常用MOS管型号参数
常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPNDISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNP DISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNPDISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNPDISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNPDISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPDISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNPDISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P如有出入请明示,争取完善、正确!功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型 *PNP(达林顿）功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料常用的全系列场效应管MOS管型号参数封装资料有很多，以下是一些常见的型号和参数封装资料：1.IRF3205IRF3205是一种常见的N沟道MOSFET管，栅极电压为20V，漏极电流为110A，最大功耗为200W，电阻为8mΩ。
2.IRF4905IRF4905是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为55V，漏极电流为74A，最大功耗为200W，电阻为0.02Ω。
3.IRF540NIRF540N是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为33A，最大功耗为150W，电阻为0.077Ω。
4.IRF520IRF520是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为9.2A，最大功耗为75W，电阻为0.27Ω。
5.IRLB3034PBFIRLB3034PBF是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为40V，漏极电流为195A，最大功耗为200W，电阻为1.4mΩ。
6.IRL540IRL540是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为28A，最大功耗为150W，电阻为0.05Ω。
这些型号的MOSFET管通常都具有三个主要的参数，即栅极电压（Vgs），漏极电流（Id），以及最大功耗（Pd）或电阻（Rds(on)）。
栅极电压指的是在正常操作时栅极和源极之间的电压，超过这个电压可能会损坏器件。
漏极电流指的是从漏极流出的最大电流，超过这个电流可能会损坏器件。
最大功耗或电阻指的是在正常操作时器件能够承受的最大功耗或电阻。
此外，还有一些其他的参数可以帮助选择合适的MOSFET管，例如电流增益（hfe）和恢复时间（tr、tf）。
电流增益是指当栅极电压变化时，漏极电流的变化率。
恢复时间指的是从开关状态到非开关状态的时间。
这些型号的封装通常包括TO-220、TO-262、D2PAK、TO-247等。
每种封装都有其自身的特点和适用范围，需要根据具体的应用来选择合适的封装。
mos管参数解读
mos管参数解读MOS管（MOSFET）是一种基础电子元器件，广泛应用于电子线路中。
在使用MOS管时，需要了解它的一些参数，以便正确选择和使用。
第一步：了解MOS管的型号。
MOS管根据其工作方式和内部结构的不同，可以分为N沟道型和P沟道型两种。
常见的MOS管型号有IRF150N、IRFZ44N、IRF540N等。
其中IRF表示国际整流器厂商（International Rectifier），150N是该型号的电流和电压额定值。
第二步：了解MOS管的参数。
1. 额定电流（Continuous Drain Current）：表示MOSFET稳态下最大允许通过电流的值，一般以DC电流为准，单位是安培（A）。
2. 额定电压（Drain-Source Voltage）：表示MOSFET稳态下最大允许的电压值，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。
3. Threshold Voltage：表示MOSFET导通的起始电压，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。
4. 动态电阻（On-Resistance）：表示MOSFET通电时的电路电阻值，单位是欧姆（Ω），这个值越小表示MOSFET的导通能力越好。
5. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：表示MOSFET可以承受的最大功率，一般以热阻为参考单位（单位是摄氏度/W）。
6. 端子电容（Input Capacitance）：表示MOSFET内部的电容值，一般以PF为单位，这个参数越小表示MOSFET对高频信号的响应能力越好。
第三步：正确选择MOS管。
根据实际需求来选择适合的MOS管，一般需要考虑电压、电流、功率等参数的匹配，以及MOS管的配置、散热等因素。
总结以上就是关于MOS管参数的解读，通过对MOS管的型号和参数有了更深的了解后，我们可以更加准确地选择和使用MOS管，提高电路的稳定性和可靠性。
常用三极管(MOS)型号及参数
400V 100V 80V 100V 60V 800V 600V 600V 600V 200V 20பைடு நூலகம்V 200V 反压Vbe0 反压 60V 60V 100V 500V 500V 400V 400V 400V
4A 1A 1.1A 1.3A 0.8A 2.8A 6.2A 3.6A 2.5A 6.5A 6.5A 1A 电流Icm 电流 19A 12A 12A 8A 4.5A 10A 5.5A 3.3A
常用三极管型号及参数(1)
晶体管型号 IRFU020 IRFPG42 IRFPF40 IRFP9240 IRFP9140 IRFP460 IRFP450 IRFP440 IRFP353 IRFP350 IRFP340 IRFP250 IRFP240 IRFP150 IRFP150 晶体管型号 IRFP140 IRFP054 IRFI744 反压Vbe0 反压 50V 1000V 900V 200V 100V 500V 500V 500V 350V 400V 400V 200V 200V 100V 100V 反压Vbe0 反压 100V 60V 400V 电流Icm 电流 15A 4A 4.7A 12A 19A 20A 14A 8A 14A 16A 10A 33A 19A 40A 40A 电流Icm 电流 30A 65A 4A 功率Pcm 功率 42W 150W 150W 150W 150W 250W 180W 150W 180W 180W 150W 180W 150W 180W 180W 功率Pcm 功率 150W 180W 32W 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * 管子类型 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 PMOS场效应 PMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 管子类型 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 晶体管型号 2SA1162 2SA1123 2SA1020 2SA1009 2N6678 2N5685 2N6277 2N5551 2N5401 2N3773 2N3440 2N3055 2N2907 2N2369 2N2222 晶体管型号 9018 9015 9014 反压Vbe0 反压 50V 150V 50V 350V 650V 60V 180V 160V 160V 160V 450V 100V 60V 40V 60V 反压Vbe0 反压 30V 50V 50V
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。
常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。
-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。
常用的封装有TO-247、TO-3P等。
-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。
常用的封装有TO-220、D2-Pak等。
-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。
小参数常用MOS管选型
小参数常用MOS管选型1.N沟道MOS管选型：N沟道MOS管在电子设备中广泛应用。
常见的N沟道MOS管有IRF1010、IRF520、IRF540等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功率电子设备。
2.P沟道MOS管选型：P沟道MOS管通常应用于负载开关和功率放大器等电路中。
常见的P沟道MOS管有IRLR3103、IRLR7843等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功耗设备。
3.逻辑开关MOS管选型：逻辑开关MOS管通常应用于数字逻辑电路中，用于开关控制。
常见的逻辑开关MOS管有IRLZ44N、IRF630等，其工作电压范围一般在50V至100V之间，适用于低功耗数字电路。
4.功率MOS管选型：功率MOS管通常应用于功率放大器和开关电路中，需要承受较大的电流和功率。
常见的功率MOS管有IRF3205、IRF2807等，其工作电压范围一般在100V至250V之间，适用于高功率设备。
5.MOS场效应管选型：除了常见的N沟道和P沟道MOS管外，还有一种特殊的MOS场效应管，如深亚微米CMOS器件。
这些器件具有更低的功耗、更快的开关速度和更高的集成度，适用于高性能和低功耗应用。
选择合适的MOS管型号还需要考虑其他因素，如漏极电流、导通电阻、击穿电压和导通损耗等。
在实际选型过程中，可以通过参考厂家提供的数据手册和相关应用笔记，进行详细的参数对比和分析。
总之，小参数常用MOS管的选型需要综合考虑工作电压、电流和功耗等参数，同时还要考虑具体的电路设计需求。
对于不同类型的电子设备和电路，选择合适的MOS管型号可以提高工作效率和性能。
常用全系列场效应管
常用全系列场效应管M OS管型号参数封装资料场效应管分类型号简介封装DIS CRETEMOSFET 2N7000 60V,0.115A TO-92DIS CRETEMOSFET 2N7002 60V,0.2A SOT-23DI SCRET EMOS FETI RF510A 100V,5.6A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A 100V,14A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF540A 100V,28A T O-220DIS CRETEMOSFET IR F610A200V,3.3A TO-220DI SCRET EMOS FETI RF620A 200V,5A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF630A 200V,9A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF634A 250V,8.1A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF640A 200V,18A T O-220DIS CRETEMOSFET IR F644A250V,14A TO-220DI SCRET EMOS FETI RF650A 200V,28A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A 400V,3.3A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF730A 400V,5.5A T O-220 DIS CRETEMOSFET IR F740A400V,10A TO-220 DI SCRET EMOS FETI RF750A 400V,15A TO-220 D ISCRE TEMO S FETIRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCR ETEM OS FE T IRF830A 500V,4.5A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF840A 500V,8AT O-220 DIS CRETEMOSFET IR F9520TO-220DI SCRET EMOS FETI RF9540 TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF9610 TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9620 TO-220DISC RETEMOS F ET IRF P150A 100V,43A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF P250A 200V,32A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF P450A 500V,14A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF R024A 60V,15AD-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R120A 100V,8.4A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R214A 250V,2.2A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R220A 200V,4.6A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R224A 250V,3.8A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R310A 400V,1.7A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R9020TF D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF S540A 100V,17A T O-220F DI SCRET EMOS FETI RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCR ETEM OS FE T IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DIS CRETEMOSFET IR FS640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRFS644A 250V,7.9A TO-220FDISC RETEMOS F ET IRF S730A 400V,3.9A T O-220F DI SCRET EMOS FETI RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCR ETEM OS FE T IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DIS CRETEMOSFET IR FS840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRFS9Z34 -60V,12A TO-220FDISC RETEMOS F ET IRF SZ24A 60V,14AT O-220FDI SCRET EMOS FETI RFSZ34A 60V,20A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRFU110A 100V,4.7A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU120A 100V,8.4A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU220A 200V,4.6A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU410A 500V I-PAKDISC RETEMOS F ET IRF U420A 500V,2.3A I-PAKDIS CRETEMOSFET IR FZ20A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRFZ24A 60V,17A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF Z30 TO-220DI SCRET EMOS FETI RFZ34A 60V,30A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRFZ40 T O-220DIS CRETEMOSFET IR FZ44A60V,50A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRLS530A 100V,10.7A,Log ic T O-220F DI SCRET EMOS FETI RLSZ14A 60V,8A,Log ic TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRLZ24A 60V,17A,L ogic TO-220 D ISCRE TEMO S FETIRLZ44A 60V,50A,L ogic TO-220 D ISCRE TEMO S FETSFP36N03 30V,36A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP65N06 60V,65A TO-220DISC RETEMOS F ET SFP9540 -100V,17A T O-220DIS CRETEMOSFET SF P9634-250V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETS FP9644 -250V,8.6A TO-220D ISCRE TEMO S FETSFP9Z34 -60V,18A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFR9214 -250V,1.53A D-PAKDISC RETEMOS F ET SFR9224 -250V,2.5A D-PAKDIS CRETEMOSFET SF R9310 -400V,1.5A D-PA KDI SCRET EMOS FETS FS9630 -200V,4.4A TO-220FDISC RETEMOS F ET SFS9634 -250V,3.4A TO-220FD ISCRE TEMO S FETSFU9220 -200V,3.1A I-PAKDISCR ETEM OS FE T SSD2002 25V N/P Du al 8SOPDISC RETEMOS F ET SSD2019 20VP-chDual 8SOP DIS CRETEMOSFET SS D2101 30V N-ch Sing le 8SOP DISCR ETEM OS FE T SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH60N10 TO-3PDISCR ETEM OS FE T SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSP10N60A 600V,9A TO-220DISC RETEMOS F ET SSP1N60A 600V,1AT O-220 DIS CRETEMOSFET SS P2N90A 900V,2A TO-220 DI SCRET EMOS FETS SP35N03 30V,35A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCR ETEM OS FE T SSP4N60A 600V,4A TO-220DISC RETEMOS F ET SSP4N60A S 600V,4AT O-220 DIS CRETEMOSFET SS P4N90AS 900V,4.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP5N90A 900V,5A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP6N60A 600V,6A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP70N10A 100V,55A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP7N80A 800V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP80N06A 60V,80A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSR1N60A 600V,0.9A D-P AK D ISCRE TEMO S FETSSR2N60A 600V,1.8A D-P AK D ISCRE TEMO S FETSSR3055A 60V,8A D-P AKD ISCRE TEMO S FETSSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISC RETEMOS F ET SSS2N60A 600V,1.3A T O-220F DI SCRET EMOS FETS SS3N80A 800V,2A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS3N90A 900V,2A TO-220FDISC RETEMOS F ET SSS4N60A 600V,3.5A T O-220(F/P) DIS CRETEMOSFET SS S4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DI SCRET EMOS FETS SS4N60AS 600V,2.3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220FDIS CRETEMOSFET SS S5N80A 800V,3A TO-220FD ISCRE TEMO S FETSSS6N60A 600V, TO-220(F/P)常用贴片三极管查询贴片三极管型号查询直插封装的型号贴片的型号9011 1T9012 2T9013 J39014J69015 M69016 Y69018 J8S8050 J3YS8550 2T Y8050 Y18550Y22S A1015 BA2SC1815 HF2SC945 CRMMBT3904 1AMMM BT3906 2AMMBT2222 1PMMB T5401 2LM MBT5551 G1MMBT A42 1DMMB TA922DBC807-16 5ABC807-25 5BBC807-40 5CB C817-16 6ABC817-256BBC817-40 6CBC846A 1ABC846B 1BBC847A 1EBC847B 1FBC847C 1GBC848A 1JBC848B 1KBC848C 1LBC856A 3ABC856B 3BBC857A 3EBC857B 3FBC858A 3JBC858B 3KBC858C 3L2SA733 CSUN2111 V1UN2112 V2UN2113 V3UN2211 V4UN2212 V5UN2213 V62SC3356 R232SC3838AD2N7002702回答人的补充2010-02-0117:31 Stem pel TypHerst.Ba seG eh?us eSt andar d Ver gleic hstypJ0HSM S-2840HPCSOT23sch ottky diod eJ01S O2906RN2N2906J03S O2907ARR2N2907AJ05SO2907RR2N2907J1HSMS-2841HPKSO T23schot tky d iodeJ1ZC830Ze tCZC820 v arica ps J1B SS138LMo tMSOT23n-ch en h TMO S fet J12SO2906A RR2N2906AJ1AZC830AZe tCSOT23va ricap hype rabru pt 28V 10p F@2VJ1BZC830BZetCSO T23varic ap hy perab rupt28V 10pF@2V J2ZC833ZetCSO T23ZC823J2AZC833AZetCS OT23vari cap h ypera brupt 28V33pF@2V J2BZC833BZe tCSOT23va ricap hype rabru pt 28V 33p F@2VJ3ZC831Ze tCSOT23ZC821J32SO5400RSGSR2N5400J33S O5401RSG SR2N5401J39SO692RSGSp np Vc e 300VJ3AZ C831AZetCSOT23var icaphyper abrup t 28V 15pF@2V J3BZC831BZ etCSOT23v arica p hyp erabr upt 28V 15pF@2V J3DMS B81T1Motvhfpnp f T 0.6GHzJ4ZC832ZetCSOT23ZC823J4AMBV109Mo tCSOT2329pF VH F var icapdiodeJ4AZC832AZetCS OT23vari cap h ypera brupt 28V22pF@2V J4BZC832BZe tCSOT23va ricap hype rabru pt 28V 22p F@2VJ5ZC834Ze tCSOT23ZC824。
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCR ETEM OS FE T 2N7000 60V,0.115ATO-92 DISC RETEMOS F ET 2N700260V,0.2A S OT-23 DISC RETEMOS F ET IR F510A 100V,5.6A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A100V,14A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F540A 100V,28ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF610A 200V,3.3A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF620A 200V,5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF630A 200V,9A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF634A 250V,8.1A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F640A 200V,18ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF644A 250V,14A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF650A 200V,28A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A400V,3.3ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF730A 400V,5.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF750A400V,15A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F820A 500V,2.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF830A 500V,4.5A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF840A500V,8A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9520-100V,-6ATO-220 DIS CRETEDISCR ETEM OS FE T IRF9610-200V,-1.8A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRFP150A 100V,43A TO-3PD ISCRE TEMO S FET IRFP250A200V,32A T O-3PDISCR ETEM OS FE T IRF P450A 500V,14ATO-3P DISC RETEMOS F ET IR FR024A 60V,15AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR120A 100V,8.4A D-P AK DI SCRET EMOS FETIRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF R220A 200V,4.6A D-PA K DIS CRETEMOSFET I RFR224A 250V,3.8A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFR310A400V,1.7AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR9020 -50V,-9.9A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFS540A100V,17A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS634A 250V,5.8A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS644A250V,7.9ATO-220F DI SCRET EMOS FETIRFS730A 400V,3.9A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS830A 500V,3.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS9Z34-60V,-12ATO-220F DI SCRET EDISCR ETEM OS FE T IRF SZ34A 60V,20A T O-220FDIS CRETEMOSFET I RFU110A 100V,4.7A I-PAKD ISCRE TEMO S FET IRFU120A100V,8.4AI-PAKDISC RETEMOS F ET IR FU220A 200V,4.6A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF U410A 500V ,1.2A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF Z20A50V,15A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z24A60V,17A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z30 50V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ34A 60V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ40 50V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRFZ44A 60V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRLS Z14A60V,8A,Log ic TO-220F DISC RETEMOS F ET IR LZ24A 60V,17A,L ogicTO-220DIS CRETEMOSFET I RLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DI SCRET EMOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220D ISCRE TEMO S FET SFP65N0660V,65A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9540-100V,-17A TO-220DI SCRET EMOS FETSFP9634 -250V,-5A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9644-250V,-8.6A TO-220D ISCRE TEDISC RETEMOS F ET SF R9214 -250V,-1.53A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SFR9224-250V,-2.5A D-P AK DI SCRET EMOS FETSFR9310 -400V,-1.5AD-PAK DISC RETEMOS F ET SF S9630 -200V,-4.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF S9634 -250V,-3.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF U9220 -200V,-3.1A I-PAKD ISCRE TEMO S FET SSD2002 25V N/P Dua l 8SO P DIS CRETEMOSFET S SD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISC RETEMOS F ET SS D2101 30VN-chSingl e 8SO P DIS CRETEMOSFET S SH10N80A 800V,10A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH10N90A 900V,10ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H5N90A 900V,5ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H60N10 100V,60A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH6N80A 800V,6A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH70N10A 100V,70A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH7N90A900V,7A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSH9N80A800V,9A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSP10N60A 600V,9A T O-220 DISC RETEMOS F ET SS P1N60A 600V,1ATO-220DIS CRETEMOSFET S SP2N90A 900V,2A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP35N03 30V,35A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP3N90A900V,3A TO-220DISCR ETEDISC RETEMOS F ET SS P4N60AS 600V,4A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP4N90AS900V,4.5ATO-220 DIS CRETEMOSFET S SP5N90A 900V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP6N60A600V,6A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP70N10A 100V,55A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP7N80A800V,7A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP80N06A 60V,80ATO-220DIS CRETEMOSFET S SR1N60A 600V,0.9A D-PAKD ISCRE TEMO S FET SSR2N60A600V,1.8AD-PAK DISC RETEMOS F ET SS R3055A 60V,8A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F D ISCRE TEMO S FET SSS3N80A800V,2A TO-220F DISC RETEMOS F ET SS S3N90A 900V,2ATO-220FDI SCRET EMOS FETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS4N90AS900V,2.8ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS6N60600V, 3.2A TO-220(F/P) 。
常用部分场效应管型号用途参数
常用部分场效应管型号用途参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电子场的作用控制电流的半导体元件。
常用的场效应管型号有MOSFET和JFET，它们在电子电路中广泛应用。
下面将介绍几种常用的场效应管型号及其用途和参数。
1.N沟道MOS场效应管（NMOS）NMOS是最早出现的一种场效应管，通过在P型衬底上形成N型沟道来控制电流。
NMOS在低电压和低功率电子电路中广泛应用。
它具有低开关损耗、高通道导电度等特点。
常用的NMOS型号有2N7000、IRF540等。
这些型号的参数一般包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
2.P沟道MOS场效应管（PMOS）PMOS是通过在N型衬底上形成P型沟道来控制电流的。
PMOS比NMOS具有更高的开关损耗和较低的通道导电度。
它主要应用于部分数值逻辑电路和模拟信号放大电路。
常用的PMOS型号有IRF9520、IRF630等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
3.绝缘栅双极MOS场效应管（IGBT）IGBT是一种高压、大功率开关器件，适用于需要控制高电流和高电压的电路。
它结合了MOS场效应管和双极晶体管的优点，具有低漏电流、低导通压降等特点。
常用的IGBT型号有IRFP4668、IRFP460等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
4.JFET场效应管JFET是一种通过调节源漏电流，改变沟道导电性的场效应管。
它具有低噪声、高输入电阻等特点，适用于放大和开关电路。
常用的N型JFET型号有2N3819、J113等，P型JFET型号有J310、BF245等。
这些型号的参数包括最大漏极电流（IDSS）、截止电压（VGS(off)）等。
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540
⼏种常⽤的MOS管参数、应⽤电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF95401. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)，漏极（Drain—D）漏源电压（Vdss）100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）33A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻44mΩ @ 16A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）130W类型N沟道IRF540N（NMOS管）应⽤电路MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。
说⽩了，给箭头⽅向相反的压降就是导通，⽅向相同就是截⽌可以在单⽚机和栅极之间加⼀个1k的电阻，起到限流作⽤；此外，可以栅极和源极之间加⼀个10k的电阻，⼀是为提供；⼆是起到泻放电阻的作⽤：保护栅极G-源极S2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）23A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻117mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）140W类型P沟道IRF9540N（PMOS管）应⽤电路3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。
漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）19A(Tc)栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻200mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）150W(Tc)类型P沟道。
常用MOS管型号大全
NMOS
60V0.3A0.63W12/12nS5.0
BUZ11A
NMOS
GDS
开关
50V25A75W60/110nS0.055
BUZ20
NMOS
GDS
功放开关
100V12A75W75/80nS
IRF130(铁)
NMOS
GD S
功放开关
100V14A79W75/45nS0.16
IRF230(铁)
2SK1937
NMOS
GDS
开关UPS用
500V15A125W100/230nS0.48
2SK2039
NMOS
GDS
电源开关
900V5A150W 70/210nS2.5
2SK2082
NMOS
GDS
开关UPS用
900V9A150W 85/210nS1.40
2SK2101
NMOS
GDS
电源开关
800V6A50W 50/130nS2.1
电源开关
900V5A150W2.5可驱电机
2SK832
NMOS
GDS
高速开关
900V4A85W55/100nS4.0
2SK899
NMOS
GDS
功放开关
500V18A125W130/440nS0.33
2SK962
NMOS
GDS
电源开关
900V8A150W280/460nS2.0
2SK940
NMOS
SDG
60V10A50W45/65NS0.15
2SK447
NMOS
SDG
高速低噪开关
250V15A150W0.24可驱电机
常用小功率mos管型号
常用小功率mos管型号常用小功率MOS管型号有多种，如2N7000、IRLML6402、BS170等。
本文将对这些常用小功率MOS管型号进行介绍和比较，以便读者了解其特点和适用领域。
我们来介绍2N7000型号的小功率MOS管。
2N7000是一款N沟道增强型MOS管，具有低电压驱动、低导通电阻和快速开关特性。
该型号的最大漏源电压为60V，最大漏源电流为200mA，适用于低功率应用，如开关电路、电源管理和模拟信号处理等领域。
接下来是IRLML6402型号的小功率MOS管。
IRLML6402是一款P沟道增强型MOS管，具有低电压驱动、低导通电阻和高开关速度的特点。
该型号的最大漏源电压为20V，最大漏源电流为 3.7A，适用于低电压、低功率的开关电路和功率放大应用。
BS170型号的小功率MOS管也是常用型号之一。
BS170是一款N沟道增强型MOS管，具有低电压驱动、低导通电阻和快速开关特性。
该型号的最大漏源电压为60V，最大漏源电流为500mA，适用于低功率开关应用，如电源开关、电机驱动和LED驱动等领域。
在比较这些常用小功率MOS管型号时，可以从以下几个方面进行考虑。
首先是电气特性方面，包括最大漏源电压、最大漏源电流和导通电阻等参数。
其次是开关速度，即开关时的响应时间。
此外，还可以考虑价格和供货情况等因素。
2N7000型号的小功率MOS管具有较高的最大漏源电流和导通电阻，适用于一些对功率要求不高的应用领域。
IRLML6402型号的小功率MOS管具有较高的最大漏源电压和较低的导通电阻，适用于一些对电压和功率要求较高的应用领域。
BS170型号的小功率MOS管则具有较高的最大漏源电流和较低的导通电阻，适用于一些对电流和功率要求较高的应用领域。
总的来说，常用小功率MOS管型号有2N7000、IRLML6402和BS170等。
它们具有各自的特点和适用领域，选择合适的型号取决于具体的应用需求。
在选择时，需要考虑电气特性、开关速度、价格和供货情况等因素，并根据具体的应用要求进行合理的选择。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料场效应管（MOS管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
在设计和选择MOS管时，我们通常需要考虑一些参数，如型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。
下面是一些常用的全系列MOS管型号参数封装资料：1.型号：MOS管有许多不同的型号，每个型号都有不同的特性和应用场景。
常见的MOS管型号有IRF44N、IRFP22N、IRF520N等。
2.封装形式：MOS管的封装形式有多种，常见的封装形式有TO-220、TO-247、DPAK、SOT-23等。
不同的封装形式适用于不同的应用场景，如TO-220适用于高功率应用，SOT-23适用于小功率应用等。
3.工作电压：MOS管的工作电压范围是选择MOS管时需要注意的一个重要参数。
常见的工作电压范围有10V、30V、60V、100V等。
4.电流：MOS管的电流处理能力也是一个重要的参数。
通常以最大电流（ID）来表示，最大电流是指在特定的工作条件下，MOS管能够承受的最大电流。
常见的最大电流有1A、5A、10A、20A等。
5.功率：MOS管的功率参数也需要考虑，在一定的工作电压和电流下，MOS管能够承受的最大功率是通过最大电流和额定工作电压计算得出的。
常见的功率参数有10W、50W、100W等。
6.频率特性：MOS管的频率特性也是一个重要的参数，表示MOS管在特定频率下的响应能力。
常见的频率特性有数十kHz、数百kHz、MHz等。
综上所述，常用全系列MOS管型号参数封装资料包括型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。
在选择MOS管时，我们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑这些参数，并选择最适合的型号和封装形式。
通过合理选择和使用MOS管，可以有效地满足电路设计和应用需求。
常用MOS管型号参数(精)
场效应管分类型号简介封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FETIRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FETIRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 -100V,-6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9540 -100V,-19A TO-220 DISCRETE MOS FETIRF9610 -200V,-1.8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR9020 -50V,-9.9A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS634A250V,5.8A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETE MOS FETIRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETE MOS FETIRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS9Z34 -60V,-12A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETE MOS FETIRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU410A 500V ,1.2A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFZ20A 50V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ30 50V,30A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ4050V,50A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETE MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETE MOS FET IRLSZ14A60V,8A,Logic TO-220F DISCRETE MOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETE MOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETE MOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9540 -100V,-17A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9634 -250V,-5A TO-220DISCRETE MOS FET SFP9644 -250V,-8.6A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9Z34 -60V,-18A TO-220 DISCRETE MOS FET SFR9214 -250V,-1.53A D-PAK DISCRETE MOS FET SFR9224 -250V,-2.5A D-PAK DISCRETE MOS FET SFR9310 -400V,-1.5A D-PAK DISCRETE MOS FET SFS9630 -200V,-4.4A TO-220F DISCRETE MOS FET SFS9634 -250V,-3.4A TO-220F DISCRETE MOS FETSFU9220 -200V,-3.1A I-PAK DISCRETE MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETE MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETE MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETE MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETE MOS FETSSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH60N10 100V,60A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETE MOS FETSSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3PDISCRETE MOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETE MOS FETSSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FETSSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FETSSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FETSSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETE MOS FETSSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETE MOS FETSSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS6N60 600V, 3.2A TO-220(F/P。
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场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF9540 -100V,-19A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 -200V,-1.8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020 -50V,-9.9A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,-12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V ,1.2A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A 50V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 50V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 50V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,-5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,-8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,-18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,-1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,-2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,-1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,-4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,-3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,-3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 100V,60A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEDISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60 600V, 3.2A TO-220(F/P)。