氧化锡的制备工艺

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二氧化锡的制备及研究样本

二氧化锡的制备及研究样本
又名氧化锡, 式量150.7。白色, 四方、 六方或正交晶体, 密度为6.95克/厘米3, 熔点1630℃, 于1800~1900℃升华。难溶于水、 醇、 稀酸和碱液。缓溶于热浓强碱溶液并分解, 与强碱共熔可生成锡酸盐。能溶于浓 硫酸或浓盐酸。用于制锡盐、催化剂、 媒染剂, 配制涂料, 玻璃、 搪瓷工业用作抛光剂。锡在空气中灼烧或将Sn(OH)4加热分解可制得。
分子式(Formula): SnO2
分子量(Molecular Weight): 150.69
CAS No.: 18282-10-5
以上是二氧化锡的主要参数。中国生产二氧化锡已有较长历史,但均采用传统的硝酸法生产工艺。即将锡溶于硝酸,生成偏锡酸,经多次水洗、 干燥、 煅烧、 粉碎,得到黄色的二氧化锡,该法硝酸消耗大,环境污染严重,锡消耗高,产品纯度低,色泽达不到高档用品要求。因此,尽管中国是锡出口国,却要高价进口二氧化锡。
二氧化锡的制备及研究
一、二氧化锡
二氧化锡别名氧化锡, 化学式SnO₂。主要用途: 本产品用作电子元器件生产、 搪瓷色料、锡盐造、大理石及玻璃的磨光剂;制造不透明玻璃、 防冻玻璃和高强度玻璃等, 还可用于对有害气体的监测。
1基本内容
二氧化锡 tin oxide ; stannic oxide:stannic anhydride;
制备
1.天然产的是锡石.可由锡在空气中灼烧而制得.锡在空气中灼烧或将Sn(OH)4加热分解可制得。
2.金属锡硝酸氧化法:将洗刷净的锡锭熔化,然后用铁勺缓缓倒入冷水中爆成锡花。再将锡花缓缓加到稀释至20°Bé的硝酸中进行反应,待作用至无氧化氮逸出,同时没有锡剩余,反应液经澄清,将上部清液吸出重复使用,生成的β-锡酸用沸水漂洗,再用去离子水洗涤至铁及重金属分析合格,经脱水在120℃烘干,在1250℃煅烧,粉碎,过筛制得二氧化锡。

固相反应制备纳米氧化锡

固相反应制备纳米氧化锡

基金项目:广西教育厅科研项目资助(桂教科研字2002第316号),广西大学博士启动基金(2001年)作者简介:宋宝玲(1967-),女,广西宾阳人,广西大学讲师,廖森为通讯联系人收稿日期:2003201215固相反应制备纳米氧化锡宋宝玲,廖 森,姜求宇,陈 佳(广西大学化学化工学院,广西,南宁,530004) 摘 要:用室温固相化学反应法制备了氧化锡纳米晶体。

在室温下让含一定量表面活性R 的碳酸氢铵粉末与五水氯化锡粉末按一定的摩尔比混合研磨,得到含有氧化锡前驱体以及可溶性无机盐的混合物。

用水洗去混合物中的可溶性无机盐并干燥后,得到纯的前驱体。

前驱体经高温热裂解得到氧化锡纳米晶体。

经XRD 表征,可知氧化锡为4.2nm 左右的纳米晶体。

关键词:纳米氧化锡;固相反应;均匀设计 中图分类号:TQ 134.32 文献标识码:A 文章编号:167129905(2003)022******* SnO 2由于具有特异的光电性能和气敏特性,被广泛地应用于气敏元件、半导体元件、电极材料及太阳能电池的光学透明薄膜上。

使用均匀的氧化锡纳米粉体不仅可以大大改善材料的物化特性,并且可以改进其制备工艺,提高材料的再生性。

因此,开发氧化锡纳米粒子的制备技术是获得高性能氧化锡基材料的关键[1]。

而SnO 2微粉或超细粉体的制备,报道较多的有低温等离子体法、溅射法、沉淀法、水解法、化学气相沉积法和溶胶——凝胶法等[2]。

近年来发展起来的低热(或室温)固相反应[3],在制备超细粉体材料方面已经得到越来越广泛的应用,这种制备方法具有转化率高、选择性好、工艺简单、能耗低、污染少等优点[4]。

过渡金属的碳酸盐或者碱式碳酸盐易于热裂解并得到相应的纳米氧化物[5],故过渡金属的碳酸盐或者碱式碳酸盐是制备纳米氧化物的优良前驱体。

利用室温固相反应制备碳酸盐或者碱式碳酸盐前驱体,进而制备纳米氧化锡的方法在国内未见相关的报道。

因此本文选用该法,通过让含结晶水的五水氯化锡与含有非离子型表面活性剂R 的碳酸氢铵进行室温固相反应,得到含有前驱体的反应混合物,水洗去混合物中可溶性的无机盐后得纯净的前驱体,前驱体干燥后,经马福炉热裂解得到纳米氧化锡。

二氧化锡的制备及研究

二氧化锡的制备及研究
三、掺杂二氧化锡的应用研究进展
二氧化锡(SnO2)是一种宽禁带n型金属氧化
物半导体材料。SnO2晶体属于四方晶系正方形晶
体,晶体呈双锥状、锥柱状,有时呈针状,为金红
石结构,其晶格常数为a=b=0.4738 nm,c=0.3187
nm[1]。纯SnO2的理论密度为6.95 g/cm3,在常温下
表现为绝缘状态,电阻率很高,电学、光学和气敏
除此以外,随着科技的发展进步,二氧化锡的制备方式也层出不穷。根据二氧化锡的性质特征,通过不断的开发拓展氧化锡的应用,一些新的技术等级氧化锡粉末已经在许多新技术领域得到应用,其中包括:
1银锡触头材料。银氧化锡触头材料是近年发展迅速的新型环保电触头材料,是替代传统银氧化镉触头的理想材料。它具有热稳定性好 、耐电弧侵蚀及抗熔焊性能 。试验 采 用溶胶 凝胶 法制 备纳 米 SnO 粉末 ,通过 掺杂 、化学镀 包覆 等工 艺改 善 SnO 的 导 电性 能及 氧化 物和银 的 浸润性;从而降低银氧化锡触头材料的接触电阻 、改善组织的均匀性 .提高机械加工性能。
3、 电弧气化合成法。电弧气化合成法的生产设备主要有电源设备,井式反应炉和收尘设备。生产过程:将精锡加热到500度呈液态,在井式反应炉中用电弧加热至2000度以上,激烈的电弧气化反应,产生大量的氧化锡蒸汽,经冷却结晶为超细颗粒,用吸尘设备收集,得到含微量锡及少量一氧化锡的混合超微粉末,再在空气中高温灼烧,使之氧化为氧化锡,得到高纯的超微氧化锡粉末。
分子式(Formula): SnO2
分子量(Molecular Weight): 150.69
CAS No.: 18282-10-5
以上是二氧化锡的主要参数。我国生产二氧化锡已有较长历史,但均采用传统的硝酸法生产工艺。即将锡溶于硝酸,生成偏锡酸,经多次水洗、干燥、煅烧、粉碎,得到黄色的二氧化锡,该法硝酸消耗大,环境污染严重,锡消耗高,产品纯度低,色泽达不到高档用品要求。因此,尽管我国是锡出口国,却要高价进口二氧化锡。

关于氧化锡的制备方法

关于氧化锡的制备方法

SnO2体材料的密度为5.67g/cm,通常制备的SnO2薄膜密度大约为体材料密度的80~90%,熔点为1927摄氏度。

SnO2及其掺杂薄膜具有高可见光透过率、高电导率、高稳定性、高硬度和极强的耐腐蚀性等性能。

宽带隙半导体的纳米线具有巨大的纵横比,表现出奇特的电学和光学性能,使其在低压和短波长光电子器件方面具有潜在的应用前景。

与传统SnO2相比,由于SnO2 纳米材料具有量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,因而在光、热、电、声、磁等物理特性以及其他宏观性质方面都会发生显著的变化。

二、纳米氧化锡的制备1.固相法1)高能机械球磨法高能机械球磨法是利用球磨机的转动或振动,对原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌。

2)草酸锡盐热分解法2.液相法1)醇—水溶液法2)溶胶—凝胶法溶胶—凝胶法的基本原理是:金属醇盐或无机盐在有机介质中经水解、缩聚,形成溶胶,溶胶聚合凝胶化得到凝胶,凝胶经过加热或冷冻干燥及焙烧处理,除去其中的有机成分,即可得到纳米尺度的无机材料超细颗粒。

3)微乳液法微乳液法是将两种反应物分别溶于组成完全相同的两份微乳液中;然后这两种反应物在一定条件下通过物质交换彼此发生反应,借助超速离心,使纳米微粒与微乳液分离;再用有机溶剂清洗除去附着在表面的油和表面活性剂;最后在一定温度下干燥处理,即可得到纳米微粒的固体样品。

4)沉淀法沉淀法分直接沉淀法和均匀沉淀法,直接沉淀法是制备超细氧化物广泛采用的一种方法,它是在含有金属离子的溶液中加入沉淀剂后,于一定条件下生成沉淀,除去阴离子,沉淀经热分解。

均匀沉淀法是利用某一反应使溶液中的构晶离子从溶液中缓慢均匀地释放出来。

制得超细氧化物。

5)水热法水热法制备超细微粉的技术始于1982年,它是指在高温、高压下一些氢氧化物在水中的溶解度大于对应氧化物在水中的溶解度,氢氧化物溶入水中同时析出氧化物。

6)微波法7)锡粒氧化法3.气相法1)等离子体法等离子体法是在惰性气氛或反应性气氛下通过直流放电使气体电离产生高温等离子体,使原料熔化和蒸发,蒸气遇到周围的气体被冷却或与之发生反应形成超微粉。

炼锡工艺流程

炼锡工艺流程

炼锡工艺流程
炼锡工艺流程主要包括以下步骤:
1. 矿石破碎:将锡矿石进行破碎,将其粉碎成一定大小的颗粒,以便于后续的焙烧。

2. 焙烧:将锡矿石放入炉中进行高温焙烧,使其中的硫化物分解,生成氧化物。

焙烧温度一般在700℃以上。

3. 还原:将焙烧后的锡矿石与碳一起放入炉中进行还原,使氧化锡还原为金属锡。

还原温度一般在1200℃以上。

4. 精炼:将还原后的锡进行精炼,去除其中的杂质,得到纯净的锡。

此外,炼前处理是为了除去对冶炼有害的硫、砷、锑、铅、铋、铁、钨、铌、钽等杂质,同时达到综合回收各种有用金属的目的。

炼前处理的方法包括精癣焙烧和浸出等作业,根据所含杂质的种类不同,可采用一个或几个作业组成的联合流程。

炼渣用烟化炉挥发方法,这样产出的废渣含锡低,金属回收率高,同时大量减少了铁的循环。

粗锡精炼主要是除去铁、铜、砷、锑、铅、铋和银等杂质,同时综合回收有用金属。

一般分为火法精炼和电解精炼。

以上是炼锡工艺流程的简要介绍,如需了解更多信息,建议咨询专业人士或查阅相关书籍文献。

关于氧化锡的制备方法-推荐下载

关于氧化锡的制备方法-推荐下载

SnO2体材料的密度为5.67g/cm,通常制备的SnO2薄膜密度大约为体材料密度的80~90%,熔点为1927摄氏度。

SnO2及其掺杂薄膜具有高可见光透过率、高电导率、高稳定性、高硬度和极强的耐腐蚀性等性能。

宽带隙半导体的纳米线具有巨大的纵横比,表现出奇特的电学和光学性能,使其在低压和短波长光电子器件方面具有潜在的应用前景。

与传统SnO2相比,由于SnO2 纳米材料具有量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,因而在光、热、电、声、磁等物理特性以及其他宏观性质方面都会发生显著的变化。

二、纳米氧化锡的制备1.固相法1)高能机械球磨法高能机械球磨法是利用球磨机的转动或振动,对原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌。

2)草酸锡盐热分解法2.液相法1)醇—水溶液法2)溶胶—凝胶法溶胶—凝胶法的基本原理是:金属醇盐或无机盐在有机介质中经水解、缩聚,形成溶胶,溶胶聚合凝胶化得到凝胶,凝胶经过加热或冷冻干燥及焙烧处理,除去其中的有机成分,即可得到纳米尺度的无机材料超细颗粒。

3)微乳液法微乳液法是将两种反应物分别溶于组成完全相同的两份微乳液中;然后这两种反应物在一定条件下通过物质交换彼此发生反应,借助超速离心,使纳米微粒与微乳液分离;再用有机溶剂清洗除去附着在表面的油和表面活性剂;最后在一定温度下干燥处理,即可得到纳米微粒的固体样品。

4)沉淀法沉淀法分直接沉淀法和均匀沉淀法,直接沉淀法是制备超细氧化物广泛采用的一种方法,它是在含有金属离子的溶液中加入沉淀剂后,于一定条件下生成沉淀,除去阴离子,沉淀经热分解。

均匀沉淀法是利用某一反应使溶液中的构晶离子从溶液中缓慢均匀地释放出来。

制得超细氧化物。

5)水热法水热法制备超细微粉的技术始于1982年,它是指在高温、高压下一些氢氧化物在水中的溶解度大于对应氧化物在水中的溶解度,氢氧化物溶入水中同时析出氧化物。

6)微波法7)锡粒氧化法3.气相法1)等离子体法等离子体法是在惰性气氛或反应性气氛下通过直流放电使气体电离产生高温等离子体,使原料熔化和蒸发,蒸气遇到周围的气体被冷却或与之发生反应形成超微粉。

关于氧化锡的制备方法

关于氧化锡的制备方法

SnO2体‎材料的密度‎为5.67g/cm,通常制备的‎S n O2薄膜密度大‎约为体材料‎密度的80‎~90%,熔点为19‎27摄氏度‎。

SnO2及‎其掺杂薄膜‎具有高可见‎光透过率、高电导率、高稳定性、高硬度和极‎强的耐腐蚀‎性等性能。

宽带隙半导‎体的纳米线‎具有巨大的‎纵横比,表现出奇特‎的电学和光‎学性能,使其在低压‎和短波长光‎电子器件方‎面具有潜在‎的应用前景‎。

与传统Sn‎O2相比,由于SnO‎2纳米材料具‎有量子尺寸‎效应、小尺寸效应‎、表面效应和‎宏观量子隧‎道效应,因而在光、热、电、声、磁等物理特‎性以及其他‎宏观性质方‎面都会发生‎显著的变化‎。

二、纳米氧化锡‎的制备1.固相法1)高能机械球‎磨法高能机械球‎磨法是利用‎球磨机的转‎动或振动,对原料进行‎强烈的撞击‎、研磨和搅拌‎。

2)草酸锡盐热‎分解法2.液相法1)醇—水溶液法2)溶胶—凝胶法溶胶—凝胶法的基‎本原理是:金属醇盐或‎无机盐在有‎机介质中经‎水解、缩聚,形成溶胶,溶胶聚合凝‎胶化得到凝‎胶,凝胶经过加‎热或冷冻干‎燥及焙烧处‎理,除去其中的‎有机成分,即可得到纳‎米尺度的无‎机材料超细‎颗粒。

3)微乳液法微乳液法是‎将两种反应‎物分别溶于‎组成完全相‎同的两份微‎乳液中;然后这两种‎反应物在一‎定条件下通‎过物质交换‎彼此发生反‎应,借助超速离‎心,使纳米微粒‎与微乳液分‎离;再用有机溶‎剂清洗除去‎附着在表面‎的油和表面‎活性剂;最后在一定‎温度下干燥‎处理,即可得到纳‎米微粒的固‎体样品。

4)沉淀法沉淀法分直‎接沉淀法和‎均匀沉淀法‎,直接沉淀法‎是制备超细‎氧化物广泛‎采用的一种‎方法,它是在含有‎金属离子的‎溶液中加入‎沉淀剂后,于一定条件‎下生成沉淀‎,除去阴离子‎,沉淀经热分‎解。

均匀沉淀法‎是利用某一‎反应使溶液‎中的构晶离‎子从溶液中‎缓慢均匀地‎释放出来。

制得超细氧‎化物。

5)水热法水热法制备‎超细微粉的‎技术始于1‎982年,它是指在高‎温、高压下一些‎氢氧化物在‎水中的溶解‎度大于对应‎氧化物在水‎中的溶解度‎,氢氧化物溶‎入水中同时‎析出氧化物‎。

草酸亚锡沉淀法合成氧化锡

草酸亚锡沉淀法合成氧化锡

草酸亚锡沉淀法合成氧化锡1.引言1.1 概述概述:氧化锡是一种重要的无机化合物,具有广泛的应用前景。

在化学合成中,草酸亚锡沉淀法是一种常用的制备氧化锡的方法。

该方法具有操作简单、成本低廉、产率高等优点,因此备受研究者们的关注。

在本文中,我们将详细介绍草酸亚锡沉淀法合成氧化锡的原理、步骤以及反应条件和参数。

首先,我们将简要介绍草酸亚锡沉淀法的基本原理,该方法是通过将草酸亚锡与一定浓度的酸溶液反应,得到固体沉淀物,进而获得氧化锡。

其次,我们将详细描述合成氧化锡的步骤,包括反应液的配制、反应温度和时间的控制等。

对于草酸亚锡沉淀法合成氧化锡的反应条件和参数,我们将讨论酸溶液浓度、反应温度、反应时间以及草酸亚锡的用量等因素的影响。

这些参数的选择对于实现高效的氧化锡合成至关重要,我们将探讨如何优化这些参数以提高合成氧化锡的产率和纯度。

本文的目的在于全面了解草酸亚锡沉淀法合成氧化锡的原理和步骤,以及探讨其反应条件和参数的影响。

通过对该方法的深入研究,我们希望能够为工业生产中氧化锡的合成提供科学依据,并为进一步改进该方法提供参考。

在结论部分,我们将总结草酸亚锡沉淀法合成氧化锡的优点,并提出可能存在的问题和改进方向。

文章结构部分的内容可以按照以下方式进行编写:1.2 文章结构本文主要包括以下几个部分:首先,引言部分将对本文的主题进行概述,并介绍文章的结构和目的。

其次,正文部分将详细介绍草酸亚锡沉淀法合成氧化锡的原理和步骤。

我们将首先阐述草酸亚锡沉淀法的基本原理,包括反应方程式和化学反应机理。

然后,我们将详细描述合成氧化锡的步骤和操作方法,包括原料的准备、反应条件的控制、反应时间的选择等。

接下来,本文将介绍合成氧化锡的反应条件和参数。

我们将详细讨论反应温度、溶液的酸碱度和浓度、溶液搅拌速度、沉淀时间等对合成氧化锡的影响,以及如何调节和优化这些反应条件和参数,以获得理想的合成效果。

最后,在结论部分,我们将总结草酸亚锡沉淀法合成氧化锡的优点,包括简单、环保、高产率和纯度等。

ald氧化锡折射率温度

ald氧化锡折射率温度

ald氧化锡折射率温度
摘要:
1.引言:介绍氧化锡(SnO2)的特性
2.ald 氧化锡的制备方法
3.氧化锡折射率的影响因素
4.温度对氧化锡折射率的影响
5.结论:总结ald 氧化锡折射率与温度的关系及其应用
正文:
1.引言
氧化锡(SnO2)是一种广泛应用于光学领域的材料,因其具有较高的折射率和良好的透明性。

在众多制备氧化锡的方法中,ald(原子层沉积)技术因其优异的薄膜性能而备受关注。

本文将探讨ald 氧化锡的折射率与温度之间的关系及其应用。

2.ald 氧化锡的制备方法
ald 技术是一种在基板上逐层沉积薄膜的方法,可以实现对薄膜厚度和组成的精确控制。

在制备ald 氧化锡薄膜时,通常采用锡前驱体和氧前驱体进行反应。

通过调控反应条件,可以实现对薄膜性质的调控。

3.氧化锡折射率的影响因素
氧化锡的折射率受多种因素影响,包括薄膜的厚度、晶体结构、氧含量等。

随着薄膜厚度的增加,折射率会逐渐提高。

晶体结构方面,不同的晶体结构对折射率也有影响。

氧含量则是影响折射率的另一个重要因素,适当提高氧
含量可以提高折射率。

4.温度对氧化锡折射率的影响
温度对ald 氧化锡薄膜的折射率具有显著影响。

通常情况下,随着温度的升高,折射率会降低。

这是因为温度升高会导致薄膜中的晶格振动加剧,从而使光在薄膜中的传播速度加快,导致折射率的降低。

5.结论
综上所述,ald 氧化锡薄膜的折射率与温度之间存在一定的关系。

通过调控制备条件和温度,可以实现对薄膜折射率的调控,从而满足不同应用场景的需求。

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SnO2具有更宽的带隙和更高的激子束缚能,SnO2体材料的密度为5.67g/cm,通常制备的SnO2薄膜密度大约为体材料密度的80~90%,熔点为1927摄氏度。

SnO2及其掺杂薄膜具有高可见光透过率、高电导率、高稳定性、高硬度和极强的耐腐蚀性等性能。

宽带隙半导体的纳米线具有巨大的纵横比,表现出奇特的电学和光学性能,使其在低压和短波长光电子器件方面具有潜在的应用前景。

与传统SnO2相比,由于SnO2 纳米材料具有量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,因而在光、热、电、声、磁等物理特性以及其他宏观性质方面都会发生显著的变化。

二、纳米氧化锡的制备
1.固相法
1)高能机械球磨法
高能机械球磨法是利用球磨机的转动或振动,对原料进行强
烈的撞击、研磨和搅拌。

2)草酸锡盐热分解法
2.液相法
1)醇—水溶液法
2)溶胶—凝胶法
溶胶—凝胶法的基本原理是:金属醇盐或无机盐在有机介质
中经水解、缩聚,形成溶胶,溶胶聚合凝胶化得到凝胶,凝胶经
过加热或冷冻干燥及焙烧处理,除去其中的有机成分,即可得
到纳米尺度的无机材料超细颗粒。

3)微乳液法
微乳液法是将两种反应物分别溶于组成完全相同的两份微乳液中;然后这两种反应物在一定条件下通过物质交换彼此发生反应,借助超速离心,使纳米微粒与微乳液分离;再用有机溶剂清洗除去附着在表面的油和表面活性剂;最后在一定温度下干燥处理,即可得到纳米微粒的固体样品。

4)沉淀法
沉淀法分直接沉淀法和均匀沉淀法,直接沉淀法是制备超细氧化物广泛采用的一种方法,它是在含有金属离子的溶液中加入沉淀剂后,于一定条件下生成沉淀,除去阴离子,沉淀经热分解。

均匀沉淀法是利用某一反应使溶液中的构晶离子从溶液中缓慢均匀地释放出来。

制得超细氧化物。

5)水热法
水热法制备超细微粉的技术始于1982年,它是指在高温、高压下一些氢氧化物在水中的溶解度大于对应氧化物在水中的溶解度,氢氧化物溶入水中同时析出氧化物。

6)微波法
7)锡粒氧化法
3.气相法
1)等离子体法
等离子体法是在惰性气氛或反应性气氛下通过直流放电
使气体电离产生高温等离子体,使原料熔化和蒸发,蒸气遇
到周围的气体被冷却或与之发生反应形成超微粉。

2)普通气相法
普通气相法是用普通热源在低压的惰性气体中加热坩埚
内的金属、氧化物、氮化物等,使其蒸发后形成超细微粒。

3)溅射法
溅射法是指在惰性气氛或活性气氛下,在阳极或阴极蒸发
材料间加上几百伏的直流电压,使之产生辉光放电,放电中
的离子撞击阴极的蒸发材料靶上,靶材的原子就会由表面
蒸发出来,蒸发原子被惰性气体冷却凝结或与活性气体反
应形成纳米微粒。

各种制备方法的关键在于控制粒度的大小和获得较窄的粒径分布、保证纳米团簇的稳定存在。

能不能保证纳米粒子的长期稳定性,是进行应用研究的前提,也是用作气敏材料的基本要求。

尝试利用主客体化学方法制备SnO2纳米半导体材料,将会有效的克服其他制备方法所存在的缺陷,并为SnO2的超细化处理提供了一个新思路,同时也将有着重大的理论意义和可观的应用前景。

三、纳米氧化锡的应用
1.制备气敏材料
由于SnO2材料具有非常好的气敏特性,因此研究人员对其在气体传感器方面的应用做了大量的工作,A.Khanna等利用热蒸发法合成了掺杂有CuO的纳米SnO2薄膜,发现其对H2S具有较高的探测灵敏
度和选择性。

Zakrzewska K 利用SnO2纳米带制备的纳米线气敏传感器探测CO2和O2。

FaurinoAM等利用直径为3nm的SnO2纳米棒制备的气敏传感器对乙醇有较高的选择性。

2.纳米锑掺杂二氧化锡
纳米锑掺杂二氧化锡具有良好的导电性、浅色透明性、耐候性、稳定性以及低的红外发射率等,是一种极具发展潜力的新型多功能导电材料. 获得优异光电性能纳米ATO材料的关键是合成粒度分布均匀、单分散性能优良的纳米级微粉。

ATO作为一种独特的填料,兼具高的透明性和导电性,在显示涂层材料、导电抗静电涂料、透明隔热涂料等领域有着广泛的应用。

此外,纳米锑掺杂二氧化锡还被用为催化剂领域以及涂料薄膜等。

3.纤维状SnO2
以丝绸为模板,将丝绸在四氯化锡前驱体溶液中浸渍并结合热处理工艺,成功制备出SnO2纤维,很好地保留了蛋白纤维的原始结构。

微观分析表明,600摄氏度下得到的SnO2纤维直径约为15微米。

根据Scherrer公式,计算其SnO2品粒尺寸约为55nm,与TEM结果一致,晶粒尺寸达到纳米尺度。

4.氧化锡锑透明隔热涂料
以水性聚氨酯为主要成膜物质和纳米氧化锡锑水性浆料制备成用于玻璃的透明隔热涂料。

涂膜隔热性能良好,对可见光区和红外光区的透过率较低,纳米氧化锡锑透明隔热玻璃涂膜比某市售汽车隔热膜及某市售建筑外窗用隔热膜透明隔热性更优良。

5.纳米氧化锡银基电触头材料
银基电触头材料有热稳定性好、耐电弧侵蚀及抗熔焊性能等。

触头的物理、机械性能和机械加工性能有很大程度的改善,掺杂纳米SnO2触头,在导电性能和物理、机械性能方面均优于国标规定的性能和国外先进产品性能,具有良好的应用前景,是目前在接触器、继电器及开关中代替有毒的银/氧化镉的理想材料。

四、个人观点
1.近年来科学工作者开发出了许多制备纳米SnO2的方法,由于
制备工艺的不同,得到的粒子粒径、性能也各不相同。

在目前制备纳米氧化锡的众多方法中,能够得到粒度分布均匀,产品性能稳定的方法较少,这就导致了纳米氧化锡在光电性能方面的不稳定性。

同时制备工艺路线复杂,原料成本高,设备昂贵等缺点也使得工业化生产受到了一定的限制。

寻找设备简单,成本低,产出率高,产物性能稳定的制备方法仍是科学工作者追求的目标。

另一方面,对准一维纳米材料的形成机理进行深入的研究,对于理解一维材料的电子输运性能、光电性能等具有很高的理论价值,在基础科学的研究方面也有着重要的意义。

此外,纳米氧化锡复合材料的开发与应用也将是材料科学工作者的一个重要研究领域。

2.纳米ATO 粉与传统的导电材料相比具有显著的优势,在透明、
导电、抗静电、红外阻隔等领域、有着广阔的应用前景。

但在纳米ATO粉体的光电机理、纳米ATO粉体的应用技术以及纳米ATO粉
体的二次开发等方面有待进一步研究。

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