哈工大2015模电复习总结习题

合集下载

哈工大模电考试题及答案

一、填空（16分）1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。

2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。

3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。

4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。

RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。

5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。

6、下列说法正确的画√，错误的画×（1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。

（ × ）（2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。

（ × ）（3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为012f RCπ=的信号，反馈信号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。

（ × ）第 1 页（共 8 页）图1试题：班号：姓名：二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300Ω。

回答下列各问：（1）请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基）（2）计算放大电路的静态工作点。

（3）画出微变等效电路。

（4）计算该放大电路的动态参数：uA ，R i 和R o （5）若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b 才能消除失真。

图2答：（1）是共射组态基本放大电路（1分）（2）静态工作点Q ：Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ，即15= I BQ *200k Ω+0.7V+51* I BQ *8k Ω， ∴I BQ =0.0235mA （2分） ∴I CQ =βI BQ =1.175mA ，（2分） ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V （2分）（3）微变等效电路o（4分）（4）r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K Ω A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6（2分） Ri=R b //r be ≈1.33K Ω; （2分） Ro ≈Rc=2K Ω（2分）（5）是饱和失真，应增大R b（1分）第 2 页（共 8 页）试题：班号：姓名：三、（24分）回答下列各问。

《模拟电子技术》期末复习全书课后习题+参考答案

晶体二极管及应用电路1 图（a）和图（b）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。

假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v的波形。

2在T=300K时，某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。

两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA。

试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。

图P1-23在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：I=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。

（1）若反向饱和电流10S（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。

1 图（a ）和图（b ）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。

假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v 的波形。

[解]图P1-8输入正半周时，D 1导通，D 2截止。

输入正半周时，D 1D 3导通，D 2D 4截止。

输入负半周时，D 2导通，D 1截止。

输入负半周时，D 2D 4导通，D 1D 3截止。

（a ）（b ）两整流电路0v 波形相同（图P1-8-1）：2 在T=300K 时，某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。

两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA 。

试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。

[解]S I I >>，两管已充分导通，故VA 关系为/T V V S I I e =，由此lnT S IV V I =，取26T V =mV （T=300K ）∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。

O图P1-8-13在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：（1）若反向饱和电流10SI=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。

(完整版)哈工大模电习题册答案

【2-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。

两种载流子的浓度。

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

3．漂移电流是在作用下形成的。

4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。

5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。

6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。

1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。

2. 杂质浓度，温度。

3. 少数载流子，(内)电场力。

4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。

5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。

假设电容C 容量足够大。

-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1．静态分析静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。

不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。

2．动态分析对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D1ir u ∆=∆，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。

二极管伏安特性方程：)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为：TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3．交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4．u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最，频带最宽的电路是；只能放大电流，小的电路是②，输出电阻最小的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ①不能放大电压的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。

填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数的表达式为A u，输入电阻的表达式为r be，输出电阻的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路的输入电阻 R = 1 。

i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ，则放大电路的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。

哈工大(威海)模电习题册(一)答案

第三章多级放大电路一．解：（a ）共射，共基（b ）共射，共射（c ）共射，共射（d ）共集，共基（e ）共源，共集（f ）共基，共集二．解：（1）R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为beWc IOd )2( r R R u u A +-=∆∆=β（2）R W 的滑动端在最右端时I beW c C2C1O IbecC2I beW c C1)2( 2 2)( u r R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+-=∆-∆=∆∆⋅+=∆∆⋅+-=∆βββ所以A d 的表达式为beWc IOd )2( r R R u u A +-=∆∆=β比较结果可知，两种情况下的A d 完全相等；但第二种情况下的C21C u u ∆∆＞。

三．解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下：mA 517.02222e WBEQEE EQEE e EQ WEQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U ＋ A d 和R i 分析如下：Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV26)1(W be i Wbe cd EQbb'be R r R R r R A I r r ββββ四．解：电路的共模输入电压u I C 、差模输入电压u I d 、差模放大倍数A d 和动态电压△u O 分别为V67.0672 mV 10mV 152Id d O becd I2I1Id I2I1IC -≈=∆-≈-==-==+=u A u r R A u u u u u u β由于电路的共模放大倍数为零，故△u O 仅由差模输入电压和差模放大倍数决定。

第五章放大电路的频率响应一.解:（1）1be b s )(π21C r R R ∥+ 。

①；①。

（2）'s b bb'e b')]([21ππC R R r r ∥∥+ ；①；①，①，③。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

哈工大模拟电子技术试题

）量的一部分
习题答案网
习题答案网
或者全部反送到（
）回路的过程叫反馈。
3 利用图解法确定静态工作点时应该首先画出（）负载线，
分析波形失真应该根据（
）负载线。
4 电子技术中，放大的概念是指（）的控制作用，
放大作用是针对（
A、输出电阻为无穷大
B、共模抑制比为无穷大
C、输入电阻为零
D、开环差模电压增益为零
5 集成运算放大器实质上是一个__________
A 直接耦合的多级放大器
B 阻容耦合的多级放大电路
C 变压器耦合的多级放大电路 D 单级放大电路
三计算题
下面的电路由两个运放构成，第一个运放标号为 A1，第二个标号为 A2
3 要使放大器向信号源索取电流小，同时带负载能力强，应引入________负反馈，射极跟随器是________负反馈。
A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联
4 分析理想线性集成运算放大器的两个重要结论是__________
A 虚地和反相
B 虚地和虚短
C 虚短和虚断
D 短路和断路
5 桥式整流电容滤波电路参数合适，当输入交流电压的有效值为 10V，则直流输出电压值
3 简述晶体三极管处于放大饱和和截止工作状态的特点。
3
一填空题：
1、二极管具有
性，用万用表 R 挡测量二极管正反向电阻，阻值较小的一次，黑
表笔接触的是二极管的
极。
2、硅稳压管工作在
区，稳压管的动态电阻越小，稳压性能越
。
3 实际的集成运放基本可以看成理想运放。在线性使用时，两输入端
相等，相当于
习题答案网
习题答案网

模拟电子技术复习试题+答案

《模拟电子期末练习题》填空题：1、 PN结正偏时（导通），反偏时（截止），因此 PN结拥有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少量）载流子形成，其大小与（温度）相关，而与外加电压（没关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无量大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管拥有放大作用外面电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度高升时，晶体三极管集电极电流Ic （增添），发射结压降（减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。

8、为了稳固三极管放大电路的静态工作点，采纳（直流）负反应，为了稳固沟通输出电流采纳（电流）负反应。

9 、负反应放大电路的放大倍数A F=（ A/ （1+AF）），关于深度负反应放大电路的放大倍数A F=（ 1/F ）。

10、 P型半导体中空穴为（多半）载流子，自由电子为（少量）载流子。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性同样的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了除去乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采纳（甲乙）类互补功率放大器。

13 、反向电流是由（少量）载流子形成，其大小与（温度）相关，而与外加电压（没关）。

14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够克制（零点）漂移，也称（温度）漂移，因此它宽泛应用于（集成）电路中。

16 、晶体三极管拥有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。

17、为了稳固三极管放大电路和静态工作点，采纳（直流）负反应，为了减小输出电阻采纳（电压）负反应。

18、共模信号是大小（相等），极性（同样）的两个信号。

19、乙类互补功放存在（交越）失真，能够利用（甲乙）类互补功放来战胜。

哈工大模电答案 (最新详细版)

b
b
rbe
e
c
b
c
Ui
Rb1 Rb2
Rc RL
Uo
图 2.4.5 例 2.4.3 微变等效电路
根
据
微
变
路求解电压放大倍（mV） 26 26 rbe= rbb (1 ) 300 61 1502 ； (2.4.1) I EQ （mA） 1.32 U o I c ( RC // RL ) RL 60 ； A u r U I r
人体电阻
黑笔
c b e
红笔
μA

图 1.4.13 测试示意图
【3-2】图3.11.1所示电路中，当开关分别掷在1、2、3 位置时，在哪个位置时IB最大，在哪个位置时IB 最小？为什么?
图 3.11.1 题 3-2 电路图
[解] 当开关处于位置2 时，相当一个发射结，此时IB 最大。当开关处于位置1时，c、 e短路，相当于晶体管输入特性曲线中UCE=0V的那一条，集电极多少有一些收集载流子的作用，基区的复合还比较大，IB次之。当开关处于位置3 时，因集电结有较大的反偏，能收集较多的载流子，于是基区的复合减少，IB最小。【3-3】用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图 3.11.2 所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？
正极红笔
NPN
图1.4.11 万用表等效图
图1.4.12 NPN和PNP管等效图
(1) 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图1.4.12所示。 (2) 晶体管3个区的特点：发射区杂质浓度大，基区薄且杂质浓度低，集电区杂质浓度很低。因此，发射结正偏时，射区有大量的载流子进入基区，且在基区被复合的数量有限，大部分被集电极所收集，所以此时的电流放大系数β大。如果把发射极和集电极调换使用，则集电结正偏时，集电区向基区发射的载流子数量有限，在基区被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小，所以β反很小。 2．判断方法 (1) 先确定基极：万用表调至欧姆×100或×1k挡，随意指定一个管脚为基极，把任一个表笔固定与之连接，用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。若两次测得电阻都很大（或很小）。把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小（或很大），则假定的管脚是基极。若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大，为NPN型，反之为PNP型。 (2) 判断集电极：在确定了基极和晶体管的类型之后，可用电流放大倍数β的大小来确定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起，并用一只手的中指和姆指捏住，红表笔与假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极，记下表针偏转的角度，然后两只管脚对调再测一次。这两次测量中，假设表针偏转角度大的一次是对的。这种测试的原理如图1.4.13所示。当食指与基极连接时，通过人体电阻给基极提供一个电流IB ，经放大后有较大的电流流过表头，使表针偏转,β大，表针偏转角度就大。因为β>>β反, 所以表针偏转角度大的一次假设是正确的。

模拟电子技术综合复习题(有答案)

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。

C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。

A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

《模拟电子技术》复习题10套及答案

.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

模拟电子技术基本概念复习题及答案

模电基本概念复习题一、判断下列说法是否正确1、凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

√×2、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N= v P。

×3、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。

×4、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

×5、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。

√6、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。

√7、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

×8、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

×9、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

√10、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

√11、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。

×12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

×13、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

×14、共集电极电路没有电压和电流放大作用。

√15、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。

√16、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

×17、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。

×18、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。

×19、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

×20、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。

×21、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。

×22、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。

×23、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。

哈工大模电习题答案

哈工大模电习题答案哈工大模电习题答案模拟电子技术是电子工程的基础学科之一，它研究的是将电子元器件和电路结构组合在一起，实现各种电子设备的功能。

在哈尔滨工业大学的模拟电子技术课程中，习题是检验学生对于理论知识掌握和应用能力的重要方式。

下面将为大家提供一些哈工大模电习题的答案，以供参考。

1. 以下哪个元器件是无源元器件？答案：电阻、电容、电感。

2. 请解释什么是共模抑制比（CMRR）？答案：共模抑制比是指差模信号增益与共模信号增益之比。

在差分放大器中，共模抑制比越大，表示差模信号增益与共模信号增益的差异越大，差分放大器对共模信号的抑制能力越强。

3. 请简述差分放大器的工作原理。

答案：差分放大器由两个输入端和一个输出端组成。

当两个输入端的电压相同时，输出电压为零；当两个输入端的电压不同时，输出电压正比于两个输入端电压的差值。

差分放大器主要用于抑制共模干扰信号。

4. 请解释什么是放大器的增益带宽积？答案：放大器的增益带宽积是指在放大器的增益不变的情况下，频率越高，带宽越窄；频率越低，带宽越宽。

增益带宽积是衡量放大器性能的重要指标。

5. 请简述运放的反相输入端和非反相输入端的特性。

答案：运放的反相输入端和非反相输入端具有以下特性：反相输入端的电压与输出电压成反相关系，非反相输入端的电压与输出电压成正相关系；反相输入端的输入电阻很高，非反相输入端的输入电阻很低。

6. 请解释什么是运放的共模抑制比（CMRR）？答案：运放的共模抑制比是指差模增益与共模增益之比。

共模抑制比越大，表示运放对共模信号的抑制能力越强。

7. 请简述运放的开环增益和闭环增益。

答案：运放的开环增益是指在没有反馈的情况下，运放输出电压与输入电压之间的比值。

闭环增益是指在有反馈的情况下，运放输出电压与输入电压之间的比值。

8. 请解释什么是运放的输入偏置电流？答案：运放的输入偏置电流是指运放输入端的电流偏离零电流的大小。

输入偏置电流越小，表示运放的输入端电流偏离零电流的程度越小。

模电第5章习题解答哈工大

Ri
Ui U i g mU gs Rs2 Rg

Rg 3Rg 3M g m Rs2 1 1 g m ( Rs1 Rs2 )
上式在变换过程中，使用了Ui U gs g mU gs ( Rs1 Rs2 ) 这一关系，略去了 I i 在 R s2 上的压降。
Ro Rd 10k
U i U gs U o g mU gs Rd
Au gm Rd
对转移特性曲线方程式求导数，可得
gm
2 Up
I DSS I DQ 0.69mS
A u =－6.9 3. CS 开路时的电压放大倍数 CS 开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。如果没有学习反馈，仍然可以用微变等效电路法求解。放大电路微变等效电路如解图 5-4(b)。
U GSQ 2k I DQ
2 I DSS U (1 GS ) 1mS UP U GS(off)
gm
Au
g m Rd 1 10 3.33 1 g m Rs 1 1 2 Ri Rg 1M
Ro Rd 10k 3. 为显著提高|A u |，应在 R 两端并联旁路电容。
U GS U G U S
VDD Rg2 Rg1 Rg2
U GS 2 ) UP
I D Rs
U DS V DD ( R Rd ) I D
I D I DSS (1
上述三个方程联立求解，可得两组解：第一组：ID =0.46mA UGS= -0.6V 第二组：ID2 =0.78mA UGS2 = -3.8V＜Up 第二组数据不合理，故工作点为：ID =0.46mA ，UGS= -0.6V 2. 用微变等效电路求电压放大倍数微变等效电路如解图 5-4(a)；

模拟电子技术复习题及答案

一、填空题：1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。

半导体中中存在两种载流子：电子和空穴。

纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截止区、放大区区和饱和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。

当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成稳压管。

4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。

场效应管分为结型型和绝缘栅型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。

6、在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体，加入 3 价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数提高；负反馈使放大倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是稳定静态工作点，交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。

9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保持稳定，因而增大了输出电阻。

串联负反馈增大了放大电路的输入电阻；并联负反馈则减小了输入电阻。

模电第4章习题解答哈工大

第 4 章半导体二极管和晶体管习题解答
【4-1】填空： 1．本征半导体是，其载流子是和。两种载流子的浓度。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。 3．漂移电流是在作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。 5 ．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。它工作在。描述稳压管的主要参数有四个，它们分别是、、、和。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。 7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。 8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称作器件。 9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。 10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流 ICEO 将，正向结压降 UBE 将。 11．用万用表判断电路中某个晶体管的工作状态时，测出最为方便。 12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，应保证和。 13 ．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。解： 1. 化学成分纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2. 杂质浓度，温度。 3. 少数载流子，(内)电场。 4. 单向导电性，正向导通压降 UF 和反向饱和电流 IS。 5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ），稳定电流（IZmin ），最大管耗（P Zmax），动态电阻（rZ）。 6. 增大。 7. NPN，PNP，自由电子，空穴。 8. 结型，绝缘栅型，多子，单极型。 9. 电压，电流。 10. 变大，变大，变小。 11. 各管脚对地电压。 12. 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。 13. 左移，上移，增大。

《模电》习题集

《模拟电子技术》练习填空1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质。

2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征。

4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电。

5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极。

6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。

7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。

8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。

10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极。

11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。

设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估算 U A ~ U D 值。

图 a ：VD 1_______ 偏置， U A =_____，U B =_______；图 b ：VD 2________ 置， U C =_____，U D =_______。

12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管）图a ：VD_______，U AB _______。

图b ：VD_______，U AB _______。

（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案

（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案《模电》第⼀章重点掌握内容：⼀、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产⽣本征激发，形成电⼦和空⽳，电⼦带负电，空⽳带正电。

它们在外电场作⽤下均能移动⽽形成电流，所以称载流⼦。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，空⽳为多数载流⼦（称多⼦）⽽电⼦为少⼦。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，电⼦为多⼦、⽽空⽳为少⼦。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截⽌。

所以正向电流主要由多⼦的扩散运动形成的，⽽反向电流主要由少⼦的漂移运动形成的。

8、⼆极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、⼆极管由⼀个PN结组成，所以⼆极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈⼩电阻，⼤电流，反偏时截⽌，呈⼤电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是⼯作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的⼆极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截⽌，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满⾜U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、⼆极管主要⽤途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

⼆、应⽤举例：（判⼆极管是导通或截⽌、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第⼆章再判）参考答案：a、因阳极电位⽐阴极⾼，即⼆极管正偏导通。