的存储单元OOH〜O5H进行初始化如上面的截图所示，每次在重新写入数据时都要更新重新关联文件；然后设汁出仿真波形：2.利用Quartus H器件库提供的参数化存储单元lpm_ram_dq,设计“一个山128X8位的RAM （地址空间：80H、FFH）构成的随机存储器系统。
（1）设计实验电路图，在Quartus II的编辑环境下，进行原理图的输入和编辑工作，要求编译通过，无错误。
（2）给RAM的存储单元80H、85H写入数据。
《计算机组成原理》运算器实验报告(总结报告范文模板)
《计算机组成原理》运算器实验报告实验目录：一、实验1 Quartus Ⅱ的使用（一）实验目的（二）实验任务（三）实验要求（四）实验步骤（五）74138、74244、74273的原理图与仿真图二、实验2 运算器组成实验（一）实验目的（二）实验任务（三）实验要求（四）实验原理图与仿真图三、实验3 半导体存储器原理实验（一）实验目的（二）实验要求（三）实验原理图与仿真图四、实验4 数据通路的组成与故障分析实验（一）实验目的（二）实验电路（三）实验原理图与仿真图五、本次实验总结及体会：一、实验 1 Quartus Ⅱ的使用（一）实验目的1.掌握Quartus Ⅱ的基本使用方法。
2.了解74138（3：8）译码器、74244、74273的功能。
3.利用Quartus Ⅱ验证74138（3：8）译码器、74244、74273的功能。
（二）实验任务1、熟悉Quartus Ⅱ中的管理项目、输入原理图以及仿真的设计方法与流程。
2、新建项目，利用原理编辑方式输入74138、74244、74273的功能特性，依照其功能表分别进行仿真，验证这三种期间的功能。
（三）实验要求1.做好实验预习，掌握74138、74244、74273的功能特性。
2.写出实验报告，内容如下：（1）实验目的；（2）写出完整的实验步骤；（3）画出74138、74244和74273的仿真波形，有关输入输出信号要标注清楚。
（四）实验步骤1.新建项目：首先一个项目管理索要新建的各种文件，在Quartus Ⅱ环境下，打开File，选择New Project Wizard后，打开New Project Wizard：Introduction窗口，按照提示创建新项目，点击“Next”按钮，再打开的窗口中输入有关的路径名和项目名称后，按“Finish”按钮，完成新建项目工作。
2.原理图设计与编译：原理图的设计与编译在Compile Mode（编译模式）下进行。
2.1．新建原理图文件打开File菜单，选择New，打开“新建”窗口。
计算机组成原理 - 实验二存储器实验_
操作步骤
接线图中OO1、OO2、OOE1、OOE2是四个观察记数的 指示灯，其中OO1、OO2是写信号记数，OOE1、OOE2 是读信号记数。FULL及EMPTYy是满和空标志灯。
实验时，先拨动CLR开关使FIFO清空。然后给INPUT DEVICE单元中置一个数，按动START，此时将此数写入 到FIFO中，依次写四次后，FULL满标志置位。此时再也 写不进去，然后连续按动KK2-读信号，将顺序读出所存 的四个数，从总线显示灯检查结果是否与理论值一致。
C3=FIFOWR&O2&!O1; C4=FIFOWR&O2&O1; EMPTY=(OE==O)&!FLAGG; FULL=(OE==O)&FLAGG; END
25
26
3.LS273模块（ls273.abl）
MODULE LS273
"INPUT
CLK
PIN ;
I7,I6,I4,I3,I2,I1,I0 PIN ;
OE.CLK=FIFORD;
O.CLK=!FIFOWR;
24
OE.AR=!RST; O.AR=!RST; FLAGG.CLK=FIFOWR; FLAGG.AR=(!FIFORD)#(!RST); FLAGG:=1; WHEN OE==3 THEN OE:=0 ELSE OE:=OE+1; WHEN O==3 THEN O:=0 ELSE O:=O+1; C1=FIFOWR&!O2&!O1; C2=FIFOWR&!O2&O1;
7
三．实验内容
实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3 相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制信号 由“SWITCH UNIT”单元的二进制开关模拟，其中 SW-B为低电平有效，LDAR为高电平有效。
组成原理半导体存储器ram实验小结
组成原理半导体存储器ram实验小结实验小结：组成原理半导体存储器RAM一、实验目标本实验的主要目标是理解和掌握随机存取存储器（RAM）的工作原理以及其在计算机系统中的作用。
通过实际操作和观察，我们将深入了解RAM的组成、工作原理以及读写操作。
二、实验原理随机存取存储器（RAM）是计算机中最重要的存储器之一，其特点是可以在任意地址读取和写入数据。
RAM由许多存储单元组成，每个单元可以存储一个二进制数（0或1）。
这些存储单元通常按行和列排列，形成矩阵。
每个存储单元都有一个唯一的地址，通过该地址可以快速读取或写入数据。
三、实验操作过程1. 打开实验箱，找到RAM模块。
2. 将RAM插入实验箱的插槽中。
3. 通过实验箱的控制面板，设置RAM的地址、数据输入和数据输出。
4. 执行读操作和写操作，观察RAM的响应。
5. 记录实验数据，包括地址、输入数据、输出数据以及读写操作的时间。
四、数据分析与结论根据实验数据，我们观察到RAM在读操作和写操作时表现出了不同的行为。
在写操作时，我们可以通过控制面板设置地址和数据，然后观察到RAM正确地将数据写入到指定的地址中。
在读操作时，我们观察到RAM在接收到地址信号后，能够在很短的时间内将数据从指定的地址中读取出来。
通过本次实验，我们深入了解了RAM的工作原理和读写操作。
在实际应用中，RAM通常用于存储运行中的程序和数据，其快速读写的能力使得计算机能够高效地处理任务。
同时，我们也发现了一些可能存在的问题，例如读写操作时的时序问题等，这些问题在后续的学习和工作中需要进一步研究和解决。
计算机组成原理半导体存储器实验
华中科技大学组成原理实验报告——半导体存储器姓名：张鹏学号：U200915166班级：CS0910目录1．实验目的 (3)2．电路设计和整体电路 (3)2.1 写入奇偶校验 (3)2.2 读出奇偶校验 (3)2.3 8位存储器电路 (4)2.4 整合电路 (6)3．实验记录与结果分析 (6)4．实验收获与体会 (7)5．思考题 (7)1．实验目的1．掌握半导体静态随机或动态读写存储器RAM的工作原理特性及其使用方法。
2．掌握半导体存储器进行读写的过程。
3．掌握半导体存储器扩充的方法。
4．掌握测量半导体存储器读写周期的方法。
5. 掌握对存储数据进行奇偶效验的原理和方法。
2．电路设计和整体电路按照方案3连接电路，然后加入写入奇偶校验和读出奇偶校验。
先说一下奇偶校验。
2.1 写入奇偶校验写入奇偶校验需要自己设计编码，我使用的是最低位作为校验位，高7位的奇校验值写入到最低一位。
电路图如下：b0的表达式为：bb⊕bb⊕⊕=⊕⊕b⊕4321b5b60b7然后把b7~b0写入到RAM里面去。
2.2 读出奇偶校验读出偶校验对RAM的8位数据进行奇校验，即：⊕G⊕bb⊕⊕=⊕⊕⊕b532146bbbb7b若G=0说明数据没有错误，否则说明数据有错。
其电路图如下：2.3 8位存储器电路8位存储器使用方案3。
三态门负责数据的产生和阻断，D触发器负责对地址锁存，6116即充当存储器。
由此构成的电路，对其进行读写时要经过一系列的步骤。
写操作要按以下步骤执行：a.置数据阻断开关为‘关’，使三态门输出数据b.置D触发器锁存开关为‘关’c.设置开关为要写入数据的地址d.置D触发器锁存开关为‘开’，锁存，至此已设置好地址e.置6116RAM芯片为‘写’输入状态f.设置开关为要写入的数据g.关闭6116RAM芯片的‘写’输入状态，完成读操作要经过以下步骤（为防止误对存储器进行‘写’输入，在不是写状态下绝对不能打开‘写’输入开关）：a.按照写操作的步骤a-d设置6116RAM的地址b.置数据阻断开关为‘开’，使三态门不能产生数据c.置6116RAM芯片为‘读’输出状态，然后数据指示灯就会显示出存储器里面的数据8位存储器是电路模型如下：2.4 整合电路注意：此电路图在Multisim里面绘制，对地址显示器和数据显示器简单地使用逻辑分析仪代替。
《计算机组成原理》实验
《计算机组成原理》实验一、实验的性质、任务和基本要求(一)本实验课的性质、任务《计算机组成原理》是计算机科学与技术、网络工程专业的核心专业基础课，本课程旨在培养学生对计算机系统的分析、设计能力，同时为后续专业课程的学习打下坚实的基础。
实验是巩固课堂教学质量必不可少的重要手段。
本实验课的任务是通过实验进一步加深对计算机各部件组成以及工作原理的掌握，培养学生计算机硬件动手能力。
（二）基本要求1、掌握运算器的基本组成和工作原理；2、掌握半导体存储器的工作原理与使用方法，掌握半导体存储器如何存储和读取数据；3、掌握微程序控制器的组成以及工作过程，掌握用单步方式执行一段微程序以及如何检查每一条微指令正确与否的方法；4、掌握数据传送通路工作原理；5、能够将运算器、微程序控制器和存储器三个部件连机，形成一个基本模型机系统。
同时，掌握机器指令与微指令的关系。
（三）实验学时分配表（表格说明）二、实验教学内容实验一运算器实验一、实验目的：（1）结合学过的有关运算器的基本知识，掌握运算器的基本组成、工作原理。
特别是了解算术逻辑运算单元ALU的工作原理；（2）验证多功能算术单元74181、74182的运算功能；（3）熟悉掌握本实验中运算器的数据传输通路。
二、实验要求（1）预习74181、74182的工作原理及逻辑关系；（2）测量数据要求准确；（3）写出实验报告。
三、实验内容1、实验原理实验中的运算器由两片74LS181以并/串形成8位字长的ALU构成。
运算器的输出经过一个三态门74LS245到ALUO1插座，实验时用8芯排线和内部数据总线BUSD0~D7插座BUS1~6中的任一个相连，内部数据总线通过LZD0~LZD7显示灯显示；运算器的两个数据输入端分别由二个锁存器74LS273锁存，两个锁存器的输入并联后连至插座ALUBUS，实验时通过8芯排线连至外部数据总线EXD0~D7插座EXJ1~EXJ3中的任一个；参与运算的数据来自于8位数据开关KD0~KD7，并经过一三态门74LS245直接连至外部数据总线EXD0~EXD7，通过数据开关输入的数据由LD0~LD7显示。
计算机组成原理实验二报告
实验（二）存储器实验1、实验目的1 深入理解计算机内存储器的功能，组成知识。
2深入的学懂静态存储芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储系统的方法（即字，位扩展技术），控制其运行方式2、实验内容1.完成存储器扩展的实验，需要为扩展内存选择一个地址，并注意读写和OE等控制的正确状态。
2.用监控程序的D,E命令对存储器进行读写，比较RAM，EEPROM，EPROM在读写上的异同。
3.用A命令写一段程序，对RAM进行读写，用D命令查看结果是否正确。
4.用A命令写一段程序，对扩展存储器EEPROM进行读写，用D命令查看结果是否正确，如果不正确，分析原因，改写程序，重新运行。
3、实验步骤1.检查FPGA下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接，标有ROMLCS和RAMLCS的插针短接。
2.RAM（6116）支持即时读写，可直接用A、E命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。
RAM中的内容在断电后会消失，重新启动实验机后会发现内存单元的值发生了改变。
1>用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。
<1>在命令行提示符状态下输入：E 2020<2>在命令行提示符状态下输入：D2020<3>断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020~2023的值。
2>用A命令输入一段程序，执行并观察结果。
<1>在命令行提示符状态下输入：A 2000<2>在命令行提示符状态下输入：T 2000<3>在命令行提示符状态下输入：G 2000<4> 在命令行提示符状态下输入：R3. 将扩展的ROM芯片（27或27系列的替代产品58C65芯片）插入标有“EXTROMH”和“EXTROMP”的自锁进插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。
计算机组成原理存储器实验报告
计算机组成原理存储器实验报告一、实验目的本实验旨在通过实践了解存储器的基本原理和实现方式，掌握存储器的读写操作。
二、实验原理存储器是计算机中用于存储数据和程序的设备，其按照不同的存取方式可分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
其中RAM是一种易失性存储器，其存储的数据会随着电源关闭而丢失；而ROM则是一种非易失性存储器，其存储的数据在电源关闭后仍能保持不变。
本实验使用的是一个8位RAM，其具有256个存储单元，每个存储单元可以存储8位数据。
RAM可以进行读写操作，读操作是将存储单元中的数据读取到CPU中，写操作是将CPU中的数据写入到存储单元中。
存储单元的地址是由地址线来控制的，本实验中使用的是8位地址线，因此可以寻址256个存储单元。
三、实验仪器本实验使用的主要仪器有：存储器板、八位开关、八位数码管、八位LED灯、地址选择开关和地址计数器等。
四、实验过程1. 准备工作：将存储器板与开发板进行连接，并将八位开关、八位数码管、八位LED灯、地址选择开关和地址计数器等连接到存储器板上。
2. 设置地址：使用地址选择开关来设置需要读写的存储单元的地址。
3. 写操作：将需要存储的数据通过八位开关输入到CPU中，然后将CPU中的数据通过写信号写入到存储单元中。
4. 读操作：将需要读取的存储单元的地址通过地址选择开关设置好，然后通过读信号将存储单元中的数据读取到CPU中。
5. 显示操作：使用八位数码管或八位LED灯来显示读取到的数据或写入的数据。
6. 重复上述操作，进行多次读写操作，观察存储器的读写效果和数据变化情况。
五、实验结果通过本次实验，我们成功地进行了存储器的读写操作，并观察到了存储器中数据的变化情况。
在实验过程中，我们发现存储器的读写速度非常快，可以满足计算机的高速运算需求。
同时，存储器的容量也非常大，可以存储大量的数据和程序，为计算机提供了强大的计算和存储能力。
六、实验总结本次实验通过实践掌握了存储器的基本原理和实现方式，了解了存储器的读写操作。
组成原理实验报告_半导体存储器实验
课程实验报告课程名称：计算机组成原理专业班级：学号：姓名：同组成员：指导老师：报告日期：计算机科学与技术学院目录一、实验名称 (1)二、实验目的 (1)三、实验设备 (1)四、实验任务 (1)五、注意事项 (2)六、设计思路、电路实现与电路分析说明 (2)1、任务分析 (2)2、设计思路 (4)3、电路实现与详细分析说明 (4)七、实验结果的记录与分析 (8)八、实验中碰到的问题及解决办法 (8)九、收获与体会 (8)十、参考书目 (9)一、实验名称实验名称：半导体存储器实验二、实验目的1．掌握半导体随机读写存储器RAM的工作原理特性及其使用方法。
2．掌握半导体存储器进行读写的过程及读写周期、时序等。
3．掌握半导体存储器扩充的方法。
4．掌握对存储数据进行奇偶效验的原理和方法。
三、实验设备JZYL—Ⅱ型计算机组成原理实验仪一台。
芯片：6116存储器芯片1块74LS244数据开关2块74LS193计数器1块四、实验任务根据实验指导书P12—P16页的要求，按照下图完成8位存储器基本实验内容。
要求：1）、为了提高存储器读写数据的可靠性，在基本存储方案的基础上，自行设计电路对写入的数据进行编码处理，即形成奇偶效验码，并将产生的校验信息与数据一并保存。
2）、对读出的数据通过奇偶效验方式进行验证，检查写入的数据在保存和读出过程中是否出现错误，保证存储器数据写入读出的可靠性。
3）、校验指示灯：当从6116读出信息时，校验指示灯亮；其它情况下灭。
4）、读写模式、读写操作：读模式下，如果开关为读操作，则无冲突；读模式下，如果开关为写操作，则发生冲突；写模式下，如果开关为读操作，则发生冲突；写模式下，如果开关为写操作，则无冲突；5）、冲突说明：冲突时，报警灯亮，244处于高阻态，6116不工作，7个数据灯、一个校验码灯和一个校验指示灯全灭。
模式244 6116 校验灯读模式高阻读红/绿写模式开通写不亮五、注意事项1）使用任何芯片时，若插槽多于引芯片脚数，则需要接地，否则会出现电路逻辑问题。
计算机组成原理存储器实验报告
计算机组成原理存储器实验报告一、实验目的本次实验的目的是通过实际操作，了解存储器的组成和工作原理，掌握存储器的读写操作。
二、实验原理存储器是计算机中的重要组成部分，用于存储程序和数据。
存储器按照存储介质的不同可以分为内存和外存，按照存储方式的不同可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）等。
本次实验使用的是随机存储器，随机存储器是一种易失性存储器，数据在断电后会丢失。
随机存储器按照存储单元的位数可以分为8位、16位、32位等，按照存储单元的数量可以分为256×8、512×16、1024×32等。
存储器的读写操作是通过地址总线、数据总线和控制总线来完成的。
地址总线用于传输存储单元的地址，数据总线用于传输数据，控制总线用于传输控制信号。
三、实验器材1. 存储器芯片：AT24C022. 单片机：STC89C523. 电源、示波器、万用表等四、实验步骤1. 连接电路将AT24C02存储器芯片和STC89C52单片机按照电路图连接好，接上电源。
2. 编写程序编写程序，实现对AT24C02存储器的读写操作。
程序中需要设置存储器的地址和数据，以及读写操作的控制信号。
3. 烧录程序将编写好的程序烧录到STC89C52单片机中。
4. 运行程序运行程序，观察存储器的读写操作是否正确。
五、实验结果经过实验，我们成功地实现了对AT24C02存储器的读写操作。
在程序中设置了存储器的地址和数据，通过控制信号实现了读写操作。
在读操作中，我们可以看到存储器中的数据被正确地读出；在写操作中，我们可以看到存储器中的数据被正确地写入。
六、实验总结通过本次实验，我们深入了解了存储器的组成和工作原理，掌握了存储器的读写操作。
同时，我们也学会了如何使用单片机来控制存储器的读写操作。
这对于我们深入学习计算机组成原理和嵌入式系统开发都具有重要的意义。
半导体存储器实验
半导体存储器实验一．实验目的1.随机存储器RAM的工作特性及使用方法2.半导体存储器的存储和读出数据的过程和工作原理。
3.解半导体存储器线路的定时要求。
二．实验设备及器材配置1.计算机组成原理实验仪。
实验线路器件包括：数据输入开关SW、两片74LS161（PC）、一片锁存器74LS273、一片静态存储器6116。
2.导线。
三．实验内容1.实验内容实现静态RAM的读写操作。
2.实验步骤：(1).初始准备置逻辑开关QD=0，QD’=0,DP=1,TJ=0,Q4与H连线,使时序电路处于单拍状态。
(2).送地址将输入开关设置的地址利用各路控制信号的不同组合经总线打入地址计数器PC中再打入地址寄存器AR中。
(3).写数据到RAM中借助数据输入开关置好要写入的数据,利用各路控制信号的必要组合将该数据写入RAM选定的单元中。
(4).连续写将地址计数器PC中的地址加1,把数据输入开关置好的另一个数据写入RAM的下一个单元中,循环往复,共连写五个设定的数据。
(5).连续读通过输入开关设置刚写入RAM的数据区首址,送地址,利用各路控制信号的必要组合将该单元内容读出,将地址加1,读下一个单元的内容循环往复,把连续五个单元的内容全部读出。
3.实验要求(1).作好预习，掌握6116静态RAM 的功能和使用方法。
(2).按老师指定的单元和内容进行写和读。
(3).交出完整的实验记录。
四．实验原理线路半导体存储器实验原理框图如图1-3所示。
S0S1S2S3M Cn Cn+8ALUA7-A0B7-B0T4T4LDDR1LDDR2DR1DR2R4-BUSR5-BUST3T3R4R5LDR4LDR5PC SW-BUSS WARPC-BUSLDARALU-BUS数据总线显示地址总线显示RAM CED7--D0A7--A0/RD/W RRDT3T2WET3+1LDPCLOAD图1-3 半导体存储器原理框图U?74LS161。
计算机组成原理存储器实验报告
系：计算机系专业：计算机科学与技术年级：2007级
姓名：学号：实验课程：计算机组成原理
实验室号：__实验设备号：1实验时间：2009年5月11日
指导教师签字：成绩：
实验二存储器实验
Байду номын сангаас1．实验目的和要求
1.掌握静态随机存储器RAM工作特性。
2.掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。
2．按图3-2连接实验线路，仔细检查无误后接通电源。（图中箭头表示需要接线的地方，接总线和控制信号时要注意高低位一一对应，可用彩排线的颜色来进行区分）
图3-2存储器实验接线图
3．从右端口给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、22、33、44、55，具体操作步骤如下：（以向00号单元写入11为例）
4．从左端口依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，在数据总线单元的指示灯上进行显示，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作步骤如下：（以从00号单元读出11数据为例）
其中地址寄存器AR的值在地址总线单元的指示灯上显示，双端口RAM相应单元的值从左端口读出，在数据单元的指示灯上显示。
2．实验原理
实验所用的半导体双端口静态存储器电路原理如图2-1所示，实验中的双端口静态存储器的左端口和右端口，它们分别具有各自独立的地址线（A0-A9）、数据线（I/O0-I/O7）和控制线（R/W,CE,OE,BUSY）。它的结构参考附录1中的7130结构图。在实验系统的大多数实验中，该芯片仅使用了右端口的数据线、地址线、控制线，使用方法与通用的单端口静态存储器相同；在做与流水相关的实验中同时用到了它的左、右端口。本节实验中左、右端口数据线接至数据总线，左、右端口地址由地址锁存器（74LS273）给出。地址灯LI01—LI08与地址总线相连，显示地址内容。输入单元的数据开关经一三态门（74LS245）连至数据总线，分别给出地址和数据。
半导体存储器实验(新)
实验二半导体存储器实验一、实验目的1．掌握半导体随机读写存储器RAM的工作原理特性及其使用方法。
2．掌握半导体存储器进行读写的过程及读写周期、时序等。
3．掌握半导体存储器扩充的方法。
4．掌握对存储数据进行奇偶效验的原理和方法。
二、实验设备JZYL—Ⅱ型计算机组成原理实验仪一台。
三、实验任务1、根据实验指导书P12—P16页的要求，按照下图完成8位存储器基本实验内容。
2、为了提高存储器读写数据的可靠性，在基本存储方案的基础上，自行设计电路对写入的数据进行编码处理，即形成奇偶效验码，并将产生的校验信息与数据一并保存。
3、对读出的数据通过奇偶效验方式进行验证，检查写入的数据在保存和读出过程中是否出现错误，保证存储器数据写入读出的可靠性。
4、校验指示灯：当从6116读出信息时，校验指示灯亮；其它情况下灭。
5、读写模式、读写操作：读模式下，如果开关为读操作，则无冲突；读模式下，如果开关为写操作，则发生冲突；写模式下，如果开关为读操作，则发生冲突；写模式下，如果开关为写操作，则无冲突；6、冲突说明：冲突时，报警灯亮，244处于高阻态，6116不工作，7个数据灯、一个报警灯=？四、实验要求1、作好预习1) 掌握存储器芯片RAM6116和ROM 2816的功能特性；2）了解寄存器和存储器芯片的区别；3) 熟悉存储器相关芯片的工作原理；4) 在课外利用EDA软件先设计功能电路,并进行功能仿真。
2. 实验实施1) 分功能模块设计各功能单元电路,对设计进行详细的分析与说明；2) 逐步将各功能模块集成；3) 设计特定数据, 验证各模块的功能,做好数据的记录工作。
3. 写出实验报告，其内容为：1)实验目的2)各模块的设计电路和系统的整体电路,多设计进行详细的分析与说明3)实验结果的记录与分析4)实验收获和体会5)按要求回答思考题6)规范实验报告的格式检查流程：1、查看16个有规律的数。
校验指示灯也随着变化。
2、读模式下，置为写操作时，应报警。
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半导体存储器原理实验一、实验目的：1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
二、实验要求：按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。
三、实验方案及步骤：1、按实验连线图接线，检查正确与否，无误后接通电源。
2、根据存储器的读写原理，按表2.1的要求，将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。
3、根据实验指导书里面的例子练习，然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。
4、比较实验结果和理论值是否一致，如果不一致，就分析原因，然后重做。
四、实验结果与数据处理：（1）表2.1各控制端的状态（2）练习操作数据1：（AA）16 =（10101010）2写入操作过程：1)写地址操作：①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000000即可。
②应设置有关控制端的开关状态：先在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④应关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为10101010。
②应设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中：再按一下微动开关START即可。
④应关闭片选信号和写命令信号：即CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000000地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据2：（55）16 =（01010101）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000001。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01010101。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000001地址单元中：按一下微动开关START即可。
④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000001地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据3：（33）16 =（00110011）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000010。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00110011。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000010地址单元中：按一下微动开关START即可。
④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000010地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据4：（44）16 =（01000100）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000011。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01000100。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000011地址单元中：按一下微动开关START即可。
④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000011地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据5：（66）16 =（01100110）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000100。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01100110。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000100地址单元中：按一下微动开关START即可。
④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000100地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据6：（08）16 =（00001000）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000101。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00001000。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。