可控硅参数符号意义
可控硅的重要参数
可控硅的重要参数可控硅是一种重要的电子器件，广泛应用于电力电子技术和控制系统中。
它具有多个关键的参数，这些参数直接影响到可控硅的性能和应用范围。
本文将从多个方面介绍可控硅的重要参数。
1. 阻断电压（VDRM）：阻断电压是指可控硅能够承受的最大反向电压。
在正常工作情况下，可控硅的正向电压应小于阻断电压。
2. 电导电流（IGT）：电导电流是指可控硅在触发电流作用下开始导通的最小电流。
它反映了可控硅的触发灵敏度和稳定性。
3. 关断电流（IH）：关断电流是指可控硅在正常导通状态下，通过其控制端流过的最小电流。
关断电流的大小直接影响到可控硅的工作稳定性和功耗。
4. 阻断电流（IDRM）：阻断电流是指可控硅在阻断状态下通过的最大电流。
阻断电流的大小与可控硅的封装和散热性能有关，需要在设计中合理考虑。
5. 反向耐压（VR）：反向耐压是指可控硅能够承受的最大反向电压。
反向耐压决定了可控硅在逆向应用中的安全性能。
6. 触发电压（VGT）：触发电压是指可控硅开始导通所需的最小控制电压。
触发电压的大小直接影响到可控硅的触发灵敏度和可靠性。
7. 导通压降（VF）：导通压降是指可控硅导通时的电压降。
导通压降的大小与可控硅的导通损耗和功耗有关，需要在设计中进行合理评估。
8. 可控硅的温度特性：可控硅的性能受温度影响较大，温度过高会导致可控硅的性能下降甚至损坏。
因此，需要在设计中考虑可控硅的散热和温度控制。
除了上述参数外，可控硅还有其他一些重要的参数，如触发延迟时间、触发脉冲电流等。
这些参数都会对可控硅的工作性能和应用范围产生影响，需要在设计和选择可控硅时予以考虑。
可控硅的重要参数涉及到其电压、电流、触发特性和温度等方面。
了解和掌握这些参数对于正确应用可控硅、确保系统的稳定性和安全性至关重要。
在实际应用中，需要根据具体的需求和系统要求选择合适的可控硅，并合理设计电路以保证可控硅的正常工作。
晶闸管（可控硅）参数符号说明
晶闸管（可控硅）参数符号说明晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在⼀定的温度下，允许重复加在管⼦上的正向电压为断态重复峰值电压，⽤VDRM表⽰。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，⽽不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压⽤VRRM表⽰，它也是在控制极开路条件下，规定⼀定的温度，允许重复加在管⼦上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不⼤于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升⾼⽽降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
⽣产⼚把VDRM和VRRM中较⼩的⼀个数值作为管⼦的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别⽤IDRM 和IRRM表⽰。
这个数值⽤峰值表⽰。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相⼯频(即50Hz)正弦半波电路中，导通⾓为不⼩于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管⼦所允许的最⼤通态电流为额定通态电流。
这个值⽤平均值和有效值分别表⽰。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管⼦在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即⼀般称为管压降。
此值⽤峰值表⽰。
这是⼀个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越⼩越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最⼩电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都⾜够⼤的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管⼦完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减⼩正向电流，管⼦突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
可控硅参数注释范文
可控硅参数注释范文可控硅（SCR）是一种具有控制能力的半导体器件，它主要用于功率电子应用中的开关和控制。
可控硅的特殊之处在于，一旦启动，它将一直处于导通状态，直到电流降至零或有外部信号来控制其关断。
以下是可控硅的一些重要参数的注释。
1. 负阻抗比例器（Negative Impedance Proportioner，NIP）：负阻抗比例器是此器件的一项重要参数。
它是可控硅的输入特性的度量标准，它表示了控制电压和控制电流之间的关系。
只有当控制电压的变化导致控制电流的相反变化时，负阻抗比例器才被视为合适的。
2. 正向阻抗（Forward Impedance）：正向阻抗是指从可控硅正向电压到正向电流之间的阻抗。
通常使用恒定的电流作为输入，并测量输出的电压。
正向阻抗的数值约低，可控硅的性能越好，因为这意味着它能更好地通过电流。
3. 反向阻抗（Reverse Impedance）：反向阻抗是指从可控硅反向电压到反向电流之间的阻抗。
类似于正向阻抗，较低的数值代表了更好的性能。
反向阻抗通常很高，以防止在正向电压下产生反向电流。
4. 触发电压（Trigger Voltage）：触发电压是指可控硅所需的最低电压，以便使其从关断状态转变为导通状态。
较低的触发电压意味着它更容易被启动，而较高的触发电压可能导致可控硅无法正常启动。
5. 保持电流（Holding Current）：保持电流是可控硅在导通状态下所需的最低电流。
一旦电流低于保持电流，可控硅将自动从导通状态切换到关断状态。
保持电流的数值取决于设备的特性和工作要求。
6. 最大正向电压（Maximum Forward Voltage）：最大正向电压是可控硅所能承受的最大正向电压。
超过这个值，可控硅可能被损坏或无法正常工作。
因此，在设计和使用可控硅时，必须确保正向电压不超过最大正向电压。
7. 极限温度（Junction Temperature Limits）：极限温度是可控硅能够承受的最高温度和最低温度。
可控硅（晶闸管）符号及含义
可控硅（晶闸管）符号及含义
可控硅(晶闸管)符号及含义
转载▼I2t 电流平⽅时间积 di/dt 通态电流临界上升率
I d直流输出电流 dv/dt 断态电压临界上升率
I DRM 断态重复峰值电流 Q rr 反向恢复电荷
I F(AV) 正向平均电流 R T 通态斜率电阻
I FM 正向输出电流 R F 正向斜率电阻
I F(RMS) 正向电流有效值 R th 热阻抗
I FSM ⼀周波正向不重复浪涌电流 R th(j-c) 结⾄壳热阻抗
I G 门极电流 R th(j-hs) 结⾄散热器热阻抗
I GD 门极不重复电流 R th(c-hs) 壳⾄散热器热阻抗
I GT 门极电流 R th(h-a) 散热器⾄环境热阻抗
I H 维持电流 T a 环境温度
I RRM 反向重复峰值电流 T HS 散热器温度
I T(AV) 通态平均电流 T j 结温
I T(RMS) 通态电流有效值 T jm 最⾼额定结温
I TM 通态峰值电流 T vjm 最⾼等效结温
I TSM ⼀周波通态不重复浪涌电流 t p 脉冲时间
V DRM 断态重复峰值电压 t q 关断时间
V DSM 断态不重复峰值电压 t r 上升时间
V FM 正向峰值电压 t rr 反向恢复时间
V G 门极电压 t d 延迟时间
V GT 门极触发电压
V GD 门极不触发电压
V ISO 绝缘电压
V RRM 反向重复峰值电压
V FO 正向门槛电压
V TO 通态门槛电压
V RGM 门极反向峰值电压
V RSM 反向不重复峰值电压
V TM 通态峰值电压。
可控硅参数说明(精)
符号说明:VRRM--反向重复峰值电压:在控制极断路和额定结温的条件下,可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压,规定为反向漏电流急速增加,反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压;在控制极断路和额定结温的条件下,不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM――断态重复峰值电压;断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV/ IF(AV--通态/正向平均电流;在环境温度+40℃和额定结温下,导通角不小于170°阻性负载电路中,允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS, I F(RMS――通态/正向方均根电流;是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值,用户在使用中须保证,在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流;指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50HzI2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量,是电流的平方乘以时间,表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率;门极触发电压与最大触发电流的乘积;P G(AV --门极平均功率;门极触发电压与正常触发电流的乘积;di/dt--通态电流临界上升率;指在额定结温下,可控硅能承受的最大通态电流上升率(如果电流上升太快,可能造成局部过热而使可控硅损坏V ISO--绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温;可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
可控硅符号含义
参数符号说明:IT(A V)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(A V)--正向平均电流CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（A V）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
可控硅符号含义
参数符号说明:IT(A V)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(A V)--正向平均电流CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（A V）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
可控硅符号与性能介绍
一、可控硅符号与性能介绍可控硅符号：可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。
这是TLC336的样子：二、向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。
实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅参数符号意义
可控硅参数符号意义可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种典型的半导体器件，在电力电子领域广泛应用。
它是一种电流控制型的电子开关，可以实现电路的开关控制，广泛应用于电能控制、电流调节、频率变换和电力转换等方面。
在可控硅的参数中，有一些重要的符号和意义，下面将详细解释。
1. IGT：触发电流（Gate Trigger Current）IGT是指在开关偏置电压条件下，从控制极（Gate）流入可控硅的电流。
当IGT达到一定值时，可控硅进入导通状态。
IGT的大小与可控硅的导通灵敏度和触发电路设计有关。
IGT越小，可控硅的触发能力越强。
2. VGT：触发电压（Gate Trigger Voltage）VGT是指正常导通状态下，为使可控硅在控制极（Gate）上具有触发能力所需的电压。
当VGT达到一定值时，可控硅开始导通，只有当控制极的电压达到或超过这个值时，可控硅才能被触发。
3. IH：保持电流（Holding Current）IH是可控硅在导通状态下能够维持稳定导通所需的最小电流。
当电路中的电流小于IH时，可控硅将进入关断状态。
4. VDRM：最大反向电压（Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage）VDRM是可控硅在关断状态下的最大允许电压。
当电路的反向电压超过VDRM时，可控硅将出现击穿现象，导致不可逆损坏。
5. IT(RMS)：有效值电流（RMS On-State Current）IT(RMS)是指可控硅在导通状态下所能承受的最大有效值电流。
超过这个值，可控硅将无法承受，可能引起过热和损坏。
6. VTM：最大导通压降（Maximum On-State Voltage Drop）VTM是可控硅在导通状态下的最大导通电压降。
这个电压降是导通状态下硅芯片内部电导引起的，电流大时电压降也相应增大。
7. dV/dt：最大耐受斜率（Maximum Allowable Rate of Rise of Off-State Voltage）dV/dt是可控硅在关断状态下能够承受的最大耐受斜率。
可控硅的常见参数和符号中英文对照表
dv/dt断态电压临界上升率aYp电子资料网
di/dt通态电流临界上升率aYp电子资料网
IGT门极复峰值电流aYp电子资料网
IF(AV)正向平均电流aYp电子资料网
IT(AV)通态平均电流aYp电子资料网
VDRM通态重复峰值电压aYp电子资料网
IH维持电流aYp电子资料网
IDRM断态重复峰值电流aYp电子资料网
ITSM通态一个周波不重复浪涌电流aYp电子资料网
Rthjc结壳热阻aYp电子资料网
Tjm额定结温aYp电子资料网
VRRM反向重复峰值电压aYp电子资料网
VTM通态峰值电压aYp电子资料网
VGT门极触发电压aYp电子资料网
VISO模块绝缘电压aYp电子资料网
可控硅的符号、性能和参数介绍
可控硅的符号、性能和参数介绍一、可控硅符号与性能介绍可控硅符号：可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。
这是TLC336的样子：二、向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。
实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅参数符号说明
可控硅参数符号说明可控硅（SCR）是一种半导体器件，用于电力控制和开关应用。
它具有很多参数，下面是常见的可控硅参数的符号和说明：1.VRRM-最高反向工作电压（符号：VRRM）最高反向工作电压是可控硅能够承受的最大反向电压。
当电压超过这个值时，可控硅可能会被破坏。
2.ITAV-平均正向电流（符号：ITAV）平均正向电流是可控硅在正向电流工作周期内平均通过的电流值。
它是可控硅工作时的重要参数。
3.ITSM-冲击正向电流（符号：ITSM）冲击正向电流是可控硅能够承受的瞬态正向电流。
当电流超过这个值时，可控硅可能会被破坏。
4.VTO-触发电压（符号：VTO）触发电压是可控硅开始导通的最低电压。
当电压超过这个值时，可控硅开始导通。
5.VDRM-关断电压（符号：VDRM）关断电压是可控硅能够承受的最小电压，以使其完全不导通。
6.VTM-正向电压降（符号：VTM）正向电压降是可控硅在导通状态下的电压降。
通常为几个伏特的范围。
7.IH-保持电流（符号：IH）保持电流是可控硅在导通状态下，所需的最小电流。
它是保持可控硅导通的必要条件。
8.DI/DT-电流变化率（符号：DI/DT）电流变化率是可控硅的电流变化速度。
高电流变化率可能导致可控硅故障。
9. gate - 屏蔽极屏蔽极用于对可控硅进行触发和控制。
通过对屏蔽极施加特定的电压脉冲，可控硅可以从关断状态转变为导通状态。
10.MT2-可控硅主电流端MT2是可控硅的主电流端，负责导通电流和承受电压。
以上是一些常见的可控硅参数的符号和说明，这些参数对于选择和使用可控硅非常重要。
对于特定的应用，可能还会有其他参数需要考虑。
可控硅参数符号意义
可控硅参数符号意义
可控硅是一种半导体器件，也被称为晶闸管，它具有可以控制电流流动的能力。
可控硅的参数符号包括：
1.VDRM（直流阻断电压）：该参数表示在没有施加门控信号时，可控硅能够承受的最大电压。
超过这个电压，可控硅会发生击穿，导致短路。
2.VRRM（反向阻断电压）：该参数表示可控硅在反向工作时，能够承受的最大电压。
超过这个电压，可控硅也会发生击穿。
3.ITSM（瞬态阻断电流）：该参数表示可控硅能够承受的瞬态（短时间内）最大电流。
超过这个电流，可控硅会受到压倒性的能量冲击而发生损坏。
4.IT(RMS)（有效值阻断电流）：该参数表示可控硅能够承受的有效值最大电流。
超过这个电流，可控硅也会发生损坏。
5.IDRM（静态工作电流）：该参数表示在没有施加门控信号时，可控硅能够承受的静态电流。
超过这个电流，可控硅会发生损坏。
6.IGT（门控电流）：该参数表示为了控制可控硅导通，需要施加的最小门极电流。
7.VGT（门控电压）：该参数表示为了控制可控硅导通，需要施加的最小门极电压。
8.IH（保持电流）：该参数表示为了保持可控硅导通，需要施加的最小电流。
9.VTM（导通电压降）：该参数表示可控硅导通时的电压降。
在可控硅导通时，电流可以在正向方向流动，并且会产生电压降。
10. dv/dt（速率控制因子）：该参数表示可控硅绝缘层的耐受能力，即绝缘层能承受的压电场速率。
以上是可控硅常见的参数符号及其意义。
这些参数都是了解和选择可
控硅时非常重要的参考指标，可以帮助工程师根据具体需求选择合适的可
控硅器件。
可控硅晶闸管符号
可控硅晶闸管符号介绍如下：
可控硅晶闸管，也被称为双向可控硅，是电子设备中常用的三端集成器件之一。
其符号包括三个部分，依次是P1N1、P2N2和控制端。
P1N1部分表示两个PN结的连接方式，这里采用正向连接，即两个PN结都导通。
P2N2部分也是PN结，但是它的连接方式与P1N1相反，表示反向连接。
控制端是一个可变电压Uc，当Uc大于一定值时，可控硅导通，也就是开关由关变为开。
这时两个方向都可以流通了。
在电路中，P1N1和P2N2形成了两个方向相反的电流，当把电源接在可控硅P2和N2的连接点时，可以通上电流，P区和N区的电流相反，也就是说一个正的电压会使得电流往逆向流动。
这个电路是没有反向的，即便你反向接到电阻和灯泡上也同样是可以工作得。
因此可控硅可以作为开关器件应用在电器设备上。
综上所述，可控硅晶闸管的符号包括P1N1、P2N2和控制端三个部分，通过控制控制端的电压，可以改变可控硅的导通状态，实现双向导通的功能。
这些知识可以应用于电子设备的制造和维修中，以及了解可控硅晶闸管的特性和工作原理。
100-6可控硅参数
100-6可控硅参数
可控硅的参数主要包括：
1. 最大可逆电压（Vdrm）：可控硅能承受的最大反向电压，
即在导通状态下达到最大电流时的最大电压。
2. 最大导通电流（It）：可控硅能承受的最大导通电流，即正
向电压下可控硅正常工作的最大电流。
3. 最大耐电压（Vrrm）：可控硅能够承受的最大封装之间的
电压，即在关断状态下存在的最大电压。
4. 触发电流（Igt）：触发可控硅进入导通状态所需的最小电流。
5. 灵敏度（Vgt）：触发可控硅进入导通状态所需的最小电压。
6. 关断能力（di/dt）：可控硅在关断状态下能够承受的最大电
流斜率，即由于关断过程中的电感效应引起的电流变化速率。
这些参数会根据不同的可控硅产品有所不同。
晶闸管(可控硅)参数符号说明
晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在一定的温度下，允许重复加在管子上的正向电压为断态重复峰值电压，用VDRM表示。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，而不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压用VRRM表示，它也是在控制极开路条件下，规定一定的温度，允许重复加在管子上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不大于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升高而降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
生产厂把VDRM和VRRM中较小的一个数值作为管子的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别用IDRM 和IRRM表示。
这个数值用峰值表示。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相工频(即50Hz)正弦半波电路中，导通角为不小于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管子所允许的最大通态电流为额定通态电流。
这个值用平均值和有效值分别表示。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管子在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即一般称为管压降。
此值用峰值表示。
这是一个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越小越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最小电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都足够大的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管子完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减小正向电流，管子突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
6、控制极触发电流IGT和触发电压VGT在室温条件下，晶闸管阳极和阴极间施加6v或12v的直流电压，使管子完全开通所必须的最小控制极直流电流为控制极触发电流IGT。
可控硅参数符号说明
可控硅参数符号说明参数符号说明:IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流KP5A—500A 螺栓型普通晶闸管参数K P200A—500A平板型普通晶闸管参数KP800A—1500A 平板型普通晶闸管参数KK5A—100A 螺栓型快速晶闸管KP2000A—4500A 平板型普通晶闸管参数KK200A—1000A 平板型快速晶闸管KK1200A—3000A 平板型快速晶闸管可控硅整流器件YCR单向可控硅系列◆先进的玻璃钝化芯片◆小的通态压降◆高的可靠性、稳定性单、双向可控硅（SCR,TRIAC）K S5A—50A 螺栓型双向晶闸管K S200A—800A 平板型双向晶闸管KG5A—50A螺栓型高频晶闸管KG50A—1200A 平板型高频晶闸管目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
表1 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表KP型可控硅的电流电压级别见表2表2 KP型可控硅电流电压级别示例：（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。
（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。
硅双向触发二极管参数部分国外型号双向可控硅参数固体继电器参固体继电器参数术语1.输入电压范围（单位：V）在规定的环境温度下，施加在输入端，使输出端维持“导通”状态的电压范围。
可控硅符号
可控硅符号（一）可控硅的定义可控硅又称为晶闸管，是一种用于电力调节和开关控制的半导体器件。
它具有双向导通性、高压、高电流和可控性等特点。
可控硅在电力电子、电机控制、光电通讯、功率转换等领域有着广泛的应用。
（二）可控硅符号的含义可控硅符号指的是可控硅在电路图上的符号，用于表示可控硅在电路中的作用和参数。
可控硅符号由晶体管符号和双箭头组成。
晶体管符号代表可控硅的控制电极，双箭头表示可控硅的双向导通性。
（三）可控硅符号的应用可控硅符号在电路中的应用十分广泛。
在电机控制中，可控硅符号可用于控制电机的启动、制动和调速。
在电子灯光中，可控硅符号可用于实现灯泡的调光和闪烁效果。
在电力电子中，可控硅符号可用于实现功率因数补偿、交流电压调节和直流电压变换等功能。
（四）可控硅符号的特性1.电压特性：可控硅符号具有高电压特性，一般可承受数十至数百伏的高电压。
2.电流特性：可控硅符号具有高电流特性，一般可承受数十至数百安的高电流。
3.可控性：可控硅符号具有可控性，可以通过控制电极对其通导性进行控制。
4.导通方式：可控硅符号具有双向导通性，可以实现正向和反向的导通功能。
（五）可控硅符号的发展趋势随着电子技术的发展，可控硅符号的技术也在不断提高。
未来可控硅符号将会更加稳定、可靠和经济，因此将得到更广泛的应用。
同时，可控硅符号也将与其他电子器件进行集成和互连，实现更加高效、多功能和智能化的电子控制系统。
（六）结语可控硅符号是电子技术中不可或缺的元件之一，其广泛应用于各种领域。
因此，对可控硅符号的了解和掌握是电子技术工作者必备的技能之一。
未来，可控硅符号将不断发展和创新，为电子技术的发展和应用提供更好的支持和保障。
可控硅参数符号意义
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
A/mS
tgt
Gate Controlled Delay Time
门极控制延迟时间
-
us
Tq
Circuit Commutated Turn-off Time
周期转换关断时间
恢复晶闸管电压阻断能力所需的最小电路换流反压时间。
us
Rd
Dynamic Resistance ( Tj=125℃)
动态阻抗
-
mΩ
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可控硅参数符号意义
电子知识2009-07-24 09:08:40阅读1513评论3字号：大中小订阅
符号
英文单词参数
中文参数
说明
单位
IT(AV)
AVERAGE ON-STATE CURRENT
通态平均电流
国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般选取其通态平均电流为按此原则所得计算结果的1.5-2倍。
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dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt 指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发
V/uS
dICOM/dt
切换时负载电流下降率
dICOM/dt 高，则dVCOM/dt承受能力下降。结面温度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如双向可控硅的dVCOM/dt的允许值有可能被超过，为避免发生假触发，可在T1 和T2 间装置RC缓冲电路，以此限制电压上升率。通常选用47~100Ω的能承受浪涌电流的碳膜电阻，0.01μF~0.47μF的电容，晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流，此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
A/mS
tgt
Gate Controlled Delay Time
门极控制延迟时间
-
us
Tq
Circuit Commutated Turn-off Time
周期转换关断时间
恢复晶闸管电压阻断能力所需的最小电路换流反压时间。
us
Rd
Dynamic Resistance ( Tj=125℃)
动态阻抗
-
mΩ
A
IGM
ForwardPeakGate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
-
A2ses
dIT/dt
Repetitive rate of rise of on-statecurrent after triggering (IGT1~IGT3)
为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选型时α取大于1.5倍即可。
mA
IH
Holding Current
维持电流
维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutatingon-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak Forward Gate Current
门极正向峰值电流
-
A
VTM
Peak Forward On-State Voltage
通态峰值电压
它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅
A/μs
VDRM
Repetitive peak off-state voltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
Rth(j-mb)
Thermal Resistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
-
℃/W
Rth(j-a)
Thermal Resistance Junction-to-ambient
热阻-结到环境
-
℃/W
IGT
Triggering gate current
门极触发电流
mA
IL
Latching Current (IGT3)
接入电流(第三象限)/擎住电流
擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
voltage
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
可控硅参数符号意义
2010年01月29日 星期五 15:42
符号
英文单词参数
中文参数
说明
单位
IT(AV)
AVERAGE ON-STATE CURRENT
通态平均电流
国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般选取其通态平均电流为按此原则所得计算结果的1.5-2倍。
通态临界电流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的 dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
断态重复峰值漏电流
为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
mA
IRRM
Maximum reverse leakage current
反向重复峰值漏电流
mA
IDSM
断态不重复平均电流
门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
R.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink
工作结温
为了长期可靠工作，应保证
Rth j-a足够低，维持Tj不高于80%Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
℃
Tstg
StorageTemperatureRange
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
A
VTO
On state threshold voltage
门
槛电压
-
V
IT(RMS)
On-State RMS Current (full sine wave)
通态电流均方值