模电填空题答案1

第一章

一、填空题

1．杂质半导体分为（ N ）型和（ P ）型。自由电子是（ N ）型半导体中的多子。空穴是（ N ）型半导体中的中的少子。

2．杂质半导体中的少子因（本征激发）而产生，多子主要因（ 杂质电离 ）而产生。

3．常温下多子浓度等于（ 杂质 ）浓度,而少子浓度随（ 温度 ）变化显着。

4．半导体中的（ 扩散 ）电流与载流子浓度梯度成正比；（ 漂移 ）电流与电场强度成正比。

5．当（ P ）区外接高电位而（ N ）区外接低电位时，PN 结正偏。

6．PN 结又称为（ 空间电荷区 ），（ 耗尽层 ），（ 阻挡层 ）和（ 势垒区 ）。

7．PN 结的伏安方程为（ /(1)T v V S i I e =- ）。该方程反映出PN 结的基本特性是（ 单向

导电 ）特性。此外，PN 结还有（ 电容 ）效应和（ 反向击穿 ）特性。

8．PN 结电容包括（ 势垒 ）电容和（ 扩散 ）电容。PN 结反偏时，只存在（ 势垒 ）电容。反偏越大，该电容越（ 小 ）。

9．普通Si 二极管的导通电压的典型值约为（ ）伏，而Ge 二极管导通电压的典型值约为（ ）伏。

10．（ 锗 ）二极管的反向饱和电流远大于（ 硅 ）二极管的反向饱和电流。

11．PN 结的反向击穿分为（ 雪崩 ）击穿和（ 击纳 ）击穿两种机理。

12．稳压管是利于PN 结（ 反向击穿电压稳定的 ）特性工作的二极管。

13. 变容二极管是利于PN 结（ 反偏时势垒电容 ）特性工作的二极管。

14．二极管交流电阻r d 的定义式是（

D D Q dv di ），r d 的估算式（ T D Q V I ），其中热电压V T

在T=300K 时值约为（ 26 ）mV 。

第二章

一．填空题

1．当发射结正偏，集电结反偏时，BJT 工作在（ 放大 ）区，当发射结和集电结都（ 正偏 ）时，BJT 饱和；当发射结和集电结都（ 反偏 ）时，BJT 截止。

2．放大偏置的NPN 管，三电极的电位关系是（ C B E V V V >> ）。而放大偏置的PNP 管，

三电极的关系是（ C B E V V V << ）。

3．为了提高β值，BJT 在结构上具有发射区杂质密度（ 远大于 ）基区杂质密度和基

区（ 很薄 ）的特点。

4．I CBO 表示（ 集电结反向饱和电流 ），下标O 表示（ 发射极开路 ）。I CEO 表示（ 穿

透电流 ），下标O 表示（ 基极开路 ），两个电流之间的关系是（ (1)CEO CBO I I β=+ ）。

5．在放大区，i C 与i B 的关系为（ (1)C B CBO i i I ββ=++ ），对Si 管而言，i C ≈（ B i β ）。

6.共射直流放大系数β与共基直流电流放大系数α的关系是（ 1α

βα=- ）。

7.在放大区，i E ﹑i C 和i B 近似成（ 线性 ）关系，而这些电流与v BE 则是（ 指数 ）

关系。

8．放大偏置的BJT 在集电结电压变化时，会通过改变基区宽度而影响各级电流，此现

象称为（ 基区宽度调制效应 ）。

9．一条共射输入特性曲线对应的函数关系是（

()CE B BE V i f v ==常数 ）。一条共射输出特性曲线对应的函数关系是（ ()B C CE I i f v ==常数 ）。

10．当温度增加时，β（ 增加 ），I CBO （ 增加 ），而共射输入特性曲线（ 左移 ）。

（外部偏置电路一定时，这种左移使偏压BE V 减小。）

11．BJT 的三个主要极限参数是（ CM P ），（ CEO BV ）和（ CM I ）。

12．交流α的定义式为（ CB C E V i i α=∂=

∂常数 ）；交流β的定义式为（ CE C B V i i β=∂=∂常数 ）。

13．当|β | =1 时的频率称为BJT 的（ 特征频率 ）。

14．在工程上，可将不等式（ ||5be v ≤mV ）作为双极性晶体管的线性模型成立条件。

15．BJT 的小信号跨导g m 定义式为（ C m B E Q i g V '∂=

∂ ），估算式为（ C m T Q I g V ）。

16．r be 和交流β其实是两个共射H 参数，它们与混合π参数的关系是r be =（ bb b e r r ''+ ）,

β=（ m b e g r ' ）。

（后面的题号不太对应，但都能找到答案）

17．引入厄利电压V A 是为了便于估算反映基调效应的混合π参数（ ce r ）和（ b c r ' ）。

1．场效应管（FET ）依靠（ GS v ）控制漏极电流i D ,故称为（ 电压 ）控制器件。

2．FET 工作于放大区，又称为（ 饱和 ）区或（ 恒流 ）区。此时i D 主要受（ GS v ）

电压控制，而i D 几乎不随（ DS v ）电压的改变而变化。

3．N 沟道FET 放大偏置时，i D 的方向是从（ 漏 ）极到（ 源 ）极；P 沟道FET 放大

偏置时，i D 的方向是从（ 源 ）极到（ 漏 ）极。

6．符号I DSS 的含义是（ 零偏（0GS V =）饱和漏电流 ）。

7．沟道预夹断是指沟道在（ 靠近漏极端 ）位置刚好消失的状态。此时，v DS 与v GS 满

足的关系式称为（ 预夹断 ）方程。

8．耗尽 型FET 的小信号跨导定义为g m =（ D GS Q i v ∂∂放大区 ）。对于耗尽型管g m ≈（ 2||DSS D I I V ）或（ 21||DSS GS P P I V V V ⎡⎤-⎢⎥⎣⎦ ）；对于增强型管g m ≈（ 2D kI ）。

9．在放大区，耗尽型管转移特性曲线近似满足的平方律关系式为

（ 2

1GS D DSS P v i I V ⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦ ），而增强型管的平方律关系式为（ 2()D GS T i k v V =- ）。 10．根据FET 在放大区的外特性，它的栅极、源极和漏极分别与BJT 的（ 基 ）极、（ 发

射 ）极和（ 集电 ）极相似。

第三章

一、填空题

1．放大器的直流通路可用来求（ 工作点 ）。在画直流通路时，应将电路元件中的（ 电

容 ）开路，（ 电感 ）短路。

2．交流通路只反映（ 交流 ）电压与（ 交

流 ）电流之间的关系。在画交流通路时，应将耦合

和傍路电容及恒压源（ 短路 ）。