清华大学《数字集成电路设计》周润德 第7章 数据通路 乘法器
清华数字电路教材

《清华数字电路教材:从基础到实践的全面指南》《数字电路与逻辑设计》是清华大学电子工程系本科生的基础教材,全书分为11章,包括逻辑代数基础、门电路、组合逻辑电路、触发器、时序逻辑电路、脉冲波形的产生与整形等章节,该书全面系统地介绍了数字电路的基本概念、逻辑设计和系统设计的方法,同时也介绍了相关的新技术和新方法,如硬件描述语言、可编程逻辑器件等。
数字电路与逻辑设计是电子工程和计算机科学的一门基础课程,它涉及到数字电路的基本概念、逻辑设计和系统设计的方法。
通过学习本课程,学生可以掌握数字电路的基本原理和设计方法,学会使用数字电路进行逻辑控制和数据处理的应用,为进一步学习计算机组成原理、微机原理与接口技术等后续课程打下基础。
清华大学出版社出版的《数字电路与逻辑设计》作为电子工程系本科生的基础教材,旨在培养学生的数字逻辑设计能力、分析问题和解决问题的能力。
该书具有以下特点:系统性:全书分为11章,按照数字电路的基本原理和应用逐步展开,从基本概念到系统设计的方法,全面介绍了数字电路的各个方面。
实用性:书中结合大量的实例和应用实例,让学生在实际操作中掌握数字电路的设计方法和技巧。
同时,书中也介绍了新技术和新方法,如硬件描述语言、可编程逻辑器件等,使教材更加实用。
通俗易懂:该书语言通俗易懂,尽量避免了枯燥的理论和数学推导,用简洁的语言描述了数字电路的基本原理和设计方法。
注重实验:书中注重实验和实践环节,通过实验帮助学生理解数字电路的基本原理和应用。
同时,实验也可以帮助学生掌握数字电路的实验技能和技巧。
总之,《数字电路与逻辑设计》是一本全面介绍数字电路基本原理和设计的教材,适用于电子工程、计算机科学、通信工程等专业的本科生使用。
通过学习本教材,学生可以掌握数字电路的基本概念、逻辑设计和系统设计的方法,为进一步学习和应用打下基础。
此外,《数字电路与逻辑设计》还配备了丰富的习题和实验内容,有助于学生巩固所学知识并提高实践能力。
[精品]数字集成电路分析与设计教学大纲.doc
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数字集成电路分析与设计一、课程基本情况课程编号40260103开课单位微纳电子学系课程名称中文名称数字集成电路分析与设计英文名称Digital Integrated Circuit Analysis and Design教学目的与重点教学目的:1)让学生掌握数字集成电路的工作原理与分析方法2)让学生掌握数字集成电路与系统的设计流程和基本方法3)培养学生实际设计数字集成电路与系统的能力教学重点:1) CMOS反相器的特性,数字集成电路分析与设计的关键问题2)组合逻辑链的性能优化3)互连线的延时模型与分析4)同步时序电路的分析和设计5)数据通路运算单元的分析与设计6)存储器的工作原理的理解与分析课程负责人刘雷波吴行军课程类型□文化素质课□公共基础课□学科基础课□专业基础课■专业课□其它教学方式■讲授为主□实验/实践为主□专题讨论为主□案例教学为主□自学为主□其它授课语言■中文口中文+英文(英文授课>50%)□英文□其他外语学分学时学分 3 总学时48考核方式及成绩评定标准作业:15%,课程设计:15%,期中考试(闭卷):30%,期末考试(闭卷):40%教材及主要参考书中文外文教材数字集成电路一电路、系统与设计(第二版),JanM.Rabaey等著,周润德等译,电子工业出版社。
Jan M. Rabaey etc. “Digital Integrated Circuits , A Design Perspective (Second Edition)", Prentice Hall , 2003.主要参考书CMOS数字集成电路一分析与设计(第3版),Sung-Mo Kang等著,王志功等译,清华大学出版社(影Sung-Mo Kang, Yusuf Leblebici,"CMOS Digital IntegratedCircuits-Analysis and Design(ThirdEdition)".三、课程主要教学内容9.4高级互连技术9. 5综述9.6总结第10章存储器(6学时)(教材第12章)10.1分类10.2结构10.3内核--- 存储单元和阵列10.4外围电路10.5可靠性10.6总结。
清华大学《数字集成电路设计》周润德 第5章 CMOS反相器

第五章 CMOS 反相器 第一节 对逻辑门的基本要求(1)鲁棒性(用静态或稳态行为来表示)静态特性常常用电压传输特性(VTC)来表示(即输出与输入的关系), 传输特性上具有一些重要的特征点。
逻辑门的功能会因制造过程的差异而偏离设计的期望值。
V(y) 电压传输特性(直流工作特性)VOH fV(y)=V(x)VM开关阈值VOL VOL VOHVOH = f(VOL) VOL = f(VOH) VM = f(VM)V(x)额定电平2004-9-29 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第5章第1页(2)噪声容限:芯片内外的噪声会使电路的响应偏离设计的期望值 (电感、电容耦合,电源与地线的噪声)。
一个门对于噪声的敏感程度由噪声容限表示。
可靠性―数字集成电路中的噪声v(t) i(t)V DD电感耦合电容耦合电源线与地线噪声噪声来源: (1)串扰 (2)电源与地线噪声 (3)干扰 (4)失调 应当区分: (1)固定噪声源 (2)比例噪声源 浮空节点比由低阻抗电压源驱动的节点更易受干扰 设计时总的噪声容限分配给所预见的噪声源2004-9-29 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第5章第2页噪声容限(Noise Margin)V“1” V OH V IHout OH 斜率 = -1V不确定区 斜率 = -1ILV “0” VVOLOL V IL V IH V in2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第3页噪声容限定义"1"噪声容限(Noise Margin) 容许噪声的限度V IH高电平 噪声容限VOHNM H未定义区 低电平 噪声容限V OL "0" NM L V IL抗噪声能力(Noise Immunity) 抑止噪声的能力门输出门输入2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第4页理想逻辑门V outg=∞Ri = ∞ Ro = 0 Fanout = ∞ NMH = NML = VDD/2V in2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第5页早期的逻辑门5.0 4.0 3.0 2.0 VM 1.0 NM H NM L0.01.02.03.0 V in (V)4.05.02004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第6页(3) “再生”特性:逻辑门的“再生”特性使被干扰的信号能恢复到名义 的逻辑电平。
清华大学数字大规模集成电路02-VLSI特征尺寸缩小

每芯片上元件数的增长趋势t p decreases by 13%/year 50% every 5 years!工艺特征尺寸缩小(3)门延时的减小趋势第一节器件的尺寸缩小W, L 缩小:VLSI 技术的基础恒场律(全比例缩小):理想模型,尺寸和电压按同一比例缩小恒压律至今仍是最普遍的模型,仅尺寸缩小,电压保存不变一般化对今天最实用,尺寸和电压按不同比例缩小(一)恒场律(CE 律)(1)原理:1.所有尺寸(纵,横,垂直)均÷S2.器件的(电源)电压÷S3.衬底浓度×S延时(ns )沟道长度MOS 沟道长度(um )电源与阈值电压(V )栅氧厚度(n m )栅氧电源阈值降低电源电压与阈值电压器件特征尺寸缩小(长沟道器件)器件特征尺寸缩小(速度饱和器件)( 3 ) CE 律的优点与缺点:优点:1. 集成密度提高了倍2. 电路优值减小了倍未改善: 功率密度未改善问题: 1. 电流密度增加倍2.小使抗干扰差, 次开启漏电流增加3. 电源电压标准改变带来不便4. 源漏耗尽层宽度不按比例缩小S 2S 3S V TH(二) 恒压律:( 1 ) 原理:V DD1. 保持常数2. 所有尺寸( , , )W L t OX S÷S23. 衬底浓度提高倍( 3 ) 恒压律的优点与缺点:问题: 1. 电流密度增加倍2. 功耗增加倍3. 功率密度增加倍4. 沟道内电场增加倍5. 衬底浓度的增加使PN 结寄生电容增加, 速度下降S 3S S 3S S 2S 优点: 1. 电源电压不变2. 集成密度提高倍3. 电路优值减小倍( 2 ) 一般化尺寸缩小(电源电压不随尺寸缩小比例降低)时的限制因素:1。
受限于长期使用的可靠性2。
受限于载流子的极限速度3。
受限于功耗(1)功耗和功率密度(2)漏电(3)可靠性(击穿、热电子)(4)工艺偏差(5)成本(6)集成度、速度、功耗之间的综合考虑什么原因会使尺寸缩小规律不再成立?何时这些规律不再成立?尺寸缩小的步伐是否会逐渐减慢?第二节互连线的尺寸缩小互连线对性能与功耗的影响越来越大互连线的电阻互连线的电容互连线长度的统计分布连线分布密度连线长度第三节面向高性能和低功耗的CMOS 器件尺寸缩小(一)根据器件尺寸,在“性能”和“可靠性”之间折中选择电源电压。
清华大学《数字集成电路设计》周润德 第4章 互连线

V = V inc (1 + ρ )
I = I inc (1 − ρ )
2004-9-22
清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德
第 4 章 第 27 页
源电阻 > 特征阻抗 源电阻 < 特征阻抗
无损传输线的瞬态响应
源电阻 = 特征阻抗
2004-9-22
源电阻 < 特征阻抗 有限的上升斜率
清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德
第 4 章 第 23 页
考虑连线RC延时的准则
• 当连线的 RC 延时与驱动门的延时相比较大,即:
(tpRC >> tpgate )时需要考虑连线的 RC 延时。
需要考虑RC延时的连线临界长度为:
Lcrit >> √ tpgate/0.38 rc
• 当连线输入端信号的上升或下降时间小于连线的上升或下
一般制造商会提供每层的面电容和周边电容。 实际设计时,可以查表或查图。
考虑性能时,电容的计算:
1。要用制造后的实际尺寸, 2。考虑延迟或动态功耗时, 一般用 最坏情况
(最大宽度W ,最薄介质) 3。考虑竞争情况时用最小宽度W 及最厚介质。
2004-9-22
清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德
1.75
导线层
Poly
Al1
Al2
Al3
Al4
Al5
电容
40
95
85
85
85
115
2004-9-22
清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德
第 4 章 第 11 页
导线电容 (0.25 µm CMOS)
清华大学 微机原理课件 CPU设计ALU

ALU电路设计
(2)移位器
采用2:1多路选择器构造的8位右移位器
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 S2 S1 S0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0 R7
1
0 R6
1 R5
0
1 R4
0
1 R3
0
1 R2
0
1 R1
0
1 R0
0
MSB的输入如何? 32位移位器需要多少级?
CPU逻辑设计
—— ALU电路设计
1
MIPS对ALU的需求
Add, AddU, Sub, SubU, AddI, AddIU =>带溢出检测和反向器的补码加法器 SltI, SltIU(Set Less than) =>带反向器的补码加法器,检测结果的符号 And, Or, AndI, OrI =>逻辑或、逻辑与
B12 B11 B10 B9
B11 B10 B9 B8
B6 B5 B4 B3
B5 B4 B3 B2
B4
B3 B2
B1
B3
B2 B1
B0 S1 S0
3
2
1 0
3
2
1 0
3
2
1 0
3
2
1 0
3
2
1 0
3
2
1 0
3
2
清华大学《数字集成电路设计》周润德 第8章 时序电路

LOGIC对扰动不敏感(2)Register寄存器为存放二进制数据的器件,通常由Latch 构成。
一般地,寄存器为边沿触发。
(3)flip-flops(触发器)任何由交叉耦合的门形成的双稳电路Register 时序参数D Q Clk T Clk D tsu Q tc-q thold注意:数据的上升和下降时间不同时,延时将不同。
2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 11 页Latch 时序参数Latch 的时序( Timing )参数还要考虑tD 2 D Q DQtD-qQClkClktC 2QtC 2Q寄存器(Register)2004-12-1锁存器(Latch)第 8 章 (1) 第 12 页清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德Latch 时序参数D Q Clk正电平 Latch 时钟负边沿T Clk D tc-q PWm thold td-q tsuQ注意:数据的上升和下降时间不同时,延时将不同。
2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 13 页最高时钟频率φ FF’s LOGIC tp,comb最高时钟频率需要满足:tclk-Q + tplogic+ tsetup < T =但同时需要满足:其中tplogic = tp,comb (max) tcd:污染延时(contamination delay) = 最小延时(minimum delay)第 8 章 (1) 第 14 页tcdreg + tcdlogic > thold =2004-12-1其中清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德研究不同时刻 (t1, t2)FF1φ (t1) LOGIC t p,combφ (t2)CLKt1tsu D tholdFF1 输入数据 应保持稳定t tsuF F2t2holdtFF2 输入数据 应保持稳定tclk-q QFF1 输出数据 经组合逻辑到达 t 已达稳定 寄存器输入端tclk-Qtp,comb (max)tsetup因此要求:tclk-Q + tp,comb (max) + tsetup < T =2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 15 页研究同一时刻 (t1)t1 时FF1φ (t1) LOGIC FF1 t p,combt1 时FF2输入数据(2)φ (t1)输入数据(1)tclk-q QFF1 输出数据 已达稳定经组合逻辑已 到达FF2 输入端破坏了本应保 持的数据(2)tt1tcdregtcdlogicholdsuD输入数据(2)应保持稳定至 t1F F2t因此要求 := tcd: 污染延时(contamination delay) = 最小延时(minimum delay)2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 16 页tcdreg + tcdlogic > thold写入(触发)静态 Latch 的方法:以时钟作为隔离信号, 它区分了“透明” (transparent )和“不透明” (opaque)状态CLKCLKQ CLKD CLKDD弱反相器CLKMUX 实现弱反相器实现(强制写入)(控制门可仅用NMOS实现)2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德第 8 章 (1) 第 17 页Latch 的具体实现基于Mux 的 Latch负(电平) latch (CLK= 0 时透明) 正(电平) latch (CLK= 1 时透明)1 D 0Q D0 1QCLKCLKQ = Clk ⋅ Q + Clk ⋅ In2004-12-1Q = Clk ⋅ Q + Clk ⋅ In第 8 章 (1) 第 18 页清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德基于(传输门实现的) Mux 的 LatchCLKQ CLK DCLK(1)尺寸设计容易 (2)晶体管数目多(时钟负载因而功耗大)2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 19 页基于(传输管实现)Mux 的 Latch(仅NMOS 实现)CLK QM QM CLK CLKCLK仅NMOS 实现不重叠时钟 (Non-overlapping clocks)(1)仅NMOS 实现,电路简单,减少了时钟负载 (2)有电压阈值损失(影响噪声容限和性能,可能引起静态功耗)2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 20 页Q单元形式的Latch采用串联电压开关逻辑(CVSL)QNon-overlap时间过长,存储在动态节点上的电荷会泄漏掉(故称伪静态)低电压静态Latch双边沿触发寄存器RS Latch?动态Latch 和Register(1)比静态Latch和Register 简单(2)基于在寄生电容上存储电荷,由于漏电需要周期刷新(或经常更新数据)(3)不破坏的读信息:因此需要输入高阻抗的器件传输门构成的动态边沿触发寄存器(只需8 个晶体管,节省功耗和提高性能,甚至可只用NMOS 实现)动态节点。
清华大学《数字集成电路设计》周润德 第1章(课件)绪论

2004-9-15
清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德
第1章第3页
评分规则(Grading Policy)
(1)作业: 20%
第 4 周起,每周一次,一周完成,上课时交,迟交无效
(2)期中考试:20%
100
P6 Pentium ® proc
10
8086 286
486
386
8085
1
8080
8008
4004
0.1 1971
1974
1978 1985 年
1992
最先进微处理器的功耗持续增长
2000
资料来源: Intel
2004-9-15
清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德
第 1 章 第 21 页
2004-9-15
清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德
第 1 章 第 17 页
微处理器单个芯片尺寸的增长趋势
100
单个芯片尺寸 (mm)
P6
10
486 Pentium ® proc 386
8080
286 8086
8085
8008
4004
资料来源: Intel
1 1970
1980
1990 年
每1.96年翻一倍!
Pentium® III
Pentium® II
Pentium® Pro
Pentium® i486
i386
80286
10
1 1975
8086
1980
1985 1990
1995
2000
资料来源: Intel
清华课件时序电路

LOGIC对扰动不敏感(2)Register寄存器为存放二进制数据的器件,通常由Latch 构成。
一般地,寄存器为边沿触发。
(3)flip-flops(触发器)任何由交叉耦合的门形成的双稳电路Register 时序参数D Q Clk T Clk D tsu Q tc-q thold注意:数据的上升和下降时间不同时,延时将不同。
2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 11 页Latch 时序参数Latch 的时序( Timing )参数还要考虑tD 2 D Q DQtD-qQClk tC 2Clk tC 2QQ寄存器(Register)2004-12-1锁存器(Latch)第 8 章 (1) 第 12 页清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德Latch 时序参数D Q Clk正电平 Latch 时钟负边沿T Clk D tc-q PWm thold td-q tsuQ注意:数据的上升和下降时间不同时,延时将不同。
2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 13 页最高时钟频率φ FF’s LOGIC tp,comb最高时钟频率需要满足:tclk-Q + tplogic+ tsetup < = T但同时需要满足:其中tplogic = tp,comb (max) tcd:污染延时(contamination delay) = 最小延时(minimum delay)第 8 章 (1) 第 14 页tcdreg + tcdlogic > thold =2004-12-1其中清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德研究不同时刻 (t1, t2)FF1φ (t1) LOGIC t p,combφ (t2)CLKt1tsu D tholdFF1 输入数据 应保持稳定t tsuF F2t2holdtFF2 输入数据 应保持稳定tclk-q QFF1 输出数据 经组合逻辑到达 t 已达稳定 寄存器输入端tclk-Qtp,comb (max)tsetup因此要求:tclk-Q + tp,comb (max) + tsetup < =T2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 15 页研究同一时刻 (t1)t1 时FF1φ (t1) LOGIC FF1 t p,combt1 时FF2输入数据(2)φ (t1)输入数据(1)tclk-q QFF1 输出数据 已达稳定经组合逻辑已 到达FF2 输入端破坏了本应保 持的数据(2)tt1tcdregtcdlogicholdsuD输入数据(2)应保持稳定至 t1F F2t因此要求 :2004-12-1= tcd: 污染延时(contamination delay) = 最小延时(minimum delay)清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 16 页tcdreg + tcdlogic > thold写入(触发)静态 Latch 的方法:以时钟作为隔离信号, 它区分了“透明” (transparent )和“不透明” (opaque)状态CLKCLKQ CLKD CLKDD弱反相器CLKMUX 实现弱反相器实现(强制写入)(控制门可仅用NMOS实现)2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德第 8 章 (1) 第 17 页Latch 的具体实现基于Mux 的 Latch负(电平) latch (CLK= 0 时透明) 正(电平) latch (CLK= 1 时透明)1 D CLK 0Q D CLK0 1QQ = Clk ⋅ Q + Clk ⋅ In2004-12-1Q = Clk ⋅ Q + Clk ⋅ In第 8 章 (1) 第 18 页清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德基于(传输门实现的) Mux 的 LatchCLKQ CLK DCLK(1)尺寸设计容易 (2)晶体管数目多(时钟负载因而功耗大)2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 19 页基于(传输管实现)Mux 的 LatchCLK QM QM CLK CLK(仅NMOS 实现)CLK仅NMOS 实现不重叠时钟 (Non-overlapping clocks)(1)仅NMOS 实现,电路简单,减少了时钟负载 (2)有电压阈值损失(影响噪声容限和性能,可能引起静态功耗)2004-12-1清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第 8 章 (1) 第 20 页Q单元形式的Latch采用串联电压开关逻辑(CVSL)QNon-overlap时间过长,存储在动态节点上的电荷会泄漏掉(故称伪静态)低电压静态Latch双边沿触发寄存器RS Latch?动态Latch 和Register(1)比静态Latch和Register 简单(2)基于在寄生电容上存储电荷,由于漏电需要周期刷新(或经常更新数据)(3)不破坏的读信息:因此需要输入高阻抗的器件传输门构成的动态边沿触发寄存器(只需8 个晶体管,节省功耗和提高性能,甚至可只用NMOS 实现)动态节点正电平灵敏正沿触发==正沿负沿t DC > Wt SUt SUt DC >t SU=t DQ=t DQ。
乘法器vhdl课程设计

乘法器vhdl课程设计一、课程目标知识目标:1. 理解乘法器的原理及其在数字信号处理中的应用。
2. 掌握VHDL语言的基本语法和结构,能够使用VHDL进行简单的程序编写。
3. 学习并掌握利用VHDL设计乘法器的方法,理解其位运算和结构设计。
技能目标:1. 能够运用所学知识,独立设计并实现一个简单的乘法器VHDL程序。
2. 培养学生利用电子设计自动化(EDA)工具进行代码编写、仿真和测试的能力。
3. 提高学生的问题分析能力,学会使用VHDL解决实际的数字电路设计问题。
情感态度价值观目标:1. 培养学生对于电子信息和数字电路设计的兴趣,激发学生创新精神和探索欲望。
2. 增强团队合作意识,通过小组讨论和协作,提高学生之间的沟通能力和协作解决问题的能力。
3. 强化学生的工程伦理观念,了解所学技术在国家经济发展和国防建设中的重要性,树立正确的价值观。
本课程针对高年级电子信息工程及相关专业学生设计,结合学生已具备的基础知识和课程性质,以实践性和应用性为导向,旨在通过具体的乘法器VHDL课程设计,将理论知识与实践技能相结合,提升学生解决实际工程问题的能力。
通过本课程的学习,学生应能够展示出上述具体的学习成果。
二、教学内容1. 乘法器原理回顾:包括乘法器的基本工作原理,不同类型的乘法器结构对比,以及乘法器在数字信号处理中的应用。
- 相关教材章节:第三章“数字电路基础”,第5节“算术逻辑单元”。
2. VHDL语言基础:VHDL的基本语法,数据类型,信号与变量,运算符,顺序与并行语句,进程,实体和架构等。
- 相关教材章节:第五章“硬件描述语言VHDL”,第1-3节。
3. 乘法器的VHDL设计方法:- 位运算乘法器设计原理与实现。
- 流水线乘法器设计原理与实现。
- 相关教材章节:第五章“硬件描述语言VHDL”,第4节“VHDL设计实例”;第六章“数字信号处理器的硬件实现”,第2节“乘法器的硬件实现”。
4. EDA工具的应用:利用EDA工具进行VHDL代码的编写、编译、仿真和测试。
清华大学数字大规模集成电路06-组合逻辑1

PUNPDNINV不对称逻辑门(Skewing Gate)不同的上升和下降时间有利于H 至L 过渡有利于L至H过渡A B C A BCtp与扇入及扇出的关系与扇入的关系: 平方关系(因为电阻和电容同时增加)与扇出的关系: 每一个附加的扇出在C L上增加了两个(晶体管)栅电容。
t p= a1FI + a2FI2+ a3FO举例:多米诺CMOS中NMOS器件的尺寸逐渐减小减少电压摆幅使延时线性地下降同时也降低了功耗但下一级门必然会慢!或者要求在接收端采用“灵敏放大器”以恢复信号电平(如在存储器设计中)t pHL = 0.69 (3/4 (C L V DD )/ I DSATn )= 0.69 (3/4 (C L V swing )/ I DSATn )设计快速的复合门:(设计技术5)对偶拓扑,n 个输入端的门需要2n 个管;设计快,可综合,可实现所有的逻辑功能逻辑电平与器件的相对尺寸无关,即“无比逻辑”;从电源到地全摆幅,鲁棒性好、噪声容限大;(但它也会产生高的噪声)改变电源电压可提高噪声容限或降低功耗;稳态时总存在一条路径通向Vdd 或Gnd ;低输出阻抗;极高的输入电阻,稳态输入电流几乎为零;输入电容由PMOS 和NMOS 组成;稳态时在电源和地之间无直接通路;无静态功耗;传播延时与负载电容及晶体管的电阻有关;输出的上升下降时间不同,改变尺寸可调整开关阈值或晶体管电阻,可使上升下降时间接近;NAND 、NOR 门较快,MUX 、XOR 较慢 延时与扇出和扇入数有关:(FI > 4 时延时显著增加)互补CMOS 特点)(()(3221)FO FI FI a a a t p ++=优化性能不同层次的优化/选择:(1)选择工艺CMOS、双极型、BiCMOS、GaAs、超导(2)逻辑级优化逻辑深度、电路拓扑、扇出、门的复杂性(3)电路优化逻辑类型、晶体管尺寸(4)物理级优化实现选择、版图策略(5)布(连)线是关键逻辑级优化逻辑深度或技术:重组结构、流水线、重定时、工艺映射现已有很好的逻辑综合工具电路拓扑最迟到达技术:去除公共的子表达式可从树结构或输出端开始通过工艺映射优化性能不同的覆盖在关键路径上采用FI(Fan-in)少的模块与单元库的组成有关电路优化方法:将逻辑门(以及电路)模拟成R、C以及L的电路(网络)不同层次的模型:(1)仅器件的电阻(dc)(2)器件电阻和电容(低频)(3)器件电阻、器件电容、以及布线电容(中频)(4)器件电阻、器件电容、布线电容,以及布线电阻(高频)(5)器件电阻、器件电容、布线电容,布线电阻,以及布线电感(最高频率)逻辑链的速度优化确定逻辑链路径中各级的尺寸以优化路径速度一条逻辑路径的输入电容往往是确定的这条逻辑路径的末端必须驱动的电容也是确定的例如: 在Intel 微处理器中ALU 的负载为0.5pF问题:如何确定ALU 数据路径的尺寸来达到最快? 我们已经解决了反相器链情形时的这个问题,我们能否使之一般化把它推广到任何类型逻辑门的情形中?CL缓冲器的情形InOut CL 1 2 Nt p = 0.69 R eq (C int + C L ) = 0.69 R eq C int (1 + C L C int ) = ⎛ ⎞ ⎜1 + C L C gin ⎟ = t p 0 ⎛1 + f ⎞ ⎜ = 0.69 R eq C int ⎜ γ ⎟ ⎟ ⎜ C int C gin ⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠对于给定的 N: Ci+1/Ci = Ci/Ci-1 找到的 N: Ci+1/Ci ~ 4 问题:如何将此一般化到任何逻辑路径? 为此,我们引入 “逻辑努力”(Logic Effort)的方法2004-10-20清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第六章(1)第 31 页逻辑努力(Logical Effort) t p = t p 0 ⎛1 + f ⎞ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎝γ⎠可一般化为:gi ⋅ f i ⎞ ⎛ ⎟ Delay = ∑ ⎜ pi + ⎜ γ ⎟ i =1⎝ ⎠N以 将所有的时间归一化(归一至反相器的本征延时),即 tp0 为单位)p – 本征延时本征延时与门的类型有关,但它与门的尺寸(晶体管宽度)无关 g – 逻辑努力(logical effort ) 逻辑努力(Logical effort )是对于给定的负载,一个门的I输入电容和 与它具有相同输出电流的反相器的输入电容的比 逻辑努力与门的类型有关,但它与门的尺寸(晶体管宽度)无关 f – 等效扇出( fanout ): f = C L 对于反相器,有:ginv =1, pinv = 12004-10-20清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第六章(1)第 32 页C in又称为 “电气努力”逻辑门延时的组成(假设γ = 1)gi ⋅ f i ⎞ ⎛ ⎟ Delay = ∑ ⎜ pi + ⎜ γ ⎟ i =1⎝ ⎠N门的延时: d=p+h 本征延时 努力延时 h = g f 逻辑努力 电气努力= Cout / Cin“逻辑努力”与拓扑(逻辑类型)有关,但与具体尺寸无关 “电气努力” (即等效扇出)与 (负载电容/ 栅输入电容) 的比值有关2004-10-20清华大学微电子所《数字大规模集成电路》周润德第六章(1)第 33 页逻辑努力(Logical Effort)一个门的逻辑努力 g(Logical effort)是指:对给定 的负载,当加大这个门的尺寸使之能提供与反相器相 同的驱动电流时,这个门的输入电容与反相器输入电 容的比。
清华大学《数字集成电路设计》周润德 第9章 时钟技术

2004-12-15
清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德
第 9 章(1) 第 20 页
Clock Skew 问题
负Skew
REG
REG
REG
φ In
φ
REG
.
log
Out
φ
φ
正Skew
时钟布线
数据与时钟的布线有时方向一致,有时方向相反, 使正时钟偏差和负时钟偏差同时存在
2004-12-15
清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德
第 9 章(1) 第 17 页
Skew 和 Jitter 共同作用的影响
CLK1
CLK2
tjitter
δ
tclk-q + tlogic TCLK
Tsu
tjitter
TCLK + TCLK >
δ - 2tjitter -
tclk-q + tlogic
tsu >
信号不服从本地时钟,可以在任何时候随意变化。有两种解决方法:
1. 通过检测信号的随意变化并将等待时间(Latency)引入到与 本地时钟同步的数据流中可以“同步”异步信号。
2. 完全取消本地时钟,采用自定时的异步电路,通过握手协议 实现模块间正确的操作次序。
自定时逻辑
自定时逻辑
请求 应答
2004-12-15
当长距离通信(两个相互作用的模块具有各自独立的 晶振)时,两个时钟间的相位差将随时间漂移。需要 采用缓冲技术以保证能接收到所有的数据。
时钟恢复电路
发送模块
2004-12-15
采用 FIFO 实现近似同步通信
清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德
清华大学《数字集成电路设计》周润德第6章组合逻辑课件.

第二节有比逻辑 VDD 电阻负载 RL F In1 In2 In3 PDN VSS (a 电阻负载 In1 In2 In3 PDN VSS (b 耗尽型NMOS负载耗尽型负载 VT < 0 VSS F In1 In2 In3 PDN VSS (c 伪NMOS F VDD PMOS负载 VDD 目的: 与互补CMOS相比可以减少器件的数目数字大规模集成电路清华大学微电子所周润德第六章(2)第 1 页 2004-10-27有比逻辑 VDD Resistive Load 共 N 个晶体管 + 负载 RL VOH = VDD VOL = F RPN RPN + RL In1 In2 In3 不对称响应 PDN t pL = 0.69 RLCL 有静态功耗 VSS 2004-10-27 数字大规模集成电路清华大学微电子所周润德第六章(2)第 2 页伪NMOS ( Pseudo-NMOS VDD A B C D F CL VOH = VDD (similar to complementary CMOS 2 V OL ⎞ kp ⎛ 2 – ------------- ⎟ = ------ ( V – V – V V k ⎜( V DD Tp n DD Tn OL 2 ⎠ 2 ⎝类似于互补CMOS kp V OL = ( VDD – V T 1 – 1 – ------ (assuming that V T = V Tn = VTp k n SMALLER AREA & LOAD BUT STATIC POWER DISSIPATION!!! 较小的面积和驱动负载,但有静态功耗 2004-10-27 数字大规模集成电路清华大学微电子所周润德第六章(2)第 3 页Pseudo-NMOS 电压传输特性(VTC) VDD 3.0 PMOS负载 VSS Vout [V] 2.5 2.0 W/Lp = 4 F In1 In2 In3 PDN 1.5 W/Lp = 2 1.0 0.5 W/Lp = 0.5 W/Lp = 0.25 W/Lp = 1 VSS 伪NMOS 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Vin [V] 在性能、功耗+噪声容限之间综合考虑 2004-10-27 数字大规模集成电路清华大学微电子所周润德第六章(2)第 4 页伪 nMOS / pMOS 逻辑(1)伪 nMOS 逻辑的基本电路 1. 2. 3. 4. 5. p 管作负载,其栅极接地 n 个输入端的伪 nMOS 电路有 n + 1 个管子 kn k p 的比例影响传输特性的形状及反相器 V OL 的值当驱动管导通时,总有一恒定的 DC 电流(静态功耗)当驱动管和负载管均不导通时,输出电压取决于管子的次开启特性 6. 噪声容限 N M L 比 N M H 差很多 7. 基本方程 8. 应用场合 2004-10-27 数字大规模集成电路清华大学微电子所周润德第六章(2)第 5 页伪 nMOS 逻辑 Vdd 负载 Vout Vin 驱动 GND 伪 pMOS 逻辑 Vdd 驱动 Vin Vout 负载 GND 2004-10-27 数字大规模集成电路清华大学微电子所周润德第六章(2)第 6 页(2)伪 NMOS 的设计:驱动管与负载管的尺寸应有一合适的比率 1. 为减少静态功耗,驱动电流 IL 应当小 2. 为了得到合理的 NML ,VOL = IL(RPDN 应当低 3. 为了减少 t PLH = C L V DD , IL 应当大 2IL 4.为了减少 t PHL = 0.69 R PDN C L ,RPDN 应当小条件 1 与 3 是矛盾的,可见:实现一个较快的门意味着较多的静态功耗及较小的噪声余量。
精品课程IC原理第7章集成电路设计概述

精品课程IC原理第7章集成电路设计概述为半导体集成电路《清华版》教学课件第7 章集成电路设计概述本章在“《半导体集成电路》朱正涌编著,张开华主审,清华大学出版杜2022年,高等学校工科电子类规划教材”中,排序为第17章为半导体集成电路《清华版》教学课件第17 章集成电路设计概述朱正涌教材:329页1. 集成电路设计的流程图 2. 集成电路的正向设计流程3. 什么是逆向设计4. 设计规则为半导体集成电路《清华版》教学课件1. 集成电路设计的流程图根据用途要求确定系统总体方案电路设计工艺设计版图设计生成PG带制作掩模版工艺流片测试,划片封装为半导体集成电路《清华版》教学课件电路设计根据电路的指标和工作条件,确定电路结构与类型,然后通过模拟计算,决定电路中各器件的参数(包括电参数、几何参数等) 为半导体集成电路《清华版》教学课件工艺设计根据电路特点选择适当的工艺,再按电路中各器件的参数要求,确定满足这些参数的工艺参数、工艺流程和工艺条件。
为半导体集成电路《清华版》教学课件版图设计按电路设计和确定的工艺流程,把电路中有源器件、阻容元件及互连以一定的规则布置在硅片上,绘制出相互套合的版图,以供制作各次光刻掩模版用。
为半导体集成电路《清华版》教学课件2. 集成电路的正向设计流程理想的设计流程(自顶向下:TOP-DOWN) 系统功能设计,逻辑和电路设计,版图设计系统性能指标系统性能编译器性能和功能描述逻辑和电路编译器逻辑和电路描述版图编译器几何版图描述统一数据库硅编译器silicon compiler (算法级、RTL级向下) 门阵列、标准单元阵列等制版及流片为半导体集成电路《清华版》教学课件什么是正向设计?集成电路的正规设计方法是正向设计,即根据产品确定的指标和要求、从电路原理或系统原理出发,通过查阅相关规定和标准,利用已有知识和能力来设计模块和电路,最后得到集成电路物理实现所需的几何图形。
正向设计产品的性能可以通过仿真进行验证和预测。
清华大学数字大规模集成电路08-时序电路2

正电平灵敏正沿触发==正沿负沿t DC > Wt SUt SUt DC >t SU=t DQ=t DQ(2)定义t su = min {t DC + f(t DC )}=min {t DQ }Set up 时间的三种定义方法(1)定义t su 为使寄存器出错的最小Data to clock 时间(3)定义t su 为使Clock to Q 的时间增加一固定的百分比(5%)(Clock to Q 的时间及Set up 时间与Clock 及data 变化的方向和斜率有关)t CQ = f (t DC )t DQ =t DC + t CQ t CQ = f (t DC )确定传输门Latch 的Clk to Q,Set up 和Hold 时间时钟高电平时Latch ( 输出端有自锁结构)时钟高电平时Latch ( 输出端有自锁结构且带输出反相器)时钟低电平时Latch ( 输出端有自锁结构且带输出反相器)时钟低电平时Latch ( 输出端有自锁结构)单相位时钟控制方法( DEC Alpha )注意: 设计动态Latch 要注意仔细设计尺寸及Clocking, 例如在DEC 的 Alpha 芯片中, 1. 通过模拟Latch 在各种不同情况组合( 如时钟不同的上升和 下降时间、不同的电压、温度和工艺的极端情形)下的工作 来检查竞争情况 2. 动态存储电容上的电荷会泄漏漏电,且漏电与温度有很大的关系。
因此需要动态刷新。
3. 动态节点不应当浮空较长时间,必须刷新或者箝制到一个已 知的状态(电平)4. 动态节点需要借助静态反相器进行隔离,或采用“伪静态”电路以提高抗噪声能力真单相钟控(TSPC)Latch 的优缺点优点:(1)时钟为“真正”单相位。
(2)可嵌入逻辑功能,因而在总体上(逻辑+延时)可提高性能。
缺点:(1)晶体管数目稍有增加。
(2)时钟使输出节点浮空(高阻态)时,易受其它信号耦合的影响。
清华大学《数字集成电路设计》周润德 第2章 数据通路 加法器

G = AB
−−
D= AB P = A⊕B
2004-11-3
改进的镜像加法器
VDD
AB
B
“0”-进位传播
A
Propagate
Ci
“1”-进位传播
A
Propagate
AB
B
VDD
A B Ci 进位取消 Kill
Co
进位产生 Generate A B Ci
VDD A
B
Ci S
Ci
A
B
清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德
__
a ⊕ b ⊕ C in = a ⊕ b ⊕ C in = SUM
__ _
_
a ⋅b + a ⋅C in + b ⋅C in = C out
2004-11-3
清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德
第7章(1)第 22页
全加器的实现
2004-11-3
标准CMOS实现
多路开关(Multiplex)实现
数 据 输 出
第7章(1)第 4页
位片式(Bit-Sliced)数据通路
From register files / Cache / Bypass
Multiplexers Shifter
Adder stage 1 Wiring
Adder stage 2
Wiring
Loopback Bus
Loopback Bus
第7章(1)第 20页
镜像加法的尺寸设计
2004-11-3
有效扇出 ~ 2
清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德
第7章(1)第 21页
4. 小结:组合逻辑加法器的优化:
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IC的概念
按集成度分
n SSI (小型集成电路),晶体管数 10~102,门数<10 n MSI (中型集成电路),晶体管数 102~103,门数10~102 n LSI (大规模集成电路),晶体管数 103~105,门数102~104 n VLSI (超大规模集成电路),晶体管数 105~ 107 ,门数104~106 n ULSI (特大规模集成电路) ,晶体管数107~ 109 ,门数106~108 n GSI (极大规模集成电路) ,晶体管数>109 ,门数>108
晶体管的发明
第一只晶体管
1948年, Bardeen和 Brattain在美国 的贝尔实验室, 发明了半导体 点接触式晶体 管。
第一块集成电路
1958年,德 州仪器公司 (TI)工程师 J.kilby申请第 一个集成电路 发明专利, 12个器件, Ge 晶体;
Intel 4004微处理器
Intel,1971 晶体管:2300 面积:12mm2 频率:740kHz 工艺:10um PMOS
Explosive Growth of Computing Power
1st electronic computer ENIAC (1946)
1st computer(1832)
Macroelectronics
Pentium IV
Vacuum Tuber
1st transistor 1947
Microelectronics Nanoelectronics
2000
2010
Transistors on Lead Microprocessors double every 2 years
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第二节乘法器(一)乘法器的应用与实现:(1)应用:1. 硬件乘法器可大大提高运算速度,超过软件实现2. 数字信号处理(DSP)相关(Correlation)、滤波(Filtering)卷积(Convolution)、频率(Frequency)3. 与其它运算电路集成,组成功能很强的协处理器(2)实现:1. 求部分积2. 移位3. 相加(3)分类:1. 并行:a)组合阵列b)脉动阵列c )波茨编码d )Wallace Tree e )流水线式2. 串行3. 串并行(4)选择乘法器的原则:1. 速度2. 数据处理量(Throughput )3. 精度4. 面积(二)组合阵列乘法器(Array Multiplier )(1)基本原理:称为“部分积”位(点积),共有个,由与门产生。
2)(1010ji j m i n j i y x P +−=−=∑∑=y x j i mn(2)RCA 阵列乘法器结构:RCA 阵列乘法器结构:对位乘法器,共需个半加器(HA )个全加器(FA )个与门(AND )对位乘法器,共需个半加器(HA )个全加器(FA )个与门(AND )n n ×n)2(−n n n 2n m ×nnm mn −−mn(3)设计原则:乘法器存在许多延时几乎相同的关键路径,因此重点放在Adder上,使加法器的Sum和Carry的传输时间相同!传输门实现全加器:“求和”与“进位”时间相同CSA阵列乘法器的实现五种类型单元电路,其中Cell 2、Cell 4、Cell 5 含全加器(FA)Cell 1Cell 2Cell 3Cell 4Cell 5最后求和有可用CPA 故总共有即=n2.结构实现(n=4)(四)改进的波茨编码乘法器(1)原理(基4 波茨编码乘法器):1. 阵列乘法器的缺点:加法阵列大,运算次数多, 运行速度慢2. 解决关键:减少加法阵列减少部分积的数目每次乘数中取k 位(例如k =2)与被乘数相“与”产生部分积(即波茨编码乘数)。
但这样当时仍有X+2X ,部分积项数没有减少,因此要解决“1”成串的情形3. 波茨编码(Booth Recoding )111=+y y i i {{111212222222)1(位上减位上加位全为相当于i ik i ki ki k i k i k i −=−=+++++−+−+44443444421L改进的Booth 编码•不去产生所有的部分积0 X = 0 1 X = X { 0,1X}∗∗而是通过组合减少部分积的数目0 0 00 1 11 02 (移位)1 13 (即4 -1)∗∗不采用{ 0 ,1X ,2X ,3X },采用{ 0,1X ,2X ,4X ,-X }通过移位和求补实现3X = 4X -X•通过同时观察3 位加以简化——改进的Booth 编码即:可在乘数的低位上加一“考察位”:考察其中为“考察位”。
下次考察时考察其中为“考察位”。
y y y i i i 11−+y i 1−y y y i i i 123+++y i 1+∗∗当为奇数时,n }}YX X X X Y X n n n n y y yy y y y y y •=••−+++++••−+++••−+=•−≡−−≡−222101223211001)2()2()2L 对2’s 补码,同样可以证明。
可见,波茨编码的形式为:y y y i i i 112+−−+5.同样可以构成基数为8 (Radix-8, 八进制)的波茨编码乘法器波茨编码8x8乘法器8 x 8 位乘法器1. 部分积为,共9 位。
2. 积为16位:3. 是符号位。
注意符号扩展4. 减法通过“求反”加1来实现。
5. 2X 为左移一位。
6. 每求一次部分积左移两位。
AA8~PP15~A8(2)结构:(8 x 8 位乘法器)1. 部分积为,共9 位。
2. 积为16位:3.是符号位。
注意符号扩展。
4. 减法通过“求反”加1来实现。
5. 2X 为左移一位。
6. 每求一次部分积左移两位。
(3)优缺点:1. 部分积数目减为原来的一半。
适用于无符号数及2‘s 补码。
2. 代价是:除0,X ,外还有+2X ,-2X ,+X ,-X ,因此需要译码。
对负项还要“求反加1 ”。
A A 80~P P 150~A 8(4)硬件1. 波茨编码器将转化为控制信号。
2. 中间采用斜进位加法器(CSA )。
3. 最终结果采用高速加法器,可用CLA ,CPA ,Manchester进位链。
超前进位各级位数可变,一般4 -6位。
y y y i i i 11−+斜进位加法器(CSA )波茨编码器六位波茨编码乘法器(2`s补码)的结构图举例:OR*对PP-HA,此处不连接PP-FA(或PP-HA)Anantha P. Chandrakasan, Robert W. Brodersen: 《Low Power Digital CMOS》,Kluwer Academic Publishers(5)若采用流水线结构,还需要流水线寄存器(可用简单的主从D F/F,由专门的时钟控制)。
(五)Wallace Tree 乘法器(1)保留进位加法器(CSA )1. 一个n 位的CSA 由n 个不相关的全加器构成。
2. 它的输入是要被相加的三个n 位数, 它的输出是n 位的“和”位,构成一个字:以及n 位的“进位”,构成另一个字:3. 在CSA 加法器的内部没有Carry 传播。
4. S 和C 可以被送入另一个n 位的CSA 与第四个n 位的数W 相加;一般地,m 个n 位的数可以通过CSA 树结构相加而产生。
5. 为得到最后的和,S 和C 必须最终用一个带进位传输的通常的加法器(CPA )相加。
6 在CSA 中为了加快连续加法速度,减少门延时级数,可以采用正码和反码两种CSA ,在阵列中交叉使用。
)(0123S S S S S )(0123C C C C C保留进位乘法器(2)Wallace Tree 乘法器的构成:Partial products (阵列结构) 6 5 4 3 2 1 0 First stage(组成树结构) 6 5 4 3 2 1 0 Bit position(a) Second stage 6 5 4 3 2 1 0(b) Final adder 6 5 4 3 2 1 0FA (c)2004-11-17HA (d)清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第7章(2)第 31 页Wallace-Tree 乘法器y0 y1 y2 Ci-1 y3 Ci FA y4 Ci FA y5 Ci FA C S FA Ci-1 FA Ci Ci-1 Ci-1 Ci Ci y0 y1 y2 y3 y4 y5FAWallace Tree 乘法器的构成:FAFA Ci-1 Ci-1在一个乘法阵列中,把同 一列中的 部分积(位)与右边 一列传来的进位通过 CSA 或其 它位数压缩电路(尽可能早地 )相加,所产生的 Carry-out 送 向左边一列,所产生的“ 和” 位 继续在本列传播,这就构成了 Wallace Tree 乘法器。
CSC 和S 最终用CPA相加。
第7章(2)第 32 页2004-11-17清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德Wallace 树结构乘法器(Wallace-Tree Multiplier)x3y2 x2y3 x2y2 x3y1 x1y2 x3y0 x1y1 x2y0 x0y1 x1y3 x0y3 x2y1 x0y2 x1y0 x0y0Partial productsx3y3First stageHAHASecond stageFAFAFAFAFinal adder z7 z6 z5 z4 z3 z2 z1 z02004-11-17清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第7章(2)第 33 页2004-11-17清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第7章(2)第 34 页位数压缩电路:一个FA提供了一个“ 位数压缩比 ” 3:2,即三个输入两个输出。
2004-11-17清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第7章(2)第 35 页(3)隔行相加的 Wallace Tree 乘法器: 安排有两个部分积累加 的数据流,(偶数行相 加和奇数行相加)于是 减少了部分积相加的级 数,它差不多是普通 CSA 的一半。
甚至可以组织三个数据 流相加。
1A B Co Cin S A B Co Cin SA B Co Cin S A B Co Cin S23A B Co Cin SA B Co Cin S2004-11-17A B Co Cin 4 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 S周润德A B Co Cin 第7章(2)第 S36 页如果 τ s = 2τ c 则可 以按如右图所示的 方式相加τcτ s = 2τ c τs τc τs τsτc τc2004-11-17清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第7章(2)第 37 页(4)Wallace Tree乘法器的优缺点: 1. 优点: a ) 在普通的简单阵列乘法器中,乘法延迟时间正比于n。
b) 在基4改进波茨编码乘法器中,乘法延迟时间正比于 n/2 。
c) 采用压缩比为3:2的Wallace Tree 乘法器的乘法延迟时间 ⎛n⎞ 正比于 log3 / 2 ⎜ 2 ⎟ 。
⎝ ⎠ 证明:n x n 位乘法有 n 个“ 部分积 ” ,把 n 个“ 部分积 ” 分成 三个 “ 部分积 ” 为一组(共 n/3 组)同时相加,每组 相加的结果为两个数,共产生 (n/3)2 个数。
也就是 n 个 数( n 个“ 部分积 ”)每加一次变为 (2/3)n 个数,若经 ⎜ ⎟ x 次变为 = 2 个数。
则 X = log3 / 2 ⎛ n ⎞ ( 注意这是近似, ⎝ 2⎠ 因为还有来自低位的进位)。
可见延时与乘法位数成对数关系 2. 缺点:Wallace Tree 乘法器非常不规则,给版图设计带来困难2004-11-17 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第7章(2)第 38 页(5)采用其它压缩比的WallaceTree乘法器 1. 压缩比为4:2(实际是5个输入:3个输出) 2. 注意: C , C out 为同权重。
3. 压缩电路中,“ 和”(Sum)路径的延迟时间相当于三个XOR门 延时, 如采用两个全加器(3:2压缩比)则需 A ⊕ B ⊕ C ⊕ D ⊕ Cin 需 4 个XOR门延时。
2004-11-17清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第7章(2)第 39 页4:2 Compressor: 重新安排连线以减少延时互连线可以比Wallace Tree 较为规则2004-11-17 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第7章(2)第 40 页采用4:2 压缩的乘法器(6)同时利用波茨编码和Wallace Tree 的(32位)乘法器:即先进行波茨编码以减少部分积的数目,然后再用Wallace Tree 相加Dadda tree基于以下事实:快速加法器的延时通常并不完全与字宽成正比Dadda tree :用较少的全加器或半加器把操作数的数目减少到下一个较低的数目。