三极管特性曲线分析
三极管特性曲线和参数
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2.4.2 三极管的特性曲线
IC + mA -
Rc
Rb
IB A +
+ V UCE -
UCC
UBB
uBE V
-
图 1 – 33 三极管共发射极特性曲线测试电路
1.
输入特性
IB / mA U CE=0 V U CE=2 V
当UCE不变时, 输入回路中 的电流IB与电压UBE之间的关 系曲线称为输入特性, 即
2.3.5 三极管的主要参数
(1) 共发射极交流电流放大系数β。β体现共射极接法之下的电流放大作用。
I C I B
U CE 常数
(2) 共基极交流电流放大系数α。α体现共基极接法下的电流放大作用。
I C I E
2. 极间反向电流
ICBO
A
A ICEO
(a ) ICBO
2 - 36 三极管极间反向电流的测量
(3) 饱和区。 曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。 在这个区域, 当
UCE较小时, 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化, 这种现象称为
饱和。此时三极管失去了放大作用,
一般认为UCE=UNE, 即UCB=0时, 三极管处于临界饱和状态, 当UCE<UBE时称 为过饱和。三极管饱和时的管压降用UCES表示。在深度饱和时, 小功率管管压降通 常小于0.3V。
过 压 区
UCE / V
2 - 38 三极管的安全工作区
4. 反向击穿电压
BUCBO——发射极开路时, 集电极-基极间的反向击穿电压。 BUCEO——基极开路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。
BUEBO——集电极开路时, 发射极-基极间的反向击穿电压, 此
三极管的特性曲线
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三极管的共射特性曲线作者:佚名来源:本站整理发布时间:2009-9-23 8:27:51 [收藏] [评论]三极管的共射特性曲线三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线,它们是三极管内部载流子运动规律在管子外部的表现。
三极管的特性曲线反映了管子的技术性能,是分析放大电路技术指标的重要依据。
三极管特性曲线可在晶体管图示仪上直观地显示出来,也可从手册上查到某一型号三极管的典型曲线。
三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线,下面以NPN型三极管为例,来讨论三极管共射电路的特性曲线。
1、输入特性曲线输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下,基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系,即(5-3)三极管的输入特性曲线如图5-6所示。
由图5-6可见NPN 型三极管共射极输入持性曲线的特点是: BE虽己大于零,但i B几乎仍为零,只有当u BE的值大于开启电压后,i B的值与二极管一样随u BE的增加按指数规律增大。
硅晶体管的开启电压约为0.5V,发射结导通电压V on约为0.6~0.7V;锗晶体管的开启电压约为0.2V,发射结导通电压约为0.2~0.3V。
CE=0V,U CE=0.5V和U CE=1V的情况。
当U CE=0V时,相当于集电极和发射极短路,即集电结和发射结并联,输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。
当U CE=1V,集电结已处在反向偏置,管子工作在放大区,集电极收集基区扩散过来的电子,使在相同u BE值的情况下,流向基极的电流i B减小,输入特性随着U CE的增大而右移。
当U CE>1V以后,输入特性几乎与U CE=1V时的特性曲线重合,这是因为Vcc>lV后,集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走,对基区电子与空穴的复合影响不大,i B的改变也不明显。
CE必须大于l伏,所以,只要给出U CE=1V时的输入特性就可以了。
03-半导体三极管输入输出特性曲线知识点
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电工学━
知识点
1
半导体三极管输入输出特性曲线
1、基本概念
(1)三极管输入特性曲线指当集电极与发射极之间的电压U CE
为常数时,输入电路基极电流I B 与基极-发射极电压U BE 之间的关系曲线。
(2)三极管输出特性曲线是指在基极电流I B 为常数时,三极管的输出电路中集电极电流I C 和集射极电压U CE 之间的关系曲线。
(3)三极管工作状态。
三极管除放大作用外,还可工作在饱和和截止两种工作状态,后两种状态其实是指三极管的开关作用。
三种工作状态如表1所示。
表1三极管工作状态条件与特点
工作状态截止
放大
饱和
条
件
B ≤I β
Csat
B 0I I <
<β
Csat
B I I >
特点(NPN )
电压与
电流关系
CC CE BE 0U U U ≈≤,0
CEO C ≈=I I 0
B ≈I V
7.0~6.0BE =U BE
CE CC U U U >>B
C I I β≈V
7.0~6.0BE =U V
3.0~2.0CE ≈U CS C I I =β
CS
BS B I I I =
≥偏置
发射结反偏集电结反偏
发射结正偏集电结反偏
发射结正偏集电结正偏
表中,C
CC
Csat
R U I ≈为集电极饱和电流。
三极管的特性曲线
![三极管的特性曲线](https://img.taocdn.com/s3/m/308f94ed856a561252d36fa9.png)
特点:曲线簇靠近纵轴附近,各条曲线的 特点:曲线簇靠近纵轴附近, 上升部分十分密集,几乎重叠在一起, 上升部分十分密集,几乎重叠在一起,可以 看出: 看出: 改变时, 当 IB 改变时,Ic 基本上不会随之而改 变。
Ε 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同 晶体管饱和的程度将因I Ic的数值不同
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
此区域中 : 100µA µ IB=0,IC=ICEO 80µABE< 死区 µ ,U 电压, 电压 60µA ,称为 µ 截止区。 截止区。 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
输出特性曲线簇
输出特性三个区域的特点: 输出特性三个区域的特点
Ε (2)为了保证三极管工作在放大区,在组成放大 为了保证三极管工作在放大区,
电路时, 电路时,外加的电源的极性应使三有管的发射结 处于正向偏置状态,集电结则处于反向偏置状态。 处于正向偏置状态,集电结则处于反向偏置状态。
Ε (3)即使三极管工作在放大区,由于其输入,输 即使三极管工作在放大区,由于其输入,
结论: 结论: 在放大区,UBE> 0.7V,UBC< 0,Je正 在放大区, 0.7V, 0,Je正 偏,Jc反偏,Ic随IB变化而变化,但与 反偏, 变化而变化, 的大小基本无关。 UCE的大小基本无关。 ΔIc>>ΔIB,具有很强的电流放大作 用!
3、饱和区: 饱和区:
Ε Ε Ε
晶体管工作在饱和模式下: 晶体管工作在饱和模式下: >0.7V, >0, Je、Jc均正偏 均正偏。 UBE>0.7V,UBC>0,即:Je、Jc均正偏。
(1) 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=βIB , 且 ∆IC = β ∆ IB (2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:UCE<UBE , βIB>IC,UCE≈0.3V (3) 截止区: UBE< 死区电压, IB=0 , IC=ICEO ≈0 截止区: 死区电压,
常用半导体器件_三极管的输出特性曲线
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第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
例4.3.1 在放大电路中测得4个三极管的各管脚对“地”电位如图所 示。试判断各三极管的类型(是NPN型还是PNP型,是硅管 还是锗管),并确定e、b、c三个电极。
3V
8V
−3V 2.3V
−5V
0V
−0.8V −1V
3.7V
2V
−0.6V
6V
(a)
0
U(BR)CEO uCE
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
2. 三极管型号的意义 国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
用字母表示同一型号中的不同规格
用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类
用字母表示材料
三极管 第二位:A 锗PNP管, B 锗NPN管, C 硅PNP管, D 硅NPN管 第三位:X 低频小功率管,D 低频大功率管,
B
ic
C
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
−1.4V 硅管
−2.8V −3.5V 1.1V
锗管
1.3V 1V
12V 硅管 2V
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
发射结偏、集电结均正偏,管子饱和。
UBE=2.7V,远大于发射结正偏时的电压, 故管子已损坏。
−0.7V
iC
iB
+
u+−BE
uCE −
当三极管饱和时,UCE 0,C-E iC/mA 饱和区
间如同一个开关的接通。
IB=40μA 4
当三极管截止时,IC 0 , C-E 3
之间如同一个开关的断开。
三极管特性曲线参数及场效应管
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图 02.07 在输出特性曲
线上决定
图02.08 值与IC的关系
2.共基极直流电流放大系数 =(IC-ICBO)/IE≈IC/IE
显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/1+ IB= /1+
②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极,O是
显。曲线的右移是三极
管内部反馈所致,右移
不明显说明内部反馈很
小。输入特性曲线的分
区:①死区
②非线性区 ③线性区
图02.05 共射接法输入特性曲线
(2)输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示,它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明, 当vCE=0 V时,因集电极无收集作用,iC=0。当vCE稍增大时, 发射结虽处于正向电压 之下,但集电结反偏电 压很小,如
的增加,特性曲线进
入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。(动画2-2)
输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受vCE显著控制的区域,该区域内vCE的
数值较小,一般vCE<0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。
双极型半导体三极管的特性曲线
本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线,即
输入特性曲线—— iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE) iB=const 这里,B表示输入电极,C表示输出电极, E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极 接法的特性曲线。
iB是输入电流,vBE是输入电压,加在B、E 两电极之间。
三极管的特性曲线
![三极管的特性曲线](https://img.taocdn.com/s3/m/0dd4de35580216fc700afd60.png)
集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系
曲线。实验测得三极管的输出特性曲线如
下图所示。
输出特性
IC(mA )
此区域中UCEUBE, 4 集电结正偏,IB>IC , UCE0.3V称为饱和区。
ห้องสมุดไป่ตู้
当UCE大于一定的数 值时,IC只与IB有关, IC=IB ,且 IC = 100A IB 。此区域称为线 性放大区。
3
2
此区域中 : IB=0, IC=ICEO ,UBE< 死区电压,称为截 止区。
80A
60A
40A 20A IB=0 12 UCE(V)
1 3
6 9
例1.1:判断三极管的工作状态
测量得到三极管三个电极对地电位如图所示,试判断三 极管的工作状态。
放大
截止
饱和
实验线路(共发射极接法)
(1)输入特性曲线IB=f (UBE)
它是指一定集电极和发射极电压UCE下,
三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间
的关系曲线。实验测得三极管的输入特性
曲线如下图所示。
vCE = 0V
vCE 1V
(2)输出特性曲线IC=f (UCE)
它是指一定基极电流IB下,三极管的
三极管的特性曲线
1、特性曲线
三极管的特性 曲线是指三极 管的各电极电 压与电流之间 的关系曲线, 它反映出三极 管的特性。 它可以用专用 以NPN型硅三极 管为例,其常 用的特性曲线 有以下两种。
的图示仪进行
显示,也可通 过实验测量得 到。
三极管在电路中的连接方式
共发射极连接 共基极连接 共集电极连接
三极管的特性曲线
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三极管的特性曲线
三极管外部各极电压和电流的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性,还能用来定量地估算出三极管的某些参数,是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式,有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路,其基本测试电路如图Z0118所示,共发射极特性曲线可以用描点法绘出,也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线
在三极管共射极连接的情况下,当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时,
UBE和IB之间的一簇关系曲线,称为共射极输入特性曲线,如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为:
IB=f(UBE)| UBE = 常数 GS0120
由图Z0119 可以看出这簇曲线,有下面几个特点:。
三极管特性曲线
![三极管特性曲线](https://img.taocdn.com/s3/m/b1ea5667f6ec4afe04a1b0717fd5360cba1a8d0b.png)
三极管特性曲线是衡量三极管工作性能的有效方法。
它由四种基本特性曲线构成,分别为正向电压降-电流特性曲线,反向电压降-电流特性曲线,正向电压降势垒曲线和反向电压降势垒曲线。
首先来看正向电压降-电流特性曲线,它会反映出三极管在正向电压降下的电流特性。
随着正向电压的增加,电流也会随之增加,当正向电压达到一定程度时,电流开始减少,而且最终会趋向于一个极限值。
接下来是反向电压降-电流特性曲线,它会反映出三极管在反向电压降下的电流特性。
当反向电压增加时,电流会随之减小,并最终趋向于一个极小值。
正向电压降势垒曲线反映了三极管在正向电压降下的势垒特性。
当正向电压增加时,势垒会随之增加,当正向电压达到一定程度时,势垒开始减少,最终会趋向于一个极限值。
最后是反向电压降势垒曲线,它反映了三极管在反向电压降下的势垒特性。
当反向电压增加时,势垒也会随之减少,最终会趋向于一个极小值。
以上就是三极管特性曲线的基本介绍,由四种基本特性曲线构成,反映了三极管在正反向电压降下的电流和势垒特性。
通过分析三极管特性曲线,可以更清楚地理解三极管的工作原理,并可以更好地掌握其工作性能。
双极型半导体三极管的特性曲线
![双极型半导体三极管的特性曲线](https://img.taocdn.com/s3/m/78e5b9e959f5f61fb7360b4c2e3f5727a5e9246c.png)
很弱,iC主要由vCE决定。
图02.06 共发射极接法输出特性曲线
当vCE增加到使集电结反偏电压较大时,如 vCE ≥1 V vBE V
运动到集电结的电子
基本上都可以被集电
区收集,此后vCE再增 加,电流也没有明显
的增加,特性曲线进
入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。(动画2-2)
发为射了结 排正除偏vC,E的集影电响结,正在偏讨或论反输C偏入E电特压性很曲小线。时,应使vCE=const(常数)。
v V 线随vCE增大而右移的 图02.
放大区——iC平行于vCE轴的区B域E ,
v = - v V 此时,发射结反偏,集电结反偏。
曲线基本平行等距。CB CE
BE
集电区收集电子的能力 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反
发射结虽处于正向电压 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图所示。
线随vCE增大而右移的 图02.
ivBC为E 参≥1变V量的之一族下特性,曲线但。 集电结反偏电
共发射极接法的输入特性曲线见图。
压很小,如 此时,发射结反偏,集电结反偏。
共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图所示。
v < 1 V 图02.
输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受vCE显著控制的区域,该区域内vCE的
数值较小,一般vCE V(硅管)。此时 发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。
截止区——iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。
此时,发射结反偏,集电结反偏。
晶体三极管的输入输出特性曲线
![晶体三极管的输入输出特性曲线](https://img.taocdn.com/s3/m/9dc2ffe99fc3d5bbfd0a79563c1ec5da50e2d6a7.png)
晶体三极管的输入、输出特性曲线三极管的特性曲线是指三极管各极上的电压和电流之间的关系曲线,是三极管内部性能的外部表现。
从使用三极管的角度来说,了解它的特性曲线是重要的。
由于三极管有两个PN结,因此它的特性曲线不像二极管那样简单。
最常用的有输入特性和输出特性曲线两种,在实际应用中,通常利用晶体管特性图示仪直接观察,也可用图1的电路开展测试逐点描绘。
(一)输入特性曲线输入特性是指,当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时,加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。
以3DG130C为例,按图1实验电路测试。
当UCE分别固定在O和1伏两种情况下,调整RPl测得的IB和UBE的值,列于表1。
它的输入特性曲线,如图2所示。
为了说明输入特性,图中画出两种曲线,表示UCE不同的两种情况。
但两条线不会同时存在。
图1晶体三极管输入、输出特性实验电路图2晶体三极管输入特性曲线表1三极管输入特性数据1.当UCE = O伏时,也就是将三极管的集电极与发射极短接,如图3所示,相当于正向接法的两个并联二极管。
图2中曲线A的形状跟二极管的正向伏安特性曲线非常相似,IB和UBE 也是非线性关系。
2.当UCE=I伏时,集电结反偏,产生集电极电流IC, 在一样的UBE条件下,基极电流IB就要减小。
(图2中a点降到b 点),因此曲线B相对曲线A右移一段距离。
可见,UCE 对IB有一定影响。
当UCE>1伏以后,IB与UCE几乎无关,其特性曲线和UCE = I优那条曲线非常接近,通常按UCE = I 伏的输出特性曲线分析。
图3 UCE=O时的等效电路图4 3AX52B的输入特性曲线图4是3AX52B错三极管的输入特性,注意横坐标是一UBE,这是指PNP型错管的基极电位低于发射极电位。
可见,错管和硅管它们的输入特性曲线都是非线性的,都有“死区”, 错管和硅管相比,错管在较小的UBE值下,就可使发射结正偏导通。
三极管的特性曲线
![三极管的特性曲线](https://img.taocdn.com/s3/m/e5ffedefaeaad1f346933f28.png)
三极管的特性曲线三极管外部各极电压和电流的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性,还能用来定量地估算出三极管的某些参数,是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式,有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路,其基本测试电路如图Z0118所示,共发射极特性曲线可以用描点法绘出,也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线在三极管共射极连接的情况下,当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时,UBE和IB之间的一簇关系曲线,称为共射极输入特性曲线,如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为:IB=f(UBE)| UBE = 常数GS0120由图Z0119 可以看出这簇曲线,有下面几个特点:(1)UBE = 0的一条曲线与二极管的正向特性相似。
这是因为UCE = 0时,集电极与发射极短路,相当于两个二极管并联,这样IB与UCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。
(2)UCE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移,而且当UCE的数值增至较大时(如UCE>1V),各曲线几乎重合。
这是因为UCE由零逐渐增大时,使集电结宽度逐渐增大,基区宽度相应地减小,使存贮于基区的注入载流子的数量减小,复合减小,因而IB减小。
如保持IB为定值,就必须加大UBE ,故使曲线右移。
当UCE 较大时(如UCE >1V),集电结所加反向电压,已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去,以致UCE再增加,IB 也不再明显地减小,这样,就形成了各曲线几乎重合的现象。
(3)和二极管一样,三极管也有一个门限电压Vγ,通常硅管约为0.5~0. 6V,锗管约为0.1~0.2V。
二、输出特性曲线输出特性曲线如图Z0120所示。
测试电路如图Z0117。
输出特性曲线的数学表达式为:由图还可以看出,输出特性曲线可分为三个区域:(1)截止区:指IB=0的那条特性曲线以下的区域。
三极管的特性曲线
![三极管的特性曲线](https://img.taocdn.com/s3/m/d5f51939b307e87100f69654.png)
③
2. 当UCE ≥1V时,UCB= UCE - UBE >0, 集电结已进入反偏状态,开始收集 ①②
载流子,且基区复合减少, 特性曲
线将向右稍微移动一些, IC / IB 增 大。但UCE再增加时,曲线右移很不 明显。通常只画一条。
输入特性曲线分三个区 ① 死区
Rb IB
+ Ui-
IC
IE
Uo Rc
(2) IC=.IB,IC主要受IB的控制。
24/131
三极管的四种工作状态:
重要!
放大工作状态: 发射结正偏,集电结反偏
饱和工作状态: 发射结正偏,集电结正偏 截止工作状态:发射结反偏,集电结反偏
反向工作状态:发射结反偏,集电结正偏
Rc
VCC
发射结反偏判断方法:
UBE<0.7V(Si) UBE<0.3V(Ge)
IB=
IB= IB=0
截止区: 特点:发射结反偏,集电结反偏。 IB=0 曲线的下方的区域 当IB=0 时,IC=ICEO NPN管,UBE< 0.7V(硅管)时管 子就处于截止态。
Rc
EC
NP N
E IEn
ICn
IC
C
IE
IEp
IBn ICBO
EB Rb B IB
23/131
说明:符号UCE表示直流信号。
输出特性曲线:Ic=f (Uce) Ib=C
+ U-i
Rb Ib c
be
Ie
Uo Rc
说明:符号Ube表示矢量信号。
EB
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
EC
21/131 三极管输入特性曲线 IB=f(UBE) U CE =常数
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目录一、三极管特性曲线分析 (1)1.1三极管结构 (1)1.2 三极管输入特性曲线 (2)1.3 三极管输出特性曲线 (2)二、三极管应用举例 (3)2.1 三极管在放大状态下的应用 (3)2.2 三极管在开关状态下的应用 (3)三、线性电路和非线性电路 (4)3.1线性电路理论 (4)3.2 非线性电路理论 (5)3.3 线性电路的分析应用举例 (6)3.4 非线性电路的分析应用举例 (7)四、数字电路和模拟电路 (8)4.1 数字电路 (8)4.2 模拟电路 (8)4.3数字电路和模拟电路区别与联系 (9)五、总结与体会 (9)六、参考文献 (10)三极管输入输出曲线分析——谈线性电路与非线性电路摘要:三极管是电路分析中非常重要的一个元器件。
本文主要分析了三极管输入输出特性曲线,介绍了线性电路和非线性电路的理论在分析工具的不同之处。
同时,线性电路和非线性电路在分析电路时各有着不同的用处。
最后,介绍了数字电路及模拟电路区别与联系。
关键词:三极管;数字电子技术;模拟电子技术一、三极管特性曲线分析1.1三极管结构双极结型三极管是由两个PN结背靠背构成。
三极管按结构不同一般可分为PNP和NPN 两种。
图1-1 三极管示意图及符号PNP型三极管和NPN型三极管具有几乎等同的电流放大特性,以下讨论主要介绍NPN 型三极管工作原理。
NPN型三极管其两边各位一块N型半导体,中间为一块很薄的P型半导体。
这三个区域分别为发射区、集电区和基区,从三极管的三个区各引出一个电极,相应的称为发射极(E)、集电极(C)和基极(B)。
虽然发射区和集电区都是N型半导体,但是发射区的掺杂浓度比集电区的掺杂浓度要高得多。
另外在几何尺寸上,集电区的面积比发射区的面积要大。
由此可见,发射区和集电区是不对称的。
双极型三极管有三个电极:发射极(E)、集电极(C)、基极(B),其中两个可以作为输入,两个可以作为输出,这样就有一个电极是公共电极。
三种接法就有三种组态:共发射极接法(CE)、共基极接法(CC)、共集电极接法(CB)。
这里只以共射接法为例分析其输入输出曲线。
图1-2 三极管三种组态晶体三极管的输入特性和输出特性曲线描述了各电极之间电压、电流的关系。
1.2 三极管输入特性曲线输入特性曲线描述了在管压降CE U 一定的情况下,基极电流B i 与发射结压降BE U 之间的函数关系,即()CE C B BE Ui f u ==。
图1-3 三极管输入特性曲线1.3 三极管输出特性曲线输出特性曲线描述是基极电流B I 为一常量时,集电极电流C i 与管压降CE u 之间的函数关系,即()B C CE I C i f u ==。
输出特性曲线可以分为三个工作区域,如下图所示:在饱和区,发射结和集电结均处于正向偏置。
C i 主要随CE u 增大而增大,对B i 的影响不明显,即当BE u 增大时,B i 随之增大,但C i 增大不大。
在饱和区,C i 和B i 之间不再满足电流传输方程,即不能用放大区中的β来描述C i 和B i 的关系,三极管失去放大作用。
1. 死区2. 线性区3. 非线性区U ce =0V 时,发射极与集电极短路,发射结与集电结均正偏,实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。
当1CE U V >,0cb ce be U U U =->时,,集电结已进入反偏状态,开始1CE U V >收集载流子,且基区复合减少, 特性曲线将向右稍微移动一些, I C / I B 增大。
但U ce 再增加时,曲线右移很不明显。
在放大区,发射结正向偏置,集电结反向偏置,各输出特性曲线近似为水平的直线,表示当B i 一定时, 图1-4 三极管输出特性曲线C i 的值基本上不随CE u 而变化。
此时表现出B i 对C i 的控制作用,C B I I β=。
三极管在放大电路中主要工作在这个区域中。
一般将0b I ≤的区域称为截止区,由图可知,C I 也近似为零。
在截止区,三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态。
二、 三极管应用举例三极管在电路中有着非常重要的应用地位。
2.1 三极管在放大状态下的应用分压式电流负反馈放大电路是各种电子设备中经常采用的一种弱信号放大电路,其核心部件就是三极管,当三极管工作在放大状态,那么在通电过程中,三极管静态时的工作电压必须满足发射极正偏,集电极反偏,而且随着输入信号的变化,各种电压或电流都能随着发生相应的变化, 图2-1 分压式电流负反馈放大电路 不能出现信号的失真现象。
2.2 三极管在开关状态下的应用三极管的开关特性在数字电路中应用广泛,是数字电路最基本的开关元件。
当处于开状态时,三极管为处于饱和状态,Uce ≤Ube ,Uce 间的电压很小,一般小于PN 结正向压降(<0.7V).当处于关状态时,基极电流Ib 为0.Uce >1V 时为放大状态 。
右图是共射型三极管典型电路,同时参考三极管输出特性曲线进行分析。
三极管是以基极电流B i 作为输入,操控整个 图2-2 共射型三极管电路三极管的工作状态。
若三极管是在截止区,B i 趋近于0 (BE V 亦趋近于0),C 极与E 极间约呈断路状态,C i = 0,CE CC V V =。
若三极管是在线性区, B i 的值适中 (0.7BE V V =), C fe B I h I =,呈比例放大,CE CC C C CC fe B V V R I V h I =-=-可被 B I 操控。
若三极管在饱和区,B I 很大,0.8BE V V =0.2CE V V =,0.6BC V V=,Cfe B I h I ≤,B-C 与B-E 两接面均为正向偏压,C-E 间等同于一个带有0.2 V 电位落差的通路,可得(0.2)/C CC C I V R =-,C I 与 B I 无关了,因此时的B I 大过线性放大区的B I 值,C fe B I h I <是必然的。
三极管在截止态时 C-E 间如同断路,在饱和态时C-E 间如同通路 (带有0.2 V 电位降),因此可以作为开关。
控制此开关的是B I ,也可以用BB V 作为控制的输入讯号。
下图显示三极管开关的通路、断路状态,及其对应的等效电路。
图2-3 截止态如同断路 图2-4 饱和态如同通路三、线性电路和非线性电路是否满足叠加定理和齐次性是线性电路和非线性电路之间最主要的区别。
3.1线性电路理论线性电路是指完全由线性元件、独立源或线性受控源构成的电路。
线性就是指输入和输出之间关系可以用线性函数表示。
齐次,非齐次是指方程中有没有常数项,即所有激励同时乘以常数k 时,所有响应也将乘以k 。
线性电路的最基本的特性是它具有叠加性和齐次性。
电路的叠加性是指在有几个电源共同作用下的线性电路中,通过每一个元件的电流或其两端的电压,可以看成是由每一个电源单独作用时在该元件上所产生的电流或电压的代数和。
线性电路的齐次性是指当激励信号(如电源作用)增加或减小K倍时,电路的响应(即在电路其它各电阻元件上所产生的电流和电压值)也将增加或减小K倍。
叠加性和齐次性是线性电路独有的特性,这两个定理也简化了线性电路分析的过程。
叠加性和齐次性可表示如下:图3-1 线性电路的叠加性图3-2 线性电路的齐次性图3-3 线性电路叠加性和齐次性的综合特性在线性电路中,由多个独立电源共同作用所引起的响应等于这些独立电源分别单独作用时所引起的响应的代数和,所以对电路的分析比较简单,小信号和大信号作用下的结果基本一致。
分析线性电路时,我们采用戴维南定理和定理进行分析。
戴维南定理是指任一线性有源单口网络,可用一个电压源串联一个阻抗来代替,电压源的电压等于该网络端口的开路电压,而等效阻抗则等于该网络中全部独立源为零值时从端口看进去的阻抗。
由这一电压源和等效阻抗组成的等效电路,称为戴维南等效电路。
定理是指一个有源线性单口网络,可用一个电流源并联一个等效阻抗来代替,电流源等于该网络端口的短路电流,等效阻抗等于该网络中全部独立源为零值时从端口看进去的阻抗。
电流源和等效阻抗并联的电路,称为等效电路。
图3-4 戴维南定理图3-5 定理3.2 非线性电路理论当电路中至少含有一个非线性电路元件时(例如非线性电阻元件、非线性电感元件等),其运动规律就要由非线性微分方程或非线性算子来描述,我们称这样的电路为非线性电路。
一百多年以来,人们对电路理论的研究,取得的较多成果在于线性电路理论方面。
而事实上自然界是千变万化的,绝大多数行为均是非线性的,电路也是如此。
与线性电路相比,非线性电路较为复杂,有其独特的地方。
首先,非线性电路不满足叠加定理,所以在线性电路中一系列行之有效的分析方法在非线性电路中就不在适用。
其次,非线性系统的解不一定存在。
非线性电路的特性一般是由一组非线性代数方程来描述。
对实际系统来说,它在一定初始条件下的解应该存在且唯一。
但当我们去求解这组方程时,方程可能有多个解,也有可能没有解。
因此,在求解之前,应对系统的解得性质进行判断。
若解肯本不存在,求解它就没有任何意义。
再者,对线性系统来说,一般存在一个平衡状态,我们很容易判断系统的平衡状态是否为稳定的。
但非线性系统一般存在多个平衡态,其中有些平衡态是稳定的,有些平衡态可能不是稳定的。
当我们在考察非线性电路的性质时,定性分析法是非常重要的方法。
定性分析法设计的数学工具有微分方程定性理论、稳定性理论、泛函分析中的不动点定理等。
其侧重于电路解的特性、解的全局性和渐进性。
除了定性分析法,近似解析法也是比较常见的方法。
分析仅含有二端非线性电阻的非线性动态电路时,可以采用分段线性化方法,用较简单的分段线性函数来逼近非线性电阻的电压电流非线性关系,从而可以用解析的方法求出较简单的非线性电路的解,并能定量的考察一些参数变化对电路响应的影响。
分析电路时,无论是线性还是非线性电路,实验方法是很重要的研究方法。
电路理论分析正确与否,应该以事实为准则。
除了理论分析和物理实验外,我们还可以采用电路的数字仿真方法。
3.3 线性电路的分析应用举例一阶RC 电路是典型的线性电路,通常由一个电容器和一个电阻器组成。
RC 电路可组成简单的有源滤波器,低通滤波器或者高通滤波器。
下面简单介绍下有RC 有源电路组成的滤波器。
一阶RC 低通滤波器如图所示,电压传输系数为:111111o i HU j C Au f U j RC R j j C f ωωω====+++&&& 令1/H RC ω= ,则1/2H f RC π= ,此时 图3-6 RC 低通滤波器21(/)U H A f f =+& ,arctan /H f f ϕ=- ,处于滞后状态。
当0f = 时,1uA =& 。