电介质的极化和介质中的高斯定理

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介质的极化和介质中的高斯定理

介质的极化和介质中的高斯定理

部电都介产质生内附部加的电总场场E强'。E
E0
E'
E0
'
'
极化电荷所产生的附加电场不足以将介质中的外电
场完全抵消,它只能削弱外电场。称为退极化场。
介质内部的总场强不为零! 在各向同性均匀电介质中: E
E0
r
r称为相对介电常数或电容率。
3
二、介质中的高斯定理 电位移矢量
1.介质中的高斯定理
d
D2S 0S D1 D2 0 , D2 0
E2
D2
0r
0 0r
11
I区:D1
0,
E1
0 0
0
II区:D2 0 ,
②.求电容C
E2
0 0r
由C q U ab
与 U ab
Ed
高 斯
C q
0S

U ab E1(d d ' ) E 2d '
d' 0
D P1 P2
r
d
质中的高斯定理求场强:先根据自由电荷的分布利用 介质中的高斯定理求出电位移矢量的分布,再根据电 位移矢量与场强的关系求出场强的分布。
7
例1:将电荷 q 放置于半径为 R 相对电容率为 r 的介
质球中心,求:I 区、II区的 D、E、 及 U。
解:在介质球内、外各作半径为 r 的
高斯球面。
SD dS q0
荷密度为 0 , 其间插有厚度为 d’ 、电容率为 r 的电介质。
求 : ①. P1 、P2点的场强E;②.电容器的电容。
解: ①. 过 P1 点作高斯柱面, 左右底面分别经过导体
和 P1 点。
D SD dS q0

静电场中的电介质(2)

静电场中的电介质(2)

23
[例2]如图,两个半径分别为R1和R3的同心导体球面,带电量分 别为+Q、-Q,其中间充满相对介电常数分别为r1和r2的两层各向 同性均匀电介质,它们的分界面为一半径为R2的同心球面。求此 带电体系产生电场的能量。
解: 分析电场分布,求E。
选取球形高斯面,

D dS D4r2 Q
S1
D 0rE
S令
D 0rE E
称为电位移矢量
介质场中的高斯定理: D dS q0
S
说明:① D是一个辅助量,真正有意义的是场强 E。
它指出,通过闭合曲面的电位移通量,等于此闭合曲面内所 含的自由电荷。
② q0指曲面内所包含的自由电荷,与极化电荷无关,
E是由空间所有的电荷产生。
10
四、电位移矢量与电场强度的比较
E E0
r
' (1 1 ) r
介质场中的高斯定理
sD dS q0
29
三、电场的能量
e
1 2
DE
W
V edV
V
1 2
D
EdV
V
1 E2dV
2
We
Q2 2C
1 2
C(
UA
UB )2
1 2
Q(
U
A
UB)
四、电容和电容器
孤立导体:
q U
C
先设q 再求C
电容器: q C 先设q 再求C
解:两层介质中有
D1 D2 0 D
0 +
+
+
+
A
+
r1
d1
E1
D 1
0 0r1
E2

大学物理介质中的高斯定理

大学物理介质中的高斯定理

r1
r2
18
例:球形电容器由半径为R1的球体和内半径为R3的导 体球壳构成,带电 q,其间有两层均匀电介质,
分界面的半径为R2,相对介电常数分别为r1和r2 。 求:E, D 和C。
解:
D

dS

4
r
2

D

q
S
R2
R1 r2
D1

q 4r 2
D2

q 4r 2
R3
r1
在界面上电位移线会发生折射
tan1 1
tan2
2
2 1
若 2 > 1 2 > 1 ,电位移线将折离法线
*
上海交通大学 董占海
28
证明:
E1t E2t D1n D2n
E1sin1 E2sin2
D1 cos 1 D2 cos 2
D1 1E1 D2 2 E2
39
思考:带电金属球 (R、Q),半个球处在电介质εr 中,则球正下方r > R 处的 E、D。
r
同上
上海交通大学 董占海
40
例5:一点电荷Q放在半无限大电介质为εr和真空的 界面处,求E、D。
解:空间的场强 = 两个点
电荷Q和q′产生的
故空间各点的E、为
r
点电荷的场,具有球
对称性
xd 2
2 DS 0 0 S0d
D

i
0
d
2
上海交通大学 董占海
d


r
0
Ox
23
xd 2
E

D
0r

0 x

2-4 介质中的高斯定律 电位移矢量

2-4 介质中的高斯定律 电位移矢量

求:介质中的电场强度
v E
和电位移矢量
v D

解:由定义,知:

v D v P

v
0E
1 (1
r
v P

0
v
)D
v D
r

v P Pz
Dz Dz
4

v D

r r 1
v P

4 3
v P


v E
1
v D
4 0
3.5 介质中的高斯定律 边界条件
一、介质静电场基本方程
q
在热平衡时,分子无规则运动,取向各方向均等,介质在宏观 上不显出电特性
介质的极化:在外场影响下,无极分子变为有极分子,有极分 子的取向一致,宏观上出现电偶极矩
2)极化强度矢量
用极化强度矢量
v P
表示电介质被极化的程度。

P
lim
Pi
式中:pvi 表示i个分子极矩。
V 0 V
物理意义:等于单位体积内电偶极矩矢量和。

CE dl 0
微分方程:

D
E 0


本构方程: D r 0 E E
有电介质存在时的高斯定理的应用
(1)分析自由电荷分布的对称性,选择适当的高斯面 ,求出电位移矢量。 (2)根据电位移矢量与电场的关系,求出电场。 (3)根据电极化强度与电场的关系,求出电极化强度


(

0
)
s0
sp


(
0)
s0
0 (1 )
讨论:
1.

第四节电介质中的高斯定理

第四节电介质中的高斯定理

S
由 : q' = − ∫ P ⋅ d S
S
∫ (ε
S
0
E + P ) ⋅ d S = q0
高斯定理可以重新写为:
令 : D = ε0 E + P
则有 : ∫ D ⋅ d S = q0
S
《大学物理》
教师:
胡炳全
2、电位移
D = ε0 E + P
叫电位移。它是一个矢量。它没 有直接的物理意义。
若电介质是线性极化的,则有:
+
-+ E0 -+ D
+
-
+
-
-+
P
+
E’
+
-σ0
+
-
-
-+
《大学物理》
教师:
胡炳全
5、电介质中高斯定理的应用 应用电介质中的高斯定理可以很方便地求解电荷和电 介质都对称分布时的电场的场强。 例题1、如图所示,一个均匀带电球体外有一个电介质球 壳。试求场强分布。 解:如图取高斯面,则有:
∫ D ⋅ d S = ∫ D ⋅ d S cosθ = ∫ D ⋅ dS = D ∫ dS
S S S S
R2 ε Q r R1
= D 4πr = q0
2
Q r3 q0 = Q 3 R1
r > R1 r < R1
Q 4πr 2 D = Qr 4πR13
r > R1 r < R1
《大学物理》 根据
教师:
胡炳全
D =εE
ε 0 , r < R1 ε = ε , R1 < r < R2 ε , r>R 2 0 Qr 4πε R 3 , r < R1 0 Q , R1 < r < R2 E= 2 4πεr Q , r > R2 2 4πε 0 r

电介质的极化和介质中的高斯定理

电介质的极化和介质中的高斯定理

串联 1 1 1 C C1 C2
C C1C2 C1 C2
0S d1 d2 r1 r2
②.已知 U,求0、E、D。
0
q S
CU S
0SU
S d1 d 2
0U
r1 r2
d1 d2
r1 r2
d1 d2
r1 r2 d
22
E1
Байду номын сангаас
0 0r1
d1
r1
0U
d2
r2
0r1
1)不管是位移极化还是取向极化,其最后的宏观 效果都是产生了极化电荷。
综 2)两种极化都是外场越强,极化越厉害,所产生 述:的分子电矩的矢量和也越大。
3)极化电荷被束缚在介质表面,不能离开电介质 到其它带电体,也不能在电介质内部自由移动。它 不象导体中的自由电荷能用传导方法将其引走。
7
二、极化强度矢量
r
r 称为相对
介电常数或
电容率。
从电学性质看电介质的分子可分为两类:无极分子、
有极分子。
每个分子负电荷对外影响均可等效为 单独一个静止的负电荷 的作用。其大小为 分子中所有负电之和,这个等效负电荷的 作用位置称为分子的“负电作用中心”。
-
3
同样,所有正电荷的作用也可等效一
个静止的正电荷的作用,这个等效正电 荷作用的位置称为“正电作用中心”。
电场 E有如下关系:Pe0E
e 称为电极化率或极化率, 在各向同性线性电介质
中它是一个纯数。
14
D 在均匀0各E 向同P 性介0质E 中P e0E e 0(1 Ee)0E
r0E
r (1e) 称为相对介电常数或电
容率。
在各向同E性介质中D.rE0关称系为:介D 电常数r,0E E

09介质中的高斯定理电位移矢量

09介质中的高斯定理电位移矢量

3
二、介质中的高斯定理 电位移矢量
1.介质中的高斯定理 1.介质中的高斯定理 真空中的高斯定理 φ =
r r ∫∫ E ⋅ dS =
S
∑q
ε0
在介质中,高斯定理改写为: 在介质中,高斯定理改写为:
自由电荷 总场强
v v 1 ∫∫ E ⋅ dS =
S
ε0
∑ (q
S
0
+q )
'
束缚电荷
v v 1 ∫∫ E ⋅ dS =
v = εE
电常量。 电常量。
例1:将电荷 q 放置于半径为 R 相对电容率为 εr 的介 : 质球中心, 质球中心,求:I 区、II区的 D、E、 及 U。 区的 、 、 。 在介质球内、 解:在介质球内、外各作半径为 r 的 高斯球面。 高斯球面。 R
r r ∫∫ D ⋅ dS = ∑q0
S
r r r 球面上各点D大小相等 D 大小相等, 球面上各点 大小相等, // dS , cosθ = 1 II 2 ∑q0 D4πr = q0 , ∴ D = 高斯面 4πr 2 q q I区: 1 = 区 D II区: 2 = 区 D 2 4πr2 4πr
dr =
q 4πε 0r
9
例2:平行板电容器极板间距为 d , 极板面积为 S,面 : , 电荷密度为 σ0 , 其间插有厚度为 d’ 、电容率为 εr 的 电介质。求 : ①. P1 、P2点的场强E;②.电容器的电 电介质。 点的场强 ; 电容器的电 容。 ①. 过 P1 点作高斯柱面 左右底面分别经过导体 点作高斯柱面, 解: d' − σ 和 P1 点。 σ
r r φD = ∫∫ D ⋅ dS = ∑ q0
S

有介质时的高斯定理

有介质时的高斯定理
(1)分子中的正电荷等效中心 与负电荷等效中心 重合的称为无极分子(如H2、 CH4、CO2)
无极分子在电场中, 正负电荷中心会被
拉开一段距离,产生 感应电偶极矩,这
称为位移极化。
无极分子
l
q q
p ql
感应电偶极矩
(2)分子中的正电荷等效中心 与负电荷等效中心 不重合的称为有极分子(如 HCl、H2O、NH3 )
例如左图的左右表面 上就有极化电荷。
正是这些极化电荷 的电场削弱了电介 质中的电场。
电介质的击穿
当外电场很强时,电介质的正负电中心 有可能进一步被拉开,出现可以自由移动的 电荷,电介质就变为导体了,这称为击穿。
电介质能承受的最大 电场强度称为该电介质 的击穿场强, 或介电强度。
例如. 空气的击穿场强 约 3 kV/mm.
介质中的高斯定理又写为: sD dS q内
… 的高斯定理
即通过任意封闭面的电位移的通量等于 该封闭面所包围的自由电荷的代数和。
说明: 1.它比真空中的E 的高斯定律更普遍,当没有电介质
时, 即r=1, 就过渡到真空中的高斯定律了。
2.如果电场有一定的对称性,我们就可以先从 D 的高
斯定理求出 D 来;然后再求出 来。
实验:插入电介质后,电压变小
U U0
r
Q Q Q Q
r>1……介质的
相对介电常数 (相对电容率)
r 随介质种类和

U
为什么插入电介质 会使电场减弱?
1电介质的极化
电介质这类物质中,没有自由电子, 不导电, 但可以极化。 电介质分子可分为有极和无极两类:
有极分子在电场中, 固有电偶极矩会转向 电场的方向,这称为 转向极化。

大学物理课件-4静电场中的电介质电介质中的电场高斯定理电位移

大学物理课件-4静电场中的电介质电介质中的电场高斯定理电位移

谢谢观看
2021/3/18
26
4πe r
Q R12
2
4πR1
er
1 Q
er
在外表面上的正极化电荷的总量为
q外
外 S外
er 1 4πe r
Q R22
4πR22
er 1Q er
2021/3/18
21
例2:平行板电容器充满两层厚度 +
为 d1 和 d2 的电介质(d=d1+d2 ),
相对电容率分别为e r1 和e r2 。
S1
求:1.电介质中的电场 ;2.电容量。
2021/3/18
12
在保持电容器极板所带电量不变的情况下, 电容与电势差成反比,所以
C C0
U012 U12
er

C = e r C0
式中C0是电介质不存在时电容器的电容。
可见,由于电容器内充满了相对电容率为e r的 电介质, 其电容增大为原来的e r倍。
2021/3/18
13
四、电介质存在时的高斯定理
但随着外电场的增强,排列整齐的程度要增大。
无论排列整齐的程度如何,在垂直外电场的两个端面上 都产生了束缚电荷。
结论:有极分子的电极化是由于分子偶极子在外电场的作用 下发生转向的结果,故这种电极化称为转向电极化。
说明:在静电场中,两种电介质电极化的微观机
理显然不同,但是宏观结果即在电介质中出现束缚
电荷的效果时确是一样的,故在宏观讨论中不必区
在宏观上测量到的是大量分子电偶极矩的统计
平均值,为了描述电介质在外场中的行为引入电极化
强度矢量。
2021/3/18
6
为表征电介质的极化状态,定义极化强度矢量:

电介质中高斯定理

电介质中高斯定理

1
r r 1 Q Q r 0 0
)
Q Q0 (1
1
)
⑤极化电荷密度 与
E 0 rE
1 0 P ( 1 ) ( r 1 ) 0 0 0E 0 ( r 1 ) 0E 0E
r
r
R2
R1

r
R2
解(1)
R1

d S l D
S
D 2 π rl l
D
E ( R r R ) 1 2 r 2 π rr 0 0
D 2π r
r
R2
R1

( R r R ) (2)由(1)可知 E 1 2 2π 0r r R R d r 2 U E d r ln R 2 π r 2 π 0r R 0 r 1
2.极化电荷与电极化强度之间的关系 (以位移极化为例) 电场中每个分子产生电矩:
++++-
++++-
++++-
++++-
均匀介质
E
++++-
pe ql
单位体积中分子电矩 的矢量和为:
p P V
nql
e
npe
式中 n 为介质中单位体积的分子数。
电极化强度和极化电荷面密度的关系
6 2 P ( ε 1 ) ε E 5 . 89 10 C m r 0 6 2 σ ε E 8 . 85 10 C m 0 00 6 2 σ ' P 5 . 89 10 C m 6 2 D ε ε E ε E σ 8 . 85 10 C m 0 r 0 0 0

3-5有介质时的高斯定理

3-5有介质时的高斯定理
s
q0和 ′ S所围区域内 q是 所围区域内
的自由电荷及极化电荷
ε0
3 – 5
有电介质时的高斯定理
第三章静电场中电介质
根据第四节的结果 则有
v r q′ = −∫ P⋅ ds
s
s ε0 r r r ∫ (ε 0 E + P ) ⋅ ds = q0 s
r r 1 r r ∫ E ⋅ ds = ( q0 − ∫ P ⋅ ds )
r r r D = ε0εr E = εE
r E

3 – 5
有电介质时的高斯定理
第三章静电场中电介质
r D =
q0 r en 2 4π r
r r r D = ε0εr E = εE
r q0 >0, E离开球心向外 , r r e q0 < 0, E 指向球心 r , s e
n
r E=
q0 r en 2 4πε r
1 1 σ ′ = − σ 0 εr εr 1 2
讨论极化电荷正负
ε r −1 σ 1′ = σ0 εr
1 1
两种介质表面极化电荷面密度
εr −1 ′ σ2 = σ0 εr
2 2
3 – 5
有电介质时的高斯定理
第三章静电场中电介质
常用的圆柱形电容器, 例3 常用的圆柱形电容器,是由半径为 R1 的长 的薄导体圆筒组成, 直圆柱导体和同轴的半径为 R2 的薄导体圆筒组成, 并在直导体与导体圆筒之间充以相对电容率为 ε r 的 电介质.设直导体和圆筒单位长度上的电荷分别为 电介质 设直导体和圆筒单位长度上的电荷分别为 + λ )电介质中的电场强度、 和 − λ . 求(1)电介质中的电场强度、电位移和极 化强度; 电介质内、外表面的极化电荷面密度; 化强度;(2)电介质内、外表面的极化电荷面密度; 此圆柱形电容器的电容. (3)此圆柱形电容器的电容.

静电场中的电介质特性

静电场中的电介质特性

(1) 无极分子的位移极化 在外加电场作用下, 在外加电场作用下,无极分子原本重合的 正负电荷“重心”错开了, 正负电荷“重心”错开了,形成了一个电 偶极子, 偶极子,分子电偶极矩的方向沿外电场方 向。这种在外电场作用下产生的电偶极矩 称为感生电矩。 称为感生电矩。 在外电场的作用下电介质出现极化电荷的 现象,就是电介质的极化。 现象,就是电介质的极化。 在外场作用下,主要是电子位移, 在外场作用下,主要是电子位移,因而无 极分子的极化机制通常称为电子位移极化。 极分子的极化机制通常称为电子位移极化。
电介质体内一般没有自由电荷, 具有良好的绝缘性能 特点:具有极化能力和其中能够长期存在
电场的性质是电介质的基本属性
电介质的四大基本常数
介电常数:综合反映介质内部电极化行为的一个 介电常数 综合反映介质内部电极化行为的一个 主要的宏观物理量;以电极化的方式传递、 主要的宏观物理量;以电极化的方式传递、存 贮或记录电的作用与影响 电导是指电介质在电场作用下存在泄露电流 电导是指电介质在电场作用下存在泄露电流 介电损耗是电介质在电场作用下存在电能的损耗 介电损耗是电介质在电场作用下存在电能的损耗 击穿是指在强电场下可能导致电介质的破坏 击穿是指在强电场下可能导致电介质的破坏
1.无电场时 1.无电场时 有极分子 无极分子
分子热运动,各分子电偶极矩的取向杂乱无章, 分子热运动,各分子电偶极矩的取向杂乱无章, 整个电介质宏观上对外呈电中性 整个电介质宏观上对外呈电中性 2. 有电场时 有极分子介质-----取向极化 (orientation polarization) 有极分子介质 取向极化 orientation 无极分子介质-----位移极化(displacement polarization) 位移极化(displacement 无极分子介质 位移极化 边缘出现电荷 电荷分布 电介质的极化共同效果 电介质的极化共同效果 -----边缘出现电荷分布 极化 极化电荷( Polarization charges) 束缚电荷( bound charges)

电介质的极化

电介质的极化

+
+
H
+
正负电荷 中心重合
+
H C H
+
pe
O +
HH+ NhomakorabeaH
pe 0
pe
正电荷中心 ——分子电偶极矩
1. 无极分子的位移极化
e
无外电场时 pe 0
f
pe
l
E外
f
加上外电场后
pe 0
E外
+
极化电荷
+ + + + + +
极化电荷
2. 有极分子的转向极化
0

S
E dS
1
0
( 0 )S
r 1 0 r
0 ( 0 ) 0 0 r
1
+ + +
电位移矢量
D 0 r E E
有介质时的高斯定理
n D dS q0i S i 1
通过高斯面的电位移通量等于高斯面所包围的自由电荷 的代数和,与极化电荷及高斯面外电荷无关。
无电介质时
0
r
四.有电介质时的高斯定理
无电介质时
电位移矢量 0
+ + + + + + + + + + + + + + + + +
1 S E0 dS 0 0S
加入电介质后(各 向同性电介质)
σ '
σ '
-

4介质中的高斯定理

4介质中的高斯定理

=
Dv
ε
介质中的高斯定理
例 自由电荷面密度为σ0的平行板电容器,其极化电荷面密度
为多少?
解: 由介质中的高斯定理
-+σσ´0
D⋅S =σ0S D = σ0
D +σ´
E = D = σ0
- σ0
ε 0ε r ε 0ε r
σ0 = σ0 −σ′
E0
=
σ0 ε0
E′ = σ′ ε0
E = E0 − E′
介质中的高斯定理
大学物理
静电场中的导体和电介质
第4讲 介质中的高斯定理
介质中的高斯定理
一、有介质时的高斯定理
真空中的高斯定理: 介质中的高斯定理: 以导体平板为例:
∫∫SSEEvv⋅⋅ddSvSv==ε1ε010(∑∑qqii+ ∑ qi′)
∫SPv

v dS
移出S面
∫=
Pv

v dS
S′
∫= σ ′dS S′
v P
=
ε
0
v E
∫ ∫ ∫ v D

v dS
=
ε
S
S
3.
电位移矢量
v D
量是电场强度
v 0E

v dS
=

qi
v E

v dS
=
1
S
ε0
是E.v一个辅助量.描写电场的基本物理

qi
介质中的高斯定理
对于各向同性的电介质:
v P
=
χ

0
v E
( ) v
D
=
ε
0
v E

2.5 介质中的高斯定理

2.5 介质中的高斯定理
P = χ e ε0 E
4
P = ε0χe E
D = ε 0 E + P = ε 0 (1 + χ e ) E = ε 0ε r E = ε E
ε = ε 0ε r
称为介质的介电常数
为正实数, 因此, 已知电极化率 χ e 为正实数 , 因此 , 一切介质的介电常 数均大于真空的介电常数。 大于真空的介电常数 数均大于真空的介电常数。 实际中经常使用介电常数的相对值, 实际中经常使用介电常数的相对值 ,这种相对值 称为相对介电常数, 表示, 称为相对介电常数,以εr表示,其定义为
(r < a)
(r < a )
(r > a)
介质球内, 介质球内,极化电荷分布为 ρ P = −∇ ⋅ P1 = −∇ ⋅ [(ε − ε 0 ) E1 ] = −(ε − ε 0 )∇ ⋅ E1 球坐标中, 球坐标中,
1 ∂ 2 ∇⋅ A = 2 (r ⋅ Ar ) r ∂r 3(ε − ε 0 ) q 1 d 2 qr ρ P = −(ε − ε 0 ) 2 (r ) =− 3 r dr 4πε a 4πε a 3 (ε − ε 0 ) q = (ε − ε 0 ) E1 ⋅ e r |r = a = 2 4πε a
12
在r=a的球面上, r=a的球面上, 的球面上
例2:一个半径为 a 、介电常数为 ε 的均匀介质球内的极 2:一个半径为 化强度为 K
P=
r
er
为一常数。 其中 K为一常数。 1)计算束缚电荷体密度和面密度 计算束缚电荷体密度和面密度; 1)计算束缚电荷体密度和面密度; 2)计算自由电荷体密度 计算自由电荷体密度; 2)计算自由电荷体密度; 3)计算球内 外的电场和电位分布。 计算球内、 3)计算球内、外的电场和电位分布。 解:1)介质球内的束缚电荷体密度为 1)介质球内的束缚电荷体密度为

大学物理:第 13 章 电介质

大学物理:第 13 章 电介质
一、带电体系的静电能
若点电荷 q0 处于q 的电场中,
静电能为:
把q0从P点移到无限远时 静电场力作的功,就是 “系统”的静电势能。 或:把q0从无限远移动到P点的过 程中,外力反抗静电力作的功。
* 对于点电荷体系(或连续带电体),系统的能 量可以有类似的定义: 把点电荷体系无限分离到彼此间相距无限远的 过程中静电场力作的功,叫作该系统时的静电势 能。 对连续带电体,可以把带电体看成是由无限多 电荷元组成的点电荷体系。这样,连续带电体的 静电能量的定义同上。
一、电介质的分类
1. 有极分子: 无外场时,分子等效正、负电荷中心 不重合分子固有电偶极矩。
O-H+
-q H+
+
H 2O
=
+q
2. 无极分子: 无外场时,分子等效正、负电荷中心 重合无分子பைடு நூலகம்有电偶极矩。
-
+
+
-
=
±
-
O2
二、电介质的极化
1. 无极分子的位移极化 O2
-
- +
-
- -
+
-
-
- + + - + -+ p
四、电容器储存的静电能量(带电 Q)
+q
A
B
-q
dq +
uAB
+
电容器的静电能:
1Q 1 1 2 QU CU 2 C 2 2
2
五、电场的能量,能量密度
设带电系统静电作用能量是以电场能量 的形式储存在电场中的。 以平板电容器为例:
其中:
电容器体积:V = Sd
电场的能量密度: 单位体积电场所具有的能量

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理
(2)定义: D 0E P (普遍适用于各种介质)
而 P 0 E (用于各向同性介质)
3
则 D 0 1 E (用于各向同性介质)
即由E和可求得D,而且D与E方向相同,大小成正比。
① 令比例系数 0 1 称为电介质的绝对
介电常数。
② 真空中的绝对介电常数 0

P真空 0 而 P 0 E ,E不一定为0来自D ds q0S
4 r2 D q0
D
q0
4 r2
D
q0
4 r2

P +-
E + 金属 +
P
r 介质ε
-+
+-
q0+
B
n
+-
R
+
S
由D E得:
E
q0
4 r2

q0 0,E与rˆ同向,背离球心
q0
0,E与rˆ反向,指向球心
(2)在交界面上取一点B,过B点作界面的法线单
单位矢 nˆ(由介质指向金属),则

真空 0 真空 0
③ 电介质的相对介电常数
④ 由此得
0
r
1
D
0
1
E
0r E
E
(对各向同性介质)
4
(3) D ds q0
S ①上式说明 D 对S面的通量等于S内的自由电荷量,
与 q 无关,但 D 本身与 q和 q0 均有关。
②如果 q0 0,则 D ds 0
S
说明 D 对S面的通量为0,但 D 不一定为0;S面内
§3.5 有电介质时的高斯定理
一 电介质中的场强
电介质在外电场中极化,电介质 中的电场是极化 电荷产生的附加电场 E和外电场 E0 的矢量和。

07--4、电介质中的电场高斯定理

07--4、电介质中的电场高斯定理

解: (1)自由电荷所产生旳场强(在真空中)为
E0
σ0 ε0
9.0 106 8.85 1012
1.02 106 V/m
(2)

E
E0 εr
εσrε00
σ0 ε
可知电介质内的场强为
E
σ0 ε
9.0 106 3.5 1011
2.57 105
V/m
(3)极化电荷面密度为:
0
0
3.5 1011 8.85 1010 3.5 1011
有电介质时旳高斯定理得(注意导体中
D=0):
D dS S2
D dS
右底面
D1 A
A
与前面的式子相比较, 有D1 D2
+ +
S2
利用 D1 1E1 ,D2 2 E2 ,可求得:
E1
1
r1 0
,
E2
2
r 2 0
(2)正、负两极板间旳电势差为:
U
E1d1
E2d2
(d1 1
E1 E2
S D dS D S 0 S
D= 0
E1
D
1
0 0 r
E2
D
0
0 0
U
E1
d 2
E2
d 2
0d 2 0 r
0d 2 0
0d 0
r 1 2 r
3 5 U0
C1
Q1 U1
2 r 0 S
d
C2
Q2 U2
2 0 S
d
C1,C2串联:
C
C1C2 C1 C2
5 3 C0
由前面知:
例6、同轴电缆半径分别为R1和R2,其间充斥电介质 r1,,r2 ,

介质中的高斯定理

介质中的高斯定理

v E
D
介质中的高斯定理
例 自由电荷面密度为0的平行板电容器,其极化电荷面密度
为多少?
解: 由介质中的高斯定理
-+´0
DS 0S D 0
D +´
E
D
0r
0 0 r
- 0
0 0
E0
0 0
E 0
E E0 E
0 r 0 0
1
1
r
0
E
dS S
++++++
-q - - - - - -
移出S面
qi
留在S面内
介质中的高斯定理
v v E dS
S
1
0
qi
1
0
vv P dS
S
S 0E P dS qi
定义电位移矢量: D 0 E P C m2
介质中的高斯定理: 在任何静电场中,通过任意闭合曲面 的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷的代数和.
D S
dS
qi
说明:
D S
dS
qi
介质中的高斯定理
1. 介质中的高斯定理虽说是从平板电容器这一特例推 导出,但它却有普适性.
2. 介质中的高斯定理包含了真空中的高斯定理.
真空中: P 0 所以: D 0E P 0E
v D dS
S
S 0E dS qi
vv E dS
S
1
0
qi
3. 电位移矢量D 是一个辅助量.描写电场的基本物理
介质中的高斯定理
大学物理
静电场中的导体和电介质
第4讲 介质中的高斯定理
介质中的高斯定理
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1.真空中 P = 0 ,真空中无电介质。 真空中 真空中无电介质。 2.导体内 P = 0 ,导体内不存在电偶极子。 导体内 导体内不存在电偶极子。
8
(2)极化(束缚)电荷与极化强度的关系 )极化(束缚) 在电介质的表面上, 在电介质的表面上,极化强度与极化电荷之间有 r r 如下关系: 如下关系: ' = P = P cosθ = P ⋅ e σ
r E'
r E
r E0
εr 称为相对
介电常数或 电容率。 电容率。
2.电介质极化的微观机制 2.电介质极化的微观机制 从电学性质看电介质的分子可分为两类:无极分子、 从电学性质看电介质的分子可分为两类:无极分子、 有极分子。 有极分子。 每个分子负电荷对外影响均可等效为 的作用。 单独一个静止的负电荷 的作用。其大小为 分子中所有负电之和, 分子中所有负电之和,这个等效负电荷的 作用位置称为分子的 负电作用中心” 称为分子的“ 作用位置称为分子的“负电作用中心”。
静电场中的电介质 介质中的高斯定理
1
从电场这一角度看,电介质就是绝缘体。 从电场这一角度看,电介质就是绝缘体。 特点:电介质体内只有极少自由电子。 特点:电介质体内只有极少自由电子。 我们只讨论静电场与各向同性电介质的相互作用。 我们只讨论静电场与各向同性电介质的相互作用。
一、静电场对电介质的作用—电介质的极化 静电场对电介质的作用—
∫ P ⋅ dS = − ∑ q
S S inside
在任一闭合曲面内极化电荷的负值等于极化强度的通量。 在任一闭合曲面内极化电荷的负值等于极化强度的通量。
9
四、介质中的高斯定理 电位移矢量
1.介质中的高斯定理 1.介质中的高斯定理 真空中的高斯定理 φ =

S
r r E0 ⋅ dS =
自由电荷
∑q
r rE0
F

r E0
这种由分子极矩的转向而引起的极化现象称为取向极化 这种由分子极矩的转向而引起的极化现象称为取向极化
6
外场越大,电矩趋于外场方向一致性越好, 外场越大,电矩趋于外场方向一致性越好,电矩 的矢量和也越大。 的矢量和也越大。 说明:电子位移极化效应在任何电介质中都存在, 说明:电子位移极化效应在任何电介质中都存在,而 分子转向极化只是由有极分子构成的电介质所特有的, 分子转向极化只是由有极分子构成的电介质所特有的, 只不过在有极分子构成的电介持中, 只不过在有极分子构成的电介持中,转向极化效应比 位移极化强得多,因而是主要的。 位移极化强得多,因而是主要的。 1)不管是位移极化还是取向极化,其最后的宏观 )不管是位移极化还是取向极化, 效果都是产生了极化电荷。 效果都是产生了极化电荷。 )两种极化都是外场越强,极化越厉害, 综 2)两种极化都是外场越强,极化越厉害,所产生 的分子电矩的矢量和也越大。 的分子电矩的矢量和也越大。 述: 极化电荷被束缚在介质表面, 3)极化电荷被束缚在介质表面,不能离开电介质 到其它带电体,也不能在电介质内部自由移动。 到其它带电体,也不能在电介质内部自由移动。它 不象导体中的自由电荷能用传导方法将其引走。 不象导体中的自由电荷能用传导方法将其引走。
r 单位: 库仑/ 单位:[库仑/米2] 电极化强度矢量: 电极化强度矢量:P = ∆V v 注意: pei 是第i个分子的电偶极矩; 注意: 介质极化也 是第i个分子的电偶极矩; 其中
宏观无限小微观无限大; ∆V宏观无限小微观无限大; 说明: 说明:
有均匀极化与非均 匀极化之分。 匀极化之分。
r ∑Pei
3.介质中高斯定理的应用 3.介质中高斯定理的应用 如果电荷和介质的分布具有一定对称性, 如果电荷和介质的分布具有一定对称性,可利用介 质中的高斯定理求场强: 质中的高斯定理求场强:先根据自由电荷的分布利用 介质中的高斯定理求出电位移矢量的分布, 介质中的高斯定理求出电位移矢量的分布,再根据电 位移矢量与场强的关系求出场强的分布。 位移矢量与场强的关系求出场强的分布。 13
v v 介质中的高斯定理: 介质中的高斯定理: ∫ D ⋅ dS = ∑ q0
S S

S
介质中的高斯定理意义: 介质中的高斯定理意义:通过任一闭合曲面的电位移 通量,等于该曲面内所包围的自由电荷的代数和。 通量,等于该曲面内所包围的自由电荷的代数和。
11
S 说明: 说明: •介质中的高斯定理不仅适用于介质,也适用于真空。 介质中的高斯定理不仅适用于介质, 介质中的高斯定理不仅适用于介质 也适用于真空。
v = εE
容率。 容率。
例1:将电荷 q 放置于半径为 R 相对电容率为 εr 的介 : 质球中心, 质球中心,求:I 区、II区的 D、E、 及 U。 区的 、 、 。 在介质球内、 解:在介质球内、外各作半径为 r 的 高斯球面。 高斯球面。 R
r r ∫ D ⋅ dS = ∑q0
S
r r r 球面上各点D大小相等 D 大小相等, 球面上各点 大小相等, // dS , cosθ = 1 II 2 ∑q0 D4πr = q0 , ∴ D = 高斯面 4πr 2 q q I区: 1 = 区 D II区: 2 = 区 D 2 4πr2 4πr
E0
外场越强,分子电矩的矢量和越大,极化也越厉害。 外场越强,分子电矩的矢量和越大,极化也越厉害。
5
(2)有极分子电介质的极化 有极分子电介质的极化 •在没有外电场时,有极分子正负电 在没有外电场时, 在没有外电场时 荷中心不重合,分子存在固有电偶 荷中心不重合,分子存在固有电偶 极矩。 极矩。但介质中的电偶极子排列杂 宏观不显极性。 乱,宏观不显极性。 •有外场时电偶极子在外场作用下 有外场时电偶极子在外场作用下 发生转向, 发生转向,使电偶极矩方向趋近于 r F 与外场一致所致。 与外场一致所致。 由于分子的无规则热运动, 由于分子的无规则热运动, 这种转向只能是部分的, 这种转向只能是部分的,遵守统 计规律。 计规律。 在外电场中, 在外电场中,在有极分子电介 质表面出现极化电荷, 质表面出现极化电荷,
v v 介质中的高斯定理: 介质中的高斯定理: ∫ D ⋅ dS = ∑ q0
S
•高斯面上任一点 是由空间总的电荷的分布决定的, 高斯面上任一点D是由空间总的电荷的分布决定的 高斯面上任一点 是由空间总的电荷的分布决定的, 不能认为只与面内自由电荷有关。 不能认为只与面内自由电荷有关。 2.电位移矢量 2.电位移矢量 •电位移矢量是为消除极化电荷的影响而引入的辅助物 电位移矢量是为消除极化电荷的影响而引入的辅助物 理量,它既描述电场,同时也描述了介质的极化。 理量,它既描述电场,同时也描述了介质的极化。 方向:与介质中的场强方向相同。单位:库仑/米 方向:与介质中的场强方向相同。单位:库仑 米2,
εr
3
同样, 同样,所有正电荷的作用也可等效一 个静止的正电荷的作用,这个等效正电 个静止的正电荷的作用,这个等效正电 荷作用的位置称为 正电作用中心” 称为“ 荷作用的位置称为“正电作用中心”。 无极分子:正负电荷作用中心重合的分子; 无极分子:正负电荷作用中心重合的分子; 如H2、N2、O2、CO2 在无外场作用下整个分子无电矩。 在无外场作用下整个分子无电矩。 无电矩 有极分子: 有极分子:正负电荷作用中心不重 合的分子。 合的分子。 如H2O、CO、SO2、NH3….. 、 、 有极分子对外影响等效为一 个电偶极子, 个电偶极子,在无外场作用下存 固有电偶极矩。 在固有电偶极矩。
+
+
H2 O
+ -
H+
-
H+
+
4
+
+
+
H2O
(1)无极分子电介质的极化 无极分子电介质的极化 •在没有外电场时,无极分子没有电偶极矩,分子不 在没有外电场时, 在没有外电场时 无极分子没有电偶极矩, 显电性。 显电性。 位移极化 •有外场时呈现极性。 有外场时呈现极性。 有外场时呈现极性 v 这种由于正电中心和负 r E 0 P 电中心的移动而形成的极 r 化现象叫做位移极化 位移极化。 化现象叫做位移极化。 均匀介质极化时在介质表面出 现极化电荷, 现极化电荷, 非均匀介质极化时,介质的表 非均匀介质极化时, 面及内部均可出现极化电荷。 面及内部均可出现极化电荷。 位移极化主要是由电子的移动造成的。 位移极化主要是由电子的移动造成的。
1.极化现象 1.极化现象 将电介质放入电场,表面出现电荷。 将电介质放入电场,表面出现电荷。 这种在外电场作用下电介质表面 电介质的极化。 出现电荷的现象叫做电介质的极化 出现电荷的现象叫做电介质的极化。 所产生的电荷称之为“极化电荷” 所产生的电荷称之为“极化电荷”。 在电介质上出现的极化电荷是正负 电荷在分子范围内微小移动的结果, 电荷在分子范围内微小移动的结果, 所以极化电荷也叫“束缚电荷” 所以极化电荷也叫“束缚电荷”。
v def v v • 定义:电位移矢量 D ≡ ε 0 E + P 定义:
χ e 称为电极化率或极化率, 称为电极化率或极化率,
中它是一个纯数。 中它是一个纯数。
v 对于大多数各向同性的电介质而言, 对于大多数各向同性的电介质而言,极化强度 P与 r r v 有如下关系: 电场 E有如下关系:P = χeε0E
ε0
0
在介质中,高斯定理改写为: 在介质中,高斯定理改写为:
总场强
v v 1 ∫ E ⋅ dS =
S
ε0
∑ (q
S
0
+q )
'
束缚电荷
v v 1 ∫ E ⋅ dS =
S

S
ε0 S ε0 S v v v (ε 0 E + P) ⋅ dS = ∑ q0
S
v v 1 ∑ q0 − ∫∫ P ⋅ dS
v v ' ∫ P ⋅ dS = −∑ q
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