位错讲义
合集下载
位错复习-new-PPT课件
一对平行的刃型位错和螺型位错之间的相互作用力:
b1 b 2 F 2 d (1 )
b1 b 2 F 2 d
不全位错:当滑移矢量不是点阵矢量的整数倍时,滑
移区原子出现错排,即出现层错,而滑移区与未
bi bj
2 i
能量判据-
b b
2 j
材料的缺陷、强度与断裂
材料研究所 崔文芳
位错的基本知识复习
1. 刃型位错的形成
W
• • •• •• ••
• • • • •
• • • • •
• • • • • • • • • • • • •
• • • • •
• • • • •
• • • • •
2. 螺型位错的形成
螺位错线
位错柏 氏矢量 的定义
练习
若给位错环施加力 (假设Z面是滑移面)
i
, 确定位错环各段可能的位错运动.
z
A b
B
D
C
0
y
x
位错周围的弹性应力场
1. 螺位错弹性应力场
0 x y z
Gb y 0 ( ) xy x z 2 2 2 x y Gb x ( ) y z 2 2 2 x y
0 z x z y
1. 刃位错的弹性应变能We.
We
ro 0
R
b
xy
(l d x ) d b
lG b 1 d x d b 2 (1 ) x
Glb 2 R ln( ) Gb 2 l 4 (1 ) r
2.
螺位错的弹性应变能
第4章实际晶体结构中的位错ppt课件
分增加的能量称为堆垛层错能,用 表示。从能
量的观点来看,晶体中出现层错的几率与层错能 有关,层错能越高,则出现层错的几率越小。如 在层错能很低的奥氏体不锈钢中,常可看到大量 的层错,而在层错能高的铝中,就看不到层错。
4.4.2 不全位错(Partial Dislocation)
若堆垛层错不是发生在晶体的整个原子 面上而只是部分区域存在,那么,在层错与 完整晶体的交界处就存在柏氏矢量不等于点 阵矢量的不全位错。在面心立方晶体中有两 种重要的不全位错:肖克莱(Shockley)不 全位错和弗兰克(Frank)不全位错。
如果把单位晶胞(Unit Cell)中通过坐标原点O的(111)面 上的原子,也作如上投影,那么可以看到,该面上原 子中心投影位置与C层原子中心投影位置是相同的。 由于晶体点阵的对称性和周期性,面心立方晶体(111) 密排面上的原子在该面上的投影位置是按A、B、C三 个原子面的原子投影位置进行周期变化的。可以记为: ABCABCA…,这就是面心立方晶体密排面的正常堆 垛顺序。如果用记号△表示原子面以AB、BC、CA… 顺序堆垛,▽表示相反的顺序,如BA、AC、CB…, 那么面心立方晶体密排面的正常堆垛又可以表示为: △△△△△,如图4.1(d)所示。
位错反应能否进行,取决于下列两个条件:
A 几何条件
根据柏氏矢量的守恒性,反应后诸位错的柏氏矢量之
和应等于反应前诸位错的柏氏矢量之和,即
B 能量条件
bi bk
(4-1)
从能量角度要求,位错反应必须是一个伴随着能量降
低的过程。由于位错的能量正比于其柏氏矢量的平方,所
以,反应后各位错的能量之和应小于反应前各位错的能量
根据其柏氏矢量与位错线的夹角关系,它既可以是纯 刃型的,也可以是纯螺型的,见图4.5。
量的观点来看,晶体中出现层错的几率与层错能 有关,层错能越高,则出现层错的几率越小。如 在层错能很低的奥氏体不锈钢中,常可看到大量 的层错,而在层错能高的铝中,就看不到层错。
4.4.2 不全位错(Partial Dislocation)
若堆垛层错不是发生在晶体的整个原子 面上而只是部分区域存在,那么,在层错与 完整晶体的交界处就存在柏氏矢量不等于点 阵矢量的不全位错。在面心立方晶体中有两 种重要的不全位错:肖克莱(Shockley)不 全位错和弗兰克(Frank)不全位错。
如果把单位晶胞(Unit Cell)中通过坐标原点O的(111)面 上的原子,也作如上投影,那么可以看到,该面上原 子中心投影位置与C层原子中心投影位置是相同的。 由于晶体点阵的对称性和周期性,面心立方晶体(111) 密排面上的原子在该面上的投影位置是按A、B、C三 个原子面的原子投影位置进行周期变化的。可以记为: ABCABCA…,这就是面心立方晶体密排面的正常堆 垛顺序。如果用记号△表示原子面以AB、BC、CA… 顺序堆垛,▽表示相反的顺序,如BA、AC、CB…, 那么面心立方晶体密排面的正常堆垛又可以表示为: △△△△△,如图4.1(d)所示。
位错反应能否进行,取决于下列两个条件:
A 几何条件
根据柏氏矢量的守恒性,反应后诸位错的柏氏矢量之
和应等于反应前诸位错的柏氏矢量之和,即
B 能量条件
bi bk
(4-1)
从能量角度要求,位错反应必须是一个伴随着能量降
低的过程。由于位错的能量正比于其柏氏矢量的平方,所
以,反应后各位错的能量之和应小于反应前各位错的能量
根据其柏氏矢量与位错线的夹角关系,它既可以是纯 刃型的,也可以是纯螺型的,见图4.5。
材料科学基础——位错课件
z
b 2 r
螺型位错的应力场
柱面坐标表示:
直角坐标表示:
z z G z
Gb 2r
rr r rz 0
式中,G为切变模量,b为柏氏矢量,r为距位错中心的距离
螺型位错应力场的特点: (1)只有切应力分量,正应力分量全为零,这表明螺型位错不引起晶体的膨胀 和收缩。 (2)螺型位错所产生的切应力分量只与r有关(成反比),且螺型位错的应力场 是轴对称的,并随着与位错距离的增大,应力值减小。 (3)这里当r→0时,τθz→∞,显然与实际情况不符,这说明上述结果不适用位错 中心的严重畸变区(r =b)。
因原子间斥力的短程性,能量曲线不是正弦形的,所以上面的估计是过
高的,τc的更合理值约为G/30。实验测定的切变强度比理论切变强度低 2~3 个数量级。 晶体 理论强度(G/30)GPa 实验强度/MPa 理论强度 /实验强度
Fe Al Cu Ni Mo Ti
(柱面滑移)
7.10 2.37 4.10 6.70 11.33
位 错 (Dislocations)
位错基本知识
主要内容
概论
位错的应力场
位错的应变能 位错受力 位错的运动 割阶及其运动 弯结及其运动
0 位错概论 位错理论提出——理论强度和实际强度的差异
• 变形时,若晶体在滑移面两侧相对滑过,则在滑移面上所有的键都要破断 来产生永久的位移。据此,可估算滑移所需的临界分切应力。
• 1947年 Cottrell阐明溶质原子和位错的交互作用并用以解释低碳纲 的屈服现象,第一次成功地利用位错理论解决金属机械性能的具体问题。 同年,Shockley描绘了面心立方形成扩展位错的过程。 • 1950年 Frank和Read共同提出了位错的增殖机制。
《位错理论基础》课件
1.11 实际晶体中的位错 堆垛层错
(1)形成 密排堆垛次序有误
形成
层错
面缺陷
fcc晶体的层错类型:
抽出型:
插入型:
(2)类型
肖克莱(Shock12 扩展位错
位错反应 位错反应:分解或合成
条件:
1)几何条件:反应前各位错柏氏矢量之和应等于反 应后各位错柏氏矢量之和。
1.6 位错在应力场中的受力
外力使晶体变形做的功=位错在F力作用下移动 ds距离所作的功。
1.7 位错间的相互作用
(1)写出位错间作用力的表达式(不要求计算) (2)分析位错的受力
同符号刃型位错:
/2 稳定平衡位置; /4不稳定平衡位置。
1.9 位错的交割
割阶与扭折
割阶的形成增加了位错线长度,要消耗一定的能量。 因此交割对位错运动是一种阻碍。增加变形困难, 产生应变硬化。
即: Σb前=Σb后
2)能量条件:反应过程是能量降低的过程。 E∝b2 Σb2前≥Σb2后
扩展位错:一个位错分解成两个半位错和它们中间夹的层错带 构成的位错。
面心立方晶体的滑移
如: 1 a1 10 1 a1 2 1 1 a211
2
6
6
1 a1 10
2
1 a1 2 1
6
1 a211
6
2)τp随a值的增大和b值的减小而下降。在晶体中,原子最密排 面其面间距a为最大,原子最密排方向其b值为最 小,可解释 晶体滑移为什么多是沿着晶体中原子密度最大的面和原子密 排方向进行。
3)τp随位错宽度减小而增大。 强化金属途径:一是建 立无位错状态,二是引入大量位错或其它障碍物,使其难以运 动。
1.5 位错的运动及晶体的塑性变形
位错讲义
两类层错的比较
I型
…ABCABCAB┇ABCABCABC…
滑移[112]/6或抽出一层面,相 应的层错矢量是<112>/6或 <111>/3; 层错为2个原子厚。
E型
…ABCABCAB┇A┇CABCABC…
一层面 相邻的上下两侧各滑 移<112>/6或插出一层面,相应 的层错矢量是<112>/6或<111>/3; 层错为3个原子厚。
可能的柏氏矢量 <100>
<1123>/3
独立滑移系
每一点的应变可用六个分量表示,但塑性形变保持体积不变,
即11+22+33=0,故只有五个应变分量是独立的。,若有五个独
立的滑移系开动的话,则靠这五个独立滑移系滑移量的调整可以 使任一点获得任意的应变量。
所谓独立的滑移系是指某一滑移系产生的滑移不能用所讨论 的其它滑移系的滑移组合来代替。晶体的滑移系中能互相搭配成 五个独立的滑移系的组合数的多少是衡量晶体塑性大小的一个因 素。
2 1 0
0 0 1
t
26
0
2
1
2
6
1
0
1
2
6
1
2 1 0
1 1 0
0 1 2
1 0 2
这证明了这三个滑移系并非完全独立。以这三个滑移系为讨论基点,
再在12个滑移系剩余的9个中任取两个组成五个滑移系组,可能的方
式有
C92 79!!2! 36
按照类似的讨论,最后知道真正能构成5个完全独立的滑移系组 的方式共有384种。面心立方能选择5个完全独立的滑移系的方式 如此之多,说明面心立方晶体具有较高延展性的原因。
第七章位错与层错1_10-11-9讲义
1) 首先选定位错线的正 向。常规定出纸面的方 向为位错线的正方向。
S S F
螺型位错的柏氏矢量也可按同样的方法加以确定。螺型位 错的柏氏矢量与位错线平行,且规定b与 正向平行者为右 螺旋位错,b与 反向平行者为左螺旋位错。 至于混合位错的柏氏矢量既不垂直也 不平行于位错线,而与它相交成φ角 (0<φ <π/2 ),可将其分解成垂 直和平行于位错线的刃型分量和螺型 分量。 螺型分量:bs=bcosφ 刃型分量:be=bsinφ
7.3.1 面心立方金属中的位错―汤普森作图法
滑移面: 滑移面: BCD 面=( 11-1 ) BCD 面=( 11-1) 11 ADC 面=( 1-11 ) ADC 面=( 1 -11) ADB 面=( -111 ) ADB面=(-111) ABC 面=( 111 ) ABC 面=( 111 )
2 .柏氏矢量的特性 2 .柏氏矢量的特性 3) 一根不分岔的位错线,不论其形状如何变化(直线、曲折 一根不分岔的位错线,不论其形状如何变化(直线、曲折 1) 柏氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变总累积的物理量。 该矢量的方向表示位错的性质与位错的取向,即位错运动 导致晶体滑移的方向;而该矢量的模|b|表示了畸变的程 度,称为位错的强度。 2) 柏氏矢量与回路起点及其具体途径无关。柏氏矢量是唯一 的,这就是柏氏矢量的守恒性。 4) 若一个柏氏矢量为b的位错可以分解为柏氏矢量分别为b, b2….bn 的 n 个位错,则分解后各位错柏氏矢量之和等于原 位错的柏氏矢量,即 线或闭合的环状),也不管位错线上各处的位错类型是否 相同,其各部位的柏氏矢量都相同 ;而且当位错在晶体中 相同,其各部位的柏氏矢量都相同;而且当位错在晶体中 运动或者改变方向时,其柏氏矢量不变,即一根位错线具 有唯一的柏氏矢量。
高等金属学位错课件
位错的应力场:
位错周围的弹性畸变区及其应力 分布→位错的应力场。 一种弹性连续介质模型。
2.5.1 应力、应变分量的表示
• • • • 正应力: 切应力: 正应变: 切应变:
x3 x2 σ22 τ21 τ23 X1
• 极坐标的表示x1=rcosθ, x2=rsinθ, • r=(x12 +x22)1/2, θ=arctg(x2/x1),
﹡柏氏矢量定义位错
b 0 的缺陷称为位错 b 位错线,b t 0,刃位错
b // 位错线,b t 1,螺位错
b t 0 ~ 1,混合位错
• 刃型位错的正负利用右手法则来确定: 食指—位错线方向;中指—柏氏矢量方 向;拇指—代表多余半原子面。 • 拇指向上者为正刃型位错,向下者为负 刃型位错。如图
(b) 位错线周围原子螺型排列
2.2 混合位错
• 实际中的位错一般来说很少是单纯的 刃型位错或是螺型位错,更普遍的是 其混合产物---混合位错。
• 混合位错的滑移矢量不平行也不垂直
位错线,而是与位错线成任意角度。
混合位错
FIGURE 5.9 (a) Schematic representation of a dislocation that has edge, screw, and mixed character.
u 31 2Ge31 G 3 x1
23
u3 2Ge23 G x2
平衡方程
23 31 0 x2 x1
2u3 2u3 G( )0 2 2 x2 x1
上式代入 ▽2u3=0 满足调和
1 2u3 0 2 2 r
方程,化成极坐标为:
材料微观结构晶体中的位错与层错课件
位错塞积
层错阻碍位错滑移,导致位错在层错附近塞积,形成应力集中。
位错和层错交互作用导致材料强化和韧性下降
材料强化
位错和层错的交互作用增加了材料的强度,提高了材料的抗变形能力。
韧性下降
位错和层错的交互作用导致材料韧性下降,容易出现脆性断裂。
04
实验方法观察和分析位错与层错
透射电子显微镜技术
原理
利用电子束穿透样品,通过电磁 透镜成像,获得晶体结构的高分
形成条件
晶体结构复杂、原子间结合力弱、外界环境干扰等。
层错对材料性能影响
01Βιβλιοθήκη 0203力学性能
层错导致晶体结构畸变, 影响材料的强度、韧性、 延展性等力学性能。
物理性能
层错影响材料的导电、导 热、光学等物理性能,可 能导致材料性能的不均匀 性。
化学性能
层错处原子排列紊乱,可 能导致材料的化学活性增 加,易受环境因素影响而 发生变化。
05
典型材料中位错和层错实例分析
金属中位错和层错现象举例
铝中的位错
在铝晶体中,位错通常呈现为线缺陷, 其滑移面为{111}。位错的存在对铝的强 度和塑性变形行为具有重要影响。
VS
铜中的层错
铜晶体中,层错通常出现在{111}面上, 表现为原子层的堆垛顺序发生改变。层错 能较低,使得铜具有较好的塑性和韧性。
陶瓷中位错和层错现象举例
氧化铝陶瓷中的位错
氧化铝陶瓷晶体中,位错主要呈现为线缺陷 和面缺陷。位错的存在对陶瓷的力学性能和 热学性能具有重要影响,如提高氧化铝陶瓷 的强度和断裂韧性。
氮化硅陶瓷中的层错
氮化硅陶瓷晶体中,层错通常出现在{100} 和{110}面上。层错的引入可以改善氮化硅 陶瓷的韧性,降低脆性。
层错阻碍位错滑移,导致位错在层错附近塞积,形成应力集中。
位错和层错交互作用导致材料强化和韧性下降
材料强化
位错和层错的交互作用增加了材料的强度,提高了材料的抗变形能力。
韧性下降
位错和层错的交互作用导致材料韧性下降,容易出现脆性断裂。
04
实验方法观察和分析位错与层错
透射电子显微镜技术
原理
利用电子束穿透样品,通过电磁 透镜成像,获得晶体结构的高分
形成条件
晶体结构复杂、原子间结合力弱、外界环境干扰等。
层错对材料性能影响
01Βιβλιοθήκη 0203力学性能
层错导致晶体结构畸变, 影响材料的强度、韧性、 延展性等力学性能。
物理性能
层错影响材料的导电、导 热、光学等物理性能,可 能导致材料性能的不均匀 性。
化学性能
层错处原子排列紊乱,可 能导致材料的化学活性增 加,易受环境因素影响而 发生变化。
05
典型材料中位错和层错实例分析
金属中位错和层错现象举例
铝中的位错
在铝晶体中,位错通常呈现为线缺陷, 其滑移面为{111}。位错的存在对铝的强 度和塑性变形行为具有重要影响。
VS
铜中的层错
铜晶体中,层错通常出现在{111}面上, 表现为原子层的堆垛顺序发生改变。层错 能较低,使得铜具有较好的塑性和韧性。
陶瓷中位错和层错现象举例
氧化铝陶瓷中的位错
氧化铝陶瓷晶体中,位错主要呈现为线缺陷 和面缺陷。位错的存在对陶瓷的力学性能和 热学性能具有重要影响,如提高氧化铝陶瓷 的强度和断裂韧性。
氮化硅陶瓷中的层错
氮化硅陶瓷晶体中,层错通常出现在{100} 和{110}面上。层错的引入可以改善氮化硅 陶瓷的韧性,降低脆性。
第01章位错基础
证明:如图1.12所示,设位错AB的柏氏矢量为b,中断于B点。
根据位错的定义:设Ⅰ区为已滑移区,Ⅱ区为未滑移区,则
Ⅲ区有两种情况:1)Ⅲ区为已滑移区,则Ⅱ-Ⅲ区的界线BC 必是一段位错线;2)Ⅲ区为未滑移区,则Ⅰ-Ⅲ区的界线BC′
必是一段位错线。所以无论是哪种情况,BC或BC′都是AB伸 向晶体表面的延伸线,柏氏矢量也为b,这就证明了位错线 不能中断在晶体内部。
,每一小段位错线都可分解为刃型和螺型两个部分,因此是混
合型位错。
第18页,本讲稿共31页
由于位错线是已滑移区与未滑移区的边界 线,因此一根位错线不能终止于晶体内部,而 只能露头于晶体表面或晶界。
它若终止于晶体内部,则必与其他位错线 相连接,或在晶体内部形成封闭线即位错环, 见图1.4。
第19页,本讲稿共31页
在完整晶体中按同样的方向和步数作相同的回 路,该回路并不闭合,由终点Q向起点M引一 矢量b,使该回路闭合,如图1.5(b)所示。这 个矢量b就是实际晶体中位错的柏氏矢量。
第22页,本讲稿共31页
由图1.5可知,刃型位错的柏氏矢量与位错线 垂直,这是刃型位错的一个重要特征。刃型位 错的正负可用右手法则来确定,如图1.6所示。
平面都可以作为它的滑移面。 螺型位错线周围的点阵也发生弹性畸变,但只有平行于位
错线的切应变而无正应变,即不会引起体积膨胀和收缩,且在 垂直于位错线的平面投影上,看不到原子的位移,看不到有缺陷。 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减
少,故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。
第17页,本讲稿共31页
滑移面是同时包含有位错线和滑移矢量的平面,在其他面上不能滑 移。由于刃型位错中,位错线与滑移矢量互相垂直,因此由它们
所构成的平面只有一个。
根据位错的定义:设Ⅰ区为已滑移区,Ⅱ区为未滑移区,则
Ⅲ区有两种情况:1)Ⅲ区为已滑移区,则Ⅱ-Ⅲ区的界线BC 必是一段位错线;2)Ⅲ区为未滑移区,则Ⅰ-Ⅲ区的界线BC′
必是一段位错线。所以无论是哪种情况,BC或BC′都是AB伸 向晶体表面的延伸线,柏氏矢量也为b,这就证明了位错线 不能中断在晶体内部。
,每一小段位错线都可分解为刃型和螺型两个部分,因此是混
合型位错。
第18页,本讲稿共31页
由于位错线是已滑移区与未滑移区的边界 线,因此一根位错线不能终止于晶体内部,而 只能露头于晶体表面或晶界。
它若终止于晶体内部,则必与其他位错线 相连接,或在晶体内部形成封闭线即位错环, 见图1.4。
第19页,本讲稿共31页
在完整晶体中按同样的方向和步数作相同的回 路,该回路并不闭合,由终点Q向起点M引一 矢量b,使该回路闭合,如图1.5(b)所示。这 个矢量b就是实际晶体中位错的柏氏矢量。
第22页,本讲稿共31页
由图1.5可知,刃型位错的柏氏矢量与位错线 垂直,这是刃型位错的一个重要特征。刃型位 错的正负可用右手法则来确定,如图1.6所示。
平面都可以作为它的滑移面。 螺型位错线周围的点阵也发生弹性畸变,但只有平行于位
错线的切应变而无正应变,即不会引起体积膨胀和收缩,且在 垂直于位错线的平面投影上,看不到原子的位移,看不到有缺陷。 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减
少,故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。
第17页,本讲稿共31页
滑移面是同时包含有位错线和滑移矢量的平面,在其他面上不能滑 移。由于刃型位错中,位错线与滑移矢量互相垂直,因此由它们
所构成的平面只有一个。
位错基本理论讲课文档
第三十三页,共142页。
螺型位错
晶体在外切应力τ作用下,右端晶体上下区在滑移面(ABCD) 发生一个原子间距的切变。
的屈服强度。
第十九页,共142页。
二、线缺陷-位错
位错:是晶体中普遍存在的一种线缺陷,它对晶体生长、相变、 塑性变形、断裂及其它物理、化学性质具有重要影响。
位错理论是现代物理冶金和材料科学的基础。 位错概念:并不是空想的产物,相反,对它的认识是建立在深
厚的科学实验基础上。
人们最早提出对位错的设想,是在对晶体强度作了一系列的理 论计算,发现在众多实验中,晶体的实际强度远低于其理论强 度,因而无法用理想晶体的模型来解释,在此基础上才提出来 的。
晶体在一定温度下,有一定的热力学平衡浓度,这是点缺陷区 别于其它类型晶体缺陷的重要特点。
第十二页,共142页。
CUv n N
晶体中空位缺陷的平衡浓度:
设温度 T 和压强 P 条件下,从 N 个原子组成的完整晶体中取 走 n 个原子,即生成 n 个空位。
定义晶体中空位缺陷的平衡浓度为:
Cv n N
第四页,共142页。
二、点缺陷(point defect ): 晶体中的点缺陷:包括空位、间隙原子和溶质原子,以及由它
们组成的尺寸很小的复合体(如空位对或空位片等)。 点缺陷类型:有空位、间隙原子、置换原子三种基本类型。
第五页,共142页。
1、空位(vacancy) 在晶体中,位于点阵结点的原子并非静止,而在其平衡位置作
第十七页,共142页。
晶体中的间隙原子:也可因热振动,由一个间隙位置迁移到另 一个间隙位置,只不过其迁移激活能比空位小得多。
间隙原子运动过程中,当与一个空位相遇时,它将落入这个空 位,而使两者都消失,此过程称为复合,亦称 “湮没”。
螺型位错
晶体在外切应力τ作用下,右端晶体上下区在滑移面(ABCD) 发生一个原子间距的切变。
的屈服强度。
第十九页,共142页。
二、线缺陷-位错
位错:是晶体中普遍存在的一种线缺陷,它对晶体生长、相变、 塑性变形、断裂及其它物理、化学性质具有重要影响。
位错理论是现代物理冶金和材料科学的基础。 位错概念:并不是空想的产物,相反,对它的认识是建立在深
厚的科学实验基础上。
人们最早提出对位错的设想,是在对晶体强度作了一系列的理 论计算,发现在众多实验中,晶体的实际强度远低于其理论强 度,因而无法用理想晶体的模型来解释,在此基础上才提出来 的。
晶体在一定温度下,有一定的热力学平衡浓度,这是点缺陷区 别于其它类型晶体缺陷的重要特点。
第十二页,共142页。
CUv n N
晶体中空位缺陷的平衡浓度:
设温度 T 和压强 P 条件下,从 N 个原子组成的完整晶体中取 走 n 个原子,即生成 n 个空位。
定义晶体中空位缺陷的平衡浓度为:
Cv n N
第四页,共142页。
二、点缺陷(point defect ): 晶体中的点缺陷:包括空位、间隙原子和溶质原子,以及由它
们组成的尺寸很小的复合体(如空位对或空位片等)。 点缺陷类型:有空位、间隙原子、置换原子三种基本类型。
第五页,共142页。
1、空位(vacancy) 在晶体中,位于点阵结点的原子并非静止,而在其平衡位置作
第十七页,共142页。
晶体中的间隙原子:也可因热振动,由一个间隙位置迁移到另 一个间隙位置,只不过其迁移激活能比空位小得多。
间隙原子运动过程中,当与一个空位相遇时,它将落入这个空 位,而使两者都消失,此过程称为复合,亦称 “湮没”。
位错的运动知名专家讲座
位错塞积群旳一种主 要效应就是:在它旳 前端引起应力集中。
三、位错旳交割:两位错相互交割,必在对方留下一 种与本身柏氏矢量大小、方向相同旳一小段位错。
1. 扭折 若小段位错位于原位错旳 滑移面上,因为线张力旳 作用,经过滑移可使小段 位错消失。
2. 割阶 若小段位错垂直于位错
旳滑移面与原位错旳滑移 面不同,小段位错不可能 靠滑移而消失。
考虑到实际晶体中位错是弯曲 旳,在远处旳应力场可能会有 部分抵消,使位错线旳线张力 不大于直位错线,一般用Gb2/2 作为位错线张力旳估算值。位 错线张力在数量上与单位长度 旳位错能相等,但要注意两者 不同旳物理意义和不同旳量纲。
第四节 在整体中旳位错
晶体中有大量位错存在,要考虑它们之间旳相互作用 及作为群体旳位错旳特征。
3. 混合位错旳滑移
沿柏氏矢量方向对晶 体施加应力,则A、B 处为符号相反旳刃位 错,C、D处为符号相 反旳螺位错,在相同 旳外力作用下,各自 运动方向相反,故位 错环只能收缩或扩展 。一样是晶体产生一 种b大小旳宏观变形。
4. 位错滑移旳方向
三、位错旳攀移
刃型位错在垂直于滑移面方向旳运动称为攀移。这 相当于多出半原子面、位错旳滑移:外切应力作用下,位错在滑移面上旳运动,造成晶体永 久变形。
1.刃位错旳滑移: 位错滑移是在切应力作用下,经过位错中 心附近旳原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地做少许旳位 移(不大于一种原子间距)而逐渐实现旳。位错运动到哪里, 哪里就出现多出半原子面。在切应力作用下,滑移面上方每 列原子只移动了b/6,位错就移动了一种原子距离b,多出半 原子面也移动了一种原子距离在晶体表面出现一种滑移台阶, 这种滑移方式所需要旳应力比晶体作整体运动所需旳应力要 小得多。
位错理论.ppt
1.5 位错与溶质的交互作用
• 溶剂原子、溶质原子体积不同,晶体中的
溶质原子会使周围晶体发生弹性畸变,产
生应力场。 • 位错与溶质原子的弹性相互作用-应力场
发生作用。
科氏气团
• 位错与溶质原子交互作用-溶质原子相位 错线聚集-溶质原子气团。
• 位错更加稳定。
1.6 位错的增殖与塞积
Heterogeneous Nucleation Frank-Reed Source F-R源的形核
• 位错中心处原子严重错排,周围原子偏离 中心位置-位错周围产生应力场,晶体的 内能也增加。
• 因晶体中存在位错而使晶体增加内能-位 错的应变能。
线张力
位错应变能与位错线长度成正比。为降 低能量,位错线具有尽量缩短其长度的倾向, 从而使位错产生线张力。 其作用是使位错变直—降低位错能量 • 相当于 物质弹性—称之为位错的弹性性质 • 类似于液体 为降低表面能产生的表面张力。
• F-R源的开动条件:
推动力(外力)> 位错运动点阵摩擦力和障 碍物阻力
当外力作用在两端不能自由运动的位错上 时,位错将发生弯曲。
Dislocation Loop: Frank ed
m
Left & right screw intersects at m => cancellation 螺位错相消
全位错与不全位错(1)实际晶体中的 位错类型
简单立方:b≡点阵矢量—只有全位错
实际晶体:b > = <点阵矢量 b=点阵矢量整数倍— 全位错 其中b=点阵矢量——单位位错 b≠点阵矢量整数倍——不全位错 其中b <点阵矢量——部分位错
位错反应
— 位错的合并与分解
• 几何条件:反应前后柏氏矢量和相等(方向、大 小);
高二物理竞赛位错课件
3. 位错的产生与增殖 (1) 位错的产生 v在晶体生长过程中,由籽晶引入位错 v 由晶体中的热应力而引起的位错 v晶体中杂质的不均匀偏析,使局部晶格发生畸变 v高温下生长的晶体,在降温过程中,空位的凝聚 v晶体机械加工时,晶体局部受机械应力的作用
(2) 位错密度
定义:位错密度
L r
V
二、 运动方程及其解
二、 运动方程及其解
1. 运动方程
h2 2m
2
V0 y
Ey
V0: 电子在势阱底部所具有的势能,取V0 =0。
令
k2
2mE h2
有
2y k2y 0
方程的解:
ik r
y k r Ae
A :归一化因子,由归一化条件确定。
(V
y*y
)k
k
dt
1
A
V: 金属的体积
yk r
exp ik r k:电子波矢
电子的能量: E k
A :归一化因子, 由归一化条件确定。
在SiC单晶中所观察到
ℓ
2y k2y 0
二、 运动方程及其解
v用高分辨电子显微镜可照出晶体中原子的排列情况
S
在Si单晶中所观察到的
r
L V
Nl Sl
N S
方程的解: y k r Aeik r
V0: 电子在势阱底部所具有的势能,取V0 =0。 金属中原胞的总数: N= N1 N2 N3
v缀饰法:如将Na在高温下扩散到NaCl晶体中,Na 原子就会沿位错线聚集而 显出颜色
vX射线形貌照相可直接照出晶体薄片中的位错线
v用高分辨电子显微镜可照出晶体中原子的排列情况
v高温下生长的晶体,在降温过程中,空位的凝聚
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
结果变成 其中*表示孪生面,虚线表示错排中心位置。这种堆垛发生两处 不符合面心立方的堆垛顺序,即构成四个原子层的密排六方结构 不符合面心立方的堆垛顺序,即构成四个原子层的密排六方结构 (其中两边最外层面是和原来面心立方结构共格的)或者构成两 (其中两边最外层面是和原来面心立方结构共格的)或者构成两 个孪生面。 个孪生面。 这类层错的层错矢量是<112>/6 ,这类层错称内禀。因为这种层错 这类层错称内禀。因为这种层错 是由滑移形成,有时亦称滑移层错。
ε '12 = α
0 1 2 0 α 0 0 0 0 0
对晶体参考坐标系x,它与x′坐标系间的坐标变换(Tij)为:
Tij x1 x2 x3 x′1 ′ x′2 ′ n1 n2 n3 x′3 ′ p1 p2 p3
β1 β2 β3
其中n是滑移面法向单位矢量,β 是滑移方向单位矢量。 是滑移方向单位矢量。
第一层为 A, 第二放在B 位 置,第三层放 在C 位置,第 四层在放回A 位置。{111}面 按…ABCABC …顺序排列, 这就形成面心 立方结构。
(111)面以及其中的一些方向
面心立方(111)面原子排列示意 图 ,并标出一些有用的晶向。
(111) 为了清楚地看清 (111) 面的堆垛,应找一个和 面垂 (111) [112] 面的交线是 直的面, 直的面,例如(110)面。(110)面 和 方向, (111) 所以在(110)面上的一个 方向 就表示一个 面。 [112]
实在晶体结构中的位错
在实在的晶体结构中,位错线可能有哪一些柏氏矢量取决 在实在的晶体结构中,位错线可能有哪一些柏氏矢量取决 于两方面,一方面是位错线本身的能量,位错线能量和b 于两方面,一方面是位错线本身的能量,位错线能量和b2成正比, 因而,位错线的柏氏矢量尽可能取最短的矢量;另一方面看,如果 因而,位错线的柏氏矢量尽可能取最短的矢量;另一方面看,如果 位错的拍氏矢量不是取点阵的平移矢量,使得位错线移动后点阵中 位错的拍氏矢量不是取点阵的平移矢量,使得位错线移动后点阵中 的原子会出现错排,这也使能量增加。所以,在实际的晶体结构中, 的原子会出现错排,这也使能量增加。所以,在实际的晶体结构中, 稳定的位错的柏氏矢量大都是晶体点阵中最短的平移矢量。 柏氏矢量为晶体点阵的单位平移矢量的位错称为全位错。 柏氏矢量为晶体点阵的单位平移矢量的位错称为全位错。 晶体中可以有柏氏矢量不为点阵平移矢量的位错,这类位错称为部 晶体中可以有柏氏矢量不为点阵平移矢量的位错,这类位错称为部 分位错(又称不全位错),部分位错所伴随的错排面,称为堆垛层 分位错(又称不全位错),部分位错所伴随的错排面,称为堆垛层 错,或简称层错。
一层面 相邻的上下两侧各滑 移<112>/6或插出一层面,相应 的层错矢量是<112>/6或<111>/3; 层错为3个原子厚。
层错使晶面产生错排,故使能量增加。单位面积层错所 增加的能量称层错能。对应不同的层错矢量所引起的层错能不同。 只有如上所述的少数层错矢量的层错能比较低才可能存在。 对铝计算的层错能随(111)面上的层错矢量的变化。
在晶体坐标系x下的应变张量为:
ε ij = TilTjk ε 'lk
2 β1n1 α ε ij = β1n2 + β 2 n1 2 β1n3 + β 3 n1
即
β1n2 + β 2 n1 2 β 2 n2 β 2 n3 + β 3 n2
β1n3 + β 3 n1 β 2 n3 + β 3 n2 2 β 3n3
在(111)面上搭配三个滑移方向 [01 1] 、[1 1 0] 和 [1 01] 所构成的三个滑移系,如果这三个滑移
系都滑移相同的滑移量,则对应变的总贡献为 零,它只相当于试样整体转动。这三个滑移系 并非全部独立,只有两个是独立的。 按如下方式放置一坐标系:以滑移面的法线为x′2,滑移方向为 x′1,这个滑移系切变了α角后,在x′坐标系下提供的应变为:
位错反应的Frank能量判据 位错反应的Frank能量判据 若一个柏氏矢量为b 和另一个柏氏矢量为b 若一个柏氏矢量为b2和另一个柏氏矢量为b3的两个位错合成一 个新位错,新位错的柏氏矢量为b 个新位错,新位错的柏氏矢量为b1,从柏氏矢量应遵守的几何条件 看,应该b1=b2+b3;从能量条件看,如果 1 2 2 2 3 2 ,位错是 (b ) > (b ) + (b ) 相互排斥的。相反,若 (b1)2 < (b2 )2 + (b3 )2 ,它们是 相吸引的。的两个位错能结合的条件是 这称Frank判 1 2 2 2 3 2 (b ) < (b ) + (b ) 据。 从几何看,当b 从几何看,当b(1)与b(2)的夹角是锐角时,两个位错是相排斥的; 当b(1)与b(2)的夹角是钝角时,两个位错是相吸的。 的夹角是钝角时,两个位错是相吸的。
若从某一层{111}面开始,以后堆垛的每一个{111}面分别带着后面 面开始,以后堆垛的每一个{111}面分别带着后面 的各层一起切动<112>/6矢量,就构成孪晶,如:
切动后的堆垛顺序是
其中*号位置表示是孪生面, 中线表示错排中心的位置, CAC这几层实际上是密排六方 的排列。
内禀层错( 内禀层错(I型层错) 把晶体相对移动而获得层错的移动矢量称层错矢量。如果 把晶体相对移动而获得层错的移动矢量称层错矢量。如果 (111) 某一层 面相对近邻一层切动a<211>/6(层错矢量为 a<211>/6 ),即C位置切动到A位置,切动后C层以上的晶体各层位置 作如下变化:C→A,A→B,B→C:
现讨论的三个滑移系的滑移面都是(111),它的单位法线矢量n的方 ,它的单位法线矢量n 向余弦都是 3 3,而滑移方向是<110>,所以βi等于 2 2或者为0。把 三个滑移系具体的ni和βi值代入并相加,就获得三个滑移系切动相 同的α后所得的总应变εt:
1 2 0 − 2 − 1 0 0 0 − 1 α α α εt = 0 − 2 − 1 + − 1 0 1 + 1 2 − 1 = 0 2 6 2 6 2 6 1 2 1 − 1 0 0 − 1 0 2
典型结构晶体的滑移系
晶体结构 fcc bcc hcp 稳定的柏氏矢量 <110>/2 <111>/2, <100> <1120>/3, <1120>/3, <0001> 可能的柏氏矢量 <100> <1123>/3 <1123>/3
独立滑移系 每一点的应变可用六个分量表示,但塑性形变保持体积 不变,即ε11+ε22+ε33=0,故只有五个应变分量是独立的。,若有 =0,故只有五个应变分量是独立的。,若有 五个独立的滑移系开动的话,则靠这五个独立滑移系滑移量的调 整可以使任一点获得任意的应变量。 所谓独立的滑移系是指某一滑移系产生的滑移不能用所 讨论的其它滑移系的滑移组合来代替。 讨论的其它滑移系的滑移组合来代替。晶体的滑移系中能互相搭 配成五个独立的滑移系的组合数的多少是衡量晶体塑性大小的一 个因素。 对于面心立方晶体,{111}<110>滑移系含有12种滑移系, 对于面心立方晶体,{111}<110>滑移系含有12种滑移系, 如果在这12种滑移系中任取五个,可选择的方式有: 如果在这12种滑移系中任取五个,可选择的方式有:
<110>/2类型的层错矢量及<112>/6类型层错矢量的层错能最小。 类型层错矢量的层错能最小。 Ag、Au和Cu的层错能分别约为16、55和73×10−3J/m2,这些层错能 16、 73× 是比较低的;Al、Ni的层错能分别约为200、400×10−3J/m2,这些层 Al、 200、400× 错能是比较高的。(晶界能约为800∼1000×10−3J/m2) 800∼1000×
这证明了这三个滑移系并非完全独立。以这三个滑移系为讨论基点, 再在12个滑移系剩余的9个中任取两个组成五个滑移系组,可能的方 式有
C92 = 9! = 36 7! 2!
Байду номын сангаас
按照类似的讨论,最后知道真正能构成5个完全独立的滑移系组 的方式共有 的方式共有384种。面心立方能选择5个完全独立的滑移系的方式 如此之多,说明面心立方晶体具有较高延展性的原因。 体心立方金属,当滑移系为(110)<111>时,按上面对面心立方晶 体讨论相同的方法可知,这类滑移中能构成5个完全独立的滑移系 组也共有384种。当滑移系为{112}<111>时,有648种构成五个完全 独立的滑移系组;如果滑移系可在{110}及{112}面之间搭配,则可能 有21252种(其中有一些是应去掉的)。虽然体心立方可构成的五 个独立滑移系组方式如此多,体心方在低温时仍变脆,这种现象 不能用独立滑移系的多少来解释。 密排六方晶体,它的(0001) <1120 > 滑移系只有3种,并且它们只有 { 两个是独立的。10 1 0} < 1120 > 滑移系也有3组,其中也是只有两个 是独立的。(0001) <1120 >以及 {10 1 0} < 1120 >两种滑移系也只共有4 两种滑移系也只共有4 个独立滑移系,能构成4个独立滑移系的方式共有9种。同时,如 果只有 <1120 >/3型柏氏矢量的位错开动,无论如何也不会在[0001] 方向产生滑移分量,由此可以看出,六方晶体中很难凑成五个独 立的滑移系组,因而六方晶体金属往往是延展性不高的。
汤普逊(Thompson)记号
汤普逊四面体: 汤普逊四面体:其中包含了面心立方各种位错的拍氏矢量和滑移 面 。四面体中的A,B,C,D,α,β,γ和δ点间任何连线所构 。四面体中的A 成的矢量,都是有关面心立方晶体中位错的重要矢量。以A 成的矢量,都是有关面心立方晶体中位错的重要矢量。以A,B, C,D英文字母和α,β,γ、δ希腊字母任意组成的矢量符号称为 英文字母和α 汤普逊符号。 汤普逊符号。