第3章 场效应管放大电路习题答案教学文稿
3场效应管放大电路
三、场效应管放大电路1、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。
A.增大B.不变C.减小答案:A2.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.22解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22(a)所示〕,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及U GS值,建立i D=f(u GS)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图P1.22(b)所示。
解图P1.223.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
()答案:√4.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
()答案:×5.电路如图1.23所示,T的输出特性如图P1.22所示,分析当u I=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解:根据图P1.22所示T的输出特性可知,其开启电压为5V,根据图P1.23所示电路可知所以u GS=u I。
当u I=4V时,u GS小于开启电压,故T截止。
当u I=8V时,设T工作在恒流区,根据输出特性可知i D≈0.6mA,管压降u DS≈V DD-i D R d≈10V因此,u GD=u GS-u DS≈-2V,小于开启电压,图P1.23 说明假设成立,即T工作在恒流区。
当u I=12V时,由于V DD =12V,必然使T工作在可变电阻区。
6.U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管答案:A7.电路如图P5.14所示,已知C gs=C gd=5pF,g m=5mS,C1=C2=C S=10μF。
试求f H、f L各约为多少,并写出的表达式。
图P5.14解:f H、f L、的表达式分析如下::图2图1(5)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(5)A C8.一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示,试问:1.它是N沟道还是P沟道FET?2.它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少?解由图题4.1.3可见,它是N沟道JFET,其VP=–4 V,IDSS=3 mA。
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案
第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题(1)按照结构,场效应管可分为 。
它属于 型器件,其最大的优点是 。
(2)在使用场效应管时,由于结型场效应管结构是对称的,所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换。
(3)当场效应管工作于恒流区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制,而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ,增强型D i 的表达式为 。
(4)一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ,则该管的DSS I = ,p U = 。
(5)某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示,由图可知该管的DSS I = ,p U = 。
(6)N 沟道结型场效应管工作于放大状态时,要求GS 0u ≥≥ ,DS u > ;而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时,要求GS u > ,DS u > 。
(7)耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。
(8)在共源放大电路中,若源极电阻s R 增大,则该电路的漏极电流D I ,跨导m g ,电压放大倍数 。
(9)源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案:(1)结型和绝缘栅型,电压控制,输入电阻高。
(2)漏,源,源,漏,源。
(3)GS u ,DS u ,2GS D DSS P 1u i I U =− ,2GS D DO T 1u i I U=−。
(4)16mA ,4V 。
(5)习题3.1.5图4mA ,−3V 。
(6)p U ,GS p u U −,T U ,GS T u U −。
(7)自给,分压式。
(8)减小,减小,减小。
(9)m g ,s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解:3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构,且p 4V U =−,DSS 1mA I =。
《模拟电子技术》 第3章 场效应管及其放大电路分析
第3章 场效应管及其放大电路分析
第3章 场效应管及其放大电路分析
3.1 场效应管的基本概念
3.2 场效应管放大电路的分析
3.1 场效应管的基本概念 3.1.1结型场效应管
场效应管按照结构不同,可分为结型场效应管和绝缘栅型场效 应管两大类;
结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,简称JFET) 按照制造工艺和材料不同,可分为N沟道结型场效应管和P沟 道结型场效应管两种。
3.特性曲线 转移特性曲线是用于描述漏-源电压一定情况下,漏极电流 与栅-源电压之间关系的曲线,即 。 N沟道JFET的转移特性曲线如图所示。
输出特性曲线是用于描述栅-源电压一定情况下,漏极电流 与漏-源电压之间关系的曲线,即 。
N沟道JFET的输出特性曲线如图所示。
4.主要参数 (1)直流参数 ①夹断电压:是指漏-源电压为某定值时,使漏极电流为 0或 某一微小数值(如10)时的栅-源电压值。 ②饱和漏电流:是指栅-源电压 断时所对应的漏极电流值。 时,管子发生预夹
1.结构 增强型NMOS管的结构示意图如图所示。
增强型NMOS、 PMOS管的符号如图所示。
耗尽型NMOS、 PMOS管的符号如图所示。
2.工作原理 ( 1) 情况 当栅-源之间未加电压时,漏-源之间是一对背靠背的PN结, 所以无论漏-源之间加正向电压还是反向电压,总有一个PN 结是截止的,漏-源之间没有导电沟道,也没有漏极电流产 生,如图示。
(3)极限参数 ①最大漏电流:是指管子正常工作时所允许通过的漏极电流 的最大值。 ②最大耗散功率:是决定管子温升的参数,超过此值时,管 子会因过热而被烧坏。 ③漏源击穿电压:是指随着漏 - 源电压的增加,使得漏极电 流急剧增加是的漏 - 源电压值。正常工作时,若超过此值, 管子将会被击穿。 ④栅源击穿电压:是指栅源间所能承受的最大电压。正常工 作时,若超过此值,栅极和沟道间的PN结将会被击穿。
第3章场效应答案
习题答案3.1 已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。
试判别其类型,并说明各管子在∣U DS ∣= 10V 时的饱和漏电流I DSS 、夹断电压U GSOff (或开启电压U GSth )各为多少。
解:FET 有JFET 和MOSFET ,JFET 有P 沟(GS U 只能为正)和N 沟(GS U 只能为负)之分。
MOSFET 中有耗尽型P 沟和N 沟(GS U 可为正、零或负),增强型P 沟(GS U 只能为负)和N 沟(GS U 只能为正)。
图 (a):N 沟耗尽型MOSFET ,DSS I =2mA,3-=)th (G S U V 。
图 (b):P 沟结型FET ,DSS I =3mA, 3=)th (GS U V 。
图 (c):N 沟增强型MOSFET ,DSS I 无意义 ,51.U )th (GS =V 。
3.2 已知某JFET 的I DSS =10mA ,U GSoff =-4V ,试定性画出它的转移特性曲线,并用平方律电流方程求出u GS =-2V 时的跨导g m 。
解:(1)转移特性如下图所示。
u GS /Vi /mA (a)u GS /Vi/mA(b)u DS /V(c)题图3.1)/(5.2215)421()4(102)1(2)1(.22V m A U u U I du di g U u I i g V U GSoffGS GSoff DSS GS Dm GSoffGS DSS D m GS =⨯=--⨯-=--==-=故因为时的=-求3.3 已知各FET 各极电压如题图3.3所示,并设各管的2)(=th GS U V 。
试分别判别其工作状态(可变电阻区,恒流区,截止区或不能正常工作)。
解:图 (a)中,N 沟增强型MOSFET ,因为3=GS U V 2=>)th (GS U V ,2-=GD U V 2==)th (GS U V ,所以工作在恒流区。
图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET ,5=GS U V 2-=>)th (GS U V ,0=GD U V 2-=>)th (GS U V ,所以工作在可变电阻区。
第三章 场效应管放大电路讲解
d
结构图
B衬底 g
s
电路符号
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因此在栅源电压为零时,在正的vDS作用下,也有较 大的漏极电流iD由漏极流向源极。
当vGS>0时,由于绝缘层的存在,并不会产生栅极电 流 iG ,而是在沟道中感应出更多的负电荷,使沟道变 宽。在vDS作用下,iD将具有更大的数值。
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3.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
⒈ 结构和工作原理简述 这种管子在制造时,
SiO2绝缘层 中掺有大量
正离子
由于二氧化硅绝缘层中掺
有大量的正离子,即使在
vGS= 0时,由于正离子的 作用,也和增强型接入正
N型沟道
栅源电压并使vGS>VTh时相 似,能在P型衬底上感应 出较多的电子,形成N型 沟道,将源区和漏区连通
② 可变电阻区 (vDS≤vGS-VTh )
iD Kn 2 vGS VTh vDS vD2S
iD/mA
可变电阻区 饱和区
电导常数Kn单位是mA/V2。
8 6
在特性曲线原点附近,vDS很 4
7V A
6V B
5V C
4V
小,则
2
D
vGS=3V
iD 2Kn vGS VTh vDS
E 截止区
5 10 15 20 vDS/V
电压vGS对漏极电流iD的控制
特性,即 iD f vGS vDS常数
由于饱和区内,iD受vDS的影
iD/mA 8
A
B
6 VDS =10V C
4
D
响很小,因此饱和区内不同vDS 下的转移特性基本重合。
模拟电子技术(3)--场效应管及其基本放大电路
第3章 场效应管及其基本放大电路试卷3.1判断下列说法是否正确,用“√”和“ ”表示判断结果填入空内1. 结型场效应管外加栅源电压u GS应使栅源间的耗尽层承受反偏电压,才能保证其输入电阻R G大的特点。
( )2. 耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。
( )3. 若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压u GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )4. 工作于恒流区的场效应管,低频跨导g m与漏极电流I DQ成正比。
( )5. 增强型MOS管采用自给偏压时,漏极电流i D必为零。
( )【解3.1】:1. √ 2.√ 3.× 4.× 5.√3.2选择填空1. 场效应管的栅-源之间的电阻比晶体管基-射之间的电阻 。
A.大 B.小 C.差不多2. 场效应管是通过改变 来改变漏极电流的。
所以是 控制型器件。
A.栅源电压 B.漏源电压 C.栅极电流D.电压 E.电流3. 用于放大时,场效应管工作在特性曲线的 。
A.可变电阻区 B.恒流区 C.截止区4. N沟道结型场效应管中参加导电的载流子是 。
A.自由电子和空穴 B.自由电子 C.空穴5. 对于结型场效应管,当︱u GS︱︱U GS(off)︱时,管子一定工作在 。
A.恒流区 B.可变电阻区 C.截止区 B.击穿区6. 当栅源电压u GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A.结型场效应管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管7. 某场效应管的开启电压U GS(th)=2V,则该管是 。
A.N沟道增强型MOS管 B.P沟道增强型MOS管C.N沟道耗尽型MOS管 D.P沟道耗尽型MOS管8. 共源极场效应管放大电路,其输出电压与输入电压 ;共漏极场效应管放大电路,其输出电压与输入电压 。
A.同相 B.反相【解3.2】:1.A 2.A,D 3.B 4.B 5.C 6.A C 7.A 8.B,A3.3判断图T3.3所示各电路能否进行正常放大?如果不能,指出其中错误,并加以改正。
电子技术基础第三章场效应管及其放大电路
• 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后, iD趋于 饱和。
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思考:为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?
场效应管的应用小结
• 一是当作压控可变电阻,即非线性电阻来使用, VGS的绝对值 越大,导电沟道就越窄,对应的导电沟道电阻越大,即电压 V电G阻S控使制用电时阻,的导大电小沟,道管还子没工有作出在现可预变夹电断阻;区,当作压控可变
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场效应管的分类
场效应管 FET
结型
JFET
IGFET ( MOSFET ) 绝缘栅型
N沟道 P沟道 增强型
耗尽型
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N沟道 P沟道
N沟道 P沟道
第二节 结型场效应管(JFET)的 结构和工作原理
一、结型场效应管的结构
二、结型场效应管的工作原理
三、结型场效应管的特性曲线 及参数
UDS(sat) ≤│Up│。
JFET的三个状态
• 恒流区(放大区、饱和区) • 可变电阻区 • 截止区
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小结
• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,所以 场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因此 iG0,输入电阻很高。
• JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制。
第一节 场效应管概述 第二节 结型场效应管的结构和工作原理 第三节 绝缘栅场效应管的结构和工作原理 第四节 场效应管放大电路
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• 3-1 • 3-4 • 3-6 • 3-12
作业
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模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件
U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD
2)动态性能指标的计算:微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在什 么区。( a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 )
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD 1)静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0,得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程,求解UGSQ和IDQ,并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )
-
3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解:
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻, 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。
模拟电子技术基础课后习题—场效应管及其放大电路答案
习题3-1 场效应管沟道的预夹断和夹断有什么不同? 解:当U DS 增加到U DS =U GS ,即U GD =U GS -U DS = U GS (th )时,漏极附近的耗尽层将合拢,称为预夹断。
预夹断后,沟道仍然存在,夹断点的电场强度大,仍能使多数载流子(电子)作漂移运动,形成漏极电流I DSS 。
若U DS 继续增加,使U DS >U GS -U GS (th ),即U GD <U GS (th )时,耗尽层合拢部分会增加,并自夹断点向源极方向延伸,此时夹断区的电阻越来越大,但漏极电流I D 却基本趋于饱和,不随U DS 的增加而增加。
3-2 如何从转移特性上求g m 值? 解: 利用公式gsdm dU dI g求g m 值。
3-3 场效应管符号中,箭头背向沟道的是什么管?箭头朝向沟道的是什么管? 解:箭头背向沟道的是P 沟道;箭头朝向沟道的是N 沟道。
3-4 结型场效应管的U GS 为什么是反偏电压? 解:若为正偏电压,则在正偏电压作用下,两个PN 结耗尽层将变窄,I D 的大小将不受栅-源电压U GS 控制。
3-5如图3-20所示转移特性曲线,指出场效应管类型。
对于耗尽型管,求U GS (off )、I DSS ;对于增强型管,求U GS (th )。
解:a P 沟道增强型。
U GS (th )=-2Vb P 沟道结型。
U GS (off )=3V 、I DSS =4mA3-6如图3-21所示输出特性曲线,指出场效应管类型。
对于耗尽型管,求U GS (off )、I DSS ;对于增强型管,求U GS (th )。
解:a N 沟道增强型。
U GS (th )=1Vb P 沟道结型。
U GS (off )=1V 、I DSS =1.2mAGS /Va-2 -1 图3-20 习题3-5图 U GS /Vb3-7 如图3-22所示电路,场效应管的U GS (off )=-4V ,I DSS =4mA ;计算静态工作点。
三章场效应管放大器
注意:该电路产生负的栅源电压,所以只能用于需要负栅源电压的电路。
2.分压式自偏压电路
UGSUGUS
Rg1Rg2Rg2VDDIDR
C1 + ui
—
+ VDD Rd
Rg1 d C2 +
gT
s
uo
Rg3 Rg2
R
C
—
计算Q点:
已知UP ,由
UGSRgR1gR2 g2VDDIDR
ID IDSS(1UUGPS)2
(3)饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当uGS=0时所对应的漏极电流。
(4)输入电阻RGS 结型场效应管,RGS大于107Ω,MOS场效应管, RGS可达109~1015Ω。
(5) 低频跨导gm gm反映了栅压对漏极电流的控制作用,单位是mS(毫西门子)。
(6) 最大漏极功耗PDM PDM= UDS ID,与双极型三极管的PCM相当。
—
g
d
Rg3 + u
gs
Rg1 Rg2 -S
gmugs
Ri
+
RL uo Rd
-
RO
2.共漏放大电路
分析:
(1)画交流小信号等效电路。 (2)电压放大倍数
由 u iu g s gm u g(sR /R /L ) uogm ug(sR//RL)
C1
RS
+
uS -
d
+ VDD
Rg1
T
s
Rg3
C2 +
Rg2
R
uo RL
-
得
Auu uoi
gm(R//RL) 1gm(R//RL)
RS
场效应管放大电路习题答案
第3章场效应管放大电路习题答案(总9页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第3章场效应管放大电路3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
(⨯)(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(⨯)3-2选择正确答案填入空内。
(1)U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将A 。
A.增大B.不变C.减小3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共源接法。
图P3-3解:(a)源极加电阻R S。
(b)漏极加电阻R D。
(c)输入端加耦合电容。
(d)在R g支路加-V G G,+V D D改为-V D D改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-33-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解u A 、R i和R o。
图P3-4解:(1)在转移特性中作直线u G S=-i D R S,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出I D Q=1mA,U G S Q=-2V。
如解图P3-4(a)所示。
解图P3-4在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D S Q ≈3V 。
如解图P3-4(b )所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)GSD m DS=-=∂∂=I I U u i g UΩ==Ω==-=-=k 5M 1 5D o i Dm R R R R R g A g u3-5 已知图P3-5(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。
(电气工程)场效应晶体管及其电路分析习题及解答
第三章场效应晶体管及其电路分析题1.3.1 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1(a)~(d)所示。
(1)说明图(a)~(d)曲线对应何种类型的场效应管。
(2)根据图中曲线粗略地估计:开启电压V T、夹断电压V P和饱和漏极电流I DSS或I DO 的数值。
图题1.3.1解: (1)(a)增强型N沟道MOS管,VGS(th)≈3V,IDO≈3mA;(b)增强型P沟道MOS管,VGS(th)≈2V,IDO≈2mA;(c)耗尽型型P沟道MOS管,VGS(off)≈2V,IDSS≈2mA;(d)耗尽型型N沟道MOS管,V GS(off)≈2V,I DSS≈3mA。
题1.3.2 场效应管漏极特性曲线同图题1.3.1(a)~(d)所示。
分别画出各种管子对应的转移特性曲线i D=f(v GS)。
解:在漏极特性上某一VDS 下作一直线,该直线与每条输出特性的交点决定了VGS和ID的大小,逐点作出,连接成曲线,就是管子的转移特性了。
图题1.3.3题1.3.3 图题1.3.3所示为场效应管的转移特性曲线。
试问:(1)I DSS、V P值为多大?(2)根据给定曲线,估算当i D=1.5mA和i D=3.9mA时,g m约为多少?(3)根据g m 的定义:GSDm dv di g,计算v GS = -1V 和v GS = -3V 时相对应的g m 值。
解: (1) I DSS =5.5mA,V GS(off)=-5V;(2) I D =1.5mA 时,gm ≈0.88ms,I D =3.9mA 时,gm ≈1.76ms;(3) V GS =-1V 时,gm ≈0.88ms,V GS =-3V 时,gm ≈1.76ms题1.3.4 由晶体管特性图示仪测得场效应管T 1和T 2各具有图题1.3.4的(a )和(b )所示的输出 特性曲线,试判断它们的类型,并粗略地估计V P 或V T 值,以及v DS =5V 时的I DSS 或 I DO 值。
(完整版)第3章习题答案
第3章习题答案3.2.1 选择题1.晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时,其__A_______。
(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5.温度升高,晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6.温度升高,晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8.温度升高,晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9.温度升高,晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11.晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时,下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13.对于电压放大器来说,___B____越小,电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位___B____。
机械工程出版社第三章 场效应管电路习题答案
第3章 场效应晶体管放大电路3.1知识要点3.1.1场效应管有结型和MOS 型两大类,每类都有N 沟道和P 沟道之分,MOS 场效应管还有增强型和耗尽型之分,故场效应管有6种类型。
它们的结构、工作原理、伏安特性、作用、主要参数、电路组成、分析方法相似;正向控制原理都是利用栅源电压改变导电沟道的宽度而实现对漏极电流的控制;小信号模型完全相同;但由于沟道类型不同,结构上也有不同,因此6种管子对偏置电压的要求各不相同。
栅源电压为零时存在原始导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管;天然原始导电沟道,只有在U GS绝对值大于开启电压U GS(th)绝对值后才能形成导电沟道的,则称为增强型场效应管。
2GS D DSS P(1) U I I U =−当工作于放大区时,对耗尽型场效应管1.2.4 场效应晶体管表5.1 晶体管与场效应管比较比较项目晶体管场效应管载流子两种不同极性的载流子(电子与空穴)同时参与导电,故又称为双极型晶体管只有一种极性的载流子(电子或空穴)参与导电,故又称为单极型晶体管 控制方式电流控制电压控制类型 NPN 型和PNP 型两种 N 沟道和P 沟道两种 放大参数 200~20=β5~1m =g mA/V输入电阻 42be 10~10=r Ω较小147gs 10~10=r Ω很大 输出电阻 r ce 很大 r ds 很大 热稳定性 差 好制造工艺 较复杂简单,成本低,便于集成对应电极基极-栅极,发射极-源极,集电极-漏极3.1.2 场效应晶体管放大电路共源极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.6所示。
U DDo +U DD(a )放大电路(b )直流通路+u o -o(c )交流通路 (d )微变等效电路图5.1 共源极分压式偏置放大电路(1)静态分析:DD G2G1G2G U R R R U +=SG S S D R U R U I ==)(S D D DD DSR R I U U +−= (2)动态分析:Lm u R g A ′−= 式中L D L//R R R =′。
模拟电子技术教程第3章习题答案
第3章 习题1. 概念题:(1)在放大电路中,三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
(2)电源的作用是 为能量转换提供能源 ,如果离开电源,放大器可以工作吗( 不能 )(3)单管放大器的讲解从电容耦合形式开始,这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ,如果信号和负载直接接入,其 工作点 的计算将要复杂的多。
(4)在共射放大器的发射极串接一个小电阻,还能认为是共射放大器吗( 能 )在共集放大器的集电极串接一个小电阻,还能认为是共集放大器吗( 能 )(5)在模电中下列一些说法是等同的,(A 、C 、F )另一些说法也是等同的。
(B 、D 、E )A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析(6)PN 结具有单向导电性,信号电压和电流的方向是随时间变化的,而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大,这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
(7) β大的三极管输入阻抗 也大 ,小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
(8)画直流通路比画交流通路复杂吗(不)在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ,直流电流源可认为 开路 ,二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
(9)求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ,单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器,其次是共 源 放大器。
(10)对晶体管来说,直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ,交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ,对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗( 无 )(11)在共射级放大器或共源放大器中,电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
(12)放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真,引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
第3章场效应管及其放大电路习题解
第3章场效应管及其放大电路习题解3.1教学内容与要求本章介绍了场效应管的结构、类型、主要参数、工作原理及其基本放大电路。
教学内容与教学要求如表1.1所示。
表3.1第3章教学内容与要求3.2内容提要3.1.1场效应晶体管1.场效应管的结构及分类场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的,是电压控制型器件。
工作过程中起主要导电作用的只有一种载流子(多数载流子),故又称单极型晶体管。
场效应管有两个PN结,向外引出三个电极:漏极D、栅极G和源极S。
(1)栅源控制电压的极性对JFET,为保证栅极电流小,输入电阻大的特点,栅源电压应使PN结反偏。
N沟道JFET:UGS<0;P沟道JFET:UGS>0。
对增强性MOS管,N沟道增强型MOS管,参加导电的是电子,栅源电压应吸引电子形成反型层构成导电沟道,所以UGS>0;同理,P沟道增强型MOS管,UGS<0。
对耗尽型MOS管,因二氧化硅绝缘层里已经掺入大量的正离子(或负离子:N沟道掺入正离子;P沟道掺入负离子),吸引衬底的电子(或空穴)形成反型层,即UGS=0时,已经存在导电沟道,所以,栅源电压UGS 可正可负。
(2)夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)对JFET和耗尽型MOS管,当|UGS|增大到一定值时,导电沟道就消失(称为夹断),此时的栅源电压称为夹断电压UGS(off)。
N沟道场效应管UGS(off)<0;P沟道场效应管UGS(off)>0。
对增强型MOS管,当UGS增加到一定值时,才会形成导电沟道,把开始形成反型层的栅源电压称为开启电压UGS(th)。
N沟道增强型MOS管UGS(th)>0;P沟道增强型MOS管UGS(th)<0。
(3)栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用场效应管的导电沟道是一个可变电阻,栅源电压uGS可以改变导电沟道的尺寸和电阻的大小。
当uDS=0时,uGS变化,导电沟道也变化但处处等宽,此时漏极电流iD=0;当uDS≠0时,产生漏极电流,iD≠0,沿沟道产生了电位梯度使导电沟道变得不等宽。
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第3章场效应管放大电路习题答案
第3章场效应管放大电路
3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
(⨯)
(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(⨯)
3-2选择正确答案填入空内。
(1)U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将A 。
A.增大
B.不变
C.减小
3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共源接法。
图P3-3
解:(a)源极加电阻R S。
(b)漏极加电阻R D。
(c)输入端加耦合电容。
(d)在R g支路加-V GG,+V D D改为-V D D
改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-3
3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解
A 、R i和
u
R o 。
图P3-4
解:(1)在转移特性中作直线u GS=-i D R S,与转移特性的交点即为Q
点;读出坐标值,得出I DQ=1mA,U GS Q=-2V。
如解图P3-4(a)所示。
解图P3-4
在输出特性中作直流负载线u DS =V DD -i D (R D +R S ),与U GS Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U DS Q ≈3V 。
如解图P3-4(b )所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)GS D
m DS
=-=∂∂=I I U u i g U Ω==Ω==-=-=k 5
M 1 5D o i D
m R R R R R g A g u &
3-5 已知图P3-5(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。
求解电路的Q 点和u
A &。
图P 3-5
解:(1)求Q 点:
根据电路图可知, U GS Q =V GG =3V 。
从转移特性查得,当U GS Q =3V 时的漏极电流
I D Q =1mA
因此管压降 U DSQ =V DD -I DQ R D =5V 。
(2)求电压放大倍数:
20V mA 22D
m DO DQ GS(th)m -=-===R g A I I U g u & 3-6电路如图3-6所示,已知场效应
管的低频跨导为g m ,试写出u
A &、R i 和R o 的表达式。
图P 3-6
解:u
A &、R i 和R o 的表达式分别为 D o 2
13i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥&
3-7 电路如图3-7所示。
已知V DD =12V ,GG V =2V ,R G =100kΩ,R D =1kΩ, 场效应管T 的 I DSS =8mA 、U GS(off)=-4V 。
求该管子的I DQ 及静态工作点处的g m 值。
图P 3-7
解:DQ I =2mA m g =2ms
3-8已知某种场效应管的参数为U GS(th)=2V ,U (BR)GS =30V, U (BR)DS =15V ,当U GS =4V 、 U DS =5V 时,管子的I DQ =9mA 。
现用这种管子接成如图p3-8所示的四种电 路,电路中的R G =100kΩ, R D1=5.1KΩ,R D2=3.3kΩ,R D3=2.2kΩ,R S =1kΩ。
试问各电路中的管子各工作于:放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种?
图P 3-8
解:先求场效应管的x 值。
由已知的GS U =4v 时DQ I =9mA 及
()GS th U =2v ,代人公式2()[]D GS GS th i K u U =-,可求得K =2.25mA /2V . 图(a)管子击穿.图(b)管子击穿 图(c)可变电阻区 图(d )放大区
3-9在图p3-9所示的四种电路中,R G 均为100 kΩ,R D 均为3.3kΩ,V DD =10V ,GG V =2V 。
又已知:T 1的I DSS =3mA 、U GS(off)=-5V ;T 2的U GS(th)=3V ;T 3的I DSS =-6mA 、U GS(off)=4V ;T 4的I DSS =-2mA 、U GS(off)=2V 。
试分析各电路中的场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区?
图P 3-9
解:图a T1为N 沟道JFE T ,由图可知T1工作于放大区
图b T2工作于截止状态
图c 工作于可变电阻区
图d 工作于放大区
3-10 试判断图p3-10所示的四种电路中,哪个(或哪几个)电路具有电压放大作用。
图P 3-10
解d
3-11 电路如图3-11所示。
其中-V DD =-20V ,R G =1MΩ, R D =10kΩ, U GSQ =2V ,管子的I DSS =-2mA 、U GS(off)=4V ,各电容器的电容量均足够大。
试求:
(a) I DQ 及R S1的数值;
(b) 为使管子能工作于恒流区,R S2不能超过什么值。
解:(a ) DQ I =-0.5mA 14S R K =Ω
(b) 222S R K <Ω
3-12 电路如图3-12所示。
已知V DD =30V ,R G1=R G2=1MΩ, R D =10kΩ,管子的U GS(th)=3V ,且当U GS =5V 时I D 为0.8mA 。
试求管子的U GSQ 、I DQ 、U DSQ 。
解: 1.8DQ I mA = 12DSQ U V = GSQ U =6V
3-13电路如图3-13所示。
已知-V DD =-40V ,R G =1MΩ,R D =12kΩ,R S =1kΩ,场效应管的I DSS =-6mA 、U GS(off)=6V 、r ds >>R D ,各电容器的电容量均足够大。
试求:
(a) 电路静态时的I DQ 、U GSQ 、U DQ 值;
(b) 电路的A u 、R i 、R o 值。
解(a ) 2.3DQ I mA =- 12.4DQ U V =- 10.1DSQ U V =-
(b) 14.9112u i o A R M R k =-=Ω=Ω 3-14电路如图3-14所示。
其中R G =1.1MΩ,R S =10kΩ,场效应管的g m =0.9mS 、 r ds 可以忽略,各电容器的电容量均足够大,电源电压V DD 的大小已足以保证管子能工作于恒流区。
试求A u 、R i 和R o 的值。
解:0.9 1.11u i o A R M R k ==Ω=Ω
图P3-11 图P3-12
图P3-13 图P3-14
3-15 在图3-15所示的电路中,R D= R S=5.1kΩ,R G2=1MΩ, V DD=24V,场效应管的I DSS=2.4mA、U GS(off)=-6V,各电容器的电容量均足够大。
若要求管子的U GSQ=1.8V ,求:
(a)
1
G
R的数值;
(b)
DQ
I的值;
(c)1
1
o
u
i
U
A
U
=及2
2
o
u
i
U
A
U
=的值。
解: (a)1 4.7
G
R M
=Ω (b) 1.18
DQ
I mA
= (c) 1
1
o
u
i
U
A
U
==0.74 2
2
o
u
i
U
A
U
==-0.74
精品文档
收集于网络,如有侵权请联系管理员删除 图P 3-15 图P 3-16
3-16 电路如图3-16所示。
设场效应管的跨导为g m ,r ds 的影响必须考虑,各电容器的电容量均足够大。
试求该电路输出电阻R o 的表达式。
解://'//['(1')]O D O D S ds m S R R R R R r g R ==++
3-17 电路如图3-17所示。
已知电路中的R G =1MΩ, R D =10kΩ,R S =2kΩ,负载电阻R L =4kΩ,负载电容C L =1000pF ,场效应管的C gs 、C gd 、C ds 和r ds 的影响均可以忽略。
试求该电路的上限截止频率f H 。
图P 3-17
解:155.72(//)H D L L
f kHz R R C π==。