双极型三极管(结构及其放大原理)教案设计

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I、组织教学:

示意学生安静,准备开始上课。

II、复习旧课,引入新课:

1、二级管的特性曲线;

2、特殊二级管

III、讲授新课:

2.1 双极型三极管(结构及其放大原理)

一、晶体管的结构和类型

1、双极性晶体管的结构如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。

2、结构特点:

(1)基区很薄,且掺杂浓度很低;

(2)发射区的掺杂浓度远大于基区和集电区的掺杂浓度;

(3)集电结的结面积很大。

上述结构特点构成了晶体管具有放大作用的内部条件。

二、晶体管的电流放大作用

(1)晶体管具有放大作用的外部条件

发射结正偏,集电结反偏。对于NPN管,VC> VB> VE;

对于PNP管,VE> VB> VC。

(2)晶体管内部载流子的运动

发射区:发射载流子;集电区:收集载流子;基区:传送和控制载流子

发射结加正偏时,从发射区将有大量的电子向基区扩散,形成的电流为I EN。与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,形成的电流为I EP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。进入基区的电子流因基区的空穴浓度低,被复合的机会较少。又因基区很薄,在集电结反偏电压的作用下,电子在基区停留的时间很短,很快就运动到了集电结的边上,进入集电结的结电场区域,被集电极所收集,形成集电极电流I CN。在基区被复合的电子形成的电流是I BN。另外,因集电结反偏,使集电结区的少子形成漂移电流I CBO。

(3)晶体管的电流分配关系

I E = I

C

+ I

B

, ≈I

C

/I

IV、巩固新课:

双极性晶体管的结构和类型:NPN、PNP 晶体管的电流放大作用和电流分配关系V、布置作业:

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