三极管主要参数练习

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1.2半导体三极管同步练

1.2半导体三极管同步练

课题3:半导体三极管【任务一】半导体三极管基础知识1.三极管的结构包含:(1)三个区,即: 区、 区、 区;(2)三个极,即: 极,用字母 表示, 极,用字母 表示, 极,用字母 表示,(3)两个结,即: 结、 结。

2.由于半导体基片材料的不同,三极管可分为 型和 型两类。

3.在下表中画出PNP 、NPN 型三极管的结构图和图形符号。

4.三极管的电流放大作用(1)在下表中记录仿真实验数据,并进行分析。

由表格中的数据可知,B I 、C I 和E I 之间的关系式为: 。

(2)根据基尔霍夫节点电流定律,在下列横线上写出NPN 型和PNP 型三极管三个电极上的电流关系式综上所述三极管的电流分配规律为: 。

(3)由仿真实验数据表可以得出,三极管的电流放大原理为:,即实质上是用基极电流B I 的 变化控制集电极电流C I 的 变化。

5.判下列三极管的基本联接方式(a ) (b ) (c )【任务二】三极管的特性曲线及主要参数1.三极管的输入特性指的是在 一定的条件下,加在三极管 与 之间的电压 ,和它产生的 电流 之间的关系。

2.三极管的输出特性指的是在 一定的条件下,三极管 与 之间的电压 与 电流 之间的关系。

3.在下表中画出三极管的输入输出特性曲线。

4.三极管的输出特性曲线分为如下三个区,在这三个区中,三极管的偏置电压特点为: (1)截止区: ; (2)放大区: ; (3)饱和区: 。

【任务拓展】1.在晶体三极管放大电路中,测得三极管的三只脚的电位如右图所示,则该三极管 所用材料为 ,管型为 ,1、2、3脚的名称分别 为 、 、 。

2.9012和9013是我们最常用到的三极管,根据平时技能训练课老师所讲的, 我们知道:图(a )所示9012是 (NPN 型或是PNP 型)三极管, 图(b )所示9013是 (NPN 型或是PNP 型)三极管,图(a )所 示的1、2、3脚分别是 极、 极、 极。

三极管的主要参数

三极管的主要参数

三极管的主要参数1、直流参数(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.(3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.(4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:β1=Ic/Ib2、交流参数(1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:β= △Ic/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.(2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:α=△Ic/△Ie因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用α与β之间的关系:α= β/(1+β)β= α/(1-α)≈1/(1-α)(3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:fβ≈(1-α)fα(4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数.3、极限参数(1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量.(2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO.(3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO.(4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.(5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使PcPCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.2、Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管)IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时,漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流3、IGDO---源极开路时,截止栅电流IGSO---漏极开路时,截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感4、to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流)VGS---栅源电压(直流)VGSF--正向栅源电压(直流)。

半导体三极管主要参数

半导体三极管主要参数

1半导体三极管主要参数
1、三极管选用原则
三极管的参数有很多种,包括直流参数、交流参数,实践中通常关注四个极限参数,考虑三极管的性能极限,按“2/3”安全原则选择合适的性能参数:
(1)集电极最大允许电流I CM 是指规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流。

通常要求集电极电流
CM C 3
2I I <。

如果CM C I I >时,三极管β值减小,失去放大功能。

(2)集电极允许最大耗散功率P CM 。

三极管在工作时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。

若耗散功率过大,三极管
将烧坏。

通常要求集电极耗散功率CM C 3
2P P <。

如果三极管CM C P P >,将会损坏三极管。

(3)集-射极反向击穿电压U (BR)CEO 是指三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。

通常要求集电极发射极电压
(BR)CEO CE 3
2U U <,如果(BR)CEO CE U U >,三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。

(4)特征频率f T 是指随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降到对应于β=1时的频率f T 。

通常要求工作频率T %15f f =。

二极管三极管主要参数

二极管三极管主要参数

二极管三极管主要参数
二极管参数:
1.额定电流:额定电流是指二极管可以承受的最大电流流量,一般二极管的额定电流有6mA、1mA、500μA、100μA以及1μA等;
2.最大耗散功率:最大耗散功率是指二极管在额定电压下最大可以耗散的功率;
3.集电极和发射极漏电流:不同的二极管集射极的漏电流不同,一般有2mA/1mA/500μA/100μA/1μA等;
4.阈值电压、切断电压:阈值电压是指二极管的前向电压,一般有0.3V/0.55V/0.65V/0.7V/0.75V等;切断电压是指二极管的反向电压,一般有5V/6V/7V/8V/10V/12V等;
5.上升沿时间和下降沿时间:上升沿时间是指二极管从低电压到高电压的时间,一般有2ns/4ns/8ns/10ns等;下降沿时间是指二极管从高电压到低电压的时间,一般有2ns/3ns/4ns/5ns/7ns等;
6.截止电压:截止电压是指二极管的前向电压达到一定的电压,二极管的结构发生变化,从而限制电流流过的电压,一般有
0.7V/1V/3V/4V/5V/6V等;
7.正向电容:正向电容是指二极管的输入端电容,一般有
100pF/250pF/500pF/750pF/1000pF/1500pF/2000pF等;
三极管参数:
1.额定电流:额定电流是指三极管可以承受的最大电流流量,一般三极管的额定电流有3mA/2mA/1mA/500μA/200μA等;
2.最大耗散功率:最大耗散功率是指三极管在额定电压下。

三极管的参数

三极管的参数
2.穿透电流ICEO
ICEO是指基极开路,集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为:
ICEO = ICBO+ICBO=(1+)ICBO GS0125
该电流好象从集电极直通发射极一样,故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样,也是衡量三极管热稳定性的重要参数。
三极管的3个极限参数PCM 、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线 、截止线所包围的区域,便是三极管安全工作的线性放大区。一般作放大用的三极管,均须工作于此区。
三、频率参数
频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数,表征三极管的频率适用范围。
1.共射极截止频率fβ
三极管的β值是频率的函数,中频段β=βo几乎与频率无关,但是随着频率的增高,β值下降。当β值下降到中频段βO1/倍时,所对应的频率,称为共射极截止频率,用fβ表示。
3.反向击穿电压BVCEO与BVCEO
BVCEO是指基极开路时,集电极与发射极间的反向击穿电压。
BVCBO是指发射极开路时,集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下同一管子的
BVCEO(0.5~0.8)BVCBO 。三极管的反向工作电压应小于击穿电压的(1/2~1/3),以保证管子安全可靠地工作。
(2)共基极交流电流放大系数α,它表示三极管作共基极连接时,在UCB 恒定的情况下,IC和IE的变化量之比,即:
通常在ICBO很小时,与β,与α相差很小,因此,实际使用中经常混用而不加区别。
二、极间反向电流
1.集-基反向饱和电流ICBO
ICBO是指发射极开路,在集电极与基极之间加上一定的反向电压时,所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下,ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大,它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下,硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。

常用PNP三极管参数培训资料

常用PNP三极管参数培训资料

常用PNP三极管参数培训资料PNP三极管是一种常见的半导体器件,被广泛应用于电子电路中的放大、切换和调整信号等功能。

了解和掌握PNP三极管的参数对于电子工程师来说非常重要。

下面是一份常用PNP三极管参数的培训资料。

1.放大因子(β):PNP三极管的放大因子β指的是基极电流(IB)和集电极电流(IC)之间的比值,即β=IC/IB。

放大因子的数值代表了三极管的放大能力。

一般来说,β的数值在50至800之间,不同型号的PNP三极管具有不同的放大因子。

2. 饱和电流(ISat):饱和电流是指PNP三极管在导通时的最大电流。

当基极电流足够大时,三极管将进入饱和状态,此时对于集电极电流没有影响,使得电流不再增加。

饱和电流的数值一般在几十到几百毫安之间。

3.耗散功率(Pd):耗散功率是指PNP三极管在工作时消耗的功率。

它可以通过电流和电压的乘积来计算,即Pd=VCE×IC。

对于不同的PNP三极管,其耗散功率有不同的限制。

4.最大集电极-基极电压(VCEO):最大集电极-基极电压指的是PNP三极管的最大耐压能力。

当集电极和基极之间的电压超过VCEO时,三极管可能会被烧坏。

因此,在使用PNP三极管时,应确保电压不超过其最大集电极-基极电压。

5. 最大集电极电流(ICmax):最大集电极电流是指PNP三极管所能承受的最大电流。

当集电极电流超过ICmax时,三极管可能会被损坏。

因此,在设计电路时,应注意不超过PNP三极管的最大集电极电流。

6. 最大功耗温度(Tmax):最大功耗温度是指PNP三极管所能承受的最高温度。

超过该温度,三极管的性能和可靠性可能会受到影响。

因此,在设计电路时,应选择合适的散热措施,确保PNP三极管工作在安全的温度范围内。

7. 集电极-基极饱和电压(VCEsat):集电极-基极饱和电压是指PNP三极管在饱和状态下的集电极电压和基极电压差。

一般而言,VCEsat的值越小,三极管的导通能力越好。

常用二极管三极管参数

常用二极管三极管参数

常用二极管三极管参数二极管和三极管是电子基础器件,广泛应用于电子电路中。

了解和掌握常用二极管和三极管的参数对于设计和分析电子电路非常重要。

本文将详细介绍一些常用二极管和三极管的主要参数。

一、常用二极管参数:1.正向电压降(Vf):正向电压降是二极管在正向导通状态下的电压。

对于硅二极管,正向电压降一般为0.6-0.7伏;对于锗二极管,正向电压降一般为0.2-0.3伏。

正向电压降是二极管正向导通的重要特性,也是电路设计中常用的参数。

2. 反向击穿电压(Vbr):反向击穿电压是二极管在反向偏置时能够承受的最大电压。

如果二极管的反向电压超过了击穿电压,二极管将会发生击穿现象,导致电流急剧增大。

因此,电路设计中需要保证二极管的反向电压不超过其击穿电压以保护二极管。

3.最大正向电流(If):最大正向电流指的是二极管可以承受的最大正向电流。

超过最大正向电流,二极管会受到损坏。

4.最大反向电流(Ir):最大反向电流指的是二极管可以承受的最大反向电流。

超过最大反向电流,二极管也会受到损坏。

5. 响应时间(tr、tf):响应时间指的是二极管从导通到截止、从截止到导通的时间。

响应时间决定了二极管的开关速度。

通常情况下,响应时间越小,二极管的开关速度越快。

二、常用三极管参数:1.饱和电流(Ic):饱和电流指的是三极管的集电极电流(Ic)达到饱和区域时的电流值。

饱和电流是三极管正常工作的重要参数。

2.放大因子(β):放大因子指的是三极管中输入电流与输出电流之间的比值。

放大因子决定了三极管的放大能力,通常会通过测量输入基极电流(Ib)和输出集电极电流(Ic)的比值来计算放大因子。

3.最大功耗(Pd):最大功耗指的是三极管可以承受的最大功率。

超过最大功耗,三极管可能会发热过多而受到损坏。

4. 最大封装温度(Tj max):最大封装温度指的是三极管可以承受的最高温度。

超过最大封装温度,三极管的性能可能会变差。

5.频率响应(fT):频率响应指的是三极管的响应频率范围。

三极管基础练习题

三极管基础练习题

三极管练习题一、填空题:1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。

2.三极管按结构分为_和两种类型,均具有两个PN结,即______和______。

3.三极管是___________控制器件,场效应管是控制器件。

4.晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。

5.放大电路中,测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V,则该管是______类型管子,其中_____极为集电极。

6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。

7.三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是____和______。

8.场效应管同三极管相比其输入电阻_________,热稳定性________。

9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时,输入信号必须是________的信号。

10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________,集电结______。

11.在正常工作范围内,场效应管极无电流12.三极管按结构分为______和______两种类型,均具有两个PN结,即___________和_________。

13.晶体三极管是一种___控制___器件,而场效应管是一种___控制___器件。

14.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于______状态。

15.作放大作用时,场效应管应工作在____(截止区,饱和区,可变电阻区)。

16.晶体三极管用于放大时,应使发射极处于__偏置,集电极处于__偏置。

二、选择题:1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=0.7V,V E=1V则晶体管工作在()状态。

A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、三级管开作在放大区,要求(???)A、发射结正偏,集电结正偏????????B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏?????????D、发射结反偏,集电结反偏3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域?()A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=3.3V,V E=3V,V B=3.7V,则该管工作在()A.饱和区B.截止区C.放大区D.击穿区+7.5V -8V +7.1V +5V +3.5V -3V +6.9V +5V 5.三极管参数为P CM =800mW,I CM =100mA,U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全1.最大耐压(VCEO):指三极管的集电极与发射极之间的最大耐压,也是三极管工作的最高电压。

2.最大漏极电流(ICMAX):指三极管的最大工作电流,超过该电流可能会导致器件损坏。

3. 最大功率(Pmax):指三极管能够承受的最大功率,超过该功率可能会导致器件损坏。

4. 最大集电极-基极电压(VCEMax):指三极管的集电极与基极之间的最大电压,通常用于确定三极管在开关工作状态下的最大电压。

5. 最大基极电流(IBmax):指三极管的最大基极电流,超过该电流可能会导致器件损坏。

6. 饱和区电压下降(VCEsat):指三极管在饱和区时,集电极与发射极之间的电压降。

7. 基极-发射极饱和电压(VBEsat):指三极管在饱和区时,基极与发射极之间的电压降。

8. 输入电阻(hie):指三极管的输入电阻,它与基极电流成正比。

9. 输出电阻(hoe):指三极管的输出电阻,它与输出电流成正比。

10. 增大时间(tf):指三极管从关断状态到导通状态所需的时间。

11. 减小时间(tr):指三极管从导通状态到关断状态所需的时间。

12. 反向转换时间(tfr):指三极管由关断状态转换为导通状态时,极化电容反向充电所需的时间。

13. 正向转换时间(tff):指三极管由导通状态转换为关断状态时,极化电容正向放电所需的时间。

14.最大效率:指在特定工作条件下,三极管从输入功率到输出功率的转换效率。

15.电流放大倍数(β):指三极管中电流放大的倍数,即集电极电流与基极电流之比。

16.最大工作频率(fT):指三极管能够正常工作的最高频率。

上述参数都是三极管常用的重要参数,不同型号的三极管具体数值会有所不同。

在选择三极管时,根据具体需求选择合适的参数是非常重要的。

此外,这些参数在设计电子电路时也起到了至关重要的作用。

三极管的主要参数

三极管的主要参数

三极管的主要参数三极管的参数反映了三极管各种性能的指标,是分析三极管电路和选用三极管的依据。

一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数(1)共发射极直流电流放大系数,它表示三极管在共射极连接时,某工作点处直流电流I C与I B的比值,当忽略I CBO时(2)共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且U CE恒定时,集电极电流变化量ΔI C与基极电流变化量ΔI B之比,即管子的β值大小时,放大作用差;β值太大时,工作性能不稳定。

因此,一般选用β为30~80的管子。

2.共基极电流放大系数共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时,某工作点处I C 与I E的比值。

在忽略I CBO的情况下(2)共基极交流电流放大系数α,它表示三极管作共基极连接时,在U CB恒定的情况下,I C和I E的变化量之比,即:通常在I CBO很小时,与β,与α相差很小,因此,实际使用中经常混用而不加区别。

二、极间反向电流1.集-基反向饱和电流I CBOI CBO是指发射极开路,在集电极与基极之间加上一定的反向电压时,所对应的反向电流。

它是少子的漂移电流。

在一定温度下,I CBO是一个常量。

随着温度的升高I CBO将增大,它是三极管工作不稳定的主要因素。

在相同环境温度下,硅管的I CBO比锗管的I CBO小得多。

2.穿透电流I CEOI CEO是指基极开路,集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。

I CEO与I CBO的关系为:I CEO= I CBO+I CBO=(1+)I CBO GS0125该电流好象从集电极直通发射极一样,故称为穿透电流。

I CEO和I CBO一样,也是衡量三极管热稳定性的重要参数。

三、频率参数频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数,表征三极管的频率适用范围。

1.共射极截止频率fβ三极管的β值是频率的函数,中频段β=βo几乎与频率无关,但是随着频率的增高,β值下降。

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件?A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少?A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能?A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应?A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是:A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下,基极电流与集电极电流的关系是:A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路?A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中,输入信号与输出信号相位关系为:A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。

10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。

11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。

12. 二极管正向导通时,其正向电阻________,反向截止时,其反向电阻________。

13. 三极管在放大状态时,基极电流________,集电极电流________。

14. 三极管放大电路中,输入信号与输出信号的相位关系为________。

三、判断题15. 二极管具有单向导电性。

()16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。

()17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。

()18. 三极管放大电路中,输入信号与输出信号相位相同。

()19. 二极管和三极管都是半导体器件。

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。

详情如下:90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的,但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的,它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构:NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构:PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构:NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构:NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构:PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构:NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构:NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全1. 最大集电极电流(IC max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极电流。

这个参数决定了三极管能够驱动的负载电流的最大值。

2. 最大功率耗散(PD max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大功率耗散。

这个参数决定了在特定工作条件下,三极管能够承受的最大功率,超过这个功率则可能会损坏。

3. 最大集电极-基极电压(VCEO max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极-基极电压。

这个参数决定了三极管能够承受的最大电压,超过这个电压则可能会损坏。

4. 最大集电极-发射极电压(VCE sat):三极管在饱和区的工作条件下,集电极-发射极之间的电压。

这个参数决定了三极管在饱和区时的电压控制能力。

5. 最大基极-发射极电压(VBE max):三极管在特定工作条件下,基极-发射极之间能够承受的最大电压。

这个参数决定了三极管能够承受的最大电压,超过这个电压则可能会损坏。

6.直流电流放大倍数(hFE):这个参数代表了三极管的放大能力。

它表示了当三极管的基极电流变化时,集电极电流变化的倍数。

7. 最大封装功率耗散(PC max):三极管的封装能够承受的最大功率耗散。

这个参数与封装结构和材料有关,超过这个功率则可能会损坏封装。

8. 最大封装温度(Tj max):三极管封装能够承受的最高温度。

超过这个温度则可能会导致封装失效。

9. 最大储存温度(Tstg max):三极管能够承受的最高储存温度。

超过这个温度则可能会导致三极管性能退化。

10.最大工作频率(fT):这个参数代表了三极管的最高工作频率。

在高频应用中,这个参数决定了三极管能够工作的最高频率。

通过了解和理解这些三极管参数,我们可以根据具体设计需求选择合适的三极管。

这些参数对于电子电路的设计和分析非常重要,因此研究这些参数并了解它们的意义是很有用的。

02《电子技术基础》单元练习(二)(三极管与场效应管)

02《电子技术基础》单元练习(二)(三极管与场效应管)

《电子技术基础》单元练习(二)晶体三极管与场效应管一、填空题1、三极管按导电类型可分为和。

它属于控制器件,即通过来控制。

2、三极管具有作用,应使发射结,集电结。

3、晶体三极管的内部特点是和。

4、晶体三极管各极电流的分配关系是。

5、某晶体三极管的管压降保持不变,基极电流I B=30微安时,I C=1.2毫安,则发射极电流I E=,如果基极电流I B增大到50微安时,I C增加到2毫安,则三极管的电流放大系数β=。

6、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。

7、三极管的I CEO与I CBO间的关系式为,它们反映了管子的性能,在选用管子时,希望I CEO尽量。

8、一般情况下,三极管的电流放大系数随温度的增加而。

9、晶体管有、和三种工作状态。

10、晶体管的β大小应适当,β太小则,β太大则。

11、三极管的三个主要极限参数是、、。

12、晶体三极管的反向饱和电流I CBO随温度升高而;穿透电流I CEO随温度升高而;β值随温度升高而。

13、场效应管从结构上可分为和;从导电类型上可分为沟道和沟道。

场效应管属于控制器件,即通过来控制,它的控制能力用参数来表示。

14、场效应管有三个电极,即极,极和极。

用字母表示分别为、和。

15、场效应管相对于晶体三极管而言最大的特点是高。

其中结型场效应管的输入电阻可达,而绝缘栅型场效应管的输入电阻可达。

16、绝缘栅型场效应管简称MOS管,M是指,O是指,S是指。

17、NMOS管是指,PMOS管是指。

18、绝缘栅型场效应管在存放时极不能悬空,一般极和极要短接。

二、是非题1、三极管处在放大状态时,C极电位总是高于B极电位,B极电位总是高于E极电位。

()2、对于NPN型三极管,当V BE>0,V BE>V CE,则该三极管一定工作在饱和状态。

()3、一般来说硅三极管理的穿透电流小于锗三极管的穿透电流,故硅管的热稳性能比锗三极管的热稳性能要好。

()4、晶体三极管有发射结和集电结,它相当于两个二极管反向连接,所以我们可以用两个三极管来代替一个三极管。

常用三极管详细参数和代换大全

常用三极管详细参数和代换大全

常用三极管详细参数和代换大全1.三极管的常用参数:(1)最大耗散功率(Pd):三极管正常工作时允许的最大耗散功率。

超过该功率会导致三极管过热损坏。

(2) 最大封装温度(Tjmax):三极管正常工作时允许的最高封装温度。

超过该温度会导致三极管可靠性下降。

(3) 最大集电极电流(Icmax):三极管正常工作时允许通过集电极的最大电流。

超过该电流会导致三极管损坏。

(4) 最大基极电流(Ibmax):三极管正常工作时允许通过基极的最大电流。

(5) 最大漏极电流(Iemax):三极管正常工作时允许通过漏极的最大电流。

(6) 最大集电极-发射极电压(Vceo):三极管正常工作时允许的最大集电极-发射极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

(7)最大输出功率(Po):三极管工作时允许输出的最大功率。

(8) 增益(β或hfe):三极管输入电流和输出电流之间的比值,用于描述三极管的放大能力。

2.常用三极管型号及其代换:(1)2N3904:NPN型三极管,常用于低功耗放大和开关电路。

可替代型号有PN2222、2SC3355等。

(2)2N3906:PNP型三极管,常用于低功耗放大和开关电路的互补性工作。

可替代型号有PN2907、2SA1013等。

(3)BC547:NPN型三极管,常用于低功耗放大和开关电路。

可替代型号有BC548、BC337等。

(4)BC557:PNP型三极管,常用于低功耗放大和开关电路的互补性工作。

可替代型号有BC558、BC327等。

(5)2N2222:NPN型三极管,常用于中功率放大和开关电路。

可替代型号有2N4401、2SC945等。

(6)2N2907:PNP型三极管,常用于中功率放大和开关电路的互补性工作。

可替代型号有2N5401、2SA733等。

以上仅是常用的一些三极管型号和代换,实际上还有很多其他型号的三极管可供选择。

在选用代替型号时,需要注意参数尽量与原型号相近,以免影响电路性能。

总结:了解三极管的详细参数对正确使用和选择是非常重要的。

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数摘要:一、三极管简介二、三极管的主要参数1.直流参数2.交流参数3.极限参数三、参数对三极管性能的影响四、总结正文:一、三极管简介三极管,全称为半导体三极管,是一种常用的半导体器件,具有放大和开关等功能。

它由三个区域组成:n型区(发射极)、p型区(基极)和n型区(集电极)。

通过调整基极电流,可以控制集电极电流,从而实现信号的放大和开关。

二、三极管的主要参数1.直流参数直流参数主要包括静态工作点、静态电流和最大耗散功率。

静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态,它决定了三极管的放大性能和稳定性。

静态电流是三极管在静态工作点下的基极电流,它影响了三极管的电流放大系数。

最大耗散功率是指三极管在最大工作电流下所能承受的热功率,它限制了器件的输出功率。

2.交流参数交流参数主要包括交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗。

交流放大倍数是指三极管在交流信号下的电流放大能力,它决定了三极管的信号放大性能。

交流输入阻抗是指三极管在交流信号下的输入阻抗,它影响了信号的传输效果。

交流输出阻抗是指三极管在交流信号下的输出阻抗,它影响了负载的驱动能力。

3.极限参数极限参数主要包括最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度。

最大额定电压是指三极管能承受的最大电压,超过该电压可能导致器件损坏。

最大额定电流是指三极管能承受的最大电流,超过该电流可能导致器件过载。

最小工作温度是指三极管能正常工作的最低温度,低于该温度可能导致器件性能下降。

三、参数对三极管性能的影响直流参数、交流参数和极限参数共同决定了三极管的性能。

静态工作点的选择影响了三极管的放大性能和稳定性;静态电流的大小影响了三极管的电流放大系数;最大耗散功率决定了器件的输出功率;交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗影响了三极管的信号放大性能和驱动能力;最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度则决定了器件的可靠性和稳定性。

四、总结三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。

晶体三极管及放大电路练习题

晶体三极管及放大电路练习题

晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即______区、______区和______区。

当三极管工作在______区时,关系式IC=βIB才成立;当三极管工作在______区时,IC=0;当三极管工作在______区时,UCE≈0。

2、NPN型三极管处于放大状态时,三个电极中电位最高的是______,______极电位最低。

偏,________反偏。

4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________,穿透电流ICEO随温度升高而________,β值随温度升高而________。

5、硅三极管发射结的死区电压约为________V,锗三极管发射结的死区电压约为________V,晶体三极管处在正常放大状态时,硅三极管发射结的导通电压约为________V,锗三极管发射结的导通电压约为________V。

6、输入电压为20mV,输出电压为2V,放大电路的电压增益为________。

7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。

8当半导体三极管的反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。

9、(2-1,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为,,三种。

10、(2-1,低)三极管的特性曲线主要有11、(2-1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时,与之间的关系。

12、(2-1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。

13、(2-1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调RB,使其,则IB,这样可克服失真。

14、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与15、(2-1,低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制较大变化。

16、(2-1,低)共射组态既有放大作用,又有放大作用。

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三极管主要参数
分别进行思考
1、三极管参数为PCM=700mW,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A.Pc=500mW B.Pc=500mW C.Pc=760mW D.Pc=900mW
2、三极管参数为ICM=60mA,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A,I C=150 mA B,I C=80 mA
C,I C=30 mA D,I C=70mA
3、三极管参数为UBR(CEO)=78V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A.U CE=99V B.U CE=79V
C.U CE=35V D.U CE=88V
相应练习:
1、三极管参数为PCM=120mW,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A.Pc=560mW B.Pc=50mW C.Pc=60mW D.Pc=400mW
2、三极管参数为ICM=79mA,在下列几种情况中,()不能正常工作。

A,I C=540 mA B,I C=10 mA
C,I C=30 mA D,I C=70mA
3、三极管参数为UBR(CEO)=58V,在下列几种情况中,()不能正常工作。

A.U CE=29V B.U CE=7V
C.U CE=35V D.U CE=68V
4、三极管参数为UBR(BEO)=68V,在下列几种情况中,()能够正常工作。

A.U CE=39V B.U CE=97V
C.U CE=67V D.U CE=68V 一、填空题
1、集—射极间反向饱和电流用_______字母表示,此时基极__________;集—基极间反向饱和电流用______表示,此时_______________。

两个电流之间的关系式是__________________________
2、集—射极间反向击穿电压用_______字母表示,它的特点是______极__________,是加在________________极之间的__________________电压。

3、三极管主要参数有______________个,分别是_________________________
4、共发射极直流电流放大系数的公式是( )
5、共发射极交流电流放大系数的公式是( )
6、三极管的直流交流放大系数虽然不同,但是他们的数值_______________,可以_______________。

二、混合型题型
1、三极管参数为PCM=800mW, ICM=100mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A.U CE=15V,I C=150 mA B.U CE=20V,I C=80 mA
C.U CE=35V,I C=100 mA D.U CE=10V,I C=50mA
2、三极管参数为PCM=900mW, ICM=200mA, UBR(CEO)=50V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A.U CE=10V,I C=150 mA B.U CE=30V,I C=80 mA
C.U CE=45V,I C=100 mA D.U CE=10V,I C=60mA
3、三极管参数为PCM=1200mW, ICM=300mA, UBR(CEO)=50V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A.U CE=17V,I C=130 mA B.U CE=20V,I C=70 mA
C.U CE=45V,I C=300 mA D.U CE=20V,I C=50mA
4、三极管参数为PCM=400mW, ICM=20mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()不属于正常工作。

A.U CE=12V,I C=9 mA B.U CE=60V,I C=80 mA
C.U CE=40V,I C=100 mA D.U CE=10V,I C=70mA
5、如果三极管工作在截止区,两个PN结状态()
A.均为正偏B.均为反偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏
6、如果三极管工作在饱和区,两个PN结状态()
A.均为正偏B.均为反偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏7、有一只三极管,当基极电流IB由1mA增加到4mA时,集电极电流IC由200毫安增加到250mA。

问:
1.求IB=1mA时和4mA时发射极的电流大小
2.求IB从1mA变化到4mA时,基极电流,集电极电流,发射极电流的增量
3.求IB=1mA和IB=4mA时的直流放大系数
4.求交流放大系数8.三极管的输出特性曲线分几个状态。

每个状态的特点是什么,请分别写出来
9.一只三极管的基极电流IB=80uA,集电极电流Ic=3.9mA,能否根据这两个数据来确定三极管的电流放大系数?为什么?。

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