晶圆生产常用名词介绍
半导体装片机专用词汇
半导体装片机专用词汇
一、机械部件相关。
1. Wafer（[ˈweɪfə(r)]，名词）
- 释义：晶圆，是制造半导体芯片的基本材料，通常是圆形的硅片。
2. Die（[daɪ]，名词）
- 释义：芯片，从晶圆上切割下来的单个半导体集成电路。
3. Chuck（[tʃʌk]，名词）
- 释义：卡盘，用于固定晶圆或芯片的装置。
4. Picker（[ˈpɪkə(r)]，名词）
- 释义：拾取器，在装片机中用于拾取芯片并将其放置到指定位置的部件。
二、操作相关。
1. Bonding（[ˈbɒndɪŋ]，名词/动名词）
- 释义：键合，将芯片与其他部件（如引脚、基板等）连接起来的工艺过程。
2. Mounting（[ˈmaʊntɪŋ]，名词/动名词）
- 释义：安装，在半导体装片机中，指将芯片安装到特定载体上的操作。
3. Align（[əˈlaɪn]，动词）
- 释义：对准，在装片过程中，需要将芯片与其他部件精确对准，以确保正常的连接和功能。
例如“Align the die with the substrate.”（将芯片与基板对准。
）
三、性能和参数相关。
1. Precision（[prɪˈsɪʒn]，名词）
- 释义：精度，半导体装片机的精度是衡量其性能的重要指标，例如芯片放置的位置精度等。
2. Throughput（[ˈθruːpʊt]，名词）
- 释义：产量，在一定时间内半导体装片机能够完成的芯片装片数量。
晶圆---简介
晶圆是制造IC的基本原料硅是由沙子所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
我们会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这座晶圆厂有较好的技术。
另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成本。
所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。
当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。
晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。
二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。
晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。
硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
晶圆工艺晶圆的生产工艺流程从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长-- 晶棒裁切与检测-- 外径研磨-- 切片-- 圆边-- 表层研磨-- 蚀刻-- 去疵-- 抛光-- 清洗-- 检验-- 包装1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
半导体行业内相关名词
半导体行业内相关名词
1. 微处理器（Microprocessor）: 是一种集成电路，用于执行计算机的指令和操作。
2. 芯片（Chip）: 是半导体材料上制造的集成电路，可以执行特定的功能。
3. 功率半导体（Power semiconductor）: 用于控制和调节电流和电压的半导体器件，常用于电力电子系统和功率放大器等应用。
4. 二极管（Diode）: 是一个具有两个电极的电子器件，主要用于限制电流的方向。
5. 晶体管（Transistor）: 是一种用于放大和开关电路的半导体器件，常用于电子设备中。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）: 是一种常用的功率半导体器件，被广泛应用于电子电路中。
7. LED（Light-emitting diode）: 是一种能将电能转化为光能的半导体器件，常用于照明、显示和指示等应用。
8. MEMS（Microelectromechanical systems）: 是一种微型机械器件，由微芯片上的微电子器件和微机械系统组成。
9. IC（Integrated circuit）: 是一种通过集成电路制造技术将多个电子器件集成在一起制成的器件。
10. Wafer（晶圆）：也称为半导体晶圆，是用来制造集成电路和微电子器件的基础材料之一。
以上只是半导体行业内的一些常见名词，还有许多其他名词和专业术语与该行业相关。
晶圆生产常用名词介绍
第一章 半导体厂基础生产类名词
-1-
1.1生产流通名词
WIP：在制品，wafer in process的缩写 Effective WIP: 在线(不含customer hold)圆片中产出标记不为P和FILLER的圆片 BUFFER: 某设备大类前等待加工产品的数量,不含RUN的产品(不含HOLD) MOVE：圆片的制程步骤移动数量，一个圆片在PROMIS流程中每移动一步为一个
Scheduled
Downtime (DOWN) Downtime(PM)
● Repairቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
● PM ● Change of consumable
Productive Time
● Regular production ● Rework ● Engineering Lots
- 15 -
Idle Time
优先级系统
Yield
-7-
1.1生产的概念
生产定义： 狭义：投入一定的资源，经过一系列、多种形式的变换，使其价值增值，最后产出消费产品的过程 广义：系统论的发展使人们能够 从更抽象、更高的角度来认识和把握各种现象的共性，把有形产品的生产过程和无形产
品服务的提供过程都看作一种“投入→变换→产出”的过程，作为一种具有共性的问题来研究
CVP：定单数量的准时交付（入库）率(Confirm Volume Performance)
CVP=实际准时入库数量/定单要求入库数量*100%
CT：流通周期（Cycle Time），即自投料到入库的时间 CT=入库时间-Customer Hold时间-投料时间
CT/layer：自投料到入库的实际流通时间/layer数
记录圆片的加工步骤和要求，在流片过程中要严格遵循流程单上的工艺步骤和要求
史上最全晶圆专业术语
史上最全晶圆专业术语Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.受主- 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。
受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process.套准精度 - 在光刻工艺中转移图形的精度。
Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting各向异性 - 在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。
Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc.沾污区域- 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
由沾污、手印和水滴产生的污染。
Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the ellipse.椭圆方位角 - 测量入射面和主晶轴之间的角度。
晶圆制造定义
晶圆制造定义
晶圆制造是指通过一系列工艺流程将硅片（晶圆）加工成半导体器件的过程。
晶圆制造通常包括以下主要步骤：
1. 衬底准备：选择适合的材料作为衬底，并进行化学清洗和机械抛光，以确保晶圆表面平整和纯净。
2. 水晶生长：通过熔化并再凝固的方法，在晶格结构相同的基质上生长单晶固体，形成大尺寸晶圆。
3. 切割晶圆：将生长出的大尺寸晶圆切割成较薄的小尺寸晶圆，同时平整晶圆表面。
4. 清洗和去除残留物：对切割后的晶圆进行化学清洗，去除表面残留的有机和无机物质。
5. 涂覆光阻：在晶圆表面涂覆一层光阻，光阻通过曝光和显影来形成器件的图案。
6. 硅片腐蚀和沉积：利用化学腐蚀方法去除部分晶圆表面材料，或者通过化学气相沉积（CVD）等方法在晶圆表面沉积材料，形成电子器件的结构。
7. 清洗和化学机械研磨：清洗晶圆，去除残留的杂质，然后通过化学机械研磨（CMP）方法平整晶圆表面。
8. 金属的沉积和蚀刻：在晶圆上沉积金属层，然后通过蚀刻方
法去除多余的金属，形成导体线路。
9. 封装和测试：将晶圆切割成单个芯片，然后进行封装，最后对芯片进行功能测试和品质检验。
以上步骤只是晶圆制造过程的一部分，实际流程会根据不同的器件设计和制造需求而有所变化。
晶圆制造是半导体工业中的关键环节，对于半导体器件的性能和品质有重要影响。
半导体mfg生产制造中常用的英文单词
在半导体制造（Semiconductor Manufacturing）行业中，有许多专业术语和英文单词频繁出现，以下是一些常见的：1. Wafer - 晶圆，硅片2. Die - 芯片裸片3. Photolithography - 光刻技术4. Etching - 刻蚀5. Deposition - 沉积，包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）6. Ion Implantation - 离子注入7. Cleaning - 清洗8. Thermal Oxidation - 热氧化9. Diffusion - 扩散工艺10. Thin Film Transistor (TFT) - 薄膜晶体管11. Mask - 防护层、光罩12. Doping - 掺杂13. CMP (Chemical Mechanical Polishing) - 化学机械平坦化14. Sputtering - 溅射15. Bonding - 封装时的绑定过程16. Probe - 测试探针17. Final Test - 最终测试18. Packaging - 封装19. Silicon Wafer Fab - 晶圆厂20. Yield - 产出率，良率此外，还有许多与质量管理、设备维护、生产控制相关的词汇，例如：- Process Control - 工艺控制- Defect Inspection - 缺陷检测- Metrology - 测量科学- End-of-Line (EOL) Testing - 生产线末尾测试- Quality Assurance (QA) - 质量保证- Failure Analysis (FA) - 失效分析这些词汇共同构成了半导体制造行业的语言基础。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是专门用于描述和解释半导体技术和相关概念的专业词汇。
在描述半导体行业的相关术语时，需要确保清晰度和准确性。
以下是一些常见的半导体行业术语及其解释：1.半导体：半导体是一种电子材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导特性。
半导体材料通常可以控制电流的流动，是构成电子器件和集成电路的基本元件。
2.集成电路（IC）：集成电路是一种由多个电子元件（如晶体管、电容、电阻等）以及连接器件（如导线、金属线等）组成的电路系统。
集成电路可用于执行各种计算、存储和处理任务。
3.晶体管：晶体管是一种半导体器件，可以放大和控制电流。
晶体管由三层材料组成，其中包括一个控制区域、一个输入区域和一个输出区域。
晶体管被广泛用于电子设备和电路中。
4.功耗：功耗是指半导体器件在正常运行时消耗的电能。
功耗通常以瓦特（W）为单位进行衡量，是半导体行业中一个重要的考虑因素。
5.时钟频率：时钟频率是计量半导体器件工作速度的指标，通常以赫兹（Hz）为单位。
时钟频率越高，半导体器件的数据处理和运行速度越快。
6.互连：互连是指将不同的半导体器件或电子组件连接在一起的过程。
互连通常使用导线、金属线、连接器等来完成。
7.工艺技术：工艺技术是指用于制造半导体器件和集成电路的特定技术过程。
包括一系列的步骤，如沉积、蚀刻、掩膜制备等，用于制造和构建电子器件。
8.掩膜：掩膜是一种用于制造半导体器件的模板。
掩膜通常是由光刻工艺制备的，可以在半导体材料上形成特定的图案和结构，用于制造电子器件的特定组件。
9.封装：封装是将半导体芯片和连接线封装在外壳中的过程。
封装有助于保护芯片和电路，并提供适当的物理连接和支持。
10.微纳加工技术：微纳加工技术是一种用于制造微小尺度结构和器件的技术。
在半导体行业中，微纳加工技术被广泛应用于制造芯片和集成电路，以及其他微小尺度的器件。
以上是一些常见的半导体行业术语及其解释。
了解和熟悉这些术语对于了解半导体技术和行业发展趋势非常重要。
半导体制造的常用名词
半导体制造的常用名词发表于: 2007-5-07 17:10 作者: luhaoxinglhx 来源: 半导体技术天地Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.晶锭- 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer.激光散射- 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.层- 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.光刻- 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.局部光散射- 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.批次- 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
晶圆
看中成行成市粤台经贸交流会期间，珠海市引进55个台资项目，引进资金5.96亿美元，其中有数个软件、芯片、电子项目。珠海市副市长周本辉说：“过去珠海缺乏工业配套，但近两年出现四五个可以配套的产业链，其中IT产业链已有美国伟创力、南科两个龙头。”南科是产业的链头，芯片产量将因8寸晶圆的引进而成规模；伟创力为链中，目前珠海多层线路板的生产能力达到每年300万平方米。周本辉说：“在IT业的上游，珠海还有400多家软件企业，去年软件产值达 16亿，产业规模在广东仅次于广州、深圳；在IT业的下游则是手机和通讯产品的生产企业。珠海的产业链都是台湾的优势产业，因而为台商投资提供了更多机会。”
随着晶圆供应紧张而来的，是越来越多的企业投产晶圆生产线。国内8寸晶圆厂包括华虹NEC、和舰、中芯、宏力等至少有5座8吋晶圆代工厂持续投产与扩产，预估2004年8吋晶圆产能将大幅增长，达单月15.5万片的水准，比现有产能增加约85%；部份曾在力晶、联电任职的中国台湾半导体业人士，近期也计划在华东地区兴建8吋厂；同时日本松下电器、德国大厂Wacker等国外大厂也开始投产晶圆生产。
中国主要半导体代工厂商中国芯国际(SMIC)预测，中国晶圆厂建设速度将在2006年趋于平稳。
即使如此，国内芯片生产仍不足以满足不断增长的需求。有人预测，今年国内半导体产值将达到48亿美元，而芯片需求估计高达221亿美元。 2004年国内芯片产值将升至63亿美元，而这仍然远低于中国的芯片需求，预计届时中国的芯片需求将达到276亿美元。需求与供给差距过大，晶圆短缺的现状在短期内不会得到多大的缓解。
「晶圆」乃是指矽半导体积体电路制作所用之矽晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆；在矽晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之ic产品。「晶圆」的原始材料是「矽」,地壳表面有着取之不尽用之不竭的二氧化矽,二氧化矽矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶矽,其纯度高达 0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶矽融解,再于融液内掺入一小粒的矽晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成 圆柱状的单晶矽晶棒,由于矽晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的矽原料中逐渐生成,此过程称为「长晶」,矽晶棒再经过研磨、抛光、切片后,即成为积体电路工厂的基本原料----矽晶圆片,这就是「晶圆」。国内自1997年起已有厂家生产八英寸(200mm)晶圆片,未来将会生产十二寸晶圆。「晶圆」的制造是整个电子资讯产业中最上游的部份,「晶圆」产业的发展优劣,直接影响半导体工业,也可从中观察出整个资讯产业的发展趋势。
半导体行业专业知识-wafer知识
半导体行业专业知识 - Wafer 知识在半导体行业中，晶圆（Wafer）是一种重要的概念。
晶圆是半导体工厂生产芯片的基础，它通过光刻技术在上面刻出芯片上的电路和电子元器件。
本文将介绍一些关于晶圆的基础知识，以及与晶圆相关的工艺流程。
晶圆的基础知识晶圆又被称为衬底，它是由单晶硅材料制成，并且表面非常平整。
在制造晶圆时，首先需要采用化学气相沉积等技术将硅石及硅片中的多晶硅转化为单晶硅，然后通过超细磨片技术将硅块加工成薄而平整的圆盘，这就是晶圆。
晶圆的尺寸通常是指直径，主要有6英寸、8英寸、12英寸等几种规格，现在逐渐向更大的尺寸发展，如14英寸、18英寸等。
硅晶圆的制造工艺中还要注意晶圆表面的净化、去除有机污染物、消除缺陷等问题，以保证芯片的质量。
晶圆与半导体工艺晶圆在半导体工艺中起着至关重要的作用，通过晶圆衬底上的光阻和掩膜，施加光照、刻蚀等工艺，形成电路和元器件。
晶圆工艺的步骤如下：前处理前处理是指在晶圆上形成光阻和其他掩膜准备工作。
这个过程主要分为清洗、干燥、回流、涂敷、曝光等步骤，这些过程保证了晶圆表面的平整和光阻的黏附性，以及涂敷的厚度和误差。
离子注入离子注入通常是指将外界材料掺入晶圆内部，以改变晶圆中的电子元器件的性质。
这个过程中要注意注入能量、保证注入的均匀性等问题。
薄膜沉积薄膜沉积是指在晶圆表面上沉积一层新的材料，如金属、氧化物，以增加芯片的实用性。
这个过程包括物理气相沉积、化学气相沉积等技术。
集成电路制造集成电路的制造是指将电子器件和电路的制造过程，与晶圆上的光阻和掩膜相结合，对晶圆表面进行刻蚀、沉积等工艺，最终制成电子元器件。
本文简单介绍了晶圆在半导体工艺中的重要作用，以及晶圆的基础知识和工艺流程。
虽然前沿技术的发展迅速，但是晶圆作为半导体工厂的基础，仍然是半导体行业中至关重要的一环。
半导体制造的常用名词
半导体制造的常用名词发表于: 2007-5-07 17:10 作者: luhaoxinglhx 来源: 半导体技术天地Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.晶锭- 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer.激光散射- 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.层- 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.光刻- 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.局部光散射- 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.批次- 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
fab晶圆厂常用半导体术语
fab晶圆厂常用半导体术语【最新版】目录1.晶圆厂与半导体的关系2.常用半导体术语概述3.详细解释常用半导体术语正文晶圆厂是半导体制造中的一个重要环节，它负责将设计好的半导体芯片生产出来。
半导体行业有很多专业术语，对于非专业人士来说可能比较难以理解。
这里，我们将详细介绍一些常用的半导体术语，以便大家更好地了解半导体制造过程。
首先，让我们了解一下晶圆厂与半导体的关系。
晶圆厂的主要任务是将半导体材料制成芯片，而半导体材料具有特殊的电导率特性，可以实现电子器件的微型化。
因此，半导体是晶圆厂生产的芯片的主要成分。
在半导体制造过程中，有很多专业术语，下面我们将详细解释一些常用的半导体术语。
1.晶圆（Wafer）：晶圆是半导体制造的基本单位，通常由硅单晶制成。
晶圆的表面被清洗干净，以便在上面制造半导体器件。
晶圆在半导体制造过程中具有非常重要的地位，因为所有的半导体器件都是在晶圆上制造的。
2.光刻（Lithography）：光刻是半导体制造中的一种重要工艺，它通过将光敏树脂涂在晶圆上，然后将其暴露在特定波长的光下，从而在晶圆上形成所需的图案。
这个过程可以重复多次，以制造出复杂的半导体结构。
3.刻蚀（Etching）：刻蚀是半导体制造中另一种重要的工艺，它通过化学或物理方法将晶圆表面的材料去除，以形成所需的形状和结构。
刻蚀通常与光刻结合使用，以制造出复杂的半导体器件。
4.掺杂（Doping）：掺杂是半导体制造中的一种工艺，通过向半导体材料中添加特定的杂质元素，可以改变半导体的电导率。
掺杂分为 n 型掺杂和 p 型掺杂，分别用于制造 n 型半导体和 p 型半导体。
5.氧化（Oxidation）：氧化是半导体制造中的一种工艺，通过在半导体表面形成一层氧化物，可以提高半导体的稳定性和可靠性。
氧化层通常用于制造 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）等半导体器件。
6.金属化（Metallization）：金属化是半导体制造中的一种工艺，通过在半导体表面形成一层金属导电层，可以实现半导体器件的电连接。
芯片制造之揭秘晶圆制造详解
芯片是当代最伟大的发明之一。
如果没有芯片的出现，很难想象当前的电子时代会是什么样子。
正是因为芯片的发明，所有的功能才得以浓缩在一个小小的芯片中。
芯片是集成电路的载体，它从晶圆上切割而来，通常是计算机或其他电子设备的重要组成部分。
以晶圆为基础，通过层层叠加，就可以完成想要的形状（即各种类型的芯片），而作为半导体产业的基础，晶圆是集成电路的基础载体，因此晶圆的重要性不言而喻。
本文着重讲解晶圆的生产以及发展现状。
1、什么是晶圆在现代技术的领域中，半导体晶圆作为集成电路和电子设备的基础构建模块，已经彻底改变了我们的生活。
晶圆是由纯硅（Si）制成的。
它通常分为6英寸、8英寸和12英寸等不同规格。
芯片厂购买晶圆，用来制造NAND 闪存和DRAM晶圆。
由于每家公司使用的纳米技术不同，生产的NAND闪存芯片在性能、成本等方面存在差异。
制造成为NAND闪存晶圆后，晶圆会被切割成一个个独立的晶片，专业术语称为Die(裸晶)。
这些微小的、平坦的硅片承载着令人瞩目的历史，其历史可以追溯到20世纪中期。
1.1、早期岁月：半导体晶圆的诞生半导体晶圆的历史始于20世纪60年代初，但其起源可以追溯到几十年前。
半导体的基础工作在20世纪30年代和40年代奠定，当时像朱利叶斯·利利内夫尔德、约翰·巴丁和沃尔特·布拉坦等研究人员开发了场效应晶体管（FET）和点接触晶体管，这标志着固体电子学的第一步。
直到20世纪60年代初，半导体晶圆的概念才真正成型。
像德州仪器、英特尔这样的公司对晶圆作为制造集成电路（ICs）的理想衬底的发展和商业化起到了关键作用。
硅，这种在沙子中发现的丰富元素，由于其半导体性质，被证明是半导体晶圆的理想材料。
最早的晶圆相对较小，直径大约为1英寸（2.54厘米）。
然而，随着对更复杂、更强大的电子设备的需求增长，晶圆的尺寸也必须随之增长。
在20世纪60年代末和70年代初，行业从1英寸晶圆过渡到更大的尺寸，如2英寸（5.08厘米）和3英寸（7.62厘米）。
半导体制造技术的一些名词含义!
晶圆（Wafer）晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。
一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。
一支85公分长，重76.6公斤的8吋硅晶棒，约需2天半时间长成。
经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。
光学显影光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。
光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。
小尺寸之显像分辨率，更在IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。
由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。
因此俗称此区为黄光区。
干式蚀刻技术在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。
干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。
电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。
首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。
此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。
晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。
芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。
基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行：1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。
如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。
2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。
化学气相沉积技术化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。
晶圆详细资料大全
晶圆详细资料大全晶圆是指矽半导体积体电路制作所用的矽晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在矽晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的积体电路产品。
晶圆的原始材料是矽，而地壳表面有用之不竭的二氧化矽。
二氧化矽矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶矽，其纯度高达99.999999999%。
基本介绍•中文名：晶圆•外文名：Wafer•本质：矽晶片•纯度：99.999999999%制造过程,基本原料,制造工艺,表面清洗,初次氧化,热CVD,热处理,除氮化矽,离子注入,专业术语,制造过程晶圆是制造半导体晶片的基本材料，半导体积体电路最主要的原料是矽，因此对应的就是矽晶圆。
矽在自然界中以矽酸盐或二氧化矽的形式广泛存在于岩石、砂砾中，矽晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：矽提炼及提纯、单晶矽生长、晶圆成型。
首先是矽提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000 ℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化矽进行化学反应（碳与氧结合，剩下矽），得到纯度约为98%的纯矽，又称作冶金级矽，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级矽进行进一步提纯：将粉碎的冶金级矽与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的矽烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶矽，其纯度高达99.999999999%，成为电子级矽。
接下来是单晶矽生长，最常用的方法叫直拉法（CZ法）。
如下图所示，高纯度的多晶矽放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约1400 ℃，炉中的气体通常是惰性气体，使多晶矽熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。
为了形成单晶矽，还需要控制晶体的方向：坩埚带着多晶矽熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由矽熔化物中向上拉出。
熔化的多晶矽会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。
fab晶圆厂常用半导体术语
fab晶圆厂常用半导体术语半导体技术是现代电子产业的基石，而晶圆厂作为半导体制造的核心环节，扮演着重要的角色。
在晶圆厂中，有许多常用的半导体术语，下面就来介绍一些生动、全面、有指导意义的术语。
1. 晶圆（Wafer）：指的是半导体的基础材料，一般由硅单晶片制成，具有圆形的形状。
晶圆在半导体制造过程中承载着电子元件的制造和集成。
2. 工艺流程（Process Flow）：是指半导体制造过程中的一系列工序，包括沉积、蚀刻、光刻、扩散、离子注入等。
不同的工艺流程能够实现不同的电子元件功能。
3. 晶圆复用（Wafer Reclaim）：指的是将已经使用过的晶圆进行清洗、抛光，去除表面污染和损伤，以便重新利用的过程。
晶圆复用可以节省成本和资源。
4. 掩膜（Mask）：用于光刻工艺中的模板，上面有电子元件的结构图案。
通过光刻，将掩膜上的图案转移到晶圆上，形成电路和器件。
5. 纯化（Purification）：指的是制造高纯度硅晶圆的过程。
高纯度硅晶圆的纯度要求非常高，能够确保半导体元件的性能和可靠性。
6. 掺杂（Doping）：是向半导体材料中加入杂质原子的过程，目的是改变材料的电导性质。
通过掺杂，可以形成p型和n型半导体，实现电子元件的特定功能。
7. 脱膜（Etching）：是指在蚀刻工艺过程中，将晶圆上特定区域的材料蚀刻掉，形成所需的结构图案。
脱膜可以通过化学液体或物理力量实现。
8. 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）：是一种常用的沉积工艺，通过在加热的晶圆表面，使气体中的化学物质反应并沉积在晶圆上。
CVD可以用来制造薄膜材料和气体反应器。
9. 电测（Electrical Testing）：是指对晶圆上制造的电子元件进行功能和性能测试的过程。
通过电测，可以判断半导体元件是否符合规格要求。
10. 包装封装（Packaging）：对制造好的半导体芯片进行包装和封装，以保护芯片并提供外部连接。
晶圆制造定义
晶圆制造定义晶圆制造是指在半导体制造过程中，将硅片加工成可用于集成电路的晶圆的过程。
晶圆制造是半导体工业中至关重要的一环，它涉及到多个工序和技术，包括硅片生长、切割、抛光、清洗、掺杂、蚀刻、沉积、光刻等。
本文将从晶圆制造的基本流程、关键工艺和发展趋势等方面进行阐述。
晶圆制造的基本流程可以分为六个主要步骤：硅片生长、切割、抛光、清洗、掺杂和光刻。
首先，硅片生长是指通过化学气相沉积或单晶生长炉等设备，在高温下将纯度较高的硅材料生长成单晶硅片。
接下来，将生长得到的硅片进行切割，得到薄片状的硅片，通常厚度在几百微米到几毫米之间。
然后，对切割得到的硅片进行抛光，以去除表面缺陷和不平整。
随后，对抛光后的硅片进行清洗，以去除表面的杂质和残留物。
清洗完毕后，通过掺杂工艺对硅片进行掺杂，将杂质引入硅片中，改变硅片的电学性质。
最后，利用光刻技术，在硅片表面形成所需的图案。
晶圆制造中的关键工艺包括蚀刻、沉积和光刻。
蚀刻是指利用化学反应或物理作用，将硅片上某些区域的材料去除，以形成所需的结构。
沉积是指将特定材料沉积在硅片表面，用于形成电路中的导线、绝缘层等。
光刻是指利用光敏感材料和光刻胶，通过曝光和显影等过程，在硅片表面形成所需的图案。
晶圆制造技术的发展趋势主要体现在以下几个方面。
首先，晶圆直径逐渐增大。
目前，主流的晶圆直径已经从8英寸发展到12英寸，并有望进一步增大。
其次，晶圆制造工艺逐渐向纳米级别发展。
随着集成电路的不断发展，对晶圆制造工艺的要求越来越高，需要实现更高的分辨率和更小的器件尺寸。
此外，晶圆制造过程中的自动化程度也在不断提高，以提高生产效率和降低成本。
总结起来，晶圆制造是半导体工业中不可或缺的一环，它涉及到多个工序和技术，包括硅片生长、切割、抛光、清洗、掺杂、蚀刻、沉积、光刻等。
晶圆制造的基本流程和关键工艺决定了集成电路的性能和质量。
随着集成电路的发展，晶圆制造技术也在不断创新和进步，以满足市场的需求。
晶圆详细介绍
目录1.01晶圆2.01制造过程3.01着名晶圆厂商4.01制造工艺4.02表面清洗4.03初次氧化4.04热CVD4.05热处理4.06除氮化硅4.07离子注入4.08退火处理4.09去除氮化硅层4.10去除SIO2层4.11干法氧化法4.12湿法氧化4.13氧化4.14形成源漏极4.15沉积4.16沉积掺杂硼磷的氧化层4.17深处理5.01专业术语1.01晶圆晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。
晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。
一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
2.01制造过程“长晶”。
硅晶棒再经过切片、研磨、抛光后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
很简单的说，单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过切片、抛光之后，就成为了晶圆。
晶圆经多次光掩模处理，其中每一次的步骤包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、渗透、植入、刻蚀或蒸着等等，将其光掩模上的电路复制到层层晶圆上，制成具有多层线路与元件的IC晶圆，再交由后段的测试、切割、封装厂，以制成实体的集成电路成品，从晶圆要加工成为产品需要专业精细的分工。
3.01着名晶圆厂商只制造硅晶圆基片的厂商例如合晶（台湾股票代号：6182）、中美晶（台湾股票代号：5483）、信越化学等。
晶圆制造厂着名晶圆代工厂有台积电、联华电子、格罗方德（Global Fundries）及中芯国际等。
英特尔（Intel）等公司则自行设计并制造自己的IC晶圆直至完成并行销其产品。
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Capacity
Product mix .Total Frequency
Yield .FAB Yield 97% .Photo Rework rate 95%
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第二章 生产与生产管理系统
——生产指标定义及管控
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index
生产的概念 生产管理系统与生产指标 CVP /OTD& CT 定义 CVP/CT管控 CT、output与WIP、Capacity的关系及管控 OEE
Index
➢ 半导体工厂基础生产名词
① 生产流通名次 ② 产能相关的名词 ③ Capacity计算原理 ④ 产能的影响因素
➢ 生产与生产管理系统——生产指标的定义及管控
① 生产的概念 ② 生产管理系统及生产指标 ③ CVP/OTD& CT的定义 ④ CVP/CT的管控 ⑤ CT、output与WIP、Capacity的关系 ⑥ OEE ⑦ 优先级 ⑧ yield
Qn：某一时期内菜单n的数量 SPTn:菜单n的SPT
加权平均WPH=
Batch 加权平均SPT
设备组Capacity = 加权平均WPH*24*OEE*设备台数*天数
设备组Loading =
Q1+Q2+……Qn 设备组Capacity
Loading最高的设备组为工厂的瓶颈设备组。 FAB Capacity一般用光刻层数（layer数）表示。
MOVE 有效MOVE：在线(不含customer hold)圆片中产出标记不为P和FILLER的圆片产生的
MOVE Stage：同一制程目的的step合起来称为一个stage; Turn ratio ：周转率，Move与WIP的比值，衡量流通速度的指标。 =Move / WIP REPSTAGE ：基本按光刻层次划分，一层光刻表示一个 REPSTAGE，部分特殊。 WAIT TIME:指当前步骤前等待时间,不含HOLD HOLD TIME:最近一次发生HOLD后的时间 FAB OUT：入B-ship的外部订单数量。 流程单：也称RUN CARD。
投入
人力 物料 设备 技术 信息 知识 能源 土地 厂房
顾客或用户参与
增值变换
（工艺过程或执行步骤）
信息收集与反馈
产出
产品 服务
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2.1生产管理系统
生产管理：对生产运作过程进行计划、组织、指挥、协调、控制和考核的一系列管理活动。
对生产管理活动按职能分类：
现场管理： 最大限度地激活人、物、设备的作用，在每道工序保证完美质量的前提下 追求高效率化
记录圆片的加工步骤和要求，在流片过程中要严格遵循流程单上的工艺步骤和要求
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1.2产能相关名词
SOP：Standard Operation Procedure---标准操作程序 SPT：standard process time，在适宜的操作条件下，采用标准操作方法，以普通熟练
工人的正常速度完成标准作业所需的时间。一般指作业一个Batch需要的时间。 BATCH:一次生产量，一次操作所生产的数量，设备每个RUN的圆片数量。 WPH： wafer per hour,机台每小时之圆片产出量。用来衡量设备的产出速率
狭义生产管理： 为了达到按用户要求，采用合适、不浪费、经济的方式，生产已开发、设 计的产品并提供给用户这一目的所做的各项计划、管理工作。
工程技术管理：
为了完成效率良好的Q、D、C而进行的产品设计、工程设计 和生产设备管 理
生产管理 现场管理 工程技术管理 任务
生产管理的任务与目标：实现企业的总体经营目标 Q－Quality（质量），D－Delivery（进度），C－Cost（成本） 保证与提高质量；适时适量将产品投放市场；降低产品成本。 D－Delivery（进度）：包含产量、速度两层含义。 生产运作管理的作用与意义： 生产运作过程是企业创造价值与利润的主要环节； 生产运作管理是企业经营的基本职能； 生产运作管理是企业增强竟争力的源泉。
FAB Capacຫໍສະໝຸດ ty=总光刻层数 瓶颈设备组Loading
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1.4 Capacity_影响产能的因素
Process Type . Recipe; (SPT,WPH) . Frequency
Equipment . Uptime . Available . Set . Efficiency
F(x)
优先级系统
Yield
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1.1生产的概念
生产定义： 狭义：投入一定的资源，经过一系列、多种形式的变换，使其价值增值，最后产出消费产品的过程 广义：系统论的发展使人们能够 从更抽象、更高的角度来认识和把握各种现象的共性，把有形产品的生产过程和无形产
品服务的提供过程都看作一种“投入→变换→产出”的过程，作为一种具有共性的问题来研究
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2.2生产管理系统与生产指标
生产管理系统
…… 生产计划 生产控制 成本物料管理 产能管理 ……
优先级系统
生
现
产
场
管
管
理
理
PDCA
工
作
标 准 化
循 环 管
理
模
式
工
程
技
术 管
OEE
理
指标： OTD/CVP CT OUTPUT Yield
实践活动
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3.1 OTD/CVP&CT 定义
OTD：准时交货率(On Time Deliver )
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第一章 半导体厂基础生产类名词
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1.1生产流通名词
WIP：在制品，wafer in process的缩写 Effective WIP: 在线(不含customer hold)圆片中产出标记不为P和FILLER的圆片 BUFFER: 某设备大类前等待加工产品的数量,不含RUN的产品(不含HOLD) MOVE：圆片的制程步骤移动数量，一个圆片在PROMIS流程中每移动一步为一个
CVP：定单数量的准时交付（入库）率(Confirm Volume Performance)
CVP=实际准时入库数量/定单要求入库数量*100%
WPH=BATCH/SPT
Capacity:产能，设备目标OEE条件下按照SPT计算单位时间内的理论产出数量 Capacity/day =WPH*24*OEE target
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1.3 Capacity_计算原理
Q1* SPT1+Q2*SPT2+……Qn*SPTn
加权平均SPT =
Q1+Q2+……Qn