电力电子技术典型习题
电力电子技术试题20套及答案
________ ； (2) t1~t2 时间段内，电流的通路为 _______ ； (4) t3~t4 时间段内，电流的通路为
分，其余每题 1 分，共 14 分）
）
1 、单相桥式 PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ A 、 V1 与 V4 导通， V2 与 V3 关断 B 、 V1 常通， V2 常断， V3 与 V4 交替通断 C、 V1 与 V4 关断， V2 与 V3 导通 D 、 V1 常断， V2 常通， V3 与 V4 交替通断 2 、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ A 、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶 导通角小于 180 度 ）
7 、逆变电路的负载如果接到电源，则称为
U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压 ，其承受的最大正向电压为
逆变，如果接到负载，则称为
。
逆变。 ( 用 V1,VD1,V2,VD2 _______ ； _______ ； (5) t4~t5 时间段内，电 表示 ) 。
8 、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路 (1) 0~t1 时间段内，电流的通路为 (3) t2~t3 时间段内，电流的通路为 流的通路为 _______ ；
调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称 为 ____________ 调制。 4 、面积等效原理指的是， _________ 相等而 _______ 不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在 GTR 、 GTO 、 IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 _________，单管输出功率最大的是 _____________ ，应用最为广泛的是 ___________ 。 6、设三相电源的相电压为 为电源线电压的峰值，即
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
电力电子技术练习题库+参考答案
电力电子技术练习题库+参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.单相半波可控整流电路电阻负载上电压与电流的波形形状相同。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。
（）A、正确B、错误正确答案：A4.电力电子技术研究的对象是电力电子器件的应用、电力电子电路的电能变换原理和电力电子装置的开发与应用。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网（）A、正确B、错误正确答案：B7.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.斩波电路具有效率高、体积小、重量轻、成本低等优点。
（）A、正确B、错误正确答案：A9.无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.GTO的结构与普通晶闸管相似，也为PNPN四层半导体三端元件。
（）A、正确B、错误正确答案：A11.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B12.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是双窄脉冲触发方法。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.晶闸管的不重复峰值电压为额定电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B15.电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
（）A、正确B、错误正确答案：A16.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
（）B、错误正确答案：B17.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
（）A、正确B、错误正确答案：A18.触发脉冲必须具有足够的功率。
电力电子技术习题库(附答案)
电力电子技术习题库（附答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案：C2.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生。
A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案：B3.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、逆阻型晶闸管D、大功率三极管正确答案：C4.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案：B5.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、120°C、90°D、150°正确答案：C7.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B8.逆变电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B9.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、增大输出幅值B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、减小输出功率正确答案：B10.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°正确答案：B11.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
电力电子技术及应用习题含答案
电力电子技术及应用习题含答案1、逆导晶闸管是将二极管与晶闸管( )在同一管芯上的功率集成器件。
A、串联B、并联C、不确定D、反并联答案：D2、带电感性负载的单相交流调压电路，当α=φ时，电流导通角θ=180°，正负半周电流处于（）状态。
A、临界连续B、断续C、关断D、连续答案：A3、以下哪项不是晶闸管的电压定额(____)。
A、断态重复峰值电压B、反向重复峰值电压C、通态平均电压D、门极触发电流答案：D4、电力场效应管（MOSFET）主要采用何种结构形式？(____)。
A、P沟道耗尽型B、P沟道增强型C、N沟道耗尽型D、N沟道增强型答案：D5、调光灯电路中，决定灯泡能否点亮的关键是(____)。
A、三极管B、晶闸管C、续流二极管D、单结晶体管答案：B6、若测得晶闸管的UDRM为835V,URRM为976V，则额定电压应定义为(____)。
A、750VB、800VC、680VD、875V答案：B7、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（）负载。
A、电感性B、电阻性C、电容性D、反电动势答案：D8、双向晶闸管的结构有螺栓式和(____)。
A、绝缘式B、螺管式C、平板式D、方管式答案：C9、电阻性负载的特点是(____)。
A、电压允许突变，电流不允许突变B、电流允许突变，电压不允许突变C、电压和电流均允许突变D、电压和电流均不允许突变答案：C10、电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数。
A、正B、负C、零D、稳定答案：A11、将三相桥式全控整流电路中共阳极组的三只晶闸管换成三只二极管，就构成（）。
A、三相半波可控整流电路B、双反星形可控整流电路C、三相桥式半控整流电路D、十二脉波可控整流电路答案：C12、带电感性负载的单相交流调压电路，晶闸管的导通角θ不仅与控制角α有关，而且与(____)有关。
A、导通角θB、控制角αC、功率因数角φD、停止导电角δ答案：C13、型号为KS100-8的元件表示（）。
电力电子技术习题与答案
《电力电子技术》试卷A一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。
二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）4、逆变角太大会造成逆变失败。
（×）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
电力电子技术习题+参考答案
一、选择题1. 电力电子技术的主要研究对象是什么？A. 电力系统B. 电子电路C. 功率半导体器件及其应用D. 电力设备和控制系统答案：C2. 以下哪种器件不属于电力电子器件？A. 晶闸管B. MOSFETC. 晶体管D. 线圈答案：D3. 在电力电子技术中，以下哪个不是一种电力变换方式？A. 电压变换B. 电流变换C. 频率变换D. 波形变换答案：D4. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电压的升降？A. 逆变器B. 整流器C. 直流变换器D. 交交变频器答案：C5. 电力电子技术中的“开关频率”指的是什么？A. 电路中电流的频率B. 电路中电压的频率C. 功率开关动作的频率D. 输出电压或电流的频率答案：C二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行_________的技术。
答案：功率半导体器件；高效变换2. 电力电子技术中常用的功率半导体器件有_________、_________和_________。
答案：晶闸管；MOSFET；GTO3. 电力电子技术中的“硬开关”和“软开关”技术主要针对_________。
答案：开关过程三、判断题1. 电力电子技术只应用于工业领域，与日常生活无关。
（）答案：错误2. 电力电子技术中的整流器可以将交流电转换为直流电。
（）答案：正确3. 电力电子技术中的逆变器只能将直流电转换为交流电。
（）答案：错误4. 电力电子技术中的变频器可以实现交流电的频率变换。
（）答案：正确四、简答题1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：- 交流-直流变换：如太阳能光伏发电、风力发电等新能源的并网；- 直流-直流变换：如电动汽车充电、电力电子设备供电等；- 交流-交流变换：如变频调速、电力电子补偿等。
2. 简述电力电子技术中的功率半导体器件的特点。
答案：电力电子技术中的功率半导体器件具有以下特点：- 高开关速度：能够快速实现电路的通断；- 高导通电压：能够在高电压下工作；- 高导通电流：能够在大电流下工作；- 高功率密度：能够在有限的体积内实现高功率输出。
《电力电子技术》练习题及参考答案
《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。
4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。
16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。
17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
电力电子技术练习题库及参考答案
电力电子技术练习题库及参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.斩波电路中斩波开关不能用晶闸管来实现。
（×）A、正确B、错误正确答案：B2.GTO制成逆导型，能够承受反向电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B5.提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电力电子电路只能实现电能的变换，而不能实现电能的控制。
（）A、正确B、错误正确答案：B7.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.直流变换电路多用于牵引调速。
（）A、正确B、错误正确答案：A9.变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
（）A、正确B、错误正确答案：A10.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B13.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
（）A、正确B、错误正确答案：A17.GTO的缺点是电流关断增益很小。
（）A、正确B、错误正确答案：A18.β反映基极电流对集电极电流的控制力。
（）A、正确B、错误正确答案：A19.降压斩波电路运行情况只有一种：电感电流连续模式。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应与其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？4.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少？(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E =50V ；L =0.5H ；R =0.5Ω; I L =50mA 〔擎住电流〕。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？ 8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点与主要应用领域。
9. 请将VDMOS 〔或IGBT 〕管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以与栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额〔考虑电压2-3倍裕度〕。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流 ，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者得触发信号与后者得驱动信号有哪些异同？ 8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间得差异与各自得优缺点及主要应用领域。
9. 请将VDMOS （或IGBT ）管栅极电流波形画于图 1-32中，并说明电流峰值与栅极电阻有何 关系以及栅极电阻得作用。
10. 全控型器件得缓冲吸收电路得主要作用就是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件得作用。
11. 限制功率MOSFET 应用得主要原因就是什么？实际使用时如何提高MOSFET 得功率容量？习题二1.具有续流二极管得单相半波可控整流电路 ，带阻感性负载，电阻为5?，电感为0、2H ，电源电压得有效值为220V ，直流平均电流为10A ，试计算晶闸管与续流二极管得电流有效值 ，并指出晶闸管得电压定额（考虑电压2-3倍裕度）。
2.单相桥式全控整流电路接电阻性负载 ，要求输出电压在0〜100V 连续可调，输出电压平均值为30 V 时,负载电流平均值达到 20A 。
系统采用220V 得交流电压通过降压变压器供电 且晶闸管1. 2. 3.习题一试说明什么就是电导调制效应及其作用。
晶闸管正常导通得条件就是什么，导通后流过得电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断得条件就是什么，如何实现？有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了 ，就是何原因？ 图1-30中得阴影部分表示流过晶闸管得电流波形 ，其最大值均为I m ,试计算各波形得电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量 ，额定电流100A 得晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过得电流平均值I 各位多少？二 4/32 二 7/3(c)"兀2兀7/3(d)5. ■ ◎二2 - 9/4(e)J"Q*t二 5/4 2-9/4（f ）图1-30习题1-4附图在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E=50V;L=0、5H;R=0、5? ; l L =50mA （擎住电流）。
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应与其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？4.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少？(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E =50V ；L =0.5H ；R =0.5Ω; I L =50mA 〔擎住电流〕。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？ 8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点与主要应用领域。
9. 请将VDMOS 〔或IGBT 〕管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以与栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额〔考虑电压2-3倍裕度〕。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
电力电子技术练习题与答案
（第一章）一、填空题1、普通晶闸管部有—PN结,，外部有三个电极，分别是______ 极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上____ 电压的同时，门极上加上_______ 电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向________ 状态，正向____________ 状态和反向 ______ 状态。
阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的,其中KP表示该器件的名称为，50表示 ____________ ，7表示_________ 。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于_________ 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角a,负载上得到的直流电压平均值会 ______ 。
减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为______________ 性负载， ________ 性负载和 _________ 负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会 _______ ，解决的办法就是在负载的两端_________ 接一个_________________ 。
8 减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角________ 、电流波形不连续、呈______ 状、电流的平均值 _____ 。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的部一共有个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是 _________ 极、________ 极和________ 极。
10、一个、发射极E、第一基极B i、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于______ 电压时就导通；低于______ 电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周以相同的 _______ 被触发，才能得到稳定的直流电压。
电力电子技术试题20套及答案
电力电子技术试题20套及答案考试试卷( 1 )卷10y一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题20套及答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题〔此题共8小题，每空1分，共20分〕1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成假设干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果根本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，那么称为逆变，如果接到负载，那么称为逆变。
8、如以下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；.二、选择题〔此题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分〕1、单相桥式PWM逆变电路如以下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是〔B 〕A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的选项是〔 C 〕A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并到达稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如以下图所示，在t1~t2时间段内，有〔〕晶闸管导通。
电力电子技术练习题1
电⼒电⼦技术练习题1电⼒电⼦技术习题⼀、可控整流部分1、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。
A、700VB、750VC、800VD、850V2、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制⾓α的最⼤移相范围是( )A、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、0o-180°3、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发⾓α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U24、三相全控整流桥电路，如采⽤双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪⼀种双窄脉冲间距相隔⾓度符合要求。
请选择。
5、单相半波可控整流电路，晶闸管两端承受的最⼤电压为（）。
A、U2B、2U2C、22UD、6U26、单相桥式整流电路的同⼀桥臂两只晶闸管的触发脉冲应相差度。
A、60°B、180°C、360°D、120°7、在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，负载电感量越⼤，则（）A. 输出电压越⾼B.输出电压越低C.导通⾓越⼩D. 导通⾓越⼤8、在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最⼤导通⾓为（D）A. 30°B. 60°C. 90°D. 120°9、三相半波可控整流电路由(A)只晶闸管组成。
A、3B、5C、4D、210、三相半波可控整流电路电阻负载的控制⾓α移相范围是(A)。
A、0～90°B、0～100°C、0～120°D、0～150°11、三相半波可控整流电路⼤电感负载⽆续流管，每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的(D)。
A、1/3B、1/2C、1/6D、1/412、三相半控桥式整流电路由(A)晶闸管和三只功率⼆极管组成。
A、四只B、⼀只C、⼆只D、三只13、三相半控桥式整流电路电阻性负载时，控制⾓α的移相范围是(D)。
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1.
a）考虑周期时间序列信号的傅里叶近似：
i.从上面的方程中识别基频和Hz中的谐波。
(2分)
ii. 使用1ai)绘制相应的功率频谱。
(3分)
注：
b）i用初值定理求y（0）如果：
假设单位脉冲。
ii.利用1bi中的传递函数和终值定理，如果假设是单脉冲，求出y(∞) iii.
将部分分数与z变换表或剩余部分一起使用如下定理如下：
其中Ki代表残基（residues）。
如果存在“p”级的多个极点z j，然后：
c）考虑以下仅对前五（5）个样本显示的递归无限时间序列；
i）求的一般表达式f（n），n=0，1，2，3......∞
ii）使用Z-Transform的定义，找到F(z)=Z{f（n）}
注：候考生应铭记：
z变换是线性运算并且
2.考虑图2.1所示的采样数据控制系统，Y是输出，R是输入，K>0。
a）求图2.1系统的特征方程..
b）对于K的哪些值是特征方程复数的根？
c）显示这样的根位于半径2的圆上，中心有坐标（-1，0）。
绘制根轨迹。
d）对于K的哪个值，根是相等的和真实的？找到这个根。
第二部分
3.考虑下面图3.1中的反馈系统
在哪里，
a）对于k=5，绘制G(S)的大小和相位的波德图，计算角频率和渐近线的斜率的值。
你的图纸可以接受，即使它们不是p完美。
在一个单独的表
中注明震级和斜率的计算值。
b）在你在a部分列出的角频率中，取最接近增益交叉频率的一个，并估计相位裕度（phase margin）。
c）根据你的情节，如果k减少16db，相位裕度会是正的吗？这是否符合稳定或不稳定的条件？解释你的答案。
d）假设添加了一个补偿器
这是什么样的补偿器？最大相位推进的频率是
多少？？多少钱？同频率增益变化是多
少？？您的答案必须包括数值。
e）考虑第二补偿器与第d部分的第一补偿器插入级联。
第二个补偿
器是.
这是什么样的补偿器，它将有助于提高什么这是什么样的补偿器，它将有助于提高什么性能？
f）Sketch the phase Bode plot for the compensated system with
用M(S)=M2(S)M1(S)绘制补偿系统的相位波德图。
4.考虑下图4.1中的反馈系统，
在哪里,
你可以假设闭环是稳定的
a. 表明具有
的系统可以跟踪具有有限稳态误差的阶跃输入，不能跟踪斜坡输入..
b. 对于H(S)=1，设计一个相位引线补偿器，用根轨迹法代替M(S)，该方法保证了阶跃输入PO<7.5%的超调百分比和稳定时间（2%）没有步骤反应)或迭代满足它们
c.假设你的补偿系统有过多的超调。
如何改善超调？？你的选择会对结算时间产生什么后果？你不需要计算这部分。
然而，您应该讨论您提出的解决方案。