教你识别显存颗粒编号
教大家识别内存颗粒上的编号
教大家识别内存颗粒上的编号教大家识别内存颗粒上的编号2009/2/181、海力士(Hynix)/image/upload/memory/200731012431014077801.jpg海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头·第3、4位“5P”代表DDR2·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。
该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位·第10位代表逻辑Bank数。
其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks·第11位代表接口类型。
比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。
2、三星(Samsung)/image/upload/memory/200731012431048477802.jpg·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思·第三位“T”代表内存为DDR2内存·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small) ·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
显存颗粒型号详解
教你识别显存颗粒编号(原创)显卡的性能是由GPU(核心)和显存共同决定的,GPU的好坏最关键,最受关注,而显存却往往被新手朋友所忽视,下面是同一GPU的2600PRO搭配不同的显存在NFS10里的表现可以看出同样的GPU搭配不同性能的显存会获得不同的游戏享受那么如何看懂显存颗粒的性能参数呢?本篇主要就是详解这个问题先讲解一下有关显存性能的知识显存速度,NS(纳秒)和MHz的换算两者程倒数关系,不过现在显存都是DDR,DDR2,DDR3,DDR4显存,它们的等效频率是实际频率的2倍,不特别说明我们平时讲的显存频率都是指它的等效频率例如本人使用的七彩虹2600PRO黄金板采用的是DDR3 1.4NS显存其理论速度换算为实际频率就是1/1.4=714MHz约为700MHz驱动控制中心显示的显存频率则是其实际频率,换算成等效频率要*2,即700MHz*2=1400MHz,这才是我们平时讲的显存频率显存位宽=单颗显存位宽*显存数量..举两个例:上图8800GT共8颗显存,单颗显存32bit,所以8800GT显存位宽32bit*8=256bit上图8800GS相对于8800GT取掉2颗显存,每颗显存位宽32bit,所以8800GS的显存位宽是256bit-32bit*2=192bit这时候你也许有一个很"妙"的想法,把8800GS空焊的那2颗显存加上去,组成8颗32bit,共256bit,花1199RMB换来8800GT的性能,那你就想错了,显存位宽虽然是显存的参数,但是决定显存位宽的却是GPU,NV已经在8800GT的基础上再次砍掉64bit显存位宽,所以你再补显存也没有用,显存位宽掌控在NV这个显示芯片制造商手里显存带宽:显存带宽=显存位宽*显存频率(MHz).显卡性能中最关键的是GPU,而显存带宽是决定显卡性能的"第二把手"从这个模式图可以看出显存带宽犹如一条河,显存位宽是河的宽度,显存频率是河的流速,超显存频率对显存带宽有一定提升,但远没有显存位宽的翻倍来得直爽,这就是玩家对256bit爱慕而对128bit的显卡唏嘘的原因8800GT 256bit,1800MHz,带宽为256bit*1800MHz/8=57.6GB/s8600GTS 128bit,2000Mhz,带宽为128bit*2000MHz/8=32.0GB/s注意:1MB=8Mbit,注意B和b的大小写,大B等于8个小b显存带宽越大,GPU与显存之间的数据吞吐量就越大.我们平时对大显存位宽的追求及超显存频率,殊途同归都是对显存带宽的追求了解了影响显存性能的参数以后再来看看显存的封装方式:TSOP封装:薄型小尺寸封装,显存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的,焊点和PCB板的接触面积较小,使得芯片向PCB板传热就相对困难.而且TSOP封装的显存超过一定频率后,会产生较大的信号干扰和电磁干扰,目前已被淘汰FBGA封装:是一种在底部有焊球的面阵引脚结构,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸,可以使显存在体积不变的情况下显存容量提高2-3倍,与TSOP相比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能下面进入正题,显存参数图解,以现今火热的显卡为例子,如8800GT HD3850,时效性为先,绝对原创(重点学习标红了的大字)一:三星(SAMSUNG)显存:以双敏2600PRO玩家版为例K4:三星显存J:显存类型,D:DDR N:DDR2 J:DDR3 U:DDR455:单颗显存容量,51,52:512Mbit(64M) 注意大B等于8个小b55,56:256Mbit(32M) 26,28:128Mbi t(16M)32:单颗显存位宽,数字是多少就是多少,一般有32和16bit3:Bank数, 2:2Bank 3:4Bank 4:8BankQ:内部电压及接口电压:2:LVTTL,双3.3V 4:LVTTL,双2.5V5:SSTL2,双1.8V,LP 6:SSTL2,双1.5V8:SSTL2,双2.5V A:SSTL2,2.5V,1.8VG:显存版本, 第1到第12代字母分别是MABCEFGHIKB:封装类型, A,B:136球 FBGA(底部球型引脚封装) G,Z:84/144球 FBGAV: 144球FBGA Q,U:TOFPT,L:TSOPJ,E:FBGA(双封装)C:普通版,L:低温低功耗版14:显存速度,两个数字间幻想一个小数点就可以,特殊的我例举一些:1A:1NS 1B:0.95NS 7A:0.77NS 二:奇梦达(Qimonda)显存:以公版8800GT为例HYB:表示奇梦达显存18:电压,中间幻想一个小数点就行了,18就是1.8V 25就是2.5VH:显存类型,D:DDR T:DDR2 H:DDR3512:单颗显存容量:数字多少就是多少,换算成MB需要除以8,例如512Mbit=64M256Mbit=32M32:单颗显存位宽:数字是多少就是多少,一般有32和16bit1B:改进版本的代号F:封装类型,F:FBGA(ROHS) E:TSOP(ROHS)10:显存速度,中间幻想成一个小数点就行了,例如10就是1.0NS 14就是1.4NS比较特殊的有XP(1.4NS-1.2NS),采购价是按1.4NS,比较便宜三:现代显存:以某品牌非公版3850为例HY:表示现代显存5R:显存类型,5D:DDR 5P:DDR2 5R:DDR3 5F:DDR4S:电压(内部&接口),V:3.3V,2.5V U:双2.5VW:2.5V,1.8V S:双1.8VC:双1.5V57:单颗显存容量,56,57:256Mbit(32M) 11,12:512Mbit(64M)1G:1Gbit(128M) 28:128Mbit(16M )32:单颗显存位宽,数字是多少就是多,一般有32和16bit2:Bank数, 1:2Bank 2:4Bank 3:8Bank5:接口类型B:显存版本,第1到第5代分别是:空白-A-B-C-DF:封装类型,F:FBGA(线性) FS:FBGA(规模较小) FM:FBGA(双封装)FC:FBGA(倒装) T:TSOP第2代 Q:LQFP(周边出脚的贴片封装)P:包装材料,P:无铅ROHS R:无铅无卤素ROHS 空白:普通包装材料11:显存速度,一般在中间幻想一个小数点就行,我们知道公版HD3850显存采用的是1.1NS特殊的下面例举一些:077:0.77NS 1: 1NS演练一:上图所示显存颗粒,从SAMSUNG和K4就知道是三星显存,最后两个"1A"知道是1.0NS的显存速度第三:J表示现在主流的DDR3显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit,实际上这款显卡是迪兰HD3850北极星512M,有8颗显存,所以该卡32bit*8构成256bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个J不重要演练二:上图所示显存颗粒,从hynix和HY就知道这是现代显存,-后面的11表示1.1NS的显存速度第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:12表示512Mbit,即单颗64MB第八第九:32和三星显存一样,32bit,实际上这是迪兰恒进2600PRO极限版,我们都知道2600PRO 的显存位宽是128bit,所以推断该卡有4颗显存颗粒后面的3和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的B表示显存颗粒是第3代,或者就叫B代也行,反正是一个数字,A-B-C-D有顺序的第二行前面的FP表示无铅FBGA封装附题:一问:上图1号和2号显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?答:1号从SAMSUNG和K4就知道是三星显存,最后两个"09"知道是0.9NS的显存速度,DDR3很难有这么快的速度,估计是DDR4显存第三:U表示现在ATI高端显卡惯用的DDR4显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个C表示普通版(非低功耗版)2号从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的1表示1.0NS的显存速度第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:57表示256Mbit,即单颗32MB第八第九:32和三星显存一样,单颗32bit后面的2和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的A表示显存颗粒是A代,或叫第2代(第1代是空白)第二行前面的FP表示无铅FBGA封装二问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)答:从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的08表示0.8NS的显存速度,基本上可以确定这是DDR4显存第三第四:5F表示ATI高端显卡惯用的DDR4显存第六第七:12表示512Mbit,即单颗64MB第八第九:32和三星显存一样,单颗32bit后面的3和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的A表示显存颗粒是A代,或叫第2代第二行前面的FC是FBGA封装(倒装)第二行第三:P表示无铅ROHS工艺三问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?答:从SAMSUNG和K4就知道是三星显存,最后两个"07"知道是0.7NS的显存速度,可以肯定这是DDR4显存(DDR3做不到这么快)第三:U表示ATI高端显卡惯用的DDR4显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,即单颗64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个C表示普通版(非低功耗版)四问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?答:从Qimonda和HYB就知道这是奇梦达显存,最后两个10知道这是1.0NS的显存第四第五:18表示电压,即1.8V第六:H表示DDR3显存第七,八,九:512就是表示512Mbit,即单颗64MB第十,十一:32表示单颗32bit第十二,十三:1B表示改进版本号代码横杆前的F:FBGA封装五问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?后答:从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的14表示1.4NS的显存速度,图片有点模糊第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:57表示256Mbit,即单颗32MB第八第九:单颗32bit后面的2和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的B表示显存颗粒是B代,或叫第3代第二行前面的FP表示无铅FBGA封装上图所示显存颗粒,从SAMSUNG和K4就知道是三星显存,最后两个"08"知道是0.8NS的显存速度,估计是DDR4显存类型第三个J:表示DDR3显存类型,此显存非常特殊,采用的是三星顶级DDR3显存,显存速度为0.8NS,理论频率可达2300MHz以上.DDR4的优势主要就是能达到DDR3难以达到的高频,但是DDR4本身延迟较高,所以如果DDR3能达到DDR4的频率,性能有过之而无不及第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个J不重要。
内存颗粒编号识别方法
内存颗粒编号识别方法你们知道内存颗粒编号怎么识别吗?不知道的话跟着店铺一起来学习了解内存颗粒编号怎么识别。
内存颗粒编号怎么识别一现代颗粒具体含义解释：HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是现代的产品2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM);3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
三、教你如何慧眼识显存，如何查看显存编号？
三、教你如何慧眼识显存，如何查看显存编号？三、教你如何慧眼识显存，如何查看显存编号？我们在选购显卡时，首先考虑的是显卡的芯片类型，其次就是显存。
不同类型的显存之间的性能差距非常之大，以市场上常见的GeForce 7300GT为例，采用TOSP封装GDDR1颗粒与采用BGA封装的GDDR3颗粒之间的性能最大会相差1倍，即使是同为GDDR3颗粒，不同显存类型之间也有着很大的性能差距，可见显存是我们在选购显卡时一个必须要考虑的重要因素。
目前，GDDR1颗粒和GDDR2颗粒已经很少有显卡采用，而GDDR4颗粒由于价格与产能等因素制约，也很难在主流显卡上也难觅其身影。
所以我们来重点解读一下主流BGA封装的GDDR3颗粒。
目前主流的GDDR3颗粒品牌主要有三星（SAMSUNG）、海力士（HYNIX）、QIMONDA（原英飞凌）等，GDDR3颗粒采用BGA （Ball Grid Array Package）封装技术，主要有8Mbit x 32Bit、16Mbit x 32Bit等规格。
其实显存颗粒上的编号已经提供了这颗显存的基本信息，例如生产厂商、生产周期、封装类型等，但对于选购显卡而言，我们只需要了解其中的显存容量、位宽、速度即可。
教你如何识别三星显存的编号信息三星显存颗粒以三星显存颗粒为例，如图所示，其中的55代表这颗显存的容量256Mbit，32代表了单颗位宽为32Bit，“BC-14”则代表了显存速度为1.4ns，大家可以对上上面的公司，计算出该款延时速度的显存的理论运行频率。
这里我们要指出的是，在三星颗粒中55、56代表了容量256Mbit，而51、52代表容量为512Mbit。
大同小异，Hynix及QIMONDA显存颗粒编号定义Hynix GDDR2显存颗粒Hynix颗粒和三星颗粒表示方法类似，56、57代表了容量256Mbit，而51、52代表容量为512Mbit。
“FP-25”同样表示该显存颗粒的延时数值，为2.5ns。
教你识别显存颗编号
教你识别显存颗编号————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：【菜鸟进阶】必读猛文---【教你识别显存颗粒编号】（包括4870的DDR5显存）【转贴】识至少要延伸到对显存的认识，这样你才能对一个显卡的性能做出较为准确的判断，这是我个人看过的识类文章。
所以推荐给大家。
显卡的性能是由GPU(核心)和显存共同决定的,GPU的好坏最关键,最受关注显存却往往被新手朋友所忽视这是一位网友买到的GDDR2版HD3850/GPU-Z截图,GDDR2显存频率低得可怜 ,严重影响HD3850性能发挥真是一个惨痛的教训那么如何看懂显存及颗粒的性能参数呢?本篇主要就是详解这个问题先讲解一下有关显存性能的知识显存速度与显存频率,ns(纳秒)与MHz的换算大多数显存都是GDDR3显存,它的等效频率是实际频率的2倍(GDDR4和GDDR2也适用),不特别说明我们等效频率例如本人使用的七彩虹HD3850黄金版512M采用的是GDDR3 1.2NS显存其理论速度换算为实际频率就是1/1.2=0.833GHz=833MHz(即GPU-Z上显示的)est等等)看到的显存频率都是它的实际频率,换算成等效频率要乘以2,如上图的换算,我们平时讲的显另外GDDR5的等效频率是实际频率的4倍,目前采用GDDR5显存的显卡只有HD4870和HD4870X2显存位宽=单颗显存位宽*显存数量...举两个例上图用数字标出GTX280的16颗显存,每颗显存(容量/位宽)64M/32bit,16颗共1G/512bit下载 (182.67 KB)2009-5-19 15:20TX260相对于GTX280取掉其中两颗显存,每颗显存64M/32bit,所以GTX260的显存位宽是512bit-32bit1024M-64M*2=896M的想法,把GTX260空焊的那2颗显存加上去,组成16颗32bit,共512bit,多加两颗显存成本就换来GTX280的性能,那定显存位宽的却是GPU,因为显存位宽控制器是集成在GPU里面,NV已经将GTX260的核心屏蔽掉64bit显存控制器,存位宽掌控在NV这个GPU制造商手里存位宽*显存频率(MHz).显卡性能中最关键的是GPU,而接下来就是显存带宽,这是"第二量显存位宽就像河宽,宽度越大流量就越大,GPU交易量就越大显存速度就象水速,水速越大流量就越大,GPU交易量就越大出显存带宽犹如一条河,显存位宽是河的宽度,显存频率是河的流速,超显存频率对显存带宽有一定提升玩家极为看重位宽的原因,但是更大的位宽意味着GPU核心面积和晶体管激增,最终成本和功耗难于控GTX280的成本和功耗那都是惊人的非常聪明,256bit节约很多成本,另辟蹊径采用高速GDDR5弥补带宽上不足,事实上只有256bit的HD48 GTX260,一种新的显存技术极大的提高显存性能,值得关注带宽计算示例:0 512bit,显存2200MHz,由此算出带宽=512bit*2.2GHz=1126.4Gb/s=(1126.4GB/s)/8=14 9800GTX+ 256bit,显存2200MHz,由此算出带宽=256bit*2.2GHz=563.2Gb/s=(563.2GB/s)/8=70GB/s Gb,1个大B等于8个小b,所以结果除以8,例如宽带2M,这里的2M就是2Mb=2M/8=256KB,所以我们下载显存带宽越大,GPU与显存瞬间数据交易量越大,GPU就发挥越充分时对大位宽的追求及超显存频率 ,殊途同归都是"想方设法加大显存带宽",从而提升显卡性能,这是相当了解了影响显存性能的参数以后再来看看显存的封装方式l Outline Package"即"薄型小尺寸封装",它在显存芯片的周围做出引脚,焊点和PCB板的接触面积较小就相对困难.而且TSOP封装的显存超过一定频率后,会产生较大的信号干扰和电磁干扰,目前已被淘汰有焊球的面阵引脚结构,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸,可以使显存在体积不变的情况下显存容比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能----- -显存颗粒编号解析(猛文)-----三星显存重点掌握内容类型:J表示GDDR3,U表示GDDR4,N表示GDDR2单颗容量:51或52表示512Mb=64M,55或56表示256Mb=32M(换算如前面所述:1个大B等于8个小b) (记忆要决:51,52数字小但容量大;55,56数字大但容量小)单颗位宽:32表示32位,16表示16位功耗等级:J表示高功耗版,C表示普通功耗版,L表示低温低功耗版表示0.8ns速度(中间想象成1个小数点).比较特殊的有:1A表示1.0ns,1B表示0.95ns,7A表示0.77ns---------------------------------------------------奇梦达显存重点掌握内容电压:18表示1.8V,25表示2.5V类型:H表示GDDR3,T表示GDDR2单颗容量:512表示512Mb=64M,256表示256Mb=32M,1G表示1Gb=128M单颗位宽:32表示32位,16表示16位显存速度:10表示1.0ns,比较特殊的-XP介于1.4ns-1.2ns注意:GDDR5显存不再强调ns,转而直接用MHz来标识---------------------------------------------------现代显存重点掌握内容类型:5R表示GDDR3,5F表示GDDR4,5P表示GDDR2单颗容量:12或11表示512Mb=64M,57或56表示256Mb=32M,1G表示1Gb=128M单颗位宽:32表示32位,16表示16位显存速度:11表示1.1ns得学习的好文。
如何通过颗粒编号,识别当今现代（HYNIX）内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
内存常用颗粒识别
内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
显存识别
前言目前显卡市场群雄逐鹿，显卡种类繁多，鱼目混珠，给大家挑选到物美价廉的显卡创造了机会，也给大家的挑选增加了不少困难。
要想从中找到性价比高的产品，关注我们的天极网市场导购频道自然是个好的选择。
但是市面上显卡的种类实在是太多了，而且更新换代又快，任何导购都不可能涵盖所有的产品。
电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)那么我们就应该学会一些根本性的东西，也就是选购显卡的两个标准：一是看核心图形芯片，二是看显存。
图形芯片新手朋友们了解得比较多，基本上能够区分不同级别的芯片的性能差异，选购时也清楚地知道哪款芯片是先进的，性能强一点，什么芯片是旧的，性能差一点。
显存在一块显卡中占一个很重要的地位但是显存的重要性往往就被新手们忽略掉了，就算没有忽略，可能对显存的重视也仅仅止于大小而已。
因此有不少的新手朋友在选购显卡时，往往看到两块卡的核心芯片和显存大小相同就认为它们性能相当。
殊不知显存的性能指标不仅仅是容量而已，显存其他的参数对显卡性能的影响有时并不比芯片低，同一图形芯片，采用的显存不同，可能导致性能上的巨大差异，两块芯片和显存大小相同的显卡，性能可能相差整整一大截！因此，要挑到好的显卡，首先要从学会看显存开始。
显存的封装形式认识显存，先从它的外观开始。
目前市面上常见的显存有两种外观：TSOP封装的显存颗粒MBGA封装的显存颗粒我们使用的内存也好，显存也好，其实都是由数量庞大的集成电路组合而成，只不过这些电路，都是需要最后打包完成，这类将集成电路打包的技术就是所谓的封装技术。
封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。
因此，对于很多集成电路产品而言，封装技术都是非常关键的一环，对芯片自身性能的表现和发挥有重要的影响。
解读内存颗粒编号含义
现代内存颗粒编号含义现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。
其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。
现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。
A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。
B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。
如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。
C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。
由1-3位字母和数字共同组成。
其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。
其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。
具体详细内容如图二所示。
D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。
＂HY＂是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成。
＂5D＂表示为DDR内存，＂57＂表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压，由一个字母组成。
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
TOSHIBA DDR内存:
TC XX X XX XX X XX X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、TC代表是东芝的产品 2、59代表SDRAM代表是SDRAM 3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM 4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb 5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新 7、代表封装：FT为TSO II封装 8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通 9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
如何能查看内存颗粒型号
如何能查看内存颗粒型号存的具体品牌和型号是什么存条是由一个PCB电路板上焊接上存颗粒构成的，电路板只是连接电路的作用，真正存的大小要看存颗粒，一条存条上的单颗粒容量都相同，存条的容量等于颗粒容量*颗粒数。
通过查验存颗粒的型号，我们就可以计算出存的容量。
虽然目前生产存条的厂商有许多，但能生产存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国市场上主流存条所用的存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。
下面就以几个大厂的存颗粒编码规则为例来说明存容量的辨识方法。
三星存颗粒目前使用三星的存颗粒来生产存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星存颗粒的命名规则非常复杂。
三星存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
教你辩识别内存颗粒
?封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
?封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
美光MT-5BC和MT-5BG
美光(Micron)作为世界第二大内存颗粒制造商，其产品却在国内极少现身。这是因为美光很少将自己的内存颗粒卖给其他内存品牌，其极品颗粒一直是专供自家DIY品牌Crucial使用。目前市场上美光的内存颗粒主要有MT-5BC和MT-5BG两个型号，其中MT-5BC的超频性能更优秀一些。镁光的内存颗粒有非常明显的特点，在芯片的两端分别有个半圆形的缺角，独特的外形让人很容易辨认。
一、内存颗粒巡礼
1、内存颗粒介绍 ຫໍສະໝຸດ 相对于市面上越来越多的内存品牌，内存颗粒的生产厂商要显得少了很多，目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。这些内存颗粒厂商都具有相当实力，其中名列三甲的有三星、现代以及美光。
SPD助你超频一臂之力
在上文中我们了解了SPD芯片的基本功能，那么它的实现原理是怎样的呢？计算机在启动之后，主板BIOS默认会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。而当主板BIOS无法从SPD中读取信息或读取错误时，系统便无法启动，此时用户需要手动设置内存的运行参数，这也就给超频玩家有了空子可钻。
教你识别显存颗粒编号
【菜鸟进阶】必读猛文---【教你识别显存颗粒编号】（包括4870的DDR5显存）【转贴】我个人认为，对显卡的认识至少要延伸到对显存的认识，这样你才能对一个显卡的性能做出较为准确的判断，这是我个人看过的最为全面和最新的显存知识类文章。
所以推荐给大家。
显卡的性能是由GPU(核心)和显存共同决定的,GPU的好坏最关键,最受关注显存却往往被新手朋友所忽视这是一位网友买到的GDDR2版HD3850/GPU-Z截图,GDDR2显存频率低得可怜 ,严重影响HD3850性能发挥真是一个惨痛的教训那么如何看懂显存及颗粒的性能参数呢?本篇主要就是详解这个问题先讲解一下有关显存性能的知识显存速度与显存频率,ns(纳秒)与MHz的换算两者呈倒数关系,不过现在大多数显存都是GDDR3显存,它的等效频率是实际频率的2倍(GDDR4和GDDR2也适用),不特别说明我们平时讲的显存频率都特指等效频率例如本人使用的七彩虹HD3850黄金版512M采用的是GDDR3 1.2NS显存其理论速度换算为实际频率就是1/1.2=0.833GHz=833MHz(即GPU-Z上显示的)一般用软件(GPU-Z,everest等等)看到的显存频率都是它的实际频率,换算成等效频率要乘以2,如上图的换算,我们平时讲的显存频率都特指等效频率另外GDDR5的等效频率是实际频率的4倍,目前采用GDDR5显存的显卡只有HD4870和HD4870X2显存位宽=单颗显存位宽*显存数量...举两个例上图用数字标出GTX280的16颗显存,每颗显存(容量/位宽)64M/32bit,16颗共1G/512bit下载 (182.67 KB)2009-5-19 15:20为了拉开性能差距,GTX260相对于GTX280取掉其中两颗显存,每颗显存64M/32bit,所以GTX260的显存位宽是512bit-32bit*2=448bit,显存容量1024M-64M*2=896M这时候你也许有一个很"妙"的想法,把GTX260空焊的那2颗显存加上去,组成16颗32bit,共512bit,多加两颗显存成本就换来GTX280的性能,那你就想错了,虽然显存位宽字面上看似显存的参数,但是决定显存位宽的却是GPU,因为显存位宽控制器是集成在GPU里面,NV已经将GTX260的核心屏蔽掉64bit显存控制器,所以你再补显存也没有用,显存位宽掌控在NV这个GPU制造商手里显存带宽=显存位宽*显存频率(MHz).显卡性能中最关键的是GPU,而接下来就是显存带宽,这是"第二把手",而最后才是显存容量显存位宽就像河宽,宽度越大流量就越大,GPU交易量就越大显存速度就象水速,水速越大流量就越大,GPU交易量就越大从上面两个模式图可以看出显存带宽犹如一条河,显存位宽是河的宽度,显存频率是河的流速,超显存频率对显存带宽有一定提升,但远没有显存位宽的翻倍来得直爽,这就是大多数玩家极为看重位宽的原因,但是更大的位宽意味着GPU核心面积和晶体管激增,最终成本和功耗难于控制,象512bit的2900XT和GTX280的成本和功耗那都是惊人的这一次ATI的RV770设计非常聪明,256bit节约很多成本,另辟蹊径采用高速GDDR5弥补带宽上不足,事实上只有256bit的HD4870的带宽已经超过了对手GTX260,一种新的显存技术极大的提高显存性能,值得关注带宽计算示例:GTX280 512bit,显存2200MHz,由此算出带宽=512bit*2.2GHz=1126.4Gb/s=(1126.4GB/s)/8=141GB/s9800GTX+ 256bit,显存2200MHz,由此算出带宽=256bit*2.2GHz=563.2Gb/s=(563.2GB/s)/8=70GB/s(注意:1MB=8Mbit,1GB=8Gb,1个大B等于8个小b,所以结果除以8,例如宽带2M,这里的2M就是2Mb=2M/8=256KB,所以我们下载速度也就200KB/s左右)显存带宽越大,GPU与显存瞬间数据交易量越大,GPU就发挥越充分我们平时对大位宽的追求及超显存频率 ,殊途同归都是"想方设法加大显存带宽",从而提升显卡性能,这是相当有效的了解了影响显存性能的参数以后再来看看显存的封装方式TSOP的全名为"Thin Small Outline Package"即"薄型小尺寸封装",它在显存芯片的周围做出引脚,焊点和PCB板的接触面积较小,使得芯片向PCB 板传热就相对困难.而且TSOP封装的显存超过一定频率后,会产生较大的信号干扰和电磁干扰,目前已被淘汰FBGA封装:是一种在底部有焊球的面阵引脚结构,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸,可以使显存在体积不变的情况下显存容量提高2-3倍,与TSOP相比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能------------ -显存颗粒编号解析(猛文)------------三星显存重点掌握内容类型:J表示GDDR3,U表示GDDR4,N表示GDDR2单颗容量:51或52表示512Mb=64M,55或56表示256Mb=32M(换算如前面所述:1个大B等于8个小b)(记忆要决:51,52数字小但容量大;55,56数字大但容量小)单颗位宽:32表示32位,16表示16位功耗等级:J表示高功耗版,C表示普通功耗版,L表示低温低功耗版显存速度:08表示0.8ns速度(中间想象成1个小数点).比较特殊的有:1A 表示1.0ns,1B表示0.95ns,7A表示0.77ns,07表示0.7ns---------------------------------------------------奇梦达显存重点掌握内容电压:18表示1.8V,25表示2.5V类型:H表示GDDR3,T表示GDDR2单颗容量:512表示512Mb=64M,256表示256Mb=32M,1G表示1Gb=128M单颗位宽:32表示32位,16表示16位显存速度:10表示1.0ns,比较特殊的-XP介于1.4ns-1.2ns注意:GDDR5显存不再强调ns,转而直接用MHz来标识---------------------------------------------------现代显存重点掌握内容类型:5R表示GDDR3,5F表示GDDR4,5P表示GDDR2单颗容量:12或11表示512Mb=64M,57或56表示256Mb=32M,1G表示1Gb=128M单颗位宽:32表示32位,16表示16位显存速度:11表示1.1ns本文至此结束，的确是一篇值得学习的好文。
慧眼识别显存!教你识别显存的种种规格定义
导读厂商在显卡产品销售期间，由于采购数量及生产批次上的不同，显存颗粒往往会有所不同。
当然，显存的默认频率往往会维持不变，但显存颗粒的稳定性及可超频潜力却有可能会产生一定的差距。
本文除了将详细为大家讲解显存各规格的相关定义及计算公式，还将图文并茂地为大家介绍各显存颗粒编号的详细定义及识一、前言对于刚刚入门玩显卡的朋友，恐防会被显卡那一大堆的参数所困惑住，尤其是当你面对着显存的规格、容量、频率和带宽之类的臃肿的参数，往往会将你搞得昏头转向，不知从何入手选购为好。
厂商在显卡产品销售期间，由于采购数量及生产批次上的不同，显存颗粒往往会有所不同。
当然，显存的默认频率往往会维持不变，但显存颗粒的稳定性及可超频潜力却有可能会产生一定的差距。
本文除了将详细为大家讲解显存各规格的相关定义及计算公式，还将图文并茂地为大家介绍各显存颗粒编号的详细定义及识别技巧。
提问：16M × 32Bit代表了显存的什么规格呢？当大家浏览我们网站的显卡评测或行情报道时，往往可能会看到“GeForce 8600GT显卡使用了4颗16M×32Bit的高速GDDR3显存”等类似的表述性字样，而其中的16M x 32Bit 到底是什么意思呢？其实该参数是显存颗粒的主要规格之一，是国际统一的命名标准，可以到各存储厂商的官方网站上查询。
下面就让我们简单的为大家讲解一下这“16M x 32Bit”的含义，“16M”表示的是显存存储单元的容量为16Mbit，32Bit是单颗显存的数据位宽，这种标称不容易理解，需要经过换算才能得到符合我们使用习惯的规格。
下面是它们与单颗显存容量的计算转换公式：单颗显存容量＝（存储单元容量 x 数据位宽）/ 8我们同样以16Mbit x 32Bit的GDDR3显存颗粒为例，16Mbit x 32Bit / 8＝64MB，也就是说，采用该规格的显存颗粒，单颗容量为64M（64兆），这样，采用四颗上述规格显存颗粒的显卡，它自带的本地显存容量即为256MB。
DDR内存识别
DDR内存识别部分主流显存颗粒识别MT——Micron 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
Infineon 亿恒也叫英飞凌Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon 在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
它的编号简单，编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。
它的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。
所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
对它颗粒编号的简单介绍：HYB－内存编号开头25－25是时间（周）D－D代表DDR颗粒，S代表SDR颗粒128－128代表单颗容量为128/8=16M32－32表示位宽32bit3.3－3.3代表颗粒速度这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。
32也就是单颗32位。
顺便说一下，这是DDR SGRAM 显存颗粒。
Samsung 韩国三星目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。
学会识别内存的颗粒编号
学会识别内存的颗粒编号一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则现代DDR2内存颗粒HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。
1、HY：现代内存2、5P：DDR23、S：工作电压1.8V4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×326、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-28、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。
二、三星DDR2内存颗粒编号规则三星DD2内存颗粒K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。
1、K4：Memory DRAM2、T：DDR23、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×165、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small）9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
内存颗粒识别
内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon（英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR的管脚数量为33X2=66。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
DDR内存常用品牌颗粒识别
DDR 内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1. HY 表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR 内存3.工作电压V 表示VDD=3.3V ，VDDQ=2.5V U 表示VDD=2.5V ，VDDQ=2.5V W 表示VDD=2.5V ，VDDQ=1.8V S 表示VDD=1.8V ，VDDQ=1.8V 4.容量和刷新设置 64表示64Mb 、4K 刷新 66表示64Mb 、2K 刷新 28表示128Mb 、4K 刷新 56表示256Mb 、8K 刷新 57表示256Mb 、4K 刷新 12表示512Mb 、8K 刷新 1G 表示1Gb 、8K 刷新 5.颗粒位宽 4表示X4 8表示X8 16表示X16 32表示X326.表示逻辑BANK 数量 1表示2bankS 2表示4BANKS 3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL ＿3 2表示SSTL ＿2 3表示SSTL ＿18 8.颗粒版本“空白”表示第一代生产 A 表示第二代 B 表示第三代 C 表示第四代 9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗 L 表示大众商用型、低能耗10.封装形式 T 表示TSOP Q 表示LQFP F 表示FBGAFC 表示FBGA （UTC ：8X13mm ） 11.表示堆叠封装 “空白”表示普通S 表示Hynix K 表示M&T J 表示其他M 表示MCP （Hynix ） MU 表示MCP （UTC ） 12.封装材料 空白 表示普通材料 P 表示铅 H 表示卤素 R 表示铅和卤素 13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3） D3表示DDR400（3-4-4） J 表示DDR333M 表示DDR266（2-2-2） K 表示DDR266A H 表示DDR226B L 表示DDR200 14.工作需求温度 I 表示工业常温40-85度 E 扩展温度零下25-85三星DDR 内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K 表示内存2.内存类别 4表示DRAM3.内存子类别 H 表示DDR T 表示DDR2 4-5.代表容量 28表示128Mb 56表示256Mb 51表示512Mb 1G 表示1Gb 2G 表示2Gb 6-7.表示位宽 04表示X4 32表示X32 06表示X4 Stack 07表示X8 Stack 16表示X16 8.表示BANK 数量 3表示4BANK 4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL ＿2 工作电压2.5V Q 表示接口类型SSTL 工作电压1.8V 10.产品版本 M 1代 A 2代 B 3代 C 4代 D 5代 E 6代 F 7代 G 8代 H 9代生产 11.封装类型 T 表示TSOP2S 表示 sTSOP2 G 表示FBGAU 表示TSOP2（LEAD FREE ）Z 表示FBGA （LEAD FREE ）12.工作温度、能耗C 大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70 L 大众商用型能 、低通能耗 0-70I 工业型、普通能耗40-85 13-14.频率延迟 CC DDR400 3-3-3 C4 DDR400 3-4-4 C5 DDR466 3-4-4 B3 DDR333 2.5-3-3 AA DDR266 2-2-2 A2 DDR266 2-3-3 BO DDR266 2.5-3-3 15-17.OEM 时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HY B 表示英飞凌内存（与海力士有区别 注意）2.工作电压 39表示3.3V 25表示2.5V 18表示1.8V 3.内存类型 S 表示SDR D 表示DDR T 表示DDR24.容量 略5.产品结构 40表示X4 80表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7. 版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型C FBGA（含铅）T TSOP 400mil（含铅）E TSOP 400mil（无铅无卤）F FBGA（无铅无卤）G 堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L 低能耗10.颗粒性能5 DDR400B 3-3-36 DDR333 2.5-3-37 DDR266A 2-3-37F DDR266 2-2-27.5 DDR266B 2.5-3-38 DDR200 2-2-2。
最详尽的图解显存识别
最详尽的图解显存识别最详尽的图解显存识别（上）新⼿篇SAMSUNG（三星）同样的，我们先来看看常见的⼏种三星显存颗粒。
4ns 16位128MBits5ns 16位128MBits2.86ns 32位128MBits3.6ns 32位128MBits 同样的，我们可以发现其中的编号规律：TSOP封装编号规律BGA封装的编号规律与Hynix类似的，对于表⽰容量的两位代码，62、64＝64MBits，26、28＝1 28MBits，54、55、56＝256MBits，51、52＝512MBits。
表⽰位宽的两们没什么特别的，16表⽰16位，32表⽰32位。
表⽰时钟周期的两位也和Hynix⼀样，直接看数字，中间再加个⼩数点；但有⽐较特别的⼏个编号：2A＝2.86ns，2C ＝2.66ns。
以上两个是市⾯上显卡最常⽤的显存品牌，知道了以上两个牌⼦显存的编号规律，就基本上可以从容的挑选显卡了。
除了现代和三星，当然还有其他⼀些的牌⼦，下⾯也介绍⼀下。
Infineon（亿恒）Infineon显存编号规律基本上不⽤说明，看图就⼗分清楚了，⽽且它的容量⽤的是三位代码看到多少就是多少，更加容直⽩。
后⾯那个时钟周期就不⽤说了吧？ElixirElixir 6ns 16位256MBits(32MB)显存颗粒Elixir的颗粒和Infineon的编号规律⼀致，参考上⾯的就⾏了。
ESMT/EliteMT（台湾晶豪）晶豪3.6ns 16位128MBits（16MB）显存颗粒晶豪显存颗粒表⽰容量的三位代码也和Infineon的⼀样，看到是⼏容量就是⼏，后⾯加个MBits就⾏了，其余的也没必要多说，看图。
EtronTech（钰创）钰创4ns 16位64MBits（8MB）钰创显存颗粒的容量⽤三位代码来表⽰，其中658＝64MBits，6A9＝128MB its，6AA＝256MBits。
位宽⽤⾮常直观的两位代码来表⽰，16＝16位，32＝32位。
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【菜鸟进阶】必读猛文---【教你识别显存颗粒编号】（包括4870的DDR5显存）【转贴】识至少要延伸到对显存的认识，这样你才能对一个显卡的性能做出较为准确的判断，这是我个人看过的识类文章。
所以推荐给大家。
显卡的性能是由GPU(核心)和显存共同决定的,GPU的好坏最关键,最受关注显存却往往被新手朋友所忽视这是一位网友买到的GDDR2版HD3850/GPU-Z截图,GDDR2显存频率低得可怜 ,严重影响HD3850性能发挥真是一个惨痛的教训那么如何看懂显存及颗粒的性能参数呢?本篇主要就是详解这个问题先讲解一下有关显存性能的知识显存速度与显存频率,ns(纳秒)与MHz的换算大多数显存都是GDDR3显存,它的等效频率是实际频率的2倍(GDDR4和GDDR2也适用),不特别说明我们等效频率例如本人使用的七彩虹HD3850黄金版512M采用的是GDDR3 1.2NS显存其理论速度换算为实际频率就是1/1.2=0.833GHz=833MHz(即GPU-Z上显示的)est等等)看到的显存频率都是它的实际频率,换算成等效频率要乘以2,如上图的换算,我们平时讲的显另外GDDR5的等效频率是实际频率的4倍,目前采用GDDR5显存的显卡只有HD4870和HD4870X2显存位宽=单颗显存位宽*显存数量...举两个例上图用数字标出GTX280的16颗显存,每颗显存(容量/位宽)64M/32bit,16颗共1G/512bit下载 (182.67 KB)2009-5-19 15:20X260相对于GTX280取掉其中两颗显存,每颗显存64M/32bit,所以GTX260的显存位宽是512bit-32bit1024M-64M*2=896M的想法,把GTX260空焊的那2颗显存加上去,组成16颗32bit,共512bit,多加两颗显存成本就换来GTX280的性能,那定显存位宽的却是GPU,因为显存位宽控制器是集成在GPU里面,NV已经将GTX260的核心屏蔽掉64bit显存控制器,存位宽掌控在NV这个GPU制造商手里存位宽*显存频率(MHz).显卡性能中最关键的是GPU,而接下来就是显存带宽,这是"第二量显存位宽就像河宽,宽度越大流量就越大,GPU交易量就越大显存速度就象水速,水速越大流量就越大,GPU交易量就越大出显存带宽犹如一条河,显存位宽是河的宽度,显存频率是河的流速,超显存频率对显存带宽有一定提升数玩家极为看重位宽的原因,但是更大的位宽意味着GPU核心面积和晶体管激增,最终成本和功耗难于控GTX280的成本和功耗那都是惊人的非常聪明,256bit节约很多成本,另辟蹊径采用高速GDDR5弥补带宽上不足,事实上只有256bit的HD48 GTX260,一种新的显存技术极大的提高显存性能,值得关注带宽计算示例:280 512bit,显存2200MHz,由此算出带宽=512bit*2.2GHz=1126.4Gb/s=(1126.4GB/s)/8=141GB 9800GTX+ 256bit,显存2200MHz,由此算出带宽=256bit*2.2GHz=563.2Gb/s=(563.2GB/s)/8=70GB/s Gb,1个大B等于8个小b,所以结果除以8,例如宽带2M,这里的2M就是2Mb=2M/8=256KB,所以我们下载显存带宽越大,GPU与显存瞬间数据交易量越大,GPU就发挥越充分时对大位宽的追求及超显存频率 ,殊途同归都是"想方设法加大显存带宽",从而提升显卡性能,这是相当了解了影响显存性能的参数以后再来看看显存的封装方式l Outline Package"即"薄型小尺寸封装",它在显存芯片的周围做出引脚,焊点和PCB板的接触面积较就相对困难.而且TSOP封装的显存超过一定频率后,会产生较大的信号干扰和电磁干扰,目前已被淘汰有焊球的面阵引脚结构,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸,可以使显存在体积不变的情况下显存容比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能----- -显存颗粒编号解析(猛文)-----三星显存重点掌握内容类型:J表示GDDR3,U表示GDDR4,N表示GDDR2单颗容量:51或52表示512Mb=64M,55或56表示256Mb=32M(换算如前面所述:1个大B等于8个小b) (记忆要决:51,52数字小但容量大;55,56数字大但容量小)单颗位宽:32表示32位,16表示16位功耗等级:J表示高功耗版,C表示普通功耗版,L表示低温低功耗版示0.8ns速度(中间想象成1个小数点).比较特殊的有:1A表示1.0ns,1B表示0.95ns,7A表示0.77ns--------------------------------------------------奇梦达显存重点掌握内容电压:18表示1.8V,25表示2.5V类型:H表示GDDR3,T表示GDDR2单颗容量:512表示512Mb=64M,256表示256Mb=32M,1G表示1Gb=128M单颗位宽:32表示32位,16表示16位显存速度:10表示1.0ns,比较特殊的-XP介于1.4ns-1.2ns注意:GDDR5显存不再强调ns,转而直接用MHz来标识--------------------------------------------------现代显存重点掌握内容类型:5R表示GDDR3,5F表示GDDR4,5P表示GDDR2单颗容量:12或11表示512Mb=64M,57或56表示256Mb=32M,1G表示1Gb=128M单颗位宽:32表示32位,16表示16位显存速度:11表示1.1ns得学习的好文。
每一个DIYer都不能错过哦。
从最早的DDR显存到最新的DDR5显存，以及位宽、GPU、显卡性能的忍不住要为大家推荐，喜欢的话就顶一顶吧，让更多的“菜鸟”变“大虾”。
显卡的性能是由GPU(核心)和显存共同决定的,GPU的好坏最关键,最受关注,而显存却往往被新手朋友所忽视,下面是可以看出同样的GPU搭配不同性能的显存会获得不同的游戏享受那么如何看懂显存颗粒的性能参数呢?本篇主要就是详解这个问题先讲解一下有关显存性能的知识显存速度,NS(纳秒)和MHz的换算两者程倒数关系,不过现在显存都是DDR,DDR2,DDR3,DDR4显存,它们的等效频率是实际频率的2倍,不特别说明我们例如本人使用的七彩虹2600PRO黄金板采用的是DDR3 1.4NS显存其理论速度换算为实际频率就是1/1.4=714MHz约为700MHz驱动控制中心显示的显存频率则是其实际频率,换算成等效频率要*2,即700MHz*2=1400MHz,这才是我们平时讲的显显存位宽=单颗显存位宽*显存数量..举两个例:上图8800GT共8颗显存,单颗显存32bit,所以8800GT显存位宽32bit*8=256bit上图8800GS相对于8800GT取掉2颗显存,每颗显存位宽32bit,所以8800GS的显存位宽是256bit-32bit*2=192bit这时候你也许有一个很"妙"的想法,把8800GS空焊的那2颗显存加上去,组成8颗32bit,共256bit,花1199RMB换来880已经在8800GT的基础上再次砍掉64bit显存位宽,所以你再补显存也没有用,显存位宽掌控在NV这个显示芯片制造商显存带宽:显存带宽=显存位宽*显存频率(MHz).显卡性能中最关键的是GPU,而显存带宽是决定显卡性能的"第二把手从这个模式图可以看出显存带宽犹如一条河,显存位宽是河的宽度,显存频率是河的流速,超显存频率对显存带宽有一定的原因8800GT 256bit,1800MHz,带宽为256bit*1800MHz/8=57.6GB/s8600GTS 128bit,2000Mhz,带宽为128bit*2000MHz/8=32.0GB/s注意:1MB=8Mbit,注意B和b的大小写,大B等于8个小b显存带宽越大,GPU与显存之间的数据吞吐量就越大.我们平时对大显存位宽的追求及超显存频率 ,殊途同归都是对显了解了影响显存性能的参数以后再来看看显存的封装方式:TSOP封装:薄型小尺寸封装,显存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的,焊点和PCB板的接触面积较小,使得芯片向和电磁干扰,目前已被淘汰FBGA封装:是一种在底部有焊球的面阵引脚结构,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸,可以使显存在体积不变的情下面进入正题,显存参数图解,以现今火热的显卡为例子,如8800GT HD3850,时效性为先,绝对原创(重点学习标红了的大一:三星(SAMS UNG)显存:以双敏2600PRO玩家版为例K4:三星显存J:显存类型,D:DDR N:DDR2 J:DDR3 U:DDR455:单颗显存容量,51,52:512Mbit(64M) 注意大B等于8个小b55,56:256Mbit(32M)26,28:128Mbit(16M)32:单颗显存位宽,数字是多少就是多少,一般有32和16bit3:Bank数, 2:2Bank 3:4Bank 4:8BankQ:内部电压及接口电压:2:LVTTL,双3.3V 4:LVTTL,双2.5V5:SSTL2,双1.8V,LP 6:SSTL2,双1.5V8:SSTL2,双2.5V A:SSTL2,2.5V,1.8VG:显存版本, 第1到第12代字母分别是MABCEFGHIKB:封装类型, A,B:136球FBGA(底部球型引脚封装) G,Z:84/144球FBGA V: 144球 FBGA Q,U:TOFPT,L:TSOP J,E:FBGA(双封装)C:普通版,L:低温低功耗版14:显存速度,两个数字间幻想一个小数点就可以,特殊的我例举一些:1A:1NS 1B:0.95NS 7A:0.77NS二:奇梦达(Qimonda)显存:以公版8800GT为例HYB:表示奇梦达显存18:电压,中间幻想一个小数点就行了,18就是1.8V 25就是2.5VH:显存类型,D:DDR T:DDR2 H:DDR3512:单颗显存容量:数字多少就是多少,换算成MB需要除以8,例如512Mbit=64M256Mbit=32M32:单颗显存位宽:数字是多少就是多少,一般有32和16bit1B:改进版本的代号F:封装类型,F:FBGA(ROHS) E:TSOP(ROHS)10:显存速度,中间幻想成一个小数点就行了,例如10就是1.0NS 14就是1.4NS 比较特殊的有XP(1.4NS-1.2NS),采购价是按1.4NS,比较便宜三:现代显存:以某品牌非公版3850为例HY:表示现代显存5R:显存类型,5D:DDR 5P:DDR2 5R:DDR3 5F:DDR4S:电压(内部&接口),V:3.3V,2.5V U:双2.5VW:2.5V,1.8V S:双1.8VC:双1.5V57:单颗显存容量,56,57:256Mbit(32M) 11,12:512Mbit(64M)1G:1Gbit(128M) 28:128Mbit(16M)32:单颗显存位宽,数字是多少就是多,一般有32和16bit2:Bank数, 1:2Bank 2:4Bank 3:8Bank5:接口类型B:显存版本,第1到第5代分别是:空白-A-B-C-DF:封装类型,F:FBGA(线性) FS:FBGA(规模较小) FM:FBGA(双封装)FC:FBGA(倒装) T:TSOP第2代Q:LQFP(周边出脚的贴片封装)P:包装材料,P:无铅ROHS R:无铅无卤素ROHS 空白:普通包装材料11:显存速度,一般在中间幻想一个小数点就行,我们知道公版HD3850显存采用的是1.1NS特殊的下面例举一些:077:0.77NS 1: 1NS演练一:上图所示显存颗粒,从SAMS UNG和K4就知道是三星显存,最后两个"1A"知道是1.0NS的显存速度第三:J表示现在主流的DDR3显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit,实际上这款显卡是迪兰HD3850北极星512M,有8颗显存,所以该卡32bit*8构成接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个J不重要演练二:上图所示显存颗粒,从hynix和HY就知道这是现代显存,-后面的11表示1.1NS的显存速度第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:12表示512Mbit,即单颗64MB第八第九:32和三星显存一样,32bit,实际上这是迪兰恒进2600PRO极限版,我们都知道2600PRO的显存位宽是128bit 后面的3和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的B表示显存颗粒是第3代,或者就叫B代也行,反正是一个数字,A-B-C-D有顺序的第二行前面的FP表示无铅FBGA封装附题:一问:上图1号和2号显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MH 答:1号从SAMS UNG和K4就知道是三星显存,最后两个"09"知道是0.9NS的显存速度,DDR3很难有这么快的速度,估计第三:U表示现在ATI高端显卡惯用的DDR4显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个C表示普通版(非低功耗版)2号从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的1表示1.0NS的显存速度第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:57表示256Mbit,即单颗32MB第八第九:32和三星显存一样,单颗32bit后面的2和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的A表示显存颗粒是A代,或叫第2代(第1代是空白)第二行前面的FP表示无铅FBGA封装二问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)答:从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的08表示0.8NS的显存速度,基本上可以确定这是DDR4显存第三第四:5F表示ATI高端显卡惯用的DDR4显存第六第七:12表示512Mbit,即单颗64MB第八第九:32和三星显存一样,单颗32bit后面的3和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的A表示显存颗粒是A代,或叫第2代第二行前面的FC是FBGA封装(倒装)第二行第三:P表示无铅ROHS工艺三问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?答:从SAMS UNG和K4就知道是三星显存,最后两个"07"知道是0.7NS的显存速度,可以肯定这是DDR4显存(DDR3第三:U表示ATI高端显卡惯用的DDR4显存第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,即单颗64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个C表示普通版(非低功耗版)四问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?答:从Qimonda和HYB就知道这是奇梦达显存,最后两个10知道这是1.0NS的显存第四第五:18表示电压,即1.8V第六:H表示DDR3显存第七,八,九:512就是表示512Mbit,即单颗64MB第十,十一:32表示单颗32bit第十二,十三:1B表示改进版本号代码横杆前的F:FBGA封装五问:上图显存颗粒的品牌,显存类型(DDR3或DDR4),单颗显存容量(MB),单颗位宽(bit),理论显存频率(MHz)?后答:从hynix和HY就知道这是现代显存,横杆-后面的14表示1.4NS的显存速度,图片有点模糊第三第四:5R表示目前的主流DDR3显存类型第五:S是电压:双1.8V第六第七:57表示256Mbit,即单颗32MB第八第九:单颗32bit后面的2和5不重要,(Bank数和接口类型及电压),可以忽略第一行最后的B表示显存颗粒是B代,或叫第3代第二行前面的FP表示无铅FBGA封装上图所示显存颗粒,从SAMS UNG和K4就知道是三星显存,最后两个"08"知道是0.8NS的显存速度,估计是DDR4显存类型第三个J:表示DDR3显存类型,此显存非常特殊,采用的是三星顶级DDR3显存,显存速度为0.8NS,理论频率可达2300MHz以上.DDR4的优势主要就是能达到DDR3难以达到的高频,但是DDR4本身延迟较高,所以如果DDR3能达到DDR4的频率,性能有过之而无不及第四第五:52表示512Mbit的单颗显存容量,512Mbit/8=64MB,也就是单颗显存容量64MB第六第七:32表示单颗显存位宽32bit接下来的4和Q不重要,(Bank数和接口类型及电压)可以忽略横杆前的E表示第5代显存颗粒横杆后的B表示FBGA封装后面那个J不重要识别显存颗粒编号的规则(2009-08-20 21:15:18)转载标签：显存颗粒编号识别显存颗粒显存编号我们可以从显存上面看到每一个显存颗粒上都会有一串编号，虽然并没有直接的标出显存的容量，但还是可以从编号上读出显存容量、速度、位宽、带宽等参数信息。