等离子体刻蚀工艺的物理基础
等离子体物理学的基础与应用
等离子体物理学的基础与应用等离子体物理学是物理学中研究等离子体性质、行为和应用的一个分支。
等离子体是第四态物质，是由带正电荷的离子和带负电荷的电子组成的，它具有高度的激发性和导电性。
在自然界中，等离子体广泛存在于太阳、闪电、地球磁层等环境中，也存在于人造装置中，如聚变反应器、等离子体喷射器等。
本文将介绍等离子体物理学的基础知识和应用领域。
一、等离子体的基本性质等离子体是由离子和电子组成的，这些离子和电子以相对独立的方式运动。
等离子体具有以下基本性质：1.高度激发性：等离子体的粒子处于高度激发状态，能量非常丰富。
当它们发生碰撞或受到外部刺激时，会释放出巨大的能量。
2.导电性：等离子体能够导电，因为其带电粒子可以自由移动。
这是由于电子和离子之间的相对运动。
3.磁场响应性：等离子体具有对外磁场的高度响应性。
在磁场中，等离子体会受到磁场力的作用，并发生循环运动。
二、等离子体物理学的基础理论等离子体物理学基于一系列基础理论来解释和研究等离子体的行为。
以下是几个主要的基础理论：1.碰撞理论：碰撞理论用来描述等离子体内部粒子之间的相互作用。
它探讨了离子和电子之间的碰撞频率、能量交换以及散射过程。
2.磁流体力学(MHD)理论：MHD理论研究等离子体在强磁场中的行为。
它结合了磁场和等离子体的运动方程，用于研究等离子体的磁流体力学行为，如等离子体在磁约束中的稳定性和不稳定性等。
3.等离子体波动理论：等离子体波动理论研究等离子体内的波动现象。
它探讨了等离子体波动的起源、传播和相互作用，包括电磁波、声波、阻尼波等。
三、等离子体物理学的应用领域1.聚变能研究：等离子体物理学在聚变能研究中扮演着关键角色。
人类一直在努力实现可控核聚变，并利用聚变反应器产生清洁、高效的能源。
2.等离子体制造：等离子体物理学在半导体制造和表面处理中起着重要作用。
等离子体喷涂和等离子体刻蚀等技术被广泛应用于化学、电子、材料等行业。
3.等离子体医学：等离子体物理学在医学领域也有应用。
等离子体物理基础
等离子体物理基础等离子体是一种以等离子体态的物质状态，它是由气体或固体在高温、高压或强辐照等条件下失去或获得电子而形成的，具有正离子和自由电子的等离子体。
等离子体物理研究的是等离子体的性质、行为和应用，并在诸多领域中有着广泛的应用。
一、等离子体形成的条件和特点1. 形成条件：等离子体形成有多种条件，如高温、高压和强电磁场等。
在高温条件下，物质分子能够克服束缚力，失去电子，形成带正电荷的离子和自由电子。
高压也能够促进电子的跃迁，使物质形成等离子体。
此外，强电磁场的作用也能够使等离子体形成。
2. 特点：等离子体具有电中性，但整体呈带电状态。
等离子体中自由电子的存在使得它具有导电性和磁场感应性。
另外，等离子体还具有高可压缩性和高扩散性，能够通过电场和磁场受力。
二、等离子体的分类根据温度和密度的不同，等离子体可以分为等离子普通态、等离子凝聚态和等离子极端态。
1. 等离子普通态：等离子普通态是指在常规条件下形成的等离子体。
它常见于自然界中的闪电和恒星等高温物质，以及工业和科研实验室中的等离子体设备，如等离子切割和等离子喷涂。
2. 等离子凝聚态：等离子凝聚态是指在较低温度和高密度条件下形成的等离子体。
其中包括电子气、等离子流体和凝聚态等离子体。
等离子凝聚态在材料科学、凝聚态物理和聚变能等领域有着广泛的应用。
3. 等离子极端态：等离子极端态是指在极端条件下形成的等离子体，如在极低温度、极高压力或强磁场条件下形成的等离子体。
这些条件下的等离子体在科学研究和天体物理学中具有重要作用。
三、等离子体物理的研究领域等离子体物理作为一门综合性的学科，涉及到许多领域和应用，如天体物理学、磁约束聚变、等离子体加热和等离子体诊断等。
以下是部分研究领域的介绍：1. 天体物理学：天体物理学研究宇宙中的等离子体，如恒星、星际等离子体，以及与宇宙射线和宇宙成分的相互作用。
这一领域的研究对于理解宇宙的起源和演化过程有着重要意义。
2. 磁约束聚变：磁约束聚变是一种利用等离子体自身的磁场来达到高温和高密度条件的核聚变技术。
等离子刻蚀工艺-培训教程
等离子刻蚀工艺-培训教程等离子刻蚀工艺是一种用于光刻工艺的常见技术。
在集成电路制造过程中，等离子刻蚀被广泛应用于半导体器件的精确细节刻蚀，以及薄膜材料的去除和表面处理。
本文将为您介绍等离子刻蚀工艺的基本原理、设备和操作步骤。
等离子刻蚀工艺基本原理：等离子刻蚀是利用稀有气体放电产生的等离子体来刻蚀材料的一种技术。
该过程通过在放电区域内施加强电场和磁场，使气体分子电离产生电子和离子。
在电离的过程中，离子会获得足够的能量以克服材料的结合能，从而实现刻蚀材料的目的。
等离子刻蚀设备：等离子刻蚀设备主要由真空室、气体供应系统、高频功率源、加热装置、控制系统等组成。
真空室用于创建真空环境，并通过降低气压来避免气体碰撞。
气体供应系统用于提供刻蚀所需的气体混合物。
高频功率源产生高频电场，使气体电离。
加热装置用于加热待刻蚀的样品，以改善刻蚀效果。
控制系统负责设定和监测刻蚀过程的参数，如气体流量、功率、压力等。
1.准备工作：将待刻蚀的样品清洗干净，并确保真空室内部没有杂质和积尘。
2.真空抽气：将真空室的气压降低，以便创建理想的真空环境。
3.气体供应：根据刻蚀需要选择合适的气体混合物，并将其引入真空室。
4.加热样品：将待刻蚀的样品放置在加热装置上，并根据刻蚀需求设定合适的温度。
5.施加高频功率：开启高频功率源，并将其输出连接到真空室中的电极。
高频电场将气体电离，产生等离子体。
6.控制刻蚀参数：根据刻蚀需求，调节气体流量、功率以及压力等参数，以实现所需的刻蚀效果。
7.刻蚀过程：打开真空室的闸门，使等离子体进入刻蚀区域，并开始刻蚀样品表面。
在刻蚀过程中，可以根据需要监测刻蚀深度和速率。
8.刻蚀结束：根据刻蚀要求，适时关闭高频功率源，终止刻蚀过程。
然后恢复大气压力，打开真空室，取出刻蚀完毕的样品。
总结：等离子刻蚀工艺是一种重要的微纳加工技术，广泛应用于集成电路制造和其他微纳加工领域。
通过了解等离子刻蚀的基本原理和操作步骤，可以更好地掌握该技术，提高刻蚀效果和工艺稳定性。
0 等离子刻蚀工艺原理介绍
Feed Gases
BCl3/Cl2 HBr/Cl2
Comments
Cl etches Si, B improves passivation HBr provides passiviation and selectivity to PR, Cl2 providdes main etchants O2 improves selectivity to SiO2 Higher etch rate, good oxide selectivity, isotropic High etch rate, but isotropic Good profile control for deep trench
--- Process Time
工艺控制和结果
工艺可控变量 Plasma 参数 结果
Temperature Gas Flows
Gas density Residence time
Etch Rate Uniformity Selectivity
Pressure
Power Time (Magnetic Field) BSC He (Gap)
Bias 功率的作用: 离子能量
功率 --> 控制离子浓度/能量。提高 Bias 功率，提高腐蚀速率。
Bias 低离子能量
--> 低的碰撞速度。
离子能量影响方向性
--> 高离子能量意 味着离子更少偏离原来运动方向。
问答
Q&A
HBr/Cl2/O2 SF6 NF3 HBr/NF3/O2
Metal Etch平衡图
物理
离子轰击
BCl3+
化学腐蚀
Cl*
化学淀积
等离子体刻蚀工作原理
等离子体刻蚀工作原理等离子体刻蚀是一种常见的微纳加工技术，广泛应用于集成电路制造、纳米材料制备等领域。
本文将介绍等离子体刻蚀的工作原理，帮助读者更好地了解这一技术。
一、简介等离子体刻蚀是通过将气体激发成等离子体状态，利用高能离子或自由基的化学反应以及物理轰击来去除材料表面的一种技术。
它具有高精度、高速率和高选择性等特点，是制备微结构和纳米结构的重要手段。
二、等离子体刻蚀过程等离子体刻蚀过程主要分为物理刻蚀和化学刻蚀两个阶段。
1. 物理刻蚀：当气体被加热并加高电压或电磁场时，气体中的原子和分子受到激发，形成等离子体。
等离子体中的离子和自由基具有高能量，它们会以高速运动并撞击目标表面。
这种物理轰击会破坏表面原子的结构，使材料从表面脱落。
2. 化学刻蚀：等离子体中的气体离子和自由基还能与目标表面发生化学反应。
例如，在氟化氢等离子体刻蚀工艺中，氟离子会与目标材料表面的金属或氧化物发生反应，形成易溶于气体的化合物。
这种化学反应能够加速材料去除的速度。
三、刻蚀选择性控制在等离子体刻蚀中，选择性控制是非常重要的。
选择性控制指的是在多层结构中只刻蚀特定层或材料，而不会对其他层或材料产生明显影响。
以下几种机制可以实现选择性控制：1. 材料本身的选择性：不同材料在等离子体刻蚀过程中会有不同的反应速率，这是由材料的化学性质和结构特征决定的。
利用材料本身的选择性，我们可以控制特定材料的刻蚀速率，实现选择性刻蚀。
2. 掩膜层：在需要保护的区域上覆盖一层掩膜，掩膜层可以阻挡离子和自由基的轰击，从而实现对底层材料的保护。
掩膜层通常采用高耐腐蚀性和高厚度的材料。
3. 循环刻蚀：在刻蚀过程中，通过循环切换刻蚀和保护气体，可以控制刻蚀速率和选择性。
例如，在两个不同材料的刻蚀中交替使用两种不同刻蚀气体，可以实现对这两种材料的选择性刻蚀。
四、应用领域和发展趋势等离子体刻蚀技术在集成电路制造中起着至关重要的作用。
它被用于去除、修复、改变芯片表面的材料，以实现电子器件的制备和功能优化。
等离子刻蚀原理
等离子刻蚀原理
等离子刻蚀是一种常用的微纳加工技术，用于在半导体制造中去除杂质、形成纳米结构以及精确地刻蚀表面。
其原理基于等离子体（即带正电荷的高能离子和自由电子）与被刻蚀材料表面发生相互作用。
在等离子刻蚀过程中，首先需要产生等离子体。
这通常是通过将高纯度的气体（如氯气、氟气、苦味气等）引入到封闭的真空室中，并在高能电场和电弧场下对气体进行激发。
这种激发将气体分解成离子和电子，并形成带电的等离子体。
然后，这些带电的等离子体会被加速，并通过电场和磁场的调控，使其定向地撞击到待刻蚀材料表面。
撞击过程中，离子会传递给待刻蚀材料表面一部分能量，并激发该材料表面原子或分子的束缚电子。
这些激发的表面原子或分子可能会离开其原子或分子固定位置，形成反应产物，然后通过扩散和抛射的方式迁移到其他位置。
与此同时，撞击后的原子或分子释放出来的电子也会在等离子体中传递，并参与到一系列的电子和离子反应中。
这些反应将控制刻蚀速度、形状、深度和表面粗糙度等参数。
此外，通过调节激发条件、等离子体密度、控制气体的种类和流量等因素，可以对刻蚀过程进行精确控制，实现不同的刻蚀效果和图形。
总的来说，等离子刻蚀原理是利用带电的等离子体与待刻蚀材料表面相互作用，通过离子和电子的传递和相互反应，实现对
材料表面的精确刻蚀。
这种技术在半导体制造、光学器件制造和微纳加工领域具有广泛的应用。
等离子刻蚀工艺
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目录
1、 等离子体的产生原理及定义 2 、等离子刻蚀工艺的目的 3 、等离子刻蚀基本原理 4、等离子体引起的损伤 5、等离子体引起的微粒污染及解决(jiějué)方法
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1、等离子体(děnglízǐtǐ)的产生原 理及定义
固态
液态
气态
等离子体
随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液 体和气体。它们统称为物质的三态。 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子间的运动十分 剧烈，彼此间已难以(nányǐ)束缚，原子中的电子具有相当大的动 能而摆脱原子核对它的束缚，成为自由电子，原子失去电子变成 带正电的离子。这样，物质就变成了一团由电子和带正电的的离 子组成的混合物 ，这种混合物叫等离子体。它是利用外加电场的 驱动而形成，并且会产生辉光放电(Glow Discharge)现象。
等离子体会在硅片表面造成大量微粒。这些微粒是在等离子体辉光 放电过程中，通过化学反应或机械碰撞等形式形成的。 由于等离子层边界与放硅片的电极的电位差，带负电的粒子悬浮在等离 子层界面(jièmiàn)上，当维持等离子体放电的电源被切断时，这些粒子就 会落到硅片表面上，影响刻蚀的清洁度。
在工艺过程即将结束关断等离子放电电源以前，用适当的改变射频 电源功率、气体流量、磁场的方法，可以去除悬浮在等离子体壳层边界 上的微粒，尽量把微粒子排向室外。
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3、 等离子刻蚀基本原理
•
利用放电产生的游离基与材料发生化学反应
(压强一般大于10Pa)，形成挥发性产物(chǎnwù)，
从而实现刻蚀。它的特点是选择性好、对衬底的损
伤较小，但各向异性较差。在VLSI工艺中，等离子
等离子刻蚀工艺原理介绍
O2 ADDITION
H2 Addition
1
2
3
4
气体内F/C比率，腐蚀粒子与DC Bias 大小决定了工艺的聚合和腐蚀
压力作用: 驻留时间
• 驻留时间 = pV/Q
• 高流量和低压力 –低驻留时间, 反应被吸附 的时间也短。
• 需要较高的泵速, S = Q/p, 达到较短的驻留时 间。
压力影响: 气流密度
工艺控制和结果
工艺可控变量
Plasma 参数
Temperature Gas Flows Pressure Power Time (Magnetic Field) BSC He (Gap)
Gas density Residence time Ion density DC bias Free radicals Ion energy and
改变压力就能改变plasma离子/中性粒子的分 布。 高压力导致离子高的再复合速度，降低了 wafer表面的离子通量。 提高压力也增加了离子的碰撞，导致离子能 量的损失。
Source/TCP 功率的作用: Plasma浓度
•Source/TCP 功率 – 控制气体离化。提高 Source/TCP功率，提高腐蚀速率。 提高Source/TCP 功率，就增加了wafer表面的 离子通量。 提高Source/TCP 功率，就降低了离子能量。
Feed Gases
CHF3/CF4
CH3F/O2
Comments
Standard etch gas, CF4 etchant, CHF3 give more polymer, improve sel to Si Increase Sel SiN to SiO2
等离子刻蚀设备原理
等离子刻蚀设备原理一、引言等离子刻蚀设备是一种常用于微电子制造中的重要工具，它通过利用等离子体与物质表面相互作用来实现微细结构的加工和刻蚀。
本文将详细介绍等离子刻蚀设备的原理和工作过程。
二、等离子体的产生等离子刻蚀设备中的等离子体是通过将气体放电来产生的。
首先，在真空室中建立一定的气压，并通过电极加电，使气体分子发生电离，产生等离子体。
常用的气体有氟化物、氯化物等。
三、等离子体与物质表面的相互作用等离子体与物质表面的相互作用是等离子刻蚀的关键步骤。
等离子体中的带电粒子（如离子、电子等）与物质表面碰撞后，会给表面带电，从而改变表面的化学和物理性质。
这些带电粒子的能量和轰击频率决定了刻蚀的效果和速率。
四、刻蚀过程等离子刻蚀设备的刻蚀过程可以分为物理刻蚀和化学刻蚀两种方式。
1.物理刻蚀物理刻蚀是利用等离子体中的带电粒子对物质表面进行轰击，通过动能转移和沉积来达到刻蚀效果。
这种刻蚀方式适用于硅、金属等材料的刻蚀。
物理刻蚀过程中，带电粒子的能量和轰击角度是影响刻蚀效果的重要因素。
2.化学刻蚀化学刻蚀是通过等离子体中的化学反应来实现刻蚀效果。
等离子体中的化学反应通常需要添加一定的气体，如氧气、氟气等。
化学刻蚀适用于氧化物、氮化物等化合物材料的刻蚀。
五、刻蚀控制为了获得理想的刻蚀效果，等离子刻蚀设备需要进行精确的刻蚀控制。
刻蚀控制可以通过调节以下参数来实现：1.气体压力和流量：调节气体压力和流量可以控制等离子体的产生和浓度，从而影响刻蚀速率和效果。
2.放电功率和频率：调节电极加电的功率和频率可以控制等离子体的能量和轰击频率，进而影响刻蚀效果。
3.工艺时间：控制刻蚀的时间可以调节刻蚀深度，实现所需的微细结构加工。
4.控制温度：温度对等离子刻蚀过程中的化学反应有重要影响，需要合理控制以确保刻蚀效果。
六、应用领域等离子刻蚀设备在微电子制造中有广泛的应用。
它可以用于半导体器件的加工、集成电路的制造、光学薄膜的制备等领域。
等离子体蚀刻技术
等离子体蚀刻技术等离子体蚀刻技术是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、微电子等领域。
本文将从等离子体蚀刻技术的基本原理、设备和工艺参数的选择以及应用领域等方面进行介绍。
一、等离子体蚀刻技术的基本原理等离子体蚀刻技术是利用高能粒子或分子束对材料表面进行刻蚀的一种方法。
其基本原理是通过在低压气体环境中产生等离子体，利用等离子体中的离子轰击材料表面，使其发生化学反应或物理过程，从而实现对材料表面的刻蚀。
等离子体蚀刻技术具有高精度、高选择性和高均匀性等优点，能够实现微纳米级的加工。
二、等离子体蚀刻设备等离子体蚀刻设备主要由气体供给系统、真空系统、射频功率源、电极系统以及控制系统等组成。
其中，气体供给系统用于提供刻蚀气体，真空系统用于提供蚀刻环境，射频功率源用于产生等离子体，电极系统用于加速和聚焦离子束，控制系统用于控制蚀刻过程的参数。
三、等离子体蚀刻工艺参数的选择等离子体蚀刻工艺参数的选择对于实现理想的加工效果至关重要。
其中，气体种类和流量、工作压力、射频功率和电极系统的设计等是需要考虑的关键因素。
不同材料的刻蚀速率和选择性不同，需要根据具体材料的特性和加工要求进行合理选择。
四、等离子体蚀刻的应用领域等离子体蚀刻技术在半导体、光电子、微电子等领域具有广泛的应用。
在半导体行业中，等离子体蚀刻技术常用于制备集成电路和光刻掩膜等工艺步骤。
在光电子领域，等离子体蚀刻技术可以用于制备光波导器件和微结构等。
在微电子领域，等离子体蚀刻技术可以用于制备微机械系统（MEMS）和纳米加工等。
等离子体蚀刻技术是一种重要的微纳加工技术，具有广泛的应用前景。
通过合理选择蚀刻工艺参数和设备设计，可以实现高精度、高选择性和高均匀性的加工效果。
随着科技的不断进步，相信等离子体蚀刻技术将在微纳加工领域发挥更加重要的作用。
icp刻蚀工艺
icp刻蚀工艺《ICP刻蚀工艺》一、概述ICP刻蚀工艺（Inductively Coupled Plasma Etching）是一种常用的微纳加工技术，主要用于半导体器件制造和微电子技术领域。
通过利用感应耦合等离子体技术，将化学气相反应与物理功率耦合，实现对材料表面的精确刻蚀，达到微纳米级的精细加工要求。
二、基本原理1. 感应耦合等离子体：ICP刻蚀工艺利用感应耦合等离子体产生高能离子束，使之与待刻蚀的材料表面发生碰撞。
感应耦合等离子体能够提供高密度、高能量的离子束，实现高速刻蚀和精细加工。
2. 物理和化学刻蚀：ICP刻蚀工艺能够实现物理和化学刻蚀两种方式。
物理刻蚀主要通过离子束撞击材料表面的动能将其剥离，而化学刻蚀则是通过离子与待刻蚀材料表面的反应，产生可溶性产物，使之去除。
三、工艺参数与优势1. 工艺参数：a. 感应耦合功率：控制等离子体的产生与稳定；b. 气体流量与压强：控制刻蚀速率和刻蚀副产物的清除；c. 工艺时间：控制刻蚀深度和精度。
2. 优势：a. 高选择性：可实现不同材料之间的精确刻蚀，避免交叉感染和混合。
b. 高加工精度：微纳米级的刻蚀精度，可满足高精度的器件制造需求。
c. 高刻蚀速率：ICP刻蚀工艺的高功率和高能离子束能够实现高速刻蚀，提高生产效率。
d. 低表面损伤：在刻蚀过程中，ICP蚀刻工艺可以减少表面损伤和变形，保持器件性能稳定。
四、应用领域ICP刻蚀工艺在微电子器件、光学器件、MEMS（微机电系统）等领域有着广泛的应用：1. 半导体器件制造：可用于晶圆制程中的多种工艺步骤，如图案形成、沉积物去除等。
2. 光学器件制造：用于光栅、波导等光学元件的制备，实现高精度的微纳米级加工。
3. MEMS制造：用于微结构的制备，如微机械系统的零件刻蚀、多层刻蚀等。
五、总结ICP刻蚀工艺作为一种高精度、高效率的微纳加工技术，在半导体和微电子领域扮演着重要角色。
通过精确控制工艺参数，ICP刻蚀工艺可以实现各种材料的精细刻蚀，满足各类器件的制造需求。
等离子体物理基础
等离子体物理基础引言等离子体是物质的一种状态，是在高温或高能条件下，分子或原子失去或获得电子而形成的电离气体。
等离子体物理是研究等离子体性质和行为的学科，它涉及到电磁场、粒子运动、电离和复杂的相互作用等多个方面。
本文将从等离子体的定义、性质、产生方式以及应用领域等方面进行介绍。
一、等离子体的定义和性质等离子体是由正、负电荷的离子和自由电子组成的气体，由于存在大量的电子和离子，其电磁性质与普通气体有很大不同。
等离子体具有高度的电导性，可以传导电流和产生磁场。
此外，等离子体还表现出诸如等离子体波、等离子体振荡等特殊的物理现象。
二、等离子体的产生方式1. 加热法：通常使用激光、高频电磁波或电子束等加热手段，将气体加热到高温状态，使分子或原子电离，产生等离子体。
2. 放电法：通过在气体中加入足够的能量，使气体分子或原子电离，从而形成等离子体。
常见的放电方式有电弧放电、辉光放电和电晕放电等。
3. 激波法：在气体中传播激波，当激波强度足够大时，可以将气体分子或原子电离，产生等离子体。
4. 激光离子化法：利用激光的高能量将气体分子或原子电离，形成等离子体。
三、等离子体的应用领域1. 等离子体显示技术：等离子体显示器（PDP）利用等离子体的发光特性，能够实现高亮度、高对比度和快速响应的显示效果，广泛应用于大尺寸显示器和电视等领域。
2. 核聚变研究：等离子体在核聚变领域有重要应用，核聚变是模拟太阳能源的一种方式，通过将氢等离子体加热到非常高的温度和压力，使氢核融合形成氦核，释放出巨大的能量。
3. 等离子体刻蚀技术：等离子体刻蚀技术是一种常用的微纳加工技术，通过利用等离子体的化学反应和物理打击作用，可以对材料表面进行高精度的刻蚀，用于制造集成电路和微电子器件等。
4. 等离子体医学应用：等离子体在医学领域也有一定的应用，例如等离子体刀技术可以用来治疗肿瘤、凝固组织等。
5. 太阳风和宇宙等离子体：等离子体存在于太阳风和宇宙空间中，对于了解宇宙的起源和演化具有重要意义。
等离子体刻蚀工艺的物理基础
等离子体刻蚀工艺的物理基础一、本文概述等离子体刻蚀工艺，作为一种先进的微纳加工技术，在半导体工业、纳米科学、生物医学以及众多其他高科技领域中发挥着日益重要的作用。
本文将深入探讨等离子体刻蚀工艺的物理基础，以期帮助读者更好地理解这一技术的核心原理和应用价值。
等离子体，作为物质的第四态，具有独特的物理和化学性质，如高活性、高电离度和良好的导电性等。
这些特性使得等离子体在刻蚀过程中具有优异的定向性和可控性，从而能够实现对材料表面的高精度、高效率的刻蚀加工。
本文将从等离子体的基本性质出发，介绍等离子体刻蚀的基本原理和过程，包括等离子体的产生、传输、与材料表面的相互作用等。
同时，我们还将讨论影响等离子体刻蚀效果的关键因素，如等离子体参数、气体种类、刻蚀环境等，并探讨如何优化这些参数以提高刻蚀质量。
本文还将对等离子体刻蚀在不同领域的应用进行概述，包括半导体集成电路制造、微纳器件加工、生物医学材料制备等。
通过对这些应用案例的分析，我们将进一步展示等离子体刻蚀工艺的重要性和潜力。
我们将对等离子体刻蚀工艺的未来发展趋势进行展望，探讨新技术、新材料和新工艺对这一领域的影响和推动，以期为读者提供一个全面、深入的等离子体刻蚀工艺物理基础的认识。
二、等离子体基础知识等离子体，通常被称为物质的第四态（除固态、液态和气态外），是一种高度电离的气体，其中包含大量的正离子和电子，且整体呈电中性。
等离子体的特性使其成为许多先进工艺，包括等离子体刻蚀工艺的重要工具。
等离子体的形成：等离子体可以通过多种方式形成，包括加热气体使其部分或完全电离，或通过施加电场或射频场来激发气体。
在刻蚀工艺中，通常使用射频放电或直流放电来产生等离子体。
电中性：尽管等离子体中包含大量的带电粒子，但由于正离子和电子的数量大致相等，所以整体呈电中性。
高导电性：由于含有大量的可动带电粒子，等离子体具有很高的导电性。
集体行为：等离子体中的粒子行为通常表现出集体性，即大量粒子的行为可以看作是一个整体。
等离子体刻蚀工艺及设备
等离子体刻蚀工艺及设备
等离子体刻蚀工艺及设备是一种重要的微加工技术，广泛应用于半导体、光电子、MEMS等领域。
该技术利用等离子体对材料进行刻蚀，能够实现高精度、高效率的微米级加工，对于制备微电子器件和微系统具有重要的意义。
等离子体刻蚀工艺的基本原理是利用高频电场在真空中产生等
离子体，将等离子体束聚焦到加工对象表面，利用化学反应或物理撞击的方式将表面材料剥离或刻蚀。
该技术具有非接触、无损伤、高精度等特点，能够加工出各种形状和尺寸的微结构。
等离子体刻蚀设备由真空系统、高频电源、气体供给系统、加工室、聚焦系统等组成。
真空系统用于维持反应室内气体压力低于1 Pa，高频电源产生高频电场，气体供给系统提供刻蚀气体，加工室是等离子体刻蚀的主要区域，聚焦系统用于聚焦等离子体束。
在等离子体刻蚀过程中，刻蚀气体的选择和气体流量对加工效果影响较大。
常用的刻蚀气体有CF4、SF6、Ar等，不同的刻蚀气体能够实现不同的加工效果。
气体流量的调节能够控制刻蚀速率和刻蚀质量，流量过大或过小都会对加工效果产生不良影响。
等离子体刻蚀工艺和设备的发展促进了微电子器件和微系统制
备的进一步发展，未来该技术还将在纳米加工、生物医学等领域展现出更广阔的应用前景。
- 1 -。
等离子刻蚀原理
等离子刻蚀原理等离子刻蚀（Plasma Etching）是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、生物医药等领域。
它利用高能等离子体对固体表面进行化学反应和物理蚀刻，从而实现对材料的精确加工和微纳米结构的制备。
等离子刻蚀技术具有高加工精度、高选择性、高速加工等优点，因此备受关注。
等离子刻蚀的原理主要涉及等离子体的产生、等离子体与材料表面的相互作用以及蚀刻过程的调控。
首先，等离子体产生的过程通常是通过将气体置于高频电场中，使气体分子发生电离，产生电子和离子，形成等离子体。
在等离子体产生后，等离子体与材料表面发生化学反应和物理作用，导致材料表面的蚀刻和改性。
最后，通过控制等离子体的参数、反应气体的选择和流量、以及材料表面的特性，可以实现对蚀刻过程的精确控制。
在等离子刻蚀过程中，等离子体的产生是至关重要的一步。
通常采用射频（RF）或微波（MW）等高频电场来产生等离子体。
高频电场使气体分子发生电离，产生自由电子和离子，形成等离子体。
等离子体中的离子和电子具有高能量，能够对材料表面产生强烈的化学反应和物理作用，从而实现蚀刻过程。
另外，等离子体与材料表面的相互作用也是影响蚀刻效果的重要因素。
等离子体中的离子和自由基可以直接与材料表面发生化学反应，使材料发生蚀刻。
同时，等离子体中的能量也可以通过碰撞传递给材料表面，导致材料的物理蚀刻。
这种化学反应和物理作用共同作用下，实现了对材料表面的精确加工。
此外，蚀刻过程的调控也是等离子刻蚀技术的关键之一。
通过控制等离子体的参数，如密度、温度、能量分布等，可以实现对蚀刻速率、表面粗糙度、侧壁形貌等的调控。
同时，选择合适的反应气体、调节气体流量和压力，也可以影响蚀刻过程中的化学反应和物理作用。
此外，材料的表面特性，如成分、结构、形貌等，也会对蚀刻过程产生影响，因此需要进行合理的调控。
综上所述，等离子刻蚀技术是一种重要的微纳加工技术，其原理涉及等离子体的产生、等离子体与材料表面的相互作用以及蚀刻过程的调控。
双频容性耦合等离子体刻蚀工艺的物理基础
100%
化学反应
等离子体中的活性粒子与材料表 面发生化学反应，生成挥发性物 质。
80%
离子注入
高能离子注入材料表面，引起晶 格畸变和缺陷形成。
双频容性耦合等离子体刻蚀的增强机制
双频共振
通过双频电源激发等离子体， 使电子在两个频率下共振，提 高等离子体密度和活性。
耦合效应
两个频率的电场在空间上产生 叠加，增强电场强度，促进电 子碰撞和激发。
等离子体刻蚀技术简介
等离子体刻蚀是一种广泛应用的微纳 加工技术，利用等离子体中的活性粒 子与材料表面发生化学或物理反应， 实现材料的去除或改性。
等离子体刻蚀技术具有高精度、高效 率、低损伤等特点，被广泛应用于微 电子、纳米科技、光电子等领域。
等离子体刻蚀技术简介
等离子体刻蚀是一种广泛应用的微纳 加工技术，利用等离子体中的活性粒 子与材料表面发生化学或物理反应， 实现材料的去除或改性。
主题简介
双频容性耦合等离子体刻蚀工艺是一种先进的半导体制造工艺， 用于在硅片上刻蚀微细结构。
该工艺利用高频电场激发的等离子体进行刻蚀，具有高精度、高 效率和高一致性的特点。
研究背景和意义
随着半导体技术的不断发展，对微细结构刻蚀的要求越来越高，传统的刻蚀方法 已经难以满足需求。
双频容性耦合等离子体刻蚀工艺作为一种新兴技术，具有广阔的应用前景和市场 价值，因此对其物理基础进行研究具有重要的理论意义和实际应用价值。
研究成果总结
成功实现了双频容性耦 合等离子体刻蚀工艺， 提高了刻蚀速率和均匀 性。
深入研究了等离子体中 各种粒子的行为，揭示 了刻蚀过程的物理机制 。
通过实验和模拟相结合 的方法，验证了理论模 型的正确性和有效性。
等离子体刻蚀工艺的物理基础
等离子体刻蚀工艺的物理基础随着科技的不断发展，等离子体刻蚀工艺已经成为微电子、纳米科技、光电子等领域中不可或缺的关键技术。
本文将深入探讨等离子体刻蚀工艺的物理基础，包括基本概念、应用领域、技术细节以及未来发展趋势等方面。
等离子体刻蚀工艺是一种利用等离子体中的高速粒子对材料进行物理轰击，从而去除表面污染或刻蚀特定图形的工艺方法。
刻蚀过程中，目标材料表面的原子在等离子体粒子的撞击下获得足够的能量，从表面脱离或被溅射，最终形成刻蚀图案或去除污染物。
等离子体刻蚀工艺的基本原理是能量传递。
当高速的等离子体粒子撞击目标材料表面时，会将其能量传递给表面原子。
当这些原子的能量超过其结合能时，便会从表面脱附或被溅射。
这一过程可在气体辉光放电或电感耦合等条件下进行。
在等离子体刻蚀工艺中，有几个基本概念需要理解。
首先是刻蚀速率，它表示单位时间内材料表面的去除速率；其次是选择比，指不同材料在同样的刻蚀条件下，刻蚀速率的比值；还有刻蚀均匀性和刻蚀终止层厚度，它们分别表示刻蚀过程中材料表面受影响的均匀程度和刻蚀深度。
等离子体刻蚀工艺广泛应用于微电子、纳米科技、光电子等领域。
在微电子领域，等离子体刻蚀工艺被用于制造集成电路和半导体器件，如动态随机存储器（DRAM）和互补金属氧化物半导体（CMOS）等。
在纳米科技领域，等离子体刻蚀工艺被用于制造纳米材料、纳米器件以及纳米结构的加工。
在光电子领域，等离子体刻蚀工艺被用于制造光电子器件，如激光器、光电检测器等。
随着科技的发展，市场对等离子体刻蚀工艺的需求也在不断增加。
为了满足市场需求，业界不断研发新的等离子体刻蚀技术，以提高刻蚀速率、选择比、刻蚀均匀性和终止层厚度等指标。
在等离子体刻蚀工艺的发展历程中，出现了多种技术，如反应离子束刻蚀（RIBE）、磁控溅射刻蚀（MSPE）、电子回旋共振刻蚀（ECR）等。
这些技术在不同的应用领域有着各自的优势和局限。
高质量的等离子体刻蚀工艺需要精确控制技术参数，如等离子体的密度、温度、电场强度等。
等离子体刻蚀工艺的物理基础
子从射频电场中吸收的能量不是靠通常的欧姆加热
机制实现的, 而是由波与电子之间的相互作用来完
成的. 特别是对于这种等离子体, 电子的能量分布函
数 ( EEDF )呈现出很强的非 M axwe llian分布. ( 3) 负功率吸收 [ 1, 2] ( nag tive pow er absorption),
1 引言
目前, 低温等离子体微细加工手段是材料微纳 加工的关键技术, 因为它是微电子、光电子、微机械、 微光学等制备技术的基础. 特别是在超大规模集成 电路制造工艺中, 有近三分之一的工序是借助于等 离子体加工完成的, 如等离子体薄膜沉积、等离子体 刻蚀及等离子体去胶等, 其中等离子体刻蚀成为最 为关键的工艺流程之一, 是实现超大规模集成电路 生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到硅片 上不可替代的工艺. 目前在一些发达国家的实验室 里, 刻蚀线宽已经突破 0. 1 m, 并开始考虑挑战纳 米芯片的加工技术.
6 94
chttp: www. w ul.i ac. cn
物理
体表现为一个有质 驱动力 ( ponderm otive fo rce ), 它 将推动电子向放电室的中心运动.
物理学和高新技术
图 4 功率吸收剖面的实验测量结果
图 3 射频电场及电流轴向分布的实验测量结果 [ 1]
( 2) 无碰撞加热 ( co llision less heating) [ 2] , 即电
等离子体刻蚀工艺的核心问题是在提高刻蚀速
* 国家自然科学基金 ( 批准号: 10572035 )资助项目 2006- 01- 10收到 通讯联系人. Ema i:l ynw ang@ d lu.t edu. cn
35卷 ( 2006年 ) 8期
纳米刻蚀工艺中的等离子体刻蚀技术
纳米刻蚀工艺中的等离子体刻蚀技术是一种在纳米级别上进行表面加工的重要技术，其广泛用于制造纳米级的电子设备、光学元件和生物传感器等。
这种技术通过等离子体刻蚀设备产生高能粒子，以物理方式去除表面材料，从而实现纳米级别的精细加工。
等离子体刻蚀技术的工作原理主要基于物理学的电化学反应。
当高能粒子轰击目标材料时，表面材料被剥离并形成等离子体。
这些等离子体会在电场的作用下移动，最终被收集并引向收集器。
这个过程中，电化学反应会改变表面的化学性质，使得材料更容易被剥离，从而实现纳米级别的刻蚀。
相比于传统的化学腐蚀方法，等离子体刻蚀技术具有更高的精度和更快的刻蚀速度。
这是因为等离子体刻蚀技术可以在更高的能量水平上进行操作，从而更有效地去除表面材料。
此外，等离子体刻蚀技术还可以在各种材料上进行操作，包括金属、绝缘体和半导体等，这使得它在纳米制造领域具有广泛的应用前景。
然而，等离子体刻蚀技术也存在一些挑战和限制。
首先，设备成本较高，需要专业的技术人员进行操作和维护。
其次，等离子体刻蚀技术在某些材料上的应用可能会受到限制，这主要是因为材料的性质和表面状态会影响刻蚀效果。
最后，过度的刻蚀可能会导致材料的损坏或变形，因此需要严格控制刻蚀的深度和时间。
总的来说，等离子体刻蚀技术是一种非常有前途的纳米刻蚀技术。
它在纳米制造领域的应用前景广阔，但也需要注意其局限性并合理使用。
随着纳米技术和相关领域的不断发展，我们期待等离子体刻蚀技术在未来的应用中能够更加广泛和深入。
等离子刻蚀工艺研究
等离子刻蚀工艺研究
等离子刻蚀是利用等离子体对材料表面进行物理或化学处理的过程。
等离子体是由带正电荷或带负电荷的离子和电子组成的高度电离的气体。
在等离子体刻蚀中，将材料与气体放电区域相接触，通过气体离子撞击材
料表面，使其发生化学反应或被剥离。
1.高效性：等离子刻蚀可以使用高能离子撞击材料表面，使得刻蚀速
度较快，加工效率较高。
2.精确性：等离子刻蚀可以通过调整工艺参数，如气体种类、压力、
功率等，控制刻蚀速度和深度，从而实现精确的加工要求。
3.均匀性：等离子刻蚀可以在整个材料表面均匀地刻蚀，避免了传统
化学刻蚀中可能出现的不均匀刻蚀问题。
4.可选择性：等离子刻蚀可以选择性地刻蚀不同的材料，例如在多层
膜材料中刻蚀掉特定层，并保持其他层的完整性。
1.半导体制造：等离子刻蚀在半导体工艺中用于去除氧化物膜、二氧
化硅、同时还可以用于芯片的改善表面平整度以及调整芯片的电学性能。
2.显示器制造：等离子刻蚀在显示器制造中用于制造透明导电膜和液
晶显示屏中的各种驱动电极。
3.光学元件制造：等离子刻蚀可以用于制造光学元件表面的抗反射膜、滤光膜和反射膜等。
4.导电材料制造：等离子刻蚀可以用于制造导电材料的导电路径，如
金属线、导电通孔等。
总之，等离子刻蚀工艺是一种重要的表面加工技术，具有高效性、精确性、均匀性和可选择性等优势，并在半导体制造、显示器制造、光学元件制造和导电材料制造等领域得到了广泛应用。
随着科技的不断进步，等离子刻蚀工艺在材料加工领域的应用前景将更加广阔。
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* 国家自然科学基金 ( 批准号: 10572035 )资助项目 2006- 01- 10收到 通讯联系人. Ema i:l ynw ang@ d lu.t edu. cn
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物理
体表现为一个有质 驱动力 ( ponderm otive fo rce ), 它 将推动电子向放电室的中心运动.
物理学和高新技术
图 4 功率吸收剖面的实验测量结果
图 3 射频电场及电流轴向分布的实验测量结果 [ 1]
( 2) 无碰撞加热 ( co llision less heating) [ 2] , 即电
1 引言
目前, 低温等离子体微细加工手段是材料微纳 加工的关键技术, 因为它是微电子、光电子、微机械、 微光学等制备技术的基础. 特别是在超大规模集成 电路制造工艺中, 有近三分之一的工序是借助于等 离子体加工完成的, 如等离子体薄膜沉积、等离子体 刻蚀及等离子体去胶等, 其中等离子体刻蚀成为最 为关键的工艺流程之一, 是实现超大规模集成电路 生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到硅片 上不可替代的工艺. 目前在一些发达国家的实验室 里, 刻蚀线宽已经突破 0. 1 m, 并开始考虑挑战纳 米芯片的加工技术.
电子的非局域热运动, 使得等离子体中的感应电流
j 与感应电场 E 在空间分布上不是一一对应的, 它
们之间存在一个相位差 ! ( 见图 3) , 这样就导致功
率吸收 P =
1 2
R
e(E
j*
co s
! ) 在某些区域为负.
( 4) 高次谐波电流, 即等离子体中的感应电流
j 随时间 t 的 变化不是 一个简单 的正弦函 数形式
物理学和高新技术
等离子体刻蚀工艺的物理基础*
戴忠玲 毛 明 王友年
( 大连理工大学物理系 三束材料表面改性国家重点实验室 大连 116024)
摘 要 介绍了等离子体刻蚀工艺背景以及有关 等离子体刻蚀机理的研究 进展, 综 述了等离 子体刻蚀机 理的研究 方法, 着 重阐述了电容耦合放电和电感耦合放电等 离子体物 理特性, 特 别是双 频电容 耦合放电 等离子 体和等 离子体 鞘层研究中的关键问题. 关键词 等离子体, 刻蚀, 电容耦合放电, 电感耦合放电, 双 频, 鞘层
极上, 如图 5所示. 一般情况下, 两个电源的频率相 差较大, 如 27 MH z和 2 MH z. 根据熟知的定标关系 可知 [ 4] , 在电源偏压 V rf一定的情况下, 等离子体密 度 n正比于驱动电源频率 ∀ 的平方, 即 n∃ ∀2 Vrf. 这 样等离子体密度的大小是由高频电源所确定的. 实 验测量 [ 5] 已经表明, 通过 选择适当的频 率和功率, 可以各自独立地控制等离子体密度和入射到基片上
的离子能量. 一般说来, 低频电源主要对鞘层特性和 参数有影响, 进而影响入射到基片上的离子能量分 布, 而高频电源主要对等离子体参数有影响.
择运行参数非常关键, 因为许多外部控制的输入参 量可以影响等离子体特性, 反过来又影响产量. 对于 给定的反应器类型、尺寸和材料, 可以利用调控加工 运行参数 ( 气压、功率、频率等 ) 去影响 加工输出参 数 (如速率、均匀性、各向异性等 ). 目前在很大程度 上等离子体反应器设计和加工过程还取决于经验和 直觉. 由于微电子工业中超微细结构需要刻蚀尺寸 越来越小, 因而加工要求也越来越严格, 而对等离子 体物理特性进行理论研究和计算机辅助模拟不仅能
在等离子体刻蚀工艺中, 首先是在把硅晶片上 面涂抹一层由碳氢化合物构成的光敏物质, 并在光 敏物质上盖上具有一定图形规则的金属模板. 然后 进行紫外曝光, 使部分晶片的表面裸露出来. 接着再
把这种待加工的硅晶片放置到具有化学活性的低温
等离子体中 (见图 1), 进行等离子体刻蚀. 这种具有 化学活性的等离子体通常是由氯气或碳氟气体放电 产生的, 它不仅含有电子和离子, 还含有大量的活性 自由基 ( 如 C l* , C l*2 , F* , CF* 等 ) . 这些活性基团沉 积到裸露的硅晶片上时, 与硅原子相互结合而形成 挥发性的氯化硅或氟化硅分子, 从而对晶片进行各 向异性刻蚀. 另一方面, 为了控制轰击到晶片上离子 的能量分布和角度分布, 还通常将晶片放置在一个 施加射频或脉冲偏压的电极上面, 在晶片的上方将 形成一个非电中性的等离子体区, 即鞘层. 等离子体 中的离子在鞘层电场的作用下, 轰击到裸露的晶片 表面上, 并与表面层的硅原子进行碰撞, 使其溅射出 来, 从而实现对晶片的各向异性刻蚀.
最早用于半导体刻蚀工艺的等离子体就是这种 电容耦合射频放电等离子体, 已经有 30多年的历史 了. 不过在早期的等离子体刻蚀工艺中, 都是采用单 一射频功率源来驱动并维持放电. 这种单一 CCP 放 电的缺点之一是不能对等离子体密度和轰击到晶片 上的离子能量进行独立控制. 为了获得高密度等离 子体, 必须增加射频电源的电压, 然而随着射频电压 的增加, 鞘层电势和轰击到晶片上离子的能量也随
即射频电源的功率在等离子体中的吸收不是随穿透
深度的增加呈单调下降, 而是在等离子体内部功率
吸收改变符号, 并变为负的, 见图 4. 也就是说, 在某
些区域等离子体从射频电场中吸收能量 ( 图中标注 有 ∀ + #的区域 ), 而在另外一些区域, 等离子体则把
能量返给射频电场 (图中标注有 ∀ - #的区域 ). 由于
有两种不同方式的电感耦合放电: 一种是将射 频线圈缠绕在柱状放电室的侧面, 而另一种则是把 线圈放置在放电室的顶部, 如图 2 ( a) 和 ( b) 所 示. 在这两种放电装置中, 线圈中的射频电流都在等离 子体中产生沿环向的感应电流 j , 该感应电流会产 生沿环向的感应电场 E 及沿轴向和径向的磁场 Bz 和 B r. 这种感应等离子体有如下物理特征:
j1 sin( ∀t), 而会出现高次谐波电流 [ 3] , 如二次谐波电
流 j2 sin( 2∀t) . 产生这种高次谐波电流的原因也是 由于非线性性洛伦兹力作用的结果.
2. 2 电容耦合等离子体 电容耦合等离子体是通过匹配器和隔直电容把
射频电压加到两块平行平板电极上进行放电而生成 的, 两个电极和等离子体构成一个等效电容器. 这种 放电是靠欧姆加热和随机鞘层加热机制来维持的. 由于射频电压的引入, 将在两电极附近形成一个电 容性鞘层, 而且鞘层的边界是快速振荡的. 当电子运 动到鞘层边界时, 将被这种快速移动的鞘层反射而 获得能量. 对于较高的射频电压, 随机加热过程起主 导作用 [ 4] . 关于射 频鞘层的物理特 性, 我们将 在下 节详细介绍.
子从射频电场中吸收的能量不是靠通常的欧姆加热
机制实现的, 而是由波与电子之间的相互作用来完
成的. 特别是对于这种等离子体, 电子的能量分布函
数 ( EEDF )呈现出很强的非 M axwe llian分布. ( 3) 负功率吸收 [ 1, 2] ( nag tive pow er absorption),
2. 1 电感耦合等离子体 电感耦合等离子体 ( ICP ) 可以通过电流线圈缠
绕充满气体的石英玻璃管进行放电来产生, 电流源 的频率通常为射频, 即 13. 56MH z. 用这种方法已有 近百年的历史了, 不过在早期研究中, 由于放电气压 较高 ( 102 105 P a), 产生的等离子体主要用于光源 和电弧. 在 20世纪 90年代, 人们发现这种电感耦合 放电可以在很低的工作气压 ( 0. 1 1 P a) 下进行, 而 且可以产生高密度的等离子体 ( 在 1017 1018 m- 3 ) , 特别是不需要引入外磁场来增强这种放电. 正是由 于这些优点, 近年来这种等离子体已经广泛地应用 于硅半导体的刻蚀工艺中.
图 2 ( a) 螺旋状线 圈电 感耦合 放电 等离 子体 ( the so lenoidaltype, ICP)离子体 ( the p lanar- type, ICP) 反应器示意图
( 1)反常趋肤 ( anom alous sk in) 效应, 即射频电 场 E 在等离子体中的穿透深度远远大于经典趋肤 深度, 几乎可以到达等离子体内部, 见图 3. 目前对 这种反常趋肤效应起源的解释主要有两种: 一种是 来自于电子的非局域热运动; 另一种解释是来自于 作用在电子上的非线性洛伦兹力 - eu ! B [ 1] , 其具
2 大面积高密度均匀等离子体的产生 机理及物理特性
微电子工业中所采用的等离子体是由放电产生
的非平衡等离子体. 这种等离子体最显著的特性的 是不同种类的粒子具有不同的能量, 即电子的温度 很高, 一般是几个电子伏左右 ( 约为几万度 ), 而离 子及活性粒子团的温度很低, 约为室温. 正是这些高 能电子的存在, 才能够引起非平衡化学反应, 产生大 量的化学活性粒子. 为实现超微细、大面积和高速加 工的目的, 等离 子体必须具备 低气压 ( 在 mT orr量 级 ) 、大口径、高密度 ( 在 1010 1012 cm - 3 范围 ) 等特 性. 但是降低工作气压或者增加口径会导致等离子 体密度的降低. 解决这个矛盾的一种方案是采用高 频放电的方法来产生等离子体, 这样可以使电源功 率更有效地耦合给等离子体, 由此可以提高等离子 体的密度. 目前, 最有代表性的高频放电方法有电容 耦合放电、电感耦合放电、微波电子回旋共振放电、 螺旋波放电及表面波放电等. 下面仅就电感耦合放 电和电容耦合放电产生等离子体的机理进行分析.
The physics of plasm a etching
DA I Zhong L ing M AO M ing WANG Y ou N ian
(S tate K ey Labora tory ofM a terialsM od ifica tion by La ser, E lectron, and Ion B eam s, Departm en t of P hysic s, Da lian Un iversity of Technology, D alian 116024, Ch ina )