(完整word版)MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数
MOS管学习简介
（4）转移特征 漏源电压Vds一定旳条件下，栅源电压Vgs对漏极电流id旳控制特征。
可根据输出特征曲线作出移特征曲线。 例：作Vds =10V旳一条转移特征曲线
i D (mA)
4 3
2 1
uGS=6V
uGS =5V uGS =4V uGS=3V
10V
i D (mA)
4
3
2
1
u
DS
(V)
UT
2 46
开关管导通时，驱动电路应能提供足够大旳充电电流使栅源电压上升 到需要值，确保开关管迅速开通且不存在上升沿旳高频震荡。
开关管导通期间驱动电路能确保MOSFET栅源间电压保持稳定使其可 靠导通。
关断瞬间驱动电路能提供一种低阻抗通路供MOSFET栅源间电压迅速 泻放，确保开关管能迅速关断。
关断期间驱动电路能够提供一定旳负电压防止受到干扰产生误导通。 驱动电路构造尽量简朴，最佳有隔离 。
形成导电沟道，MOS管处于截止状态。
N+
N+
（2） Vgs≥ VGS(th） ，出现N沟道
栅源之间加正向电压 由栅极指向P型衬 底旳电场 将接近栅极下方旳空穴向下排 斥 形成耗尽层
再增长Vgs 纵向电场
P衬底
b
将P区少子（电子）汇集到P区表面
形成源漏极间旳N型导电沟道 假如此时加有漏源电压，就能够形成漏 极电流id
Qgs：栅源充电电量。
Qgd：栅漏充电电量。
Ciss：输入电容，将漏源短接，用交流信号测得旳栅极和源极之间旳电容 。Ciss= CGD + CGS 。对器件旳开启和关断延时有直接旳影响。
Coss：输出电容，将栅源短接，用交流信号测得旳漏极和源极之间旳电容 。Coss = CDS +CGD 。
(完整word版)MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数
MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数MOS管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件.有N沟道器件和P沟道器件。
有结型场效应三极管JFET（Junction Field Effect Transister）和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。
IGFET也称金属—氧化物-半导体三极管MOSFET（Metal Oxide SemIConductor FET）。
MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N 沟道和P沟道两种导电类型。
MOS管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G（Gate）称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S（Source）称为源极，相当于双极型三极管的发射极.增强型MOS(EMOS）场效应管道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极,一个是漏极D，一个是源极S。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。
P型半导体称为衬底（substrat)，用符号B表示。
一、工作原理1．沟道形成原理当Vgs=0 V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压,不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS（th）称为开启电压)，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥,出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动,但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
进一步增加Vgs，当Vgs＞Vgs（th)时，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。
MOS管电路工作原理及详解
MOS管电路工作原理及详解在电子世界里，咱们的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）就像是个神奇的小精灵，它能让电流自由穿梭，就像魔术师手里的魔杖一样。
想象一下，你正站在一片漆黑的森林里，突然一束光从天而降，照亮了整个森林，那不就是MOS管在发光吗？这个小精灵有个特别的地方，就是它的“开关”，一按下去，电流就畅通无阻；再一按，电流就像被按下了暂停键，啥也不动。
这就是MOS管的工作原理，简单粗暴，却又无比精准。
你知道吗，MOS管就像是一个微型的“开关”，它有两片金属片，中间夹着一个半导体，当电压足够高的时候，半导体就会被“点亮”，电流就能通过；电压低了，半导体就“熄灭”，电流就断了。
这就是MOS管的基本工作原理。
想象一下，你正在玩一个游戏，这个游戏的规则就是：当你的分数达到一定水平时，你就可以得到一个奖励；如果你的分数低于某个标准，那你就要被淘汰。
这就是MOS管在电路中的角色，它就像一个裁判，决定哪些信号可以通行，哪些信号需要被屏蔽。
但是，MOS管可不是只有开关功能那么简单哦。
它还有自己的“个性”，比如有些MOS管是N沟道的，有些是P沟道的。
这就决定了它们的工作方式和性能差异。
有的MOS管像是个急性子，反应快，适合做高频器件；有的则慢悠悠的，稳扎稳打，适合做低频器件。
这就是MOS管的多样性，它们各有千秋，各得其所。
MOS管还有“家族”之分呢！有的小精灵是三极管，有的小精灵是双极结型晶体管。
这些“家族成员”都有自己的特点和优势，就像不同的人有不同的性格一样。
这就是为什么我们要根据实际需求选择合适的MOS管，而不是盲目地追求“万能”。
MOS管也不是万能的。
有些时候，我们可能需要一些“特殊技能”才能驾驭它。
比如，要让一个MOS管正常工作，你得给它一个合适的偏置电压；要是想让它在特定条件下工作，那就得给它加上一些特殊的驱动信号。
这就需要我们具备一定的电子知识，才能让这些小精灵们发挥出最大的潜力。
MOS管就像是电子世界的魔法师，它们通过简单的开关动作，操控着电流的流动。
MOS管电路工作原理及详解
MOS管电路工作原理及详解哎呀，说起电子元件，大家是不是觉得它们就像神秘的魔法师？今天咱们就来聊聊那些藏在电路板里的“魔法”——MOS管。
别看它小，其实大有来头，它的工作方式可是既简单又神奇，让人忍不住想一探究竟。
咱们得知道，MOS管是一种场效应晶体管，它的名字里就藏着几个关键词：“场”和“效应”。
简单来说，MOS管就像一个指挥家，它控制着电流的流向，就像指挥家用手势指挥乐队一样。
但是，这个指挥家可不是随便乱指挥的哦，它需要两个小伙伴，也就是栅极和源极，还有一块神奇的材料——半导体。
想象一下，当你想要让电流从A点流向B点时，MOS管就像是个聪明的小精灵，它会找到最佳的路径，绕过那些不听话的小石头（即电阻），直接把电流送到目的地。
这个过程就像是在地图上画一条线，虽然不是直的，但总是能找到最近的路线。
而且，MOS管还有一大特点就是“低功耗”，这可真是太棒了！想象一下，你正在玩一个需要电池的游戏，而你的MOS管就像是一个永不磨损的电池，无论你玩多久，它都能让你玩得痛快。
当然啦，MOS管也不是万能的。
有时候，它可能会犯个小错误，比如在某些情况下，电流可能会走错路，或者遇到一些“难题”，比如温度变化、电压波动等，这时候就需要我们这些“维修工”来帮忙解决问题了。
不过别担心，这些问题都不是问题，因为科学家们已经找到了解决的办法。
就像修理汽车一样，只要找到问题的根源，换上新的零件，就能让MOS管重新回到最佳状态。
我要说的是，虽然MOS管听起来好像有点复杂，但其实它的原理并不难理解。
就像学习一门新语言，刚开始可能有点困难，但只要你坚持不懈，总会有一天能够流利地交流。
所以，不要害怕挑战，勇敢地去探索这个神奇的世界吧！好啦，关于MOS管的讲解就到这里啦。
如果你对这个话题感兴趣，不妨多花点时间去了解一下，说不定你会发现更多有趣的知识呢！记得点赞关注哦，下次见！。
MOS管工作原理及芯片汇总
MOS管工作原理及芯片汇总一：MOS管参数解释MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素.MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS.在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的.寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V，其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中,通常还是使用NMOS.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗.现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧,几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的.MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失.通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
引导八年级物理教案：如何使用万能表测量电压？为了能够更好地学习物理知识，电学部分是非常重要的一点。
在电路中测量电压是我们必须掌握的基本技能之一。
在测量电压的时候，我们使用的是万能表来完成这个操作。
如何使用万能表来测量电压呢？在本文中，我们会为大家详细地介绍万能表的使用方法和测量电压的注意事项。
1. 什么是万能表？万能表是一种电器测量仪器，也是我们在学习电学物理的时候必不可少的一种工具。
它可以测量电压、电流、电阻等基本电性质。
这个仪器由表头、选择旋钮、测试探针等部分组成。
表头是测量元件，它通过测试探针与要测量的元件相连。
选择旋钮则通过不同的旋钮来选择要测试的电量种类。
2. 如何使用万能表测量电压？万能表测量电压可以分为两种情况：测量直流电（DC）电压和测量交流电（AC）电压，下面我们会为大家详细地介绍这两种情况下的使用方法。
2.1 测量直流电（DC）电压第一步：准备工作在进行测量前，我们需要先确定正负电极的位置和要测量的电压范围。
一般来说，我们应该选择稍大于被测电压的最大量程。
第二步：选择直流电压档位在选择万能表测量直流电压时，需要手动选择直流电压档位。
通常我们选择最接近被测电压的档位，以避免电表由于过大电压量程而被烧毁。
第三步：连接万用表本步骤是将万用表的探针连接到电路中以读取电压。
一般来说，我们需要用黑色探针连接电路中任意地点（一般来说是接地），白色探针则连接需要测量电压的电路部分。
第四步：读取数据在上述步骤完成后，我们只需在万用表的显示屏上读取结果，以得到被测的电压值。
2.2 测量交流电（AC）电压当我们需要测量交流电的电压时，与测量直流电时相比，增加了一个步骤。
第一步：准备工作我们需要先了解被测电路中使用的是交流电，以及要测量的电压范围。
第二步：选择交流电压档位直流电传输的方向是不变的，而交流电的方向是改变的。
在使用万用表测量交流电时，我们需要选择交流电压档位。
第三步：测量电压和测量直流电一样，我们需要将万用表的探针连接到电路中以读取电压，并读取显示屏上的结果。
mos管工作原理及详解
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点击进入万联芯城点击进入万联芯城MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小，且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管工作原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管工作原理图电源开关电路详解这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS的工作原理图。
它一般有耗尽型和增强型两种。
本文使用的为增强型MOSMOS管，其内部结构见mos管工作原理图。
它可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。
但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS管工作原理图，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。
MOS管电路工作原理及详解
实物
最后，3PIN脚的MOS管： （1）SOT-23
3
D
G
S
1
2
PIN1为G极；PIN2为S极；PIN3为D极。
图纸习惯
但请大家特别注意：主板上标示的PIN1与PIN2脚与此刚好颠倒了。
主板图纸上也是如此。 而且，似乎作为一种错误的习惯被保持了下来。
另外一种3PIN脚的MOS管： （2）TO-252
回顾前面的例子，你找到它们的规律了吗？
小提示： MOS管中的寄生二极管方向是关键。
电路符号
小结：“MOS管用作开关时在电路中的连接方法”
NMOS管：
D极接输入； S极接输出。
PMOS管：
S极接输入； D极接输出。
输出端 S极
G极
N沟道
输入端 S极
G极
P沟道
D极 输入端
导通时
D极 输出端
导通时
电路符号
3
1
2
2
1
常见型号有: AOD425
实物
2 它是N沟道还是P沟道的呢？
先从简单的开始，拿最常见的3PIN脚MOS管（SOT-23）讲起。
将万用表调
到“二极体 档”。
电路符号
电路符号篇
电路符号
开始之前，一个小测试：
请回答： 哪个脚是S（源极）？
哪个脚是D（漏极）？
G（栅极）呢？
是P沟道还是N沟道MOS？
如果接入电路， D极和S极，哪一个该接 输入，哪个接输出？ 你答对了吗？
电路符号 再来一个，试试看：
哪个脚是S（源极）？
哪个脚是D（漏极）？
G（栅极）呢？
是P沟道还是N沟道MOS？ 依据是什么？
作用： 电压通断（开关）
MOS管工作原理详细讲解
详细讲解MOSFET管驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。
包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小，且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2，MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
3，MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
MOS管工作原理讲解
G N P
N
夹断后，即 使VDS 继续 增加，ID仍 呈恒流特性。
15
3．特性曲线（增强型N沟道MOS管）
16
3．特性曲线（增强型N沟道MOS管） 输出特性曲线
击穿区
ID
可变电 阻区
线性放 大区
UGS=5V 4V
-3V
3V
0 -5V U DS
17
3．特性曲线（增强型N沟道MOS管） 转移特性曲线
• JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制
• 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。
# 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？
39
5.3.2 JFET的特性曲线及参数
1. 输出特性
输出特性曲线用来描述vGS取一定值时，电流iD和电压vDS间的 关系，它反映了漏极电压vDS对iD的影响。即
N沟道
P沟道
（耗尽型）
FET 场效应管
N沟道
增强型 P沟道
耗尽型
N沟道 P沟道
4
5.1 金属－氧化物－半导体 （MOS）场效应管
MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分， 其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。
耗尽型：当vGS＝0时，存在导电沟道，iD0。 增强型：当vGS＝0时，没有导电沟道，iD＝0。
27
2. 动态指标分析
中频小信号模型：
28
2. 动态指标分析
（2）中频电压增益
忽略 rD 由输入输出回路得
g V V V gs m gs R Vgs (1 gm R) i R gmV V gs d o
gm Rd 则 AVm 1 gm R
R //
mos管工作原理详细讲解
mos管工作原理详细讲解金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的工作原理MOSFET是一种四端器件，由三个端子组成：源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
它是一种单极型晶体管，这意味着它只使用一种类型的载流子（电子或空穴）。
工作原理MOSFET的工作原理基于在绝缘层（通常是二氧化硅）上形成的场效应。
当栅极电压施加到绝缘层时，它会在半导体基底中产生一个感应电荷。
这个感应电荷会吸引相反极性的载流子（少数载流子）进入半导体基底，形成一个导电通道。
这个通道连接源极和漏极，允许电流流过。
增强型MOSFET大多数MOSFET是增强型MOSFET，这意味着当栅极电压为零时，器件处于截止状态。
当栅极电压超过一定阈值时，导电通道开始形成，器件进入导通状态。
耗尽型MOSFET耗尽型MOSFET与增强型MOSFET相反。
当栅极电压为零时，导电通道已经存在，器件处于导通状态。
当栅极电压为负时，通道变窄，器件进入截止状态。
MOSFET的控制栅极电压决定了MOSFET的导通状态。
通过调节栅极电压，可以控制源极和漏极之间的电流。
这使得MOSFET成为电子电路中非常有用的开关和放大器件。
MOSFET的特性MOSFET具有以下特性：高输入阻抗：栅极与源极和漏极之间是绝缘的，因此输入阻抗非常高。
低输出阻抗：导通时，MOSFET的源极和漏极之间具有很低的电阻。
高增益：栅极电压对源极-漏极电流有很大的影响，因此MOSFET具有很高的增益。
快速的开关时间：MOSFET可以快速地开关，这使得它们适用于高频应用。
应用MOSFET在电子电路中广泛应用，包括：开关：控制电流或电压的流动。
放大器：放大微小的信号。
模拟电路：构建滤波器、振荡器和传感器。
数字电路：构建逻辑门和存储器。
功率电子：用于控制大功率应用中的电流和电压。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一最经典MOS管电路工作原理及详解第一章引言MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种重要的主动元件，广泛应用于各种电路中。
本文将详细介绍MOS管的工作原理及其相关知识。
第二章 MOS管的基本结构MOS管由金属氧化物半导体（MOS）结构构成，主要由金属电极（Gate）、绝缘层（Oxide）和半导体材料（Semiconductor）组成。
其中，绝缘层通常采用氧化硅（SiO2）第三章 MOS管的工作原理1.导通状态当Gate电极施加正向偏置电压时，会在绝缘层下形成一个电荷压积区，使半导体材料导电区域（Channel）形成N型导电层。
此时，MOS管处于导通状态。
2.截止状态当Gate电极施加负向偏置电压时，电荷压积区减小，导电区域几乎消失，MOS管处于截止状态。
第四章 MOS管的基本参数1.阈值电压（Vth）：________在Gate电极施加一定电压时，MOS管刚刚处于导通状态和截止状态之间的电压。
2.转导：________当MOS管导通时，Gate与Source电压之间的变化引起Drn电流的变化。
3.输出电阻：________反映MOS管输入和输出特性之间的关系。
输出电阻越小，MOS管的放大能力越强。
第五章常见MOS管电路1.CMOS电路：________由N型MOS管和P型MOS管组成的互补结构，广泛应用于数字电路中。
2.放大电路：________利用MOS管的放大特性，设计各种放大电路，如共源极放大电路、共漏极放大电路等。
3.开关电路：________利用MOS管的导通截止特性，设计开关电路，如开关电源、交流开关等。
第六章附件本文档涉及的附件包括MOS管的示意图、工作曲线图等，可在附件文件中查看详细内容。
第七章法律名词及注释1.MOS管：________金属氧化物半导体场效应管，是一种主动元件。
2.Gate：________MOS管的控制电极，用于控制MOS管的导通截止状态。
MOS管工作原理详细讲解
MOS管工作原理详细讲解MOS管，也称为金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET），是一种常用的半导体器件。
它具有高速开关、低功耗、体积小等优点，在电子领域得到广泛应用。
本文将详细讲解MOS 管的工作原理。
一、MOS管的结构MOS管的结构主要包括衬底（Substrate）、绝缘层（Insulator）、栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）五个部分。
衬底是MOS管的基底，通常由硅材料制成。
绝缘层位于衬底和栅极之间，常用的绝缘层材料是二氧化硅（SiO2）。
栅极是通过控制电压来控制MOS管的导电性的部分，通常由高纯度的多晶硅材料制成。
源极和漏极是用于连接外部电路的接线端子。
二、MOS管的工作原理MOS管的工作原理基于场效应。
当栅极施加的电压为零时，MOS管处于关闭状态，没有电流通过。
当栅极施加正向电压时，栅极下方的绝缘层上会形成一个正电荷区域，这个正电荷区域会吸引衬底上的自由电子，使得衬底与源极之间形成导电通路，从而产生漏极电流。
因此，当栅极施加正向电压时，MOS管处于导通状态。
三、MOS管的工作区域根据栅极电压和源极-漏极电压的不同，MOS管可以分为三个工作区域：截止区、线性区和饱和区。
1. 截止区：当栅极电压低于临界电压（阈值电压）时，MOS管处于截止区。
此时，MOS管完全关闭，没有电流通过。
2. 线性区：当栅极电压高于临界电压，且源极-漏极电压较小时，MOS管处于线性区。
此时，MOS管的源极-漏极电流与源极-漏极电压成正比关系，符合欧姆定律。
3. 饱和区：当栅极电压高于临界电压，且源极-漏极电压较大时，MOS管处于饱和区。
此时，MOS管的源极-漏极电流几乎不再随源极-漏极电压的增加而增加，达到饱和状态。
四、MOS管的特性MOS管具有以下几个重要的特性：1. 高输入电阻：由于绝缘层的存在，MOS管的栅极与衬底之间几乎没有电流流过，因此栅极电流非常小，导致MOS管具有很高的输入电阻。
(完整word版)MOS管概述
基本电子电路系列——MOS管MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文：MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），属于绝缘栅型。
本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。
其结构示意图：解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可。
因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。
栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。
因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。
由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。
耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。
但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。
所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
解释4：左右对称图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。
但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管。
非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：金属氧化物膜图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。
mos管的小信号等效电路
mos管的小信号等效电路1. 引言嘿，朋友们，今天咱们来聊聊一个小家伙，听说过 MOS 管吗？这东西可真是电子圈里的明星，尤其是在放大器和开关电路里。
不过，想要把它的潜力完全发挥出来，我们得先认识它的小信号等效电路。
别担心，这听起来复杂，其实就像在聊天一样，轻轻松松，快来听我说说这背后的故事！2. MOS 管的基本知识2.1 什么是 MOS 管？首先，MOS 管，完整的名字叫金属氧化物半导体场效应晶体管。
听起来是不是挺高大上的？其实，它的工作原理就像我们日常生活中的水龙头，控制电流的开关。
只要给它一点“小水压”，它就能把电流流过，简直就是电流的“水管工”！在各种电子设备中，MOS 管就像个不知疲倦的勤奋小蜜蜂，无时无刻不在忙碌。
2.2 为啥要用小信号等效电路？好了，了解了 MOS 管的基本概念，我们再来看看小信号等效电路。
简单来说，当你想要分析 MOS 管在小信号条件下的表现时，就得把它当作一个“简单的模型”。
这就好比给它穿上一件休闲的T恤，让它在小范围内“轻松活动”，这样我们才能更清楚地看到它的本领。
这个小信号模型，可以帮我们算出增益、输入输出阻抗等重要参数，就像一场精彩的演出，没看清楚可就太亏了！3. 小信号等效电路的组成部分3.1 关键参数在 MOS 管的小信号等效电路中，有几个关键的参数必须了解。
首先是转导（gm），它就像这个小家伙的“推动力”，告诉我们在输入信号变化时，输出会有多大变化。
接下来是输出电阻（ro），这就像你穿的那双鞋子，能决定你在路上的“灵活性”。
当然，还有输入电容和输出电容，这些都是在玩转 MOS 管时的“必备装备”。
3.2 如何搭建等效电路？搭建小信号等效电路其实不难，首先你得把 MOS 管的工作状态设定好，一般是在它的饱和区。
然后就可以用几个电阻和电容把它“装扮”起来。
想象一下，就像你为朋友的生日派对准备气球和装饰品一样，把这些元件结合在一起，创建一个小巧的“电子派对”。
MOS管原理_非常详细
MOS管原理_非常详细MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种非常重要的电子器件，它是现代集成电路中的关键元件之一、MOS管采用了金属-氧化物-半导体结构，利用半导体材料中的电子和空穴的输运特性来控制当前的流动。
下面我们将详细介绍MOS管的工作原理。
MOS管的基本结构由金属的栅极、氧化物层和半导体的沟道构成。
金属栅极被用于施加电场，从而控制沟道中的电荷输运。
沟道由n型或p型半导体构成，半导体的特性决定了MOS管的导电性。
氧化物层作为电介质层，将栅极与沟道隔离，防止电流直接流过。
在MOS管的工作过程中，我们可以分为两个主要阶段：堆积和耗尽状态。
在堆积状态下，当沟道是n型半导体时，金属栅极施加正电荷。
由于金属栅极上的正电荷，沟道中的电子会被排斥，这样就形成了p型的堆积层。
由于堆积层是由正荷电子组成的，所以堆积层呈现n型的导电性质。
在耗尽状态下，金属栅极施加负电荷。
由于金属栅极上的负电荷，沟道中的电子会被吸引，堆积层中的电子会被逐渐排斥，从而导致沟道中的电荷无法传输。
这样，沟道就形成了一个耗尽层。
在耗尽层下方的半导体中，由于缺少了导电的电子，所以出现了一个空穴层，这使得整个区域呈现p型的特性。
通过改变金属栅极施加的电场，我们可以控制沟道中电子和空穴的传输。
当沟道中的电荷处于堆积状态时，电流能够顺利通过MOS管。
而当沟道中的电荷处于耗尽状态时，电流将被阻断。
MOS管的工作原理还涉及一些参数，比如跨导（transconductance）、迁移率（mobility）和截止频率（cut-off frequency）。
跨导指的是栅极电压与漏极电流之间的关系，它决定了MOS管的放大能力。
迁移率是指电子或空穴在半导体中的迁移速率，它反映了MOS管的导电特性。
截止频率是指在高频情况下，MOS管的工作频率上限。
总结一下，MOS管是一种采用金属-氧化物-半导体结构的电子器件，它利用电场控制沟道中的电子和空穴的传输。
MOS管电路工作原理和详解
Ultra SO-8封装旳MOS管相对DFN封装厚度 上有点增长，PIN1,2,3直接相连成为S极。
实物
接下来，看看6个脚旳TSOP-6封装MOS管：
SI3456
PIN1,2,5,6为D极； PIN3为G极；
PIN4为S极。
一样是6个脚，旳SOT-363封装MOS管则为双MOS管：
是P沟道还是N沟道MOS？ 根据是什么？
假如接入电路， D极和S极，哪一种该接输 入，哪个接输出？
这次怎么样？
电路符号 1 三个极怎么鉴定 ？
MOS管符号上旳三个脚旳辨认要抓住关键地方 。
S极
G极，不用说比很好认。
S极，
G极
不论是P沟道还是N沟道，
两根线相交旳就是；
D极，
D极
不论是P沟道还是N沟道， 是单独引线旳那边。
3
1
2
21
常见型号有: AOD425
实物
2 它是N沟道还是P沟道旳呢？
先从简朴旳开始，拿最常见旳3PIN脚MOS管（SOT-23）讲起。
D
G S
01.6220V
接下来， 将万用表调 到“二极体 档”。
由上一小节内容，我们能够立即找 到MOS管旳G,S,D三极。
N沟道： UG>US时导通。 （简朴以为）UG=US时截止。
P沟道： UG<US时导通。 （简朴以为）UG=US时截止。
但UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？
电路符号
饱和导通问题：
UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？ 这要看详细旳MOS管，不同MOS管需要旳压差不同。
电路符号
19V
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MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数
MOS管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件.有N沟道器件和P沟道器件。
有结型场效应三极管JFET（Junction Field Effect Transister）和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。
IGFET也称金属—氧化物-半导体三极管MOSFET（Metal Oxide SemIConductor FET）。
MOS场效应管
有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
MOS管有三个电极：
D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；
G（Gate）称为栅极，相当于双极型三极管的基极；
S（Source）称为源极，相当于双极型三极管的发射极.
增强型MOS(EMOS）场效应管
道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极,一个是漏极D，一个是源极S。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极 G。
P型半导体称为衬底（substrat)，用符号B表示。
一、工作原理
1．沟道形成原理
当Vgs=0 V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压,不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS（th）称为开启电压)，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥,出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动,但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
进一步增加Vgs，当Vgs＞Vgs（th)时，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。
如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。
在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。
随着Vgs的继续增加，ID将不断增加。
在Vgs=0V时ID=0，只有当Vgs＞Vgs（th)后才会出现漏极电流,这种MOS管称为增强型MOS管。
VGS对漏极电流的控制关系可用iD=f(vGS）｜VDS=const这一曲线描述,称为转移特性曲线，见图。
转移特性曲线斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导.
跨导的定义式如下：gm=△ID/△VGS｜
（单位mS)
2． Vds对沟道导电能力的控制
当Vgs＞Vgs(th）,且固定为某一值时，来分析漏源电压Vds对漏极电流ID的影响。
Vds的不同变化对沟道的影响如图所示.
根据此图可以有如下关系
VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGS
VGD=VGS—VDS
当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS（th),沟道呈斜线分布。
在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。
当VDS 增加到使VGD=VGS（th)时,相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。
当VDS增加到 VGD〈 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上,〉
当VGS＞VGS(th）,且固定为某一值时，VDS对ID的影响,即iD=f(vDS)|VGS=const这一关系曲线如图02.16所示。
这一曲线称为漏极输出特性曲线。
二、伏安特性
1．非饱和区
非饱和区（Nonsaturation Region）又称可变电阻区，是沟道未被预夹断的工作区。
由不等式
VGS>VGS(th)、VDS<VGS-VGS（TH）限定。
理论证明,ID与VGS和VDS的关系如下:〈 p〉
2．饱和区
饱和区(Saturation Region)又称放大区，是沟道预夹断后所对应的工作区。
由不等式VGS〉VGS（th)、VDS>VGS—VGS(th）限定.漏极电流表达式：
在这个工作区内，ID受VGS控制。
考虑厄尔利效应的ID表达式：
3．截止区和亚阈区
VGS〈>
4．击穿区
当VDS 增大到足以使漏区与衬底间PN结引发雪崩击穿时，ID迅速增加，管子进入击穿区。
四、P沟道EMOS场效应管
在N型衬底中扩散两个P+区，分别做为漏区和源区,并在两个P+之间的SiO2绝缘层上覆盖栅极金属层，就构成了P沟道EMOS管.
耗尽型MOS(DMOS）场效应管
N 沟道耗尽型MOS管的结构和符号如图3-5所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。
所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道。
于是，只要有漏源电压,就有漏极电流存在。
当VGS＞0时，将使ID进一步增加。
VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。
对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示,有时也用VP表示。
N沟道耗尽型MOS管的转移特性曲线见图所示。
N沟道耗尽型MOS管的结构和转移特性曲线
P沟道MOS管的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已.这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。