光刻工复习题
光刻工艺设备升级考核试卷
B.光刻板平整度
C.环境振动
D.操作人员经验
12.光刻工艺设备升级后，以下哪些操作可能会变得更加简便？（）
A.光刻板更换
B.光刻胶涂覆
C.参数设置
D.设备维护
13.以下哪些材料可以用作光刻工艺中的基底层？（）
A.硅片
B.玻璃
C.塑料
D.金属
14.以下哪些技术可以提高光刻工艺的生产效率？（）
A.光学邻近效应修正技术
B.双光束光刻技术
C.欧洲极紫外光刻技术
D.光刻板优化技术
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.光刻工艺中，用于保护不需要曝光区域的材料称为______。（）
2.光刻工艺设备升级时，提高分辨率的关键是______。（）
3.光刻胶的灵敏度通常用______来表示。（）
8.光刻板在光刻工艺中的主要作用是______。（）
9.光刻工艺设备升级时，应考虑设备与现有工艺的______。（）
10.光刻工艺中，常用的光刻胶类型有正性光刻胶和______。（）
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.光刻工艺设备升级后，对位精度一定会提高。（）
C.显微镜
D.烤箱
9.以下哪些技术可以减少光刻工艺中的缺陷产生？（）
A.光学邻近效应修正技术
B.双光束光刻技术
C.欧洲极紫外光刻技术
D.光刻胶优化
10.光刻工艺设备升级时，以下哪些是设备制造商需要考虑的？（）
A.设备成本
B.技术先进性
C.市场需求
D.设备颜色
11.以下哪些因素会影响光刻工艺中的对位精度？（）
激光器的光刻与微纳加工技术考核试卷
标准答案
一、单项选择题
1. A
2. D
3. C
4. B
5. C
6. B
7. A
8. A
9. C
10. A
11. B
12. C
13. A
14. B
15. B
16. A
17. C
1.激光器的基本原理是（）。
A.激光放大
B.振动放大
C.光放大
D.辐射放大
2.光刻技术中，用于控制光束形状的装置是（）。
A.光刻机
B.镜头
C.光栅
D.光刻胶
3.微纳加工中，用于去除材料的方法是（）。
A.溶解
B.化学气相沉积
C.激光刻蚀
D.机械研磨
4.光刻胶的感光性主要由其（）决定。
A.红外吸收
B.紫外吸收
11.微纳加工中，电镀技术可以实现高精度图案的沉积。（）
12.光刻胶的溶解度越高，其耐温性越好。（）
13.激光器的输出光束稳定性越好，光束发散角越小。（）
14.光刻过程中，光束的偏振状态对图案的完整性没有影响。（）
15.激光器的泵浦源功率越高，输出光束的强度越强。（）
16.微纳加工中，化学机械抛光技术可以去除材料表面的微小凹凸不平。（）
D.机械研磨
18.光刻胶的溶解度主要影响其（）。
A.感光速度
B.分辨率
C.耐温性
D.曝光速度
19.激光器的输出频率主要由（）决定。
A.激光介质
B.激光增益介质
C.激光谐振腔
D.激光泵浦源
显示器件制造中的光刻技术考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.光刻技术在显示器件制造中主要用于以下哪项？()
2.曝光过程是将光刻掩模上的图案通过光源照射到涂覆在硅片上的光刻胶上，影响曝光效果的主要因素包括光源强度、波长、曝光时间等。
3.光刻分辨率指光刻过程中能够分辨的最小图案尺寸，影响分辨率的因素有光源波长、光刻机镜头的数值孔径、光刻胶的厚度等。
4.对准是为了确保光刻掩模上的图案与硅片上的电路图案精确对齐，常用的对准方法有机械对准和光学对准。
1.光刻技术中，波长越长的光源，光刻分辨率越高。（）
2.负性光刻胶在曝光后会被显影液溶解。（）
3.光刻过程中，涂胶工艺之前不需要对硅片进行清洗。（）
4.投影式光刻技术适用于小批量生产。（）
5.光刻胶的厚度对光刻分辨率没有影响。（）
6.电子束光刻技术可以实现更高的光刻分辨率。（√）
7.光刻过程中的后烘工艺是为了提高光刻胶的附着力。（√）
1.光刻技术在显示器件制造中的应用包括以下哪些？()
A.定义像素点
B.制作金属电极
C.形成彩色滤光片
D.以上都是
2.以下哪些因素会影响光刻胶的选择？()
A.光源波长
B.工艺温度
C.光刻分辨率需求
D.以上都是
3.光刻工艺中，影响分辨率的主要因素有？()
A.光源波长
B.光刻机镜头的数值孔径
C.光刻胶的敏感度
D.以上都是
10.下列哪种光刻技术适用于大面积显示器件制造？()
光刻设备工程师面试题及答案
光刻设备工程师面试题及答案1.解释一下光刻技术在半导体制造中的作用，并举例说明你在以往项目中如何应用光刻技术来提高工艺性能。
在半导体制造中，光刻技术是一项关键的工艺步骤，用于将电路图案转移到硅片表面。
例如，在我的上一个项目中，我们成功应用了多重光刻步骤，以实现更高的分辨率和更小的器件尺寸，从而提高了芯片性能。
2.请详细解释一下硅片表面的图案转移过程中可能出现的影像问题，并提出解决方案。
在图案转移过程中，影像问题可能导致芯片质量下降。
例如，晶圆上可能出现残留的光刻胶或形状不准确的图案。
通过优化光刻胶的选择、光刻曝光参数的调整和使用先进的光刻机设备，我成功地解决了这些问题。
3.在光刻设备维护方面，你是如何进行故障诊断和修复的？请提供一个具体的案例。
在上一个项目中，我们遇到了一个光刻机械部件的故障，导致光刻图案偏移。
通过仔细的设备检查和与厂商的紧密合作，我迅速定位并更换了故障部件，最大程度减少了生产停滞时间。
4.请说明在工艺改进方面的经验，特别是通过修改光刻工艺参数来优化芯片性能的例子。
在前一份工作中，我领导了一个团队，通过调整光刻曝光时间、光刻胶厚度等参数，成功实现了芯片器件的性能提升，同时确保了制程的可控性和稳定性。
5.光刻工艺中，控制深紫外曝光机的曝光光源对芯片质量有着重要影响，你如何选择和优化曝光光源？在我的职业生涯中，我经常与供应商紧密合作，通过充分了解光源的性能参数，选择适合特定工艺的曝光光源。
通过优化光源的波长、光强度和曝光时间等参数，我确保了最佳的光刻结果。
6.请谈谈在光刻工艺中使用的掩膜设计原则，以确保图案的准确传递。
光刻掩膜设计是确保芯片质量的关键因素。
我注重设计掩膜时的分辨率、对准精度和材料选择，以最大程度地减小光刻误差。
在之前的项目中，我们成功应用了多层掩膜设计，提高了图案的清晰度和精度。
7.光刻工艺中，如何应对不同层次的图案对准要求？请分享你的经验。
不同层次的对准要求可能不同，需要细致入微的处理。
光刻——精选推荐
光刻光刻基本知识光刻工艺的定义判断题1.光刻工艺是一种光复制图像和材料刻蚀相结合的微电子基片表面微细加工技术。
（）2.光刻工艺仅仅是一种材料刻蚀的微电子基片表面微细加工技术。
（）3.超大规模集成电路需要光刻工艺具备高分辨率、高灵敏度、精密的套刻对准、大尺寸、低缺陷这几方面的要求。
（）单选题在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
（A）刻蚀（B）氧化（C）淀积（D）光刻多选题超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
（A）高分辨率（B）高灵敏度（C）精密的套刻对准（D）大尺寸（E）低缺陷光刻工艺流程判断题光刻的主要工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶。
（）光刻工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、显影、烘烤、坚膜、刻蚀、去胶。
（）单选题光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
（A）涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶（B）涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶（C）涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶（D）前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶常用光刻技术判断题光刻工艺所需要的三要素为：光刻胶、掩模版和光刻机。
（）光刻工艺所需要的三要素为：光刻胶、掩模版和光刻机；随着曝光技术的进步，可以不用掩模在晶片上就能够生成特征尺寸在亚微米范围内的图案。
（）光刻胶的种类判断题光刻胶通常可分为正胶和负胶两类。
（）光刻胶通常可分为正胶和负胶两类,不论正胶还是负胶，它们所形成的图形结构是相同的。
（）光刻胶通常可分为正胶和负胶两类,它们所形成的图形结构是互补的。
（）通常，光刻胶对湿法刻蚀有比较好的抗刻蚀能力。
（）单选题用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
（A）ARC （B）HMDS （C）正胶（D）负胶光刻胶的成分判断题光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的。
（）光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的；其中树脂是粘合剂，感光剂是一种光活性极强的化合物，两者同时溶解在溶剂中，以液态的形式保存以便于使用。
光刻工艺的流程习题
《集成电路制造工艺》习题库
10 光刻工艺的流程
一、填空题
1、常用的光学曝光方式有、、。
2、常规光学光刻采用的光源是，产生此光源的有
和。
3、曝光能量，或称曝光剂量，是曝光光源提供。
4、光刻工艺的基本工序流程为：、、、、
、、和。
5、硅片预处理主要包括和两个步骤，预处理的主要目的是。
6、旋转涂胶的目的主要是在硅片表面得到。
7、显影技术中需要利用将经过曝光后的溶解掉，从而在
上显示出与掩膜版对应的图形。
8、坚膜烘培的主要目的是改善，增强。
二、判断题
1、涂胶之前，要对硅片表面进行预处理，包括清洗硅片、脱水烘烤及涂抹增粘剂。
（）
2、涂胶时，为了得到均匀性较好的光刻胶，必须严格控制环境的温度和湿度。
（）
3、曝光之前第一步要将掩膜版上的对准几号与硅片上的对准记号对准。
（）
4、由于光刻工艺所在区域一般采用黄光照明，所以传统的光学曝光光源也是黄光。
（）
5、正胶的显影液一般是二甲苯，负胶的显影液一般是碱性试剂。
（）
6、负性光刻胶对温度变化非常敏感，显影时必须精确控制显影温度，否则会影响光刻的线宽。
（）
7、光刻工艺后如果检测发现有线宽尺寸异常或对位控制异常，硅片只能报废处理，很难纠正错误。
（）
三、简答题
1、简述光刻工艺基本流程的工艺步骤，并按照先后顺序，说明其主要的作用？
1。
半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工考点模拟考试
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点模拟测试测试时间：120分钟测试总分：100分遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,保证测试结果公正.1、问做题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？此题答案：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除此题解封析：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除去并得到所需I 图形的工艺.I 2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何I 图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中央，I为后面的刻蚀和离子注入做准备.决定了芯片的性能,成品率,可靠性.I 2、填空题⅛铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的原因是铝的外表在空气中极易生成一层〔〕，它们阻挡了铝原子之间的紧密接触,达不到原子之间引力范围的间距.此题答案：氧化物此题解析：氧化物3、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成.底盘、管帽和引线的材料常常是1〕∙A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐4、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛限制、温度限制和密封腔体内〔J控制.此题答案：湿度此题解析：湿度5、单项选择题双极晶体管的lc7r噪声与〔〕有关.A.基区宽度B.外延层厚度C.外表界面状态此题答案：C此题解析：暂无解析6、问做题什么叫晶体缺陷？此题答案：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺此题解析：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺陷.7、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是〔〕和〔〕.此题答案：平均投影射程；平均投影标准差此题解析：平均投影射程；平均投影标准差8、填空题禁带宽度的大小决定着〔〕的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化.此题答案：电子从价带跳到导带此题解析：电子从价带跳到导带9、单项选择题变容二极管的电容量随〔〕变化∙A.正偏电流B.反偏电压C结温此题答案：B10、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有〔〕〔〕〔〕隔离等三种基本方法.此题答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合此题解析：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合11、问做题洁净区工作人员应注意些什么？此题答案：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来此题解析：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝,禁止用手表,首饰,指甲油，吸烟,化妆,工作只能在洁净面上进行.12、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有〔J、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间∙A.准备工具B.准备模塑料C.模塑料预热此题答案：C此题解析：暂无解析13、问做题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？此题答案：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低此题解析：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低欧姆接触电阻；3、在半导体和金属之间有很好的附着水平；4、抗电迁水平强；5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；6、抗侵蚀和抗氧化性好.7、具有高的导电率和纯度.8、与下层存底〔通常是二氧化硅或氮化硅〕具有良好的粘附性.9、与半导体材料连接时接触电阻低.10、能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜,易于填充通孔.Ilv易于光刻和刻蚀,容易制备出精细图形.12、很好的耐腐蚀性.13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性.14、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2%（质量比〕的硝化纤维素溶解于98%（质量比〕的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20%的运载剂与〔J的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料.A.80%~90%B.10%~20%C.40%-50%此题答案：A此题解析：暂无解析15、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请,经党支部委员会同意,可以少交或免交.此题答案：对此题解析：暂无解析16、单项选择题溅射法是由〔〕轰击靶材外表,使靶原子从靶外表飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜∙A.电子B.中性粒子C.带能离子此题答案：C此题解析：暂无解析17、填空题延生长方法比拟多,其中主要的有〔J外延、〔〕外延、金属有机化学气相外延、外延、原子束外延、固相外延等.此题答案：化学气相；液相；分子束此题解析：化学气相；液相；分子束18、单项选择题恒定外表源扩散的杂质分布在数学上称为〔〕分布.A.高斯B.余误差C指数此题答案：B此题解析：暂无解析19、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠〔〕封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素.A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形此题答案：B此题解析：暂无解析20、填空题最常用的金属膜制备方法有〔J加热蒸发、〔〕蒸发、C〕.此题答案：电阻；电子束；溅射此题解析：电阻；电子束；溅射21、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线，〔〕做绝缘和密封.A.塑料B.玻璃C金属此题答案：B此题解析：暂无解析22、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（〕∙A.小于0.1mmB.0.5"2.0mm匚大于2.0mm此题解析：暂无解析23、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价〔J的重要标志.A.扩散层质量B.设计C.光刻此题答案：A此题解析：暂无解析24、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液.碑化像片用〔J系、氢氧化氨系蚀腐蚀液. 此题答案：硫酸此题解析：硫酸25、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类.半导体器件的粘封工艺一般选用〔〕∙A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂此题答案：B此题解析：暂无解析26、单项选择题双极晶体管的高频参数是[].A.hFEVcesB.BVceC.ftfm此题答案：C此题解析：暂无解析27、填空题二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温〔〕、〔J淀积、PECVD淀积.此题答案：氧化；气相此题解析：氧化；气相28、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为〔〕、〔〕等.此题答案：导电胶粘接；银浆烧结此题解析：导电胶粘接；银浆烧结29、填空题如果热压楔形键合小于引线直径L5倍或大于3.。
光刻间试题
1.匀胶机单次吐胶胶量约为（）ml。
A.0.5B.1.0C.1.5D.2.02.匀胶机背喷标准时间约为（）S。
A.1B.2C.3D.43.热盘最高温度约为（）度。
A.120B.150C.180D.2104.下面工艺流程正确的一组是（）。
A.去水烘烤——预处理——匀胶——前烘——显影——光刻——后烘B.去水烘烤——匀胶——后烘——预处理——光刻——显影——后烘C.预处理——去水烘烤——匀胶——前烘——光刻——显影——后烘D.去水烘烤——预处理——匀胶——前烘——光刻——显影——后烘5.匀胶机器KS—L50C中L所代表的含义为（）。
A.匀胶设备B.线性C.芯片缩写D.厂方缩写6.光刻机汞灯使用时间约为（）h。
A.1200B.1500C.1800D.21007.光刻机汞灯均匀性Lamp ihumination Eniformity (+/—）调为多少为最佳（）。
A.小于2%B.小于3%C.小于4% 小于5%8.背喷液主要成分是（）。
A.水B.酒精C.丙酮D.异丙醇9.光刻间要求洁净等级为（）。
A.十级B.百级C.千级D.万级10.对于光刻机掩膜板操作正确的是（）（多选题）。
A.操作前用氮气对掩膜板进行冲洗B.可以触摸掩膜板上透明部分C..不可以触摸掩膜板上透明部分D.银色的一面朝上摆放E.棕色的一面朝上摆放11.定影液的主要成分是（）。
A.纯水B.酒精C.异丙醇D.酒精与水混合物12.光刻机曝光时选取基片是从上往下选取。
（）A.是B.否13.预处理后的基片是否能用氮气直接吹洗。
（）A.能B.不能14.烘箱前烘时候是否能使用冷片盒直接烘烤。
（）A能 B.不能15.光刻机设备正常保养周期约为（）。
A.1个月B.2个月C.3个月D.4个月简答题1.简述匀胶机甩胶盒清洗步骤。
2.简述光刻机关机步骤。
3.现有一片基片在曝光过程中出现真空异常报警，现判定为机械手上有颗粒影响真空，请简述处理步骤。
4.简述每天进入光刻间生产准备工作。
光电子器件制造中的光刻技术考核试卷
B.提高成像质量
C.防止光刻胶脱落
D.提高曝光剂量
14.下列哪些方法可以用于改善光刻胶的涂覆质量？（）
A.优化涂覆工艺参数
B.使用旋涂法
C.使用喷枪涂覆
D.控制环境湿度和温度
15.光刻工艺中的显影步骤对显影液的要求包括哪些？（）
A.适当的浓度
B.控制温度
C.良好的均一性
D.适当的显影时间
A.氩灯
B.紫外灯
C.激光
D. X射线
15.光刻工艺中，下列哪种方法可以减小曝光过程中的焦深效应？（）
A.使用较小的曝光剂量
B.采用高数值孔径的光刻机
C.增加光刻胶的厚度
D.降低光源的功率
16.下列哪种光刻胶适用于深紫外光刻技术？（）
A.正性光刻胶
B.负性光刻胶
C.化学放大光刻胶
D.无机光刻胶
17.光刻工艺中，下列哪种因素会影响图形的线宽控制？（）
6. √
7. ×
8. ×
9. √
10. √
五、主观题（参考）
1.光刻技术是半导体制造中的关键工艺，决定了器件的图形精度和尺寸。主要步骤包括：涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影、后烘和去除光刻胶。涂覆光刻胶是为了保护硅片和传递图形，前烘是为了固定光刻胶，曝光是通过光刻胶传递图形，显影是显影出图形，后烘是为了增强图形的稳定性，去除光刻胶是为了进行后续工艺。
2.描述光刻胶的两种类型（正性光刻胶和负性光刻胶）在曝光和显影过程中的行为差异。
3.光刻工艺中的分辨率受哪些因素影响？如何通过调整工艺参数来提高分辨率？
4.阐述极紫外光刻（EUVL）技术相对于传统光刻技术的优势，以及在实际应用中面临的主要挑战。
标准答案
半导体器件的光刻胶技术考核试卷
10.涂覆速度、压力、环境温湿度
四、判断题
1. ×
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. ×
7. ×
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.光刻胶主要用于在半导体制造中选择性地保护或暴露硅片上的特定区域。正性光刻胶在曝光后溶解度降低，而负性光刻胶溶解度增加。显影过程中，正性光刻胶未曝光部分溶解，负性光刻胶曝光部分溶解。
C.环境湿度
D.所有上述因素
14.光刻胶的烘烤工艺主要用于以下哪个目的？（）
A.去除光刻胶中的溶剂
B.改变光刻胶的对比度
C.提高光刻胶的粘度
D.降低光刻胶的灵敏度
15.以下哪种光刻胶适用于电子束光刻工艺？（）
A. PMMA
B. PSG
C. PI
D.高分子量PMMA
16.以下哪个步骤不属于光刻工艺的基本流程？（）
8.极紫外光刻工艺中，常用的光刻胶类型是________。
9.光刻胶的烘烤温度一般设定在________摄氏度左右。
10.为了提高光刻胶的涂覆质量，需要控制________等因素。
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.光刻胶在半导体器件制造中主要起保护作用。（）
11. A, B, D
12. A, B, C
13. A, B, D
14. A, B
15. A, B, C, D
16. C, D
17. A, D
18. A, B
19. A, B, C, D
20. D
三、填空题
1.负性
2.降低
3. 365nm至248nm
光电子器件制造中的光刻技术考核试卷
A.光源波长
B.光刻机焦距
C.光刻版质量
D.所有以上选项
8.下列哪个材料是用于制造光刻版的常用材料？（）
A.石英
B.硅
C.铜合金
D.不锈钢
9.光刻工艺中，以下哪个步骤用于去除未被曝光的光刻胶？（）
A.曝光
B.显影
C.烘干
D.蚀刻
10.以下哪个技术不属于光刻技术？（）
C.光刻机的光学系统
D.基片的表面质量
8.光刻版在光刻工艺中的作用包括以下哪些？（）
A.定义图案
B.传递光源能量
C.提供对准标记
D.所有以上选项
9.以下哪些因素会影响光刻工艺中的曝光均匀性？（）
A.光源功率分布
B.光刻机光学系统
C.光刻版的厚度
D.基片的表面形态
10.光刻胶的性质包括以下哪些？（）
A.粘度
2.描述光刻工艺的基本步骤，并解释每个步骤的目的。
3.试比较接触式光刻和投影式光刻的优缺点。
4.请阐述影响光刻工艺分辨率的主要因素，并说明如何提高分辨率。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. A
3. A
4. D
5. B
6. C
7. D
8. A
9. B
10. D
11. D
12. C
13. D
14. A
15. D
C.曝光
D.蚀刻
5.深紫外光刻技术中，常用的光源波长包括以下哪些？（）
A. 193nm
B. 248nm
C. 365nm
D. 13.5nm
6.以下哪些技术可用于光刻工艺中的对准？（）
光刻工艺问答
PHOTO 流程答：上光阻→曝光→显影→显影後检查→CD量测→Overlay量测何为光阻其功能为何其分为哪两种答：Photoresist光阻.是一种感光的物质,其作用是将Pattern从光罩Reticle上传递到Wafer上的一种介质;其分为正光阻和负光阻;何为正光阻答：正光阻,是光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除;何为负光阻答：负光阻也是光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感光的部分则被显影过程去除;什幺是曝光什幺是显影答：曝光就是通过光照射光阻,使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理,以将图形清晰的显现出来的过程;何谓 Photo答：Photo=Photolithgraphy,光刻,将图形从光罩上成象到光阻上的过程;Photo主要流程为何答：Photo的流程分为前处理,上光阻,Soft Bake, 曝光,PEB,显影,Hard Bake等;何谓PHOTO区之前处理答：在Wafer上涂布光阻之前,需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作,以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布;前处理主要包括Bake,HDMS等过程;其中通过Bake 将Wafer表面吸收的水分去除,然后进行HDMS工作,以使Wafer表面更容易与光阻结合; 何谓上光阻答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜;光阻通过喷嘴Nozzle被喷涂在高速旋转的Wafer表面,并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面;何谓Soft Bake答：上完光阻之后,要进行Soft Bake,其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽,同时也将光阻中的残余内应力释放;何谓曝光答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程,同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程;何谓PEBPost Exposure Bake答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程;其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应,以使被曝光的图形均匀化;何谓显影答：显影类似于洗照片,是将曝光完成的Wafer进行成象的过程,通过这个过程,成象在光阻上的图形被显现出来;何谓Hard Bake答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发,并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程;何为BARC何为TARC它们分别的作用是什幺答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC 是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质,TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质;他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射,以使曝光的大部分能量都被光阻吸收;何谓 Iline答：曝光过程中用到的光,由Mercury Lamp汞灯产生,其波长为365nm,其波长较长,因此曝光完成后图形的分辨率较差,可应用在次重要的层次;何谓 DUV答：曝光过程中用到的光,其波长为248nm,其波长较短,因此曝光完成后的图形分辨率较好,用于较为重要的制程中;I-line与DUV主要不同处为何答：光源不同,波长不同,因此应用的场合也不同;I-Line主要用在较落后的制程微米以上或者较先进制程微米以下的Non-Critical layer;DUV则用在先进制程的Critical layer上;何为Exposure Field答：曝光区域,一次曝光所能覆盖的区域何谓 Stepper 其功能为何答：一种曝光机,其曝光动作为Step by step形式,一次曝整个exposure field,一个一个曝过去何谓 Scanner 其功能为何答：一种曝光机,其曝光动作为Scanning and step形式, 在一个exposure field曝光时, 先Scan完整个field, Scan完後再移到下一个field.何为象差答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何答：Exposure Field大,象差较小曝光最重要的两个参数是什幺答：Energy曝光量, Focus焦距;如果能量和焦距调整的不好,就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形,主要表现在图形的CD值超出要求的范围;因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距,这两个参数对于不同的产品会有不同;何为Reticle答：Reticle也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩,曝光过程中的原始图形的载体,通过曝光过程,这些图形的信息将被传递到芯片上;何为Pellicle答：Pellicle是Reticle上为了防止灰尘dust或者微尘粒子Particle落在光罩的图形面上的一层保护膜;何为OPC光罩答：OPC Optical Proximity Correction为了增加曝光图案的真实性,做了一些修正的光罩,例如,微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩;何为PSM光罩答：PSM Phase Shift Mask不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象,目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer如AA,POLY,METAL1以增加图形的分辨率; 何为CR Mask答：传统的铬膜光罩,只是利用光讯0与1干涉成像,主要应用在较不Critical 的layer 光罩编号各位代码都代表什幺答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号,00代表Special code,156代表layer,A 代表客户版本,后一个A代表SMIC版本,1代表FAB1,D代表DUV如果是J,则代表I-line,A 代表ASML机台如果是C,则代表Canon机台光罩室同时不能超过多少人在其中答：2人,为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩;存取光罩的基本原则是什幺答：1 光罩盒打开的情况下,不准进出Mask Room,最多只准保持2个人2 戴上手套3 轻拿轻放如何避免静电破坏Mask答：光罩夹子上连一导线到金属桌面,可以将产生的静电导出;光罩POD和FOUP能放在一起吗它们之间至少应该保持多远距离答：不能放在一起,之间至少要有30公分的距离,防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩;何谓 Track答：Photo制程中一系列步骤的组合,其包括：Wafer的前、后处理,Coating上光阻,和Develop显影等过程;In-line Track机台有几个Coater槽,几个Developer槽答：均为4个机台上亮红灯的处理流程答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态,此时已经不能RUN货,因此应该及时Call 进行处理;若EE现在无法立即解决,则将机台挂DOWN;何谓 WEE 其功能为何答：Wafer Edge Exposure;由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀,因此一般不能得到较好的图形,而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形,因此将Wafer Edge的光阻曝光,进而在显影的时候将其去除,这样便可以消除影响;何为PEB其功能为何答：Post Exposure Bake,其功能在于可以得到质量较好的图形;消除standing waves PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻答：目前正负光阻都有,SMIC FAB内用的为负光阻;RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉,如果有少,则进一步查看机台是否有Reject记录;何谓 Overlay 其功能为何答：迭对测量仪;由于集成电路是由很多层电路重迭组成的,因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度,如果对准精度超出要求范围内,则可能造成整个电路不能完成设计的工作;因此在每一层的制作的过程中,要对其与前层的对准精度进行测量,如果测量值超出要求,则必须采取相应措施调整process condition.何谓 ADI CD答：Critical Dimension,光罩图案中最小的线宽;曝光过后,它的图形也被复制在Wafer上,通常如果这些最小的线宽能够成功的成象,同时曝光的其它的图形也能够成功的成象;因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适;何谓 CD-SEM 其功能为何答：扫描电子显微镜;是一种测量用的仪器,通常可以用于测量CD以及观察图案;PRS的制程目的为何答：PRS Process Release Standard通过选择不同的条件能量和焦距对Wafer曝光,以选择最佳的process condition;何为ADIADI需检查的项目有哪些答：After Develop Inspection,曝光和显影完成之后,通过ADI机台对所产生的图形的定性检查,看其是否正常,其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect何为OOC, OOS,OCAP答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan当需要追货的时候,是否需要将ETCH没有下机台的货追回来答：需要;因为通常是process出现了异常,而且影响到了一些货,因此为了减少损失,必须把还没有ETCH的货追回来,否则ETCH之后就无法挽回损失;PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点答：5点,Wafer中间一点,周围四点;PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点答：20PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片答：1,6,15,24; 统计随机的考量何谓RTMS,其主要功能是什幺答：RTMS Reticle Management System 光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理PHOTO区的主机台进行PM的周期答：一周一次PHOTO区的控片主要有几种类型答：1 Particle :作为Particle monitor用的芯片,使用前测前需小於10颗 2 Chuck Particle :作为Scanner测试Chuck平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高3 Focus :作为Scanner Daily monitor best 的wafer4 CD :做为photo区daily monitor CD稳定度的wafer5 PR thickness :做为光阻厚度测量的wafer6 PDM :做为photo defect monitor 的wafer当TRACK刚显示光阻用完时,其实机台中还有光阻吗答：有少量光阻当TRACK刚显示光阻用完时,其实机台中还有光阻吗答：有少量光阻WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗答：有光刻部的主要机台是什幺它们的作用是什幺答：光刻部的主要机台是: TRACK涂胶显影机, Sanner扫描曝光机为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是"人物". 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.光刻技术的英文是什幺答：Photo Lithography常听说的.18 或点13 技术是指什幺答：它是指某个产品,它的最小"CD" 的大小为 or . 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.从点18工艺到点13 工艺到点零9. 难度在哪里答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.曝光机的NA 是什幺答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在之间.曝光机分辨率是由哪些参数决定的答：分辨率=k1Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径; k1是标志工艺水准的参数, 通常在之间.如何提高曝光机的分辨率呢答：减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大,提高NA.现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line; KrF 激光器, 产生248 nm 的光; ArF 激光器, 产生193 nm 的光;下一代曝光机光源是什幺答：F2 激光器. 波长157nm我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率困难在哪里答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能透过更短波长的材料.为什幺光刻区采用黄光照明答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光照明.什幺是SEM答：扫描电子显微镜Scan Electronic Microscope光刻部常用的也称道CD SEM. 用它来测量CD如何做Overlay 测量呢答：芯片Wafer被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.生产线上最贵的机器是什幺答：曝光机;5-15 百万美金/台曝光机贵在哪里答：曝光机贵在它的光学成像系统它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%. 它有精密的定位系统使用激光工作台激光工作台的定位精度有多高答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm曝光机是如何保证Overlay<50nm答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm. 它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置. 再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一个Field答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块这一块就叫一个Field,激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置,再曝一次光,再移动再曝光; 直到覆盖整片WAFER; 所以,一片WAFER 上有约100左右Field.什幺叫一个Die答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片; 一个Field可包含多个Die;为什幺曝光机的绰号是“印钞机”答：曝光机很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的产能,它一天可产出1600片WAFER;Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer：答：机器人手臂robot, Scanner 的ROBOT 有真空VACCUM来吸住WAFER. TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER.可否用肉眼直接观察测量Scanner曝光光源输出的光答：绝对禁止;强光对眼睛会有伤害为什幺黄光区内只有Scanner应用Foundation底座答：Scanner曝光对稳定性有极高要求减震近代光刻技术分哪几个阶段答：从80’S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line438nm, I-line365nm; excimer laser KrF248nm, ArF laser193nmI-line scanner 的工作范围是多少答：CD > 以上的图层LAYERKrF scanner 的工作范围是多少答：CD > 以上的图层LAYERArF scanner 的工作范围是多少答：CD > 以上的图层LAYER什幺是DUV SCANNER答：DUV SCANNER 是指所用光源为Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外线．即现用的248nm,193nm ScannerScanner在曝光中可以达到精确度宏观理解：答：Scanner 是一个集机,光,电为一体的高精密机器；为控制iverlay<40nm,在曝光过程中,光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时,两者同步位置<10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行,相距小于10微米光罩的结构如何答：光罩是一块石英玻璃,它的一面镀有一层铬膜不透光．在制造光罩时,用电子束或激光在铬膜上写上电路图形把部分铬膜刻掉,透光．在距铬膜5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜叫pellicle,保护铬膜不受外界污染.在超净室cleanroom为什幺不能携带普通纸答：普通纸张是由大量短纤维压制而成,磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃particle．进cleanroom 要带专用的Cleanroom Paper.如何做CD 测量呢答：芯片Wafer被送进CD SEM 中. 电子束扫过光阻图形Pattern.有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同; 处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD.什幺是DOF答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似. 光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面Image Plan, 只有将像平面与光阻平面重合In Focus 才能印出清晰图形. 当离开一段距离后, 图像模糊. 这一可清晰成像的距离叫DOF曝光显影后产生的光阻图形Pattern的作用是什幺答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板,未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应,被吃掉．去除光阻后,就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板．光阻种类有多少答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻光阻层的厚度大约为多少答：光阻层的厚度与光阻种类有关．I-line光阻最厚, to 3um. KrF光阻 ArF光阻哪些因素影响光阻厚度答：光阻厚度与芯片ＷＡＦＥＲ的旋转速度有关,越快越薄,与光阻粘稠度有关．哪些因素影响光阻厚度的均匀度答：光阻厚度均匀度与芯片ＷＡＦＥＲ的旋转加速度有关,越快越均匀,与旋转加减速的时间点有关．当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理答：大量清水冲洗眼睛,并查阅显影液的ＣＳＤＳChemical Safety Data Sheet,把它提供给医生,以协助治疗FAC根据工艺需求排气分几个系统答：分为一般排气General、酸性排气Scrubbers、碱性排气Ammonia和有机排气Solvent 四个系统;高架地板分有孔和无孔作用答：使循环空气能流通 ,不起尘,保证洁净房内的洁净度; 防静电；便于HOOK-UP;离子发射系统作用答：离子发射系统,防止静电SMIC洁净等级区域划分答：Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000什幺是制程工艺真空系统PV答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等;该系统提供一定的真空压力真空度大于 80 kpa和流量,每天24小时运行什幺是MAUMake Up Air Unit,新风空调机组作用答：提供洁净室所需之新风,对新风湿度,温度,及洁净度进行控制,维持洁净室正压和湿度要求;House Vacuum System 作用答：HVHouse Vacuum系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源,其真空度较低;使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔,打开运转电源;此系统之运用可减低清洁时的污染;Filter Fan Unit SystemFFU作用答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度,由Fan和FilterULPA组成;什幺是Clean Room 洁净室系统答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求;Clean room spec:标准答：Temperature 23 °C ± 1°CPhoto:23 °C ± °CHumidity 45%± 5%Photo:45%± 3% Class 100Overpressure +15paAir velocity s ± sFab 内的safety shower的日常维护及使用监督由谁来负责答：Fab 内的 Area Owner若出现无水或大量漏水等可请厂务水课19105协助工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时,要注意不能有酸或有机溶剂如IPA等进入纯水回收系统中,这是因为：答：酸会导致conductivity导电率升高,有机溶剂会导致TOC升高;两者均会影响并降低纯水回收率;若在Fab 内发现地面有水滴或残留水等,应如何处理或通报答：先检查是否为机台漏水或做PM所致,若为厂务系统则通知厂务中控室12222机台若因做PM或其它异常,而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报答：通知厂务主系统水课的值班19105废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路答：酸碱废水/高密度聚乙烯HDPE浓硫酸/钢管内衬铁福龙CS-PTFE废溶剂/不琇钢管SUS 若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误,将会导致后端的主系统出现什幺问题答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格,从而可能导致公司排放口超标排放的事故;公司做水回收的意义如何答：1 节约用水,降低成本;重在环保; 2 符合ISO可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生政策;何种气体归类为特气Specialty Gas答：SiH2Cl2何种气体由VMB Stick点供到机台答：H2何种气体有自燃性答：SiH4何种气体具有腐蚀性答：ClF3当机台用到何种气体时,须安装气体侦测器答：PH3名词解释 GC, VMB, VMP答：GC- Gas Cabinet 气瓶柜VMB- Valve Manifold Box 阀箱,适用于危险性气体;VMP- Valve Manifold Panel 阀件盘面,适用于惰性气体;标准大气环境中氧气浓度为多少工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适答：21%什幺是气体的 LEL H2的LEL 为多少答：LEL- Low Explosive Level 气体爆炸下限H2 LEL- 4%.当FAB内气体发生泄漏二级警报既Leak HiHi,气体警报灯LAU会如何动作FAB内工作人员应如何应变答：LAU红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从ERC广播命令,立刻疏散;化学供应系统中的化学物质特性为何答：1 Acid/Caustic 酸性/腐蚀性2 Solvent有机溶剂3 Slurry研磨液有机溶剂柜的安用保护装置为何答：1 Gas/Temp. detector;气体/温度侦测器2 CO2 extinguisher;二氧化碳灭火器中芯有那几类研磨液slurry系统答：1 Oxide SiO2 2 Tungsten W鵭设备机台总电源是几伏特答：208V OR 380V欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗答：不可以如何选用电器器材答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌机台开关可以任意分/合吗答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗答：对假设断路器启断容量为16安培导线线径,电源供应电压单相220伏特,若使用单相5000W电器设备会产生何种情况答：断路器跳闸当供电局供电中断时,人员仍可安心待在FAB中吗答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB 之Safety,所以人员仍可安心待在FAB中.ETCH何谓蚀刻Etch答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程;蚀刻种类:答：1 干蚀刻2 湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide, metal半导体中一般金属导线材质为何答：鵭线W/铝线Al/铜线Cu何谓 dielectric 蚀刻介电质蚀刻答：Oxide etch and nitride etch半导体中一般介电质材质为何答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆 Plasma答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching蚀刻不足答：系指被蚀刻材料,在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching过蚀刻答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etch rate蚀刻速率答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning陈化处理答：是在蚀刻室的清净或更换零件后,为要稳定制程条件,使用仿真dummy 晶圆进行数次的蚀刻循环;Asher的主要用途:答：光阻去除Wet bench dryer 功用为何答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wet bench dry方法:答：1 Spin Dryer 2 Marangoni dry 3 IPA Vapor Dry何谓 Spin Dryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓 Maragoni Dryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓 IPA Vapor Dryer答：利用IPA异丙醇和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器答：Tencor Surfscan测蚀刻速率时,使用何者量测仪器答：膜厚计,测量膜厚差值何谓 AEI答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查AEI目检Wafer须检查哪些项目:答：1 正面颜色是否异常及刮伤 2 有无缺角及Particle 3刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台asher的功用为何答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗答：因为金属线会溶于硫酸中"Hot Plate"机台是什幺用途答：烘烤Hot Plate 烘烤温度为何答：90~120 度C何种气体为Poly ETCH主要使用气体答：Cl2, HBr, HCl用于Al 金属蚀刻的主要气体为答：Cl2, BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体答：C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2OUV curing 是什幺用途答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing"用于何种层次答：金属层何谓EMO答：机台紧急开关EMO作用为何答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示答：1 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 2 机械手臂危险. 严禁打开此门 3 化学药剂危险. 严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.遇 IPA 槽着火时应如何处置答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何答：HF氢氟酸与NH4F氟化铵.BOE为那三个英文字缩写答：Buffered Oxide Etcher ;有毒气体之阀柜VMB功用为何答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出电浆的频率一般 MHz,为何不用其它频率答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz ,,等何谓ESCelectrical static chuck答：利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 Substrate 上Asher主要气体为答：O2Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何答：温度简述TURBO PUMP 原理答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR热交换器HEAT EXCHANGER之功用为何答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地简述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化。
钨钼在半导体制造的光刻技术考核试卷
B.掩模版制作工艺
C.抗蚀剂类型
D.环境温度
9.在光刻技术中，以下哪个步骤用于将掩模上的图形转移到晶圆上？（）
A.晶圆旋转
B.曝光
C.发展
D.蚀刻
10.以下哪种光刻技术适用于纳米级别的半导体制造？（）
A.光学光刻
B. EUV光刻
C. X射线光刻
D.紫外光刻
11.钨钼合金在光刻技术中的应用是？（）
A.钨
B.钼
C.硅
D.锗
2.光刻技术中，用于制作高分辨率掩模的材料是？（）
A.钨
B.钼
C.硅
D.铬
3.在半导体制造过程中，以下哪个步骤不涉及到光刻技术？（）
A.制作晶圆
B.光刻
C.蚀刻
D.焊接
4.以下哪个波长的光源不适用于深紫外光刻技术？（）
A. 193nm
B. 248nm
C. 365nm
D. 436nm
5.分辨率
6. 365nm、248nm、193nm
7.溅射靶材
8.高熔点
9.曝光结束
10. EUV光刻
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. √
6. ×
7. √
8. ×
9. √
10.×
五、主观题（参考）
1.光刻技术通过将掩模上的图形精确转移到晶圆上，实现半导体器件的微观结构制造。它是半导体制造中最重要的步骤之一，决定了器件的性能和集成度。
A.铬
B.硅
C.钨
D.钼
15. EUV光刻技术中使用的光源波长是多少？（）
A. 193nm
B. 248nm
C. 13.5nm
光刻工艺考试试题和答案
光刻工艺考试试题和答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 光刻工艺中，光刻胶的主要作用是什么？A. 作为掩蔽层B. 作为刻蚀剂C. 作为清洁剂D. 作为抛光剂答案：A2. 光刻工艺中，曝光光源的波长越短，其分辨率会如何变化？A. 降低B. 提高C. 不变D. 先提高后降低答案：B3. 光刻工艺中，正胶和负胶的主要区别是什么？A. 正胶在曝光后变硬，负胶变软B. 正胶在曝光后变软，负胶变硬C. 正胶和负胶在曝光后都变硬D. 正胶和负胶在曝光后都变软答案：B4. 在光刻工艺中，光刻胶的厚度对工艺结果有何影响？A. 无影响B. 厚度越厚，分辨率越高C. 厚度越厚，分辨率越低D. 厚度越薄，分辨率越高答案：C5. 光刻工艺中，曝光剂量对光刻胶的影响是什么？A. 曝光剂量越大，光刻胶越硬B. 曝光剂量越大，光刻胶越软C. 曝光剂量对光刻胶硬度无影响D. 曝光剂量越大，光刻胶越容易去除答案：B6. 光刻工艺中，显影液的作用是什么？A. 去除未曝光的光刻胶B. 去除曝光的光刻胶C. 使光刻胶变硬D. 使光刻胶变软答案：A7. 光刻工艺中，对准技术的主要目的是什么？A. 提高光刻胶的硬度B. 提高光刻胶的厚度C. 确保不同层之间的精确对齐D. 减少光刻胶的用量答案：C8. 光刻工艺中，光刻机的数值孔径（NA）对分辨率的影响是什么？A. 数值孔径越大，分辨率越高B. 数值孔径越大，分辨率越低C. 数值孔径对分辨率无影响D. 数值孔径与分辨率无关答案：A9. 光刻工艺中，光刻胶的粘度对工艺结果有何影响？A. 粘度越高，分辨率越高B. 粘度越高，分辨率越低C. 粘度对分辨率无影响D. 粘度越低，分辨率越高答案：B10. 光刻工艺中，曝光后的光刻胶需要进行哪些后续处理？A. 显影B. 烘烤C. 清洗D. 所有以上答案：D二、填空题（每题2分，共20分）1. 光刻工艺中，光刻胶的厚度通常在______微米到______微米之间。
玻璃仪器光刻技术与应用考核试卷
4.在光刻技术中，______是一种常用的光刻胶类型，其特点是曝光区域在显影过程中被溶解。
（）
5.光刻过程中，______是衡量光刻系统分辨率能力的一个重要参数。
（）
6.用来保护硅片表面，提高光刻胶附着力的层称为______。
（）
7.光刻技术中，______光刻是使用最广泛的一种光刻方法，适用于大规模生产。
D.掩模与镜头焦距相同
8.以下哪种材料不适用于光刻过程中的抗蚀剂？（）
A.聚合物
B.光刻胶
C.硅烷
D.氧化硅
9.光刻技术中，分辨率受到以下哪项因素的影响？（）
A.光源波长
B.掩模质量
C.抗蚀剂类型
D.所有上述因素
10.以下哪个步骤不是光刻过程的基本步骤？（）
A.曝光
B.显影
C.刻蚀
D.洗涤
11.光刻过程中，曝光时间过长可能导致：（）
D.减少曝光时间
4.以下哪些属于光刻胶的特点？（）
A.对紫外光敏感
B.易于显影
C.高热稳定性
D.可以多次曝光
5.下列哪些技术可以用于光刻过程中的图形转移？（）
A.光刻
B.刻蚀
C.化学气相沉积
D.离子注入
6.光刻技术的优点包括哪些？（）
A.高分辨率
B.大规模生产
C.成本低
D.操作简单
7.以下哪些因素可能导致光刻图案的缺陷？（）
A.显影
B.去除抗蚀剂
C.刻蚀
D.检验
（注：以下为答案，请自行填写）
答案：1.A 2.C 3.B 4.D 5.D 6.C 7.B 8.D 9.D 10.D 11.B 12.D 13.A 14.A 15.B 16.A 17.D 18.D 19.A 20.A
先进制造技术选择题
第6题:(0分)光刻加工的工艺过程为可供选择答案:1.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗2.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散3.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原答案：2第7题:(0分)硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于1.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工2.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工3.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构答案：3第8题:(0分)高速切削使用的刀具材料有很多种，其中与金属材料亲和力小，热扩散磨损小，高温硬度优于硬质合金，当韧性较差的是可供选择答案:1.陶瓷刀具2.聚晶金刚石刀具3.立方氮化硼刀具答案：1第9题:(0分)下列哪种说法符合并行工程的思想1.它不仅是一种工作模式，还是一种具体的工作方法2.虽然不能省去产品串行工程中的任一环节，但是要将产品的设计和其他生产环节重叠或同时进行3.它着重于一开始就对产品的关键因素进行全面考虑，以保证产品设计一次成功答案：3第10题:(0分)下列哪种说法不符合敏捷制造的思想1.企业的应变能力是其关键因素2.需要具有极高计算机操作水平和坚决执行指令的合格员工3.以物理、法律、社会、信息作为其基础机构答案：2第12题:(0分)光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是1.电子束曝光技术2.离子束曝光技术3.X射线曝光技术答案：2第13题:(0分)不同的材料高速切削速度范围是不同的，其中铝合金和钛的高速切削速度范围是1.1000～5000m/min ;1000～3000m/min2.500～2000m/min ; 800～3000m/min3.1000～7000m/min ; 100～1000m/min答案：3第16题:(0分)不适合用精密与超精密机床的进给系统的方式为1.滚珠丝杠螺母机构2.压电陶瓷驱动装置3.弹性变形机构答案：1第17题:(0分)反求工程形体几何参数获得的破坏性测量方法是1.三坐标测量2.光学测量3.自动断层扫描答案：3第18题:(0分)高速加工机床的进给系统机构大多采用1.直线电机2.滑动丝杠传动机构3.摩擦传动机构答案：1。
光刻机在半导体制造中的应用考核试卷
20. ABCD
三、填空题
1. 紫外线
2. 数值孔径
3. 变硬；变软
4. 数值孔径
5. 光学；机械
6. 曝光
7. 已曝光
8. 极紫外光刻
9. 旋转涂覆法
10. 光刻胶缺陷检测设备
四、判断题
1. ×
2. √
3. √
4. √
5. √
6. ×
7. ×
8. √
9. √
10. ×
五、主观题（参考）
1. 光刻机在半导体制造中用于将电路图案精确转移到硅片上，主要步骤包括涂胶、曝光、显影和刻蚀。
2. 数值孔径越大，分辨率越高，因为它决定了光束聚焦的最小尺寸，从而影响图案的最小细节。
3. 正性光刻胶在曝光后变硬，易于显影；负性光刻胶在曝光后变软，不易显影。正性适用于分辨率要求高的工艺，负性适用于对曝光宽容度要求高的工艺。
C. 光刻胶的厚度
D. 光刻机的焦距
8. 以下哪些优点属于投影式光刻机？（ ）
A. 分辨率高
B. 光刻面积大
C. 成本较低
D. 精度较高
9. 光刻机在操作过程中需要考虑的安全因素包括以下哪些？（ ）
A. 防止紫外线辐射
B. 防止化学品泄漏
C. 防止机械伤害
D. 防止电磁辐射
10. 以下哪些技术属于先进光刻技术？（ ）
A. 紫外光刻
B. 深紫外光刻
C. 极紫外光刻
D. 电子束光刻
19. 光刻机中的涂胶旋转涂覆法的优点是：（ ）
A. 光刻胶厚度均匀
B. 光刻胶厚度可控
C. 涂覆速度快
D. 所有上述优点
20. 下列哪种检测方法可用于评估光刻工艺的质量？（ ）
光刻机基础知识单选题100道及答案解析
光刻机基础知识单选题100道及答案解析1. 光刻机的主要作用是（）A. 印刷电路板B. 制造芯片C. 切割材料D. 检测产品质量答案：B解析：光刻机是芯片制造中极为关键的设备，用于将芯片的电路图案转移到晶圆上。
2. 光刻机所使用的光源波长越短，以下说法正确的是（）A. 分辨率越高B. 成本越低C. 制造难度越小D. 速度越快答案：A解析：光源波长越短，光刻机的分辨率越高，能够制造更精细的芯片线路。
3. 目前最先进的光刻机采用的光源是（）A. 深紫外光B. 极紫外光C. 可见光D. 红外光答案：B解析：极紫外光（EUV）是目前最先进光刻机所采用的光源。
4. 光刻机的分辨率主要取决于（）A. 光源波长和物镜数值孔径B. 曝光时间C. 晶圆尺寸D. 光刻胶性能答案：A解析：光源波长越短、物镜数值孔径越大，光刻机的分辨率越高。
5. 以下哪种光刻机的精度最高（）A. 接触式光刻机B. 接近式光刻机C. 投影式光刻机D. 步进扫描光刻机答案：D解析：步进扫描光刻机的精度通常是最高的。
6. 光刻机在芯片制造工艺中属于（）A. 前端工艺B. 后端工艺C. 封装工艺D. 测试工艺答案：A解析：光刻机用于在晶圆上制造芯片电路，属于前端工艺。
7. 光刻机的套刻精度指的是（）A. 多次曝光图案之间的对准精度B. 单次曝光图案的精度C. 光源的精度D. 物镜的精度答案：A解析：套刻精度是指多次曝光的图案相互之间的对准精确程度。
8. 为了提高光刻机的分辨率，通常会采用（）A. 降低光源强度B. 增大物镜焦距C. 减小物镜数值孔径D. 优化光刻胶性能答案：D解析：优化光刻胶性能有助于提高光刻机的分辨率。
9. 光刻机的曝光方式不包括（）A. 静态曝光B. 动态曝光C. 分步重复曝光D. 连续曝光答案：B解析：光刻机的曝光方式通常包括静态曝光、分步重复曝光和连续曝光。
10. 光刻机中的物镜系统的作用是（）A. 产生光源B. 控制曝光时间C. 聚焦和成像D. 传输光刻胶答案：C解析：物镜系统用于对光线进行聚焦和成像。
光刻工复习题
理论部分填空题1、光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶2、在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。
有四个步骤：分滴，旋转分开，旋转甩掉，溶剂挥发。
3、曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。
4、光刻中有使用不同紫外光波长，波长在436纳米和157纳米之间的每种波长都有各自的波名称。
其中波长为436nm的波名称是g光线，波长为405nm的波名称是h光线，波长为365nm的波名称是i光线，波长为248nm的波名称是深紫外(DUV) ，波长为157nm的波名称是真空紫外(VUV)1、曝光的方式有接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光2.光刻工艺一般都要经过涂胶，前烘、曝光、显影，坚膜、腐蚀、去胶等步骤。
3.正性光刻胶和负性光刻胶是两种主要的光刻胶。
对于负性光刻胶，曝光部分不会溶解，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形相反对于正性光刻胶，曝光部分容易溶解，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形相同。
4.刻蚀的方法主要有湿法刻蚀、干法刻蚀和和等离子体。
5、光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤。
一、判断题1．最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（F ）2．步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
（F ）3．光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
（T ）4．曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
（T ）5．对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
（T ）6．芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。
（T ）7．光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
（T ）8．有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
（T ）1．最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（F ）2．步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
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理论部分填空题1、光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶2、在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。
有四个步骤：分滴，旋转分开，旋转甩掉，溶剂挥发。
3、曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。
4、光刻中有使用不同紫外光波长，波长在436纳米和157纳米之间的每种波长都有各自的波名称。
其中波长为436nm的波名称是g光线，波长为405nm的波名称是h光线，波长为365nm的波名称是i光线，波长为248nm的波名称是深紫外(DUV) ，波长为157nm的波名称是真空紫外(VUV)1、曝光的方式有接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光2.光刻工艺一般都要经过涂胶，前烘、曝光、显影，坚膜、腐蚀、去胶等步骤。
3.正性光刻胶和负性光刻胶是两种主要的光刻胶。
对于负性光刻胶，曝光部分不会溶解，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形相反对于正性光刻胶，曝光部分容易溶解，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形相同。
4.刻蚀的方法主要有湿法刻蚀、干法刻蚀和和等离子体。
5、光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤。
一、判断题1．最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（F ）2．步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
（F ）3．光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
（T ）4．曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
（T ）5．对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
（T ）6．芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。
（T ）7．光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
（T ）8．有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
（T ）1．最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（F ）2．步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
（F ）3．光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
（T ）4．曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
（T ）5．对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
（T ）6．芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。
（T ）7．光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
（T ）8．有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
（T ）简答题1、给出光刻胶在晶圆制造中的两个用途答：(1) 将掩模板图案转移到晶圆表面顶层的光刻胶中。
(2) 在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。
2、列出并描述两种主要的光刻胶。
答：两种主要的光刻胶是负性光刻胶和正性光刻胶。
这是按照胶体物质对紫外线的反应分类的。
对于负性光刻胶来说，受到紫外照射的区域的光刻胶会产生交联而变得坚固。
这使得受光照的光刻胶在显影液中不容易被溶解，在显影剂中也不会被除去。
光刻胶形成一个与图形互补的掩模图形。
而对于正性光刻胶来说，受紫外线照射的区域的光刻胶会变得更易被溶解，并且形成一个与所需图形一致的掩模图形。
正性胶在受光照后会分解，受照射的区域在显影液中很容易别洗去。
3、什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？答：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。
1、为什么抗腐蚀性是光刻胶的重要特性？答：抗腐蚀性。
光刻胶膜必须在随后的干湿法刻蚀过程中保持其黏附性并保护衬底的表面。
这种特性就被称为抗腐蚀性。
有的干法刻蚀过程在较高的温度（例如1500C）下进行，这就需要光刻胶具有能够保持其形状的热稳定性。
2、光刻胶是如何被涂在硅片的？答：在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。
有四个步骤：分滴，旋转分开，旋转甩掉，溶剂挥发。
3、简述几种主流的光刻技术答：（1）甚远紫外线(EUV)光刻，属于光学光刻，仍采用分步投影光刻系统，可以实现亚0.1μm的细线条。
但难以找到合适的掩模板材料和光学系统的设计。
（2）电子束光刻，由于电子束的直径很小，所以光刻分辨率很高。
采用电子束直写方式，效率低，不适于大规模生产，目前仅限于制备光刻掩模板。
（3）X射线，采用波长更短X射线作为光源，可以用于制作小于70nm的线条。
但作为X射线源的同步辐射装置非常庞大且价格昂贵。
（4）离子束光刻，与电子束光刻的机理相似，采用掩膜或直写方式。
离子轰击光刻胶时没有散射作用，曝光视场较大，有利于大规模生产。
论述题1、论述湿法腐蚀、物理干法刻蚀、化学干法刻蚀、物理和化学方法相结合的干法刻蚀工作原理、应用范围和优缺点答：（1）湿法腐蚀利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。
优点：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低缺点：钻蚀严重、对图形的控制性较差应用：在半导体工艺中有着广泛应用，如磨片、抛光、清洗、图形或窗口的形成等。
（2）物理干法刻蚀，通过高能惰性气体离子的物理轰击作用进行刻蚀的，如溅射与离子束铣蚀。
特点：各向异性性好，但选择性较差。
（3）化学干法刻蚀利用放电产生的游离基与被刻蚀材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀，如等离子刻蚀。
特点：选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。
（4）物理和化学方法相结合的干法刻蚀通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用进行刻蚀的，如反应离子刻蚀（RIE）。
特点：具有溅射刻蚀和等离子刻蚀的优点，各向异性和选择性好。
RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。
2.论述接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光的工作原理、应用范围和优缺点答：①接触式曝光光刻胶膜与掩模板直接接触，中间没有间隙，光线不会发生衍射。
可以得到较高的分辨率。
但硅片或掩模板上的污染物等，可能会对掩模板和光刻胶膜产生损伤，影响光刻胶图形的完整性。
一般只适用于中小规模集成电路。
②接近式曝光光刻胶膜与掩模板不直接接触光线在此间隙中会发生衍射，影响光刻的分辨率。
但另一方面，此间隙可以大大减少硅片或掩模板上的微粒等对掩模板和光刻胶膜的损伤，提高芯片的成品率。
适用于特征尺寸较大的集成电路生产工艺。
③投影式曝光利用专门的光学系统将掩模板上的图形投射到硅片上。
掩模板与硅片之间相隔较远，不存在污染物等对掩模板和光刻胶膜的损伤。
每次只对硅片的一小部分进行曝光，且掩模板图形大于实际成像图形，光刻分辨率高。
是超大规模集成电路的主流技术。
3.列出光刻的八个步骤，并对每个步骤作简短的说明。
步骤一：打底膜光刻的第一步是去除水分，并且在晶圆表面涂底层。
这些步的目的是提高光刻胶和硅片表面的粘结。
步骤二：旋涂光刻胶打完底膜后，用旋涂的方法在晶圆上涂一层液体的光刻胶。
晶圆被固定在真空腔上。
精确数量的液态光刻胶被滴在晶圆上然后让晶圆高速旋转使其表面涂有均匀的光刻胶。
步骤三：软烘光刻胶被涂在晶圆表面后，必须要经过软烘。
这个烘烤的目的是去除胶里大部分的溶剂。
步骤四：对准和暴光掩膜板要涂好光刻胶的硅片上的正确位置。
一旦对准后，掩膜板和硅片被暴光于紫外光从而将掩膜板上的图形转移到涂过胶的晶圆上。
步骤五：暴光后烘烤对于深紫外光刻暴光后在一个有100到110℃的热盘上烘烤是必要的。
这个烘烤是紧跟着光刻胶暴光后进行的。
步骤六：显影显影对于在晶圆表面上的光刻胶上形成图形是至关重要的一步。
光刻胶的可溶区域被显影液溶解，在晶圆表面留下可见的图案。
步骤七：硬烘显影后的热烘也被称作硬烘目的是蒸发掉多余的光刻胶溶剂和提高光刻胶与晶圆表面的粘结。
步骤八：检测一旦光刻胶在晶圆上形成图形，要进行一个检测来检验光刻图案的质量。
这是光刻工的复习题，这里是两份理论卷子的，会考任意一份，大家把它都背上，就没问题了。
（理论部分：填空5题，判断10题，简答4题，论述题2题，大家把LED老师讲的看看把这些题背上）实践题1、清洗的方法有两大类，分别是湿法清洗和干法清洗1、在硅片表面上涂上液体光刻胶最常用的方法是旋转涂胶2、光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感3、涂胶前要进行增粘处理，目的提高晶圆片表面的增粘效果。
1.光学光刻的关键设备（A ）A 光刻机B摔胶机C烘箱D显微镜2. 对于正性光刻胶，被曝光的部分（B ）；对于负性光刻胶，被曝光的部分（）A 容易溶解；容易溶解B容易溶解；不易溶解C不易溶解；容易溶解D不易溶解；不易溶解3．光刻要求晶圆片表面存在的图案与掩膜版上的图形对准，此特性指标称为（A ）A 套准精度B特征尺寸C分辨率D工艺宽容度4．投影掩膜版上的图形是由（B ）金属所形成的A钽B铬C铁D铜5．光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、（A ）、后烘等步骤。
A显影B去胶C清洗D检查6．等离子体刻蚀属于（B ）刻蚀A湿法刻蚀B干法刻蚀C电子刻蚀D光学刻蚀7．后烘是在（C ）后和显影前对硅片进行的一次焙烘A清洗B涂胶C曝光D腐蚀8．下列哪个不属于湿法清洗（D ）A超声清洗B喷雾清洗C溢流清洗D等离子清洗三、简答题1、光刻一般用到的试剂种类及作用。
答：①光刻胶②去边剂：用于涂胶后的去边③ HMDS：用于涂胶前的硅片增粘处理④显影液：MF-319⑤丙酮：用于清洁，可溶解光刻胶⑥乙醇：用于清洁，擦拭设备，桌面等2、光刻胶的一般组成及保管方法。
答：一般光刻胶有以下三种成分：①基础树脂②感光剂③溶剂光刻胶的保管方法：光刻胶对光和热敏感，应保保存在低温，黑暗和干燥的地方。
3、哪些涂胶方面的原因会造成光刻返工？答：（1）用错涂胶程序(包括HMDS,涂胶和前烘的程序)（2）胶面发花,均匀性差.（3）回溅严重,胶面上有很多圆形或彗星状斑点.（4）胶被打空,片子表面未涂上胶.（5）未做去边(去边剂压力罐的压力未加)（6）胶中有大量的杂质.（7）换错胶.4、交接班时有哪些注意事项。
答：①对在制品情况进行交接②交代设备的工作状况及其它注意事项③检查胶瓶中的胶量，显影液罐中的显影液量，去边剂的量，废胶罐是否已满④ 检查工作现场是否整四、论述题(20分)识别下图所示工艺，写出每个步骤名称并进行描述。
答：1 气相成底膜：清洗、脱水，脱水烘焙后立即用HMDS进行成膜处理，起到粘附促进剂的作用。
2 采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料。
3 软烘：其目的是除去光刻胶中的溶剂。
4 对准和曝光：掩模板与涂了胶的硅片上的正确位置对准。
然后将掩模板和硅片曝光。
5 曝光后烘焙：深紫外（DUV）光刻胶在100-110℃的热板上进行曝光后烘焙。