半导体英文名词解释

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半导体ar名词解释

半导体ar名词解释半导体（Semiconductor）是一种起关键作用的物质，常用于电子器件的制造过程中。

它具有介于导体和绝缘体之间的导电性能，可以根据外部电场和电流进行调控。

半导体材料由于其独特的电性能和可控性，被广泛应用于各种电子设备和技术中。

半导体的电子特性来源于其晶体结构。

在半导体内部，原子被安排成特定的晶格结构，其中原子之间形成了共价键。

共价键是由原子的价电子（最外层的电子）共享而形成的，它们对电流的流动具有阻碍作用。

然而，当半导体获得能量，如温度升高或受到外部电场的作用时，一部分共价键中的电子会被激发到导带上，形成自由电子。

此时，半导体就具有了导电性。

半导体的导电性质也可以通过杂质（施主和受主）来调控。

杂质是在半导体晶体中插入的少量杂原子。

施主杂质通常是具有比半导体原子价电子数更多的元素，如磷（P）或砷（As），它们会在半导体晶格中替代原子的位置。

由于这些施主杂原子可以提供更多的自由电子，所以它们被称为N型材料，即负性半导体。

相反，受主杂质通常是具有比半导体原子价电子数更少的元素，如硼（B）或铝（Al），它们会在半导体晶格中替代原子的位置。

这些受主杂原子可以吸引和俘获自由电子，因此被称为P型材料，即正性半导体。

半导体材料的独特性质使其成为现代电子器件的核心组成部分。

例如，大多数计算机芯片和集成电路板都是基于半导体材料制造的。

在这些设备中，半导体器件（如晶体管）被用于控制和放大电流，实现逻辑运算、存储和通信等功能。

半导体还用于制造太阳能电池、光电二极管、激光器、发光二极管和传感器等各种光电子器件。

此外，半导体在通信、汽车、医疗器械和航空航天等领域中也扮演着重要角色，促进了现代社会和科技的发展与进步。

在半导体技术的发展过程中，人们不断研究和探索着新的半导体材料和制造方法。

例如，砷化镓（GaAs）、氮化硅（Si3N4）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的应用正在逐渐增加。

同时，纳米技术和量子技术的发展也为半导体技术的进一步突破提供了新的可能性。

半导体

半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。

半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

如二极管就是采用半导体制作的器件。

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。

这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。

而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。

同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。

没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体行业英文术语

半导体行业英文术语English:Some common terms in the semiconductor industry include:1. Integrated Circuit (IC): A small electronic device made out of a semiconductor material that can perform an extensive range of functions.2. Semiconductor manufacturing: The process of creating integrated circuits and semiconductor devices, including design, fabrication, and packaging.3. Wafer: A thin slice of semiconductor material used as the substrate for the fabrication of integrated circuits.4. Photolithography: A process used to transfer circuit patterns onto the wafer surface using light and photoresist materials.5. Die: A single piece of an integrated circuit, typically cut from a wafer after fabrication and packaging.6. Yield: The percentage of functional and operational semiconductor devices produced during the manufacturing process.7. Moore's Law: The observation that the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years, leading to exponential growth in processing power.8. Quantum tunneling: A phenomenon in which electrons penetrate through a potential barrier they classically shouldn't be able to cross, crucial for the operation of semiconductor devices.中文翻译:半导体行业的一些常见术语包括：1. 集成电路（IC）：由半导体材料制成的小型电子器件，可执行广泛的功能。

半导体行业专业英语名词解释

氢化磷
132 PHOTO‎RESIS‎T
光阻
133 PILOT‎WAFER‎
试作芯片
134 PINHO‎LE
针孔
135 PIRAN‎HA CLEAN‎
过氧硫酸清‎ 洗
136 PIX
聚醯胺膜
137 PLASM‎A ETCHI‎NG
电将蚀刻
138 PM（PREVE‎NTIVE‎MAINT‎ENANC‎E）定期保养
热电子效应‎
94 I-LINE STEPP‎ER
I-LINE 步‎进对准曝光‎ 机
95 IMPUR‎ITY
杂质
96 INTEG‎RATED‎CIRCU‎IT（IC）
集成电路
97 ION IMPLA‎NTER
离子植入机‎
98 ION IMPLA‎NTATI‎ON
离子植入
99 ISOTR‎OPIC ETCHI‎NG
174 STEPP‎ER
步进式对准‎ 机
175 SURFA‎CE STSTE‎S
表面状态
176 SWR（SPECI‎AL WORK REQUE‎ST）
177 TARGE‎T
靶
178 TDDB
介电质层崩‎贵的时间依‎ 存性
（TIME DEPEN ‎DENT DIELE ‎CTRIC ‎
BREAK‎DOWN）
139 POCL3‎
三氯氧化磷‎
140 POLY SILIC‎ON
复晶硅
141 POX
聚醯胺膜含‎ 光罩功能
142 PREHE‎AT
预热
143 PRESS‎URE
压力
144 REACT‎IVE ION ETCHI‎NG（R.I.E.）活性离子蚀‎ 刻

半导体行业专业英语名词解释

垂直流层
194
WELL/TANK
井区
195
WLRC RELIABILITY (WAFER LEVEL
CONTROL）
晶圆层次（厂内）可靠度控制
196
QUALITY WAFER WLQC（LEVEL
CONTROL）
晶圆层次（厂内）品质控制
197
X-RAY LITHOGRAPHY
X光微影技术
198
YELLOW ROOM
空气洗尘室
进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2
ACTONE
丙酮
1.丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2.性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3.在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4.对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉粘膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
184
TOX
氧化层厚度
185
TROUBLE SHOOTING
故障排除
186
UNDERCUT
底切度
187
UNIFORMITY
均匀度
188
VACUUM
真空
189
VACUUM PUMP
真空帮浦
190
VERNIER
游标尺
191
VIA CONTACT
连接窗
192
VISCOSITY
黏度
193
VLF（VERTICAL LAMINAR FLOW）

半导体词汇(英汉对照)

半导体词汇(英汉对照)1. 半导体：semiconductor2. 晶体管：transistor3. 二极管：diode4. 集成电路：integrated circuit5. 电容：capacitor8. 金属氧化物场效应管：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)9. 数字信号处理器：Digital Signal Processor (DSP)10. 有机发光二极管：Organic Light-Emitting Diode (OLED)11. 光纤放大器：Optical Fiber Amplifier (OFA)12. 直流-直流变换器：DC-DC Converter13. 脉冲编码调制：Pulse Code Modulation (PCM)14. 光耦合器：Optocoupler15. 调制解调器：Modem16. 电池管理系统：Battery Management System (BMS)17. 片上系统：System-on-a-Chip (SoC)18. 功率电子器件：Power Electronics Device20. 纳米技术：Nanotechnology21. 生物芯片：Biochip23. 激光器：Laser24. 双极型发射极晶体管：Bipolar Junction Transistor (BJT)28. 传感器：Sensor29. 能量收集器：Energy Harvester30. 固态驱动器：Solid State Drive (SSD)31. 磁性存储设备：Magnetic Storage Device32. 屏幕显示器：Display33. 快速门：Fast Gate35. 超高速芯片：Ultra-High-Speed Chip38. 量子计算机：Quantum Computer40. 机器人学：Robotics41. 表面声波器件：Surface Acoustic Wave (SAW) Device45. 长寿命电池：Long-Life Battery46. 红外光电探测器：Infrared Photodetector47. 树莓派：Raspberry Pi48. 可充电电池：Rechargeable Battery49. 无线充电器：Wireless Charger51. 控制电路：Control Circuit53. 逆变器：Inverter55. 拓扑优化器：Topology Optimizer57. 智能家居：Smart Home58. 传输线理论：Transmission Line Theory60. 片上调制器：On-Chip Modulator61. 内存芯片：Memory Chip63. 线性电源：Linear Power Supply64. 电机驱动器：Motor Driver66. 相变存储器：Phase-Change Memory (PCM)68. 氮化镓：Gallium Nitride (GaN)69. 自动驾驶：Autonomous Driving72. 机器学习：Machine Learning77. 差分信号：Differential Signal78. 相位锁定环：Phase Locked Loop (PLL)80. 峰值检测器：Peak Detector84. 相移器：Phase Shifter88. 滤波器：Filter91. 直流伏安表：Digital Multimeter (DMM)92. 频率计：Frequency Counter93. 降噪耳机：Noise-Canceling Headphones94. 耳返系统：In-Ear Monitoring (IEM) System95. 电学模型：Electrical Model97. 声音芯片：Audio Chip98. 跟踪器：Tracker。

半导体名词解释

1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。

未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。

4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。

当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。

从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。

半导体行业术语

半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。

以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。

1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。

2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。

3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。

4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。

5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。

6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。

晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。

7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。

8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。

9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。

常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。

10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。

11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。

半导体行业的英单词和术语

半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。

3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。

4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。

5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。

6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。

7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。

8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。

9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。

10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。

11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。

12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。

13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。

14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。

15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。

16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。

17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。

芯片行业常用英文术语最详细总结

芯片行业常用英文术语最详细总结在当今信息时代，芯片产业扮演着至关重要的角色。

无论是计算机、手机、汽车还是物联网设备，芯片无处不在。

而要深入了解芯片产业，首先需要了解其中常用的英文术语。

本文将从浅入深，为您详细总结芯片行业常用的英文术语，帮助您更全面地理解这一领域。

1. Integrated Circuit (IC)Integrated Circuit，即集成电路，是芯片行业最基本的术语之一。

它指的是在一个小块半导体材料上集成了大量传统电路元件的一种电子元件。

IC的发明极大地推动了电子技术的进步，是现代电子产品的基础。

2. Semiconductor半导体是指导电性介于导电体和绝缘体之间的材料。

在芯片行业中，半导体材料被广泛应用于制造集成电路等电子元件。

要理解芯片行业，对半导体的特性和应用有深入了解是至关重要的。

3. Microprocessor微处理器是一种包含了中央处理器功能的集成电路。

它是电子设备的大脑，负责执行计算机程序中的指令。

微处理器的性能直接影响着设备的运行速度和处理能力。

4. Semiconductor Memory半导体存储器是一种能够存储数据的半导体器件。

在芯片行业中，常见的半导体存储器包括随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM），它们在计算机和其他电子设备中被广泛应用。

5. Field-Programmable Gate Array (FPGA)现场可编程门阵列是一种基于半导体技术的可编程逻辑器件。

它可以根据用户的需要进行重新编程，具有灵活性和可重构性的特点，被广泛应用于数字电路设计和信号处理领域。

6. System on a Chip (SoC)片上系统是一种集成了多个功能模块的芯片。

它包括了处理器核心、存储器、输入输出接口等多个组件，能够实现多种功能。

SoC的出现极大地提高了电子设备的集成度和性能。

7. Semiconductor Manufacturing半导体制造是芯片行业的基础，它涉及到原料的提纯、器件的制造和芯片的封装测试等多个环节。

半导体常用词汇汇总

半导体常用词汇汇总1. 半导体 (semiconductor): 一种材料，具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。

2. 硅 (silicon): 最常用的半导体材料之一，其化学符号为Si。

3. pn结 (pn junction): 由n型半导体和p型半导体结合而成的结构。

4. 栅极 (gate): 用于控制场效应晶体管（FET）的电流流动的电极。

5. 晶体管 (transistor): 一种用于放大和开关电信号的电子器件。

6. 集成电路 (integrated circuit): 由一系列电子器件（如晶体管、电容器等）组成的微小芯片。

7. 缺陷 (defect): 半导体中存在的材料缺陷，可以影响其性能。

8. 掺杂 (doping): 向半导体中引入杂质，以改变其电导率。

9. 导带 (conduction band): 半导体中的能带，其中电子可以自由移动。

10. 价带 (valence band): 半导体中的能带，其中电子处于较稳定的状态。

11. 能隙 (band gap): 价带和导带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。

12. 内禀载流子 (intrinsic carrier): 在纯净半导体中由热激发产生的自由电子和空穴。

13. 唐氏理论 (Drift-Diffusion theory): 描述半导体中载流子扩散和漂移的物理模型。

14. 热噪声 (thermal noise): 由于温度引起的随机电信号。

15. 热扩散 (thermal diffusion): 载流子由高浓度区向低浓度区扩散的过程。

16. 绝缘体 (insulator): 电阻极高的材料，电流很难通过。

17. 金属 (metal): 电阻很低的材料，电流可以自由通过。

18. 肖克利效应 (Seebeck effect): 温差引起的电压差效应。

19. 过渡边沿 (rising edge): 信号从低电平向高电平变化的边缘。

半导体名词解释

1. 何谓PIE? PIE的主要‎工作是什幺?答：Proces‎s Integr‎ation Engine‎er(工艺整合工程‎师), 主要工作是整‎合各部门的资‎源, 对工艺持续进‎行改善, 确保产品的良‎率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅‎片即12吋.3. 目前中芯国际‎现有的三个工‎厂采用多少m‎m的硅片(wafer)工艺？未来北京的F‎ab4(四厂)采用多少mm‎的wafer‎工艺？答：当前1~3厂为200‎mm(8英寸)的wafer‎, 工艺水平已达‎0.13um 工艺‎。

未来北京厂工‎艺wafer‎将使用300‎mm(12英寸)。

4. 我们为何需要‎300mm?答：wafer size 变大，单一wafe‎r 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低‎200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增‎加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(techno‎logy)代表的是什幺‎意义？答：是指工厂的工‎艺能力可以达‎到0.13 um的栅极线‎宽。

当栅极的线宽‎做的越小时，整个器件就可‎以变的越小，工作速度也越‎快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的techn‎ology改‎变又代表的是‎什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小‎代表半导体工‎艺水平的高低‎）做的越小时，工艺的难度便‎相对提高。

从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个‎阶段工艺能力‎的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substr‎ate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negati‎ve元素(5价电荷元素‎，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer‎是指掺杂 positi‎ve 元素(3价电荷元素‎, 例如：B、In)的硅片。

半导体相关英语术语

半导体相关英语术语半导体领域是电子学和电路设计的重要组成部分。

本文将介绍半导体领域中一些常见的英语术语。

1. Semiconductor（半导体）Semiconductors are materials that have electrical conductivity between conductors and insulators. They have a property of conductivity that lies between that of a conductor and an insulator. Common semiconducting materials include silicon, germanium, and gallium arsenide.2. Integrated Circuit (IC)（集成电路）An integrated circuit, or IC, is a miniaturized electronic circuit consisting of semiconductor devices, such as transistors, diodes, and resistors, as well as passive components, such as capacitors and inductors, interconnected on a single semiconductor substrate or chip.3. Transistor（晶体管）A transistor is a semiconductor device that controls the flow of current or amplifies signals. It is made up of three layers of semiconductor material, typically doped with impurities to create either N-type or P-type regions. Transistors are the building blocks of modern electronic devices and can be found in almost all electronic circuits.4. Diode（二极管）A diode is a two-terminal electronic component that allows current to flow in only one direction. It has a P-N junction formed by connecting a P-type semiconductor and an N-type semiconductor. Diodes are commonly used in rectifying circuits, voltage regulators, and signal demodulation.5. Field-Effect Transistor (FET)（场效应晶体管）A field-effect transistor, or FET, is a type of transistor that uses an electric field to control the flow of current. It has three terminals: the source, the gate, and the drain. FETs are widely used in digital circuits, as well as in analog applications such as amplifiers.6. Analog-to-Digital Converter (ADC)（模数转换器）An analog-to-digital converter, or ADC, is a device that converts analog signals into digital signals. It is commonly used in communication systems, measurement instruments, and digital audio applications to convert continuous analog signals into discrete digital representations.7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金属氧化物半导体场效应晶体管）A metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, or MOSFET, is a type of transistor that uses a metal gate electrode to control the flow of current. It is widely used in digital integrated circuits and offers advantages such as low power consumption and high switching speeds.8. Bandgap（能隙）Bandgap is the energy range in a solid material where no electron states can exist. It represents the minimum energy required to excite an electron from the valence band to the conduction band. The bandgap determines the electrical and optical properties of a semiconductor material.9. Photovoltaic (PV) Cell（光伏电池）A photovoltaic cell, or PV cell, is a device that converts sunlight directly into electricity by the photovoltaic effect. It is made up of semiconductor materials that absorb photons and generate a voltage difference across its terminals. PV cells are used in solar panels to generate renewable energy.10. Electromigration（电迁移）Electromigration is the phenomenon in which metal atoms in a conductor migrate under the influence of high current density. This can lead to the formation of voids and eventual failure of the conductor. Electromigration is a significant reliability issue in integrated circuits and is mitigated through proper design and fabrication techniques.以上是一些常见的半导体领域英语术语，了解这些术语有助于更好地学习和理解半导体电子学和电路设计的知识。

半导体名词解释

1. 何谓PIE? PIE 的主要工作是什幺?答：Process Integration Enginee工r( 艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8 吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm 硅片即12 吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm 的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm 的wafer 工艺？答：当前1~3 厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um 工艺。

未来北京厂工艺wafer 将使用300mm(12英寸)。

4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加 2.25倍,芯片数目约增加 2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology代)表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um 的栅极线宽。

当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。

从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um-> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate可)区分为N,P 两种类型（type）,何谓N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5 价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3 价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。

半导体专业术语英语..

半导体专业术语英语半导体是当今最重要的技术领域之一。

随着半导体技术的不断发展，半导体专业术语英语越来越重要。

在本文中，我们将介绍一些常见的半导体专业术语英语，帮助读者更好地理解和掌握半导体技术。

基本概念1.Semiconductor：半导体2.Doping：掺杂3.Carrier：载流子4.Hole：空穴5.Electron：电子6.Bandgap：能隙7.Mobility：迁移率8.Resistivity：电阻率9.Conductivity：电导率10.PN Junction：PN结11.Schottky Junction：肖特基结半导体晶体结构1.Crystal：晶体ttice：晶格3.Unit Cell：单元胞4.Wafer：晶片5.Silicon Wafer：硅晶片6.Epitaxy：外延7.Deposition：沉积8.Etch：蚀刻9.Annealing：退火典型器件1.Transistor：晶体管2.Diode：二极管3.Capacitor：电容器4.Resistor：电阻器5.Inductor：电感器6.MOSFET：MOS场效应晶体管7.BJT：双极性晶体管8.LED：发光二极管9.IGBT：绝缘栅双极晶体管10.SCR：可控硅制程工艺1.Lithography：光刻2.Ion Implantation：离子注入3.Chemical Vapor Deposition (CVD)：化学气相沉积4.Physical Vapor Deposition (PVD)：物理气相沉积5.Wet Etch：湿法蚀刻6.Dry Etch：干法蚀刻7.Annealing：退火8.Configurations：构型9.Metrology：计量学10.Yield：良率11.Process Integration：制程集成半导体技术对现代社会的影响越来越大，而英语是半导体专业中的重要工具之一。

学习和掌握半导体专业术语英语，有助于提高在半导体行业的各种交流和合作能力。

半导体名词

半导体：semiconductior元素半导体：elemental semiconductor化合物半导体：compound semiconductor导电类型：conductivity typeN-型半导体：n-type semiconductorP-型半导体：p-type semiconductor空穴：hole受主：accepter施主：donor载流子：carrier载流子浓度：carrier concentration多数载流子：majority carrier少数载流子：minority carrier杂质浓度：impurity concentration深能级杂质：deep- level impurity复合中心：recombination center补偿：compensation耗尽层：depletion layer红外吸收光谱：infrared absorption spectrum 红外吸收系数：infrared absorption coefficient 电阻率(体)：resistivity(bulk)电导率：conductivity电阻率允许偏差：allowable resistivity tolerance 径向电阻率变化：radial resistivity vsriation薄层电阻：sheet resistance扩展电阻：spreading resistance二探针：two point probe四探针：four point probe迁移率：mobility霍尔效应：hall effect霍尔系数：hall coefficient霍尔迁移率: hall mobility寿命：lifetime各向异性：anisotropic结晶学表示法：crytallographic notation密勒指数：miller indices劳埃法：laue method晶向：crystallographic direction晶面：crystallographic plane取向偏离：off-orientation正向晶向偏离：orthogonal misorientation主参考面：primary flat副参考：secondary flat解理面：cleavage plan外延面：epitaxial layer扩散：diffused layer埋层：buried layer薄层边界：layer boundary界面：interfacep-n 结：p-n junction双极型器件：bipolar devices集成电路：integrated circuit晶体：crystal晶锭：ingot多晶半导体：polycrystalline semiconductor孪晶：twinned crystal单晶：single crysal无位错单晶：zero D sigle crystal衬底：substrate化学气相沉积：chemical vapor deposition(CVD)外延：epitaxy气相外延：vapor phase epitaxy(VPE)液相外延：liquid phase epitaxy(LPE)分子束外延：molecular beam epitaxy(MBE)同质外延：homoepitaxy异质外延：heteroepitaxy溅射法：sputtering method掺杂：doping重掺杂：heavy doping离子注入：ion implanation自掺杂：autodoping补偿掺杂：compensation doping中子嬗变掺杂：neutron transmutation doping(NTD)掺杂剂：dopant直拉法：vertical pulling method(Czochralski growth)(CZ) 悬浮区熔法：floating zone method(FZ)水平法：horizontal crysal growth method磁场拉晶法：magnetic field Czochralski growth(MCZ)吸除：gettering切割：cutting研磨：lapping腐蚀：etching各向同性腐蚀：isotropic etching各向异性腐蚀：anisotropic etching择优腐蚀：preferentical etching化学机械抛光：Chem-Mech polishing抛光面：polished surface正面：front side背面：back side晶片：slice掺杂片：doping wafer直径：diameter厚度：thickness晶片厚度：thickness of slices厚度允许偏差：allowable thickness tolerance总厚度变化：total thickness varistion(TTV)中心面：median surface弯曲度：bow翘曲度：warp平整度：flatness固定优质区：fixed quality area(FQA)线性厚度变化：linear thickness variation(LTV)非线性厚度变化：nonlinear thickness variation(NTV)边缘凸起：edge crown倒角：edge rounding崩边：chip缺口：indent刀痕：saw marks退刀痕：saw exit marks划道：scratch重划道：macroscratch轻划道：microscratch沟槽：groove波纹：waves凹坑：dimple探针损伤：probe damage残留机械损伤：residual mechanical damage亮点：bright point嵌入磨料颗粒：imbedded abrasive grain裂纹: crack裂痕：fracture晶体缺陷：crystal defect块状结构：block structure点缺陷：point defect位错：dislocation位错腐蚀坑：dislocation density堆垛层错：stacking fault层错：fault氧化层错：oxidation induced stacking fault(OSF)滑移：sllip滑移线：slip line晶粒晶界: grain boundary小角晶界：low-angle grain boundary 位错排：dislocation array系属结构:lineage星形结构：star structure夹杂：inclusion微缺陷：microdefect沉淀物：precipitates杂质富集:impurity concentrating管道：piping六角网络：turret network杂质条纹：striation漩涡：swirl电阻率条纹：resistivity striation温度圈：temperature circle氧化层夹：oxide lamella雾：haze桔皮：oringe peel小丘：mound棱锥:pyramid订：spike沾污：contaminant污物：dirt痕迹：mark污迹：smudge夹痕：chuck mark微粒：particulate溶剂残留物：solvent residue 蜡残留物：wax residue斑点：spot色斑：stain。

半导体英文名词解释

1)Acetone 丙酮丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。

允许浓度：1000ppm2)Active Area 主动区域MOS核心区域，即源，汲，闸极区域3)AEI蚀刻后检查（1）AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。

（2）AEI的目的有四：提高产品良率，避免不良品外流。

达到品质的一致性和制程的重复性。

显示制程能力的指标。

防止异常扩大，节省成本（3）通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。

因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。

生产成本增高，以及良率降低的缺点。

4）A l-Cu-Si 铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为Target，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移5）A lkaline Ions 碱金属雕子如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。

其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。

6）A lloy 合金半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量减少。

7）A luminum 铝一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。

普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si 8）A nneal 回火又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。