74hc573(细读)
74hc573怎么连接数码管?74hc573连接数码管的应用解析
74hc573怎么连接数码管?74hc573连接数码管的应用解析74hc573连接数码管在不同的电路中有不同的连接方法,本文主要介绍几种在不同电路中74hc573是怎么连接数码管的,以及74hc573连接数码管的应用解析。
74hc57374hc573是透明的D 型锁存器,当使能(G)为高时,Q 输出将随数据(D)输入而变。
当使能为低时,输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作,即老数据可以保持,甚至当输出被关闭时,新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载,可以直接与系统总线接口并驱动总线,而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器,I/O 通道,双向总线驱动器和工作寄存器。
74hc573连接数码管应用案例一:一般情形下74hc573怎么跟数码管连接起来这个分两种:一种是静态扫描,二是动态扫描。
静态的太耗资源,一般很少用,除非资源足够用。
动态扫描的原理是:首先有八个数据线,分别连接到七段数码管的七个位,和小数点位。
然后就是有一批使能信号线。
二:74hc573怎么连接4位数码管4位数码管轮流点亮循环扫描就能完成显示,如果你用573锁存器,如果保持静态显示,可以用4片,8个输出引脚分别接上对应的8个数码管引脚,锁存低电平有效,可以再加一个译码器做片选,或者分成控制器的4个引脚做片选,LE高电平时写入数据之后拉低,再写下一个,一次完成。
三:在电子温度计中74hc573怎么连接数码管这种情形下,用一个8位接口(实际上使用了7条线),外接了25个8段的LED数码显示器。
用两条线外接了5片164,可以直接带动5个数码管;用五条线外接了5个8550,可以动态带动5行数码管。
软件略复杂些,显示效果很好,比16行的汉字点阵显示,轻松的多。
74hc573连接数码管的应用解析数码管数码管也称LED数码管,不同行业人士对数码管的称呼不一样,其实都是同样的产品。
74HC573数据手册
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NXP Semiconductors
74HC573; 74HCT573
Octal D-type transparent latch; 3-state
D0
D1
D2
D3
Q0 19 Q1 18 Q2 17 3-STATE Q3 16 OUTPUTS Q4 15 Q5 14 Q6 13 Q7 12
mna809
74HC_HCT573
Product data sheet
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NXP Semiconductors
74HC573; 74HCT573
Octal D-type transparent latch; 3-state
5. Pinning information
5.1 Pinning
OE 1 D0 2 D1 3 D2 4 D3 5 D4 6 D5 7 D6 8 D7 9 GND 10
(1) The die substrate is attached to this pad using conductive die attach material. It can not be used as supply pin or input
Fig 6. Pin configuration DHVQFN20
Useful as input or output port for microprocessors and microcomputers 3-state non-inverting outputs for bus-oriented applications Common 3-state output enable input Multiple package options ESD protection:
八D锁存器74HC573中文资料
八D锁存器74HC573中文资料
74HC573特点:
·三态总线驱动输出
·置数全并行存取
·缓冲控制输入
·使能输入有改善抗扰度的滞后作用
原理说明:
M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D型锁存器,当使能(G)为高时,Q 输出将随数据(D)输入而变。
当使能为低时,输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作,即老数据可以保持,甚至当输出被关闭时,新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载,可以直接与系统总线接口并驱动总线,而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器,I/O 通道,双向总线驱动器和工作寄存器。
74hc573怎么使用 74hc573可以仿真吗
74hc573怎么使用74hc573可以仿真吗本文主要探讨了关于74hc573的使用方法以及74hc573能否仿真的问题。
74HC573锁存器用法如果单片机的总线接口只作一种用途,不需要接锁存器;如果单片机的总线接口要作两种用途,就要用两个锁存器。
例如:一个口要控制两个LED,对第一个LED 送数据时,“打开”第一个锁存器而“锁住”第二个锁存器,使第二个LED 上的数据不变。
对第二个LED 送数据时,“打开”第二个锁存器而“锁住”第一个锁存器,使第一个LED 上的数据不变。
如果单片机的一个口要做三种用途,则可用三个锁存器,操作过程相似。
然而在实际应用中,我们并不这样做,只用一个锁存器就可以了,并用一根I/O 口线作为对锁存器的控制之用(接74HC573 的LE,而OE可恒接地)。
所以,就这一种用法而言,可以把锁存器视为单片机的I/O 口的扩展器。
随着单片机技术的发展,许多外围电路,如AD、DA和PWM等功能模块,都被集成在单片机中,不用像最初那样来扩展,但是像锁存器74HC573、驱动芯片74HC244及三八译码器等,其功能、原理及与控制器的接口仍然是嵌入式开发的基础,必须牢固掌握.论文通过锁存器74HC573选中模数转换器ADC0809的转换通道来实现多路转换,下面在Proteus环境下对锁存器74HC573的功能进行仿真,以分析其与单片机的接口电路设计.在proteus环境下加入74HC573模型,加入调试工具LOGICSTATE和LOGICPROBE,即可对锁存器的功能进行仿真,当OutputControl是数据输出控制端,能实现芯片三态输出,高电平时,输出端为高阻状态,如图1所示,当OE端为高电平时,无论LE状态是高还是低,输出端均无信号,即为高阻状态.OutputControl为低电平,则允许数据正常输出,如果LatchEnable端同时为高电平,则输出与输入随动,。
74HC573及上拉电阻
TTL电路的输入端是遵循TTL标准的,其需要的输入电流很小,74HC573的输入电流在电源电压为6V,输入电压为6V的情况下,其所需要的驱动电流仅仅为0.1uA。
你给的图是说明74HC573的输出驱动能力,573的每个输出引脚都有20mA的灌入电流,因此可以直接驱动LED,而扇出电流可以达到35mA.芯片有一个极限功耗,根据封装不同其功耗也不同,所以在设计驱动的时候,在任一时间要保证芯片的功耗不要超过此参数。
比如:573的每个引脚可能灌入20mA的电流,8个引脚,总电流是160mA,乘以工作电压5V,其值为800mW,这样就超出了芯片的极限,芯片容易损坏或者寿命缩短。
另外上拉电阻的问题。
是否需要上拉电阻,对于TTL电路输入端来说并不是关键,加与不加是要看你的单片机IO口的属性。
如果单片机的输出端口是推挽输出的,那么这个上拉电阻根本没有必要,但如果单片机的IO口是开漏输出或者是内部弱上拉输出的,那这个时候就需要接一个上拉电阻。
上拉电阻的大小一般参照后级电路所需要驱动电流的5~10倍来选取,可大不可小,一般现在用10K或者4K7的比较多,但如果对功耗要求比较严格,这个电阻就需要去计算,阻值太大那么容易受干扰,太小功耗不能满足,这需要去权衡.经过试验证明:以前在开发板上(比如天祥的板子)就是利用74HC573来驱动数码管的,该板是这样的,通过位选来导通哪个数码管并通过段选来使被选中的那个数码管显示什么数字。
这里面具体接法是:数码管是共阴极的,它的公共端(如数码管的3、8脚)接到位选的74HC573的输出端Q0,Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,其中的一个如Q0(当然这里说的是一个数码管的接法,多个就接Q1,Q2,Q3,Q4一直可以接到Q7,共可以接8个数码管)对应573的管脚号是19,18,17,16,15,14,13,12。
数码管的a,b,c,d,e,f,g,h段分别接到另外一个74HC573的输出Q0,Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,对应573的管脚号是19,18,17,16,15,14,13,12。
M74HC573M1R中文资料
1/12July 2001sHIGH SPEED:t PD = 13ns (TYP .) at V CC = 6V sLOW POWER DISSIPATION:I CC = 4µA(MAX.) at T A =25°C sHIGH NOISE IMMUNITY:V NIH = V NIL = 28 % V CC (MIN.)sSYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:|I OH | = I OL = 6mA (MIN)sBALANCED PROPAGATION DELAYS:t PLH ≅ t PHLsWIDE OPERATING VOLTAGE RANGE:V CC (OPR) = 2V to 6VsPIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH 74 SERIES 573DESCRIPTIONThe M74HC573 is an high speed CMOS OCTAL LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS fabricated with silicon gate C 2MOS technology.This 8-BIT D-Type latches is controlled by a latch enable input (LE) and output enable input (OE).While the LE input is held at a high level, the Q outputs will follow the data input precisely. When LE is taken low, the Q outputs will be latched precisely at the logic level of D input data.While the OE input is at low level, the eight outputs will be in a normal logic state (high or low logic level) and while is at high level the outputs will be in a high impedance state.The 3-State output configuration and the wide choice of outline make bus organized system simple.All inputs are equipped with protection circuits against static discharge and transient excess voltage.M74HC573OCTAL D-TYPE LATCHWITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTINGPIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLSORDER CODESPACKAGE TUBE T & RDIP M74HC573B1R SOP M74HC573M1RM74HC573RM13TR TSSOPM74HC573TTRM74HC5732/12INPUT AND OUTPUT EQUIVALENT CIRCUITPIN DESCRIPTIONTRUTH TABLEX: Don’t CareZ: High Impedance(*): Q Outputs are latched at the time when the LE input is taken low logic level.LOGIC DIAGRAMPIN No SYMBOL NAME AND FUNCTION 1OE 3 State Output Enable Input (Active LOW)2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9D0 to D7Data Inputs12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19Q0 to Q73 State Latch Outputs11LE Latch Enable Input 10GND Ground (0V)20V CCPositive Supply VoltageINPUTSOUTPUTSOE LE D QH X X ZL L X NO CHANGE (*)L H L L LHHHM74HC5733/12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSAbsolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Functional operation under these conditions is not implied(*) 500mW at 65 °C; derate to 300mW by 10mW/°C from 65°C to 85°CRECOMMENDED OPERATING CONDITIONSSymbol ParameterValue Unit V CC Supply Voltage -0.5 to +7V V I DC Input Voltage -0.5 to V CC + 0.5V V O DC Output Voltage -0.5 to V CC + 0.5V I IK DC Input Diode Current ± 20mA I OK DC Output Diode Current ± 20mA I O DC Output Current ± 35mA I CC or I GND DC V CC or Ground Current± 70mA P D Power Dissipation 500(*)mW T stg Storage Temperature -65 to +150°C T LLead Temperature (10 sec)300°CSymbol ParameterValue Unit V CC Supply Voltage 2 to 6V V I Input Voltage 0 to V CC V V O Output Voltage 0 to V CC V T op Operating Temperature -55 to 125°C t r , t fInput Rise and Fall TimeV CC = 2.0V 0 to 1000ns V CC = 4.5V 0 to 500ns V CC = 6.0V0 to 400nsM74HC5734/12DC SPECIFICATIONSSymbolParameterTest ConditionValue UnitV CC (V)T A = 25°C -40 to 85°C -55 to 125°C Min.Typ.Max.Min.Max.Min.Max.V IHHigh Level Input Voltage2.0 1.5 1.5 1.5V 4.53.15 3.15 3.156.04.24.24.2V ILLow Level Input Voltage2.00.50.50.5V4.5 1.35 1.35 1.356.0 1.81.81.8V OHHigh Level Output Voltage2.0I O =-20 µA 1.9 2.0 1.9 1.9V4.5I O =-20 µA 4.4 4.5 4.4 4.46.0I O =-20 µA5.96.0 5.9 5.94.5I O =-6.0 mA 4.18 4.31 4.13 4.106.0I O =-7.8 mA 5.685.8 5.635.60V OLLow Level Output Voltage2.0I O =20 µA 0.00.10.10.1V 4.5I O =20 µA 0.00.10.10.16.0I O =20 µA 0.00.10.10.14.5I O =6.0 mA 0.170.260.330.406.0I O =7.8 mA 0.180.260.330.40I I Input Leakage Current6.0V I = V CC or GND ± 0.1± 1± 1µA I OZHigh Impedance Output Leakage Current6.0V I = V IH or V IL V O = V CC or GND ± 0.5± 5± 10µA I CCQuiescent Supply Current6.0V I = V CC or GND44080µAM74HC5735/12AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C L = 50 pF, Input t r = t f = 6ns)SymbolParameterTest ConditionValue UnitV CC (V)C L (pF)T A = 25°C -40 to 85°C -55 to 125°C Min.Typ.Max.Min.Max.Min.Max.t TLH t THL Output TransitionTime 2.05025607590ns 4.571215186.06101315t PLH t PHL Propagation DelayTime(LE - Q)2.05050115145175ns4.5152329356.0132025302.015060155195235ns4.5203139476.017263340t PLH t PHL Propagation DelayTime(D - Q)2.05042110140165ns4.5142228336.0121924282.015057150190225ns4.5193038456.016263238t PZL t PZH High ImpedanceOutput Enable Time2.050R L = 1 K Ω55140175210ns4.5172835426.0142430362.0150R L = 1 K Ω66180225270ns4.5223645546.019313846t PLZ t PHZ High ImpedanceOutput Disable Time 2.050R L = 1 K Ω40125155190ns4.5172531386.015212632t W(L) t W(H)Minimum Pulse Width2.050407595110ns4.581519226.07131619t sMinimum Set-up Time2.05016506575ns4.551013156.0391113t hMinimum Hold Time2.050555ns4.55556.0555M74HC5736/12CAPACITIVE CHARACTERISTICS1) C PD is defined as the value of the IC’s internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load. (Refer to Test Circuit). Average operating current can be obtained by the following equation. I CC(opr) = C PD x V CC x f IN + I CC /8 (per Flip Flop) and the C PD when n pcs of Flip Flop operate, can be gained by the following equation: C PD(TOTAL) = 33 + 18 x n (pF)TEST CIRCUITC L = 50pF/150pF or equivalent (includes jig and probe capacitance)R 1 = 1K Ω or equivalentR T = Z OUT of pulse generator (typically 50Ω)SymbolParameterTest ConditionValue UnitV CC (V)T A = 25°C -40 to 85°C -55 to 125°C Min.Typ.Max.Min.Max.Min.Max.C IN Input Capacitance 5101010pF C OUT OutputCapacitance10pF C PDPower Dissipation Capacitance (note 1)51pF TESTSWITCH t PLH , t PHL Open t PZL , t PLZ V CC t PZH , t PHZGNDM74HC5737/12WAVEFORM 1: LE TO Qn PROPAGATION DELAYS, LE MINIMUM PULSE WIDTH, Dn TO LE SETUP AND HOLD TIMES (f=1MHz; 50% duty cycle)WAVEFORM 2: OUTPUT ENABLE AND DISABLE TIMES(f=1MHz; 50% duty cycle)M74HC5738/12WAVEFORM 3: PROPAGATION DELAY TIMES(f=1MHz; 50% duty cycle)M74HC573Information furnished is believed to be accurate and reliable. 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74hc573可以驱动几位共阴数码管?74hc573驱动数码管应用解析
74hc573可以驱动几位共阴数码管?74hc573驱动数码管应用解析74hc573能够驱动几位共阴数码管取决于你使用几片74hc573,如果用两片,一片锁存段码,一片锁存位码,就可以驱动8位数码管。
在讲解74hc573驱动数码管问题之前我们要清楚,什么是74hc573及什么是数码管?数码管数码管是一种半导体发光器件,其基本单元是发光二极管,文章用到的是2位连体共阴数码管。
这种数码管有8根段码引脚和2根位码引脚,段码决定了显示的是什么字符,位码决定了哪位数码管被点亮。
对于共阴数码管来讲,位码引脚为低电平时,相应的数码管被点亮。
74hc573锁存器74HC573是拥有八路输出的透明锁存器,输出为三态门,是一种高性能硅栅CMOS器件。
具有8个数据输入端、8个数据输出端和3个控制端。
1脚(OE)为输出使能端,11脚(LE)为锁存使能端。
锁存器的工作原理:当OE为高时,输出为高阻态,即锁存器不能正常工作。
当OE为低且LE为高时,输出Q将随输入D而变,此时锁存器工作在直通模式下。
当OE为低且LE为低时,输出Q将不随输入D而变,此时锁存器工作在锁存模式下,输出Q保持上一时刻数值不变。
74hc573可以驱动几位共阴数码管?理论上说只要你74hc573使用得够多,就能驱动更多的数码管,下面来分享74hc573驱动数码管的应用电路及程序分享74hc573驱动2位数码管在程序开头部分先定义1个数组,数组元素为数码管的段码:uchar+code+table[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66%,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}关键代码及注释如下。
数据拆分和显示函数该函数在具体实现时,不停地先送显个位数,然后送显十位数,即采用了数码管动态扫描法。
扫描间隔不宜太长,文章为1毫秒,用delay(1)实现这个间隔,若扫描间隔太长,会导致扫描刷新不及时,出现个位和十位交替闪烁的现象。
定时计数器的初始化及其中断函数结论本电路采用单片机作为主控制器,设计了0-99循环计数并显示的电路,采用了锁存器实现2位数码管动态扫描显示。
74hc573使用实例分析
OE:output_enable,输出使能;LE:latch_enable,数据锁存使能,latch是锁
存的意思;
Dn:第n路数据输入端;(D的意思是Datainput)
Qn:第n路数据输出端;
当OE=1是,无论Dn、LE为何,输出端为高阻态;
当OE=0、LE=1时,输出端数据等于输入端数据,芯片可以当作不存
能端OE都接地,数据锁存使能端LE分别接P2和P2,锁存器的输出数
据端Qn都接LED条形显示器,本例通过对P3口赋不同的值来使U4的上四
个LED灯点亮,U5的下四个LED灯点亮。
事实上关于74hc573的应用电路还有很多,本文只是选取一个比较简单的
应用电路,关于其他的在这里就不再赘述了。
在,相当于导线;
当OE=0、LE=0时,输出端保持不变,处于数据锁存状态;
在实际应用的时候是这样做的:a.令OE=0;LE=1
b.将数据从单片机的口线上输出到Dn;c.令OE=0;LE=0;
d.这时,你所需要输出的数据就锁存在Qn上了,输入的数据再变化也影响
不到输出的数据了
74HC573简单应用
如下图所示,在P3口同时接了两个74HC573锁存器,两个芯片的输出使
74hcห้องสมุดไป่ตู้73使用实例分析
本文主要介绍的是基于51单片机下的74hc573应用案例,希望能对你有
所帮助。在介绍74hc573应用案例之前我们首先要知道74hc573是什幺,意
即锁存器是什幺?
74hc573
数据锁存的意思是指:当输入的数据消失时,在芯片的输出端,数据仍然保
持。
如下图所示,芯片各引脚功能如下:右图隐藏了VCC(接+5V电源)和
hc573完整中文资料
74hc573中文资料参数-74hc573引脚图-功能原理-74hC573的作用-应用电路-74hC563-54hC57高性能硅门 CMOS器件SL74HC573跟 LS/AL573的管脚一样。
器件的输入是和标准CMOS输出兼容的;加上拉电阻,他们能和 LS/ALSTTL输出兼容。
当锁存使能端为高时,这些器件的锁存对于数据是透明的(也就是说输出同步)。
当锁存使能变低时,符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
×输出能直接接到CMOS,NMOS和 TTL接口上×操作电压范围:~×低输入电流:×CMOS器件的高噪声抵抗特性·三态总线驱动输出·置数全并行存取·缓冲控制输入·使能输入有改善抗扰度的滞后作用原理说明:M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器,当使能(G)为高时,Q 输出将随数据(D)输入而变。
当使能为低时,输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作,即老数据可以保持,甚至当输出被关闭时,新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载,可以直接与系统总线接口并驱动总线,而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器,I/O 通道,双向总线驱动器和工作寄存器。
HC563引脚功能表:HC573引脚功能表:12,13,14,15,16,17,18,19Q0 to Q7 3 State Latch Outputs 3态锁存输出11LE Latch Enable Input 锁存使能输入10GND Ground接地(0V)20VCC Positive Supply Voltage电源电压图1 HC573引脚图图2 HC573 国际电工委员会逻辑符号图3 HC563引脚图图4 HC563 国际电工委员会逻辑符号图5 HC563 逻辑图图6HC573 逻辑图图7 输入输出等效电路真值表:INPUTS 输入Outputs输出OE LE D Q (HC573) Q (HC563)H X X Z ZL L X NO CHANGE *NO CHANGE * L H L L HL H H H LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值:TopOperating Temperature: M54HC Series M74HC Series操作温度: M54HC 系列M74HC系列-55 to +125 -40 to +85℃tr,tf Input Rise and Fall Time输入上升和下降时间VCC = 2V0 to 1000ns VCC =0 to 500VCC = 6V0 to 400VOHHigh Level Output Voltage输出高电平电压VI = VIH or VILIO=-20 μ 4.54.44 Level Output Voltage输出低电平电压VI = VIH or VILIO=20μ Leakage Current输入漏电流 =VCC or GND--±±1±1μAIOZState Output Off State Current关断状态3态输出电流 =VIH or VIL VO =VCC or GND--±±±10μAICCQuiescent Supply Current静态电源电流 =VCC or GND--4-40-80μA应用电路图:点击图片查看大图图8。
74hc573原理
74hc573原理74HC573是一种常用的集成电路芯片,属于高速CMOS逻辑系列。
它是一种8位透明锁存器,可以实现数据的存储和传输功能。
本文将介绍74HC573的原理和应用。
我们来了解一下74HC573的基本结构。
它由8个锁存器单元组成,每个单元都具有一个数据输入端(D)、一个时钟输入端(CK)和一个数据输出端(Q)。
这些单元可以独立地将数据存储在内部存储器中,并在时钟脉冲到达时将数据传输到输出端。
除此之外,74HC573还具有一个输出使能端( OE ),通过控制该端口的高低电平,可以使输出端的数据有效或者无效。
接下来,我们来看一下74HC573的工作原理。
当时钟输入端接收到一个信号时,数据输入端的数据会被存储在内部存储器中。
存储的数据可以通过数据输出端输出。
当输出使能端为高电平时,数据输出端的数据有效;当输出使能端为低电平时,数据输出端的数据无效。
通过控制输出使能端的状态,我们可以实现数据的读取和屏蔽操作。
那么,74HC573的应用有哪些呢?它广泛应用于数字电路中,特别是在数据存储和传输方面。
例如,在微处理器系统中,我们可以使用74HC573将数据从外部设备传输到微处理器中,或者将数据从微处理器传输到外部设备中。
它还可以用于存储数据,以便在需要时进行读取。
除了数据存储和传输外,74HC573还可以用于地址译码。
通过将地址线连接到74HC573的数据输入端,我们可以根据地址信号的不同将数据传输到不同的输出端。
这在存储器和外设的选择和控制中起着重要作用。
74HC573还可以用于时序控制。
通过控制时钟输入端和输出使能端的状态,我们可以实现对数据传输的控制。
例如,可以根据特定的时序要求将数据传输到其他模块,并在需要时将其输出。
总结一下,74HC573是一种功能强大的集成电路芯片,可以实现数据的存储和传输功能。
它广泛应用于数字电路中,特别是在数据存储、传输、地址译码和时序控制等方面。
通过灵活的控制和应用,我们可以实现不同的功能需求。
74hc573完整中文资料培训讲学
74h c573完整中文资料74hc573中文资料参数-74hc573引脚图-功能原理-74hC573的作用-应用电路-74hC563-54hC57高性能硅门 CMOS器件SL74HC573跟 LS/AL573的管脚一样。
器件的输入是和标准CMOS输出兼容的;加上拉电阻,他们能和 LS/ALSTTL输出兼容。
当锁存使能端为高时,这些器件的锁存对于数据是透明的(也就是说输出同步)。
当锁存使能变低时,符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
×输出能直接接到CMOS,NMOS和 TTL接口上×操作电压范围:2.0V~6.0V×低输入电流:1.0uA×CMOS器件的高噪声抵抗特性·三态总线驱动输出·置数全并行存取·缓冲控制输入·使能输入有改善抗扰度的滞后作用原理说明:M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器,当使能(G)为高时,Q 输出将随数据(D)输入而变。
当使能为低时,输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作,即老数据可以保持,甚至当输出被关闭时,新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载,可以直接与系统总线接口并驱动总线,而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器,I/O 通道,双向总线驱动器和工作寄存器。
HC563引脚功能表:HC573引脚功能表:1OE 3 State output Enable Input (Active LOW)3态输出使能输入(低电平)2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9D0 to D7Data Inputs数据输入12,13,14,15,16,17,18,19Q0 to Q7 3 State Latch Outputs 3态锁存输出11LE Latch Enable Input 锁存使能输入10GND Ground接地(0V)20VCC Positive Supply Voltage电源电压图1 HC573引脚图图2 HC573 国际电工委员会逻辑符号图3 HC563引脚图图4 HC563 国际电工委员会逻辑符号图5 HC563 逻辑图图6 HC573 逻辑图图7 输入输出等效电路真值表:INPUTS 输入Outputs输出OE LE D Q (HC573) Q (HC563) H X X Z ZL L X NO CHANGE *NO CHANGE * L H L L HL H H H L ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值:Symbol 符号Parameter 参数Value 数值Unit 单位VCC Supply Voltage电源电压-0.5 to +7VVI DC Input Voltage 直流输入电压-0.5 to VCC + 0.5VVO DC Output Voltage直流输出电压-0.5 to VCC + 0.5VIIK DC Input Diode Current直流输入二极管电流± 20mA IOK DC Output Diode Current直流输出二极管电流± 20mA IO DC Output Source Sink Current Per Output Pin± 35mA ICC or IGND DC VCC or Ground Current± 70mA PD Power Dissipation功耗500 (*)mW Tstg Storage Temperature贮藏温度-65 to +150℃TL Lead Temperature 焊接温度 (10 sec)300℃RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS建议操作条件:Symbol 符号Parameter 参数Value 数值Unit单位VCC Supply Voltage电源电压 2 to 6V VI Input Voltage输入电压0 to VCC V VO Output Voltage输出电压0 to VCC VTop Operating Temperature: M54HC Series M74HC Series操作温度: M54HC系列M74HC系列-55 to +125 -40 to +85℃tr,tf Input Rise and Fall Time输入上升和下降时间VCC =2V0 to 1000ns VCC=4.5V0 to 500VCC =6V0 to 400VOHHigh Level Output Voltage输出高电平电压2.0 VI = VIH or VILIO=-20 μA1.92.0-1.9 -1.9 -V4.54.44.54.44.4---6.05.96.05.95.9-4.5IO=-6.0 mA4.184.314.134.10-6.0IO=-7.8 mA5.685.85.635.60-VOLLow Level Output Voltage输出低电平电压2.0 VI = VIH or VILIO=20 μA-0.0 0.1 -0.1-0.1V4.5-0.00.1 0.10.16.0-0.00.10.10.14.5IO= 6.0mA-0.170.260.330.406.0IO= 7.8mA-0.180.260.330.40IIInput Leakage Current输入漏电流6.0VI=VCC or GND--±0.1-±1±1μA IOZState Output Off State Current关断状态3态输出电流6.0VI =VIH or VIL VO =VCC or GND--±0.5-±5.0-±10μAICCQuiescent Supply Current静态电源电流6.0VI =VCC or GND--4-40-80μA应用电路图:点击图片查看大图图8。
74HC573中文资料
6.0
VIN=VCC 或者 GND
6.0
高阻抗态下的输出 6.0
VIN=VIH 或者 VIL,
VOUT=VCC 或者 GND
VIN=VCC 或者 GND
6.0
IOUT=0uA
3.15 3.15 3.15 4.2 4.2 4.2 0.5 0.5 0.5 V 1.35 1.35 1.35 1.8 1.8 1.8 1.9 1.9 1.9 V 4.4 4.4 4.4 5.9 5.9 5.9
6.0
VIN=VIH 或者 VIL,
2.0
|IOUT|≤20uA
4.5
6.0Biblioteka VIN=VIH 或者 VIL,
|IOUT|≤6.0mA
4.5
|IOUT|≤7.8mA
6.0
VIN=VIH 或者 VIL,
2.0
|IOUT|≤20uA
4.5
6.0
VIN=VIH 或者 VIL,
|IOUT|≤6.0mA
4.5
|IOUT|≤7.8mA
×输出能直接接到 CMOS,NMOS 和 TTL 接口上 ×操作电压范围:2.0V~6.0V ×低输入电流:1.0uA ×CMOS 器件的高噪声抵抗特性
管腿安排:
功能表:
输入
输出使能
锁存使能
D
L
H
H
L
H
L
L
L
X
H
X
X
X=不用关心
Z=高阻抗
输出 Q H L
不变 Z
http://www.elecfans.com
符号
参数
VCC
条件限制
单
V 25℃~ ≤85 ≤125 位
[2017年整理]74HC573功能说明
74CH573锁存器的功能74HC573和74LS373原理一样,8数据锁存器。
主要用于数码管、按键等等的控制。
74HC573有20个脚,数据的进和出没有逻辑关系,这个芯片主要是看高电压激活还是低电压激活:1是低电压激活芯片2~9脚是数据的输入脚从D0到D710脚是接地11脚是高电压激活芯片12~19脚是数据的输出脚74HC573真值表,意思如下:第一行/第二行:当OE=0、LE=1时,输出端数据等于输入端数据;第三行:当OE=0、LE=0时,输出端保持不变;第四行:当OE=1是无论Dn、LE为何,输出端为高阻态;2. 高阻态就是输出既不是高电平,也不是低电平,而是高阻抗的状态;在这种状态下,可以多个芯片并联输出;但是,这些芯片中只能有一个处于非高阻态状态,否则会将芯片烧毁。
高阻态的概念在RS232和RS422通讯中还可以用到。
3. 数据锁存当输入的数据消失时,在芯片的输出端,数据仍然保持;这个概念在并行数据扩展中经常使用到。
4. 数据缓冲加强驱动能力:74LS244/74LS245/74LS373/74LS573都具备数据缓冲的能力。
◆OE:output_enable,输出使能;◆LE:latch_enable,数据锁存使能,atch是锁存的意思;◆Dn:第n路输入数据;◆On:第n路输出数据;74HC573波形图,在实际应用的时候是这样做的:a.OE=0;b.先将数据从单片机的口线上输出到Dn;c.再将LE从0->1->0 ;d.这时,你所需要输出的数据就锁存在On上了,输入的数据在变化也影响不到输出的数据了;实际上,单片机现在在忙着干别的事情,串行通信、扫描键盘……单片机的资源有限啊。
在单片机按照RAM方式进行并行数据的扩展时,使用movx @dptr, A这条指令时,这些时序是由单片机来实现的。
后面的表格中还有需要时间的参数,你不需要去管它,因为这些参数都是几十ns级别的,对于单片机在12M下的每个指令周期最小是1us的情况下,完全可以实现;如果是你自己来实现这个逻辑,类似的指令如下:MOV P0,A ; //将数据输出到并行数据端口CLR LESETB LECLR LE ; //上面三条指令完成LE的波形从0->1->0的变化74LS573跟74LS373逻辑上完全一样,只不过是管脚定义不一样,数据输入和输出端.测量学试卷 第 4 页(共 7 页)《测量学》模拟试卷1.经纬仪测量水平角时,正倒镜瞄准同一方向所读的水平方向值理论上应相差(A )。
锁存器74HC573简介 - 副本
74HC573简介
74HC573是一款高速CMOS 器件,74HC573引脚兼容低功耗肖特基TTL (LSTTL )系列。
其引脚功能图如下所示:
OE 1D12D23D34D45D56D67D78D89GND 10
LE 11Q8
12
Q713Q614Q515Q416Q317Q218Q119VCC
20
U?SN74HC573N
图3-7 74HC573引脚图
74HC573包含八路D 型透明锁存器,每个锁存器具有独立的D 型输入以及适用于面向总线的应用的三态输出。
所有锁存器共用一个锁存使能(LE )端和一个输出使能(OE )端。
输入
输出 输出使能 (OE)
锁存使能(LE)
D
Q
L H H H L H L L L L X 不变 H
X
X
Z
表3-4 74HC573功能表
注:X=不用关心Z=高阻抗
当LE为高时,数据从Dn输入到锁存器,在此条件下,锁存器进入透明模式,也就是说,锁存器的输出状态将会随着对应的D输入每次的变化而改变。
当LE为低时,锁存器将存储D输入上的信息一段就绪时间,直到LE的下降沿来临。
OE为低时,8个锁存器的内容可被正常输出;当OE为高时,输出进入高阻态。
OE端的操作不会影响锁存器的状态。
74HC573数据手册
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SWK-51A
8位数据锁存器74HC573 6:.$ᇎ傼ᶯу⭘᮷ẓ ᙍᗞ、⭥ᆀᮤ⨶
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(完整word版)74HC573功能说明
74CH573锁存器的功能74HC573和74LS373原理一样,8数据锁存器。
主要用于数码管、按键等等的控制。
74HC573有20个脚,数据的进和出没有逻辑关系,这个芯片主要是看高电压激活还是低电压激活:1是低电压激活芯片2~9脚是数据的输入脚从D0到D710脚是接地11脚是高电压激活芯片12~19脚是数据的输出脚20是电源1。
真值表74HC573真值表,意思如下:➢第一行/第二行:当OE=0、LE=1时,输出端数据等于输入端数据;➢第三行:当OE=0、LE=0时,输出端保持不变;➢第四行:当OE=1是无论Dn、LE为何,输出端为高阻态;2。
高阻态就是输出既不是高电平,也不是低电平,而是高阻抗的状态;在这种状态下,可以多个芯片并联输出;但是,这些芯片中只能有一个处于非高阻态状态,否则会将芯片烧毁。
高阻态的概念在RS232和RS422通讯中还可以用到。
3。
数据锁存当输入的数据消失时,在芯片的输出端,数据仍然保持;这个概念在并行数据扩展中经常使用到。
4。
数据缓冲加强驱动能力:74LS244/74LS245/74LS373/74LS573都具备数据缓冲的能力。
◆OE:output_enable,输出使能;◆LE:latch_enable,数据锁存使能,atch是锁存的意思;◆Dn:第n路输入数据;◆On:第n路输出数据;74HC573波形图,在实际应用的时候是这样做的:a. OE=0;b.先将数据从单片机的口线上输出到Dn;c.再将LE从0->1-〉0 ;d.这时,你所需要输出的数据就锁存在On上了,输入的数据在变化也影响不到输出的数据了;实际上,单片机现在在忙着干别的事情,串行通信、扫描键盘……单片机的资源有限啊.在单片机按照RAM方式进行并行数据的扩展时,使用movx @dptr, A这条指令时,这些时序是由单片机来实现的。
后面的表格中还有需要时间的参数,你不需要去管它,因为这些参数都是几十ns级别的,对于单片机在12M下的每个指令周期最小是1us的情况下,完全可以实现;如果是你自己来实现这个逻辑,类似的指令如下:MOV P0,A ; //将数据输出到并行数据端口CLR LESETB LECLR LE ; //上面三条指令完成LE的波形从0—〉1-〉0的变化74LS573跟74LS373逻辑上完全一样,只不过是管脚定义不一样,数据输入和输出端。
74hc573完整中文资料
74hc573中文资料参数-74hc573引脚图-功能原理-74hC573的作用-应用电路-74hC563-54hC57高性能硅门CMOS器件SL74HC573跟LS/AL573的管脚一样。
器件的输入是和标准CMOS输出兼容的;加上拉电阻,他们能和LS/ALSTTL输出兼容。
当锁存使能端为高时,这些器件的锁存对于数据是透明的(也就是说输出同步)。
当锁存使能变低时,符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
×输出能直接接到CMOS,NMOS和TTL接口上×操作电压范围:2.0V~6.0V×低输入电流:1.0uA×CMOS器件的高噪声抵抗特性·三态总线驱动输出·置数全并行存取·缓冲控制输入·使能输入有改善抗扰度的滞后作用原理说明:M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器,当使能(G)为高时,Q 输出将随数据(D)输入而变。
当使能为低时,输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作,即老数据可以保持,甚至当输出被关闭时,新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载,可以直接与系统总线接口并驱动总线,而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器,I/O 通道,双向总线驱动器和工作寄存器。
HC563引脚功能表:HC573引脚功能表:图1 HC573引脚图图2 HC573 国际电工委员会逻辑符号图3 HC563引脚图图4 HC563 国际电工委员会逻辑符号图5 HC563 逻辑图图6 HC573 逻辑图图7 输入输出等效电路真值表:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值:Top Operating Temperature: M54HC Series M74HC Series 操作温度:M54HC系列M74HC系列-55 to +125 -40 to +85℃tr,tf Input Rise and Fall Time输入上升和下降时间VCC =2V0 to 1000ns VCC=4.5V0 to 500VCC =6V0 to 400VOHHigh Level Output Voltage输出高电平电压2.0 VI = VIH or VILIO=-20 μA1.92.0-1.9 -1.9 -V4.54.44.54.44.4---6.05.96.05.95.9-4.5IO=-6.0mA4.184.314.134.10-6.0IO=-7.8 mA5.685.85.635.60-VOLLow Level Output Voltage输出低电平电压2.0 VI = VIH or VILIO=20μA-0.0 0.1 -0.1-0.1V4.5-0.00.1 0.10.16.0-0.00.10.10.14.5IO=6.0mA-0.170.260.330.406.0IO=7.8mA-0.180.260.330.40IIInput Leakage Current输入漏电流6.0VI =VCC or GND--±0.1-±1±1μA IOZState Output Off State Current关断状态3态输出电流6.0VI =VIH or VIL VO =VCC or GND--±0.5-±5.0-±10μAICCQuiescent Supply Current静态电源电流6.0VI =VCC or GND--4-40-80μA应用电路图:点击图片查看大图图8。
74hc573中文资料参数
74hc573中文资料参数
特点:
·三态总线驱动输出
·置数全并行存取
·缓冲控制输入
·使能输入有改善抗扰度的滞后作用
原理说明:
M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器,当使能(G)为高时,Q 输出
将随数据(D)输入而变。
当使能为低时,输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作,即老数据可以保持,甚至当输出被关闭时,
新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载,可以直接与系统总线接口并驱动总线,而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器,I/O 通道,双向总线驱动器和工作寄存器。
HC563
HC573
图1 HC573引脚图图2 HC573 国际电工委员会逻辑符号
图3 HC563引脚图图4 HC563 国际电工委员会逻辑符号
图5 HC563 逻辑图
图6 HC573 逻辑图
图7 输入输出等效电路
真值表:
应用电路图:点击图片查看大图
图8
图9。
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SYMBOL tPHL/ tPLH
When LE is LOW the latches store the information that was present at the D-inputs a set-up time preceding the HIGH-to-LOW transition of LE. When OE is LOW, the contents of the 8 latches are available at the outputs. When OE is HIGH, the outputs go to the high impedance OFF-state. Operation of the OE input does not affect the state of the latches.
tPHL/ tPLH propagation delay LE to Qn
47 150
190
225 ns 2.0 Fig.6
17 30
38
45
4.5
14 26
33
38
6.0
50 150
190
225 ns 2.0 Fig.7
18 30
38
45
4.5
14 26
33
38
6.0
tPZH/ tPZL 3-state output enable
33
38
6.0
tTHL/ tTLH output transition time
14 60
75
90 ns 2.0 Fig.6
5 12
15
18
4.5
4 10
13
15
6.0
tW
enable pulse width
80 14
HIGH20
24
17
20
ns 2.0 Fig.7 4.5 6.0
The 74HC/HCT573 are high-speed Si-gate CMOS devices and are pin compatible with low power Schottky TTL (LSTTL). They are specified in compliance with JEDEC standard no. 7A.
TYPICAL
HC
HCT
14
17
15
15
3.5
3.5
26
26
UNIT
ns ns pF pF
Notes 1. CPD is used to determine the dynamic power dissipation (PD in µW):
PD = CPD × VCC2 × fi +∑ (CL × VCC2 × fo) where: fi = input frequency in MHz; fo = output frequency in MHz ∑ (CL × VCC2 × fo) = sum of outputs CL = output load capacitance in pF; VCC = supply voltage in V 2. For HC the condition is VI = GND to VCC; for HCT the condition is VI = GND to VCC − 1.5 V
CI CPD
PARAMETER
CONDITIONS
propagation delay Dn to Qn LE to Qn
input capacitance
CL = 15 pF; VCC = 5 V
power dissipation capacitance per latch notes 1 and 2
INTEGRATED CIRCUITS
DATA SHEET
数据表
For a complete data sheet, please also download:
• The IC06 74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Family Specifications • The IC06 74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Information逻辑封装信息 • The IC06 74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Outlines 逻辑包概述
The “573” consists of eight D-type transparent latches with 3-state true outputs. When LE is HIGH, data at
the Dn inputs enter the latches. In this condition the latches are transparent, i.e. a latch output will change state each time its corresponding D-input changes.
74HC/HCT573
Fig.4 Functional diagram.
FUNCTION TABLE
OPERATING MODES
enable and read register (transparent mode)
latch and read register
latch register and disable outputs
ORDERING INFORMATION See “74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Information”.
December 1990
2
Philips Semiconductors
Octal D-type transparent latch; 3-state
Product specification
tsu
set-up time
Dn to LE
th
hold time
Dn to LE
50 11 10 4 93
53 51 51
65
75
13
15
11
13
5
5
5
5
5
5
ns 2.0 Fig.9 4.5 6.0
ns 2.0 Fig.9 4.5 6.0
December 1990
5
Philips Semiconductors 飞利浦半导体
74HC/HCT573 Octal D-type transparent latch; 3-state
Product specification File under Integrated Circuits, IC06
集成电路
December 1990
LE Philips Semiconductors OE非
74HC/HCT573
PIN DESCRIPTION
PIN NO. 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 11 1 10 19, 18, 17, 16, 15, 14, 13, 12 20
SYMBOL
D0 to D7 LE OE GND Q0 to Q7 VCC
NAME AND FUNCTION data inputs latch enable input (active HIGH) 3-state output enable input (active LOW) ground (0 V) 3-state latch outputs positive supply voltage
• Functionally identical to the “563” and “373”
• Output capability: bus driver • ICC category: MSI
QUICK REFERENCE DATA GND = 0 V; Tamb = 25 °C; tr = tf = 6 ns
44 140
175
210 ns 2.0 Fig.8
time OE to Qn
16 28
35
42
4.5
13 24
30
36
6.0
tPHZ/ tPLZ 3-state output disable
55 150
190
225 ns 2.0 Fig.8
time OE to Qn
20 30
38
45
4.5
16 26
INPUTS
OE LE DN LH L LH H
INTERNAL LATCHES
L H
OUTPUTS
Q0 to Q7 L H
LL l
L
L
LL h
H
H
HL l
L
Z
HL h
H
Z
Notes
1. H = HIGH voltage level h = HIGH voltage level one set-up time prior to the HIGH-to-LOW LE transition L = LOW voltage level l = LOW voltage level one set-up time prior to the HIGH-to-LOW LE transition Z = high impedance OFF-state
Octal D-type transparent latch; 3-state