单晶锗的晶体结构
半导体物理-第1章-半导体中的电子态
金刚石结构的(111) 面层包含了套构的原 子，形成了双原子层 的A层。以双原子层的 形式按ABCABC层排 列
金刚石结构的[100]面的投 影。0和1/2表示面心立方 晶格上的原子，1/4，3/4 表示沿晶体对角线位移1/4 的另一个面心立方晶格上的 原子。
2.每个原子最外层价电子为一个s态电子和三个p态电 子。在与相邻四个原子结合时，四个共用的电子对完全 等价，难以区分出s与p态电子，因而人们提出了“杂 化轨道”的概念：一个s和三个p轨道形成了能量相同 的sp3杂化轨道。之间的夹角均为109°28 ’。
3. 结晶学元胞为立方对 称的晶胞，可看作是两 个面心立方晶胞沿立方 体的空间对角线互相位 移了1/4对角线长度套 构而成。
Ψ(r,t) = Aexp[i2π(k ·r – v t)]
(3)
其中k 为波矢，大小等于波长倒数1/λ ，方
向与波面法线平行，即波的传播方向。得
能量：E = hν
动量：p = hk
（4） （5）
对自由电子，势能为零，故薛定谔方程为：
2
2m0
d 2 (x)
dx2
E (x)
(6)
由于无边界条件限制，故k取值可连续变化。即：与经 典物理（粒子性）得出相同结论。
能带形成的另一种情况
硅、锗外壳层有4个价电子，形成晶体时，产生SP杂化 轨道。原子间可能先进行轨道杂化（形成成键态和反键 态），再分裂成能带。
原子能级
反成键态
成键态
半导体（硅、锗）能带的特点
存在轨道杂化，失去能带与孤立原子能级的对应关系。 杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导 带，下能带称为价带。
《锗单晶和锗单晶片》标准编制说明
（锗单晶和锗单晶片）编制说明（送审稿）（2006年11月）一. 任务来源及计划要求GB/T5238-1995《锗单晶》和《锗单晶片》原来是锗系列产品标准中两个独立的分标准。
为了贯彻落实国家标准化管理委员会全面开展清理标准工作的通知精神，2004-2005年半导体材料标准化技术委员会对64项半导体材料国家标准、24项行业标准和23项国家标准计划项目进行了清理、评价,于2006年根据国家标准化管理委员会批准的半导体材料国家标准清理评价结果,下发了中色标所字[2006]第6号文件,委托南京锗厂有限责任公司负责整合修订《锗单晶》和《锗单晶片》国家标准。
任务下达后, 公司领导非常重视，并成立了标准起草小组，立即投入了工作。
二. 编制过程根据中色标所字[2006]第6号文件要求,我们对原来的《锗单晶》和《锗单晶片》标准进行了整合、整理,编写了《锗单晶和锗单晶片》初稿,在2006年7月湖北宜昌召开的有色金属材料标准落实任务会上，与会代表就《锗单晶和锗单晶片》初稿提出了宝贵意见：1.要求此标准不要将红外锗包括进去，我们采纳了该意见。
2.要求规定ρ<0.8Ω·cm范围的锗单晶的寿命值,我们经过讨论,认为:现在还未碰到这样的用户,如有,可以在本3.4其他中解决。
2006年10月，我们将修改的初稿作为征求意见稿，以传真或电邮的方式发给国内外的有关用户和研究所，要求提出修订意见，共发稿5件，回复2件，均未提出修改意见。
现将标准征求意见稿，提交审定会审定。
三. 主要技术内容的说明1 .关于标准的“技术要素”原标准设立了产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等八条。
修订后的标准，根据GB／T1.1-2000《标准化工作导则第1部分标准的结构和编写规则》和《有色金属冶炼产品国家标准、行业标准编写示例》的要求，技术要素设立了产品分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容等九条，其中新增加了订货单（或合同），使标准的结构更加完整和严密。
半导体材料课件熔体晶体生长 硅、锗单晶生长
≈ θm
1− hr 2 / 2ra
⎜⎛1 ⎝
−
1 2
hra
⎟⎞ ⎠
⎡ exp⎢−
⎢⎣
⎜⎜⎝⎛
2h ra
⎟⎟⎠⎞1/
2
z
⎤ ⎥ ⎥⎦
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
3-2 熔体的晶体生长
晶体中温度梯度沿轴向z和沿径向r的分量为
( ) ∂θ
∂z
≈
−θm
⎜⎜⎝⎛
2h ra
⎟⎟⎠⎞1/
2
1− hr 2 / 2ra
⎝ dZ ⎠L
Runyan对一个硅单晶生长系统进行了估算：
fmax=2.96cm/min。
实际测得 fmax=2.53 cm/min。
理论与实验值大体是相符的。 QF = fAdH~ = QC - QL
③ 生长速度f 一定时，A=（QC-QL）/fdH
QC→大 或 QL →小, A →大 (非稳定生长→建立新 的稳态 )
相对温度θ(r.φ.z)=T(r.φ.z)-T0；
T0：环境温度，T：体系温度。
晶体中热场是圆柱对称，与圆周角
φ无关；θ只是半径r和高度z的函
数，热传导方程为
∂ 2θ
∂r 2
+1 r
∂θ
∂r
+
∂ 2θ
∂z 2
=0
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
l
3-2 熔体的晶体生长
三个边界条件：
l
⑴ 固-液界面上，界面温度为熔点Tm，
3-2 熔体的晶体生长
AK
L
⎜⎛ ⎝
dT dZ
⎟⎞ ⎠L
+
fAd
H~
=
13N_超高纯锗单晶的制备与性能研究
第53卷第3期2024年3月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.53㊀No.3March,202413N 超高纯锗单晶的制备与性能研究顾小英1,赵青松1,牛晓东1,狄聚青1,张家瑛1,肖㊀溢1,罗㊀恺2(1.安徽光智科技有限公司,滁州㊀239000;2.广东先导稀材股份有限公司,清远㊀511517)摘要:13N 超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料㊂本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N 高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N 超高纯锗单晶㊂通过低温霍尔测试㊁位错密度检测㊁深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N 超高纯锗单晶性能进行分析㊂低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515ˑ104cm 2㊃V -1㊃s -1,载流子浓度为1.176ˑ1010cm -3,导电类型为p 型,位错密度为2256cm -2;尾部截面平均迁移率为4.620ˑ104cm 2㊃V -1㊃s -1,载流子浓度为1.007ˑ1010cm -3,导电类型为p 型,位错密度为2589cm -2㊂晶体深能级杂质浓度为1.843ˑ109cm -3㊂以上结果表明该晶体是13N 超高纯锗单晶㊂关键词:锗单晶;探测器;迁移率;载流子浓度;位错密度中图分类号:O78㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2024)03-0497-06Preparation and Properties of 13N Ultra-High Purity Germanium Single CrystalsGU Xiaoying 1,ZHAO Qingsong 1,NIU Xiaodong 1,DI Juqing 1,ZHANG Jiaying 1,XIAO Yi 1,LUO Kai 2(1.Anhui Guangzhi Technology Co.,Ltd.,Chuzhou 239000,China;2.Guangdong Pioneer Thin Materials Co.,Ltd.,Qingyuan 511517,China)Abstract :13N ultra-high purity germanium single crystal is the core material for producing ultra-high purity germanium detectors.This article obtains reduced germanium ingots by reduction method,then purifies them by horizontal zone refining method to obtain 12N high-purity germanium polycrystals,and finally grows 13N ultra-high purity germanium single crystals by Czochralski method.The performance of 13N ultra-high purity germanium single crystal was tested and studied through low-temperature Hall test,dislocation density test,and deep level transient spectroscopy (DLTS)detection.The low-temperature Hall results show that the average mobility of the crystal head cross-section is 4.515ˑ104cm 2㊃V -1㊃s -1,the carrier concentration is 1.176ˑ1010cm -3,and the conductivity is p-type,the dislocation density at the crystal head is 2256cm -2.The average mobility of the tail section is 4.620ˑ104cm 2㊃V -1㊃s -1,the carrier concentration is 1.007ˑ1010cm -3,and the conductivity type is p-type,the dislocation density at the tail of the crystal is 2589cm -2.The concentration of deep level impurities in the crystal is 1.843ˑ109cm -3.The results indicate that the crystal is 13N ultra-high purity germanium single crystal.Key words :germanium single crystal;detector;mobility;carrier concentration;dislocation density㊀㊀收稿日期:2023-10-27㊀㊀基金项目:国家重点研发计划(2021YFC2902805);2022年核能开发科研项目(HNKF202224(28))㊀㊀作者简介:顾小英(1995 ),女,贵州省人㊂E-mail:xiaoying.gu@ ㊀㊀通信作者:狄聚青,博士,正高级工程师㊂E-mail:juqing.di@ 0㊀引㊀㊀言高纯锗探测器在探测射线,尤其是χ㊁γ射线,具有能量分辨率高㊁探测效果好㊁性能稳定等不可比拟的优势[1]㊂在实际应用中,高纯锗探测器的耗尽层电压与净杂质浓度成正比[2-3]㊂若净杂质浓度较高,则探测器的全耗尽电压也较高,而探测器的实际工作电压通常还要高于全耗尽电压㊂过高的电压会造成探测器的漏电流增加,能量分辨率变差㊂若净杂质浓度过低,虽然探测器的全耗尽电压会降低,但是探测器灵敏区的电场强度也会下降,不利于载流子的有效收集[4-7]㊂通常,探测器级p 型超高纯锗单晶净杂质浓度需在498㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷(5~20)ˑ109cm-3,迁移率大于2.5ˑ104cm2㊃V-1㊃s-1,位错密度100~10000cm-2,深能级杂质不大于4.5ˑ109cm-3[8-10]㊂随着我国核电工业的增长和高能物理试验的发展,对高纯锗探测器的需求量日益增大㊂国内研发超高纯锗晶体的主要单位有深圳大学㊁广东先导先进材料股份有限公司㊁云南中科鑫圆晶体材料有限公司等㊂其中,深圳大学制备出直径为20~50mm㊁净杂质浓度小于4.0ˑ1011cm-3㊁位错密度小于5000cm-2的锗单晶[1]㊂广东先导先进材料股份有限公司获得净杂质浓度5ˑ1010cm-3的锗锭[11]㊂云南中科鑫圆晶体材料有限公司获得载流子浓度小于1ˑ1011cm-3㊁电阻率大于2ˑ103Ω㊃cm㊁迁移率大于1ˑ104cm2㊃V-1㊃s-1的超高纯多晶材料[12]㊂目前,国产13N超高纯锗单晶无法满足国内需求,超高纯锗晶体仍然依靠进口㊂本文通过二氧化锗还原㊁水平区熔提纯㊁单晶提拉生长获得锗单晶,并经低温霍尔㊁位错密度㊁深能级瞬态谱等测试,结果表明晶体性能符合13N超高纯锗标准㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀还原、区熔提纯与晶体生长将6N二氧化锗粉放入石墨舟中,再将装有6N二氧化锗粉的石墨舟放入还原炉中,先通氮气将炉内空气置换干净,再通入氢气将炉内氮气置换干净,打开加热开关使炉内温度升至1150ħ,将二氧化锗粉还原成锗锭㊂选用电阻率大于1Ω㊃cm的还原锗锭作为水平区熔的原料,正常情况下还原锗锭电阻率均大于1Ω㊃cm㊂将锗锭进行碱腐蚀㊁清洗㊁脱水㊁吹干,放入镀好碳膜的石英舟中㊂将装有锗锭的石英舟放入水平区熔炉中,先通高纯氮气将炉内空气置换干净,再通入高纯氢气将炉内氮气置换干净,打开加热开关使温度升至980ħ,区熔30~40次,得到12N高纯锗多晶㊂将水平区熔得到载流子浓度小于2ˑ1011cm-3的高纯锗多晶作为单晶生长原料㊂先将高纯锗多晶依次泡在三氯乙烷㊁丙酮㊁甲醇中进行超声清洗10min,去除在切割中产生的有机物以及缝隙中的杂质,再进行酸腐蚀㊁清洗㊁甲醇脱水㊁高纯氮气吹干,然后将原料装入单晶炉内㊂通入高纯氮气将炉内空气置换干净,再通入高纯氢气将炉内氮气置换干净,为了排除水㊁氧等不利因素的影响,在高纯氢气流通氛围下,将温度升至400~500ħ,进行预热2~5h㊂再将温度升到1000ħ进行化料,待锗料完全熔化后,将温度降至940~970ħ,恒温30~60min,确保锗料温度以及纯度均匀分布,有利于后续生长出纯度均匀㊁低位错晶体㊂将籽晶降低至离液面1cm处,对籽晶进行预热30min,降低籽晶与液面温度差,减少籽晶插入液面时温度波动,以及引晶时位错增长㊂将籽晶缓慢插入熔体,根据熔体界面调整功率,待有一定宽度光圈出现后等待10~20min开始引晶,逐渐增大拉速至20~30mm/h,保持此拉速引晶10~30min,控制晶体直径在5~10mm;然后进行缩颈,手动增加拉速,间隔10min均匀增加拉速10~20mm/h,至拉速升至90~150mm/h,控制晶体直径稳定在3~5mm,此条件下排出了大部分位错,使得单晶位错达到500~5000cm-2;而后进行细颈,保持拉速为90~150mm/h,在此高拉速下提拉细颈,此阶段提拉长度为90~150mm㊂为了得到低位错超高纯锗晶体,放肩分两步进行,第一步分两阶段:1)均匀降拉速;2)均匀降温度㊂先控制动能后控制热能,在此条件下均匀放肩,不会产生新的位错㊂第二步先均匀降低晶转和埚转,均匀升高拉速;然后降低频率均匀降温,使得晶体放肩和等径相互衔接,晶体在此条件下会抑制界面的反转过程,防止晶体直径放肩后变细,晶体变得不规则,并防止晶体产生缺陷㊂先进行放肩一,保持拉速为90~150mm/h,在此高拉速下提拉细颈,此阶段提拉长度为90~150mm,控制功率均匀降温,降温频率为120~180W/h,放肩1~2h,晶体直径逐渐长大至50~65mm;再进行放肩二,控制功率均匀降温,降低晶转至3~5r/min,降低埚转至3~5r/min,均匀升高拉速至30~40mm/h;降温频率为80~120W/h,继续放肩1~2h,待晶体直径稳定保持在70~80mm,停止降温㊂最后进行等径,均匀恢复拉速至20~30mm/h,观察晶体直径,手动控制功率,使得晶体直径保持为70~80mm,等径过程4~6h㊂进行收尾,调低埚升至0.3~0.8mm/h,控制功率均匀降温,降温频率为100~200W/h,收尾2~3h,至石英坩埚内熔液完全拉完㊂最后进行降温,关闭晶升㊁埚升,控制功率降温至㊀第3期顾小英等:13N 超高纯锗单晶的制备与性能研究499㊀图1㊀13N 超高纯锗单晶照片Fig.1㊀Photo of 13N ultra-high purity germanium single crystal 室温㊂为了防止温度变化过快使得晶体产生位错,降温分三个阶段:第一阶段300~400W /h,降温1h;第二阶段500~600W /h,降温2h;第三阶段800~1000W /h,降温5~7h,至室温,关闭晶转㊁埚转,完成晶体提拉㊂本文通过原料处理㊁装炉㊁通气㊁预热㊁化料㊁引晶㊁缩颈㊁细颈㊁放肩㊁等径㊁收尾㊁降温,得到13N 超高纯锗单晶CZ15晶体,如图1所示㊂1.2㊀晶体检测预处理用切割机切取10mm ˑ10mm ˑ1.2mm 规格的方片样品用于霍尔检测,经过研磨㊁抛光㊁腐蚀至镜面,腐蚀液为氢氟酸㊁硝酸溶液的混合液,体积比为1ʒ4,腐蚀时间为1~3min,腐蚀温度为室温㊂用镊子在方片四个角压锡粒,然后进行退火热处理,退火氛围为高纯氮气,退火温度为500ħ,退火时间为30min,使电极合金化,可得到良好的欧姆接触㊂由于常温和低温欧姆接触有差异,同一个样品,在常温I-V 曲线是线性,在低温下不一定是线性的,为了确认电极的欧姆接触是否良好,需在常温进行一次I-V 检测,是线性后,再在低温进行一次I-V 检测,也是线性后,方可进行低温霍尔检测㊂用切割机切取5mm 厚的片用于位错密度检测,经过研磨㊁抛光㊁腐蚀至出现均匀亮点,腐蚀液为氢氟酸㊁硝酸㊁硝酸铜溶液的混合液,体积比为2ʒ1ʒ1,腐蚀时间为10min,腐蚀温度为(10ʃ5)ħ㊂用于深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)检测的样品,用切割机切取15mm ˑ15mm ˑ2mm 规格的方片,经过研磨㊁抛光㊁腐蚀至镜面,腐蚀处理与霍尔样片相同㊂p 型晶体的正面溅射圆点锡膜,作为肖特基电极,背面用锡箔连接铜片,进行退火处理,退火氛围为高纯氮气,退火温度为250ħ,时间为30min,作为欧姆电极,此处退火温度需低于300ħ,避免造成Cu 扩散㊂2㊀结果与讨论图2㊀还原锗锭电阻率数据Fig.2㊀Reduced germanium ingot resistivity data 2.1㊀常/低温电阻率检测对还原锗锭进行常温电阻率检测,每隔5cm 检测一个点,正常情况下,整根还原锗锭电阻率均大于1Ω㊃cm,均可投入水平区熔提纯,检测结果如图2所示㊂高纯锗多晶先进行常温电阻率检测,再从电阻率大于50Ω㊃cm 区域的头尾选取大块单晶粒制作成霍尔片进行低温霍尔检测㊂将高纯锗多晶放置在23ħ恒温的房间,直至高纯锗多晶冷却至(23ʃ0.5)ħ,用常温电阻率测试设备进行电阻率检测,电阻率大于50Ω㊃cm 为初步合格段㊂电阻率大于50Ω㊃cm 的产率为70%~80%,检测结果如图3所示㊂对超高纯锗单晶先进行低温电阻率检测,再从载流子浓度小于5ˑ1010cm -3区域的头尾取霍尔片进行低温霍尔检测㊂用金刚笔对照钢尺每隔2cm 做标记,然后用画笔刷蘸取铟镓锡合金,沿着标记处画薄层,使合金不呈现任何形状的液滴状㊂用铜片缠绕在锗单晶晶体放肩和收尾处作为接触电极,将缠绕好的锗单晶晶体放置在杜瓦罐里的V 型支架上㊂向杜瓦罐里充装液氮,直至没过锗单晶,等液面稳定后,合金露出液面1~2cm,可进行低温电阻率检测[11]㊂通过霍尔公式,将低温电阻率转换为载流子浓度:N =1/(ρμq ),其中ρ是测量电阻率,单位为Ω㊃cm,N 是载流子浓度,单位为cm -3,q 是单位电荷量,q =1.602ˑ10-19C,μ是迁移率,单位为cm 2㊃V -1㊃s -1㊂其中,ρ可由检测设备测得,q 为常量,μ可根据以往霍尔检测得到的迁移率值求得平均值,将p 型晶体的μ设置为42000cm 2㊃V -1㊃s -1,低温电阻率设备的迁移率μ可手动更改,可根据不断累积的霍尔检测数据定期更新㊂CZ15晶体低温电阻率检测得到的数据,如图4所示㊂500㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷图3㊀多晶区熔电阻率数据Fig.4㊀Crystal overall carrier concentration data Fig.3㊀Polycrystalline zone refining resistivity data图4㊀晶体整体载流子浓度数据2.2㊀低温霍尔检测对于电阻率大于50Ω㊃cm的高纯锗多晶段,在头尾分别选取大块单晶粒制作成霍尔片,进行低温霍尔检测,直至头尾载流子浓度均小于2ˑ1011cm-3,根据检测结果,合格率为40%~60%,其中一个位置的检测结果,如图5所示㊂通过实验可知,低温电阻率测试晶体表面得到的载流子浓度偏高于低温霍尔检测得到的载流子浓度,所以在载流子浓度小于5ˑ1010cm-3的锗单晶晶体段的头尾分别取霍尔片进行低温霍尔检测,每个截面取2个片,边缘和中间各1片,直至载流子浓度小于2ˑ1010cm-3为止,其中CZ15头部一个位置的检测结果,如图6所示㊂根据低温霍尔检测结果显示:CZ15晶体合格段头部截面平均迁移率为4.515ˑ104cm2㊃V-1㊃s-1,载流子浓度为1.176ˑ1010cm-3;尾部截面平均迁移率为4.620ˑ104cm2㊃V-1㊃s-1,载流子浓度为1.007ˑ1010cm-3㊂此晶段头尾迁移率均>2.5ˑ104cm2㊃V-1㊃s-1,载流子浓度均<2ˑ1010cm-3㊂经过多次实验可知,通过水平区熔得到电阻率大于50Ω㊃cm的多晶区熔的产率为70%~80%,得到载流子浓度小于2ˑ1011cm-3的高纯锗多晶的产率为40%~60%㊂在不掺杂的情况下,通过直拉法生长,得到的超高纯锗晶体前40%~60%为p型,np转化区占10%~20%,后20%~50%为n型,p型载流子浓度小于2ˑ1010cm-3的晶体段有30~80mm㊂图5㊀多晶区熔霍尔数据Fig.5㊀Hall data of polycrystalline zone refining图6㊀单晶提拉霍尔数据Fig.6㊀Hall data of single crystal pullingium㊀第3期顾小英等:13N 超高纯锗单晶的制备与性能研究501㊀2.3㊀位错密度检测晶体位错密度使用金相显微镜进行检测,显微镜下可以看到的晶体缺陷,其中CZ15晶体载流子浓度合格段的尾部CZ15-T 截面中一个点的检测结果,如图7所示㊂由于位错密度分布均匀,可选取单晶片中对角线上的9个测量点,视场为1mm 2,用显微镜检测这9个测量点的缺陷情况㊂每个检测点视场内的腐蚀坑密度(etch pit density,EPD)是所计数的腐蚀坑总数除以面积:n d =n i /S ,式中:S 为视场面积,单位为cm 2;n i 为穿过视场面积S 的腐蚀坑数目㊂平均位错密度N d =1/9ðn d ,将9个测量点在视场1mm 2的EPD 值和N d 标注在位错记录图上㊂且将肉眼观察到的宏观缺陷标记在位错记录图上,如图8所示,从图中可看出,CZ15-T 位错密度为2589cm -2且没有其他缺陷㊂根据位错密度检测结果显示,CZ15晶体载流子浓度合格段的头部CZ15-H 位错密度为2256cm -2,尾部CZ15-T 位错密度为2589cm -2,此晶段头尾位错密度均控制在100~10000cm -2,且没有其他缺陷㊂晶体生长过程中,在其他因素稳定的情况下,可通过控制缩颈直径㊁缩颈长度㊁放肩速度来降低晶体位错密度,一般能控制在100~5000cm -2㊂图7㊀显微镜下的晶体缺陷图片Fig.7㊀Photograph of crystal defects under amicroscope 图8㊀晶体尾位缺陷数据Fig.8㊀Crystal tail defect data 2.4㊀深能级杂质浓度检测深能级杂质在半导体中引入的能级位于禁带中央附近,远离导带底(或价带顶),有以下特点:深能级杂质电离能大,施主能级远离导带底,受主能级远离价带顶,不容易电离,对载流子浓度影响不大;一般会产生多重能级,甚至既产生施主能级也产生受主能级;能起到复合中心作用,使少数载流子寿命降低;深能级杂质电离以后为带电中心,对载流子起散射作用,使载流子迁移率减小,导电性能下降㊂13N 超高纯锗单晶深能级杂质主要是Cu,p 型超高纯锗要求深能级杂质浓度不大于4.5ˑ109cm -3㊂使用深能级瞬态谱仪对高纯锗晶体CZ15载流子浓度和位错密度均合格晶段的头部进行深能级杂质浓度检测,得到DLTS 谱图,如图9所示,对测试结束进行峰值拟合,拟合结果如表1所示㊂从表中可看出在陷阱深度0.042eV 中捕获到的Cu s 浓度为9.40ˑ108cm -3,在陷阱深度0.072eV 中捕获到的Cu-H 浓度为3.17ˑ108cm -3,在陷阱深度0.170eV 中捕获到的Cu-H 浓度为5.22ˑ108cm -3,在陷阱深度0.304eV 中捕获图9㊀13N p 型超高纯锗DLTS 谱图Fig.9㊀13N p-type ultra-high purity germanium DLTS spectrum 到的Cu s 浓度为6.37ˑ107cm -3,没有捕获到Cu-H-Li,通过多次检测可知,不同样品同类陷阱深度会在一定范围内波动㊂经过多次检测发现,载流子浓度和晶体缺陷都会影响样片的充放电,从而影响峰值,所以在进行p 型超高纯锗晶体DLTS 检测前,先进行低温霍尔和位错检测,在载流子浓度小于2ˑ1010cm -3,位错密度为100~10000cm -2的晶段头部取样片,进行DLTS 检测㊂本文生长出的CZ15晶体头部深能级杂质浓度为1.843ˑ109cm -3,符合13N p 型超高纯锗深能级指标要求㊂以上检测显示CZ15晶段符合13N 超高纯锗指标,对晶段进行测量,此晶段长度为45mm,直径为76mm,质量为1095g㊂502㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷表1㊀13N p型超高纯锗DLTS拟合结果Table1㊀Fitting results of13N p-type ultra-high purity germanium DLTSImpurity centerΔE/eV Sigma/cm2N T/cm-3Cu s(1)0.042 3.80ˑ10-179.40ˑ108Cu-H(1)0.072 1.52ˑ10-20 3.17ˑ108Cu-H-Li0.16000Cu-H(2)0.170 1.88ˑ10-15 5.22ˑ108Cu s(2)0.3047.31ˑ10-14 6.37ˑ1073㊀结㊀㊀论本文通过二氧化锗还原㊁水平区熔提纯㊁直拉法生长得到13N超高纯锗单晶,其长度为45mm,直径为76mm,质量为1095g,头部截面平均迁移率为4.515ˑ104cm2㊃V-1㊃s-1,载流子浓度为1.176ˑ1010cm-3,位错密度为2256cm-2,尾部截面平均迁移率为4.620ˑ104cm2㊃V-1㊃s-1,载流子浓度为1.007ˑ1010cm-3,位错密度为2589cm-2,头部深能级杂质浓度为1.843ˑ109cm-3㊂此晶体的迁移率㊁载流子浓度㊁位错密度㊁深能级杂质浓度指标均达到了探测器级的使用标准,尺寸也达到了同轴探测器的使用标准㊂参考文献[1]㊀白尔隽,郑志鹏,高德喜,等.高纯锗探测器的广泛应用和自主研制进展[J].原子核物理评论,2016,33(1):52-56.BAI E J,ZHENG Z P,GAO D X,et al.Extensive application and independent research progress of HPGe detector[J].Nuclear Physics Review,2016,33(1):52-56(in Chinese).[2]㊀郝㊀昕,孙慧斌,赵海歌,等.高纯锗多晶材料区熔速度优化的数值模拟[J].深圳大学学报(理工版),2016,33(3):248-253.HAO X,SUN H B,ZHAO H G,et al.Numerical simulation on optimization of zone melting speed of high-purity germanium polycrystalline materials[J].Journal of Shenzhen University Science and Engineering,2016,33(3):248-253(in Chinese).[3]㊀王国干,姚建亚.对国产高纯锗单晶纯度的估计[J].核电子学与探测技术,1987,7(1):59-61.WANG G G,YAO J Y.Estimation of purity of high-purity germauium crystal made in China[J].Nuclear Electronics&Detection Technology, 1987,7(1):59-61(in Chinese).[4]㊀孙雪瑜.高纯锗单晶质量对核辐射探测器的影响[J].稀有金属,1985,9(3):42-49.SUN X Y.Influence of high purity germanium single crystal quality on nuclear radiation detector[J].Chinese Journal of Rare Metals,1985,9(3):42-49(in Chinese).[5]㊀刘㊀锋,耿博耘,韩焕鹏.辐射探测器用高纯锗单晶技术研究[J].电子工业专用设备,2012,41(5):27-31.LIU F,GENG B Y,HAN H P.Research of ultra-purity germanium single crystal s technology for radiation detector[J].Equipment for Electronic Products Manufacturing,2012,41(5):27-31(in Chinese).[6]㊀白尔雋,姜仪锡,苏荫权,等.超高纯锗多晶材料的制备[J].吉林大学自然科学学报,1988,26(3):89-90.BAI E J,JIANG Y X,SU Y Q,et al.Preparation of ultra-pure germanium polycrystalline material[J].Journal of Jilin University,1988,26(3):89-90(in Chinese).[7]㊀白尔隽.高纯锗多晶材料的制备[J].核技术,1998,21(9):558-561.BAI E J.Preparation of high purity germanium polycrystalline materials[J].Nuclear Techniques,1998,21(9):558-561(in Chinese). [8]㊀IEEE Standard Test Procedures for High-Purity Germanium Crystals for Radiation Detectors:IEEE1160-1993(R2006)[S].Institute ofElectrical and Electronics Engineers.[9]㊀SIMOEN E,CLAUWS P,BROECKX J,et al.Correlation between DLTS-measurements and the performance of high purity germanium detectors[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,1982,29(1):789-792.[10]㊀SIMOEN E,CLAUWS P,HUYLEBROECK G,et al.Correlation between deep-level parameters and energy resolution of p-type high purity Geγ-detectors[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A:Accelerators,Spectrometers,Detectors and Associated Equipment,1986,251(3):519-526.[11]㊀赵青松,牛晓东,黄幸慰,等.区域熔炼提纯超高纯锗[J].广州化工,2019,47(17):88-90.ZHAO Q S,NIU X D,HUANG X W,et al.Purification of high purity germanium by zone refining[J].Guangzhou Chemical Industry,2019,47(17):88-90(in Chinese).[12]㊀李学洋,林作亮,米家蓉,等.超高纯锗多晶材料制备工艺方法研究[J].云南冶金,2020,49(1):56-60.LI X Y,LIN Z L,MI J R,et al.Research on preparation technology of ultra-high purity germanium polycrystalline material[J].Yunnan Metallurgy,2020,49(1):56-60(in Chinese).。
(100)锗单晶片的位错腐蚀研究
(100)锗单晶片的位错腐蚀研究曹佳辉;朱益凡;曾良鹏;席珍强【摘要】In order to research the dislocation of single-crystalline germanium, we researched the effects of various conditions (including the oxidizing agent, concentration of etching solution, time and temperature) in the polishing process of single-crystalline germanium on etching according to the principle of wet etching.It is found that we can polish and show the dislocation of single-crystalline germanium under the following conditions: volume ratio of KMnO4, HF H2SO4 a t 10∶9∶1;temperature 60 °C and etching time 120 min.In order to achieve a nice polishing effect, the wet etching must be combined with contain oxidant and complexing agent.Within the certain range of temperature (30~80 °C), the etching effect first improves and then is inhibited, while the etching effect improves with the increase of hydrofluoric acid.%为研究锗单晶的位错,根据湿法腐蚀的腐蚀原理,通过改变氧化剂、腐蚀液成分比例、腐蚀时间、腐蚀温度,分析锗单晶腐蚀抛光过程中各个条件对于腐蚀的影响.结果显示:锗单晶在高锰酸钾氢氟酸硫酸组成的体积比为10∶9∶1的酸性腐蚀剂中,温度为60 ℃时腐蚀120 min就能达到抛光并显示位错的目的.采用湿法腐蚀必须同时存在氧化剂、络合剂才能达到很好的抛光腐蚀效果,在一定温度范围内(30~80 ℃)升高温度,腐蚀效果先改善后抑制,而腐蚀效果随着氢氟酸的加入量的增加而改善.【期刊名称】《浙江理工大学学报》【年(卷),期】2017(037)005【总页数】5页(P657-661)【关键词】锗单晶;腐蚀;抛光;位错【作者】曹佳辉;朱益凡;曾良鹏;席珍强【作者单位】浙江理工大学材料工程中心,杭州 310018;浙江理工大学材料工程中心,杭州 310018;浙江理工大学材料工程中心,杭州 310018;浙江理工大学材料工程中心,杭州 310018【正文语种】中文【中图分类】TN304.11由于锗单晶各方面性能优异，引起了很多研究者的关注[1-2]。
锗晶体-介绍
锗晶体介绍：锗的物理性质锗的物理性质锗是银白色晶体(粉末状呈暗蓝色)，熔点937.4℃，沸点2830℃，密度5.35g/cm³，莫氏硬度6.0～6.5，室温下，晶态锗性脆，可塑性很小。
锗具有半导体性质，在高纯锗中掺入三价元素(如铟、镓、硼)、得到P型锗半导体；掺入五价元素(如锑、砷、磷)，得到N型锗半导体。
化合价为+2和+4。
第一电离能7.899电子伏特。
锗有着良好的半导体性质，如高电子迁移率和高空穴迁移率等。
晶体结构：晶胞为面心立方晶胞，每个晶胞含有四个金属原子。
据X射线研究证明，锗晶体里的原子排列与金刚石差不多。
结构决定性能，所以锗与金刚石一样硬而且脆。
锗的化学性质锗的化学性质锗化学性质稳定，不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液。
在常温下不与空气或水蒸气作用，但在600～700℃时，与氧气反应能很快生成二氧化锗。
在加热情况下，锗能在氧气、氯气和溴蒸气中燃烧。
锗与盐酸、稀硫酸不起作用，但浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。
在硝酸、王水中，锗易溶解。
碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。
锗易溶于熔融的氢氧化钠或氢氧化钾，生成锗酸钠或锗酸钾。
在过氧化氢、次氯酸钠等氧化剂存在下，锗能溶解在碱性溶液中，生成锗酸盐。
锗的氧化态为＋2和＋4。
锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。
光学级锗晶体(单晶和多晶)是目前红外透射材料中应用最广泛的材料之一。
它具有宽的红外透射波段(可在3~5μm和8~12μm两波段使用),机械强度高,不易潮解,化学性能稳定等特点,因而是制作红外光学透镜和窗口的良好材料,多数用于热像仪和低功率CO2激光器窗口。
但在使用中,仍要求锗晶体的直径要足够大,透过率要高以及折射率均匀性要好,成本要低。
随着科技的不断进步，激光以及红外技术得到了极其迅猛的发展，光学级锗晶体(单晶和多晶)是目前红外透射材料中应用最广泛的材料之一，因其在红外光学中的卓越性能引起了红外光学行业的重视，它具有宽的红外透射波段(可在3~5μm和8~12μm两波段使用),是制作红外光学透镜和窗口的良好材料,多数用于热像仪和低功率CO2激光器窗口。
不同晶体取向单晶锗的力学性能
不同晶体取向单晶锗的力学性能刘宁;杨晓京;刘浩;余证【摘要】为了研究微纳米尺度下单晶锗的力学特性,采用纳米压痕仪对单晶锗(100)(110)和(111)晶面进行了纳米压痕实验,并通过原子力显微镜对材料表面进行了观测.根据单晶锗各晶面的位移-载荷曲线,对单晶锗各晶面的弹性回复率、硬度、弹性模量与压入深度之间的关系进行了分析.结果表明:单晶锗在加载过程中分别经历了弹性变形、塑性变形和脆性变形三个阶段.当压入深度超过500 nm时,加载曲线上有突进点产生;当压入深度超过100 nm时,卸载曲线上有突退点产生.单晶锗的残余压痕形貌表现为凸起状,表明单晶锗具有较低的加工硬化趋势.当压入深度达到100 nm时,单晶锗表现出明显的尺寸效应,且单晶锗(111)晶面具有最低硬度和弹性模量值.表明相对于其他两个晶面,单晶锗(111)晶面具有更好的塑性变形能力.【期刊名称】《宇航材料工艺》【年(卷),期】2019(049)004【总页数】5页(P67-71)【关键词】单晶锗;纳米压痕;塑性变形;尺寸效应【作者】刘宁;杨晓京;刘浩;余证【作者单位】昆明理工大学机电工程学院,昆明650500;昆明理工大学机电工程学院,昆明650500;昆明理工大学机电工程学院,昆明650500;昆明理工大学机电工程学院,昆明650500【正文语种】中文【中图分类】TG115.5+10 引言锗是一种重要的半导体材料，具有红外折射率高、色散率低等特点，被广泛应用于红外光学、核物理探测、光纤通讯、航空航天以及生物医学等重要领域［1］。
而单晶锗是一种典型的硬脆材料，具有韧性低、脆性大以及各向异性的特点，在加工过程中极易发生脆性去除，严重影响单晶锗的表面加工质量［2］。
因此，有必要对单晶锗在微纳米加工条件下的力学性能进行深入的研究。
纳米压痕测试技术又称为深度敏感压痕技术［3］。
近10年来纳米压痕技术在材料微观力学性能测试领域已经得到了广泛的应用。
《单晶结构分析》课件
同步辐射法：利用同步辐射照射晶体，分 析衍射图谱，确定晶体结构
电子显微镜法：利用电子显微镜观察晶体 表面，确定晶体结构
原子力显微镜法：利用原子力显微镜观察 晶体表面，确定晶体结构
03
单晶结构分析的实验技 术
X射线衍射技术
应用：分析晶体结构，确定 晶体的晶系、晶胞参数等
电子信息：单晶结构分析在电子信息领域的应用广泛，但需要解决半导体 器件、集成电路等难题
能源环境：单晶结构分析在能源环境领域的应用前景广阔，但需要解决新 能源材料、环境污染治理等难题
数据分析与模拟计算的挑战与机遇
数据量巨大：需要处理和分析大量数据
计算复杂度高：模拟计算需要大量的计算资源和时间
准确性要求高：模拟结果需要与实际结果高度吻合
原理：利用X射线与晶体相 互作用，产生衍射现象
实验步骤：样品制备、X射 线源选择、衍射数据采集、
数据处理
优点：分辨率高，可分析多 种晶体结构，广泛应用于材
料科学、化学等领域
电子显微镜技术
原理：利用电子束扫描样品表面，通过电子束与样品相互作用产生的信号来获取样品 的形貌和结构信息
特点：分辨率高，可以观察到纳米级别的样品结构
数据分析和模拟计算将共同 推动单晶结构分析的发展和
应用
跨学科合作与交流的加强
单晶结构分析与其他学科的交叉融合 跨学科合作在单晶结构分析中的应用 单晶结构分析在跨学科研究中的作用 加强跨学科合作与交流对单晶结构分析发展的影响
06
单晶结构分析的挑战与 展望
实验技术的局限性
实验条件：需要严格的实验 条件和环境控制
环境科学：单晶结 构分析在环境科学 中的应用，如污染 物检测、环境污染 治理等
锗单晶的维氏硬度
锗单晶的维氏硬度全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：锗单晶是一种非常重要的半导体材料，具有许多优良的物理特性，如高能隙、高电子迁移率和良好的热导性等。
除了这些特性之外，锗单晶的维氏硬度也是其重要的物理性质之一，对其在各种领域的应用起着关键的作用。
维氏硬度是物体抵抗外力压缩的能力的量度，通常通过硬度试验来得到。
在进行硬度试验时，常用的方法有洛氏硬度试验、布氏硬度试验、维氏硬度试验等。
维氏硬度试验是一种通过在物体表面施加一定压力的方法来测试其硬度的试验方法，主要适用于测定金属材料和一些硬度较高的非金属材料的硬度。
锗单晶的维氏硬度通常在6-7之间，具体数值取决于生长方法、晶体结构、晶面取向等因素。
与其他材料相比，锗单晶在维氏硬度方面表现出色。
这主要是因为锗单晶具有较高的键合能力和较小的原子间距，使得其原子结构更加紧密，从而增加了其硬度。
锗单晶的维氏硬度对其在半导体、光电子学、太阳能电池等领域的应用具有重要意义。
在半导体领域，锗单晶的硬度是其用于制作器件时的关键参数之一。
高硬度可以使器件更加稳定和耐用，延长器件的使用寿命。
在光电子学领域，锗单晶的硬度可以影响其在光学元器件中的使用性能，如减小光学元器件表面的微小划痕和损伤，提高光学元器件的传输效率。
在太阳能电池领域，由于锗单晶具有良好的热导性和硬度，可以提高太阳能电池的性能和稳定性。
为了进一步提高锗单晶的维氏硬度，可以采取以下措施：一是采用优良的生长方法和工艺，例如晶体生长技术、晶体清洗技术等，以保证锗单晶的晶质和表面光洁度。
二是对锗单晶进行适当的掺杂和合金化处理，以增强其硬度和强度。
三是优化锗单晶的晶体结构和晶面取向，以提高其硬度和稳定性。
锗单晶的维氏硬度是其重要的物理性质之一，对于其在各种领域的应用具有重要意义。
通过不断提高锗单晶的硬度，可以进一步扩大其在半导体、光电子学、太阳能电池等领域的应用范围，促进科研和产业的发展。
希望在未来的研究中，可以深入探讨锗单晶的维氏硬度和其它物理性质之间的关系，为锗单晶的应用和发展提供更加有力的支撑。
不同晶体取向单晶锗的力学性能
低、脆性大以及各向异性的特点，在加工过程中极易 发生脆性去除，严重影响单晶锗的表面加工质量［２］。 因此，有必要对单晶锗在微纳米加工条件下的力学性 能进行深入的研究。
纳米 压 痕 测 试 技 术 又 称 为 深 度 敏 感 压 痕 技
收稿日期：２０１８－１０－１０ 基金项目：国家自然科学基金项目（５１７６５０２７）；昆明理工大学分析测试基金资助（２０１８Ｍ２０１７２１０３０１６） 第一作者简介：刘宁，１９９４年出生，硕士研究生，主要从事单晶锗微纳米切削特性研究。Ｅ－ｍａｉｌ：３０７５６７３９４＠ｑｑ．ｃｏｍ 通信作者：杨晓京，教授，主要从事微纳米加工研究。Ｅ－ｍａｉｌ：ｘｊｙａｎｇ＠ｖｉｐ．ｓｉｎａ．ｃｏｍ
产生；当压入深度超过 １００ｎｍ时，卸载曲线上有突退点产生。单晶锗的残余压痕形貌表现为凸起状，表明单晶
锗具有较低的加工硬化趋势。当压入深度达到 １００ｎｍ时，单晶锗表现出明显的尺寸效应，且单晶锗（１１１）晶
面具有最低硬度和弹性模量值。表明相对于其他两个晶面，单晶锗（１１１）晶面具有更好的塑性变形能力。
文 摘 为了研究微纳米尺度下单晶锗的力学特性，采用纳米压痕仪对单晶锗（１００）（１１０）和（１１１）晶面
进行了纳米压痕实验，并通过原子力显微镜对材料表面进行了观测。根据单晶压入深度之间的关系进行了分析。结果表明：单晶锗在加载过
程中分别经历了弹性变形、塑性变形和脆性变形三个阶段。当压入深度超过 ５００ｎｍ时，加载曲线上有突进点
关键词 单晶锗，纳米压痕，塑性变形，尺寸效应
中图分类号：ＴＧ１１５．５＋１
ＤＯＩ：１０１２０４４／ｊｉｓｓｎ１００７－２３３０２０１９０４０１３
ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＧｅｒｍａｎｉｕｍ ＷｉｔｈＤｉｆｆｅｒｅｎｔＣｒｙｓｔａｌＯｒｉｅｎｔａｔｉｏｎｓ
锗---简介
锗百科名片锗（旧译作鈤）是一种化学元素，它的化学符号是Ge，它的原子序数是32，是一种灰白色的类金属。
锗的性质与锡类似。
锗最常用在半导体之中，用来制造晶体管。
目录[隐藏]汉字元素概述元素描述元素来源元素用途元素辅助资料对人体的影响[编辑本段]汉字拼音:zhě繁体字:锗部首:钅,部外笔画:8,总笔画:13 ; 繁体部首:金,部外笔画:8,总笔画:16五笔86&98:QFTJ仓颉:XCJKA笔顺编号:3111512132511四角号码:84760UniCode:CJK 统一汉字U+9517基本字义● 锗zhěㄓㄜˇ◎一种金属元素，灰白色结晶，质脆，是重要的半导体材料。
汉英互译◎锗germanium germanium n.[编辑本段]元素概述元素名称：锗元素符号：Ge元素英文名称：Germanium元素类型：金属元素原子体积:(立方厘米/摩尔) 13.6元素在宇宙中的含量:(ppm) 0.2元素在太阳中的含量:(ppm) 0.2元素在海水中的含量:(ppm) 太平洋表面0.00000035地壳中含量：（ppm）1.8相对原子质量：72.61氧化态：Main Ge+2, Ge+4化学键能：(kJ /mol)Ge-H 288Ge-C 237Ge-O 363Ge-F 464Ge-Cl 340Ge-Ge 163原子序数：32质子数：32中子数：41摩尔质量：73所属周期：4所属族数：IVA电子层排布：2-8-18-4晶体结构：晶胞为面心立方晶胞，每个晶胞含有4个金属原子。
晶胞参数：a = 565.75 pmb = 565.75 pmc = 565.75 pmα = 90°β = 90°γ = 90°莫氏硬度：6声音在其中的传播速率：（m/S）5400电离能(kJ/ mol)M - M+ 762.1M+ - M2+ 1537M2+ - M3+ 3302M3+ - M4+ 4410M4+ - M5+ 9020M5+ - M6+ 11900M6+ - M7+ 15000M7+ - M8+ 18200M8+ - M9+ 21800M9+ - M10+ 27000颜色和状态:银白色固体密度：5.35克/立方厘米熔点：938.25℃沸点：2833℃热光系数：dn/dT≈0.0004/K (25~150°C）原子半径：122皮米，Ge4+半径53皮米发现人：文克勒发现年代：1886年发现过程：1886年，德国的文克勒在分析硫银锗矿时，发现了锗的存在；后由硫化锗与氢共热，制出了锗[1]。
半导体基础知识
符号
1
+ W78XX +
2
_
3
_
W79XX
1 2
3
1.6.3 W78XX、W79XX系列 集成稳压器的使用方法
一、 组成输出固定电压的稳压电路
1. W78XX系列
+
1
W78XX
Co
2
+
Uo = 12V
改善负载 的暂态响 应,消除 高频噪声
注意 3 Ui 输入 Ci 电压 极性 抵消输入 长接线的 电感效， 防止自激 Ci : 0.1~1F
IR + +
R UR
IL
IZ RL
2、引起电压不 稳定的原因
UI
电源电压的波动 负载电流的变化
DZ
稳压二极管
+ UL
将微小的电压变化转 换成较大的电流变化
三端稳压器封装及电路符号
封装
塑料封装
金属封装
79LXX
W7805 1 3 2
W7905 1 3 2
78LXX
1
2
3
UI GND UO GND UI UO
空穴
负离子
电子
正离子
一、载流子的浓度差引 N型材料 起多子的扩散扩散使 交界面处形成空间电 荷区（也称耗尽层）
内电场方向
二、空间电荷区特点
基本无无载流子，仅 有不能移动的离子
三、扩散和漂移达到动态平衡
扩散电流= 漂移电流 总电流=0 利于少子的漂移
形成内电场
阻止多子扩散进行
1.2.2 PN结的单向导电性
外界条件决定半导体内部 载流子数量
三、本征半导体： 纯净的半导体
光学级锗晶体生长方法新进展
光学级锗晶体生长方法新进展苏 小 平(北京有色金属研究总院,北京100088)摘 要: 介绍了90年代以来,光学级锗晶体生长方法的新进展。
着重介绍了VGF法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。
简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本。
关键词: 锗晶体 生长方法 进展光学级锗晶体(单晶和多晶)是目前红外透射材料中应用最广泛的材料之一。
它具有宽的红外透射波段(可在3~5 m和8~12 m两波段使用),机械强度高,不易潮解,化学性能稳定等特点,因而是制作红外光学透镜和窗口的良好材料,多数用于热像仪和低功率CO2激光器窗口。
但在使用中,仍要求锗晶体的直径要足够大,透过率要高以及折射率均匀性要好,成本要低。
因此,人们在锗晶体的制造方法上做了大量研究工作,以便以更低的成本获得满足红外光学使用要求的高质量锗晶体。
本文介绍了90年代以来锗晶体制备方法的一些新进展,并就有关锗晶体的性能进行了比较。
1 单晶锗的制备单晶锗是最初用于制造晶体管和二极管的半导体材料。
70年代在其被单晶硅取代之后,锗单晶转向红外光学用途。
水平区熔法是过去生长电子材料用锗单晶的主要方法。
但因其生长的锗单晶截面积小而无法满足红外光学要求而被淘汰。
1 1 直拉法(CZ法)生长锗单晶直拉法是目前生长锗单晶最主要的方法,也是制造集成电路用大直径硅片的主要方法。
该法是在盛有熔体锗的坩埚内,引入籽晶作为非均匀晶核,然后控制温场(径向和纵向温度分布),将籽晶以一定速度旋转,晶体在籽晶下方按照籽晶晶向长大。
图1是典型的CZ法简图。
这种方法的关键是炉内要有一个合理的热场,图1 直拉法示意图使熔体中纵向温度梯度(d T/d Z)L大于0,径向温度梯度(d T/d r)L大于0;晶体中的温度梯度(d T/ d Z)S和(d T/d r)S均大于0,以保证熔体中不发生均匀成核及坩埚边缘不会生成非均匀晶核,只允许坩埚中央的籽晶长大,并保持一个平坦的固液交界面。
6英寸低位错锗单晶生长热场设计
文献标志码:A
文章编号:1000-985X(2021)06-0979-08
Design of Thermal Field for 6-Inch Low Dislocation
Germanium Single Crystal Growth
CHEN Chen, ZHAO Kun, HAN Huanpeng
摘要:锗片作为衬底材料已在空间太阳电池领域得到广泛的应用,新型锗基空间太阳能电池对锗片的需求由 4 英寸
(1 英寸 = 2. 54 cm) 提高到 6 英寸后,低位错锗单晶的生长难度增大。 本文设计开发了一种适用于直拉法生长大尺
寸、低位错锗单晶的双加热器热场系统,模拟研究了不同形状主加热器的热场分布,从而得到最优的热场环境。 研究
长 GaInP / GaAs / Ge 正向晶配结构,其后对背面进行减薄,依次光刻镀上电极、蒸镀下电极、划片、蒸镀减反射膜[3-5] 。
当前,我国新一代多用途飞船正在进行论证和研制,其对电源系统提出了更大功率、更低成本的要求,太阳
电池因此对锗片的需求由 4 英寸(1 英寸 = 2. 54 cm)提高到 6 英寸,以提高电池均匀性和降低电池成本。 6 英寸锗
时,要求径向温度梯度小于 5. 1 ℃ / cm,轴向温度梯度小于 5. 4 ℃ / cm;当位错密度接近 0 时,则温度梯度更
小。 为确保单晶位错尽量低,实际热场设计按照 0 位错水平来进行,即要求径向温度梯度小于0. 4 ℃ / cm,轴பைடு நூலகம்
向温度梯度小于 0. 7 ℃ / cm。
表 1 位错密度和温度梯度关系表
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人 工 晶 体 学 报
研究论文
第 50 卷
垂直梯度凝固法 [8] 及直拉法生长 4 英寸无位错锗单晶。 近年来,国内采用直拉法已能够制备出 6 英寸锗单
锗单晶材料的发展现状
〈综述与评论〉锗单晶材料的发展现状董汝昆，吴绍华，王 柯，尹国良，史娜娜，姚 杨，郭晨宇（云南北方驰宏光电有限公司，云南昆明 650223）摘要：锗因其资源稀缺、优异的光学和物理性能，广泛应用于光纤系统、红外光学系统、电子和太阳能应用、探测器等高科技领域，是战略性产业所需的重要功能材料和结构材料。
简单介绍了目前国内锗单晶生长的两种主要方法：直拉法（Czochralski，CZ）和垂直梯度凝固法（vertical gradient freeze，VGF）。
对国内和国外知名锗材料生产企业的锗单晶生长方法、直径、电阻率等相关技术参数，进行了统计和比较。
针对不同的单晶材料性能，分析了红外光学用锗单晶、太阳能电池用锗单晶和高纯锗单晶的应用领域和发展现状。
关键词：锗；锗单晶；直拉法；垂直梯度凝固法中图分类号：TG146 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2021)05-0510-06Development Status of Germanium Single Crystal MaterialsDONG Rukun，WU Shaohua，WANG Ke，YIN Guoliang，SHI Nana，YAO Yang，GUO Chenyu(Yunnan KIRO-CH Photonics Co.Ltd.,Kunming 650223,China)Abstract: Owing to its scarce resources and excellent optical and physical properties, germanium is widely used in fiber-optic systems, infrared optical systems, electronic and solar energy applications, detectors, and other high-technology fields. It is an important functional and structural material which is needed in strategic industries. Two main methods of single crystal growth in germanium, Czochralski method(CZ)and vertical gradient freeze method(VGF), were briefly introduced. Technical parameters such as the method of germanium crystal growth, diameter and resistivity of germanium in popular germanium material-producing enterprises at home and abroad were analyzed and compared. Based on the properties of different single-crystal materials, the application fields and development status of germanium single crystals for infrared optics, germanium single crystal for solar cells, and high-purity germanium single crystal were analyzed.Key words: germanium, germanium single crystal, Czochralski method, vertical gradient freeze method0 引言锗（Ge）是一种银灰色的脆性金属，在地壳中的含量约为百万分之七。
n型掺杂单晶锗的半高宽范围
n型掺杂单晶锗的半高宽范围作为一名研究半导体材料的科学家，我对n型掺杂单晶锗的半高宽范围进行了深入研究。
n型掺杂是一种将杂质原子引入锗晶体中，使其带负电荷的过程。
而半高宽则是指在半导体器件中，能带变化的范围。
本文将详细介绍n型掺杂单晶锗的半高宽范围，以及该范围对半导体器件性能的影响。
我想向大家介绍一下n型掺杂的基本原理。
在n型掺杂中，我们向锗晶体中引入了杂质原子，这些原子的外层电子数量比锗原子多。
这导致了锗晶体中的自由电子浓度增加，形成了n型半导体。
通过控制杂质原子的掺入浓度，我们可以调节n型锗晶体中的电子浓度。
接下来，让我们来讨论n型掺杂单晶锗的半高宽范围。
在半导体器件中，半高宽是指能带变化的范围。
对于n型掺杂单晶锗，半高宽范围主要受到掺杂浓度和温度的影响。
当掺杂浓度增加时，半高宽范围会相应增大。
这是因为掺杂浓度增加会导致更多的自由电子参与能带的形成，从而增加了能带的宽度。
温度也会对n型掺杂单晶锗的半高宽范围产生影响。
随着温度的升高，原子的振动会增强，导致能带的宽度变大，从而使半高宽范围增大。
然而，当温度超过一定范围时，晶格的振动会越来越剧烈，使得能带的宽度变小，从而导致半高宽范围减小。
了解了n型掺杂单晶锗的半高宽范围后，让我们来看看这个范围对半导体器件性能的影响。
半高宽范围的大小直接关系到器件的速度和效率。
当半高宽范围增大时，器件的速度会变得更快，因为能带的变化范围增大可以容纳更多的电子。
同时，效率也会提高，因为更多的电子参与了器件的工作。
然而，如果半高宽范围太大，也会产生一些负面影响。
例如，在高温环境下，过大的半高宽范围会导致电子的散射增加，从而降低了器件的性能。
因此，我们需要在设计半导体器件时，根据具体的工作环境选择合适的n型掺杂单晶锗的半高宽范围。
n型掺杂单晶锗的半高宽范围是一个重要的参数，影响着半导体器件的性能。
我们需要通过控制掺杂浓度和温度来调节半高宽范围，以获得理想的器件性能。
这对于我们研究和开发高性能半导体器件具有重要意义，也为半导体技术的不断发展提供了新的思路。
实际金属的体结构ppt实用资料
刃型位错示意图
正刃型位错
晶体缺陷
1.单晶体( single crystal )的特征: * 晶体由一个晶格排列方位完全一 致的晶粒组成。 * 晶体具有各向异性( aeolotropy )。 例如:单晶硅、单晶锗等。
单晶体结构示意图
2.多晶体( polycrystal )的特征
例如:单晶硅、单晶锗等。 致的晶粒组成。 单晶体结构示意图
例如: 常用的金属等。 多晶体( polycrystal )的特征
单晶体结构示意图 多晶体( polycrystal )的特征 单晶体( single crystal )的特征: 点缺陷( point defect )
多晶体结构示意图
二. 晶体缺陷( crystal defect )
线缺陷
点缺陷
螺旋型位错示意图
刃型位错示意图
* 晶体具有各向异性( aeolotropy )。 单晶体结构示意图 *晶体是由许多颗晶格排列方位不 刃型位错( blade dislocation ) 例如:单晶硅、单晶锗等。 单晶体( single crystal )的特征: 例如:单晶硅、单晶锗等。 刃型位错( blade dislocation ) 刃型位错( blade dislocation ) 置换原子( substitutional atom ) 单晶体( single crystal )的特征: 点缺陷( point defect ) *晶体是由许多颗晶格排列方位不
面缺陷
1.点缺陷( point defect )
空位( vacancy ) 间隙原子( gap atom ) 置换原子( substitutional atom )
点缺陷示意图
置换原子 间隙原子