Protel99se电路仿真
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Protel99se电路仿真
一般说来,在电路设计的开始与结束时,设计者总要对所设计的电路的性能进行推算、判断和验证,Protel99 SE可以对模拟和数字信号混合电路仿真。其仿真引擎使用的是伯克利分校的SPICE /XSPICE。它可以让我们精确地仿真由各种器件,比如TTL、CMOS、BJT等构成的电路。Protel中支持的电路分析类型有:静态工作点分析,交流小信号分析,瞬态分析,付立叶分析,噪声分析,直流分析,参数扫描分析,温度扫描分析和蒙特卡罗分析。
可用于仿真的电路,必须满足以下条件:
1、必须用仿真库中的器件(或用户自己建的器件仿真模型和器件符号)搭成电路,仿真库在\\Design Explorer 99 SE\Library\Sch\Sim.ddb文件中;
2、必须有激励源;
3、对所关心的节点建立网络标号;
4、设定初始条件。
SIM 99仿真库中的主要元件电路仿真操作步骤
在 SIM 99的仿真元件库中,包含了如下一些主要的仿真元器件。
一、电阻
在库 Simulation Symbols.lib中,包含了如下的电阻器:
RES 固定电阻;
RESSEMI 半导体电阻;
RPOT 电位器;
RVAR 变电阻。
上述符号代表了一般的电阻类型,如图l所示。
图l 仿真库中的电阻类型
这些元器件有一些特殊的仿真属性域,在放置过程中按键或放置完成后双击该器件得到属性对话框,可如下设置:
Designator 电阻器名称(如 R1);
PartType 以欧姆为单位的电阻值(如100kΩ);
L可选项,电阻的长度(仅对半导体电阻有效);
W可选项,电阻的宽度(仅对半导体电阻有效);
Temp 可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位,缺省时为27℃(仅对半导体电阻有效);
Set 仅对电位器和可变电阻有效(在“Part Fields l~8”选项卡中设置取值0~l)。
二、电容
在库 Simulation Symbols.Lib中,包含了如下的电容:
CAP 定值无极性电容;
CAPZ 定值有极性电容;
CAPSEMI 半导体电容。
这些符号表示了一般的电容类型,如图2所示。
图2仿真库中的电容类型
对电容的属性对话框可如下设置:
Designator 电容名称(如C1);
PartType 以法拉为单位的电容值(如 22uF);
L可选项,以公尺为单位的电容的长度(仅对半导体电容有效);
W可选项,以公尺为单位的电容的宽度(仅对半导体电容有效);
IC可选项,初始条件,即电容的初始电压值。在“Part Fields l~8”选项卡中设置。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中的使用初始条件被选中后,才有效。
三、电感
在库 Simulation Symbols.Lib中,包含了INDUCTOR电感,对电感的属性对话框可如下设置:
Designator电感名称(如 L1);
PartType以亨为单位的电感值(如 27mH);
IC可选项,初始条件,即电感的初始电压值。在“Part Fields 1~8”选项卡中设置。该项仅在仿真分析工具博里叶变换中的使用初始条件被选中后,才有效。
四、二极管
在库Diode.lib中,包含了数目巨大的以工业标准部件数命名的二极管。如图3所示,该图简单列出了库中包含的几种二极管。
图3仿真库中的二极管类型
对二极管的属性对话框可如下设置:
Designator 二极管名称(如D1);
Area 可选项,该属性定义了所定义的模型的并行器件数;
IC 可选项,初始条件,即通过2极管的初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中的使用初始条件被选中后,才有效;
Temp 可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位,缺省时为27℃。
五、三极管
在库Bjt.lib中,包含了数目巨大的以工业标准部件数命名的三极管。如图 4所示,该图简单列出了库中包含的三极管型号。
图4仿真库中的三极管类型
对三极管的属性对话框可如下设置:
Designator 三极管名称(如Q1);
Area可选项,该属性定义了所定义的模型的并行器件数;
IC 可选项,初始条件,即通过三极管的初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中的使用初始条件被选中后,才有效;
Temp可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位,缺省时为27℃。
六、JFET:结型场效应晶体管
结型场效应晶体管包含在Jfet.lib库文件中。如图5所示,该图简单列出了库中包含的结型场效应晶体管。
图7-5仿真库中的结型场效应晶体管类型
对结型场效应晶体管的属性对话框可如下设置:
Designator 结型场效应晶体管名称(Q1)
Area 可选项,该属性定义了所定义的模型的并行器件数;
IC 可选项,初始条件,即通过三极管的初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中的使用初始条件被选中后,才有效;
Temp可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位。缺省时为27℃。
七、MOS场效应晶体管
MOS场效应晶体管是现代集成电路中最常用的器件。SIM99提供了四种MOSFET模型,它们的伏安特性公式各不相同,但它们基于的物理模型是相同的。在库MOSfet.lib中,包含了数目巨大的以工业标准部件数命名的MOS场效应晶体管。如图6所示,该图简单列出了库中包含的MOS场效应晶体管。
图6仿真库中的 MOS场效应晶体管类型
对 MOS场效应晶体管的属性对话图框可如下设置:
Designator MOS场效应晶体管名称(如Q1);
L沟道长度;
w沟道宽度;
AD漏区面积;