大容量多层陶瓷电容器(高介电常数)
多层陶瓷电容
多层陶瓷电容一、什么是多层陶瓷电容？多层陶瓷电容（MLCC）是一种常见的电子元件，用于电路中的信号整形、滤波、耦合和终端阻抗匹配等应用。
其基本结构由多层陶瓷薄片和金属电极堆叠而成，其中陶瓷层作为电介质存储能量，金属电极用于连接电路。
多层陶瓷电容具有高容量密度、低电阻、优异的高频性能和稳定性等特点。
二、多层陶瓷电容的分类多层陶瓷电容根据其材料、结构和电容量可以进行分类。
2.1 材料分类•标准陶瓷电容：以镁钛酸钡（BaTiO3）为基础材料，具有较高的介电常数和良好的温度稳定性。
标准陶瓷电容广泛应用于消费电子产品和工业设备中。
•超低温陶瓷电容：添加稀土元素或其他添加剂，可以显著降低介电常数和温度系数，提高电容在低温环境下的稳定性，适用于航天航空等极端环境中的应用。
•超高温陶瓷电容：采用高熔点材料制备，可以在高温环境中保持稳定性，适用于汽车引擎、电源模块等高温环境的电子设备。
2.2 结构分类•X7R结构：具有一定的介电常数、温度系数和电压稳定性，是最常用的结构。
适用于大部分一般性的应用场景。
•X5R结构：与X7R相比，具有更高的介电常数和更大的温度系数。
适用于电容量较大且要求高温环境稳定性的应用。
•X8R结构：具有较低的温度系数和良好的高温稳定性，适用于高温环境的电路设计。
2.3 电容量分类多层陶瓷电容的电容量范围广泛，从几皮法到数百微法不等。
根据具体应用需求，选择合适的电容量是确保电路性能稳定的重要因素。
三、多层陶瓷电容的特性多层陶瓷电容具有以下几个重要的特性：3.1 高容量密度多层陶瓷电容的高容量密度使得在有限的空间内可以存储更多的能量，满足电路的需求，对于体积要求敏感的应用十分重要。
3.2 低电阻多层陶瓷电容具有较低的ESR（Equivalent Series Resistance），使其在高频条件下具有良好的电流响应能力。
这使得它适用于需要高频稳定性和低噪声的电路设计。
3.3 高频性能多层陶瓷电容具有优异的高频性能，可以在高频条件下保持稳定的电容值和低损耗。
高介电常数陶瓷
高介电常数陶瓷高介电常数陶瓷是一种具有较高介电常数的陶瓷材料。
介电常数是材料对电场的响应能力的度量，表示材料在电场作用下的极化程度。
高介电常数的陶瓷材料广泛应用于电子器件、电子通信、储能设备等领域，具有重要的应用价值。
高介电常数陶瓷的高介电常数主要归功于其特殊的晶体结构和成分。
一些常见的高介电常数陶瓷材料包括铁电体、钛酸锶钡（BST）陶瓷、铌酸锂（LiNbO3）陶瓷等。
这些材料具有较高的介电常数，使得它们在电场作用下能够产生较大的极化效应，从而实现对电场的响应和调节。
高介电常数陶瓷在电子器件中的应用非常广泛。
例如，在电容器中，高介电常数陶瓷材料可以作为电介质层，用于储存和释放电荷。
由于其较高的介电常数，可以在有限的体积内实现较大的电荷储存能力，从而提高电容器的性能。
高介电常数陶瓷还可以应用于微波设备中，用于实现信号的调制、滤波和耦合等功能。
除了在电子器件中的应用，高介电常数陶瓷还可以用于电子通信领域。
在无线通信系统中，高介电常数陶瓷材料可以用于天线的调谐和匹配。
通过调节陶瓷材料的介电常数，可以实现天线对特定频率的信号的接收和发送。
高介电常数陶瓷还可以用于超声波传感器中，通过改变材料的介电常数来调节超声波的传播速度和散射特性，从而实现对材料的检测和成像。
高介电常数陶瓷还被广泛应用于储能设备中。
例如，铁电体陶瓷具有较高的介电常数和压电效应，在电场作用下可以发生极化和变形，因此被广泛应用于压电陶瓷储能器件中。
这些储能器件可以将电能转化为机械能，实现能量的存储和释放，具有较高的能量密度和快速响应的特点。
高介电常数陶瓷是一类具有重要应用价值的陶瓷材料。
其高介电常数使其具有优异的电场响应能力，可广泛应用于电子器件、电子通信和储能设备等领域。
高介电常数陶瓷的应用不仅能够提高设备的性能，还能够推动科技的发展和进步。
未来，随着科技的不断发展，高介电常数陶瓷在各个领域的应用将会越来越广泛。
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。
电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。
而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。
英文名称：capacitor。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。
它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。
一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。
低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。
那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大。
多层片状陶瓷电容cm-cc
F
G
H
J
A
B
C
32 3225 1210 D
E
F
G
42 4520 1808
A B
A
B
43
4532 1812
C D
E
F
52 5720 2208 A
A
55 5750 2220 B
C
L 0.4±0.02 0.6±0.03 0.6±0.05 1.0±0.05
1.0±0.10 1.0±0.15 1.6±0.10 1.6±0.15 1.6±0.2
1.00 max.
1.40 max.
1.60 max.
1.6±0.15
0.30
2.20 max.
2.0±0.2
2.5±0.2
1.6 max. 2.2 max.
0.15
2.0 max.
2.0±0.2
2.5 max. 2.5±0.2
0.30
2.8 max.
2.8±0.2
2.2 max.
0.15
2.0 max.
※温度系数取决于20°C和85°C两点的测定值。
⑤静电电容值允差
温 度 补 偿 类
高 介 电 常 数 类
代号 A∗ B C D G∗ J K
允差 ±0.05pF ±0.1pF ±0.25pF ±0.5pF
±2% ±5% ±10%
静电容量的适用范围 C<0.5pF
代号 J∗
C≤5pF
K
C<10pF
M
Z
∗ ：适用于CL系列
④公称静电电容值 代码 静电容量值 R50 0.5pF 1R0 1pF 101 100pF 103 10000pF 105 1μF 107 100μF
mlcc的分类 -回复
mlcc的分类-回复标题：MLCC的分类：深入理解和解析一、引言多层陶瓷电容器（Multi-Layer Ceramic Capacitor，简称MLCC）是电子元器件中的重要组成部分，广泛应用于各类电子设备和系统中。
其主要功能包括信号滤波、电源去耦、信号耦合、储能等。
由于其小型化、高容量、高稳定性和良好的温度特性等特点，MLCC在现代电子技术中占据了不可替代的地位。
然而，MLCC的种类繁多，根据不同的分类标准，可以有多种分类方式。
以下将详细探讨MLCC的分类。
二、按材料分类1. X7R型：X7R型MLCC是一种常用的高介电常数电容器，其介电常数在-55到+125的温度范围内变化不大于±15。
这种类型的电容器适用于需要稳定电容值的应用，如滤波和耦合电路。
2. Y5V型：Y5V型MLCC的介电常数较高，但其电容值随温度变化较大，介电常数在-30到+85的温度范围内变化可达-82至+22。
因此，Y5V型电容器通常用于对电容值精度要求不高的应用，如电源去耦。
3. C0G/NP0型：C0G/NP0型MLCC具有非常稳定的电容值，其介电常数在宽温度范围内几乎不发生变化（±30ppm/）。
这种类型的电容器适用于需要极高稳定性和精确度的应用，如振荡器和定时电路。
三、按电压等级分类MLCC的电压等级是根据其能承受的最大直流电压来划分的。
常见的电压等级包括：1. 低压：通常指额定电压低于50V的MLCC，适用于低电压电路。
2. 中压：通常指额定电压在50V至500V之间的MLCC，适用于中等电压电路。
3. 高压：通常指额定电压高于500V的MLCC，适用于高压电路。
四、按封装类型分类1. 贴片式：贴片式MLCC是最常见的封装形式，适合于SMT（表面贴装技术）生产线，具有体积小、重量轻、抗震性能好等优点。
2. 插件式：插件式MLCC适用于通孔安装，其特点是机械强度高、耐热性好，但体积和重量相对较大。
MLCC老化特性
片式多层陶瓷电容器（MLCC）老化特性高介电常数型陶瓷电容器 (标准的主要材料为BaTiO3，温度特性为X5R，X7R，Y5V等) 的电容量随时间而减小。
这一特性称之为电容老化。
电容老化是具有自发性极化现象的铁电陶瓷独有的现象。
当陶瓷电容器加热到居里点以上的温度时 (在该温度晶体结构发生改变，自发性极化消失 (大约为150°C) )，并使之处于无载荷状态，直到它冷却到居里点以下，随着时间的流逝，逆转自发性极化变得越来越困难，结果，所测的电容值会随着时间而减小。
上述现象不仅在三星的产品中，在所有高介电常数 (BaTiO3) 的一般性陶瓷电容器都可以观察到。
附录是一些有关电容老化的公用标准 (陶瓷电容器:IEC60384-22附录B等)。
当电容值由于老化而不断减小的电容器重新加热到居里点以上温度并让其冷却时，电容值会得到恢复。
这种现象称之为去老化现象，发生去老化后，正常的老化过程重新开始。
质陶瓷的自发极化与铁电现象BaTiO3质陶瓷的自发极化与铁电现象如图1所示，BaTiO3质陶瓷具有钙钛矿晶体结构。
在居里点 (约130°C) 温度以上呈立方体，且钡 (Ba) 的位置位于最高点，氧 (O)位于晶面的中心，钛 (Ti) 位于晶体的中心。
图1: BaTiO3质陶瓷的晶体结构当在居里点以下正常温度范围内，一条晶轴 (C轴) 伸长约1%而其他晶轴缩短，晶体变成四方晶格 (如下页图2所示)。
在这种情况下，Ti4+离子将占据附近O2-的位置而后者从晶体中心沿晶轴伸展的方向偏移0.12Å。
这种偏移导致正、负电荷的生点发生偏差，造成极化现象。
极化现象是由于晶体结构的不对称造成的，在不施加外电场或压力的情况下，这种极化现象从一开始就存在。
这种类型的极化称为自发性极化现象。
图2: 温度变化时的晶体结构和相关介电常数的变化 (纯BaTiO3)BaTiO3质陶瓷自发极化的方向 (Ti4+离子的位置) 在施加外部电场的情况下可以轻易逆转。
片式多层陶瓷电容器简介介绍
应用领域
通信设备
用于信号处理、滤波、去耦等电路中，提高 信号质量。
汽车电子
用于汽车发动机控制、安全气囊等汽车电子 系统中。
消费电子
广泛用于智能手机、平板电脑、数码相机等 电子产品中。
工业控制
用于工业自动化设备、电机驱动控制等电路 中。
02
片式多层陶瓷电容器的制造工 艺
片式多层陶瓷电容器的制造工艺
智能化与自动化
随着智能化和自动化技术的不断 发展，片式多层陶瓷电容器的生 产工艺也在不断改进，提高生产 效率和产品质量。
技术挑战与解决方案
技术挑战
片式多层陶瓷电容器的技术挑战主要 包括提高性能、减小体积、降低成本 等方面。
解决方案
针对这些挑战，企业可以通过研发新 材料、优化生产工艺、提高生产效率 等方式来应对。同时，加强与高校、 科研机构的合作也是解决技术难题的 重要途径。
它利用陶瓷介质的高介电常数特性，实现小型化、高容量的电容器。
特性
高容值
由于采用多层叠加结构，片式 多层陶瓷电容器的容值较高。
小型化
体积小巧，有利于电子设备的 小型化和集成化。
高频特性好
具有较低的等效串联电阻（ESR ）和等效串联电感（ESL），适 用于高频电路。
可靠性高
经过严格的质量控制和可靠性 测试，具有较长的使用寿命。
• 片式多层陶瓷电容器（MLCC）是一种电子元件，广泛应用于各类电子设备中，具有小型化、高性能、高可靠性的特点。 MLCC由多层陶瓷介质和金属电极叠合而成，具有高介电常数、低损耗、温度稳定性好等优点。
03
片式多层陶瓷电容器的性能参 数
片式多层陶瓷电容器的性能参数
• 片式多层陶瓷电容器（MLCC）是一种电子元件，广泛应 用于各类电子设备中，作为微型、高精度、高可靠性的电 容元件。它由多层陶瓷介质和金属电极叠加而成，具有体 积小、容量大、成本低、一致性好等优点。
MLCC—搜狗百科
MLCC—搜狗百科 MLCC是⽚式多层陶瓷电容器英⽂缩写.(Multi-layer ceramic capacitors)⼀、瓷介的分类 陶瓷电容⼀般是以其温度系数作为主要分类。
Class I - ⼀类陶瓷（超稳定）EIA称之为COG 或NPO。
⼯作温度范围 -55℃~+125℃，容量变化不超过±30ppm/℃。
电容温度变化时，容值很稳定，被称作具有温度补偿功能，适⽤于要求容值在温度变化范围内稳定和⾼Q值的线路以及各种谐振线路。
Class II/III - ⼆/三类陶瓷（稳定）EIA标称的X7R表⽰温度下限为-55℃；上限温度为+125℃的⼯作温度范围内，容量最⼤的变化为 ±15%，Z5U、Y5V分别表⽰⼯作温度10~+85℃和-30~+85℃；容量最⼤变化为+22~-56%和30~82%，同属于⼆类陶瓷。
优点是体积利⽤率⾼，即在外型尺⼨相同时能提供更⾼的容值，适⽤于⾼容值和稳定性能要求不太⾼的线路。
⼆、瓷介代号陶瓷介质的代号是按其陶瓷材料的温度特性来命名的。
⽬前国际上通⽤美国EIA标准的叫法，⽤字母来表⽰。
常⽤的⼏种陶瓷材料的含义如下：Y5V：温度特性Y代表－25℃； 5代表＋85℃；温度系数V代表－80％～＋30％Z5U：温度特性Z代表＋10℃； 5代表＋85℃；温度系数U代表－56％～＋22％X7R：温度特性X代表－55℃； 7代表＋125℃温度系数R代表 ± 15％NP0：温度系数是30ppm/℃（-55℃～＋125℃）三、⼀般电性能1、介电常数不同介质的类别有不同的表现效果。
环境因素，包括温度、电压、频率和时间（⽼化），对不同介质的电容有不同的影响。
介质常数（K值）越⾼，稳定性能、可靠性能和耐⽤性能便越差。
现代多层陶瓷电容器介质最常⽤有以下三类。
· COG或NPO（超稳定） K值10~100· X7R（稳定）K值2000~4000· Y5V或Z5U（⼀般⽤途）K值5000~250002、绝缘电阻（IR）即介质直流电阻，通常测量⽅法是以额定电压将电容充电⼀分钟，电容充电以后测量其漏电电流。
mlcc电容材料标准号及材质大全
mlcc电容材料标准号及材质大全
对于MLCC（多层陶瓷电容器），有许多标准和材质可以参考。
以下是一些常见的MLCC电容材料标准号及材质的列表：
1. 材料标准号：C0G（超稳定型陶瓷材料）
材料特点：低失真，低介电损耗，稳定性好，温度系数（TC）接近于零。
应用领域：高精度应用，例如精密测量仪器，医疗设备等。
2. 材料标准号：X7R（泛用型陶瓷材料）
材料特点：介电常数高，温度系数（TC）适中，稳定性较好。
应用领域：广泛应用于电子领域，例如电源管理，无线通信，汽车电子等。
3. 材料标准号：Y5V（宽温型陶瓷材料）
材料特点：介电常数高，温度系数（TC）较大，稳定性较差。
应用领域：适用于一些一般性的应用，如消费电子产品等。
4. 材料标准号：NPO（零温度系数陶瓷材料）
材料特点：温度系数（TC）接近于零，稳定性非常好，因此也被称为零温度系数材料。
应用领域：高频应用，例如射频天线，卫星通信等。
以上是一些常见的MLCC电容材料标准号及材质的介绍，还有其他材料标准号和材质也可以根据具体需求进行选择。
多层片式陶瓷电容器
多层片式陶瓷电容器执行标准总规范：GB/T2693-2001《电子设备用固定电容器第1部分：总规范》分规范：GB/T9324-1996《电子设备用固定电容器第10部分：分规范》GB/T9325-1996《电子设备用固定电容器第10部分：空白详细规范》分类介绍a、电解质种类容量温度特性是选用电介质种类的一个重要依据。
NPO（CG）：I类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变；属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频的电路。
产品应用：振荡器、混频器、中频/高频/甚高频/超高频放大器、低噪声放大器、时间电路、高频滤波电路、高频耦合。
X7R（2X1）：II类电介质，电气性能较稳定，随温度、电压、时间的改变，其特有性能变化并不显著，属稳定型电容材料类型，适用于隔离、耦合、旁路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路。
产品应用：电源（滤波、旁路）电路、时间电路、储能电路、中频/低频放大器（隔直、耦合、阻抗匹配），高频开关电源（S.P.S）、DC/DC变换器、滤波、旁路电路、隔直、阻抗匹配电路。
Y5V（2F4）：III类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容比较大的、标称容量较高的大容量电容产品；由于其特有的电介质性能，因而能造出容量比NPO更大的电容器。
属低频通用型电容材料类型，由于成本较低，广泛用于对容量、损耗要求偏低的电路。
产品应用：电源滤波电路、隔直、阻抗匹配电路。
b、电容量与偏差电容量与偏差的选择取决于电路的要求，特别提示，在相同尺寸和容量规格下，偏差较大的电容器的价格相对便宜。
c、电压额定电压的选择也取决于电路本身的要求，电容的耐压虽然在设计时已有一定的安全系数，但电容器额定电压的选择仍须高于实际工作电压。
d、片状电容器的端头电极：片状电容器端头电极的选择至关重要！全银端头：生产工艺简单、成本较低，耐焊性较差、端头物理强度也低，焊接时温度要适当，焊接速度要快，否则会出现银锡熔融现象而损坏端头。
贴片叠层瓷介电容器(SMD贴片电容)详细介绍
北京芯联科泰电子有限公司贴片叠层瓷介电容器（SMD贴片电容）详细介绍：贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。
英文缩写：MLCC。
基本概述贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册尺寸贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00命名贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。
多层陶瓷电容器
容量与温度关系图 1
20 COG
0
X7R -20
容量变化（%）
-40
Z5U
-60
-100
-50
0
50
温度（℃）
100
150
福州欧中电子有限公司
2
Tel:(0591)87871172/182 Fax:87809119
Email: eurocn@
福州欧中电子有限公司
1
Tel:(0591)87871172/182 Fax:87809119
Email: eurocn@
多层陶瓷电容器介质电特性
多层陶瓷电容器基本原理
电极
介质
±10% P ±15% R +22-56% U +22-82% V
介质分类
陶瓷电容一般是以其温度系数作为主要分类。 Class I - 一类陶瓷（超稳定）EIA 称之为 COG 或 NPO。工作温度范围 -55℃~+125℃，容量变化不 超过±30ppm/℃。电容温度变化时，容值很稳定， 被称作具有温度补偿功能，适用于要求容值在温度 变化范围内稳定和高 Q 值的线路以及各种谐振线 路。
端头
t
A
电容量的公式为： C = NKA/t
式中： C = 电容量 N = 电极层数 K = 介质常数（K 值） A = 相对电极覆盖面积 t = 电极间距（介质厚度）
采用多层技术生产陶瓷电容便可以实现大容 量小体积的需求，增大 N（增加层数）便可增大容 量。反观单层的电容，N 始终是 1，若再要提高容 量，必定采用高 K 值（降低稳定性能）、增加 A（增 大体积）或降低 t（降低耐电压能力）。
LCD 逆变器应用- FB9 系列..………………………………....................................……...........................31
II类瓷片电容器规格
一、特性Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型（High Dielectric Constant Type），是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵。
其特性符合以下标准：用途：1). 旁路和耦合；2). 对Q 值和容量稳定性要求一般的分步电路。
二、温度系数、额定电压、静电容量关系表：温度特性Y5P Z5U Y5V X7R额定电压(VDC)50-200500 -10002000 3000 50-20050010002000 300050-2005001000 2000 300050-200500-10002000 3000测试条件 1KHz±20%, 1.0Vrms±0.2Vrms at 25± 1℃ΔC K M M/ Z K T -25~+ 85 ℃+10~+ 85 ℃-25~+ 85 ℃-55~+ 125 ℃DF 0.025 max 0.025 max 0.050 max 0.025 max Ri Ri≥4000MΩU R (U R≥500VDC测试电压为500V DC ) 充电60S耐电压测试U R <1KV DC: 2.5U RU R≥1KV DC: 1.5U R +500V构造尺寸说明：(1). 上图为标准引线长度、形式图形，但也可根据客户要求进行生产。
(2). C 尺寸要求为：环氧树脂包封3.0mm 最大；酚醛树脂包封额定电压在250VDC 以上者为2.0mm 最大，否则为1.5mm 最大。
(3). D 与T 尺寸根据标称容量与额定电压大小决定，一般来说：同材质情况下，容量越大，D 尺寸越大；额定电压越高，T 尺寸越厚。
(4). 可根据客户要求生产散件与适合A/I 自动插件的编带( 带装) 产品。
三、编带尺寸规格弯脚型：直脚型编带尺寸规格表：项目标记特征值备注标称值(mm) 允许误差(mm)本体直径 D 11.0 max本体厚度T 3.5 max引脚直径 d 0.6 +0.06/-0.05 元件中心间距P 12.7 +/-1.0编带孔中心间距P0 12.7 +/-0.3编带孔中心与元件引脚间距P1 3.85 +/-0.7编带孔中心与元件中心间距P2 6.35 +/-1.3 元件脚距 F 5.0 +0.8/-0.2△H 0 +/-2.0 编带宽度W 18.0 +1.0/-0.5胶纸宽度W0 5.0 min胶纸内边距W19.0 +/-0.5胶纸外边距W2 3.0 max元件下沿到编带孔中心之高度H 20.0 +1.5/-1.0 弯脚底部到编带孔中心之高度H016.0 +/-0.5 元件上沿到编带孔中心之高度H132.25 max元件底部引脚允许超出编带长度l 1.0 max 编带孔直径D0 4.0 +/-0.2编带厚度t 0.7 +/-0.2L 11.0 max四、电性能4.1静电容量电容器之静电容量是以图一、图二、图三为原则，依据测定条件定其容量应在规定允许误差范围内，并在室温25℃之状态下进行。
mlcc容值范围
mlcc容值范围【原创版】目录1.MLCC 容值范围的概述2.MLCC 容值范围的计算方法3.MLCC 容值范围的影响因素4.MLCC 容值范围的选择原则5.MLCC 容值范围的实际应用案例正文1.MLCC 容值范围的概述MLCC（Multi-Level Cell Capacitor）即多层陶瓷电容器，是一种具有高容量、高稳定性、低 ESR（等效串联电阻）和高可靠性的电容器。
在电子设备中，MLCC 被广泛应用于滤波、去耦、储能等电路，以保证电路的稳定性和可靠性。
MLCC 容值范围，顾名思义，是指 MLCC 电容器所能承受的电容量范围。
2.MLCC 容值范围的计算方法MLCC 容值范围的计算方法通常根据电容器的尺寸、电介质材料、工艺结构等因素来确定。
计算公式为：容值范围 = （最大容值 - 最小容值）/ 2其中，最大容值和最小容值分别对应电容器所能承受的最大电容量和最小电容量。
3.MLCC 容值范围的影响因素影响 MLCC 容值范围的主要因素包括以下几点：a.电介质材料：电介质材料的介电常数直接影响电容器的电容量，因此不同材料的电容器容值范围有所差异。
b.工艺结构：MLCC 的制作工艺和结构对电容器的电容量有重要影响，如叠层数、电极材料等。
c.尺寸：电容器的尺寸直接影响其电容量，不同尺寸的电容器容值范围不同。
d.工作电压和温度：电容器的工作电压和温度范围也会影响其容值范围。
4.MLCC 容值范围的选择原则在选择 MLCC 容值范围时，需要综合考虑以下几个原则：a.符合电路设计要求：根据电路的滤波、去耦等需求，选择合适的容值范围。
b.考虑电容器的稳定性和可靠性：选择具有较高稳定性和可靠性的电容器，以保证电路的长期稳定运行。
c.考虑成本因素：在满足性能要求的前提下，选择成本合理的电容器。
5.MLCC 容值范围的实际应用案例以一款智能手机为例，其滤波电路可能需要使用容值范围为10nF~100nF 的 MLCC 电容器，以保证电路的稳定性和可靠性。
多层片式陶瓷电容器(MLCC)的研究进展及发展趋势
多层片式陶瓷电容器（MLCC）的研究进展及发展趋势多层片式陶瓷电容器（MLCC）是片式元件的一个重要门类，由于具有结构紧凑、体积小、比容高、介电损耗低、价格便宜等诸多优点，被大量应用在计算机、移动电话、收音机、扫描仪、数码相机等电子产品中。
MLCC特别适合片式化表面组装，可大大提高电路组装密度，缩小整机体积，这一突出特性使MLCC成为当今世界上发展最快、用量最大的片式电子元件。
MLCC的应用领域决定了其介质材料必须具有以下性能：（1）高介电常数MLCC的比容与材料的介电常数关系如下:C为电容，V为体积，C/V为比电容，t为介电层厚度，ε为介电常数。
在介电层厚度确定的情况下，材料的介电常数越高，电容器比电容越大。
介电材料的介电常数越高，越易于实现电容器的小型化，这是目前电容器的一个发展方向，自从MLCC问世以来，其比容一直不断上升，介电层的厚度不断下降。
如图1所示。
（2）良好的介温特性介温特性用来描述电容随温度变化情况。
一般来说，在工作状态下，电容器的电容随温度的变化越小越好。
由于电容随温度发生变化来源于介质材料介电常数的变化，因此要求节电材料具有良好的介温特性。
（3）高绝缘电阻率（4）介电损耗小，抗老化1.研究进展MLCC用高介电常数的介电材料可以归结为以下三个体系：BaTiO3系材料；（Ba，Ca）（Ti，Zr）O3系材料；复合含Pb 钙钛矿系材料。
1.1BaTiO3系材料BaTiO3系材料是最早研究的用于MLCC的介电材料，也是最早实现商业化的MLCC用介电材料。
从20世纪60年代初期到70年代末，为了实现MLCC贱金属化，降低电容器的成本，人们对BaTiO3系材料的研究多集中在抗还原方面。
常用的手段是向BaTiO3中添加过渡元素的氧化物，这些元素的离子在还原气氛下俘获电子发生变价，从而提高还原烧结BaTiO3材料的绝缘电阻。
但是由于受主掺杂BaTiO3材料中氧空位的迁移，使用后不久，材料的绝缘电阻就大幅下降，MLCC的性能严重劣化。
电容的技术参数及命名
常用电容技术参数值大全常用电容技术参数值大全：1、陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。
电容量：0.47～10000u额定电压：6.3～450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等3、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。
电容量：0.1～1000u额定电压：6.3～125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容4、薄膜电容器结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。
a 聚酯（涤纶）电容（CL）电容量：40p～4u额定电压：63～630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路b 聚苯乙烯电容（CB）电容量：10p～1u额定电压：100V～30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路c 聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p～10u额定电压：63～2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路5、瓷介电容器穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。
各种电容的参数及作用
各种电容的参数及作用一、什么是电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
二、电容的作用电容器的基本作用就是充电与放电，但由这种基本充放电作用所延伸出来的许多电路现象，使得电容器有着种种不同的用途，例如在电动马达中，我们用它来产生相移; 在照相闪光灯中，用它来产生高能量的瞬间放电等等; 而在电子电路中，电容器不同性质的用途尤多，这许多不同的用途，虽然也有截然不同之处，但因其作用均来自充电与放电。
下面是一些电容的作用列表：∙耦合电容：用在耦合电路中的电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用。
∙滤波电容：用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。
∙退耦电容，用在退耦电路中的电容器称为退耦电容，在多级放大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路，退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。
∙高频消振电容：用在高频消振电路中的电容称为高频消振电容，在音频负反馈放大器中，为了消振可能出现的高频自激，采用这种电容电路，以消除放大器可能出现的高频啸叫。
∙谐振电容：用在LC谐振电路中的电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。
∙旁路电容：用在旁路电路中的电容器称为旁路电容，电路中如果需要从信号中去掉某一频段的信号，可以使用旁路电容电路，根据所去掉信号频率不同，有全频域（所有交流信号）旁路电容电路和高频旁路电容电路。
∙中和电容：用在中和电路中的电容器称为中和电容。
在收音机高频和中频放大器，电视机高频放大器中，采用这种中和电容电路，以消除自激。
∙定时电容：用在定时电路中的电容器称为定时电容。
在需要通过电容充电、放电进行时间控制的电路中使用定时电容电路，电容起控制时间常数大小的作用。
∙积分电容：用在积分电路中的电容器称为积分电容。
cm247lc 标准
cm247lc 标准cm247lc 是一种较为常见的电容器型号，以下是关于 cm247lc 标准的一些详细说明：一、概述cm247lc 是一种陶瓷电容器，通常用于高频率、高电压和高温度的环境下。
它属于 MLCC（多层陶瓷电容器）的一种，采用了多层陶瓷材料制造而成。
这种电容器具有体积小、容量大、可靠性高、成本低等优点，是电子设备中常用的元件之一。
二、结构与特点1.结构cm247lc 电容器的结构主要由多层陶瓷介质、内电极和外电极组成。
陶瓷介质具有高绝缘性、高介电常数和低介质损耗等优点，可以保证电容器的绝缘性能和稳定性。
内电极是电容器储存电荷的部分，通常采用导电性能良好的金属材料。
外电极则是连接电容器的引脚，通常采用导电性能良好的金属材料。
2.特点cm247lc 电容器具有以下特点：（1）体积小：采用多层陶瓷材料制造而成，使得电容器能够实现大容量和小体积。
（2）容量大：多层陶瓷材料的介电常数较高，可以储存更多的电荷，实现大容量。
（3）可靠性高：陶瓷材料的稳定性好，不易受温度、湿度等环境因素的影响，可靠性高。
（4）成本低：采用批量生产方式，制造成本相对较低。
三、技术参数与性能指标1．额定电压：电容器能够承受的最大电压值，通常以伏特（V）为单位表示。
2．额定容量：电容器能够储存的最大电荷量，通常以微法拉（μF）为单位表示。
3．介质材料：陶瓷材料的种类和性能对电容器的性能有很大的影响。
常见的陶瓷材料包括钛酸钡基、钛酸锶基、锆酸钡基等。
4．温度系数：电容器容量随温度变化的系数，通常以百万分之一（ppm/℃）为单位表示。
温度系数越低，电容器的温度稳定性越好。
5．绝缘电阻：电容器极板之间的电阻值，通常以兆欧（MΩ）为单位表示。
绝缘电阻越大，电容器的绝缘性能越好。
6．耐压：电容器能够承受的最大电压值，通常以伏特（V）为单位表示。
耐压越高，电容器的绝缘性能越好。
7．损耗角正切值：电容器在交流电路中消耗的能量与存储的能量之比，通常以百分之一（%）为单位表示。
陶瓷电容MLCC的ESD承受能力
电容器的ESD 耐性对电容器的ESD （Electrostatic Discharge ：静电放电）耐性进行说明。
•ESD 耐性的测试方法 •电容器静电容量与ESD 耐性的关系 • （参考数据）多层陶瓷电容器（GCM 系列）的ESD 耐性ESD 耐性的测试方法耐性人体和设备所携带的静电向整机及电子元件放电时，由于增加了冲击性的电磁能 量，则产品必须具备一定量ESD 耐力。
ESD 耐性测试方法根据产生静电的模型，分为以下三种：①HBM 、②MM 、③CDM 。
其中，我们为您说明一般较多用作电容器ESD 耐性测试方法的①HBM 。
①HBM:假设由人体静电放电时的测试 （Human Body Model ：人体模型）②MM:假设由机械静电放电时的测试（Machine Model ：机械模型） ③CDM :假设由带电设备静电放电时的测 （Charged Device Model ：带电设备模 试型）HBM 的ESD 测试规格有AEC-Q200-002和IEC61000-4-2等，HBM 模型常熟如下表 所示因规格有所不同。
AEC-Q200-002HBM 的ESD 测试电路及放电电流波形如图1、图2所示。
（i ）开关2为断开状态，开关1闭合，施加高压电源，充电用电容器（Cd ）存储电量。
（ii ）开关1断开，开关2闭合，电对测试对象电容器（Cx ）施加Cd 存储的电量，进行测试。
规格名充电用电容器 Cd （pF ） 放电用电阻 Rd （Q ） AEC-Q200-002150 2000 IEC61000-4-2 150 330XCx：测试对象电容器Cd：充电用电容器Rd：放电用电阻Rc：保护电阻根据AEC-Q200-002, HBM的ESD测试流程如图3所示，级分类如表1所示。
根据图3的流程进行测试，耐电压的分级如表1所示进行分类。
表1.HBM的ESD测试流程分类最大耐电压1A500V（DC）以下1B0.5kV（DC）以上 1kV（DC）以下1C1kV（DC）以上 2kV（DC）以下22kV（DC）以上 4kV（DC）以下34kV（DC）以上 6kV（DC）以下46kV（DC）以上 8kV（DC）以下5A8kV（DC）以上 12kV（AD）以下5B12kV（AD）以上 16kV（AD）以下5C16kV（AD）以上 25kV（AD）以下625kV（AD）以上DC：直流接触放电人口：空气放电测试对象电容器的静电容量（Cx ）和两端产生的电压（Vx ）有如下关系。
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1.25 × 2.0 ※
316
3.2 × 1.6
325
3.2 × 2.5
432
4.5 × 3.2
注: ※LW 逆转型（□WK）
EIA（inch） 01005 0201 0402 0204 0603 0306 0805 0508 1206 1210 1812
⑤产品尺寸公差 代码 △
规格 所有规格
063 105 107
标准数量［pcs］
纸带
压纹带
－
40000
15000
－
20000
－
15000
－
10000
－
4000 －
4000 －
4000 4000
－ －
－ 4000 － 3000 － － 3000 2000
－
2000
－
500（T），1000（P）
－
500
▶ 本产品目录根据版面大小，仅记载了代表性产品规格，若考虑使用本公司产品时，请确认供货规格型号明细表中的详细规格。 有关各商品的详细信息（特性图、可靠性信息、使用时的注意事项等），请参阅本公司网站（/）。
P
0.8±0.10
0.45±0.05 K
0.8±0.10
A
1.6±00.05 K
1.25±0.10
0.85±0.10 D
1.25±0.10 G
2.0±0.15
0.85±0.1
Ｄ
0.85±0.10 D
1.6±0.15
1.15±0.10 Ｆ 1.25±0.10 G
1.6±0.20
±0.5pF
D
±1pF
F
±5％
J
±10％
K
CJ
JIS CJ
－55～＋125
20
CK
JIS CK
－55～＋125
20
UJ
JIS UJ
－55～＋125
20
UK
JIS UK
－55～＋125
20
0±120ppm/℃
±0.25pF
C
0±250ppm/℃
±0.25pF
C
±0.25pF
C
－750±120ppm/℃
注：※LW 逆转型、*1 产品厚度代码
标准产品尺寸[mm]
Ｗ
T
*1
0.2±0.02
C 0.2±0.02
D
0.2±0.02
0.2±0.02
C
0.3±0.03
0.3±0.03
P
T
0.2±0.02
C
0.5±0.05
0.3±0.03
P
0.5±0.05
V
0.5±0.05
0.5±0.05
W
1.0±0.05
0.3±0.05
代码
适用标准
温度范围［℃］
基准温度［℃］
静电容量变化率
JIS B
－25～＋ 85
20
BJ
EIA X5R －55～＋ 85
25
±10％ ±15％
B7
EIA X7R －55～＋125
25
±15％
C6
EIA X6S －55～＋105
25
±22％
C7
EIA X7S －55～＋125
25
±22％
LD(※)
EIA X5R －55～＋ 85
多层陶瓷电容器
多层陶瓷电容器
波峰焊
回流焊
■型号标示法
J M K 3 1 6 △BJ 1 0 6 M L －T △
①②③
④
⑤⑥
⑦
⑧⑨⑩⑪⑫
△＝空格
①额定电压
代码
陶
P
瓷
A
电
J
容
L
器
E
T
G
U
H
Q
S
额定电压［VDC］ 2.5 4 6.3 10 16 25 35 50 100 250 630
②系列名称 代码 M V W
A
212
L ［mm］ 标准
0.6±0.05 1.0±0.10 1.6＋0.15/－0.05
2.0＋0.15/－0.05
W ［mm］ 标准
0.3±0.05 0.5±0.10 0.8＋0.15/－0.05
1.25＋0.15/－0.05
316
3.2±0.20
1.6±0.20
325
3.2±0.30
105
1.0＋0.15/－0.05
△＝空格
静电容量允许偏差 ±10％ ±20％ ±10％ ±20％ ±10％ ±20％ ±10％ ±20％ ±10％ ±20％ ±10％ ±20％
＋80/－20％ ＋80/－20％
允许偏差代码 K M K M K M K M K M K M Z Z
△＝空格
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L
0.85±0.10 D
1.15±0. 10 F
2.5±0.20
1.9±0.20
N
1.9+0.1/-0.2 Y
2.5±0.20
M
3.2±0.30
2.5±0.20
M
e 0.1±0.03 0.1±0.03 0.15±0.05
0.25±0.10 0.25±0.10 0.18±0.08 0.35±0.25 0.25±0.15 0.5±0.25 0.3±0.2
25
JIS F
－25～＋ 85
20
△F
EIA Y5V －30～＋ 85
25
注：※LD 低失真大容量多层陶瓷电容器
±15％
＋30/－80％ ＋22/－82％
T ［mm］ 标准
0.3±0.05 0.5±0.10 0.8＋0.15/－0.05 0.45±0.05 0.85±0.10 1.25＋0.15/－0.05 0.85±0.10 1.6±0.20 2.5±0.30 0.5＋0.15/－0.05 0.45±0.05 0.8＋0.20/－0 0.85±0.10 1.25＋0.20/－0 1.6±0.30 0.5+0.20/ - 0
□MK316（1206）
Ｌ 0.4±0.02 0.4±0.02 0.6±0.03
1.0±0.05 1.0±0.05 0.52±0.05 1.6±0.10 0.8±0.10 2.0±0.10 1.25±0.15
3.2±0.15
□MK325（1210）
3.2±0.30
□MK432（1812）
4.5±0.40
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注意事项
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产品厚度
0.3
0.2 0.3
0.5
0.30 0.45 0.8 0.50 0.45 0.85 1.25 0.85 0.85 1.15 1.25 1. 6 0.85 1.15 1.9 2.0 max 2.5 2.5
代码 C D P T C P V W P K A V K D G D D F G L D F N Y M M
系列名称 多层电容器 高频用多层电容器 LW 逆转型多层电容器
③端接类型 代码 K S
端接类型 电镀
Cu 内部电极
④外型尺寸
规格
L×W ［mm］
042
0.4 × 0.2
063
0.6 × 0.3
105
1.0 × 0.5
0.52 × 1.0 ※
1.6 × 0.8 107
0.8 ×1.6 ※
212
2.0 × 1.25
＋80/－20％
⑨产品厚度 代码 C D P T K V W A D F G L N Y M