Protel99se电路仿真

Protel99se电路仿真

一般说来，在电路设计的开始与结束时，设计者总要对所设计的电路的性能进行推算、判断和验证，Protel99 SE可以对模拟和数字信号混合电路仿真。其仿真引擎使用的是伯克利分校的SPICE /XSPICE。它可以让我们精确地仿真由各种器件，比如TTL、CMOS、BJT等构成的电路。Protel中支持的电路分析类型有：静态工作点分析，交流小信号分析，瞬态分析，付立叶分析，噪声分析，直流分析，参数扫描分析，温度扫描分析和蒙特卡罗分析。

可用于仿真的电路，必须满足以下条件：

1、必须用仿真库中的器件（或用户自己建的器件仿真模型和器件符号）搭成电路，仿真库在\\Design Explorer 99 SE\Library\Sch\Sim.ddb文件中；

2、必须有激励源；

3、对所关心的节点建立网络标号；

4、设定初始条件。

SIM 99仿真库中的主要元件电路仿真操作步骤

在 SIM 99的仿真元件库中，包含了如下一些主要的仿真元器件。

一、电阻

在库 Simulation Symbols.lib中，包含了如下的电阻器：

RES 固定电阻;

RESSEMI 半导体电阻；

RPOT 电位器；

RVAR 变电阻。

上述符号代表了一般的电阻类型，如图l所示。

图l 仿真库中的电阻类型

这些元器件有一些特殊的仿真属性域，在放置过程中按键或放置完成后双击该器件得到属性对话框，可如下设置：

Designator 电阻器名称（如 R1）；

PartType 以欧姆为单位的电阻值（如100kΩ）；

L可选项，电阻的长度（仅对半导体电阻有效）；

W可选项，电阻的宽度（仅对半导体电阻有效）；

Temp 可选项，元件工作温度，以摄氏度为单位，缺省时为27℃（仅对半导体电阻有效）；

Set 仅对电位器和可变电阻有效（在“Part Fields l～8”选项卡中设置取值0～l）。

二、电容

在库 Simulation Symbols.Lib中，包含了如下的电容：

CAP 定值无极性电容；

CAPZ 定值有极性电容；

CAPSEMI 半导体电容。

这些符号表示了一般的电容类型，如图2所示。

图2仿真库中的电容类型

对电容的属性对话框可如下设置：

Designator 电容名称（如C1）；

PartType 以法拉为单位的电容值（如 22uF）；

L可选项，以公尺为单位的电容的长度（仅对半导体电容有效）；

W可选项，以公尺为单位的电容的宽度（仅对半导体电容有效）；

IC可选项，初始条件，即电容的初始电压值。在“Part Fields l～8”选项卡中设置。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中的使用初始条件被选中后，才有效。

三、电感

在库 Simulation Symbols.Lib中，包含了INDUCTOR电感，对电感的属性对话框可如下设置：

Designator电感名称（如 L1）；

PartType以亨为单位的电感值（如 27mH）；

IC可选项，初始条件，即电感的初始电压值。在“Part Fields 1～8”选项卡中设置。该项仅在仿真分析工具博里叶变换中的使用初始条件被选中后，才有效。

四、二极管

在库Diode．lib中，包含了数目巨大的以工业标准部件数命名的二极管。如图3所示，该图简单列出了库中包含的几种二极管。

图3仿真库中的二极管类型

对二极管的属性对话框可如下设置：

Designator 二极管名称（如D1）；

Area 可选项，该属性定义了所定义的模型的并行器件数；

IC 可选项，初始条件，即通过2极管的初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中的使用初始条件被选中后，才有效；

Temp 可选项，元件工作温度，以摄氏度为单位，缺省时为27℃。

五、三极管

在库Bjt.lib中，包含了数目巨大的以工业标准部件数命名的三极管。如图 4所示，该图简单列出了库中包含的三极管型号。

图4仿真库中的三极管类型

对三极管的属性对话框可如下设置：

Designator 三极管名称（如Q1）；

Area可选项，该属性定义了所定义的模型的并行器件数；

IC 可选项，初始条件，即通过三极管的初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中的使用初始条件被选中后，才有效；

Temp可选项，元件工作温度，以摄氏度为单位，缺省时为27℃。

六、JFET：结型场效应晶体管

结型场效应晶体管包含在Jfet.lib库文件中。如图5所示，该图简单列出了库中包含的结型场效应晶体管。

图7-5仿真库中的结型场效应晶体管类型

对结型场效应晶体管的属性对话框可如下设置：

Designator 结型场效应晶体管名称（Q1）

Area 可选项，该属性定义了所定义的模型的并行器件数；

IC 可选项，初始条件，即通过三极管的初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中的使用初始条件被选中后，才有效；

Temp可选项，元件工作温度，以摄氏度为单位。缺省时为27℃。

七、MOS场效应晶体管

MOS场效应晶体管是现代集成电路中最常用的器件。SIM99提供了四种MOSFET模型，它们的伏安特性公式各不相同，但它们基于的物理模型是相同的。在库MOSfet.lib中，包含了数目巨大的以工业标准部件数命名的MOS场效应晶体管。如图6所示，该图简单列出了库中包含的MOS场效应晶体管。

图6仿真库中的 MOS场效应晶体管类型

对 MOS场效应晶体管的属性对话图框可如下设置：

Designator MOS场效应晶体管名称（如Q1）；

L沟道长度；

w沟道宽度；

AD漏区面积；