半导体物理期末复习考点整理

大三下:半导体物理期末复习考点整理

重要:15年6月底期末考试原卷(除了计算题改成了书上的原题,其他题目完全一样),书上的计算题难度和这上面的难度一样,是基础计算共30分强烈建议考前翻翻这篇pdf附近有关的推广链接,有这类题型的且不难的卷子.(我就是考前看了看这个链接,考试就是原题);

计算题只用关心一两步公式就能做出来的书上作业基础原题;

简答概念

●典型面心结构有银铜铝汞

●金刚石/ZnS是两个彼此错开的面心结构.砷化镓结构和其类似

●本征半导体:完全不含杂质且无晶格缺陷的

●把价带中空着的状态看成带正电的粒子空穴

●导带上的电子与价带空穴参与导电

●杂质影响半导体性质原因:破坏周期性势场,导致禁带产生能级,打破

了原有的Eg大小

●电子共有化:能量相近的电子由于壳层交叠不再局限于单个原子

●简并度:拥有相同能量的状态个数

●肖特基缺陷特点:晶体体积增大晶格常数变化,克尔缺陷仅错位体积晶

格常数不变

●

●←计算必考

●这种↓题型必考计算

●

●(计算题必考,代入计算一步出答案)●;(简答必考)

●电流密度方程

●[了解]负微分电导现象是由非等效能谷间的电子转移引起的;n型GaAs中的

强电场输运与硅不同，其漂移速度达到一最大值后，随着电场的进一步增加

反而会减小

●[了解]碰撞离化:当半导体中的电场增加到某个阈值以上时，载流子将得到

足够的动能，可以通过雪崩过程（avalanche process）产生电子-空穴对

●位于禁带中央附近的深能级是最有效的复合中心。

●载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子-空穴复合时，把多余的能

量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回低能级时，多余的能量常以声子形式放出，这种复合称为俄歇复合。

●（深能级）积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应,在费米能级附近

时，最有利于陷阱效应

●

(必考简答题,p改成n就是电子对应的方程)

●金半接触的能带弯曲图会画,并能理解;很重要

●PN结中得势垒宽度高度:

势垒高度V D=kT

μln⁡(N D

n i

);

势垒宽度X D=√kT

q (1

n A

+1

n D

)V D；