传感器第七章光电式传感器文稿演示
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第七章 光电式传感器[可修改版ppt]
1)光电管与光电倍增管 ✓特性----光电管 b)伏安特性
当入射光的频谱及光通量一定时,阳极与阴极之
间的电压同光电流的关系。
➢ 当阳极电压比较低时,阴极所 发射的电子只有一部分到达阳 极,其余部分受光电子在真空 中运动时所形成的负电场作用, 回到阴极。
➢ 随阳极电压的增强,光电流随之增大。
➢ 当阴极发射的电子全部到达阳极时,阳极电流达到 饱和状态
光敏二极管的反向偏置接线及光
电特性演示
在没有光照时,由 于二极管反向偏置,反 向电流(暗电流)很小 。
— UO +
光照
光敏二 极管的 反向偏 置接法
当光照增加 时,光电流IΦ 与光照度成正 比关系。
光电倍增管的灵敏度:一个光子射 后,阳极所得到的总电子数。
暗电流:由于环境温度、热辐射和其他因素的影响, 即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流。
本底电流:光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全 屏蔽光的情况下,出现的电流。
பைடு நூலகம்
2)光敏电阻 ✓构造 光敏电阻用半导体材料制成,没有极性, 纯粹是一个 电阻器件, 使用时既可加直流电压, 也可以加交流电压
1)光电管与光电倍增管 ✓特性----光电管 c)光谱特性
保持光通量和阳极电压不变,阳极电流与波长 之间的关系。
红限频率
I. ——铯氧银 II. ——锑化铯 III.——人眼的视觉特征
光电管的光谱特性
1)光电管与光电倍增管 ✓特性----光电倍增管
倍增系数M: Mcn
光电阴极的灵敏度:一个光子射在 阴极上所能激发的电子数。
第七章 光电式传感 器
实验
灵敏电流 计
弧光灯
锌板
铜网
紫外光照射时电流计指针发生偏转
光电式传感器的组成原理ppt课件
光线强弱 影响放大倍数
光线增强 PN导通 负电压输入
I
光线增强 短路电路
增大
U0 2I RF
应用
光学量:光强、光照度、辐射、气体成分 几何量:形状、尺寸、位移、距离、表面粗糙度、形位误 差 力学量:应变、速度、加速度、振动、流量、密度 生化量:离子浓度、荧光、电泳、染色体、分子标记
光电管研究光电效应
1.在光源灯固定L的情况下,画出光电管的伏安特性曲线 2.光源灯距离为L’( L’>L)时的伏安特性曲线
光电式数字转速表
c ZTN 60
光电比色计
用于溶液的颜色、成分、浑浊度等化学分析。
受检样品
凸透镜 光源 凸透镜 标准样品
光电池
滤色
差值
滤色
差动放大器 显示仪表
光电池
光电式带材跑偏检测器
烟尘浊度监测仪
BG4
+12V
光电池触发电路
C2 C1 R1
+12V W
R4
R2
18 7
2 5G23
6
3 R3 4
5 C3 R5
-12V
光电池放大电路
路灯自动控制器
220V
CJD-10
路灯
8V C1 200μF
200Cμ2 F
R7 10kΩ
R1 470kΩ
R2 200kΩ
R3 10kΩ
R4
R5
100μF
4.3kΩ
平行 光源
烟道
光电 探测
放大
显示
刻度 校正
报警器
太阳能电池
调节控制器
阻塞二极管
太阳 电池 方阵
直 流 负 载
逆 变 器
《光电式传感器》课件
光电式传感器的Байду номын сангаас类
• 总结词:光电式传感器有多种分类方式,如按工作方式可分为直接转换 型和间接转换型,按输出信号可分为模拟输出和数字输出等。
• 详细描述:根据工作方式的不同,光电式传感器可以分为直接转换型和间接转换型两类。直接转换型传感器利用光电效 应直接将光信号转换为电信号,如光电管、光电倍增管等;而间接转换型传感器则通过其他物理效应将光信号转换为电 信号,如光电池、光电晶体管等。此外,根据输出信号的不同,光电式传感器可以分为模拟输出和数字输出两类。模拟 输出型传感器输出连续变化的电信号,如光电管和光电池;数字输出型传感器则输出离散的电信号,如光电码盘和光电 开关等。
联网领域的应用越来越广泛。未来,需要加强光电式传感器在这些领域
的应用研究,推动相关技术的进步和发展。
03
交叉学科融合发展
光电式传感器涉及到多个学科领域,如物理学、化学、生物学等。未来
,需要加强交叉学科的融合发展,推动光电式传感器在更多领域的应用
和创新。
光电式传感器通常采用光信号传输,不易 受到电磁干扰的影响,具有较好的抗干扰 能力。
光电式传感器的缺点
对环境光敏感
光电式传感器容易受到环境光的影响 ,特别是在室外或者强光环境下,测 量精度会降低。
成本较高
光电式传感器通常需要使用高精度的 光学元件和电子元件,导致其成本较 高。
需要稳定的光源和检测器
光电式传感器需要稳定的光源和检测 器,以保证测量的准确性和稳定性。
《光电式传感器 》PPT课件
目录
• 光电式传感器概述 • 光电式传感器的应用 • 光电式传感器的优缺点 • 光电式传感器的发展趋势 • 光电式传感器的研究现状与展望
01
光电式传感器优秀优秀课件
如图9-2为光电倍增管的典型结构。它是一个除在玻璃 泡内装入光电阴极和光电阳极外,还装有若干个光电倍增 极,且在光电倍增极上涂以在电子轰击下可发射更多次级 电子的材料,倍增极的形状及位置要正好能使轰击进行下 去,在每个倍增极间均依次增大加速电压。
光电式传感器优秀优秀课件
光电式传感器优秀优秀课件
设每级的倍增率为δ,若有n级,则光电倍增管的光电流 倍增率将为δ n 。倍增级数n可在4~ 14 之间,δ的范围一般是 3~6。
如图9-21所示是两个光电管的差接电路,V1、V2为放大 管。其示值可在指示仪表P上读得。
在平衡工作状态时,指示仪表处在零位。 2.光电倍增管的测量电路
常见的光电倍增管电路如图9-22所示,各倍增极的电压 由分压电阻链R1、R2……Rn获得,被放大的电流流经负载电 阻就得到了所需的输出电压。
光电式传感器优秀优秀课件
光电式传感器优秀优秀课件
光电式传感器优秀优秀课件
如果光电倍增管用来连续监控很稳定的光源,则图中的 Cn~Cn-2可以省略。使用中往往把电源正极接地,使阳极可 以直接接到放大器的输入端而不使用隔离电容Ca,这样系统 将能响应变化很慢的光强,如果将稳定的光源加以调制,那 么就可以用电容器耦合。
当辐射源为脉冲通量时要把电源负极接地,这样噪声将更 低。这时应接入隔离电容 Ca,同时用电容器Cn~Cn-2稳定最 后几个倍增极在脉冲期间的电压,这些电容器有助于稳定增 益和防止饱和,它们通过电源去耦电容器C将脉冲电压接地。
三、光电池 1.光电池的结构与原理 (1)结构
硅光电池是在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型 杂质形成一个大面积的PN结,如图9-11所示。
(2)原理 当光照射到PN结附近时,若光子能量大于半导体材料的
光电式传感器优秀优秀课件
光电式传感器优秀优秀课件
设每级的倍增率为δ,若有n级,则光电倍增管的光电流 倍增率将为δ n 。倍增级数n可在4~ 14 之间,δ的范围一般是 3~6。
如图9-21所示是两个光电管的差接电路,V1、V2为放大 管。其示值可在指示仪表P上读得。
在平衡工作状态时,指示仪表处在零位。 2.光电倍增管的测量电路
常见的光电倍增管电路如图9-22所示,各倍增极的电压 由分压电阻链R1、R2……Rn获得,被放大的电流流经负载电 阻就得到了所需的输出电压。
光电式传感器优秀优秀课件
光电式传感器优秀优秀课件
光电式传感器优秀优秀课件
如果光电倍增管用来连续监控很稳定的光源,则图中的 Cn~Cn-2可以省略。使用中往往把电源正极接地,使阳极可 以直接接到放大器的输入端而不使用隔离电容Ca,这样系统 将能响应变化很慢的光强,如果将稳定的光源加以调制,那 么就可以用电容器耦合。
当辐射源为脉冲通量时要把电源负极接地,这样噪声将更 低。这时应接入隔离电容 Ca,同时用电容器Cn~Cn-2稳定最 后几个倍增极在脉冲期间的电压,这些电容器有助于稳定增 益和防止饱和,它们通过电源去耦电容器C将脉冲电压接地。
三、光电池 1.光电池的结构与原理 (1)结构
硅光电池是在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型 杂质形成一个大面积的PN结,如图9-11所示。
(2)原理 当光照射到PN结附近时,若光子能量大于半导体材料的
第七章 光电型传感器与测量电路
2.光生伏特效应及器件 光生伏特效应是光照引起PN结两端产生电动势的效应。 当PN结两端没有外加电场时,在PN结势垒区内仍然存在着 内建结电场,其方向是从N区指向P区,如图7-12所示。 当光照射到结区时,光照 产生的电子一空穴对在结电场 作用下,电子推向N区,空穴推 向P区;电子在N区积累和空穴 在P区积累使PN结两边的电位 发生变化,PN结两端出现一个 因光照而产生的电动势,这一 现象称为光生伏特效应。由于 它可以像电池那样为外电路提 供能量,因此常称为光电池。
图7-8 金属封装的CdS光敏电阻
图7-9 光电二极管原理图
(2) 光敏二极管PN结可以光电导效应工作,也可以光生伏特 效应工作。如图7-9所示,处于反向偏置的PN结,在无光照时 具有高阻特性,反向暗电流很小。当光照时,结区产生电子一 空穴对,在结电场作用下,电子向N区运动,空穴向P区运动, 形成光电流,方向与反向电流一致。光的照度愈大,光电流愈 大。由于无光照时的反偏电流很小,一般为纳安数量级,因此 光照时的反向电流基本上与光强成正比。
图7-3 光电管
光电倍增管的结构如图7-4 所示。在玻璃管内除装有光电 阴极和光电阳极外,尚装有若 干个光电倍增极。光电倍增极 上涂有在电子轰击下能发射更 多电子的材料。光电倍增极的 形状及位置设置得正好能使前 一级倍增极发射的电子继续轰 击后一级倍增极。在每个倍增 极间均,依次增大加速电压。 光电倍增管的主要特点是: 光电流大,灵敏度高,其倍增 率为N=δn,其中δ为单极倍增 率(3~6),n为倍增极数(4~14)。
7.3常用光电器件
光电器件是光电传感器的重要组成部分,对传感器的性能 影响很大。光电器件是基于光电效应工作的,种类很多。所谓 光电效应,是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的 能量而产生的电效应。一般地,光电效应分为外光电效应和内 光电效应两类。因此,光电器件也随之分为外光电器件和内光 电器件两类。 7.3.1 外光电效应及器件 在光的照射下,电子逸出物体表面而产生光电子发射的现 象称为外光电效应。 根据爱因斯坦假设:一个电子只能接受一个光子的能量。 因此要使一个电子从物体表面逸出,必须使光子能量ε大于该 物体的表面逸出功A。各种不同的材料具有不同的逸出功A, 因此对某特定材料而言,将有一个频率限νo(或波长限λ0),称 为“红限”,不同金属光电效应的红限见表7-2。
7光电式传感器
SiO2
P-Si
GND
2020年7月28日4时50分
34
7.3 电荷耦合器件CCD
VG=1
势阱的性质
电极电压越高势阱越深;
金属 SiO2
势阱对于电子的表面势很低;
有光照时,结内激发大量的载流子,反向 漏电流显著增加(亮电流,与光照成正比).
I
+ uA -
E
2020年7月28日4时50分
21
(3) 光电结型 (光敏二级管、光敏三极管)
原理
光敏三极管的集电结具有光敏特性;
b cP N P e
集电结相当于一个光敏二极管;
无光照时,集电结只有极小的反向饱和漏
第7章 光电式传感器
物理基础:光电效应
紫外光
可见光
红外光
10 nm 380 nm 780 nm
1000,000 nm
开始 结束
第7章 光电式传感器
定义:
被测量光学量光电器件电量
电流、电压,或电导率
组成:
光源+光路+光电器件
转换基础——光电效应
外光电效应(电子发射效应) 内光电效应
光电导效应 光生伏特效应
光敏电阻的性能曲线
光电特性
电源电压不变时,电流I与光通量φ的关系(非线性),可做测
光元件或光控开关.
伏安特性
频率特性
光通量不变时,电流I 与电压关系(线性)
硫化铅高频
在允许功率下,光敏电阻是良好线性器件. 硫化铊低频
光谱特性
光通量和压不变时,电流与入射光波长的关系. 器件对波的波长具有选择性. 可探测波长比其他光子探测器宽得多.
硅(红外)、硒(可见光)
结构:
由N型半导体(或金属)与P型半导体组成的PN结
传感器技术及应用第7章 光电式传感器图文模板
光
光电管的灵敏度。
电
式
传
感
器
传 感 器 技 术 及 应 用
第
7
章 图7-2 光电管的伏安特性
光
电
式
图7-3 光电管的光照特
传
1—氧铯阴极光电管光照特性;
感
2—锑铯阴极的光电管光照特性
器
传
感
器
技
术 及 应 用
(3)光谱特性:由于光阴极对光谱有选择性,因此光 电管对光谱也有选择性。保持光通量和阴极电压不变, 阳极电流与光波长之间的关系叫光电管的光谱特性。一 般对于光电阴极材料不同的光电管,它们有不同的红限 频率υ0,因此它们可用于不同的光谱范围。除此之外,
式
传
感
器
传
感
器
技 术
2)光敏电阻的主要参数
及 光敏电阻的主要参数有以下几个。
应 (1)暗电阻:光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电
用 阻,此时流过的电流称为暗电流。
第
(2)亮电阻:光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻。 此时流过的电流称为亮电流。
7 章
(3)光电流:亮电流与暗电流之间的差值称为光电流。
电
式
传
感
图7-5 光电倍增管的光谱特性
器
传
感
器
技 术
7.2.2 内光电元件的原理与特性
及 1.光敏电阻
应 1)结构原理
用
光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制
第
成的光电器件。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器 件,使用时既可加直流电压,又可加交流电压。无光照
7
时,光敏电阻阻值(暗电阻)很大,电路中的电流(暗
光电式传感器及应用幻灯片PPT
2021/5/23
47
5.光电耦合器件
由发光元件(如发光二极管)和光电接 收元件合并使用,以光作为媒介传递信 号的光电器件。
发光元件通常是半导体的发光二极管, 光电接收元件有光敏电阻、光敏二极管、 光敏三极管或光可控硅等。
根据其结构和用途不同,又可分为用于 实现电隔离的光电耦合器和用于检测有 无物体的光电开关。
表面有电子逸出,入射光的频率ν要大于 某一最低限度,否则当hν小于A时,不
管光通量有多大,都不可能有电子逸出,
这个最低限度的频率称为红限。当hν大 于A时,光通量越大,逸出的电子数目也 越多,光电流Iφ就越大。
2021/5/23
10
光电管符号及测量电路
光电管正常工作时,阳极电位高于阴极 电位。
在入射光频率大于“红限”的前提下, 当光电管阳极加上适当电压(几十伏) 时,从阴极表面逸出的电子被具有正电 压的阳极所吸引,在光电管中形成电流, 称为光电流。
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45
光电池和光谱特性曲线 1—硅光电池 2—硒光电池
硅光电池的光电特性 1—开路电压特性曲线 2—短路电流特性曲线
光电池的温度特性
光电池的频率特性
(3)短路电流的测量
光电池短路电流测量电路
Uo= -UR f = -I Rf
该电路的输出电压Uo与光电流I 成正比,从
而达到电流/电压转换关系。
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11
光电倍增管
光电倍增管是把微弱的光输入转换成电 子,并使电子获得倍增的电真空器件。
它有放大光电流的作用,灵敏度非常高, 信噪比大,线性好,多用于微光测量。 光电倍增管由两个主要部分构成:阴极 室和若干光电倍增极组成的二次发射倍 增系统
8光电式传感器 .ppt
二、光电器件
光信号→电信号
1、外光电效应应用器件
光电管
A
A
A——阳极,K——阴极
K到适当波长的光线照射时发射电子,中央带正 电的阳极吸引从阴极上逸出的电子,这样在光电管内就有电 子流,在外电路中便产生电流。
伏安特性
第七章 光电式传感器
入射光的频谱及光通量一定时,阳极 电流与阳极电压之间的关系。
Mn
所以
I in
式中,i为光电阴极的光电流
第七章 光电式传感器
几种光电倍增管的外形
第七章 光电式传感器
2、内光电效应应用器件:
光敏电阻 • 结构
一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越 好, 此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏 电值阻在的几暗千电欧阻以值下用一。半般导在体兆材欧料量制级成, 亮电阻
暗电阻 暗电流 亮电阻 亮电流 光电流
第七章 光电式传感器
光敏电阻演示
当光敏 电阻受到光 照时,光生 电子—空穴 对增加,阻 值减小,电 流增大。
2021/4/1
暗电流(越小越好)
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第七章 光电式传感器
光敏晶体管(二极管、三极管),有极性:
光照射——光电子空穴对——光生载流子 ——内建电场作用——光电流——PN结反向导通
在没有光照射时,反向电
光子的轰击,物体中的电子吸收入射光子的能量,而发生相 应的效应(如发射电子、电导率变化或产生电动势)。
第七章 光电式传感器
光电效应按原理又分为以下3种:
1、外光电效应:在光照作用下,物体内电子逸出 物体表面,形成光电流。
光子能量被电子吸收后,能量转化为电子逸出功
A0和动能,即:
Ek 12mv02 hf A0
N
光电式传感器和光纤传感器幻灯片PPT
3.光敏二极管的应用
1)光电路灯控制电路
2)光强测量电路
二. 光敏三级管 光电三极管比具有相同有效面积的光电二极管的光电 流大几十至几百倍,但相应速度较二极管差。 1.工作原理与结构
基极开路,集电极与发射极之间加正电压。当光照射在集电 结上时, 在结附近产生电子-空穴对, 电子在结电场的作用下, 由P区向N区运动,形成基极电流,放大β倍形成集电极电流 (光电流), 所以光电三极管有放大作用。
2.光敏三极管的基本特性
1)光谱特性与伏安特性 光谱特性与二极管相同, 伏安特性如图。
2)温度特性与光照特 性 温度特性与光敏二极管
相同,光照特性如图
3.光敏三极管的应用
1.脉冲编码器
2.转速传感器
7.2 CCD图像传感器
固态图像传感器按其结构可分为三类:电荷 耦合器件(简称CCD)、MOS图像传感器 (简称SSPA)和电荷注入器件(简称CID)。 目前,前两种用得较多。广泛用于图像传输 与识别。例如,摄像机、数码照相机、扫描 仪、复印机和机器人的眼睛等。 在本节中仅说明CCD图像传感器的工作原理 与特性
1 fm 2 f0
3.暗电流
暗电流起因于热激发产生的电子-空穴 对,是缺陷产生的主要原因。CCD器件 暗电流越小越好。
4.灵敏度
图象传感器的灵敏度是指单位发射照度下,单 位时间、单位面积发射的电量,即
S Nsq HAt
式 中 : H为 光 像 的 发 射 照 度 A为 单 位 面 积 Ns为t 时间内上能收集的子载数流 q为 电 数 , 单 位m为A/W
2)光生伏特效应。在光线作用下能够使物体产 生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应。基 于该效应的器件有光电池和光敏晶体管等。
《传感器技术与应用》课件第七章 光电式传感器
2020/2/9
2
7.1 光电传感器
7.1.1 光电效应
所谓光电效应是指在光的照射下一些金 属、金属氧化物或半导体材料释放电子 的现象。
光子是具有一定能量的微粒,是以光速
运动的粒子流。每一个光子都具有一定
的能量,它的能量大小E与其频率 成正
比。
E
h
hc
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3
7.1.1 光电效应
2020/2/9
14
(1)光敏电阻的原理和结构。
光敏电阻受到光照时,由于内光电效应,因
而其导电性能增强而电阻R0值下降,所以流
过负载电阻RL的电流
半导体
及其两端电压会发生变
电极
化。一般而言,光线越
强,电流越大。当光照
停止时,光电效应会立
玻璃底板
即消失,电阻又恢复原
值。
VCC
检流计
2020/2/9
2020/2/9
28
(2)光敏晶体管的基本特性。
① 光谱特性。
100
相对灵敏度 (%)
80
锗
硅
60
40
20
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2
入射光波长(µm)
2020/2/9
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电流 mA 电流 mA
② 伏安特性
0.10
1200 1x 0.08
0.06
1000 1x
0.04
800 1x
式为 Er aE0
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49
7.2.1 红外辐射的基本定律
3 、维恩位移定律 热辐射发射的电磁波中包含着各种
波长。物体峰值辐射波长 与物体的自 身的绝对温度 成反比,即
《光电式传感器讲》PPT课件
565,680 900 920
材料 CuSe-ZnSe ZnxCd1-xTe GaAs1-xPx
InPxAs1-x InxGa1-xAs
波长/nm 400~630 590~830 550~900 910~3150 850~1350
发光二极管的光谱特性如图所示。图中砷磷化镓 曲线有两根,这是因为其材质成分稍有差异而得到不
c
hc Eg
价带
价电子所占能带
基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
2).光生伏特效应:在光作用下能使物体产生一定方 向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二 极管、三极管。
① 势垒效应(结光电效应)
光照射PN结时,若h≧Eg,使价带中的电子跃迁
到导带,而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用
7.1 概 述 1 光的特性 光波是波长为10~106nm的电磁波。
紫外光 可见光
红外光
10 nm 380 nm 780 nm
1000,0Байду номын сангаас0 nm
性质:光都具有反射、折射、散射、衍射、干涉和
吸收等性质。
1905年,爱因斯坦提出了光
子假设:光在空间传播时,
是不连续的,也具有粒子性,
即一束光是一束以光速运动
(3)液体激光器 种类:螯合物激光器、无机液体激光器和有机染料激 光器,其中较为重要的是有机染料激光器。它的最大 特点是发出的激光波长可在一段范围内调节,而且效 率也不会降低,因而它能起着其他激光器不能起的作 用。
(4)半导体激光器 与前几种相比出现较晚,其成熟产品是砷化镓激光 器。特点:效率高、体积小、重量轻、结构简单, 适宜在飞机、军舰、坦克上应用以及步兵随身携带。 其缺点是输出功率较小。目前半导体激光器可选择 的波长主要局限在红光和红外区域。
材料 CuSe-ZnSe ZnxCd1-xTe GaAs1-xPx
InPxAs1-x InxGa1-xAs
波长/nm 400~630 590~830 550~900 910~3150 850~1350
发光二极管的光谱特性如图所示。图中砷磷化镓 曲线有两根,这是因为其材质成分稍有差异而得到不
c
hc Eg
价带
价电子所占能带
基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
2).光生伏特效应:在光作用下能使物体产生一定方 向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二 极管、三极管。
① 势垒效应(结光电效应)
光照射PN结时,若h≧Eg,使价带中的电子跃迁
到导带,而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用
7.1 概 述 1 光的特性 光波是波长为10~106nm的电磁波。
紫外光 可见光
红外光
10 nm 380 nm 780 nm
1000,0Байду номын сангаас0 nm
性质:光都具有反射、折射、散射、衍射、干涉和
吸收等性质。
1905年,爱因斯坦提出了光
子假设:光在空间传播时,
是不连续的,也具有粒子性,
即一束光是一束以光速运动
(3)液体激光器 种类:螯合物激光器、无机液体激光器和有机染料激 光器,其中较为重要的是有机染料激光器。它的最大 特点是发出的激光波长可在一段范围内调节,而且效 率也不会降低,因而它能起着其他激光器不能起的作 用。
(4)半导体激光器 与前几种相比出现较晚,其成熟产品是砷化镓激光 器。特点:效率高、体积小、重量轻、结构简单, 适宜在飞机、军舰、坦克上应用以及步兵随身携带。 其缺点是输出功率较小。目前半导体激光器可选择 的波长主要局限在红光和红外区域。
第7章 光电式传感器[168页]
硫化铅光敏电阻的光谱温度特性
光敏电阻具有光谱特性好、允许的光电流大、灵敏 度高、使用寿命长、体积小等优点,所以应用广泛。
此外许多光敏电阻对红外线敏感,适宜于红外线光 谱区工作。
光敏电阻的缺点是型号相同的光敏电阻参数参差不 齐,并且由于光照特性的非线性,不适宜于测量要求线 性的场合,常用作开关式光电信号的传感元件。
(2) 光生伏特效应 在光线的作用下能够使物体产生一定方 向的电动势的现象称为光生伏特效应。基于该效应的光电器件 有光电池。
7.1.1 光敏电阻
1. 光敏电阻的结构与工作原理
光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光
电器件,其常用的材料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑
化铟(InSb)等。
生。
为使光电流为零,必须加负的截止电压
2. 内光电效应
在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动 势的效应称为内光电效应。
内光电效应又可分为以下两类:
(1) 光电导效应 在光线作用下,对于半导体材料吸收了 入射光子能量, 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度, 就激发出电子-空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增 加,阻值减低,这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于 这种效应的光电器件。
根据能量守恒定理
hv
1 2
mv02
A0
式中:m——电子质量;
v0—电子逸出速度。
该式为爱因斯坦光电效应方程式, 由式可知:
★光子能量必须超过逸出功A0,才能产生光电子;
★入射光的频谱成分不变,产生的光电子与v02
,因此对于
外光电效应器件,即使不加初始阳极电压,也会有光电流产
(2) 亮电阻与亮电流 光敏电阻在受光照射时的电阻称 为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。
光敏电阻具有光谱特性好、允许的光电流大、灵敏 度高、使用寿命长、体积小等优点,所以应用广泛。
此外许多光敏电阻对红外线敏感,适宜于红外线光 谱区工作。
光敏电阻的缺点是型号相同的光敏电阻参数参差不 齐,并且由于光照特性的非线性,不适宜于测量要求线 性的场合,常用作开关式光电信号的传感元件。
(2) 光生伏特效应 在光线的作用下能够使物体产生一定方 向的电动势的现象称为光生伏特效应。基于该效应的光电器件 有光电池。
7.1.1 光敏电阻
1. 光敏电阻的结构与工作原理
光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光
电器件,其常用的材料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑
化铟(InSb)等。
生。
为使光电流为零,必须加负的截止电压
2. 内光电效应
在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动 势的效应称为内光电效应。
内光电效应又可分为以下两类:
(1) 光电导效应 在光线作用下,对于半导体材料吸收了 入射光子能量, 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度, 就激发出电子-空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增 加,阻值减低,这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于 这种效应的光电器件。
根据能量守恒定理
hv
1 2
mv02
A0
式中:m——电子质量;
v0—电子逸出速度。
该式为爱因斯坦光电效应方程式, 由式可知:
★光子能量必须超过逸出功A0,才能产生光电子;
★入射光的频谱成分不变,产生的光电子与v02
,因此对于
外光电效应器件,即使不加初始阳极电压,也会有光电流产
(2) 亮电阻与亮电流 光敏电阻在受光照射时的电阻称 为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。
传感器(第6版) PPT课件第7章
第二节 光电器件
一、热探测器 原理及特点:基于光辐射与物质相互作用的热效应制成的传感器, 它的突出优点是能够接收超低能量的光子,具有宽广和平坦的光谱响应, 尤其适用于红外的探测。 种类:测辐射热电偶、测辐射热敏电阻和热释电探测器。 1、测辐射热电偶 与常规热电偶相似,只是在电偶的一个接头上增加光吸收涂层,当 有光线照射到涂层上,电偶接头的温度随之升高,造成温差电势。 2、测辐射热敏电阻 用热敏电阻代替了热电偶,当有光线照射到涂层上,首先引起温度 的变化,热敏电阻再将温度转化为电阻值的变化。
第一节 光源
四、激光器 激光产生的过程: ➢某 些 物 质 的 分 子 、 原 子 、 离 子 吸 收 外 界 特 定 能 量 ( 如 特 定 频 率 的 辐 射),从低能级跃迁到高能级上(受激吸收); ➢如果处于高能级的粒子数大于低能级上的粒子数,就形成了粒子数反 转,在特定频率的光子激发下,高能粒子集中地跃迁到低能级上,发射 出与激发光子频率相同的光子(受激发射); ➢由于单位时间受激发射光子数远大于激发光子数,因此上述现象称为 光的受激辐射放大。 ➢具有光的受激辐射放大功能的器件称为激光器。
普通高等教育“十一五”国家级规划教材
传 感 器(第6版)
哈尔滨工业大学 唐文彦 主编
普通高等教育“十一五”国家级规划教材
第七章 光电式传感器
第一节 光源 第二节 光电器件 第三节 电荷耦合器件和位置敏感器件 第四节 光纤传感器 第五节 光栅式传感器 第六节 激光式传感器
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第七章 光电式传感器
波长300—380nm称为近紫外线 波长200—300nm称为远紫外线 波长10—200nm称为极远紫外线
第一节 光源
红外线:波长780—106nm 波长3μm(即3000nm)以下的称近红外线 波长超过3μm 的红外线称为远红外线。
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为了实现能级的跃迁,入射光的能量必须大于光电导材料的
禁带宽度Eg,即
h hc Eg
2、 光生伏特效应
在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫
做光生伏特效应(器件:光电池和光敏二极管、光敏三极管)。
①势垒效应(结光电效应)
光线照射PN结时,设光子能量大于禁带宽度Eg,使价带中的电
光电子逸出物体表面具有初始动能mv02 /2。
基于外光电效应的光电器件:光电管、光电倍增管
第二节 光电效应与光电器件 一、外光电效应
二、内光电效应 三、1基、本光概电导念效应 四、2外、光光电生伏效特应效器应件
五、内光电效应器件
六、应用举例
二、内光电效应
当光照射在物体上,使物体的电阻率ρ发生 变化,或产生光生电动势的现象叫做内光电效应。
1、 光电导效应 在光线作用,电子吸收光子能量从键合状态
过渡到自由状态,而引起材料电导率的变化,这 种现象被称为光电导效应。(器件:光敏电阻)
导带
自由电子所占能带
Eg
禁带
价带
不存在电子所占能带 价电子所占能带
当光照射到光电导体上时,若这个光电导体为本征半导体材料, 且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导 带上去,从而使导带的电子和价带的空穴增加,使光导体的电 导率变大。
低压汞灯的辐射波长为254nm,钠灯的辐射波长为 589nm,可被用作单色光源。
光谱灯涂以荧光剂,由于光线与涂层材料的作用, 荧光剂可以将气体放电谱线转化为更长的波长,通过 对荧光剂的选择可以使气体放电发出某一范围的波长, 如照明日光灯。气体放电灯消耗的能量为白炽灯1/2-1 /3。
3、发光二极管(LED—Light Emitting Diode)
入射光成分不变,产生的光电流与光强成正比。即光强愈大, 意味着入射光子数目越多,逸出的电子数也就越多。
光电子能否产生,取决于光电子的能量是否大于该物体的表面 电子逸出功A0。不同的物质具有不同的逸出功,即每一个物体都 有一个对应的光频阈值,称为红限频率或波长限。光线频率低于 红限频率,光子能量不足以使物体内的电子逸出,因而小于红限 频率的入射光,光强再大也不会产生光电子发射;反之,入射光 频率高于红限频率,即使光线微弱,也会有光电子射出。
1926年,美国物理学家刘 易斯把这一名词改称为“光 子”,沿用至今。
每个光子的能量:
E h
h—普朗克常数,6.626×10-34J·s; ν—光的频率(s-1)
3108m/s
可以看出光的波长越短,频率越高,光 子能量也越大。
爱因斯坦光电方程:
hv 12mv02 A0
m—电子质量;v0—电子逸出速度。
红外线:波长780—106nm
波长3μm(即3000nm)以下的称近红外线
波长超过3μm 的红外线称为远红外线
二、光源(发光器件)
1、白炽光源 最为普通的是用钨丝通电加热作为光辐射源。
一般白炽灯的辐射光谱是连续的。 发光范围:320 nm~2500 nm, 所以任何光敏元
件都能和它配合接收到光信号。 特点:寿命短而且发热大、效率低、动态特性
差,但对接收光敏元件的光谱特性要求不高,是可 取之处。
2、气体放电光源 利用电流通过气体产生发光现象制成的灯
即气体放电灯。
光谱是不连续的,光谱与气体的种类及放 电条件有关。改变气体的成分、压力、阴极材 料和放电电流大小,可得到主要在某一光谱范 围的辐射。
汞灯、氢灯、钠灯、镉灯、氦灯是光谱仪 器中常用的光源,统称为光谱灯。
激光器种类繁多,按工作物质分类: 固体激光器(如红宝石激光器) 气体激光器(如氦-氖气体激光器、二氧化碳 激光器) 液体激光器(染料激光器)。 半导体激光(如砷化镓激光器)
一、外光电效应 二、内光电效应 三、基本概念
第二节 光电效应与光电器件 四、外光电效应器件 五、内光电效应器件 六、应用举例
传感器第七章光电式传感器文稿演示
一、光的特性
光波:波长为10—106nm的电磁波
紫外线
可见光
红外光线
10 nm 380 nm 780 nm
1000,000 nm
可见光:波长380—780nm
紫外线:波长10—380nm
波长300—380nm称为近紫外线
波长200—300nm称为远紫外线
波长10—200nm称为极远紫外线
构成:由半导体PN结构成。
+
特点:工作电压低、工作电流很小;抗冲击和 抗震性能好,可靠性高,寿命长;通过调制通 -
过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。
与此相似的可供制作发光二极管的材料见下表:
材料 ZnS SiC GaP GaAs InP
LED材料
波长/nm
材料
340
CuSe-ZnSe
480 565,680
1887年,首先是赫兹(M.Hertz)在证明波动理 论实验中首次发现的;
1902年,勒纳(Lenard)也对其进行了研究,指 出光电效应是金属中的电子吸收了入射光的能量从表 面逸出的现象。但无法根据当时的理论加以解释 ;
1905年,爱因斯坦提出了光子假设。
爱因斯坦光子假设:光 在空间传播时,是不连续的 ,也具有粒子性,即一束光 是一束以光速运动的粒子流 ,爱因斯坦把这些不连续的 量子称为“光量子”。
900 920
ZnxCd1-xTe GaAs1-xPx InPxAs1-x InxGa1-xAs
波长/nm 400~630 590~830 550~900 910~3150 850~1350
4、激光器 激光(Laser: Light amplification by stimulated emission of radiation)是20世纪60 年代出现的最重大科技成就之一。具有高方向性、 高单色性、高亮度和高的相干性四个重要特性。激 光波长一般从0.15μm到远红外整个光频波段范围。 X-射线激光器。
被测量 光 电 光信号的变化 测量 U I f
传感器
电路
➢ 定义:利用光电器件把光信号转换成电信号 (电压、电流、电阻等)的装置。
➢ 构成:光源、光学通路、光电元件。 ➢ 应用:光量变化的非电量; 能转换成光量变
化的其他非电量。 ➢ 特点:非接触;响应快;性能可靠。
一、 外光电效应
定义:在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的 现象称为外光电效应,亦称光电发射效应。