《模拟电子技术》复习题10套及答案
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《模拟电子技术》复习题一
一、填空题
1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和
四部分组成。
二、选择题
1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性
B 单向导电性 C反向击穿特性
2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑
3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
.
A P 沟道增强型MOS 型
B P 沟道耗尽型MOS 型
C N 沟道增强型MOS 型
D N 沟道耗尽型MOS 型
E N 沟道结型
F P 沟道结型 ++
+++
+------D1
D2
R
Rb
Rc Rb
Rb1Rb2Re1Re2
Rc
RL C1Ce
C1C2L
15V 8V 50K
2.5K
B=50
Uo
Ui Rf
Re1Re2
Ucc
Ucc C2
Ugs+10-1-2
id
Ubs
us
Rs
R R R R R R R R
2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1
+2+4A1A2A3
A4图2-1
图2-2图2-3
图2-6
图2-4
图2-5图3-1
++
++++
------D1D2
R Rb
Rc Rb
Rb1
Rb2Re1
Re2
Rc RL C1
Ce
C1
C2
L
15V 8V 50K 2.5K
B=50
Uo
Ui +5V
Rf Re1Re2Ucc
Ucc
Ucc C2
Ugs+10-1
-2
id
Ubs
us
Rs
R
R
R
R R
R R R
2R
2R
2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3
A4图2-1
图2-2图2-3图2-6
图2-4图2-5图3-1 图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:c
B 1:c、2:e 、3:b
C 1:c、2:b、3:e
D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均
8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况
9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
A 电压串联
B 电压并联
C 电流串联
D 电流并联
10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?()
A D1导通,D2导通
B D1导通,D2截止
C D1截止,D2导通
D D1截止,D2截止
三、判断题
()1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。
()2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
()3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
()4、用电流源代替R
e
后电路的差模倍数增加。
()5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。
()6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管时)才能组成复合管。
()7、RC桥式振荡电路只要R
f≤2R
1
就能产生自激振荡。
()8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。()9、电压负反馈可以稳定输出电压。
()10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。
四、分析题
电路如图所示:
(1)写出输入级、中间级、输出级的电路名称。
(2)电阻R
3和二级管D
1
、D
2
的作用是什么?
(3)静态时T
4管射级电位U
E4
=?负载电流 I
L
=?
(4)动态时,若输出V
O
出现正负半周衔接不上的现象,为何失真?应调哪个元件?怎样调才能消除失真?