常用半导体器件及应用单元测验(附答案)
(完整版)半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体器件电路设计与应用考核试卷
B.增加驱动电流
C.使用高介电常数材料
D.降低器件温度
14.以下哪些情况下二极管正向电流会增大：( )
A.温度升高
B.二极管尺寸增大
C.正向电压增加
D.反向偏压增加
15.在模拟开关中，以下哪些因素会影响开关的导通与截止：( )
A.控制电压
B.开关管的阈值电压
C.负载电流
D.电源电压
16.以下哪些是场效应晶体管的特点：( )
A.导通损耗
B.开关损耗
C.线路损耗
D.热损耗
11.在设计放大器时，以下哪些因素需要考虑：( )
A.频带宽度
B.电压增益
C.输入阻抗
D.输出阻抗
12.以下哪些存储器属于易失性存储器：( )
A. DRAM
B. SRAM
C. EEPROM
D. FLASH
13.以下哪些技术可以用于提高半导体器件的开关速度：( )
2. NPN型三极管的发射极掺杂浓度高于集电极。( )
3.二极管的正向压降随温度升高而降低。( )
4.在共基极放大电路中，电压增益小于1。( )
5. MOSFET的输入阻抗与温度无关。( )
6.逻辑门电路的输出只能是高电平或低电平。( )
7.功率电子器件在开关过程中不需要考虑电磁干扰。( )
8. EEPROM存储器可以在不加电的情况下长期保存数据。( )
17. __________
18. __________
19. __________
20. __________
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在N型半导体中，主要的载流子是_______。
半导体基础知识单选题100道及答案解析
半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有（）。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是（）。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是（）。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是（）。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
第6章 半导体器件习题与解答
题 6-4 图
A. 5V
B. 7V
C. 0V
6-5 在题 6-5 图所示的电路中，稳压二极管 Dz1 和 Dz2 的稳定电压分别为 5V 和 7V，其正向
压降忽略不计，则 Uo 为（ ）。A
题 6-5 图
A. 5 V
B. 7 V
C. 0 V
6-6 在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为 9 V,4 V,3.4 V,则这三个级分别为
题 6-14 图
解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。假设图中二极管为理想二极
管，可以看出 A、B 两点电位的相对高低影响了 DA 和 DB 两个二极管的导通与关断。 当 A、B 两点的电位同时为 0 时，DA 和 DB 两个二极管的阳极和阴极（UY）两端电位 同时为 0V，因此均不能导通；当 UA＝5V，UB＝0V 时，DA 的阳极电位为 5V，阴极电位 为 0（接地） ，根据二极管的导通条件，DA 此时承受正向电压而导通，一旦 DA 导通， 则 UY＞0，从而使 DB 承受反向电压（UB＝0V）而截止；当 UA＝UB＝5V 时，即 DA 和 DB 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个 1kΩ 的电阻为并联关系。 本题解答如下：
6-26 在题 6-26 图所示的各个电路中，试问晶体管工作于何种状态？
(a)
(b)
(c)
题 6-26 图
解：计算结果见下表，设uBE=0.6V。表中，ICS为晶体管饱和时的集电极电流，IBS为晶
体管临界饱和状态时的基极电流。
判断公式
（a）管
（b）管
（c）管
I
CS
≈
v CC RC
12mA
8mA
IBS=
第1章半导体器件习题及答案
第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ） 5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ） 11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35kΩ。
（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。
（ ）18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
模电单元测验题(3版)答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
半导体器件(附答案)
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________ A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
常用半导体器件及应用单元测验(附答案)
8 B
9 A
10 C
1.半导体中传导电流的载流子是（ ） 。 A.电子 B.空穴 C.自由电子和空穴 D.杂质离子 2.P 型半导体中的多数载流子是（ ） A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 3.晶体二极管正极电位是-8V，负极电位是-3V，则二极管处于（ ） 。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上答案都不对 4.共射极放大器的输入信号加在三极管的（ ）之间。 A.基极和射极 B.基极和集极 C.射极和集极 D.电源和基极 5.在共射极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（ ） 。 A.相位相同，幅度增大 B.相位相反，幅度增大 C.相位相同，幅度近似相等 D.幅度增大 6.晶体三极管发射结正偏，集电结正偏时，处于（ ）状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.微导通 7.三极管处于放大状态时，其电流分配关系为（ ） 。 A. I E I B I C B. I C I B C. I B I C I E D. I C I B I E 8.晶体三极管的穿透电流 ICEO 的大小体现了三极管的（ ） A.工作状态 B.温度稳定性 C.放大能力 D.质量好坏 9.对于 NPN 型晶体三极管处于放大时各极电位的关系应满足( )。 A. VC VB VE B. VC VB VE C. VC VE VB D. VC VE VB 10.已知某三极管的极限参数分别为 ICM=600mA，PCM=2W，V(BR)CEO=20V，以下哪个工作状态， 三极管能正常工作？（ ） A.IC=500mA，VCE=25V B.IC=800mA，VCE=10V C.IC=30mA，VCE=15V D.IC=200mA，VCE=12V
L 解： （1）V2=0.45 =
V
IL R L 0.45
习题解01
解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V 和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8 已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小 值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求图示电 路中电阻R的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流
1.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、 ②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流 区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、 增强型、耗尽型），并说明 ①、②、③与G、S、D 的对应关系。
解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管
③
③
③
③
②
②
①
①
①
①
②
②
1.22 已知场效应管的输出特性曲线如图，画出它在恒 流区的转移特性曲线。
（2）若UI＝35V时负载开路， 则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则IZ=4mA<IZmin，
所以稳压管未击穿。故
UO
RL R RL
UI
3.33V
当UI＝15V时， IZ>IZmin ，所以
UO＝UZ＝6V
同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。
UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定 电流IZmax＝25mA
3
uo1 3
uo2
t
3
1.12 在温度20℃时某晶体管的ICBO＝2μA，试问 温度是60℃时ICBO≈？
解：60℃时:
I CBO
I 5 CBO（T＝20C）
32μA
半导体器件习题及答案
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n S D x x qN dxd ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07µm x 总=x n +x p =1.87µm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =1.0*10-16A 。
＋0.7V 时，I ＝49.3µA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
解：P ＋>>n ，正向注入：0)(20202=---pn n n n L p p dx p p d ，得：)sinh()sinh()1(/00pnn pn kTqV n n n L x W L xW e p p p ---=- ⎰⨯=-=nnW x n n A dx p p qA Q 20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm ，计算此时击穿电压。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
半导体复习题(带答案)
半导体物理复习题一、选择题1. 硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（ D ）P1 A. 1 B. 2 C. 4 D. 82．关于本征半导体，下列说法中错误的是（ C ）P65A. 本征半导体的费米能级E F =E i 基本位于禁带中线处B. 本征半导体不含有任何杂质和缺陷C. 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身D. 本征半导体的电中性条件是qn 0=qp 03．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。
下面表达式中不等于复合率的是（ D ）P130 A.p τΔp B. ()[]dt t Δp d - C. n τΔn D. τ1 4．下面pn 结中不属于突变结的是（ D ）P158、159 A.合金结 B.高表面浓度的浅扩散p +n 结C.高表面浓度的浅扩散n +p 结D. 低表面浓度的深扩散结 5.关于pn 结，下列说法中不正确的是（ C ）P158、160 A. pn 结是结型半导体器件的心脏。
B. pn 结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。
C.平衡时，pn 结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。
。
6. 对于小注入下的N 型半导体材料，下列说法中不正确的是（ B ）P128 A. 0n n <<∆ B. 0p p <<∆ C. =∆n p ∆ D. 0n p <<∆7.关于空穴，下列说法不正确的是（ C ）P15A. 空穴带正电荷 B ．空穴具有正的有效质量 C ．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 D ．半导体中电子空穴共同参与导电8. 关于公式2i np n =，下列说法正确的是（ D ）P66、67A.此公式仅适用于本征半导体材料B. 此公式仅适用于杂质半导体材料C. 此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用9. 对于突变结中势垒区宽度D X ，下面说法中错误的是（C ）P177 A. p +n 结中n D x X ≈ B. n +p 结中p D x X ≈ C. D X 与势垒区上总电压D V V -成正比D. D X 与势垒区上总电压D V V -的平方根成正比10. 关于有效质量，下面说法错误的是（D ）P13、14 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用B. 原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小C. 有效质量可正可负D. 电子有效质量就是电子的惯性质量。
半导体器件作业有答案
1．半导体硅材料的晶格结构是（A）A 金刚石B 闪锌矿C 纤锌矿2．下列固体中，禁带宽度 Eg 最大的是（ C ）Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体3．硅单晶中的层错属于（ C ）Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。
A 空穴B 电子5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ）A 直接复合B 间接复合C 俄歇复合6．衡量电子填充能级水平的是（ B ）Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级 D 缺陷能级7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B ) 的一个物理量。
A 在电场作用下的运动快慢B 在浓度梯度作用下的运动快慢8．室温下，半导体 Si中掺硼的浓度为 1014cm－3，同时掺有浓度为 1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至 570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。
（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K 时，ni≈2×1017cm－3）A 1014cm－3B 1015cm－3C 1.1×1015cm－3D 2.25×105cm－3E 1.2×1015cm－3F 2×1017cm－3G 高于 EiH 低于 Ei I等于 Ei9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。
A 漂移B 隧道C 扩散10. 下列器件属于多子器件的是（ B D ）Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管 D 隧道二极管11. 平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当np<ni2 时，载流子的复合率（ C ）产生率Ａ大于Ｂ等于Ｃ小于12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ A ）Ａ重掺杂的半导体与金属接触Ｂ轻掺杂的半导体与金属接触13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（ C ）A BVCEOB BVCBOC BVEBO14．MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B ）。
半导体器件基础习题答案(完美版)
半导体器件习题答案
片的电阻率较大？说明理由。 A:
1 , n型半导体 q n N D 1 , p型半导体 q p N A
两片晶片的掺杂浓度相同，而电子的迁移率大于空穴的迁移率，因此 p 型半导体即晶片 2 的电阻率较大。 Q: (e) 在室温下硅样品中测得电子的迁移率 cm2/V .s 。求电子的扩散系数。 A:
第二章 2.2 使用价键模型，形象而简要地说明半导体 (a) 失去原子 (b) 电子 (c) 空穴 (d) 施主 (e) 受主
2.3 Q: 使用能带模型，形象而简要地说明半导体： (a) 电子 (b) 空穴 (c) 施主
(d) 受主
(e) 温度趋向于 0 K 时，施主对多数载流子电子的冻结
(f) 温度趋向于 0 K 时，受主对多数载流子空穴的冻结 (g) 在不同能带上载流子的能量分布 (h) 本征半导体
说明：当材料内存在电场时，能带能量变成位置的函数，称为“能带弯曲” Q: (b) 电子的动能为零，即 K.E.=0 A: 说明：
Q: (c) 空穴的动能 K.E.=EG/4 A: 说明：
Q: (d) 光产生 A:
说明：从外部输入的光被吸收，电子被激发后，直接从价带进入导带 Q: (e) 直接热产生
1062109053 杨旭一整理 （仅供参考）
* m* p 2 m p ( Ev E )
g v ( E )[1 f ( E )] ( Ev E ) e
1/ 2
2
3
e ( E EF ) / kT
( E E F ) / kT
...
* m* p 2m p
d g c ( E ) f ( E ) dE e ( E EF ) / kT ( Ev E )1/ 2 e ( E EF ) / kT 1/ 2 2( Ev E ) kT 0 EE
半导体二极管及其应用习题解答(修改)答案免费范文精选
半导体二极管及其应用习题解答自测题(一)1.1 判断下列说法是否正确，用“√”和“?”表示判断结果填入空内 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。
（）2. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。
（）3. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（）4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（） 1.2 选择填空1. N型半导体中多数载流子是P型半导体中多数载流子是。
A．自由电子B．空穴2. N型半导体P型半导体A．带正电 B．带负电 C．呈电中性3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 A．温度 B．掺杂浓度C．掺杂工艺 D．晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是；漂移电流方向是A．从P区到N区 B．从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时，扩散电流A．大于 B．小于 C．等于6. 当PN结外加正向电压时，扩散电流；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
A．大于 B．小于 C．等于 D．变宽E．变窄 F．不变 7. 二极管的正向电阻 A．大 B．小8. 当温度升高时，二极管的正向电压，反向电流。
A．增大 B．减小 C．基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿1.3 有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A；在外加相同的正向电压时，电流分别为10mA、 30mA、15mA。
比较而言，哪个管子的性能最好？ 1.4 试求图T1.4所示各电路的输出电压值UO，设二极管的性能理想。
VD+5V3kΩUO?5V3kΩ+VDUO7V?VD5V3kΩ1V+UO?（a）（b）（c）1VD1VD2+VD1VD2++3kΩUO9V5V?3kΩUOVD2kΩ6V?7V3kΩ5VUO_（d）（e）（f）图T1.41.5 在图T1.5所示电路中，已知输入电压ui=5sin?t（V），设二极管的导通电压Uon=0.7V。
2章常用半导体器件与应用题解
第二章常用半导体器件及应用一、习题2.1填空1. 半导材料有三个特性，它们是 ________ 、______ 、______ 。
2. 在本征半导体中加入_____ 元素可形成N型半导体，加入_________ 元素可形成P型半导体。
3. 二极管的主要特性是______________ 。
4. _____________________________________ 在常温下，硅二极管的门限电压约为V,导通后的正向压降约为_V;锗二极管的门限电压约为_______ V,导通后的正向压降约为_V。
5. ____________________________________________ 在常温下，发光二极管的正向导通电压约为_______________________________________________ V,考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在__________ mA。
6. 晶体管（BJT）是一种 ___ 控制器件；场效应管是一种_______ 控制器件。
7. 晶体管按结构分有_______ 和_______ 两种类型。
8. 晶体管按材料分有_______ 和____ 两种类型。
9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的_________ 不同。
10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结_、集电结_。
11. 从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是_______ 、 ____ 、_____ 。
12. 晶体管放大电路有三种组态__________ 、______ 、_______ 。
13. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻______________ 。
14 .三极管的交流等效输入电阻随________ 变化。
15 .共集电极放大电路的输入电阻很______ ,输出电阻很_____ 。
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= 0.85kΩ
ri= rbeL = 1.5KΩ AV=− r
βR′ L
be
= −88.2
8 B
9 A
10 C
1.半导体中传导电流的载流子是（ ） 。 A.电子 B.空穴 C.自由电子和空穴 D.杂质离子 2.P 型半导体中的多数载流子是（ ） A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 3.晶体二极管正极电位是-8V，负极电位是-3V，则二极管处于（ ） 。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上答案都不对 4.共射极放大器的输入信号加在三极管的（ ）之间。 A.基极和射极 B.基极和集极 C.射极和集极 D.电源和基极 5.在共射极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（ ） 。 A.相位相同，幅度增大 B.相位相反，幅度增大 C.相位相同，幅度近似相等 D.幅度增大 6.晶体三极管发射结正偏，集电结正偏时，处于（ ）状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.微导通 7.三极管处于放大状态时，其电流分配关系为（ ） 。 A. I E I B I C B. I C I B C. I B I C I E D. I C I B I E 8.晶体三极管的穿透电流 ICEO 的大小体现了三极管的（ ） A.工作状态 B.温度稳定性 C.放大能力 D.质量好坏 9.对于 NPN 型晶体三极管处于放大时各极电位的关系应满足( )。 A. VC VB VE B. VC VB VE C. VC VE VB D. VC VE VB 10.已知某三极管的极限参数分别为 ICM=600mA，PCM=2W，V(BR)CEO=20V，以下哪个工作状态， 三极管能正常工作？（ ） A.IC=500mA，VCE=25V B.IC=800mA，VCE=10V C.IC=30mA，VCE=15V D.IC=200mA，VCE=12V
1.P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ ） 2.半导体器件一经击穿便即失效，因为击穿是不可逆的。 （ ） 3.桥式整流电路中，若有一只二极管开路，则输出电压为原先的一半。 （ 4.用两个 PN 结就能构成三极管，它就具有放大作用。 （ ） 5.β 越大的三极管，放大电流的能力越强，管子的性能越好。 6.三极管和二极管都是非线性器件。 （ ） 7.三极管每一个基极电流都有一条输出特性曲线与之对应。 （ ） ）
四、问答题： （25 分） 1.如何判定二极管的好坏？（3 分） 万用表选择 R*100 或 R*1K 挡，红黑表笔分别接二极管两管脚测量一次，交 换表笔再测量一次。若两次测得的阻值为一大一小，则质量较好；若两次测得 的阻值均为∞， 则管子内部断路； 若两次测得的阻值均为 0， 则管子内部短路； 若两次测得的阻值相差不大，则质量不好。 2. 当开关闭合后，如图（a） 、 （b）所示，分别判断二极管和灯的状态。 （2 分）
9.若晶体三极管集电极输出电流 IC=9 mA，该管的电流放大系数为β =50， 则其输入电流 IB=_0.18_mA。 10.三极管具有电流放大作用的实际是： 利用 基极 电流实现对 集电极 电流的 控制。因此三极管是 电流 控制型器件。 11.三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即_放大_区，__饱和_区和_截止_ 区。 12.放大电路静态工作点随 温度 变化而变化，分压式 偏置电路可较好解决此 问题。 13.对于一个晶体管放大器来说， 一般希望其输入电阻要 大 些， 以减轻信号源 的负担，提高抗干扰能力；输出电阻要 小 些，以增大带动负载的能力。 二、判断题： （10 分，将答案填在下面的表格内） 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 × × √ × × √ √ × √ ×
1
流通路，求电压放大倍数 AV、输入电阻 ri、输出电阻 ro。 （8 分）
解： （1）
IBQ=
V CC −V BEQ RB
=
15 −0.7 300
= 0.0477mA
ICQ=βIBQ = 50 × 0.0477 = 2.385mA VCEQ=VCC − ICQ R C = 15 − 2.385 × 3 = 7.845V （2）rbe=300 + 1 + β
8.放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。 （ ） 9.放大器的输出信号与输入信号反相。 （ ） 10.放大器常采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入阻抗。 （ ）
三、单项选择题： （10 分，将答案填在下面的表格内） 题号 1 2 3 4 5 6 7 答案 C B B A B B A
L 解： （1）V2=0.9 = 0.9 = 10V
V
9
（2）VRM= 2V2 = 10 2 = 14.14V （3）IV=2IL=0.5A 3.在下面图示放大电路中， 已知 50 ，Rb 300k ，RC 3K ，RL 3K ，
Vcc 15V , VBEQ 0.7V 。回答问题： （1）画出直流通路，求 Q 点； （2）画出交
（5 分）
①：c
②：b ③：e β =I C = 0.02 = 99
B
PNP 型
I
1.98
6.若放大器的输出波形如下图所示，判断（a） 、 （b）分别是什么失真？该如 何调整？（4 分）
截止失真
RB 调小
饱和失真
RB 调大
五、计算题： （20 分） 1.如图所示二极管半波整流电路，若负载 RL=0.9KΩ ,负载电流 IL=10mA，试求： （1）电源变压器二次电压 V2； （2）整流二极管承受的最大反向电压 VRM； （3） 流过二极管的平均电流 IV。 （6 分）
二极管
导通
二极管 截止 （填 “导通” 或 “截止” ） 指示灯 不亮 （填“亮”或“不亮” ）
指示灯 亮
3.判断下列三极管的工作状态。 （6 分）
放大
截止
放大
截止
饱和
饱和
4.该晶体三极管处于放大状态，分析判断管脚名称、所用材料及管型。 （5 分）
①：c 硅材料
②：b ③：e
NPN 型
5.测得三极管各极电流如图，判断①、②、③管脚名称 、管型及它的放大系数
L 解： （1）V2=0.45 =
V
IL R L 0.45
=
0.9×10 0.45
= 20V
（2）VRM= 2V2 = 20 2 = 28.28V （3）IV=IL=10mA
2.如图所示桥式全波整流电路， 若输出电压 VL=9V， 负载电流 IL=1A， 试求： （1） 电源变压器二次电压 V2； （2）整流二极管承受的最大反向电压 VRM； （3）流过二 极管的平均电流 IV。 （6 分）
项目六
班级
常用半导体器件及应用
姓名 成绩
一、填空题： （35 分） 1.制作半导体器件时，使用最多的半导体材料是 硅 和 锗 。 2. 根据载流子数目的不同，可以将半导体分为 本征半导体 、 P 型半导体 和 N 型半导体 三种。 3.PN 结的单向导电性是指：加正向电压 导通 ，加反向电压 截止 。PN 结正 偏是指 P 区接电源 正 极，N 区接电源 负 极。 4.半导体二极管由一个 PN 结构成，它具有 单向导电 特性。 5.硅二极管的门坎电压是 0.5V ，正向导通压降是 0.7V ；锗二极管的门坎电 压是 0.2V ，正向导通压降是 0.3V 。 6.半导体稳压二极管都是 硅 材料制成的。它工作在 反向击穿 状态时，才呈 现稳压状态。 7.晶体三极管是由三层半导体、两个 PN 结构成的一种半导体器件，两个 PN 结 分别为 发射结 和 集电结 ；对应的三个极分别是 发射极 e 、 基极 b 、 集 电极 c 。 8.半导体三极管中，PNP 的符号是 ，NPN 的符号是 。