第二章门电路习题全解.

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门能驱动多少同样的与非门。要求 G M 输出的高、低电平满足 VOH ≥ IH 3.2V, VOL ≤0.4V。与非门的输入电流为 I IL ≤-1.6mA, I ≤ 40uA。 VOL ≤0.4V时输出电流最大值为 IOL(max) = 16mA , VOH ≥3.2V 时输出电 流最大值为 IOH (max) -0.4mA。 G M 的输出电阻可忽略不计。
Y1 0
Y2 1
Y3 1
Y4 0
Y5 0
Y6 Z
Y7 1
Y8 0
题2-8 说明图2-66中各门电路的输出是高电平还是低电 平。已知它们都是74HC系列的CMOS电路。
解:根据CMOS门在输入正常工作电压0~VDD时,输入端 的电流为“0”的特点,则接输入端电阻时,电阻两端几 乎没有压降值。答案如下:
习题与思考题
题2-1 三极管的开关特性指的是什么?什么是三极管的 开通时间和关断时间?若希望提高三极管的开关速度, 应采取哪些措施?
解:三极管在快速变化的脉冲信号的作用下,其状态在截止与饱和导 通之间转换,三极管输出信号随输入信号变化的动态过程称开关特性。 ton 开通时间是指三极管由反向截止转为正向导通所需时间,即开启时间 (是三极管发射结由宽变窄及基区建立电荷所需时间)
因此 V I 2.6V 时,三极管T截止。
(2) 根据三极管T饱和条件: I B I BS V I 0.7 0.7 VBB VCC 0.7 代人已知数值得:V I 4.7V R1 R2 RC 因此 V I 4.7V 时,三极管T饱和。
题2-4 电路如图2-64所示:
题2-2 试写出三极管的饱和条件,并说明对于题图2-62的电 路,下列方法中,哪些能使未达到饱和的三极管饱和.
解:三极管的饱和判断条件为
iB I BS
6 VBE iB Rb
R b
iBS
VCC VCES RC
源自文库
所以,能使未达到饱和的三极管饱和的方法:

题2-3 电路如图2-63所示,其三极管为硅管,
Y1 1
Y2 1
Y3 0
图2-66
Y4 0
题2-9 用OC门实现逻辑函数 Y ( AB) ( BC ) D 画出逻辑电路图。 解:逻辑图如下:
V CC
RL A B Y
C
D
题2-10 分析题图2-67所示电路,求输入S1 、S0各种取值下的输 出Y,填入 题表 2-10中。
V CC

Y1
A B
C
A B
C
Y3
D
( a )
( c )
解:原图(a)(c)有错误: (a)图的普通TTL 门不可输出端“线与”连接, TTL门只有OC门可输出端线与连接; (b)能实现; (c)图原来不能实现;原图需作如下修改:
V CC
A B
C
Y1
D
( a )
A B
C
Y3
( c )
题2-12 在图2-69所示的由74系列TTL与非门组成的电路中,计算 G M
解:
表2-10 输 入
S1 0 S0 0
输出
Y
注 释
EN1 EN2 0 1 EN3 1
0
1 1
1
0 1
B A
1
0 1
0
0 0
1
0 1
C A
2.11 在题图2-68所示的TTL门电路中,要实现下列规定的逻辑 功能时,其连接有无错误?如有错误请改正。 (a) Y1 ( AB) (CD) (b) Y2 ( AB) (c) Y3 ( AB C )
(2)因为TTL反相器 VIH min =2.0V,输入端接高于2V的电
源相当于输入高电平。(此时反相器输出低电平) (4)因为TTL反相器接的输入端负载 10 K > RON (2 K) 则TTL反相器输出低电平。所以输入端接 10 K 的电阻到地相当于接高电平。
题2-7 指出图2-65中各门电路的输出是什么状态(高电平、低 电平或高阻态)。已知这些门电路都是74系列的TTL电路。 解:根据TTL反相器电路输入端负载特性:关门电阻 Roff =0.7kΩ 开门电阻 Ron =2.0kΩ 同时考虑图中各逻辑门的功能特点:
200 <
ROFF (700)
则TTL反相器输出为高电平,所以输入端接200 的电阻到地相当于接低电平。
题2-6 为什么说TTL反相器的输入端在以下4种接法下都属于逻辑1? (1)输入端悬空。 (2)输入端接高于2V的电源。 (3)输入端接同类门的输出高电压3.6V。 (4)输入端接10k 的电阻到地。 解:(1) 如果输入端A悬空,由下图TTL反相器电路可见,反相器 各点的电位将和A端接高电平的情况相同,输出也为低电 平。所以说TTL反相器的输入端悬空相当于接高电平。

=20,试求:
I 小于何值时,三极管T截止; (1) I 大于何值时,三极管T饱和; (2)
解: (1) 设三极管T的开启电压VBE=0.5V, 则VB<0.5V三极管截止,有: VI VBB V I 2.6V VB VI R1 <0.5V ,代人已知数值得: R1 R2
toff 关断时间是指三极管由正向导通转为反向截止所需的时间,即关闭时间
(主要是清除三极管内存储电荷的时间) 三级管的开启时间和关闭时间总称为三极管的开关时间,提高开关速 度就是减小开关时间。因为有
因此 t S 的大小是决定三极管开关时间的主要参数。所以为提 高开关速度通常要减轻三极管饱和深度。
toff ton t s t f
VCES =0.2V, I CS =10mA,求电阻 RC 的值。 (1)已知 VCC=6V,
VBE =0.7V,输入高电平 VIH =2V (2)已知三极管的 =50,
当电路处于 临界饱和时, Rb (1) I
CS
的值应是多少。
VCC VCES 10 RC
代人已知数值得
RC 0.58 K
(2) 临界饱和时 I B I BS 有
VIH 0.7 I CS Rb
,得
Rb 6.5K
题2-5 为什么说TTL反相器的输入端在以下4种接法下都属于逻辑0? (1)输入端接地。 (2)输入端接低于0.8V的电源。 (3)输入端接同类门的输出低电压0.2V。 (4)输入端接200 的电阻到地。 解: (2)因为TTL 反相器VIL(max)=0.8V,相当于输入低电平。 (4)因为TTL反相器接的输入端负载
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