5~14习题解答
第5章 习题解答
第5章 习题与答案5-1 机械波的表达式为y = 0.03cos6π(t + 0.01x ) (SI) ，则［ ］ (A) 其振幅为3 m(B) 其周期为s 31(C) 其波速为10 m/s (D)波沿x 轴正向传播 [答案：B]5-2 一平面简谐波，波速u =5m · s －1. t = 3 s 时波形曲线如题5-2图所示. 则x =0处的振动方程为［ ］(A)y =2×10－2cos(πt /2－π/2) ( S I ) . (B) y =2×10－2cos(πt ＋π ) ( S I ) . (C) y =2×10－2cos(πt /2+π/2) ( S I ) .(D) y =2×10－ 2cos(πt －3π/2) ( S I ) .[答案：A]5-3 如题5-3图所示，两相干波源s 1和s 2相距λ/4(λ为波长), s 1的位相比s 2的位相超前π/2 ,在s 1、s 2的连线上, s 1外侧各点(例如P 点)两波引起的两谐振动的位相差是［ ］(A) 0 . (B) π . (C) π /2 . (D) 3π/2 . [答案：B]5-4 一平面简谐波沿ox 正方向传播，波动表达式为]2)42(2cos[10.0π+-π=x t y (SI)，该波在t = 0.5 s 时刻的波形如题5-5图中的哪一个？ ［ ］[答案：B]5-5 横波以波速u 沿x 轴负方向传播．t 时刻波形曲线如题5-5图所示．则该时刻 ［ ］(A) A 点振动速度大于零 (B) B 点静止不动ux (m)y (10－2m)· · · · · · · 0 51015 20 25 －2题5-2图题5-4图题5-5图-(C) C 点向下运动 (D) D 点振动速度小于零 [答案：D]5-6 一平面简谐波沿x 轴正方向传播，t = 0 时刻的波形如题5-6图所示，则P 处质点的振动在t = 0时刻的旋转矢量图是［ ］[答案：A]5-7 一简谐波沿x 轴正方向传播，t = T /4时的波形曲线如题5-7图所示．若振动以余弦函数表示，且此题各点振动的初相取-π 到π 之间的值，则 ［ ］ (A) O 点的初相为00=φ(B) 1点的初相为π-=211φ(C) 2点的初相为π=2φ (D) 3点的初相为π-=213φ [答案：D]5-8 在驻波中，两个相邻波节间各质点的振动［ ］(A) 振幅相同，相位相同 (B) 振幅不同，相位相同 (C) 振幅相同，相位不同 (D) 振幅不同，相位不同 [答案：B]5-9 一平面简谐波在弹性媒质中传播，在媒质质元从平衡位置运动到最大位移处的过程中：［ ］(A) 它的动能转化为势能. (B) 它的势能转化为动能.(C) 它从相邻的一段质元获得能量其能量逐渐增大. (D) 它把自己的能量传给相邻的一段质元，其能量逐渐减小. [答案：D]ωS A O ′ωSA O ′ωωSAO ′(A)(B)(C)(D)S题5-6图5-10 一横波的波动方程是))(4.0100(2sin 02.0SI x t y -=π，则振幅是__________，波长是__________，频率是__________，波的传播速度是__________。
大学化学第五章和第十二章习题解答
习题5-1 用离子-电子法配平酸性介质中下列反应的离子方程式。
（1）I2 + H2S →I-+S（2）MnO4- +SO32-→Mn2+ +SO42-（3）PbO2 + Cl- →PbCl2 +Cl2（4）Ag + NO3-→Ag+ + NO（5）H2O2 + I-→I2 + H2O解：(1) 1×I2＋2e→2I―+) 1×S2―→S＋2eI2＋S2―→2I―＋S(2) 2×MnO4―＋8H＋＋5e→M n2＋＋4H2O+) 5×SO32―＋H2O →SO42―＋2H＋＋2e2MnO4―＋5SO32―＋6H＋→2M n2＋＋5SO42―＋3H2O(3) 1×PbO2＋4H＋＋2Cl―＋2e→P b C l2＋2H2O+) 1×2Cl―→Cl2＋2ePbO2＋4H＋＋4Cl―→PbCl2＋Cl2＋2H2O(4) 3×Ag →A g＋＋e+) 1×NO3―＋4 H+＋3e→NO ＋2 H2O3 Ag ＋NO3―＋4H＋→3Ag ＋NO ＋2H2O(5) 1×H2O2＋2H＋＋2e →2H2O2+) 1×2I―→I2＋2eH2O2＋2I―＋2H＋→I2＋2H2O5-2 用离子-电子法配平碱性介质中下列反应的离子方程式。
(1)H2O2 + Cr(OH)4→CrO42- + H2O(2)Zn + ClO- + OH-→Zn(OH)42- + Cl-(3)SO32- + Cl2→Cl- + SO42-(4)Br2 + OH-→BrO3- + Br-(5)Br2 + Cr(OH)3 + OH-→CrO42- + Br-解：(1) 1×H2O2＋2H2O＋2e→H2O＋2OH―+) 1×Cr(OH)4＋4OH―→CrO42-＋2H2O＋2eH2O2 + Cr(OH)4＋2OH―→CrO42- + 4H2O(2) 1×Zn + 4OH-→Zn(OH)42- + 2e+) 1×ClO- +H2O + 2e →Cl-+2OH-ClO- + Zn +2OH- +H2O→Zn(OH)42- + Cl-(3) 1×SO32- + 2OH―→SO42-+ H2O+2e+) 1×Cl2 + 2e →2Cl-SO32- + Cl2 +2OH―→2Cl- + SO42-+ H2O(4) 5×Br2 +2e→2Br-+) 1×Br2 + 12OH-→2BrO3- + 6H2O+10eBr2 + 6OH-→BrO3- + Br-+ 3H2O(5) 3×Br2 + 2e →2 Br-+) 2×Cr(OH)3 + 5OH-→CrO42- +4H2O+3e3Br2 + 2Cr(OH)3 + 10OH-→2CrO42- + 6Br-+8H2O5-3 将一未知电极电势的半电池与饱和甘汞电极组成一原电池，后者为负极。
第5章思考题和习题解答
第五章 电气设备的选择5-1 电气设备选择的一般原则是什么?答：电气设备的选择应遵循以下3项原则：(1) 按工作环境及正常工作条件选择电气设备a 根据电气装置所处的位置,使用环境和工作条件,选择电气设备型号；b 按工作电压选择电气设备的额定电压；c 按最大负荷电流选择电气设备和额定电流。
(2) 按短路条件校验电气设备的动稳定和热稳定 (3) 开关电器断流能力校验5-2 高压断路器如何选择？ 答：（1）根据使用环境和安装条件来选择设备的型号。
（2）在正常条件下，按电气设备的额定电压应不低于其所在线路的额定电压选择额定电压，电气设备的额定电流应不小于实际通过它的最大负荷电流选择额定电流。
（3）动稳定校验(3)max shi i ≥ 式中，(3)sh i 为冲击电流有效值，max i 为电气设备的额定峰值电流。
（4）热稳定校验2(3)2th th ima I t I t ∞≥式中，th I 为电气设备在th t 内允许通过的短时耐热电流有效值；th t 为电气设备的短时耐热时间。
（5）开关电器流能力校验对具有分断能力的高压开关设备需校验其分断能力。
设备的额定短路分断电流不小于安装地点最大三相短路电流，即(3).max cs K I I ≥5-3跌落式熔断器如何校验其断流能力?答：跌落式熔断器需校验分断能力上下限值,应使被保护线路的三相短路的冲击电流小于其上限值,而两相短路电流大于其下限值。
5-4电压互感器为什么不校验动稳定，而电流互感器却要校验？答：电压互感器的一、二次侧均有熔断器保护，所以不需要校验短路动稳定和热稳定。
而电流互感器没有。
5-5 电流互感器按哪些条件选择？变比又如何选择？二次绕组的负荷怎样计算？ 答：(1）电流互感器按型号、额定电压、变比、准确度选择。
( 2）电流互感器一次侧额定电流有20，30，40，50，75，100，150，200，400，600，800，1000，1200，1500，2000（A ）等多种规格，二次侧额定电流均为5A ，一般情况下，计量用的电流互感器变比的选择应使其一次额定电流不小于线路中的计算电流。
理论力学(机械工业出版社)第五章点的运动学习题解答
习 题5-1 如图5-13所示，偏心轮半径为R ，绕轴O 转动，转角t ωϕ=（ω为常量），偏心距e OC =，偏心轮带动顶杆AB 沿铅垂直线作往复运动。
试求顶杆的运动方程和速度。
图5-13)(cos )sin(222t e R t e y ωω-+=)(cos 2)2sin()[cos(222t e R t e t e yv ωωωω-+==5-2 梯子的一端A 放在水平地面上，另一端B 靠在竖直的墙上，如图5-14所示。
梯子保持在竖直平面内沿墙滑下。
已知点A 的速度为常值v 0，M 为梯子上的一点，设MA = l ，MB = h 。
试求当梯子与墙的夹角为θ时，试点M 速度和加速度的大小。
图5-14A M x hl hh x +==θsin θcos l y M = 0cos v h l h x h l h h xA M +=+== θθ 得 θθcos )(0h l v +=θθθθθt a n)(c o s )(s i n s i n 00h l lv h l v l l yM +-=+⨯-=-= 0=M xθθθθθ322002020cos )(cos )(sec )(sec )(h l lv h l v h l lv h l lv y M +-=+⨯+-=+-=θ3220cos )(h l lv a M+=5-3 已知杆OA 与铅直线夹角6/πt =ϕ（ 以 rad 计，t 以s 计），小环M 套在杆OA 、CD 上，如图5-15所示。
铰O至水平杆CD 的距离h =400 mm 。
试求t = 1 s 时，小环M 的速度和加速度。
图5-15ϕtan h x M = ϕϕϕ22sec 6π400sec ⨯== h xM ϕϕϕϕϕϕϕs i n s e c 9π200s i n s e c 6π3π400)s i n s e c 2(6π4003233=⨯⨯=⨯⨯= M x当s 1=t 时6π=ϕmm/s 3.2799π800346π400)6π(sec 6π4002==⨯==Mv 223232mm/s 8.168327π80021)32(9π200)6πsin()6π(sec 9π200==⨯⨯=⨯⨯=Ma5-4 点M 以匀速u 在直管OA 内运动，直管OA 又按t ωϕ=规律绕O 转动，如图5-16所示。
信号与系统课后习题答案
习 题 一 第一章习题解答基本练习题1-1 解 (a) 基频 =0f GCD （15,6）=3 Hz 。
因此，公共周期3110==f T s 。
(b) )30cos 10(cos 5.0)20cos()10cos()(t t t t t f ππππ+==基频 =0f GCD （5, 15）=5 Hz 。
因此，公共周期5110==f T s 。
(c) 由于两个分量的频率1ω=10π rad/s 、1ω=20 rad/s 的比值是无理数，因此无法找出公共周期。
所以是非周期的。
(d) 两个分量是同频率的，基频 =0f 1/π Hz 。
因此，公共周期π==01f T s 。
1-2 解 (a) 波形如图1-2(a)所示。
显然是功率信号。
t d t f TP T TT ⎰-∞→=2)(21lim16163611lim 22110=⎥⎦⎤⎢⎣⎡++=⎰⎰⎰∞→t d t d t d T T T W(b) 波形如图1.2(b)所示。
显然是能量信号。
3716112=⨯+⨯=E J (c) 能量信号 1.0101)(lim101025=-===⎰⎰∞∞---∞→T t ttT e dt edt eE J(d) 功率信号，显然有 1=P W1-3 解 周期T=7 ，一个周期的能量为 5624316=⨯+⨯=E J 信号的功率为 8756===T E P W 1-5 解 (a) )(4)2()23(2t tt δδ=+； (b) )5.2(5.0)5.2(5.0)25(5.733-=-=----t e t e t et tδδδ(c) )2(23)2()3sin()2()32sin(πδπδπππδπ+-=++-=++t t t t 题解图1-2(a) 21题解图1-2(b) 21(d) )3()3()(1)2(-=----t e t t et δδε。
1-6 解 (a) 5)3()94()3()4(2-=+-=+-⎰⎰∞∞-∞∞-dt t dt t t δδ(b) 0)4()4(632=+-⎰-dt t t δ(c) 2)]2(2)4(10[)]42(2)4()[6(63632=+++-=+++-⎰⎰--dt t t dt t t t δδδδ(d)3)3(3)(3sin )(1010=⋅=⎰⎰∞-∞-dt t Sa t dt ttt δδ。
机械制造技术基础(第2版)第五章课后习题答案
《机械制造技术基础》部分习题参考解答第五章工艺规程设计5-1 什么是工艺过程？什么是工艺规程？答：工艺过程——零件进行加工的过程叫工艺过程；工艺规程——记录合理工艺过程有关内容的文件叫工艺规程，工艺规程是依据科学理论、总结技术人员的实践经验制定出来的。
5-2 试简述工艺规程的设计原则、设计内容及设计步骤。
5-3 拟定工艺路线需完成哪些工作？5-4试简述粗、精基准的选择原则，为什么同一尺长方向上粗基准通常只允许用一次？答：粗、精基准的选择原则详见教材P212-214。
粗基准通常只允许用一次的原因是：粗基准一般是毛面，第一次作为基准加工的表面，第二次再作基准势必会产生不必要的误差。
5-5加工习题5-5图所示零件，其粗、精基准应如何选择（标有 符号的为加工面，其余为非加工面）？习题5-5图a)、b)、c)所示零件要求内外圆同轴，端面与孔轴线垂直，非加工面与加工面间尽可能保持壁厚均匀；习题5-5图d)所示零件毛坯孔已铸出，要求孔加工余量尽可能均匀。
习题5-5图解：按题目要求，粗、精基准选择如下图所示。
5-6为什么机械加工过程一般都要划分为若干阶段进行？答：机械加工过程一般要划分为粗加工阶段、半精加工阶段、精加工阶段和光整加工阶段。
其目的是保证零件加工质量，有利于及早发现毛坯缺陷并得到及时处理，有利于合理使用机床设备。
5-7 试简述按工序集中原则、工序分散原则组织工艺过程的工艺特征，各用于什么场合？5-8什么是加工余量、工序余量和总余量？答：加工余量——毛坯上留作加工用的材料层；工序余量——上道工序和本工序尺寸的差值；总余量——某一表面毛坯与零件设计尺寸之间的差值。
5-9 试分析影响工序余量的因素，为什么在计算本工序加工余量时必须考虑本工序装夹误差和上工序制造公差的影响？5-10习题5-10图所示尺寸链中（图中A0、B0、C0、D0是封闭环），哪些组成环是增环？那些组成环是减环？习题5-10图解：如图a)，A0是封闭环，A1, A2, A4, A5, A7, A8是增环，其余均为减环。
应用密码学习题答案5
《应用密码学》习题和思考题答案第5章 对称密码体制5－1 画出分组密码算法的原理框图，并解释其基本工作原理。
答：图5-1 分组密码原理框图1210-t 1210-t )分组密码处理的单位是一组明文，即将明文消息编码后的数字序列im m m m ,,,,210 划分成长为L 位的组()0121,,,,L m m m m m -=,各个长为L 的分组分别在密钥()0121,,,,t k k k k k -= （密钥长为t ）的控制下变换成与明文组等长的一组密文输出数字序列()0121,,,,L c c c c c -= 。
L 通常为64或128。
解密过程是加密的逆过程。
5－2 为了保证分组密码算法的安全强度，对分组密码算法的要求有哪些？ 答：（1）分组长度足够大；（2）密钥量足够大；（3）密码变换足够复杂。
5－3 什么是SP 网络？答：SP 网络就是由多重S 变换和P 变换组合成的变换网络，即迭代密码，它是乘积密码的一种，由Shannon 提出。
其基本操作是S 变换（代替）和P 变换（换位），前者称为S 盒，后者被称为P 盒。
S 盒的作用是起到混乱作用，P 盒的作用是起到扩散的作用。
5－4 什么是雪崩效应？答：雪崩效应是指输入（明文或密钥）即使只有很小的变化，也会导致输出发生巨大变化的现象。
即明文的一个比特的变化应该引起密文许多比特的改变。
5－5 什么是Feistel 密码结构？Feistel 密码结构的实现依赖的主要参数有哪些？ 答：1K nK i密文明文图5－6 Feistel密码结构Feistel 密码结构如图5－6所示。
加密算法的输入是长为2w 位的明文和密钥K ，明文被均分为长度为w 位的0L 和0R 两部分。
这两部分经过n 轮迭代后交换位置组合在一起成为密文。
其运算逻辑关系为：1(1,2,,)i i L R i n -==11(,)(1,2,,)i i i i R L F R K i n --=⊕=每轮迭代都有相同的结构。
Java面向对象程序设计_习题解答(耿祥义)
书后习题参考答案习题1 2习题2 3习题3 4习题4 10习题5 11习题6 14习题7 15习题9 16习题12 20习题13 25习题14 27习题15 28习题16 31习题17 39习题11．James Gosling2．（1）使用一个文本编辑器编写源文件。
（2）使用Java编译器（javac.exe）编译Java源程序，得到字节码文件。
命令：javac –d . 文件名称.java（3）使用Java解释器（java.exe）运行Java程序。
命令：java 包名.类名3．Java的源文件是由若干个书写形式互相独立的类、接口、枚举等组成。
应用程序中可以没有public类，若有的话至多可以有一个public类。
4．新建JAVA_HOME系统环境变量，指向安装目录在系统环境变量path中增加内容：%JAVA_HOME%\bin;新建系统环境变量classpath并填入三项：.; %JAVA_HOME%\lib\dt.jar; %JAVA_HOME%\lib\tools.jar5． B6． Java源文件的扩展名是.java。
Java字节码的扩展名是.class。
7． D8．（1）Speak.java（2）生成两个字节码文件，这些字节码文件的名字Speak.class和Xiti8.class（3）java Xiti8（4）执行java Speak的错误提示Exception in thread "main" ng.NoSuchMethodError: main执行java xiti8得到的错误提示Exception in thread "main" ng.NoClassDefFoundError: xiti8 (wrong name: Xiti8)执行java Xiti8.class得到的错误提示Exception in thread "main" ng.NoClassDefFoundError:Xiti8/class执行java Xiti8得到的输出结果I'm glad to meet you9．属于操作题，解答略。
电机学课后习题解答(配王秀和、孙雨萍编)
《电机学》作业题解（适用于王秀和、孙雨萍编《电机学》）1-5 何为铁磁材料为什么铁磁材料的磁导率高答：诸如铁、镍、钴及他们的合金，将这些材料放在磁场后，磁场会显著增强，故而称之为铁磁材料；铁磁材料之所以磁导率高，是因为在这些材料的内部，大量存在着磁畴，这些磁畴的磁极方向通常是杂乱无章的，对外不显示磁性，当把这些材料放入磁场中，内部的小磁畴在外磁场的作用下，磁极方向逐渐被扭转成一致，对外就显示很强的磁性，所以导磁性能强。
1-9 铁心中的磁滞损耗和涡流损耗是如何产生的为何铁心采用硅钢片答：铁心中的磁滞损耗是因为铁心处在交变的磁场中，铁心反复被磁化，铁心中的小磁畴的磁极方向反复扭转，致使磁畴之间不断碰撞，消耗能量变成热能损耗；又因为铁心为导体，处在交变的磁场中，铁中会产生感应电动势，从而产生感应电流，感应电流围绕着磁通做漩涡状流动，从产生损耗，称之为涡流损耗，之所以采用硅钢片是因为一方面因硅钢电阻高，导磁性能好，可降低涡流损耗，另一方面，采用薄片叠成铁心，可将涡流限制在各个叠片中，相当于大大增加了铁心的电阻，从进一步降低了涡流损耗。
1-13 图1-27所示为一铁心，厚度为，铁心的相对磁导率为1000。
问：要产生的磁通，需要多大电流在此电流下，铁心各部分的刺痛密度是多少解：取磁路的平均长度，上下两边的长度和截面积相等算一段，算作磁路段1，左侧为2，右侧为3。
磁路段1长度和截面积：()120.050.20.0250.55m =⨯++=l ，210.050.150.0075m =⨯=A ；41m1710.55 5.83610A wb 10004100.0075π-===⨯⨯⨯⨯l R uA }磁路段2长度和截面积：20.1520.0750.30m =+⨯=l ，220.050.100.005m =⨯=A ；42m2720.30 4.77510A wb 10004100.005π-===⨯⨯⨯⨯l R uA 磁路段1长度和截面积：30.1520.0750.30m =+⨯=l ，230.050.050.0025m =⨯=A ；43m3730.309.54910A wb 10004100.0025π-===⨯⨯⨯⨯l R uA 总磁阻：45m m1m2m3(5.836 4.7759.549)10 2.01610A wb ==++⨯=⨯R R +R +R磁动势：5m 0.003 2.01610604.8A φ==⨯⨯=F R 励磁电流：604.8 1.512A 400===F i N在此电流下，铁心各部分的磁通密度分别为：110.030.4 0.0075φ===B TA-220.030.6 0.05φ===B TA330.031.2 0.0025φ===B TA2-5 变压器做空载和短路试验时，从电源输入的有功功率主要消耗在什么地方在一、二次侧分别做同一试验，测得的输入功率相同吗为什么答：做空载试验时，变压器的二次侧是开路的，所以变压器输入的功率消耗在一次测的电阻和激磁（励磁）支路电阻上，空载时，变压器的一次侧电流仅为额定负载时的百分之几，加之一次侧电阻远远小于激磁电阻，所以输入功率主要消耗在激磁电阻上。
时序逻辑电路习题解答
5-1 分析图所示时序电路的逻辑功能，写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程，画出电路的状态转换图和时序图。
CLKZ图 题 5-1图解：从给定的电路图写出驱动方程为：00121021()n n nn n D Q Q Q D Q D Q ⎧=⎪⎪=⎨⎪=⎪⎩将驱动方程代入D 触发器的特征方程D Qn =+1，得到状态方程为：10012110121()n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q +++⎧=⎪⎪=⎨⎪=⎪⎩由电路图可知，输出方程为2nZ Q =根据状态方程和输出方程，画出的状态转换图如图题解5-1(a ）所示，时序图如图题解5-1(b ）所示。
题解5-1(a ）状态转换图1Q 2/Q ZQ题解5-1(b ）时序图综上分析可知，该电路是一个四进制计数器。
5-2 分析图所示电路的逻辑功能，写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程，画出电路的状态转换图。
A 为输入变量。
YA图 题 5-2图解：首先从电路图写出驱动方程为：()0110101()n n n n nD AQ D A Q Q A Q Q ⎧=⎪⎨==+⎪⎩将上式代入触发器的特征方程后得到状态方程()101110101()n n n n n n nQ AQ Q A Q Q A Q Q ++⎧=⎪⎨==+⎪⎩电路的输出方程为：01n nY AQ Q =根据状态方程和输出方程，画出的状态转换图如图题解5-2所示YA题解5-2 状态转换图综上分析可知该电路的逻辑功能为：当输入为0时，无论电路初态为何，次态均为状态“00”，即均复位；当输入为1时，无论电路初态为何，在若干CLK 的作用下，电路最终回到状态“10”。
5-3 已知同步时序电路如图(a)所示，其输入波形如图 (b)所示。
试写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程，画出电路的状态转换图和时序图，并说明该电路的功能。
X(a) 电路图1234CLK5678X(b)输入波形 图 题 5-3图解：电路的驱动方程、状态方程和输出方程分别为：00101100011011011, ,n n n n n n n n n nJ X K X J XQ K XQ X Q XQ XQ XQ Q XQ XQ XQ Y XQ ++⎧==⎪⎨==⎪⎩⎧=+=⎪⎨⎪=+=+⎩= 根据状态方程和输出方程，可分别做出1110,n n Q Q ++和Y 的卡诺图，如表5-1所示。
物理学14章习题解答
[物理学14章习题解答]14-15光源s1 和s2 在真空中发出的光都是波长为λ的单色光，现将它们分别放于折射率为n1 和n2的介质中，如图14-5所示。
界面上一点p到两光源的距离分别为r1 和r2。
(1)两束光的波长各为多大？(2)两束光到达点p的相位变化各为多大？(3)假如s1 和s2 为相干光源，并且初相位相同，求点p干涉加强和干涉减弱的条件。
图14-5解(1)已知光在真空中的波长为λ，那么它在折射率为n 的介质中的波长λ'可以表示为,所以，在折射率为n1和n2的介质中的波长可分别表示为和.(2)光传播r的距离，所引起的相位的变化为,所以，第一束光到达点p相位的变化为,第二束光到达点p相位的变化为.(3)由于两光源的初相位相同，则两光相遇时的相位差是由光程差决定的，所以，点p干涉加强的条件是, ;点p干涉减弱的条件是, .14-16若用两根细灯丝代替杨氏实验中的两个狭缝，能否观察到干涉条纹？为什么？解观察不到干涉条纹，因为它们不是相干光源。
14-17在杨氏干涉实验中，双缝的间距为0.30 mm，以单色光照射狭缝光源，在离开双缝1.2 m处的光屏上，从中央向两侧数两个第5条暗条纹之间的间隔为22.8 mm。
求所用单色光的波长。
解在双缝干涉实验中，暗条纹满足,第5条暗条纹的级次为4，即，所以,其中。
两个第5条暗条纹的间距为,等于22.8 mm，将此值代入上式，可解出波长为.14-18在杨氏干涉实验中，双缝的间距为0.30 mm，以波长为6.0 102nm的单色光照射狭缝，求在离双缝50 cm远的光屏上，从中央向一侧数第2条与第5条暗条纹之间的距离。
解因为第1条暗条纹对应于，所以第2条暗条纹和第5条暗条纹分别对应于和。
根据双缝干涉的规律，暗条纹的位置应满足.所以，第2条与第5条暗条纹之间的距离为.14-20在空气中垂直入射到折射率为1.40的薄膜上的白光，若使其中的紫光(波长为400 nm)成分被薄膜的两个表面反射而发生干涉相消，问此薄膜厚度的最小值应为多大？解光从第一个表面反射要产生半波损失，但从第二个表面反射无半波损失，所以光程差应表示为,式中e为薄膜的厚度，此厚度应为最小值，干涉级次k最小应取1，因为当时，薄膜的厚度必须取零，上式才能成立。
5习题解答
习 题【5-1】填空题1．电压负反馈可以稳定输出_______，也就是放大电路带负载能力______，相当于输出电阻_______，输出电压在内阻上的电压降就_______，输出电压稳定性______。
理论推导可以证明电压负反馈可以使输出电阻变为_________。
（电压，强，减小，小，强，原来的1/（1+AF ））√2．电流负反馈可以使输出电流稳定，使放大电路接近电流源，因此放大电路的输出电阻________。
理论推导可以证明电流负反馈可以使输出电阻__________倍。
（增加，增加到原来的1+AF 倍）3．交流放大电路放大倍数基本不变的频段为_______。
（中频段）4．负反馈只是对反馈环______的产生的噪声、干扰和温度漂移有效，对环 的无效。
（内，外）5．放大电路无反馈称为_____，放大电路有反馈称为_________。
（开环，闭环）6．F A +1称为________，它反映了反馈对放大电路影响的程度。
可分为下列三种情况 (1) 当 F A +1______1时，f A ＜A ，电压增益下降，相当于负反馈 (2) 当F A +1______1时，f A ＞A，电压增益上升，相当于正反馈&(3)当F A+1______0 时，fA = ∞，相当于自激状态（反馈深度，＞，＜，＝）7. 反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的同一个电极，则为________反馈，此时反馈信号与输入信号是电流相加减的关系。
反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的两个电极，则为_________反馈，此时反馈信号与输入信号是 相加减的关系。
（并联，串联，电压）8. 有一个宽带放大器，上限截止频率等于100MHz ，下限截止频率等于10Hz ，对于100Hz 、50%占空比的矩形脉冲输入，输出的上升时间是 ；顶部降落是 。
（，%）【5-2】试分析图5-2(a)和(b)电路的级间反馈组态。
-+U .U +-C 1R 2R 4R 5C 3R 3R 6C 4C 5R 7R s R 1C 2T 1T 2T 3+V C++++R 2R 4R 3R 1R 5C 2C 3C 1U .oU .i+--++V C T 1T 2V V V V V +⊕⊕⊕(a) (b) 图5-2 题5-2电路图 ⊝|解：(a) 交流电压串联正反馈 (b) 交流电压并联负反馈【5-3】对于图5-3 的电路，回答下列问题：判断图中电路的反馈组态，写出深度负反馈时的电压增益表达式；C CV T 3f图5-3 题5-3电路图解：级间经C f 、R f 构成交流电压串联负反馈。
信息系统安全-习题解答
第二章课后习题3,4,5,14.3、假设使用凯撒密码加密，请找出与下面密文信息相对应的明文。
VSRQJHEREVTXDUHSDQWV答：明文是：spongebobsquarepantr｛最后一位的r应该是s，则明文为spongebob squarepants （海绵宝宝）NO｝4、给出如下密文信息，请找出对应的明文和密钥。
CSYEVIXIVQMREXIH提示：密钥是常规字母表的偏移量。
答：（参考）估计使用的加密方法是简单替换方法进行加密，统计每个相同字母出现的频率，C,H,M,Q,R,S,Y都是出现了1次，E,V,X 都出现了2次，I出现了3次，频率最高，对照课本英文字母的频率统计表可知，E出现的概率最大，所以可以认定可能是用I代替E,取推移四个单位的字母代替明文进行加密，轮换的偏移量为4，即密钥为4.因此将密文的每个字母前移四个位置即可以获得明文为：YOUARETERMINATED （NO）明文是：youareterminated 密钥是：45、假设我们拥有一台计算机，每秒钟能执行2的40次方个密钥测试。
（1）如果密钥的空间大小为2的88次方，那么通过穷举式密钥检索找到密钥，预计需要多长时间（以年为单位）？（2）如果密钥的空间大小为2的112次方，那么通过穷举式密钥检索找到密钥，预计需要多长时间（以年为单位）？（3）如果密钥的空间大小为2的256次方，那么通过穷举式密钥检索找到密钥，预计需要多长时间（以年为单位）？解：（1）. 3600243658.93(年)（2）. 3600243651.50(年)（3）. 3600243653.34(年)14、加密如下消息：we are all together用4行乘4列的双换位密码进行加密，使用的行置换如下：（1，2，3，4）→（2，4，1，3），使用的列置换如下：（1，2，3，4）→（3，1，2，4）解：w e a re a l lt o g et h e r变换行：（1，2，3，4）→（2，4，1，3）e a l lt h e rw e a rt o g e变换列：（1，2，3，4）→（3，1，2，4）l e a le t h ra w e rg t o e密文为:LEALETHRAWERGTOE第三章课后习题1.什么是序列密码和分组密码？答：流密码加密：也称序列密码，它是每次加密(或者解密)一位或者一个字节；分组密码加密：也称为块密码，它是将信息分成一块(组)，每次操作(如加密和解密)是针对一组而言。
通信原理第五章习题解答
习题5-1 设待发送的数字序列为10110010，试分别画出2ASK 、2FSK 、2PSK 和2DPSK 的信号波形。
已知在2ASK 、2PSK 和2DPSK 中载频为码元速率的2倍；在2FSK 中，0码元的载频为码元速率的2倍，1码元的载频为码元速率的3倍。
解：波形略5-2 已知某2ASK 系统的码元传输速率为1200B ，采用的载波信号为A cos(48π⨯102t )，所传送的数字信号序列为101100011：（1）试构成一种2ASK 信号调制器原理框图，并画出2ASK 信号的时间波形； （2）试画出2ASK 信号频谱结构示意图，并计算其带宽。
解：（1）2ASK 信号调制器原理框图如图5.2.1-2，2ASK 信号的时间波形略。
（2）2ASK 信号频谱结构示意图如图5.2.1-5，则其带宽为B 2ASK =2f s ＝2400Hz 。
5-3 若对题5-2中的2ASK 信号采用包络检波方式进行解调，试构成解调器原理图，并画出各点时间波形。
解：2ASK 信号采用包络检波的解调器原理图：cos ωc t(t )(a )图5.2.1-2 2ASK 信号调制原理框图(b )(t )开关电路图5.2.1-5 2ASK 信号的功率谱e各点时间波形：（下图对应各点要换成101100011）5-4 设待发送的二进制信息为1100100010，采用2FSK 方式传输。
发1码时的波形为A cos(2000π t +θ1)，发0码时的波形为A cos(8000π t +θ0)，码元速率为1000B ：（1）试构成一种2FSK 信号调制器原理框图，并画出2FSK 信号的时间波形； （2）试画出2FSK 信号频谱结构示意图，并计算其带宽。
解：（1）2FSK 信号调制器原理框图如下图，时间波形略。
（2）2FSK 信号频谱结构示意图如下图，其带宽221240001000210005000FSK s B f f f Hz =-+=-+⨯=。
大学物理习题与作业答案5-1~~5-14
理想气体状态方程5-1一容器内储有氧气，其压强为1.01⨯105Pa ，温度为270C ，求：（1）气体分子的数密度；（2）氧气的质量密度；（3）氧分子的质量；（4）分子间的平均距离（设分子均匀等距分布）。
解：(1) nkT p =，325235/m 1044.2)27273(1038.11001.1⨯=+⨯⨯⨯==-kT p n (2) R M mT pV mol= ，335mol kg/m 30.1)27273(31.810321001.1=+⨯⨯⨯⨯===∴-RT pM V m ρ (3) n m O 2=ρ ， kg 1033.51044.230.126252-⨯=⨯==∴nm O ρ(4) m 1045.31044.21193253-⨯=⨯==n d 5-2在容积为V 的容器中的气体，其压强为p 1，称得重量为G 1。
然后放掉一部分气体，气体的压强降至p 2，再称得重量为G 2。
问在压强p 3下，气体的质量密度多大？ 解： 设容器的质量为m ，即放气前容器中气体质量为m g G m -=11，放气后容器中气体质量为m gG m -=22。
由理想气体状态方程有RT M m g G RT M m V p mol 1mol 11-==， RT M mg G RT M m V p mol2mol 22-==上面两式相减得V p p G G g M RT )()(1212mol -=-， )(1212m o lp p G G gV RT M --= 当压强为3p 时， 121233mol 3p p G G gV p RT p M V m --⋅===ρ 压强、温度的微观意义5-3将2.0⨯10-2kg 的氢气装在4.0⨯10-3m 2的容器中，压强为3.9⨯105Pa ，则氢分子的平均平动动能为多少？ 解： RT M mpV mol=，mR pV M T mol=∴J 1088.331.8102100.4109.31021038.123232322235323mol -----⨯=⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯===mR pV M k kT t ε 5-4体积33m 10-=V ，压强Pa 105=p 的气体分子平均平动动能的总和为多少？ 解：kT Nt 23=∑ε，其中N 为总分子数。
机械制造基础第五章碳素钢与钢的热处理习题解答
第五章碳素钢与钢的热处理习题解答5-1在平衡条件下，45钢、T8钢、T12钢的硬度、强度、塑性、韧性哪个大、哪个小？变化规律是什么？原因何在？答：平衡条件下，硬度大小为：45钢＜T8钢＜T12钢，强度大小为：45钢＜T12钢＜T8钢，塑性及韧性大小为：45钢＞T8钢＞T12钢。
变化规律为：随着碳含量的增加钢的硬度提高，塑性和韧性则下降，因为随着含量的增加组织中硬而脆的渗碳体的量也在增加；随碳含量增加，强度也会增加，但当碳含量到了0.9%后，强度则会随碳含量的增加而下降，因为碳含量超过0.9%后，钢的平衡组织中出现了脆而硬的网状二次渗碳体，导致了强度的下降。
5-2为什么说碳钢中的锰和硅是有益元素？硫和磷是有害元素？答：锰的脱氧能力较好，能清除钢中的FeO,降低钢的脆性；锰还能与硫形成MnS，以减轻硫的有害作用。
硅的脱氧能力比锰强，在室温下硅能溶人铁素体，提高钢的强度和硬度。
硫在钢中与铁形成化合物FeS FeS与铁则形成低熔点（985C）的共晶体分布在奥氏体晶界上。
当钢材加热到1100〜1200C进行锻压加工时，晶界上的共晶体己熔化，造成钢材在锻压加工过程中开裂，这种现象称为“热脆”。
磷可全部溶于铁素体，产生强烈的固溶强化，使钢的强度、硬度增加，但塑性、韧性显著降低。
这种脆化现象在低温时更为严重，故称为“冷脆”。
磷在结晶时还容易偏析，从而在局部发生冷脆。
5-3 说明Q235A、10、45、65Mn、T8、T12A 各属什么钢？分析其碳含量及性能特点，并分别举一个应用实例。
答：Q235A属于碳素结构钢中的低碳钢；10钢属于优质碳素结构钢中的低碳钢；45钢属于优质碳素结构钢中的中碳钢；65Mn属于优质碳素结构钢中的高碳钢且含锰量较高；T8属于优质碳素工具钢；T12A属于高级优质碳素工具钢。
Q235A的w c =0.14% ~ 0.22%，其强度、塑性等性能在碳素结构钢中居中，工艺性能良好，故应用较为广泛，如用于制造机器中受力不大的螺栓。
电工电子技术基本教程第2版第5章习题解答
电工电子技术基本教程习题解答北京工商大学 计算机与信息工程学院 电工电子基础教研室第5章 集成运算放大器及其应用5-1 负反馈放大电路的开环放大倍数A =2000，反馈电路的反馈系数F =0.007。
求：（1）闭环放大倍数A f =？（2）若A 发生±15%的变化，A f 的相对变化范围为何值？ 解： （1）3133007020*******1..AF A A f =×+=+=（2）%%)(.A dA AF A dA ff 115007020001111±=±××+=⋅+=5-2 图5-11所示反相输入运放电路，若要求OI25u u =，输入电阻，试选配外接电阻R 1、R 2、R F 的阻值。
i 20k r >Ω解：反相输入运放电路r i =R 1，要使，可选 i 20k r >ΩR 1=20~30 k Ω由于O f I 1u Ru R =− 可选ΩΩk ~k )~(R u u R iof 7505003020251=×==按照外接等效电阻R += R –：f 121f f 1///1/R R R R R R R R ⎛⎞==⎜⎟+⎝⎠1 ΩΩk .~.k )~(85282319302025125=+=5-3 如图5-34 所示运算放大器电路，电阻R R 41=。
当输入信号t sin u i ω8=mV 时，试分别计算开关K 断开和闭合时的输出电压u 。
图5-34 题5-3图解：⑴ 开关K 断开时，t sin -u R R Ru i o ω164=+−= mV ⑵ 开关K 闭合时，R u -R u o i 43=，t sin u o ω332−= mV5-4 在图5-35所示的电路中，已知12R R F =，V u i 2−=。
试求输出电压，并说明放大器A1的作用。
ou图5-35题5-4图解：V u R R u R R u i1F o1F o 411=⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛−=⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛−= 运放A1接成电压跟随器，使输入阻抗趋于无限大，以减轻信号源负担。
信号系统(第3版)习题解答
《信号与系统》（第3版）习题解析高等教育目录第1章习题解析 (2)第2章习题解析 (6)第3章习题解析 (16)第4章习题解析 (23)第5章习题解析 (31)第6章习题解析 (41)第7章习题解析 (49)第8章习题解析 (55)第1章习题解析1-1 题1-1图示信号中，哪些是连续信号？哪些是离散信号？哪些是周期信号？哪些是非周期信号？哪些是有始信号？(c) (d)题1-1图解 (a)、(c)、(d)为连续信号；(b)为离散信号；(d)为周期信号；其余为非周期信号；(a)、(b)、(c)为有始（因果）信号。
1-2 给定题1-2图示信号f ( t )，试画出下列信号的波形。
[提示：f ( 2t )表示将f ( t )波形压缩，f (2t )表示将f ( t )波形展宽。
] (a) 2 f ( t - 2 )(b) f ( 2t )(c) f ( 2t ) (d) f ( -t +1 )题1-2图解 以上各函数的波形如图p1-2所示。
图p1-21-3 如图1-3图示，R 、L 、C 元件可以看成以电流为输入，电压为响应的简单线性系统S R 、S L 、S C ，试写出各系统响应电压与激励电流函数关系的表达式。
题1-3图解 各系统响应与输入的关系可分别表示为)()(t i R t u R R ⋅=t t i L t u L L d )(d )(= ⎰∞-=t C C i Ct u ττd )(1)(1-4 如题1-4图示系统由加法器、积分器和放大量为-a 的放大器三个子系统组成，系统属于何种联接形式？试写出该系统的微分方程。
S R S L S C题1-4图解 系统为反馈联接形式。
设加法器的输出为x ( t )，由于)()()()(t y a t f t x -+=且)()(,d )()(t y t x t t x t y '==⎰故有 )()()(t ay t f t y -='即)()()(t f t ay t y =+'1-5 已知某系统的输入f ( t )与输出y ( t )的关系为y ( t ) = | f ( t )|，试判定该系统是否为线性时不变系统？解 设T 为系统的运算子，则可以表示为)()]([)(t f t f T t y ==不失一般性，设f ( t ) = f 1( t ) + f 2( t )，则)()()]([111t y t f t f T ==)()()]([222t y t f t f T ==故有)()()()]([21t y t f t f t f T =+=显然)()()()(2121t f t f t f t f +≠+即不满足可加性，故为非线性时不变系统。
《模拟与数字电子技术基础 蔡惟铮》第5章习题解答a
第5章 集成运算放大器和模拟乘法器线性应用电路习题解答习 题[5-1] 在题图5–1所示的电路中，A 均为理想运算放大器，其中的题图（e ）电路，已知运放的最大输出电压大于U Z ，且电路处于线性放大状态，试写出各电路的输出与输入的关系式。
AR2Ru I +_u O +_（a ） (b)AR 1R 2I1u I2u CARRR /2u I +_u O +_u O +_(c) (d) (e)题图5–1题5-1电路图解：图（a ）：u O =-2u I 图（b ）： 2O I 12R u u R R =⋅+图（c ）：u O =-u I +2u I =u I 图（d ）：I 1I 2O 121()d u u u t C R R =-+⎰ 图（e ）：当u I <0时， 2O Z O 23,R u U u R R =++ 故得2O 3(1)Z R u U R =+[5-2] 在题图5–2所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R 1＝R w =10kΩ、R 2=20kΩ、U I =1V ，设A 为理想运放，其输出电压最大值为±12V ，求：1． 当电位器R w 的滑动端上移到顶部极限位置时，U o =? 2． 当电位器R w 的滑动端处在中间位置时，U o =?3． 电路的输入电阻R i =？题图5–2题5-2电路图解：1.I O1W O W O O112W W W-00-,U U R U R UU R R R R R ''''==='''+2O O1I 12V RU U U R ==-⋅=-2. O O124V U U ==-， 相当反馈比第1项减弱3. R i =R 1=10k Ω[5-3] 在图5.7.2所示电路中，欲使温度每变化1℃，o U 变化10mV ，R f1取值应为多少？为使I 1=273μA ，试确定一组R 1、R 2、R W 的取值。
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作业10.3
µm
µm µm µm
µm
作业10.3
10.4题 10.4题
（a)
： E区 EF − Ei = 0.477eV B区 EF − Ei = −0.358eV ： C区 EF − Ei = 0.298eV ：
10.4题
10.4题
10.4题
10.4题
10.5题 10.5题
10.5题 10.5题
• 例2、 T=300K时，硅pn结的参数如下： ND=1016cm-3,NA=5 ×1016cm-3 Dn=25cm2/s, Dp=10cm2/s, τn0=5×10-7s,τp0=1 ×10-7s. 结的面积为A=10-3cm-2,正偏电压VA=0.625V. 计算 （1）空间电荷区边缘处的少子电子的扩散电流(0.154mA) （2）少子空穴的扩散电流(1.09mA) （3）pn结总电流(1.24mA)
主要存在四 方面的偏差
作业6.10 作业6.10
作业6.10 作业6.10
作业6.11 作业6.11
热平衡 耗尽层 边界 小注入条件成立：
少子在准中性区的分布
作业6.22 作业6.22
（1）p+n突变结，只需考虑n型一侧的扩散 （2）在 Xb<x<xc, τp=0 所以∆pn=0 得边界条件x=xb, ∆pn=0 (3) 在0<x<xb, τp=∞,所以没有复合-产生现象 少子得扩散方程
半导体器件基础
习题解答
作业5.2
说明：内建势的求法
方法1
1 Vbi = [( E i − E F ) p − side + ( E F − Ei ) n − side ] q ( E i − E F ) p − side NA = KT ln ni ND = KTin ni
( E F − Ei ) n − side
• 例5、
方法2
NAND KT Vbi = ln( ) 2 q ni
作业题5.3
( n( x n ) = , N A2 ni2 n( − x p ) = N A1 根据Vbi = n( x n ) kT kT N A1 ]= ln ln[ q n( − x p ) q N A2
作业题11.13
作业题11.15
作业题11.15
作业题11.15
作业题11.15
作业11.17 作业11.17
作业12。2
（1）
作业12。2
作业12。2
作业12.3
作业12.4
作业12.4
14.2
复习内容
一、判断选择题 复习内容：每一章的习题1 二、基本概念解释 pn结的势垒电容和扩散电容， 二极管的存贮延迟时间和反向恢复时间及其物理根源 发射效率，基区输运系数，共基极电流放大系数 基区宽度调制效应和基区穿通 ICBO、ICEO、VCBO、VCEO的物理意义及相互关系
2K ε ND xp = [ S 0 Vbi ] 2 q N A (N A + N D )
1 1 2K S ε 0 N A + N D W = xn + x p = [ ( )Vbi ] 2 q N AND
复习内容
（3）pn结正反向偏置时少子和电流的分布
复习内容
• （4）理想pn结的I-V特性关系式
10.6题 10.6题
（a)
10.6题 10.6题
作业10.7
10.8 题
10.8 题
作业10.9
作业10.9
10.10题 10.10题
10.10题 10.10题
10.11题 10.11题
10.11题 10.11题
作业题11.2
作业题11.2
作业题11.7
作业题11.8
I Ep I EP γ= = IE I Ep + I En
αT =
I Cp I Ep
α dc =
I Cp IE
I CP I Ep = • = αT γ I Ep I E
复习内容
（3）三极管的四种偏置模式下VEB和VCB的极性 • • • • • 偏置模式 放大 饱和 截止 倒置 E-B极性 极性 正偏 正偏 反偏 反偏 C-B极性 极性 反偏 正偏 反偏 正偏
边界条件
• 通解：
作业6.23 作业6.23
根据6.22题的分析，少子和电流得分布
耗 尽 层
• 在w<x<xb区，
因为在xb<x<xc区，τp不为0，所以
但是 成立
令
因为Lp<<xc-xb ,宽基区成立，
• 少子分布函数和扩散电流在x=xb处连续
作业8.2 作业8.2
ni2 p= ND
d∆p n i = − AJ P ( x n ) = −qADP dx
作业5.4 作业5.4
(e)
5.8
作业5.10 作业5.10
（a）把它看作两个结，第一个为p-n结，第二个“同型掺杂”的n-
n结。分别求出每个结的内建势，在相加。
第一个pn结 第二个nn结
KT N A N D Vbi1 = ln q 2ni2 1 Vbi 2 = [( EF − Ei ) n 2− side − ( EF − Ei ) n1− side q 1 ND ND = ( KT ln − KT ln ) q ni 2ni = KT ln 2 q KT N A N D = ln q ni2
总的内建势
Vbi = Vbi1 + Vbi 2
作业5.10 作业5.10
（b)
作业5.10 作业5.10
作业5.10 作业5.10
ε（ − x p ) = 0 ε ( xn ) = 0 ε (0) p = ε (0) n 或ε（x0 ) n1 = ε ( x0 ) n 2
(b)
(c)
作业6-2题
复习内容
三 计算综合题 1. 二极管 （1）pn结势垒区电荷、电场、电势的分布 （2）pn结的势垒高度和势垒宽度
KT N A N D Vbi = ln q ni2 xn = [ 2K S ε 0 NA Vbi ] q N D (N A + N D )
1 2
重掺杂p+n结和 重掺杂 结和 n+p结 结
I = qA（ Dn n p 0 Ln + D p pn 0 LP ）e (
qV A KT
− 1)
（5）pn结定律
qV A pn = n e KT
2 i
复习内容
• （6）pn结的瞬态响应
IF t s = τ p ln[1 + ] IR
复习内容
2. 三极管
（1）三极管的基本工作原理 （2）发射区的发射效率、基区传输系数和三极管的放大系 数的定义及其与材料参数和结构参数的关系
• 例3 设计一个满足击穿电压要求的理想单边p+n 结二极管 考虑T=300K时的硅pn结二极 管,ND=3×1018cm-3,VBR=100V,求NB=？
例4 考虑一个单边p+n硅二极管，IF=1.75mA.当 其被转换到反偏状态后，有效的反偏电压 为VR=2V,有效串联电阻为RR=4KΩ。少子 空穴的寿命为10-7s.求存储时间ts.
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（4）三极管的E、B、C各区的少子分布公式及应用 E区 区 C区 区 薄基区
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（5）四种偏置模式下少子分布图
复习内容
（6）三极管的输入输出特性方程：埃伯斯-莫尔方程
• 例1、考虑T=300K时的硅pn结，ni=1.5×1010cm-3,n 型掺杂浓度为ND=1016cm-3,正偏电压V=0.60V，计 算空间耗尽区边缘的少子空穴的浓度 • （答案 2.59 ×1014cm-3)
方法二
(c)
(d) 在X<0的结的一侧，空穴扩散到x>0的一侧， 剩下受主杂质NA1，NA1〉〉n和p，所以满足 耗尽层近似。 在X>0的结的一侧靠近x=0处，p>NA2, 不满足 耗尽层近似。 (e) 根据上边的分析，x<0的一侧可以用耗尽层近 似求解，x>0的一侧不能用耗尽层近似。
作业5.4 作业5.4
x = xn
所以i<0
作业8.5 作业8.5
IF KT −t / τ υ A (t ) = ln[1 + (1 − e p ) q I0
10.2题 10.2题
作业10.3
作业10.3 根据掺杂浓 度的不同， 可以判断E-B 结的耗尽层 几乎全部落 在B区，C-B 结的耗尽层 大部分在C区
(b)