典型混沌电路及其分析精品PPT课件
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混沌电路的设计ppt课件
R
C
xi
-
+x
xi C dx
R
dt
dx dt
1 RC
xi
:
1. 混沌模拟电路设计原理
利用反相加法器实现加法运算
R1
R
x1
x2
c
R2
xo
R3
x3
-
+
x0R R1x1R R2 x2R R3x3
:
1. 混沌模拟电路设计原理
利用反相器实现 “反号〞运算
利用反相放大器实 现“比例〞运算
R
R
-
xi
+ xo
R2
R1
-
xi
+ xo
R x0 R xi xi
x0
R2 R1
xi
kxi
:
1. 混沌模拟电路设计原理
利用乘法器实 现乘法运算
AD633
x
y
z
z xy
w x1 x2 y3 y4 z
10 when x2 y4 z 0 w x1 y3
10
:
1. 设计实例
x ay x
x 1 R y x
RC R1
y
1 RC
R R3
x
1 RC
R R4
y
1 RC
R R6
1 10
xz
1 RC
R R5
u
z
1 RC
R R8
xy 10
1 RC
R R7
z
u 1 R x RC R9
:
1. 设计实例
We may write equation (17) in normalized dimensionless form by rescaling the variables as x’=10x, y’=10y, z’=10z , u’=10u , t’=t/10RC and then redefining x’, y’,z’ , u’, as x, y, z, u , t respectively. Thus:
忆阻器及忆阻混沌电路ppt课件
上述四个电路变量两两之间→_可→以建立六个数学关系式,其 中五对关系式已经为大家所熟知——分别来自R、C、L、Q 的定义和法拉第电磁感应定律(如图1所示),但φ、Q 间 的关系却一直没被揭示。
1 引言
根据图1中基本变量组合完 备性原理,,美国加州大 学伯克利分校华裔科学家 蔡少棠于1971年从理论上 预测了描述电荷和磁通关 系元件的存在性,并且定 义这类元件为记忆电阻器 (简称忆阻器,英文名称 为Memristor).
忆阻器与忆阻混沌电路
学号: 姓名:
目录
1 2 3
忆引基阻于言器三的次等模型效型忆电阻路器模的型混沌电路 4
LOGO
.
1 引言
由电路基本理论可知,电路和元件特性是有四个基本变量 来描述的,分别为四个电路变量电压(V)、电流(I)、 磁通量(φ)和电荷量(Q) a.电压和电流关系→电阻器R b.电压和电荷关系→电容器C c.电流和磁通关系→电感器L
图3 HP TiO2 忆阻的基本模型
.
➢ HP TiO2忆阻线性杂质漂移模型和非线性窗函数模型可以统一表 示为:
式中:i为输入电流; v 为输出电压; RON.ROFF和k 为系统参数; x为状态变量; M(x)代表忆阻模型的忆阻器; Fn(x)(n=1,2,3,4,5)分别代表HP线性窗函数和4种非线性窗函数
.
2 忆阻器模型
2.1 忆阻器的定义 2.2 物理器件模型 2.3 数学理论模型
2.3.1 分段线性模型 2.3.2 三次型非线性模型 2.3.3 二次型非线性模型
.
2 忆阻器模型
2.1 忆阻器的定义
➢ 忆阻器是一个基本的无源二端元件,它的磁通量φ 与累积 的电荷q 之间的关系可以用φ -q 或q- φ平面上的一条曲 线f(φ ,q) = 0 来确定,忆阻器分为荷控忆阻器和磁控 忆阻器两种,如图2所示
1 引言
根据图1中基本变量组合完 备性原理,,美国加州大 学伯克利分校华裔科学家 蔡少棠于1971年从理论上 预测了描述电荷和磁通关 系元件的存在性,并且定 义这类元件为记忆电阻器 (简称忆阻器,英文名称 为Memristor).
忆阻器与忆阻混沌电路
学号: 姓名:
目录
1 2 3
忆引基阻于言器三的次等模型效型忆电阻路器模的型混沌电路 4
LOGO
.
1 引言
由电路基本理论可知,电路和元件特性是有四个基本变量 来描述的,分别为四个电路变量电压(V)、电流(I)、 磁通量(φ)和电荷量(Q) a.电压和电流关系→电阻器R b.电压和电荷关系→电容器C c.电流和磁通关系→电感器L
图3 HP TiO2 忆阻的基本模型
.
➢ HP TiO2忆阻线性杂质漂移模型和非线性窗函数模型可以统一表 示为:
式中:i为输入电流; v 为输出电压; RON.ROFF和k 为系统参数; x为状态变量; M(x)代表忆阻模型的忆阻器; Fn(x)(n=1,2,3,4,5)分别代表HP线性窗函数和4种非线性窗函数
.
2 忆阻器模型
2.1 忆阻器的定义 2.2 物理器件模型 2.3 数学理论模型
2.3.1 分段线性模型 2.3.2 三次型非线性模型 2.3.3 二次型非线性模型
.
2 忆阻器模型
2.1 忆阻器的定义
➢ 忆阻器是一个基本的无源二端元件,它的磁通量φ 与累积 的电荷q 之间的关系可以用φ -q 或q- φ平面上的一条曲 线f(φ ,q) = 0 来确定,忆阻器分为荷控忆阻器和磁控 忆阻器两种,如图2所示
混沌电路的详解(课堂PPT)
蔡氏电路v1与v2信号输出波形
25
各种演变的相图如下图所示:
蔡氏电路相图中看到的混沌演变(v1-v2相图) 26
Chen氏混沌电路
Chen氏混沌系统是 Chen 等提出的 一种新的吸引子。近年来 ,关于 Chen 氏 系统本身特性的研究以及控制与同步的 研究越来越多。目前 ,关于该系统的电 路实现和同步控制的电路实现的研究报 道不多。
20
蔡氏电路元件参数对运动形态的影响
蔡氏电路的运动形态因元件参数值的不同而有 不同的拓扑性质。以电路元件参数值作为控制参数 可以使蔡氏电路工作在不同的拓扑结构状态。
下面以下图电路为例,讨论R在1.298 kΩ~1.92 kΩ这一范围内变化时电路的状态。
iL
L
17mH
R
1.5k
C2
100nF
C1
10nF
12
(4) 洛伦兹(Lorenz)方程
x (y x)
y
x
y
xz
z
xy
z
(5) 蔡氏电路(Chua’s Cuicut,蔡少棠)方程
x α(y x G(x))
y
x
y
z
z
y
G (x)G bx1 2(G aG b)(x1x1)
(6) 洛斯勒(Rosslor)方程
x (y z)
y
(a) 稳定焦点,v1波形 (b)周期1,v1波形 (c)周期3,v1波形
(b)
(d)单涡旋,v1波形 (e)双涡旋,v1波形
蔡氏电路v1与v2信号输出波形
22
R为1.918 kΩ~1.820kΩ,周期2;R为1.819 kΩ~ 1.818kΩ,周期4;R+1.787kΩ,周期8;R=1.786kΩ, 周期16;R继续减少至1.750kΩ为单涡旋图形,这 是电路第一次进入单涡旋混沌,为洛斯勒形混沌吸 引子。如图(d)所示。
蔡氏混沌电路的混沌现象及其simulink仿真PPT
从上图中可以看出,当电阻的值为 2.1K时,蔡氏电路的运行状态有一个渐进稳定点,并 且在稳定点附近运动。
2、蔡氏电路simulink数值仿真分析
• 2.1.2、R 1.91 K • 当 R 1.91 K 时,b=21.2098,simulink仿真结果如下:
• 当电阻的值减小到 R 1.91K 时,蔡氏电路的运动状态出现单漩涡混沌振荡。 从以上相轨图中可以观察到明显的倍周期现象。
2、蔡氏电路simulink数值仿真分析
• 2.2、调节电容 • 给定初始值:u1 0.1V , u 2 0.1V , iL 0.001 A ,固定电路参数 ,C2=100nF 、 L2=17.2mH、,此时b的值是14.51395保持不变,与以上内容不同,下面的内容 保持b的值不变,改变a的值。电容c1的值可变,simulink数值仿真可得到在不 同C1值时蔡氏电路的运行状态。
0、混沌现象及混沌电路介绍
• 0.4、混沌吸引子 • 混沌吸引子也称奇异吸引子,是反映混沌系统运动特征的产物,也是一种 混沌系统中无序稳态的运动形态,它具有复杂的拉伸、扭曲的结构。奇异吸引 子是系统总体稳定性和局部不稳定性共同作用的产物,具有自相似性,具有分 形结构。从整体上讲,系统是稳定的,即吸引之外的一切运动最终都要收敛到 吸引子上。但就局部来说,吸引子内的运动又是不稳定的,即相邻运动轨道要 相互排斥而按指数型分离。
2、蔡氏电路simulink数值仿真分析
• 2.2.1、令C1=20nF,则a=5,simulink仿真结果为:
• 有以上图可以得出,改变电容的值改变a系数同样可以得到蔡氏电路的稳定状 态,此时的运动轨迹基本上在一点处,是稳定状态。
2、蔡氏电路simulink数值仿真分析
典型混沌电路及其其分析共68页PPT
▪
28、知之者不如好之者,好之者不如乐之者。——孔子
▪
29、勇猛、大胆和坚定的决心能够抵得上武器的精良。——达·芬奇
▪
30、意志是一个强壮的盲人,倚靠在明眼的跛子肩上。——叔本华
谢谢!
68
典型混沌电路及其其分析
26、机遇对于有准备的头脑有特别的 亲和力 。 27、自信是人格的核心。
28、目标的坚定是性格中最必要的力 量泉源 之一, 也是成 功的利 器之一 。没有 它,天 才也会 在矛盾 无定的 迷径中 ,徒劳 无功。- -查士 德斐尔 爵士。 29、困难就是机遇。--温斯顿.丘吉 尔。 30、我奋6、要使整个人生都过得舒适、愉快,这是不可能的,因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭
▪
27、只有把抱怨环境的心情,化为上进的力量,才是成功的保证。——罗曼·罗兰
混沌电子学讲座ppt-PowerPoint演示文稿
—— 分岔图
2004.5
抛物线映射及混沌 (4)
• 周期稳定区/混沌区
** Feigenbaum(F点)左边/右边 ** Feigenbaum常数
=1. 40115518909295…
• 分岔点 周期变化之间的交叉点 • 超稳定轨道
------ 映射复合函数的导数在轨道中 每一 个轨道点处的值=0
混沌电子学讲座
2004.5
抛物线映射及混沌 (4) — 混沌轨道、相空间和相图
• 混沌轨道
** 在有限长的轨道点中,有某些近似的重复图式或“结构” ** 用该有限长为单位考察整个轨道时,该有限长的出现为
随机的 ** 当该有限长轨道点个数为1时,混沌轨道即为随机轨道 ** 混沌轨道对初值极为敏感
• 相空间和相图
• 倍周期混沌带合并序列的收敛 速率与倍周期分岔序列的收敛 速率相等
混沌电子学讲座
—— 分岔图结构(2)
2004.5
抛物线映射及混沌 (4)
• 暗线
• 以迭代相应的映射函数的导数 等于0的点作初值,每一次迭 代的方程在相——参空间的曲 线
• 可以描述动力系统不稳定的不 动点
• 周期窗口
• 混沌区中白的竖条 • 周期窗口较为复杂,需要符号
证明,但该证明没有给出Chua电路的双螺旋吸引子就是 混沌吸引子的结论
• 1990年 L. O. Chua和G. N. Lin给出了Chua电路在连续的奇对
称线性矢量场中的C*类电路(动力学等效电路)
• 1993年 V. N. Belykh和L. O. Chua在 2维几何图形上给出了双
螺旋吸引子就是混沌吸引子的证据
• 虫口模型的修正
虫为子之间的咬斗会造成xn只虫子的减员,此类事件的总数
精选忆阻器及忆阻混沌电路.ppt
图1 电路的四个基本变量与四个基本元件
.新.
1 引言
忆阻器具有其他三种基本元件任意组合都不能复制的特性 ,是一种有记忆功能的非线性电阻,可以记忆流经它的电 荷数量,通过控制电流的变化可改变其阻值。
2008年5月,惠普公司实验室研究人员Strukov等在 Nature上首次报道了忆阻器的实现性,其研究成果震惊 了国际电工电子技术世界,极大的唤起了人们开展忆阻器 的全方位研究的兴趣。
.新.
图(2)反相加法电路
(3)同相比例电路
➢ 图下所示电路是一个同相放 大器。根据理想运算放大器 的二个特点可以知道,
u+=u-=ui,i1=i2 由图可以列出
i1
ui R1
,
i2
u uo R3ຫໍສະໝຸດ ui uo R3可得 uo
1
R3 R1
ui
当电阻R1=∞(断开)或者
R3=0时,式可以写成
式中,a,b>0,sgn(.)为符号函数。因此,可得到它相应 的忆导
W () dq() a b d
.新.
2.3.3 二次型非线性模型
图 6 有源磁控忆阻器特性曲线及其忆导关系曲线
.新.
2.3.3 二次型非线性模型
➢ 由于有源磁控忆阻器的忆导在一定范围内可以变成负值,因此其
即时功率p(t) W ( (t))u(t)2 0
W () d 0.5(c d)[sgn( 1) sgn( 1)]
或 q() d 0.5(c d)( 1 1)
.新.
相应的忆阻和忆导分别为
M (q) b 0.5(a b)[sgn(q 1) sgn(q 1)]
W () d 0.5(c d)[sgn( 1) sgn( 1)]
.新.
1 引言
忆阻器具有其他三种基本元件任意组合都不能复制的特性 ,是一种有记忆功能的非线性电阻,可以记忆流经它的电 荷数量,通过控制电流的变化可改变其阻值。
2008年5月,惠普公司实验室研究人员Strukov等在 Nature上首次报道了忆阻器的实现性,其研究成果震惊 了国际电工电子技术世界,极大的唤起了人们开展忆阻器 的全方位研究的兴趣。
.新.
图(2)反相加法电路
(3)同相比例电路
➢ 图下所示电路是一个同相放 大器。根据理想运算放大器 的二个特点可以知道,
u+=u-=ui,i1=i2 由图可以列出
i1
ui R1
,
i2
u uo R3ຫໍສະໝຸດ ui uo R3可得 uo
1
R3 R1
ui
当电阻R1=∞(断开)或者
R3=0时,式可以写成
式中,a,b>0,sgn(.)为符号函数。因此,可得到它相应 的忆导
W () dq() a b d
.新.
2.3.3 二次型非线性模型
图 6 有源磁控忆阻器特性曲线及其忆导关系曲线
.新.
2.3.3 二次型非线性模型
➢ 由于有源磁控忆阻器的忆导在一定范围内可以变成负值,因此其
即时功率p(t) W ( (t))u(t)2 0
W () d 0.5(c d)[sgn( 1) sgn( 1)]
或 q() d 0.5(c d)( 1 1)
.新.
相应的忆阻和忆导分别为
M (q) b 0.5(a b)[sgn(q 1) sgn(q 1)]
W () d 0.5(c d)[sgn( 1) sgn( 1)]
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3、二阶微分电路—含有二个储能元件的电路
对于自治线性二阶微分电路,动态特性为衰减振荡或增幅振荡, 不稳定。对于自治非线性二阶微分电路,电路可以产生极限环, 属于稳定振荡电路。对于非自治非线性二阶微分电路,能够产生 混沌,如杜芬方程电路,圆周映射也属于这种情况,并且导致符 号动力学的研究。对于自治非线性二阶微分电路,不能够产生混 沌。
1、若电路的阶数相同,则n阶非自治电路与n+1阶自治电路形态 相同。
2、尽管非线性的n阶非自治电路及n+1阶自治电路与线性的 n+1阶非自治电路及n+2阶自治电路有许多相似之处,但是线 性电路永远不能产生混沌。
三、混沌电路的定义
目前混沌电路的定义有多种形式,这里采用系统的初始激发 已经衰减到零时的稳态响应的频率特性来定义。稳态响应的频 率特性粗分有下列4种:
零阶自治电路
一阶自治电路 零阶非自治电路
二阶自治电路 一阶非自治电路
三阶自治电路 二阶非自治电路
三阶及三阶以上自治与非自 治电路
线性
非线性
线性
非线性
线性
非线性
线性
非线性
线性
非线性
平衡点
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
周期极限环
√
√
√
√
√
√
√
拟周期极限环
√
√
√
混沌
√
√
亚超混沌
√
超混沌
√
噪声
பைடு நூலகம்
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
由上表可以看出
零阶电路微分方程不存在电路运动问题,但是存在电路求解问 题,这些问题研究成熟,方法有叠加原理、代文宁定理、诺顿 定理、电压源电流源等效变换方法等。自治零阶电路不会产生 新的动态特性。
2、一阶微分电路—仅含有一个储能元件的电路
电路仅有零输入响应与零状态响应问题,是研究现代电子电路 的起步电路,一般电路分析教科书中都有详细的讨论。
一般地说,电路系统更关心的是信息交换,因而对于能量交 换的关心程度相对偏少,有时侯会忽略某些重要问题,应该引 起注意。现在讨论电路系统能量交换中对于信息状态的影响, 并以电路系统储能元件个数及有无信号输入进行讨论。
将不包含随时间变化的激励信号的电路叫做自治电路,将包 含随时间变化的激励信号的电路叫做非自治电路。以下讨论中 我们把激励信号分成“简单”的信号和“复杂”的信号,“简 单”的信号如正弦波信号或者其它周期信号,“复杂”的信号 如1混、沌零信阶号电。路—无储能元件电路,即纯电阻电路
由于当时混沌问题的研究历史不成熟,就把电路中出现的混
沌现象认为是一种尚未认真研究的另一种现象,是一种需要消 除的坏现象,起码是要暂时回避的现象,这就是当时科学家的 态度。这个现象不仅在电子学领域中存在,而且在其它学科领 域中也存在,例如数学学科中的庞加莱。从这里可以看出,电 子学的发展历史与其它学科的发展历史是密切相关的,是互相 推动与互相制约的,这也正是20世纪上半叶电子科学技术的大 背景,是电子学从物理学的电磁学中独立出来并向信息科学发 展的大背景。从这里还可以看出,电子学中的混沌现象研究与 应用研究必定会蓬勃发展起来,这是历史的必然。
4、三阶微分电路—含有三个储能元件的电路
三阶非线性微分电路已经复杂化,能够产生混沌。例如蔡氏电 路、洛伦茨方程电路等,这还是自治电路的情况。对于非自治电 路,还能产生超混沌与亚超混沌。
5、三阶以上微分电路
运动特性更复杂,可能出现多级超混沌现象。将以上各种情况整 理于下表。
表4-1 电路方程的阶、自治与非自治、线性与非线性的形态
1990年,混沌同步电路的研究再次把非线性电路研究推向 一个高潮,这是因为它的重要意义特别是它极有可能用于保密 通信与军事目的受到重视。神经网络电路、分形编码、混沌测 量电路等为非线性电路大家庭增加了许多新成员。到现在,人 们提出了许许多多的混沌电路,各种混沌电路文献浩如烟海, 几乎每年约数千篇的论文问世,技术上也不断出现新突破。非 线性电路目前处于稳定、健康、迅速发展的时期。
二、电路系统动态特性分类
根据分类目的的不同,电路系统分类的形式也很不同。现在 按照电路动态特性分类,它和电路状态方程的阶数有一定的关 系。电路系统的变量是电压、电流、电荷、电磁链,控制变量 是电路元件电阻、电容、电感等参数。从能量的角度看,电路 系统中有的元件(包括分布参数)从电路系统中吸收能量,变 成热能或辐射能等,有的元件从电路工作电源吸收能量,储存 或消耗在电路系统中,电路系统与外界进行着能量的交换。从 信息的角度看,电路系统与外界一般进行信息交换,输入信息 与输出信息。从物质的角度看,电路系统与外界一般不进行物 质交换。物理学中,与外界进行着物质、能量交换的系统叫做 开放系统; 与外界不进行物质、能量交换的系统叫做封闭系统; 与外界仅进行能量交换的系统叫做耗散系统,因此电路系统是 耗散系统。
纯电阻电路用代数方程描述,由于纯电阻电路是时不变元件, 所满足的方程与时间无关,不需要列写微分方程,仅列写代数 方程就够了,故纯电阻电路是零阶电路微分方程(非微分方 程)。对于零阶电路微分方程,分为线性零阶电路微分方程与 非线性零阶电路微分方程,还分为自治零阶电路微分方程与非 自治零阶电路微分方程,两两构成四种零阶电路微分方程。
§1混沌电路综述
一、电路中混沌现象发现与研究的历史
电路中的混沌现象早在20世纪20年代就被发现,前面曾经 提到的范德坡的工作就涉及到电路中的混沌现象。实际上,范 德坡所处的时代正是建立电路理论基础的时代,当时的科学家 急需建立振幅稳定与频率稳定的振荡电路,从而产生稳定的电 磁波。稳定振荡的数学模型是极限环,当时的理论基础还不能 够完全满足工程技术的需要,必须由电子工程师一方面进行工 程技术设计,一方面完善数学基础理论。极限环的数学基础理 论是微分方程理论,而且还是非线性的微分方程理论,而非线 性的微分方程很容易产生混沌,范德坡、李纳德等科学家就是 在这样的情况进行研究的。
再回过头来看频率稳定性问题的研究。由于历史时代要求频
率的稳定,它与当时的其它技术的共同发展,处于主流地位,使 得线性电子技术以巨大的势头形成人类社会的重要产业,并将人 类文明推向信息化历史时代。相对说来,非线性电子学在相当长 的时期内处于缓慢发展的时期。“十年不鸣,一鸣惊人”,1983 年蔡少棠提出的蔡氏混沌电路震惊了电子学界,许多电子工作者 投入了精力予以研究。
对于自治线性二阶微分电路,动态特性为衰减振荡或增幅振荡, 不稳定。对于自治非线性二阶微分电路,电路可以产生极限环, 属于稳定振荡电路。对于非自治非线性二阶微分电路,能够产生 混沌,如杜芬方程电路,圆周映射也属于这种情况,并且导致符 号动力学的研究。对于自治非线性二阶微分电路,不能够产生混 沌。
1、若电路的阶数相同,则n阶非自治电路与n+1阶自治电路形态 相同。
2、尽管非线性的n阶非自治电路及n+1阶自治电路与线性的 n+1阶非自治电路及n+2阶自治电路有许多相似之处,但是线 性电路永远不能产生混沌。
三、混沌电路的定义
目前混沌电路的定义有多种形式,这里采用系统的初始激发 已经衰减到零时的稳态响应的频率特性来定义。稳态响应的频 率特性粗分有下列4种:
零阶自治电路
一阶自治电路 零阶非自治电路
二阶自治电路 一阶非自治电路
三阶自治电路 二阶非自治电路
三阶及三阶以上自治与非自 治电路
线性
非线性
线性
非线性
线性
非线性
线性
非线性
线性
非线性
平衡点
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周期极限环
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拟周期极限环
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混沌
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亚超混沌
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超混沌
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噪声
பைடு நூலகம்
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由上表可以看出
零阶电路微分方程不存在电路运动问题,但是存在电路求解问 题,这些问题研究成熟,方法有叠加原理、代文宁定理、诺顿 定理、电压源电流源等效变换方法等。自治零阶电路不会产生 新的动态特性。
2、一阶微分电路—仅含有一个储能元件的电路
电路仅有零输入响应与零状态响应问题,是研究现代电子电路 的起步电路,一般电路分析教科书中都有详细的讨论。
一般地说,电路系统更关心的是信息交换,因而对于能量交 换的关心程度相对偏少,有时侯会忽略某些重要问题,应该引 起注意。现在讨论电路系统能量交换中对于信息状态的影响, 并以电路系统储能元件个数及有无信号输入进行讨论。
将不包含随时间变化的激励信号的电路叫做自治电路,将包 含随时间变化的激励信号的电路叫做非自治电路。以下讨论中 我们把激励信号分成“简单”的信号和“复杂”的信号,“简 单”的信号如正弦波信号或者其它周期信号,“复杂”的信号 如1混、沌零信阶号电。路—无储能元件电路,即纯电阻电路
由于当时混沌问题的研究历史不成熟,就把电路中出现的混
沌现象认为是一种尚未认真研究的另一种现象,是一种需要消 除的坏现象,起码是要暂时回避的现象,这就是当时科学家的 态度。这个现象不仅在电子学领域中存在,而且在其它学科领 域中也存在,例如数学学科中的庞加莱。从这里可以看出,电 子学的发展历史与其它学科的发展历史是密切相关的,是互相 推动与互相制约的,这也正是20世纪上半叶电子科学技术的大 背景,是电子学从物理学的电磁学中独立出来并向信息科学发 展的大背景。从这里还可以看出,电子学中的混沌现象研究与 应用研究必定会蓬勃发展起来,这是历史的必然。
4、三阶微分电路—含有三个储能元件的电路
三阶非线性微分电路已经复杂化,能够产生混沌。例如蔡氏电 路、洛伦茨方程电路等,这还是自治电路的情况。对于非自治电 路,还能产生超混沌与亚超混沌。
5、三阶以上微分电路
运动特性更复杂,可能出现多级超混沌现象。将以上各种情况整 理于下表。
表4-1 电路方程的阶、自治与非自治、线性与非线性的形态
1990年,混沌同步电路的研究再次把非线性电路研究推向 一个高潮,这是因为它的重要意义特别是它极有可能用于保密 通信与军事目的受到重视。神经网络电路、分形编码、混沌测 量电路等为非线性电路大家庭增加了许多新成员。到现在,人 们提出了许许多多的混沌电路,各种混沌电路文献浩如烟海, 几乎每年约数千篇的论文问世,技术上也不断出现新突破。非 线性电路目前处于稳定、健康、迅速发展的时期。
二、电路系统动态特性分类
根据分类目的的不同,电路系统分类的形式也很不同。现在 按照电路动态特性分类,它和电路状态方程的阶数有一定的关 系。电路系统的变量是电压、电流、电荷、电磁链,控制变量 是电路元件电阻、电容、电感等参数。从能量的角度看,电路 系统中有的元件(包括分布参数)从电路系统中吸收能量,变 成热能或辐射能等,有的元件从电路工作电源吸收能量,储存 或消耗在电路系统中,电路系统与外界进行着能量的交换。从 信息的角度看,电路系统与外界一般进行信息交换,输入信息 与输出信息。从物质的角度看,电路系统与外界一般不进行物 质交换。物理学中,与外界进行着物质、能量交换的系统叫做 开放系统; 与外界不进行物质、能量交换的系统叫做封闭系统; 与外界仅进行能量交换的系统叫做耗散系统,因此电路系统是 耗散系统。
纯电阻电路用代数方程描述,由于纯电阻电路是时不变元件, 所满足的方程与时间无关,不需要列写微分方程,仅列写代数 方程就够了,故纯电阻电路是零阶电路微分方程(非微分方 程)。对于零阶电路微分方程,分为线性零阶电路微分方程与 非线性零阶电路微分方程,还分为自治零阶电路微分方程与非 自治零阶电路微分方程,两两构成四种零阶电路微分方程。
§1混沌电路综述
一、电路中混沌现象发现与研究的历史
电路中的混沌现象早在20世纪20年代就被发现,前面曾经 提到的范德坡的工作就涉及到电路中的混沌现象。实际上,范 德坡所处的时代正是建立电路理论基础的时代,当时的科学家 急需建立振幅稳定与频率稳定的振荡电路,从而产生稳定的电 磁波。稳定振荡的数学模型是极限环,当时的理论基础还不能 够完全满足工程技术的需要,必须由电子工程师一方面进行工 程技术设计,一方面完善数学基础理论。极限环的数学基础理 论是微分方程理论,而且还是非线性的微分方程理论,而非线 性的微分方程很容易产生混沌,范德坡、李纳德等科学家就是 在这样的情况进行研究的。
再回过头来看频率稳定性问题的研究。由于历史时代要求频
率的稳定,它与当时的其它技术的共同发展,处于主流地位,使 得线性电子技术以巨大的势头形成人类社会的重要产业,并将人 类文明推向信息化历史时代。相对说来,非线性电子学在相当长 的时期内处于缓慢发展的时期。“十年不鸣,一鸣惊人”,1983 年蔡少棠提出的蔡氏混沌电路震惊了电子学界,许多电子工作者 投入了精力予以研究。