半导体存储器及存储扩展
第6章半导体存储器
（a）
图6-8
（b）
3．快闪存储器(Flash Memory)
而且浮置栅一源区间的电容要比浮置栅一控制栅间的电容小得多 。 当控制栅和源极间加上电压时,大部分电压都将降在浮置栅与源极 之间的电容上。 快闪存储器的存储单元就是用这样一只单管组成的，如图6-8(b)所 示。
（a）
图6-8
（b）
半导体存储器的技术指标
存取容量：表示存储器存放二进制信息的多少。二值 信息以字的形式出现。一个字包含若干位。一个字的 位数称做字长。
例如，16位构成一个字，那么该字的字长为16位。一个存储 单元只能存放一个一位二值代码，即只能存一个0或者一个1。 这样，要存储字长为16的一个字，就需要16个存储单元。若 存储器能够存储1024个字，就得有1024×16个存储单元。 通常，用存储器的存储单元个数表示存储器的存储容量，即 存储容量表示存储器存放二进制信息的多少。存储容量应表 示为字数乘以位数。 例如，某存储器能存储1024个字 ，每个字4位，那它的存储容 量就为1024×4=4096，即该存储器有4096个存储单元。 存储器写入（存）或者读出（取）时，每次只能写入或读出 一个字。若字长为8位，每次必须选中8个存储单元。 选中哪些存储单元，由地址译码器的输出来决定。即由地址 码来决定。地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。 如果某存储器有十个地址输入端，那它就能存210=1024个字。
[例6-1]
[例6-1]
根据表6-2可以写出Y的表达式： Y7=∑（12，13，14，15） Y6=∑（8，9，10，11，14，15） Y5=∑（6，7，10，11，13，15） Y4=∑（4，5，7，9，11，12） Y3=∑（3，5，11，13） Y2=∑（2，6，10，14） Y1=0 Y0=∑（1，3，5，7，9，11，13，15 ） 根据上述表达式可画出ROM存储点阵如图6-9所示。
数字电子技术—08第七章半导体存储器
7.4.2 字扩展方式 例：用256字×8位RAM芯片组成1024字×8位存储器。
需要片数N=4
目标存储器容量 N=
已有存储芯片容量
各片地址分配情况：
000H 100H 200H 300H
0FFH 1FFH 2FFH 3FFH
当要求字和位同时扩展时，先字扩展或先为扩展都可 以，最终结果都是一样的。
存储单元相对于EEPROM，只需要一个MOS管，结构简单，集 成度高，成本低。因为MOS管的源极是连在一起的，所以擦除时 按固定大小的存储容量(典型为128-512kbits) 整体擦除，所以叫 Flash Memory，用来形容擦除速度快。
和E2PROM相比，需要电压明显减小，这源于更薄的SiO2绝缘层。 Flash ROM具有在系统可编程(ISP, In-System Programmability) 的能力。在许多场合，Flash ROM也被直接称为E2PROM.
第七章 半导体存储器
7.1 概述 半导体存储器是固态存储器SSD (Solid State Drives) ，具有存储 密度高，体积小，容量大，读写速度快，功耗低等优点!
光盘
硬磁盘
固盘
分类：
非挥发存储器（Non-Volatile Memory--NVM）
掩模ROM
可编程ROM (PROM--Programmable ROM)
NAND Flash 存储矩阵
X
8192M+256M Bit
列 (2k+64) Byte/Page×128 Page/Block×4096 Blocks
地
址 译
码 器
寄存器
Y 控制逻辑
I/O0
I/O1
I/O2
微机原理第5章存储器系统
3. 工作方式
数ห้องสมุดไป่ตู้读出 字节写入：每一次BUSY正脉冲写
编程写入
入一个字节
自动页写入：每一次BUSY正脉冲写
入一页（1~ 32字节）
字节擦除：一次擦除一个字节 擦除
片擦除：一次擦除整片
72
4. EEPROM的应用
可通过编写程序实现对芯片的读写； 每写入一个字节都需判断READY / BUSY
主存储器 虚拟存储系统
磁盘存储器
8
Cache存储系统
对程序员是透明的 目标：
提高存储速度
Cache
主存储器
9
虚拟存储系统
对应用程序员是透明的。 目标：
扩大存储容量
主存储器
磁盘存储器
10
3. 主要性能指标
存储容量（S）（字节、千字节、兆字节等） 存取时间（T）（与系统命中率有关）
端的状态，仅当该端为高电平时才可写 入下一个字节。
P219例
73
四、闪速EEPROM
特点：
通过向内部控制寄存器写入命令的方法 来控制芯片的工作方式。
74
工作方式
数据读出
读单元内容 读内部状态寄存器内容 读芯片的厂家及器件标记
CAS：列地址选通信号。
地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们 分别在#RAS和#CAS有效期间被锁存在锁存器中。
WE：写允许信号
DIN： 数据输入
WE=0 WE=1
数据写入 数据读出
DOUT：数据输出
49
3. 2164在系统中的连接
与系统连接图
50
三、存储器扩展技术
51
1. 存储器扩展
1 A15 1 A14 1 A13
半导体存储器
设x的取值范围为0～15的正整数， 则对应的是4位二进制正整数，用 B＝B3B2B1B0表示。根据y＝x2可算 出y的最大值是152 ＝225，可以用 8位二进制数Y＝Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0 表示。由此可列出Y＝B2 即y＝x2 的真值表。
输 B3 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 B2 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1
输 Y4 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0
出 Y3 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 Y2 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 Y1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Y0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1
&
&
&
W3
地 A1 0 0 1 1
址 A0 0 1 0 1 W0 1 0 0 0
字 W1 0 1 0 0
线 W2 0 0 1 0
D3=0
≥1
D2=1
D3 D2 ≥1
D1=1
D1 ≥1 ≥1
D0=1
D0
A1=1 A0=1
A1 A0
1 1
&
W0 W1 W2
W0=0 W1=0 W2=0 W3=1
存 W3 0 0 0 1 D3 1 0 1 0 储 D2 0 1 1 1 内 D1 1 0 0 1 容 D0 1 1 0 1
… …
27256(4) A0 O0 A 14 CS OE
… …
O7
… …
O7
… …
O7
… …
半导体存储器
第7章半导体存储器内容提要半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，本章主要介绍了（1）顺序存取存储器（SAM）、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）的工作原理。
（2）各种存储器的存储单元。
（3）半导体存储器的主要技术指标和存储容量扩展方法。
（4）半导体存储器芯片的应用。
教学基本要求掌握：（1）SAM、RAM和ROM的功能和使用方法。
（2）存储器的技术指标。
（3）用ROM实现组合逻辑电路。
理解SAM、RAM和ROM的工作原理。
了解：（1）动态CMOS反相器。
（2）动态CMOS移存单元。
（3）MOS静态及动态存储单元。
重点与难点本章重点：（1）SAM、RAM和ROM的功能。
（2）半导体存储器使用方法（存储用量的扩展）。
（3）用ROM 实现组合逻辑电路。
本章难点：动态CMOS 反相器、动态CMOS 移存单元及MOS 静态、动态存储单元的工作原理。
7.1■■■■■■■■■半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，是现代数字系统的 重要组成部分。
半导体存储器分类如下：I 融+n 右西方性翼静态（SRAM ）（六管MO 白静态存储单元） 随机存取存储器〔^^'｛动态侬^1口3网又单管、三管动态则□吕存储单元） 一固定艮cmil 二极管、M 口号管） 可编程RDM （PROM ）［三极管中熠丝上可擦除可编程ROM （EPROM ）［叠层栅管、雪崩j1-电可擦除可编程良口财（EEPROM^【叠层栅管、隧道）按制造工艺分，有双极型和MOS 型两类。
双极型存储器具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。
MOS 型存储器具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。
按存取方式分，有顺序存取存储器（SAM ）、随机存取存储器（RAM ）和只读存储器（ROM ）三类。
（1）顺序存取存储器（简称SAM ）：对信息的存入（写）或取出（读）是按顺序进行的，即具有“先入先出”或“先入后出”的特点。
（2）随机存取存储器（简称RAM ）：可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。
半导体存储器的分类及应用
半导体存储器的分类及应用半导体存储器主要分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。
1. 随机存储器（RAM）：RAM是一种易失性存储器，其中存储的数据在断电后会丢失。
RAM主要用于临时存储计算机的运行数据和程序。
根据存储单元的结构，RAM可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。
- 静态随机存储器（SRAM）：SRAM由触发器构成，每个存储单元需要多个晶体管和电容器来存储一个位。
SRAM具有快速访问速度和较低的功耗，常用于高速缓存、寄存器文件和缓冲存储器等。
- 动态随机存储器（DRAM）：DRAM由电容器和晶体管构成，每个存储单元只需要一个电容器和一个晶体管来存储一个位。
DRAM的存储单元较小，但在每次读取数据后需要刷新电容器，因此访问速度相对较慢。
DRAM广泛应用于主存储器（内存）和图形存储缓冲区等。
2. 只读存储器（ROM）：ROM是一种非易失性存储器，其中存储的数据在断电后不会丢失。
ROM主要用于存储不需要频繁修改的固定数据，例如计算机的固件程序、启动代码和存储器初始化信息等。
根据存储单元的可编程性，ROM可分为可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）和电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。
- 可编程只读存储器（PROM）：PROM的存储单元由固定的晶体管和电容器组成，存储内容不能被修改。
- 可擦除可编程只读存储器（EPROM）：EPROM的存储单元由浮栅晶体管（FET）和电容器组成，可以通过曝光紫外光擦除并重新编程。
EPROM的擦除程序相对麻烦。
- 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）：EEPROM的存储单元由浮栅晶体管（FET）和电容器组成，可以通过电信号擦除和编程。
EEPROM的擦除和编程过程相对容易，且可以单独对存储单元进行操作。
半导体存储器广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统等领域，包括但不限于以下几个应用：- 主存储器（内存）：作为计算机的主要存储器，用于存储正在执行的程序和运行数据。
微机原理半导体存储器
位地址线）。
虚拟存储器程序占用存储空间，可达246字节。
实存储器
由32位 RAM
地址
ROM
232＝4G
虚存储器 磁盘 设备
246＝64T
•虚拟存储器实际上是由磁盘等外存储器旳支持来 实现旳，即由操作系统把磁盘存储器当主存来使 用，以扩大内存。
所以，存储器和CPU旳连接，有三个部分： （1）、地址线旳连接； （2）、数据线旳连接； （3）、控制线旳连接。 在详细连接时应考虑下面问题：
1、CPU总线旳负载能力
在微机系统中，CPU经过总线与数片存储器和若干I/O 芯片相连，而这些芯片可能为TTL器件，或MOS器 件，所以构成系统时CPU总线能否支持其负载是必须 考虑旳问题。
24 ——VCC ——A8 ——A9 ——WE ——OE ——A10 ——CE ——D7 ——D6 ——D5 ——D4
13 ——D3
引脚功能
D0－D7 8位数据输入／输出 A0-A10地址输入 ,11位
CE 片选（芯片允许） WE 写允许 OE 输出允许
一般RAM都有这三个控制端
• 2K*8=2024*8=16384个基本元电路，用11根地址 线对其进行译码，以便对2K个单元进行选择，选 中旳8bit位同步输入/输出，数据旳方向由CE， WE，OE一起控制。
旳存取时间tRC或tWC；一般以CPU旳时序来拟定对存储
器旳存储速度旳要求 ；在存储芯片已拟定旳情况下， 则应考虑是否需要迁入TW周期等。
• 背面设计，假设能配合，不考虑插入电路。
3、存储器旳地址分配和片选问题
因为目前单片存储器旳容量依然是有限旳，所以 总是要由许多片才干构成一定容量旳存储器。
单片机课件8 单片机的存储器的扩展
MCS-51单片机的地址总线为16位，它的存储器最大的 扩展容量为216，即64K个单元。
2013-6-27
单片机原理及其应用
20
8.3 程序存储器扩展
8.3.2 外部程序存储器扩展原理及时序
（一） 外部程序存储器扩展使用的控制信号
（1）EA——用于片内、片外程序存储器配置， 输入信号。当EA=0时，单片机的程序存储器全部为扩 展的片外程序存储器；当EA=1 时，单片机的程序存 储器可由片内程序存储器和片外程序存储器构成，当 访问的空间超过片内程序存储器的地址范围时，单片 机的CPU自动从片外程序存储器取指令。 （2）ALE——用于锁存P0口输出的低8位地址。 （3）PSEN ——单片机的输出信号，低电平时， 单片机从片外程序存储器取指令；在单片机访问片内 2013-6-27 单片机原理及其应用 程序存储器时，该引脚输出高电平。
2013-6-27 单片机原理及其应用 11
8.2 半导体存储器
8.2.2 只读存储器 只读存储器（Read Only Memory，ROM），ROM 一般用来存储程序和常数。ROM是采用特殊方式写入 的，一旦写入，在使用过程中不能随机地修改，只能从 其中读出信息。与RAM不同，当电源掉电时，ROM 仍 能保持内容不变。在读取该存储单元内容方面，ROM 和RAM相似。只读存储器有掩膜ROM、PROM、EPROM、 E2PROM（也称EEPROM）、Flash ROM等。它们的区 别在于写入信息和擦除存储信息的方式不同。
第七章半导体存储器
（RAM） 动态RAM（Dynamic RAM）
双极性型 按制造工艺分
CMOS型
只读存储器ROM：用于存储固定信息的器件，在断电 后所保存的信息不会丢失。把数据写入到存储器以后， 正常工作时它存储的数据是固定不变的，只能根据地址 读出，不能写入。只读存储器主要应用于数据需要长期 保留并不需要经常改变的场合，如各种函数表、需要固 化的程序等。
在扩展时应将各片存储器的地址线、片选信号线和读/ 写信号线对应地并接在一起，而各片的数据线作为扩展后 每个字的各位数据线。
7.4.2 字扩展方式
字扩展是指扩展成的存储器字数增加而数据位数不变。
例：用4片256 x 8位RAM→1024 x 8位 存储器
I O0 .......... .......... .. I O7
例7.5.1 用ROM产生组合逻辑函数： Y1=ABC+ABC Y2=ABCD+BCD+ABCD Y3=ABCD+ABCD Y4=ABCD+ABCD
解： 将原函数化成最小项之和形式：
Y1=m2+m3+m6+m7 Y2=m6+m7+m10+m14 Y3=m4+m14 Y4=m2+m15 列出数据表：
7.2.1 掩模只读存储器ROM
根据用户要求专门设计的掩模板，把数据 “固化”在ROM
例1 ：地存址储线容量为224位的中ROM。
A1A0：两位地址代码，能指定 四个不同地址
地址译码器（二极管与门电路）： 将四个地址译成W0W3四个高电 平输出信号
字线
位线
A1 A0 00 01 10
11
W0 W1
7.2 只读存储器ROM
半导体存储器及其应用
存储器构造框图
存储器内部为双向地址译码，以节省内部引线和驱动器 如：1K容量存储器，有10根地址线。 单向译码需要1024根译码输出线和驱动器。
双向译码 X、Y方向 各为32根译码输出线 和驱动器， 总共需要64根译码线 和64个驱动器。
静态RAM Intel 2114 Intel 2114 容量 1k×4位
PROM：可编程ROM
顾客可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入
写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改
写。
１、熔丝型ＰＲＯＭ旳构成：
由镍铬熔丝等构成 ２、熔丝型ＰＲＯＭ旳编程写入
出厂时，全部位均为“０”
编程写入：用过电流将要写
“１” 旳位旳熔丝熔断。
３、“读”工作原理 字线被选中，有(无)熔丝旳位
程序存储器旳工作方式-2716(见P110)
EPROM2716 工作方式真值表
/CE /OE VPP D0~D7 方式
0 0 +5V 输出
读
× 1 +5V 高阻 未选中
1 × +5V 高阻
维持
正脉 冲1
+25V
输入
编程
0 0 +25V 输出 编程校验
0 1 +25V 高阻 编程禁止
注：VPP为编程脉冲，可觉得 +5V,+12.5v,+21V,+25V等
第五章 半导体存储器及其应用
5-1 半导体存储器旳分类 5-2 随机存取存储器RAM 5-3 只读存储器ROM 5-4 CPU与存储器旳连接 5-5 MCS-51存储器旳扩展
5.1 半导体存储器旳分类
ห้องสมุดไป่ตู้ 1. 随机存取存储器RAM (Random Access Memory)
半导体存储器概述
半导体存储器概述半导体存储器（Semiconductor Memory）是一种用于存储和读取数字信息的电子设备，广泛应用于计算机、通信设备、嵌入式系统等各种电子设备中。
相比于传统的磁性存储器，半导体存储器具有速度快、功耗低以及体积小等优点，因此在现代电子设备中得到广泛使用。
半导体存储器的基本构成单元是存储单元，它是由一个或多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个二进制位的信息。
存储单元可以分为静态存储单元（Static Random Access Memory，SRAM）和动态存储单元（Dynamic Random Access Memory，DRAM）两类。
静态存储单元由6个晶体管组成，其中包括两个交叉连接的反相非门（Inverter），一个传输门（Transfer Gate）和两个位线连接器（Bit Line）。
SRAM主要用于高速缓存等需要快速访问和读写的场景中，速度快、性能好，但是价格昂贵且功耗较高。
动态存储单元则由一个电容和一个开关管组成，电容用于存储信息，开关管用于控制读写操作。
DRAM的存储单元面积小，功耗低，但是随着时间的推移，电容中存储的电荷会逐渐泄漏导致信息丧失，因此需要定期刷新。
DRAM被广泛应用于主存储器（Main Memory）中。
除了SRAM和DRAM之外，还有一些其他的半导体存储器类型，如闪存（Flash Memory）、EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）等。
闪存是一种非易失性存储器，主要用于嵌入式系统和便携设备中。
它通过划分为多个块并使用电荷来存储信息，可以被分别擦除和写入。
闪存的特点是存储密度高、功耗低、可擦写次数有限。
EEPROM是可以通过电压改编信息的一种可擦写存储器，通常用于存储配置参数、固件等不需要频繁修改的数据，具有很高的擦写次数和可靠性。
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常用RAM芯片型号 • 2114(1K*4bit) • 6116(2K*8b) ,6264(8K*8b) • 62128(16K*8b)，62256(32K*8b)
A6
VCC 2114 1K*4b
A5 A4
A7 A8
数据管脚：
A3
A9
4根 D0~D3
A0
2114
D0 地址管脚：
A1
D1
10根 A0~A9
≥1
OE
数据线
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
0
A1 行
0
4
8
地1
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
7
11
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码 CS WE
NC DIN
WE
RAS A0 A1 A2
GND
2164
VCC 容量64K*1bit
CAS DOUT
A6 A4
数据线两根 Din,Dout
地址线8根(复用)
A3 A0~A7
A5 A7
控制线3根
CAS RAS WE
半导体存储器-DRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
与SRAM相比，DRAM具有以下特点：
掩膜式ROM（MROM）
只读存储器 （ROM）
可 编 程 ROM （ PROM ） 可擦除 PROM（EPROM ）
电可擦除PROM（E2PROM）
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
≥1 OE
… … … … …
12 15
≥1
数据线
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
0
A1 行
0
4
8
地1
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
7
11
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
0
A1 行
0
地1
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
4
8
7
11
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码 CS WE
≥1 OE
… … … … …
12 15
≥1
数据线
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码 CS WE
≥1 OE
… … … … …
12 15
≥1
数据线
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A7 A6ห้องสมุดไป่ตู้
A5 AA43 A2 A0 A1 D0 D1 D2
GND
6116
VCC 6116 2K*8b
A8
A9 数据管脚：
WE OE
8根 D0~D7
A10 地址管脚：
CS
D7
11根 A0~A10
D6 D5
控制管脚：
D4
CS OE WE
D3
半导体存储器-DRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
破坏性读出 需再生
行选择线
X
电容储电原理
T1
C
读出再生 放大器
列选择线
Y
T2
读出过程 数据线有电流，读出1 写入过程
数据I/O线
写入1，充电 写入0，放电
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
行地址选择
VCC
触发器 A和A‘原端/反端
T5
T3
A
T1
T4 A’
T6
T2
T7
T8
列地址选择
I/O
I/O
列所有存储元 共用此电路
SRAM-触发器存储原理
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
A2 CS GND
D2 D3
控制管脚：
WE
CS WE
半导体存储器-SRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
常用RAM芯片型号 • 2114(1K*4bit) • 6116(2K*8b) ,6264(8K*8b) • 62128(16K*8b)，62256(32K*8b)
半导体存储器-DRAM
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
与SRAM不同，DRAM芯片通常设计为位结构 即，每个存储单元只有1位
常用的DRAM，如： •2116（16K*1bit） •2118（8K*1bit） •2164（64K*1bit） •21256（256K*1bit）
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
0
A1 行
0
4
8
地1
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
7
11
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码 CS WE
≥1 OE
… … … … …
12 15
≥1
数据线
半导体存储器-SRAM
▪ SRAM
基本存储位结构 SRAM芯片读写控制 SRAM芯片管脚举例
▪ DRAM
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
➢相同点：
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
I.RAM
▪ SRAM
基本存储位结构
0
A1 行
0
4
8
12
地1
… … … … …
SRAM芯片读写控制
A0 址 译
SRAM芯片管脚举例
码3
▪ DRAM
3
7
11
15
基本存储位结构 DRAM芯片特点 DRAM芯片管脚举例
A3
列0 地 12
址3
A2 译
码
CS
≥1
WE
半导体存储器
College of Computer Science & Technology
鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY
半导体存储器
与MOS型比
集成度低，速度快， CPU内部寄存器
TTL型RAM
随机存取存储器 （RAM）
MOS型RAM
动态RAM（DRAM） 静态RAM（SRAM）
半导体存储器