半导体存储器及存储扩展

0
A1 行
0
地1
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
4
8
7
11
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码 CS WE
≥1 OE
… … … … …
12 15
≥1
数据线
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
行地址选择
VCC
触发器 A和A‘原端/反端
T5
T3
A
T1
T4 A’
T6
T2
T7
T8
列地址选择
I/O
I/O
列所有存储元 共用此电路
SRAM-触发器存储原理
半导体存储器-SRAM
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I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
≥1 OE
… … … … …
12 15
≥1
数据线
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
0
A1 行
0
4
8
地1
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
7
11
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A7 A6
A5 AA43 A2 A0 A1 D0 D1 D2
GND
6116
VCC 6116 2K*8b
A8
A9 数据管脚：
WE OE
8根 D0~D7
A10 地址管脚：
CS
D7
11根 A0~A10
D6 D5
控制管脚：
D4
CS OE WE
D3
半导体存储器-DRAM
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半导体存储器
College of Computer Science & Technology
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
半导体存储器
与MOS型比
集成度低，速度快， CPU内部寄存器
TTL型RAM
随机存取存储器 （RAM）
MOS型RAM
动态RAM（DRAM） 静态RAM（SRAM）
半导体存储器
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
破坏性读出 需再生
行选择线
X
电容储电原理
T1
C
读出再生 放大器
列选择线
Y
T2
读出过程 数据线有电流，读出1 写入过程
数据I/O线
写入1，充电 写入0，放电
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
➢相同点：
A2 CS GND
D2 D3
控制管脚：
WE
CS WE
半导体存储器-SRAM
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I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
常用RAM芯片型号 • 2114(1K*4bit) • 6116(2K*8b) ,6264(8K*8b) • 62128(16K*8b)，62256(32K*8b)
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码 CS WE
≥1 OE
… … … … …
12 15
≥1
数据线
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
常用RAM芯片型号 • 2114(1K*4bit) • 6116(2K*8b) ,6264(8K*8b) • 62128(16K*8b)，62256(32K*8b)
A6
VCC 2114 1K*4b
A5 A4
A7 A8
数据管脚：
A3
A9
4根 D0~D3
A0
2114
D0 地址管脚：
A1
D1
10根 A0~A9
NC DIN
WE
RAS A0 A1 A2
GND
2164
VCC 容量64K*1bit
CAS DOUT
A6 A4
数据线两根 Din,Dout
地址线8根(复用)
A3 A0~A7
A5 A7
控制线3根
CAS RAS WE
半导体存储器-DRAM
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I.RAM
与SRAM相比，DRAM具有以下特点：
≥1
OE
数据线
半导体存储器-SRAM
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I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
0
A1 行
0
4
8
地1
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
7
11
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码 CS WE
掩膜式ROM（MROM）
只读存储器 （ROM）
可 编 程 ROM （ PROM ） 可擦除 PROM（EPROM ）
电可擦除PROM（E2PROM）
半导体存储器-SRAM
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I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
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I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
0
A1 行
0
4
8
12
地1
… … … … …
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
7
11
15
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A3
来自百度文库列0 地 12
址3
A2 译
码
CS
≥1
WE
半导体存储器-DRAM
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I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
与SRAM不同，DRAM芯片通常设计为位结构 即，每个存储单元只有1位
常用的DRAM，如： •2116（16K*1bit） •2118（8K*1bit） •2164（64K*1bit） •21256（256K*1bit）
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
0
A1 行
0
4
8
地1
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
7
11
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码 CS WE
≥1 OE
… … … … …
12 15
≥1
数据线
半导体存储器-SRAM