晶圆基础知识
晶圆---简介
晶圆是制造IC的基本原料硅是由沙子所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
我们会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这座晶圆厂有较好的技术。
另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成本。
所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。
当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。
晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。
二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。
晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。
硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
晶圆工艺晶圆的生产工艺流程从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长-- 晶棒裁切与检测-- 外径研磨-- 切片-- 圆边-- 表层研磨-- 蚀刻-- 去疵-- 抛光-- 清洗-- 检验-- 包装1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
200毫米晶圆-概念解析以及定义
200毫米晶圆-概述说明以及解释1.引言1.1 概述200毫米晶圆是一种在半导体制造过程中广泛使用的基础材料。
晶圆是一种扁平而圆形的硅基片，通常用于制造集成电路和其他电子元件。
随着科技的不断进步，对晶圆的要求也越来越高。
200毫米晶圆因其尺寸较大，具有更高的集成度和更高的生产效率，逐渐成为半导体行业的主流选择。
相比之下，100毫米或150毫米晶圆的制造成本相对较高，而300毫米晶圆则受到供应链和工艺等因素的限制。
而200毫米晶圆则在成本和生产效率之间取得了良好的平衡。
200毫米晶圆的制造过程需要经历多道工序，包括切割、抛光、清洗等。
然后，在晶圆上可以进行光刻、薄膜沉积、离子注入和扩散等步骤，最终制造出集成电路的各个组件。
除了制造集成电路，200毫米晶圆在其他领域也有着广泛的应用。
例如，它可以用于制造太阳能电池板、LED芯片和传感器等。
因此，随着人们对电子产品和新能源需求的不断增长，200毫米晶圆的市场需求也在逐渐扩大。
总之，200毫米晶圆在半导体制造业中具有重要的地位。
它的尺寸恰到好处，使得制造成本和生产效率得到平衡。
随着技术的不断发展，我们可以期待200毫米晶圆在未来的应用领域中发挥更重要的作用。
1.2 文章结构文章结构部分的内容如下：在本文中，将按照以下结构进行阐述：引言部分将提供关于200毫米晶圆的背景信息和概述；正文部分将依次介绍三个要点，包括第一个要点、第二个要点和第三个要点；结论部分将对本文的主要内容进行总结，并对结果进行分析，并展望200毫米晶圆的未来发展方向。
通过这样的结构安排，旨在全面介绍和探讨200毫米晶圆的相关问题，并对其应用前景进行展望。
1.3 目的本文的目的是探讨200毫米晶圆在半导体制造领域的应用，并对其优势和挑战进行分析。
首先，我们将介绍晶圆的基本概念和制造工艺，然后重点关注200毫米晶圆在集成电路生产中的应用情况。
通过比较不同尺寸的晶圆，我们将评估200毫米晶圆的优势和劣势，并分析其在提高集成电路生产能力和降低制造成本方面的潜力。
集成电路晶圆测试基础ppt课件
3. 晶圆测试项目
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3. 晶圆测试项目
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3. 晶圆测试项目
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3. 晶圆测试项目
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3. 晶圆测试项目
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3. 晶圆测试项目
• 范德堡测试图形 正十字范德堡结构是应用最广泛的测试结构。
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3. 晶圆测试项目
• 常用的方块电阻测试结构 以典型的双极工艺为例
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3. 晶圆测试项目
1. 硅片 2. 晶圆 3. 晶圆测试项目 4. 晶圆测试设备 5. 晶圆测试操作
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4. 晶圆测试设备
信号控制仪器 + 机械设备
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4. 晶圆测试设备
手动探针台
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4. 晶圆测试设备
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4. 晶圆测试设备
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4. 晶圆测试设备
自动探针台
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4. 晶圆测试设备
探针卡
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4. 晶圆测试设备
第二单元 集成电路晶圆测试基础
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第二单元 集成电路晶圆测试基础
1. 硅片 2. 晶圆 3. 晶圆测试项目 4. 晶圆测试设备 5. 晶圆测试操作
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1. 硅片
制备集成电路芯片的晶圆片，其衬底材料主要为硅片， 其纯度为99.9999999%，简称“九个9” 。 硅片制备与检测
硅材料
单晶硅 多晶硅 非晶硅
容等
Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc、二极管等 Vth、电容、耐久测试等
脉冲 Id-Vg、脉冲 Id-Vd、击穿等 电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc 等 NBTI/PBTI、电荷泵、电迁移、热载子注入、恒增电
流（J-Ramp）、TDDB 等 其它
晶圆详细介绍
目录1.01晶圆2.01制造过程3.01著名晶圆厂商4.01制造工艺4.02表面清洗4.03初次氧化4.04热CVD4.05热处理4.06除氮化硅4.07离子注入4.08退火处理4.09去除氮化硅层4.10去除SIO2层4.11干法氧化法4.12湿法氧化4.13氧化4.14形成源漏极4.15沉积4.16沉积掺杂硼磷的氧化层4.17深处理5.01专业术语1.01晶圆晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等）。
晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。
一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
2.01制造过程二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%，因在精密电子元件当中，硅晶圆需要有相当的纯度，不然会产生缺陷。
晶圆制造厂再以柴可拉斯基法将此多晶硅熔解，再于溶液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在融熔态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。
硅晶棒再经过切片、研磨、抛光后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
很简单的说，单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过切片、抛光之后，就成为了晶圆。
晶圆经多次光掩模处理，其中每一次的步骤包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、渗透、植入、刻蚀或蒸著等等，将其光掩模上的电路复制到层层晶圆上，制成具有多层线路与元件的IC晶圆，再交由后段的测试、切割、封装厂，以制成实体的集成电路成品，从晶圆要加工成为产品需要专业精细的分工。
3英寸晶圆
3英寸晶圆3英寸晶圆是半导体工业中的一种重要材料，它是一种硅制成的圆形薄片。
它通常被用于制造芯片，如计算机芯片、存储芯片、传感器等等。
本篇文章将围绕3英寸晶圆展开，分步骤地介绍这个晶圆的相关知识。
1. 什么是3英寸晶圆？通常情况下，晶圆是由半导体材料，如硅、镓等制成的。
3英寸晶圆是一种直径为3英寸（约为76毫米）的圆形薄片，它通常用于半导体工业中的芯片制造过程中。
一面晶圆是经过多次加工和处理的，比如切割、抛光等等。
2. 晶圆原材料如何制造？晶圆原材料是通过将硅锭切成薄片加工而成的。
硅锭是一种长条状的硅晶体，它的长度和直径通常都超过500毫米。
在硅锭的基础上，制造3英寸晶圆的步骤包括以下几个：2.1 切割：硅锭通过一台切割机切割成薄片，这个过程通常需要使用钢丝。
2.2 抛光：切割晶圆表面比较粗糙，需要进行抛光处理使其表面更平整。
2.3 清洗：抛光后的晶圆表面会残留粉尘等杂质，这时需要进行清洗。
2.4 烘干：清洗后的晶圆需要通过烘干机进行烘干，以去除水分。
以上是晶圆原材料的主要制造工艺。
3. 晶圆在芯片制造中的作用制造芯片的主要过程是晶圆加工。
晶圆是芯片制造过程中的载体，上面可以生长各种单晶硅或掺杂层。
制造芯片的工艺通常需要涂覆一层光敏胶，通过曝光和显影去除不需要的部分，保留需要的部分，然后对晶圆进行腐蚀和清洗。
最后，在晶圆上刻出电路图形，制成各种功能的芯片。
4. 晶圆的特点晶圆具有以下一些特点：4.1 直径固定：3英寸晶圆的直径固定为3英寸，不同尺寸的晶圆可以生长不同直径的硅单晶，以满足芯片工艺需求。
4.2 高纯度：晶圆需要经过多次纯化和加工处理，保证其净度，以满足芯片制造过程的要求。
4.3 所需工序较多：制造晶圆需要经过切割、研磨、抛光、清洗等多道工序，其中每道工序的精度和质量都非常重要。
总之，3英寸晶圆是半导体工业中最为重要的材料之一。
通过上述步骤制造而成，它的用途主要是做为芯片制造的载体，在电子信息产业中起着举足轻重的作用。
晶圆详细介绍
目录1.01晶圆2.01制造过程3.01着名晶圆厂商4.01制造工艺4.02表面清洗4.03初次氧化4.04热CVD4.05热处理4.06除氮化硅4.07离子注入4.08退火处理4.09去除氮化硅层4.10去除SIO2层4.11干法氧化法4.12湿法氧化4.13氧化4.14形成源漏极4.15沉积4.16沉积掺杂硼磷的氧化层4.17深处理5.01专业术语1.01晶圆晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。
晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。
一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
2.01制造过程“长晶”。
硅晶棒再经过切片、研磨、抛光后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
很简单的说，单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过切片、抛光之后，就成为了晶圆。
晶圆经多次光掩模处理，其中每一次的步骤包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、渗透、植入、刻蚀或蒸着等等，将其光掩模上的电路复制到层层晶圆上，制成具有多层线路与元件的IC晶圆，再交由后段的测试、切割、封装厂，以制成实体的集成电路成品，从晶圆要加工成为产品需要专业精细的分工。
3.01着名晶圆厂商只制造硅晶圆基片的厂商例如合晶（台湾股票代号：6182）、中美晶（台湾股票代号：5483）、信越化学等。
晶圆制造厂着名晶圆代工厂有台积电、联华电子、格罗方德（Global Fundries）及中芯国际等。
英特尔（Intel）等公司则自行设计并制造自己的IC晶圆直至完成并行销其产品。
晶圆
看中成行成市粤台经贸交流会期间，珠海市引进55个台资项目，引进资金5.96亿美元，其中有数个软件、芯片、电子项目。珠海市副市长周本辉说：“过去珠海缺乏工业配套，但近两年出现四五个可以配套的产业链，其中IT产业链已有美国伟创力、南科两个龙头。”南科是产业的链头，芯片产量将因8寸晶圆的引进而成规模；伟创力为链中，目前珠海多层线路板的生产能力达到每年300万平方米。周本辉说：“在IT业的上游，珠海还有400多家软件企业，去年软件产值达 16亿，产业规模在广东仅次于广州、深圳；在IT业的下游则是手机和通讯产品的生产企业。珠海的产业链都是台湾的优势产业，因而为台商投资提供了更多机会。”
随着晶圆供应紧张而来的，是越来越多的企业投产晶圆生产线。国内8寸晶圆厂包括华虹NEC、和舰、中芯、宏力等至少有5座8吋晶圆代工厂持续投产与扩产，预估2004年8吋晶圆产能将大幅增长，达单月15.5万片的水准，比现有产能增加约85%；部份曾在力晶、联电任职的中国台湾半导体业人士，近期也计划在华东地区兴建8吋厂；同时日本松下电器、德国大厂Wacker等国外大厂也开始投产晶圆生产。
中国主要半导体代工厂商中国芯国际(SMIC)预测，中国晶圆厂建设速度将在2006年趋于平稳。
即使如此，国内芯片生产仍不足以满足不断增长的需求。有人预测，今年国内半导体产值将达到48亿美元，而芯片需求估计高达221亿美元。 2004年国内芯片产值将升至63亿美元，而这仍然远低于中国的芯片需求，预计届时中国的芯片需求将达到276亿美元。需求与供给差距过大，晶圆短缺的现状在短期内不会得到多大的缓解。
「晶圆」乃是指矽半导体积体电路制作所用之矽晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆；在矽晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之ic产品。「晶圆」的原始材料是「矽」,地壳表面有着取之不尽用之不竭的二氧化矽,二氧化矽矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶矽,其纯度高达 0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶矽融解,再于融液内掺入一小粒的矽晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成 圆柱状的单晶矽晶棒,由于矽晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的矽原料中逐渐生成,此过程称为「长晶」,矽晶棒再经过研磨、抛光、切片后,即成为积体电路工厂的基本原料----矽晶圆片,这就是「晶圆」。国内自1997年起已有厂家生产八英寸(200mm)晶圆片,未来将会生产十二寸晶圆。「晶圆」的制造是整个电子资讯产业中最上游的部份,「晶圆」产业的发展优劣,直接影响半导体工业,也可从中观察出整个资讯产业的发展趋势。
wafer晶圆 制造原理
wafer晶圆制造原理引言概述：Wafer晶圆是半导体制造中不可或缺的重要组成部分。
它是半导体芯片制造的基础，具有关键的制造原理。
本文将从六个大点来详细阐述Wafer晶圆的制造原理。
正文内容：1. 晶圆材料选择：1.1 材料特性：Wafer晶圆通常采用硅材料，因为硅具有良好的半导体特性，如导电性和热传导性。
1.2 纯度要求：晶圆材料的纯度非常重要，因为杂质会影响晶圆的电性能和可靠性。
因此，晶圆材料必须经过严格的纯化过程，以确保高纯度。
2. 晶圆生长：2.1 单晶生长：晶圆的生长过程通常采用单晶生长技术，通过将熔融的硅材料缓慢冷却，使其形成单晶结构。
2.2 晶圆直径控制：晶圆直径的控制对于半导体芯片的制造非常重要。
晶圆的直径越大，可以容纳更多的芯片，从而提高生产效率。
3. 晶圆切割：3.1 晶圆切割工艺：晶圆生长后，需要进行切割成薄片，以便进行后续的加工。
切割工艺通常采用钻石刀片或激光切割技术。
3.2 切割精度：切割精度对于晶圆的质量和产量都有重要影响。
切割过程中需要控制切割角度和切割深度，以确保切割的薄片平整和精确。
4. 晶圆清洗：4.1 清洗目的：晶圆在切割过程中会产生许多杂质和污染物，需要进行清洗。
清洗的目的是去除杂质，保证晶圆的表面干净。
4.2 清洗方法：常见的清洗方法包括化学清洗和超声波清洗。
化学清洗使用化学溶液来溶解污染物，超声波清洗利用超声波震荡来去除污染物。
5. 晶圆涂覆：5.1 涂覆目的：晶圆涂覆是为了保护晶圆表面，并提供一个适合芯片制造的工作平台。
5.2 涂覆材料：常用的涂覆材料包括光刻胶和保护膜。
光刻胶用于芯片的光刻工艺，保护膜用于保护晶圆表面免受污染和损伤。
6. 晶圆检测：6.1 检测目的：晶圆检测是为了确保晶圆的质量和可靠性。
通过检测可以发现晶圆表面的缺陷和杂质。
6.2 检测方法：常用的检测方法包括光学检测和电学检测。
光学检测使用光学显微镜或显微摄像机来观察晶圆表面，电学检测使用电学测试仪器来测量晶圆的电性能。
半导体行业专业知识-wafer知识
半导体行业专业知识 - Wafer 知识在半导体行业中，晶圆（Wafer）是一种重要的概念。
晶圆是半导体工厂生产芯片的基础，它通过光刻技术在上面刻出芯片上的电路和电子元器件。
本文将介绍一些关于晶圆的基础知识，以及与晶圆相关的工艺流程。
晶圆的基础知识晶圆又被称为衬底，它是由单晶硅材料制成，并且表面非常平整。
在制造晶圆时，首先需要采用化学气相沉积等技术将硅石及硅片中的多晶硅转化为单晶硅，然后通过超细磨片技术将硅块加工成薄而平整的圆盘，这就是晶圆。
晶圆的尺寸通常是指直径，主要有6英寸、8英寸、12英寸等几种规格，现在逐渐向更大的尺寸发展，如14英寸、18英寸等。
硅晶圆的制造工艺中还要注意晶圆表面的净化、去除有机污染物、消除缺陷等问题，以保证芯片的质量。
晶圆与半导体工艺晶圆在半导体工艺中起着至关重要的作用，通过晶圆衬底上的光阻和掩膜，施加光照、刻蚀等工艺，形成电路和元器件。
晶圆工艺的步骤如下：前处理前处理是指在晶圆上形成光阻和其他掩膜准备工作。
这个过程主要分为清洗、干燥、回流、涂敷、曝光等步骤，这些过程保证了晶圆表面的平整和光阻的黏附性，以及涂敷的厚度和误差。
离子注入离子注入通常是指将外界材料掺入晶圆内部，以改变晶圆中的电子元器件的性质。
这个过程中要注意注入能量、保证注入的均匀性等问题。
薄膜沉积薄膜沉积是指在晶圆表面上沉积一层新的材料，如金属、氧化物，以增加芯片的实用性。
这个过程包括物理气相沉积、化学气相沉积等技术。
集成电路制造集成电路的制造是指将电子器件和电路的制造过程，与晶圆上的光阻和掩膜相结合，对晶圆表面进行刻蚀、沉积等工艺，最终制成电子元器件。
本文简单介绍了晶圆在半导体工艺中的重要作用，以及晶圆的基础知识和工艺流程。
虽然前沿技术的发展迅速，但是晶圆作为半导体工厂的基础，仍然是半导体行业中至关重要的一环。
晶圆
晶圆详细介绍目录1.01晶圆2.01制造过程3.01著名晶圆厂商4.01制造工艺4.02表面清洗4.03初次氧化4.04热CVD4.05热处理4.06除氮化硅4.07离子注入4.08退火处理4.09去除氮化硅层4.10去除SIO2层4.11干法氧化法4.12湿法氧化4.13氧化4.14形成源漏极4.15沉积4.16沉积掺杂硼磷的氧化层4.17深处理5.01专业术语1.01晶圆晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等）。
晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。
一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
2.01制造过程二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%，因在精密电子元件当中，硅晶圆需要有相当的纯度，不然会产生缺陷。
晶圆制造厂再以柴可拉斯基法将此多晶硅熔解，再于溶液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在融熔态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。
硅晶棒再经过切片、研磨、抛光后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
很简单的说，单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过切片、抛光之后，就成为了晶圆。
晶圆经多次光掩模处理，其中每一次的步骤包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、渗透、植入、刻蚀或蒸著等等，将其光掩模上的电路复制到层层晶圆上，制成具有多层线路与元件的IC晶圆，再交由后段的测试、切割、封装厂，以制成实体的集成电路成品，从晶圆要加工成为产品需要专业精细的分工。
晶圆的标准尺寸 -回复
晶圆的标准尺寸-回复晶圆的标准尺寸是半导体制造过程中非常重要的概念。
晶圆是一种特殊的圆形薄片，通常由硅材料制成，用于制造集成电路。
在整个半导体制造流程中，晶圆尺寸的标准化对于保证生产效率和产品质量至关重要。
本文将逐步回答晶圆的标准尺寸问题，以帮助读者更好地理解该概念。
第一步：了解晶圆的基本概念晶圆是一种圆形的薄片，通常由硅材料制成，用于制造集成电路。
它是半导体制造过程中的核心材料之一。
在制造晶圆的过程中，通过一系列的工艺步骤，将各种电子元件和电路结构依次压印到晶圆上，最终形成集成电路芯片。
第二步：晶圆的尺寸标准化为了在不同的制造工艺和设备之间实现互操作性，对晶圆尺寸进行了标准化。
最常见的标准尺寸是以英寸为单位的直径。
目前，最常见的晶圆尺寸是8英寸（200毫米）和12英寸（300毫米）。
此外，6英寸（150毫米）和4英寸（100毫米）也是一些较小规模的生产线上常用的晶圆尺寸。
第三步：为什么选择特定的晶圆尺寸选择特定的晶圆尺寸是根据多种因素进行的。
首先，晶圆尺寸会直接影响到集成电路的产量。
通常来说，较大的晶圆能够容纳更多的电路芯片，从而提高产量和生产效率。
此外，较大的晶圆还可以减少单位芯片成本，因为在同一片晶圆上制造的芯片数量更多，可以更好地利用材料。
另外，新一代的半导体工艺通常需要更大的晶圆尺寸，以适应更高的集成度和更小的晶体管尺寸。
第四步：制造晶圆的挑战制造符合标准尺寸的晶圆是一个具有挑战性的过程。
首先，晶圆需要具备高度的平整度和光洁度。
任何微小的不平整都可能导致芯片上的缺陷。
其次，晶圆上的杂质和缺陷会对制造工艺和电子元件性能产生负面影响。
因此，晶圆制造过程需要严格的控制和检测，以确保产品质量。
第五步：晶圆尺寸变化的趋势随着科技的不断发展，晶圆尺寸也在不断增大。
较大的晶圆尺寸可以提高生产效率和产能，并减少单位产品成本。
另外，随着微纳加工技术的发展，晶圆上可以容纳更多的电子元件和电路结构，从而实现更高的集成度和性能。
芯片制造之揭秘晶圆制造详解
芯片是当代最伟大的发明之一。
如果没有芯片的出现，很难想象当前的电子时代会是什么样子。
正是因为芯片的发明，所有的功能才得以浓缩在一个小小的芯片中。
芯片是集成电路的载体，它从晶圆上切割而来，通常是计算机或其他电子设备的重要组成部分。
以晶圆为基础，通过层层叠加，就可以完成想要的形状（即各种类型的芯片），而作为半导体产业的基础，晶圆是集成电路的基础载体，因此晶圆的重要性不言而喻。
本文着重讲解晶圆的生产以及发展现状。
1、什么是晶圆在现代技术的领域中，半导体晶圆作为集成电路和电子设备的基础构建模块，已经彻底改变了我们的生活。
晶圆是由纯硅（Si）制成的。
它通常分为6英寸、8英寸和12英寸等不同规格。
芯片厂购买晶圆，用来制造NAND 闪存和DRAM晶圆。
由于每家公司使用的纳米技术不同，生产的NAND闪存芯片在性能、成本等方面存在差异。
制造成为NAND闪存晶圆后，晶圆会被切割成一个个独立的晶片，专业术语称为Die(裸晶)。
这些微小的、平坦的硅片承载着令人瞩目的历史，其历史可以追溯到20世纪中期。
1.1、早期岁月：半导体晶圆的诞生半导体晶圆的历史始于20世纪60年代初，但其起源可以追溯到几十年前。
半导体的基础工作在20世纪30年代和40年代奠定，当时像朱利叶斯·利利内夫尔德、约翰·巴丁和沃尔特·布拉坦等研究人员开发了场效应晶体管（FET）和点接触晶体管，这标志着固体电子学的第一步。
直到20世纪60年代初，半导体晶圆的概念才真正成型。
像德州仪器、英特尔这样的公司对晶圆作为制造集成电路（ICs）的理想衬底的发展和商业化起到了关键作用。
硅，这种在沙子中发现的丰富元素，由于其半导体性质，被证明是半导体晶圆的理想材料。
最早的晶圆相对较小，直径大约为1英寸（2.54厘米）。
然而，随着对更复杂、更强大的电子设备的需求增长，晶圆的尺寸也必须随之增长。
在20世纪60年代末和70年代初，行业从1英寸晶圆过渡到更大的尺寸，如2英寸（5.08厘米）和3英寸（7.62厘米）。
晶圆详细资料大全
晶圆详细资料大全晶圆是指矽半导体积体电路制作所用的矽晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在矽晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的积体电路产品。
晶圆的原始材料是矽，而地壳表面有用之不竭的二氧化矽。
二氧化矽矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶矽，其纯度高达99.999999999%。
基本介绍•中文名：晶圆•外文名：Wafer•本质：矽晶片•纯度：99.999999999%制造过程,基本原料,制造工艺,表面清洗,初次氧化,热CVD,热处理,除氮化矽,离子注入,专业术语,制造过程晶圆是制造半导体晶片的基本材料，半导体积体电路最主要的原料是矽，因此对应的就是矽晶圆。
矽在自然界中以矽酸盐或二氧化矽的形式广泛存在于岩石、砂砾中，矽晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：矽提炼及提纯、单晶矽生长、晶圆成型。
首先是矽提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000 ℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化矽进行化学反应（碳与氧结合，剩下矽），得到纯度约为98%的纯矽，又称作冶金级矽，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级矽进行进一步提纯：将粉碎的冶金级矽与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的矽烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶矽，其纯度高达99.999999999%，成为电子级矽。
接下来是单晶矽生长，最常用的方法叫直拉法（CZ法）。
如下图所示，高纯度的多晶矽放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约1400 ℃，炉中的气体通常是惰性气体，使多晶矽熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。
为了形成单晶矽，还需要控制晶体的方向：坩埚带着多晶矽熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由矽熔化物中向上拉出。
熔化的多晶矽会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。
晶圆,晶圆的分类,晶圆参数指标等维库电子通
晶圆,晶圆的分类,晶圆参数指标等维库电子通简介晶圆的原始材料是硅,地壳表面有着取之不尽用之不竭的二氧化硅,二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达 0.99999999999。
晶圆制造厂再将此多晶硅融解,再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成,此过程称为长晶,硅晶棒再经过研磨、抛光、切片后,即成为积体电路工厂的基本原料----硅晶圆片,这就是晶圆。
国内自1997 年起已有厂家生产八英寸(200mm)晶圆片,未来将会生产十二寸晶圆。
晶圆的制造是整个电子资讯产业中最上游的部份,晶圆产业的发展优劣,直接影响半导体工业,也可从中观察出整个资讯产业的发展趋势。
结构1 晶格：晶圆制程结束后，晶圆的表面会形成许多格状物，成为晶格。
经过切割器切割后成所谓的晶片2 分割线：晶圆表面的晶格与晶格之间预留给切割器所需的空白部分即为分割线3 测试晶格:指晶圆表面具有电路元件及特殊装置的晶格，在晶圆制造期间，这些测试晶格需要通过电流测试，才能被切割下来4 边缘晶格：晶圆制造完成后，其边缘会产生部分尺寸不完整的晶格，此即为边缘晶格，这些不完整的晶格切割后，将不被使用5 晶圆的平坦边：晶圆制造完成后，晶圆边缘都会切割成主要和次要的平坦边，目的是用来作为区分。
制作过程光学显影：是在光阻经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或矽晶上。
光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。
小尺寸之显像解析度，更在IC制程的进步上，扮演着最关键的角色。
由於光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。
因此俗称此区为黄光区。
干式蚀刻技术：在半导的体制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。
乾式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。
basic record 晶圆-概述说明以及解释
basic record 晶圆-概述说明以及解释1.引言1.1 概述引言部分是文章中的开端，主要介绍文章的背景和目的。
在本文的引言部分，我们将对晶圆技术中的基本记录进行概述。
晶圆技术是一种关键的半导体制造技术，它涉及到将电子元件集成到硅晶圆上。
在整个制造过程中，基本记录起着至关重要的作用。
基本记录是指对晶圆制造和处理过程中的数据和信息进行记录和管理的实践。
它包括对晶圆的制造、质量检验、测试、封装等环节进行详细的记录和追踪。
通过基本记录，我们可以有效地监控和控制整个制造过程，提高生产效率和产品质量。
晶圆技术在如今的电子工业中扮演着重要的角色。
从计算机、通信设备到消费电子产品，几乎所有现代电子设备都依赖于晶圆技术。
随着技术的不断进步和市场的需求不断增长，对晶圆技术的要求也越来越高。
而基本记录作为晶圆技术中必不可少的一环，对于确保制造过程的可控性和产品质量的稳定性至关重要。
本文旨在通过对基本记录的概述，帮助读者更好地理解晶圆技术中的基本记录的重要性。
在下文中，我们将进一步介绍基本记录的定义和背景，以及晶圆的概念和应用。
通过对这些内容的探讨，我们将对基本记录在晶圆技术中的作用有更加深入的理解，并展望其未来在晶圆技术中的发展前景。
文章结构为了确保文章的逻辑性和条理性，有助于读者更好地理解文章内容。
在本文中，我们将按照以下结构展开讨论:1. 引言1.1 概述1.2 文章结构1.3 目的2. 正文2.1 基本记录的定义和背景2.2 晶圆的概念和应用3. 结论3.1 总结基本记录的重要性3.2 对晶圆技术的展望在引言部分，我们将首先对本文的主要内容进行概述，简要介绍基本记录和晶圆的相关背景。
接下来，我们将详细介绍基本记录的定义、应用和重要性，以及晶圆的概念、制备和广泛应用于半导体工艺中的原因。
通过这些内容的介绍，读者将获得对基本记录和晶圆技术的全面认识。
在结论部分，我们将总结基本记录在各个领域中的重要性，并对其未来发展进行展望。
LED晶圆基础知识
LED晶圆基础知识/邮件群发摘要：LED晶圆是LED的核心部分，事实上，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于晶圆材料。
LED的相关电路元件的加工与制作都是在晶圆上完成的，所以晶圆技术与设备是晶圆制造技术的关键所在。
LED制作中与晶圆有关的工序1、LED晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。
在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。
其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。
到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。
LED晶圆的制作流程衬底>>结构设计>>缓冲层生长>>N型GaN层生长>>多量子阱发光层生长>>P型GaN层生长>>退火>>检测（光荧光、X射线）>>晶圆片晶圆>>设计、加工掩模版>>光刻>>离子刻蚀>>N型电极（镀膜、退火、刻蚀）>>P型电极（镀膜、退火、刻蚀）>>划片>>晶粒分检、分级（小汤）多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中，掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱，通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。
硅晶圆 导热系数
硅晶圆导热系数硅晶圆是电子工业生产中经常使用的一种材料，其导热系数是其中一个重要的参数。
导热系数指的是物质单位面积上的热量传输速率。
硅晶圆的导热系数对其在电子产品中的性能和使用寿命有很大影响。
本文将分步骤介绍硅晶圆的导热系数。
第一步：硅晶圆的基础知识硅晶圆是由硅单质生长而成的圆形薄片，它是半导体芯片和集成电路所需要的基础材料之一。
硅晶圆的表面光滑度高、材料均匀性好，具有良好的机械性能和化学稳定性。
第二步：导热系数的定义导热系数是一个物质单位面积上的热量传输速率。
通常用“W/mK”（瓦特/米开尔文）表示。
导热系数越大，热量传输速率越快。
在电子工业生产中，导热系数越大的硅晶圆通常更受欢迎，因为它们能够更快地将热量从电子设备中传输出去，减少设备温度升高对性能和寿命的影响。
第三步：硅晶圆的导热系数硅晶圆的导热系数通常是1-2 W/mK。
相对于其他材料，硅晶圆的导热系数相对较低。
这是由于硅晶圆的晶体结构层次较高，晶格比较疏松，导致硅晶圆中的热传递速度相对较慢。
因此，在需要快速散热的高性能设备中，通常需要采用其他导热系数较大的材料来替代硅晶圆。
第四步：提高硅晶圆的导热系数为了提高硅晶圆的导热系数，一般采用掺杂和硅晶圆表面制备等方法。
其中，厚度合适的镀铝层可明显提高硅晶圆的导热性能。
对于一些对散热要求更为严格的电子设备，通常会在硅晶圆上嵌入钻石等高导热系数的材料，以加速热量的传输。
综上所述，硅晶圆作为电子工业中常见的材料，其导热系数对设备的性能和使用寿命有很大影响。
硅晶圆的导热系数通常在1-2 W/mK之间，由于其晶格结构的特点，硅晶圆的导热系数相对较低。
为了提高其导热性能，一般采用掺杂和硅晶圆表面制备等方法。
在电子设备的设计和制造中，需要根据实际情况选择不同导热系数的材料以满足设备对散热的要求。
场效应管晶圆
场效应管晶圆一. 概述场效应管晶圆是电子器件中的一种重要元件，它在现代电子技术中有着广泛的应用。
本文将从以下几个方面对场效应管晶圆进行全面、详细、完整和深入的探讨。
二. 基本原理2.1 什么是场效应管晶圆场效应管晶圆，简称FET晶圆，是一种半导体器件晶圆，由特殊的材料制成，具有优良的电学性能。
它与双极型晶体管相比，具有低噪声、高输入电阻和低功耗等优势。
2.2 场效应管晶圆的基本结构场效应管晶圆的基本结构由栅极、源极和漏极组成。
栅极是控制电流流动的电极，源极和漏极则是电流流动的出口和入口。
2.3 工作原理场效应管晶圆的工作原理基于场效应现象。
栅极的电场可以控制源极和漏极之间的电流流动。
当在栅极施加正电压时，电场将形成在栅极和源极/漏极之间。
由于电场引起的空间电荷区域的形成，电流流动被限制。
反之，当在栅极施加负电压时，电流流动将得以增加。
这种控制电流流动的特性使得场效应管晶圆成为一种优秀的放大器和开关。
三. 制造流程3.1 晶圆生长场效应管晶圆的制造过程始于晶圆的生长。
晶圆是由高纯度的半导体材料（如硅）通过化学气相沉积或单晶生长法制成。
在制造过程中，需要严格控制温度和气氛，以保证晶圆的质量和结构。
3.2 晶圆切割完整的晶圆通过机械或激光切割成小的圆片，通常直径为2至12英寸。
切割后的晶圆称为切片，用于后续工艺步骤。
3.3 接触沉积接触沉积是将金属导线沉积在晶圆表面的过程。
这些金属导线将用于连接不同的晶体管元件。
3.4 横向扩散横向扩散是一种用于调整材料掺杂浓度的过程。
通过加热晶圆，掺杂材料会在晶圆内扩散，从而形成不同的电学特性。
3.5 薄膜沉积薄膜沉积是一种用于制作晶体管栅极的过程。
通过化学气相沉积或物理气相沉积，将有机物质沉积在晶圆表面，形成薄膜。
3.6 掩模和曝光掩模和曝光是制造场效应管晶圆的关键步骤。
利用光刻技术，将光敏胶涂覆在晶圆表面，并通过曝光和显影过程，形成图案模板。
3.7 电极连接电极连接是将晶圆上的不同部分连接起来的过程。
晶圆芯片用途
晶圆芯片用途一、晶圆芯片的定义和基本原理1.1 晶圆芯片的概念晶圆芯片，也被称为集成电路芯片，是一种用于集成电路制造的关键元件。
它是基于半导体材料制造的微小电子元件的集合体，内含大量的电子元件和电路连接，能够完成各种计算、存储和控制功能。
1.2 晶圆芯片的制造工艺晶圆芯片的制造过程包括晶圆加工、晶圆上的电路图案制备、晶体管的制造及互连等步骤。
其中，晶圆加工是指通过化学和物理方法将硅片进行切割、抛光和清洗等工序，然后在切割后的硅片表面形成一层极薄的氧化硅绝缘体。
电路图案制备是使用光刻技术将设计好的电路图案转移到氧化硅表面。
晶体管的制造是将掺杂过的硅片进行由浅入深的掺杂，以形成不同的电子导电层次。
二、晶圆芯片的应用领域2.1 通信领域晶圆芯片在通信领域起着重要的作用。
它被用于制造通信设备中的处理器、存储器、调制解调器等关键器件。
晶圆芯片的高集成度和高性能特点，使得通信设备能够更快速、更高效地处理和传输信息。
2.2 计算机领域晶圆芯片在计算机领域广泛应用于处理器和内存等关键部件的制造。
晶圆芯片的高性能和低功耗特点，使得现代计算机能够实现更快速、更高效的数据处理和存储能力。
同时，晶圆芯片的不断革新还带来了计算机领域的新兴技术，如人工智能和云计算等。
2.3 汽车电子领域晶圆芯片在汽车电子领域的应用也日益广泛。
智能驾驶、车载导航、车联网等新兴技术的兴起，对芯片的性能和功能提出了更高的要求。
晶圆芯片的高集成度和高可靠性，使得汽车电子设备能够实现更精确、更可靠的控制和信息处理能力。
2.4 工业控制领域在工业生产控制领域，晶圆芯片的应用也十分重要。
智能制造、自动化生产等工业控制系统需要高性能的芯片来实现对机械设备和生产流程的精确控制。
晶圆芯片的高速度、高可靠性和低功耗特点，使得工业控制系统能够实现更高效、更稳定的生产。
三、晶圆芯片的发展趋势3.1 三维堆叠技术三维堆叠技术是指将多个晶圆芯片垂直堆叠在一起，通过导线连接实现互联。
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晶圆晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。
IC目录一、世界集成电路产业结构发展历程二、IC的分类常用电子元器件分类集成电路的分类：IC就是半导体元件产品的统称，包括：1.集成电路(integratedcircuit，缩写：IC)2.二，三极管。
3.特殊电子元件。
再广义些讲还涉及所有的电子元件，象电阻，电容，电路版/PCB版，等许多相关产品。
IC还包括但不限于代表经济,统计学中的国家工业能力.[编辑本段]一、世界集成电路产业结构发展历程自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。
回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上系统（System-on-a-chip）的过程。
在这历史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其产业结构经历了三次变革。
第一次变革：以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。
70年代，集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。
这一时期IC制造商（IDM）在IC市场中充当主要角色，IC设计只作为附属部门而存在。
这时的IC设计和半导体工艺密切相关。
IC设计主要以人工为主，CAD系统仅作为数据处理和图形编程之用。
IC产业仅处在以生产为导向的初级阶段。
第二次变革：Foundry公司与IC设计公司的崛起。
80年代，集成电路的主流产品为微处理器（MPU）、微控制器（MCU）及专用IC（ASIC）。
这时，无生产线的IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式开始成为集成电路产业发展的新模式。
随着微处理器和PC机的广泛应用和普及（特别是在通信、工业控制、消费电子等领域），IC产业已开始进入以客户为导向的阶段。
一方面标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本、可靠性等要求，同时整机客户则要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能价格比，从而增强产品的竞争力，得到更多的市场份额和更丰厚的利润；另一方面，由于IC微细加工技术的进步，软件的硬件化已成为可能，为了改善系统的速度和简化程序，故各种硬件结构的ASIC如门阵列、可编程逻辑器件（包括FPGA）、标准单元、全定制电路等应运而生，其比例在整个IC销售额中1982年已占12％；其三是随着EDA 工具（电子设计自动化工具）的发展，PCB设计方法引入IC设计之中，如库的概念、工艺模拟参数及其仿真概念等，设计开始进入抽象化阶段，使设计过程可以独立于生产工艺而存在。
有远见的整机厂商和创业者包括风险投资基金（VC）看到ASIC的市场和发展前景，纷纷开始成立专业设计公司和IC设计部门，一种无生产线的集成电路设计公司（Fabless）或设计部门纷纷建立起来并得到迅速的发展。
同时也带动了标准工艺加工线（Foundry）的崛起。
全球第一个Foundry工厂是1987年成立的台湾积体电路公司，它的创始人张忠谋也被誉为“晶芯片加工之父”。
第三次变革：“四业分离”的IC产业90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。
以DRAM为中心来扩大设备投资的竞争方式已成为过去。
如1990年，美国以Intel为代表，为抗争日本跃居世界半导体榜首之威胁，主动放弃DRAM市场，大搞CPU，对半导体工业作了重大结构调整，又重新夺回了世界半导体霸主地位。
这使人们认识到，越来越庞大的集成电路产业体系并不有利于整个IC产业发展，"分"才能精，"整合"才成优势。
于是，IC产业结构向高度专业化转化成为一种趋势，开始形成了设计业、制造业、封装业、测试业独立成行的局面，近年来，全球IC产业的发展越来越显示出这种结构的优势。
如台湾IC业正是由于以中小企业为主，比较好地形成了高度分工的产业结构，故自1996年，受亚洲经济危机的波及，全球半导体产业出现生产过剩、效益下滑，而IC设计业却获得持续的增长。
特别是96、97、98年持续三年的DRAM的跌价、MPU的下滑，世界半导体工业的增长速度已远达不到从前17％的增长值，若再依靠高投入提升技术，追求大尺寸硅片、追求微细加工，从大生产中来降低成本，推动其增长，将难以为继。
而IC 设计企业更接近市场和了解市场，通过创新开发出高附加值的产品，直接推动着电子系统的更新换代；同时，在创新中获取利润，在快速、协调发展的基础上积累资本，带动半导体设备的更新和新的投入；IC设计业作为集成电路产业的"龙头"，为整个集成电路产业的增长注入了新的动力和活力。
附：EP.soft电子元器件管理报价系统EPSOFT 电子元器件IC管理系统、客户关系管理系统、IC询价系统、IC报价系统、IC库存管理系统/epsoft[编辑本段]二、IC的分类IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。
数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专用数字IC。
通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器（DRAM）、微处理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了数字IC的现状和水平。
专用IC（ASIC）：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。
目前，集成电路产品有以下几种设计、生产、销售模式。
1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。
2．IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。
设计公司将所设计芯片最终的物理版图交给Foundry加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，最后的成品芯片作为IC设计公司的产品而自行销售。
打个比方，Fabless 相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业"龙头"作用的应该是前者。
三、IC产品等级行业标准产品等级的界定主要依据产品的外包装，将等级按字母顺序由A到E排列：A1级：原厂生产，原包装,防静电包装完整（说明：来源于正规渠道或独立分销商，在规定质保期内，产品可靠性最高。
即“全新原装货品”）A2级：原厂生产，原包装,防静电包装不完整，已经被打开（说明：来源于正规渠道或独立分销商，在规定质保期内。
即“全新货品”）A3级：原厂生产（说明：工厂积压或剩余货料，批号统一。
有可能生产日期较早。
即“工厂剩货”）注：A1、A2、A3级在市场统称为“新货”B1级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装（说明：由原厂生产，但因某些原因并没有包装，产品批号统一，为原厂统一打标。
通过特殊渠道流入市场的，产品质量可靠性不确定）B2级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装（说明：由原厂生产，但因某些原因未在产品表面打印字样，产品质量可靠性不确定。
一般这种类型产品会被经销商统一重新打标）B3级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装（说明：由原厂生产，但因某些原因并没有包装，产品批号不统一，为原厂统一打标。
通过特殊渠道流入市场的，产品质量可靠性不确定。
一般这种类型产品会被经销商统一重新打标）B4级：未使用，有包装（说明：由原厂生产，但是产品存放环境不适宜，或者产品存放时间过久。
产品管脚氧化。
产品质量不确定）注：B1、B2、B3、B4级在市场统称为“散新货”C1级：由非原厂生产，全新未使用，完整包装（说明：一些由大陆、台湾或其他海外国家或地区生产的产品，完全按照原品牌工厂的规格要求进行包装和封装，功能完全相同，并印有原品牌厂商字样。
产品质量不确定。
不如原厂正品质量可靠性高。
即“仿制品”）C2级：全新未使用（说明：由功能相同或者相近的产品，去掉原有的标识改换为另外一种产品标识的。
即“替代品改字”，市场统称“替代品”）D1级：无包装，使用过，产品管脚没有损伤，属于旧货。
可能被销售商重新包装（说明：从旧电路板上直接拔下，如一些DIP,PLCC，BGA封装的可以直接拔下的。
即“旧货”）D2级：无包装，属于旧货。
可能被销售商重新包装（说明：从旧电路板上直接拆卸，管脚被剪短的。
此类产品有可能会被后期处理过，将已经被剪短的管脚拉长或者接长。
即“旧片剪切片”）D3级：无包装，属于旧货。
可能被销售商重新包装（说明：从旧电路板上拆卸，管脚沾有焊锡。
并重新处理管脚。
即“旧片”）D4级：无包装，属于旧货。
可能被销售商重新包装（说明：从旧电路板上拆卸，管脚沾有焊锡。
重新处理管脚。
并且重新打标的。
即“旧货翻新片”）D5级：无包装，属于旧货。
可能被销售商重新包装（说明：旧货，但是属于可编程器件，内置程序不可擦写）注：D1、D2、D3、D5级在市场统称为“旧货”E1级：无包装货。
可能被销售商重新包装（说明：由原厂生产，产品质量未通过质检。
本应该被销毁的，但是通过特殊渠道流通到市场的。
质量不可靠。
即“等外品”，市场统称为“次品”）E2级：无包装货。
可能被销售商重新包装（说明：将部分产品工业级别的改为军品级别的。
质量很不稳定，安全隐患极大。
即“改级别”，市场统称“假货”）E3级：无包装货。
可能被销售商重新包装（说明：用完全不相关的产品打字为客户需求的产品。
有的是外观相同，有的外观都不相同。
即“假冒伪劣”，市场统称“假货”）T1级：完整包装（说明：由原厂为特定用户订制的某产品。
有可能只有该用户产品才能使用）T2级：完整包装（说明：由第三方采用原厂芯片晶圆进行封装的。
产品质量一般可靠。
一般为停产芯片）注：T1级、T2级在市场统称为“特殊产品”[编辑本段]常用电子元器件分类常用电子元器件分类根据众多，下面就常用类做下归纳：首先电子元器件是具有其独立电路功能、构成电路的基本单元。
随着电子技术的发展，元器件的品种也越来越多、功能也越来越强，涉及的范围也在不断扩大，跨越了元件、电路、系统传统的分类，跨越了硬件、软件的基本范畴。