基于SD4840 4841 4842 4843 4844的开关电源设计指南
SD4840,SD4841,SD4842,SD4843,SD4844AZ
VCC,MAX VFB
总功耗
PD Darting
工作结温 工作温度 贮存温度 注：1. 脉冲宽度由最大结温决定；
TJ Tamb TSTG
2. L=51mH， TJ=25°C(起始)。
参 数 范围 1 1.5 2 3 4 15 30 68
140 200 21 -0.3~ VSD 1.5 0.017 +160 -25~ +85 -55~+150
6，7，8
管脚名称 SGND PGND VCC FB NC Drain
I/O
-
控制电路地
-
MOSFET 地
-
供电脚
I/O
反馈输入脚
-
空脚
O
漏端
功能描述
功能描述
SD4840/4841/4842/4843/4844是用于离线式开关电源集成电路。电路含有高压功率MOSFET， 优化的栅驱动电路以及电流模式PWM控制器。PWM控制器包含有振荡频率发生器及各个保护功 能。振荡电路产生的频率抖动，可以降低EMI。内置的软启动电路减小了电路启动时变压器的应 力。在轻载时，电路采用打嗝模式，可以有效的降低电路的待机功耗。保护功能包括：欠压锁 定，过压保护，过流保护和温度保护功能。电路的前沿消隐功能，保证MOSFET的开通有最短的 时间，消除了由于干扰引起的MOSFET的误关断。使用SD4840/4841/4842/4843/4844系列可减少 外围元件，增加效率和系统的可靠性，可用于正激变换器和反激式变换器。
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第6页
SD4840/4841/4842/4843/4844
2. 内置软启动电路 为了减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和，使得输出电流的最大值启动后缓慢
基于TL494的开关电源设计开题报告书
课题名称：基于TL494的开关电源设计专业班级：学生姓名：指导教师：填写日期： 2011 年 12 月 28 日开题报告填写要求1、开题报告作为毕业设计（论文）答辩委员会对学生答辩资格审查的依据材料之一。
此报告应在指导教师指导下，由学生本人在毕业设计（论文）工作前两周内完成，经指导教师签署意见及所属专业教研室审查通过后实施。
2、开题报告的内容必须用黑墨水笔工整填写或用计算机打印，不得随意涂改或潦草书写，禁止打印在其它纸上后剪贴。
3、“二级学院”、“专业班级”等名称，应写中文全称，不能用数字代码。
学生的“学号”应写完整。
4、学生写文献综述的参考文献应不少于5～10篇（不包括辞典、手册）。
5、有关年月日等日期的填写，应按照GB/T7408-94《数据元和交换格式、信息交换、日期和时间表示法》规定的要求，一律用阿拉伯数字书，如“2007年11月16日”或“2007-11-16”。
6、开题报告要求统一用A4纸打印。
结合本毕业设计（论文）课题情况，根据所查阅的文献资料，每人撰写2000字左右的文献综述（说明本课题研究的主要内容、目的、意义及现状等）研究的主要内容：设计一个基于TL494的开关电源。
主要参数：输入：220V AC 50Hz，输出：+5V，12A、+12V，5A，两路同时工作功率60W，开关频率：30KHz。
目的：通过本课题的研究，理解并掌握开关电源基本原理，利用半导体功率器件应用技术、电力电子技术、自动控制理论等，完成电路原理图的设计，电路制版焊接，调试电路测量参数并完成此次设计。
意义：开关电源技术是一门运用半导体功率器件实现电能的高效率变换、将粗电变成精电，以满足供电质量要求的技术。
由于在开关电源中半导体功率器件工作在高频开关方式，因此它具有高效率、高功率密度、高可靠性。
正是因为开关电源的突出优点，开关电源更替线性电源是发展的必然趋势，因此研究开关电源有着很重要的意义和实用价值。
研究现状：电源是各种电子设备不可或缺的组成部分，其性能优劣直接关系到电子设备的技术指标级能否安全可靠的工作。
SD484X应用资料
内置15ms软启动电路，可以减小在上电过程中变压器 的应力，防止变压器饱和。
电路内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁 定，过压保护，脉冲前沿消隐，过流保护和温度保护功 能。在电路发生保护以后，电路可以不断自动重启，直到 系统正常为止。
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第6页
SD4840/4841/4842/4843/4844
2. 内置软启动电路 为了减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和，使得输出电流的最大值启动后缓慢
增加。上电时，使反馈电压值（决定输出电流的峰值）由内部决定，缓慢增加。从而决定了内部 的最大限制电流缓慢增加，经过约 15mS，软启动电路结束工作，对正常工作不影响。
1. 欠压锁定和自启动电路 开始时，电路由高压 AC 通过启动电阻对 VCC 脚的电容充电。当 VCC 充到 12V，电路开始工
作。电路正常工作以后，如果电路发生保护，输出关断，由于电路此时供电由辅助绕组提供，VCC 开始降低，当 Vcc 低于 8 伏，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对 VCC 脚的电容 充电，启动电路重新工作。
单位
A
mJ
V V W W/°C °C °C °C
电气参数(感应 MOSFET 部分，除非特殊说明， Tamb=25°C)
参数
符号
测试条件
漏源击穿电压 零栅压漏端电流
BVDSS IDSS
VGS=0V，ID=50μA VDS=650V. ，VGS=0V VDS=480V. ，VGS=0V
Tamb=125°C
-- 550 --
户户通神州机顶盒电源电路分析、维修及改进
户户通神州机顶盒电源电路分析、维修及改进[摘要] 户户通神州机顶盒开关电源故障率较高，本文根据电源实物测绘出电原理图并分析其工作原理，对易损件电源开关电路进行了改进，并对易发故障和个别元器件代换作了简要介绍。
[关键词] 户户通设备；SD3842P开关电源；电路改进；元件代换户户通神州机顶盒在社会上有一定拥有量，为我县2012-2013年户户通工程选定机型。
根据维修情况统计，该机故障约有60%以上出自开关电源部分。
由于该机未附电原理图，本人根据该机开关电源实物PCB板测绘还原出电原理图，并对电路易损元件及致损原因进行分析，对电源开关电路进行了改进，供大家维修时参考。
该机开关电源采用SD4842内置高压MOSFET电流模式PWM控制器，该电路具有待机功耗低，保护功能完善等特点。
图1原理图如图1所示，交流220V通过插座P1输入，开关电源输入电路部分主要由保险管F1、热敏电阻R3、滤波线圈L1和由D1〜D4组成的整流桥及滤波电容C1组成；热敏电阻R1是一个为阻值6Ω的负温度特性（NTC）电阻，主要作用是限制电路启动时的电流峰值，当冲击电流过后，该电阻的阻值会降得很小；压敏电阻MOV1用于过压保护，标称值电压为600V；滤波线圈L1和电容CX1、电阻R1、R2构成电源共模抑制滤波器，可将电源和电网的噪声进行隔离，防止电网污染；电容CX1用于滤除电网输电线之间的差模干扰，而CY1用于滤除初次级耦合产生的共模干扰。
电路中，市电通过噪声滤波器抑制电路后整流滤波获得约300V 平滑直流电压，再经R7与R8串联后为C6充电，同时为IC1（SD4842P）3脚提供工作电压Vcc。
当该电压充到12V，电路开始工作，电路正常工作以后或电路发生保护时，SD4842的供电由开关变压器辅助绕组通过R9和D6提供，Vcc开始降低，当Vcc低于8伏，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对Vcc脚的电容充电，启动电路重新工作，该方式可以有效地降低待机功耗。
户户通神州机顶盒电源电路分析、维修及改进
户户通神州机顶盒电源电路分析、维修及改进【摘要】户户通神州机顶盒开关电源故障率较高，本文根据电源实物测绘出电原理图并分析其工作原理，对易损件电源开关电路进行了改进，并对易发故障和个别元器件代换作了简要介绍。
【关键词】户户通设备;SD3842P开关电源;电路改进;元件代换户户通神州机顶盒在社会上有一定拥有量，为我县2012-2013年户户通工程选定机型。
根据维修情况统计，该机故障约有60%以上出自开关电源部分。
由于该机未附电原理图，本人根据该机开关电源实物PCB板测绘还原出电原理图，并对电路易损元件及致损原因进行分析，对电源开关电路进行了改进，供大家维修时参考。
该机开关电源采用SD4842内置高压MOSFET电流模式PWM控制器，该电路具有待机功耗低，保护功能完善等特点。
图1原理图如图1所示，交流220V通过插座P1输入，开关电源输入电路部分主要由保险管F1、热敏电阻R3、滤波线圈L1和由D1～D4组成的整流桥及滤波电容C1组成;热敏电阻R1是一个为阻值6Ω的负温度特性（NTC）电阻，主要作用是限制电路启动时的电流峰值，当冲击电流过后，该电阻的阻值会降得很小;压敏电阻MOV1用于过压保护，标称值电压为600V;滤波线圈L1和电容CX1、电阻R1、R2构成电源共模抑制滤波器，可将电源和电网的噪声进行隔离，防止电网污染;电容CX1用于滤除电网输电线之间的差模干扰，而CY1用于滤除初次级耦合产生的共模干扰。
电路中，市电通过噪声滤波器抑制电路后整流滤波获得约300V平滑直流电压，再经R7与R8串联后为C6充电，同时为IC1（SD4842P）3脚提供工作电压Vcc。
当该电压充到12V，电路开始工作，电路正常工作以后或电路发生保护时，SD4842的供电由开关变压器辅助绕组通过R9和D6提供，Vcc开始降低，当Vcc低于8伏，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对Vcc脚的电容充电，启动电路重新工作，该方式可以有效地降低待机功耗。
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2 分立器件功率MOSFET 1）特性参数功率MOSFET是我们最熟悉的绿色社会开拓者。
它们能帮助我们创建低损耗系统。
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（通用开关功率MOSFET、汽车功率MOSFET、IPD、电池功率MOSFET、通用放大器功率MOSFET）功率MOSFET 参数介绍第一部分最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件Ta25℃最大漏-VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压VDSS是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于VBRDSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS 额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
连续漏电流ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJmax下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值TC 25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
开关电源设计说明书精品文档8页
开关稳压电源学校：福州大学参赛组别：本科参赛学生姓名：陈燕傅明明阙辉鉴指导老师：吴海彬倪霞林一、电路设计原理………………………………………………………二、核心模块的方案论证与比较………………………………………………………1、倍压整流电路的选择与论证2、DC/DC变换器电路拓朴结构3、PWM电路工作原理4、、微控制器电路方案三、电路设计与参数计算………………………………………………………1、稳压原理分析及电压反馈回路参数计算2、过流保护原理分析及阈值控制参数计算3、感性元件参数计算4、功率器件选择四、测试方法与数据………………………………………………………1、所选用的测试仪器设备2、测试方法3、测试数据4、测试结果分析五、电路图及设计文件…………………………………………………………1、总电路图2、程序六、参考文献………………………………………………………本文介绍了一种采用LM2576芯片的DC/DC 电源变换控制器的电源电路设计。
它提供的直流输出不仅与供电电源共地,而且有两组与供电电源隔离。
实验室长期试运行表明,各项指标均可满足数字与模拟混合电路对电源的要求,没有跳码现象,检测精度不低于0. 1 %。
Abstract: This paper describes the design of t he power supply circuit for DC2DC converter by usingLM2576 chip . The DC voltages provided are not only common2grounded wit h t he inp ut voltage but two of t hem are al so isolated with the input . It is effectiveness is verified by running test in the labora2 tory that all the indexes fulfill the power supply requirements of the digital2analog mixed circuit , witha detecting precision no less than 0. 1 %.一、电路设计原理本电路采用倍压整流电路对二侧端电压进行倍压整流，增倍后的电压通过降压开关型集成稳压电路芯片LM2576处理后可得稳定的所需要的输出电压。
基于UC3844多路输出开关电源的设计_车保川
作者简介：车保川（1985—），女，山西长治人，江苏城市职业学院讲师。
2012年12月第6期（总第95期）济南职业学院学报Journal of Jinan Vocational College Dec．2012No．6（Serial No．95）基于UC3844多路输出开关电源的设计车保川（江苏城市职业学院，江苏常州213001）摘要：阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的单端反激式开关电源。
通过阐述主电路以及控制电路的工作原理，提供了完整的多路输出开关电源设计方案。
经测试表明按此方法设计的开关稳压电源可输出5V ，12V ，+15V ，－15V ，24V ，该电路实现简单，效率高，可靠性高。
关键词：UC3844；单端反激电路；多路输出；开关电源中图分类号：TN86文献标识码：B文章编号：1673－4270（2012）06－0088－031引言在工业电子设备中，通常会用到多种电位的电源，所以研制多路输出开关电源是非常有实际意义的。
多路输出开关电源可以减小电源的体积，减轻重量，节省成本，具有较强的实用价值。
本设计在参考各种开关电源的基础上，采用单端反激作为电源的主电路，控制芯片采用电流型控制芯片UC3844，开关管选择频率较高的IGBT ，为节省变压器体积，频率定位100KHz 。
为使其适用于多种场合，采用多个绕组的脉冲变压器以输出多种常用的输出电压，以输出功率定为50W ，可满足大多控制电路需要。
2主电路设计本设计主电路的选取单端反激电路，单端反激电路的特点是：电路简单、体积小巧且成本低。
单端反激电路如图1所示。
图1单端反激电路其工作原理是：起始时开关K 合上，电源给变压器供能，并以磁能的形式储存于变压器中。
N1的极性为上正下负，N2的为上负下正，二极管截止，次边无电流。
然后开关K 断开，由于次边无电流输出，在N1自感作用下，N1下端电压超出电源，电感内储蓄了较高的磁能，此时N1极性变为下正上负，由于互感的作用N2的极性变为上正下负，二极管导通，变压器的磁能由N2线圈释放出来，N1线圈的下端电压开始回落。
基于UC3842反激式开关电源设计毕业论文(设计)开题报告
开题报告范本哈尔滨剑桥学院毕业设计（论文）开题报告姓名田浩学号0902210229二级学院电气与电子工程学院专业电子信息工程（电气及其自动化）班级09电气2班指导教师李喜平讲师2012年11月26日说明本报告需在毕业设计（论文）指导教师同意的情况下，由学生本人认真填写。
报告要说明题目的来源（自拟题目或指导教师承担的科研任务）、研究的目的和意义、国内外研究现状和发展趋势、主要研究内容、研究拟采用的方法和手段、毕业设计（论文）进度安排、主要参考文献等内容。
经毕业设计（论文）指导教师、教研室、二级学院分别审查并签署意见后，完成开题。
如毕业设计（论文）选题因故变动，必须向指导教师提出申请，提交毕业设计（论文）题目变动说明，重新填写本报告。
毕业设计（论文）题目及来源题目：基于UC3842反激式开关电源设计来源：基于工程实际开发研究的目的和意义开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管和关断和关断时间比率，维持稳定输入电压的一种电源。
开关电源一般多采用脉冲宽度调制控制方式。
随着电力电子技术的发展和创新，开关电源逐步向高频化发展。
高频化使开关电源具有体积小、重量轻、效率高等优点，因此，研究、开发高质量的开关电源就变得十分必要，尤其在节约能源、节约资源及保护环境刚面具有重要的意义。
国内外研究现状和发展趋势开关电源技术属于电力电子技术，它运用功率转换器进行电能变换，经过变换电能，可以满足各种用电的要求。
由于其高效节能可能带来巨大经济效益，因而引起社会各方面的重视而得到迅速的推广。
早在80年代计算机电源全面实现了开关电源化，率先完成极端级的电源换代，进入90年代开关电源相继进入各种电子、电器设备领域，程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源，更促使了开关电源技术的迅速发展。
研究采用的方法和手段1.搜集资料：查阅图书馆相关资料。
并对查阅的资料进行分类整理，为设计的撰写工作做准备，另外，充分利用网络搜集最新数据及关信息，在期刊和相关的学术论文中查找相关理论。
电力电子装置实验..
电力电子装置设计报告—AC-DC开关电源（作业三）班级：自动化1304姓名：王立峰学号：201303080619指导教师：钟德刚提交日期：2016.6摘要本次电力电子装置设计与制作，利用SD4844设计BUCK型转换主电路，输入AC207V~253V输出DC36V的开关降压电源的设计。
使用SD4844内部集成的PWM脉冲信号从而控制MOS管的开通与关断。
另外本设计还加入了反馈环节，利用外部稳压芯片产生的基准电压与反馈信号进行比较来调节输出脉冲的占空比，进而调整主电路的输出电压维持在一个稳定的电压状态。
关键字:BUCK转换，SD4844，PWM，反馈AbstractThe power electronic device design and production, the use of BUCK design SD4844 main circuit, input DC36V output AC207V~253V switch buck power supply design. Using SD4844 internal integrated PWM pulse signal to control the opening and closing of the MOS tube. In addition, the design also joined the feedback link, produced by the external voltage regulator chip reference voltage and the feedback signal is compared to regulate the output pulse duty ratio, and to adjust the output voltage of the main circuit is maintained in a state of steady voltage.Keywords: BUCK conversion, SD4844, PWM, feedback目录摘要 (2)1概述 (4)1.1 线性电源与开关电源比较 (4)1.2 开关电源 (5)1.3 开关电源的分类 (6)1.3.1 DC／DC变换 (7)1.3.2 AC／DC变换 (7)1.4 开关电源国内发展现状 (8)1.5 开关电源的发展趋势 (9)2 设计的基本要求 (9)3 电路总体设计及相关原理 (10)3.1 整流部分设计 (11)3.2 降压斩波电路设计 (12)3.2.1 buck电路的工作原理 (12)3.2.2控制方式 (14)4. 控制电路的设计及电路参数的计算 (14)4.1 SD4844控制芯片 (14)4.2 电路参数的计算 (15)4.2.1电感值的计算 (15)4.2.2二极管的选择 (15)4.2.3电阻的选择 (16)4.3 反馈电路的管理及外围电路 (16)5.不同电压输入下的输出功率分析及实验结果 (16)心得与体会 (19)参考文献 (19)1概述随着电子技术的高速发展，电子系统的应用领域越来越广泛，电子设备的种类也越来越多。
UC3842芯片设计开关电源
UC3842芯片设计开关电源用UC3842芯片设计开关电源UC3842 内部工作原理简介图1 示出了UC3842 内部框图和引脚图，UC3842 采用固定工作频率脉冲宽度可控调制方式，共有8 个引脚，各脚功能如下：?脚是误差放大器的输出端，外接阻容元件用于改善误差放大器的增益和频率特性；?脚是反馈电压输入端，此脚电压与误差放大器同相端的2.5V 基准电压进行比较，产生误差电压，从而控制脉冲宽度；?脚为电流检测输入端，当检测电压超过1V时缩小脉冲宽度使电源处于间歇工作状态；?脚为定时端，内部振荡器的工作频率由外接的阻容时间常数决定，f=1.8/(R×C)；?脚为公共地端；?脚为推挽输出端，内部为图腾TT柱式，上升、下降时间仅为50ns 驱动能力为?1A ；?脚是直流电源供电端，具有欠、过压锁定功能，芯片功耗为15mW；?脚为5V 基准电压输出端，有50mA 的负载能力。
图1 UC3842 内部原理框图2 UC3842 组成的开关电源电路图2 是由UC3842 构成的开关电源电路，220V 市电由C、L滤除电磁干扰，负温度系数的11热敏电阻R 限流，再经VC 整流、C 滤波，电阻R、电位器RP 降压后加到UC3842 的t1211供电端（?脚），为UC3842 提供启动电压，电路启动后变压器的付绕组??的整流滤波电压一方面为UC3842 提供正常工作电压，另一方面经R、R 分压加到误差放大器的反相输入端34脚，为UC3842 提供负反馈电压，其规律是此脚电压越高驱动脉冲的占空比越小，以此稳定输出电压。
?脚和?脚外接的R、C决定了振荡频率，其振荡频率的最大值可达500KHz。
68R、C用于改善增益和频率特性。
?脚输出的方波信号经R、R分压后驱动MOSFEF 功率5678管，变压器原边绕组??的能量传递到付边各绕组，经整流滤波后输出各数值不同的直流电压供负载使用。
电阻R用于电流检测，经R、C滤滤后送入UC3842 的?脚形成电流反馈1099环. 所以由UC3842 构成的电源是双闭环控制系统，电压稳定度非常高，当UC3842 的?脚电压高于1V 时振荡器停振，保护功率管不至于过流而损坏。
基于51单片机的开关电源设计
基于单片机的开关电源设计摘要【摘要】本次设计的主要目的是实现一个开关电源，开关电源在日常生活中应用非常广泛，比如电视机、电脑、冰箱以及其他常用的电子产品都需要开关电源，如今是数字化时代，用单片机实现电子产品十分方便，所以在这次设计中使用了单片机实现。
在这次设计文档中，详细阐述了开关电源与线性电源的比较，方案论证，总体结构设计，并附以相关电路图表示，最后生成相关了PCB电路图【关键词】线性，半导体，开关，储能，转换，控制，滤波，分压，抖动【Abstract】This design of Zhuyaomude is to achieve a switching power supply,switching power supply is widely used in daily life in,such as televisions,computers,Bingxiangyiji other Changyong of electronic products require power supply,Ru Jin Hua Shi Dai digital, electronic products achieved with Dan Pianji very convenient,so the design used in this MCU. In this design document,detailed in the switching power supply with linear power supply comparison,program demonstration,the overall structural design,along with the relevant circuit that generates the final circuit diagram related to the PCB【Keywords】Linear,semiconductors,switches,energy storage,conversion,control, filtering,partial pressure,jitter目录......................................................................................................................................................................I I 摘要......................................................................................................................................................................绪论 (1)第一章概述 (2)1.1课题来源及意义 (2)1.2课题基本要求 (2)第二章开关电源方案设计 (4)2.1开关电源工作原理 (4)2.2开关电源与线性电源的比较 (4)2.2.1线性电源的缺点 (4)2.2.2开关电源的优点 (5)2.3方案论证 (5)2.3.1方案1 (5)2.3.2方案2 (6)2.3.3方案3 (6)2.3.4方案分析 (6)2.3.5总体结构设计 (6)2.4难点分析 (7)2.4.1如何提高电源工作频率 (7)2.4.2储能电感的绕制 (8)2.4.3标度转换技术 (9)2.5控制技术选择 (10)2.5.1电压型控制技术 (10)2.5.2电流型控制技术 (10)2.5.3电流控制型技术的优势 (11)2.6开关变换器结构分析与选择 (11)2.6.1降压变换电路分析 (11)2.6.2升压型变换电路 (13)2.6.3Buck-Boost型变换器 (13)2.7开关电路器件参数选择 (14)2.7.1功率开关管的选择 (14)2.7.2滤波电容的选择 (15)目录2.7.3储能电感的选择 (15)2.7.4续流二极管的选择 (16)第三章硬件电路设计 (17)3.1电源电路设计 (17)3.1.1整流滤波电路 (17)3.1.2开关变换电路 (17)3.1.3分压电阻的计算 (18)3.1.4保护电路 (18)3.2控制电路设计 (19)3.2.1反馈电路设计 (20)3.2.2四位数码显示电路设计 (21)3.2.3单片机与键盘接口电路设计 (22)第四章软件设计 (23)4.1总体编程思想 (23)4.1.1键盘防抖动子程序 (23)4.1.2数码显示子程序 (24)4.1.3采样子程序 (25)4.1.4中断处理程序设计 (26)4.1.5PID控制算法 (27)4.1.6数字滤波 (28)第五章系统调试 (29)5.1硬件模块调试 (29)5.1.1整流滤波电路的调试 (29)5.1.2AD转换的调试 (29)5.1.3脉冲输出电路的调试 (29)5.1.4功率开关管的调试 (29)5.2电源性能指标的测试 (30)5.2.1开关电源的技术指标 (30)5.2.2输出电压的测试 (31)5.2.3最大输出电流的测试 (32)5.2.4过流保护的测试 (32)5.2.5电压调整率的测试 (32)5.2.6纹波电压的测试 (33)物理与电子工程系毕业论文第六章结论 (34)参考文献 (35)致谢 (36)附录 (37)附录绪论开关电源是利用现代电子电力技术控制功率开关管（MOSFET；三极管）的导通和关断的时间比来稳定输出电压的一种新型稳压电源。
用UC3842进行开关电源的设计
用UC3842进行开关电源的设计一、 设计目的用UC3842新型集成开关电源芯片进行开关电源设计，市电输入采用无工频变压器设计，开关管的触发调整信号采用高频40KHZ 的PWM （脉宽调制信号），达到额定输出为5V,7A 的高精度稳压输出，电源轻便，简洁明快。
1、 UC3842的性能特点：（1） 它属于电流型单端PWM 调制器，具有管脚数量少、外围电路简单、安装调试简便、性能优良、价格低廉等优点。
能通过高频变压器与电网隔离，适于构成无工频变压器的20~50W 小功率开关电源。
（2） 最高开关频率为500kHZ,频率稳定度达0.2%。
电源效率高，输出电流大，能直接驱动双极型功率晶体管或VMOS管、DMOS 管、TMOS 管。
（3） 内部有高稳定度的基准电压源，典型值为5.0V ，允许有±0.1V 的偏差。
温度系数为0.2mV/℃。
（4） 稳压性能好。
其电压调整率可达0.01%/V,能同第二代线性集成稳压器（例如LM317）相媲美。
启动电流小于1mA,正常工作电流为15mA 。
（5） 除具有输入端过压保护与输出端过流保护之外，还设有欠压锁定电路，使工作稳定、可靠。
（6） 最高输入电压IM V =30V ，输出最大峰值电流PM I =1A,平均电流为0.2A,本身最大功耗DM P =1W,最大输出功率OM P =50W 。
2、 UC3842的引脚排列及内部框图UC3842采用DIP-8封装如上图1，管脚I V 、O V 、GND 端分别接输入电压、输出电压、地。
REF V 为内部5.0V 基准电压引出端。
T R /T C 是外接定时电阻、定时电容的公共端。
UC3842内部框图如图2,其主要包括5.0V 基准电源，振荡器、误差放大器，过流检测电压比较器、PWM 锁存器、输入欠压锁定电路、门电路、输出级、34V 稳压管。
二、 总体电路框图及单元功能分析1、输入单元(1)电源噪声滤波器电源噪声滤波器电路如图4该滤波器有两个输入端，两个输出端和一个接地端，制作使用时外壳使用金属屏蔽并接地，电路包括共模电感L、滤波电容器C1~C4。
开关电源设计
开关电源设计全过程开关电源设计全过程1 目的希望以简短的篇幅,将公司目前设计的流程做介绍,若有介绍不当之处,请不吝指教.2 设计步骤:2.1 绘线路图、PCB Layout.2.2 变压器计算.2.3 零件选用.2.4 设计验证.3 设计流程介绍(以DA-14B33为例):3.1 线路图、PCB Layout请参考资识库中说明.3.2 变压器计算:变压器是整个电源供应器的重要核心,所以变压器的计算及验証是很重要的,以下即就DA-14B33变压器做介绍.3.2.1 决定变压器的材质及尺寸:依据变压器计算公式B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss)?Lp = 一次侧电感值(uH)?Ip = 一次侧峰值电流(A)Np = 一次侧(主线圈)圈数?Ae = 铁心截面积(cm2)?B(max)? 依铁心的材质及本身的温度来决定,以TDK Ferrite Core PC40为例,100℃时的B(max)为3900 Gauss,设计时应考虑零件误差,所以一般取3000~3500 Gauss之间,若所设计的power为Adapter(有外壳)则应取3000 Gauss左右,以避免铁心因高温而饱合,一般而言铁心的尺寸越大,Ae越高,所以可以做较大瓦数的Power.3.2.2 决定一次侧滤波电容:滤波电容的决定,可以决定电容器上的Vin(min),滤波电容越大,Vin(win)越高,可以做较大瓦数的Power,但相对价格亦较高.3.2.3 决定变压器线径及线数:当变压器决定后,变压器的Bobbin即可决定,依据Bobbin的槽宽,可决定变压器的线径及线数,亦可计算出线径的电流密度,电流密度一般以6A/mm2为参考,电流密度对变压器的设计而言,只能当做参考值,最终应以温昇记录为准.3.2.4 决定Duty cycle (工作周期):由以下公式可决定Duty cycle ,Duty cycle的设计一般以50%为基准,Duty cycle若超过50%易导致振荡的发生.NS = 二次侧圈数?NP =? 一次侧圈数Vo = 输出电压?VD= 二极体顺向电压?Vin(min) = 滤波电容上的谷点电压?D =? 工作週期(Duty cycle)3.2.5 决定Ip值:Ip = 一次侧峰值电流?Iav = 一次侧平均电流?Pout = 输出瓦数?效率?PWM震荡频率?3.2.6 决定辅助电源的圈数:依据变压器的圈比关係,可决定辅助电源的圈数及电压.3.2.7 决定MOSFET及二次侧二极体的Stress(应力):依据变压器的圈比关係,可以初步计算出变压器的应力(Stress)是否符合选用零件的规格,计算时以输入电压264V(电容器上为380V)为基准.3.2.8 其它:若输出电压为5V以下,且必须使用TL431而非TL432时,须考虑多一组绕组提供Photocoupler及TL431使用.3.2.9 将所得资料代入公式中,如此可得出B(max),若B(max)值太高或太低则参数必须重新调整.3.2.10 DA-14B33变压器计算:输出瓦数13.2W(3.3V/4A),Core = EI-28,可绕面积(槽宽)=10mm,Margin Tape =? 2.8mm(每边),剩馀可绕面积=4.4mm.假设fT = 45 KHz ,Vin(min)=90V,? =0.7,P.F.=0.5(cosθ),Lp=1600 Uh计算式:?变压器材质及尺寸:?? 由以上假设可知材质为PC-40,尺寸=EI-28,Ae=0.86cm2,可绕面积(槽宽)=10mm,因Margin Tape使用2.8mm,所以剩馀可绕面积为4.4mm. 假设滤波电容使用47uF/400V,Vin(min)暂定90V. 决定变压器的线径及线数:假设NP使用0.32ψ的线?电流密度=可绕圈数=假设Secondary使用0.35ψ的线电流密度=假设使用4P,则?电流密度=可绕圈数=决定Duty? cycle:假设Np=44T,Ns=2T,VD=0.5(使用schottky Diode)?决定Ip值:?决定辅助电源的圈数:假设辅助电源=12VNA1=6.3圈假设使用0.23ψ的线可绕圈数=若NA1=6Tx2P,则辅助电源=11.4V决定MOSFET及二次侧二极体的Stress(应力):?MOSFET(Q1) =最高输入电压(380V)+ ==463.6VDiode(D5)=输出电压(Vo)+ x最高输入电压(380V)==20.57VDiode(D4)== =41.4V其它:?因为输出为3.3V,而TL431的Vref值为2.5V,若再加上photo coupler上的压降约1.2V,将使得输出电压无法推动Photo coupler及TL431,所以必须另外增加一组线圈提供迴授路径所需的电压.假设NA2 = 4T使用0.35ψ线,则可绕圈数= ,所以可将NA2定为4Tx2P?变压器的接线图:?3.3 零件选用:零件位置(标注)请参考线路图: (DA-14B33 Schematic)3.3.1 FS1:由变压器计算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共用料2A/250V,设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值.3.3.2 TR1(热敏电阻):电源启动的瞬间,由于C1(一次侧滤波电容)短路,导致Iin电流很大,虽然时间很短暂,但亦可能对Power产生伤害,所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A,230V/60A),但因热敏电阻亦会消耗功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响效率),一般使用SCK053(3A/5Ω),若C1电容使用较大的值,则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上).3.3.3 VDR1(突波吸收器):当雷极发生时,可能会损坏零件,进而影响Power的正常动作,所以必须在靠AC输入端 (Fuse 之后),加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K),但若有价格上的考量,可先忽略不装.3.3.4 CY1,CY2(Y-Cap):Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容,若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap , AC Input 若为2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1与Y2的差异,除了价格外(Y1较昂贵),绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘,绝缘耐压约为Y2的两倍,且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1),此电路因为有FG所以使用Y2-Cap,Y-Cap会影响EMI特性,一般而言越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max).3.3.5 CX1(X-Cap)、RX1:X-Cap为防制EMI零件,EMI可分为Conduction及Radiation两部分,Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 , FCC测试频率在450K~30MHz,CISPR 22测试频率在150K~30MHz, Conduction可在厂内以频谱分析仪验证,Radiation 则必须到实验室验证,X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效,一般而言X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但价格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安规规定必须要有洩放电阻(RX1,一般为1.2MΩ 1/4W).3.3.6 LF1(Common Choke):EMI防制零件,主要影响Conduction 的中、低频段,设计时必须同时考虑EMI特性及温昇,以同样尺寸的Common Choke而言,线圈数愈多(相对的线径愈细),EMI防制效果愈好,但温昇可能较高.3.3.7 BD1(整流二极体):将AC电源以全波整流的方式转换为DC,由变压器所计算出的Iin值,可知只要使用1A/600V 的整流二极体,因为是全波整流所以耐压只要600V即可.3.3.8 C1(滤波电容):由C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值,电容量愈大,Vin(min)愈高但价格亦愈高,此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确,若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V),可使用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V),因Vc1电压最高约380V,所以必须使用耐压400V的电容.Re:开关电方设计?过祘3.3.9 D2(辅助电源二极体):整流二极体,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),两者主要差异:1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)2. VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)3.3.10 R10(辅助电源电阻):主要用于调整PWM IC的VCC电压,以目前使用的3843而言,设计时VCC必须大于8.4V(Min. Load时),但为考虑输出短路的情况,VCC电压不可设计的太高,以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大).3.3.11 C7(滤波电容):辅助电源的滤波电容,提供PWM IC较稳定的直流电压,一般使用100uf/25V电容.3.3.12 Z1(Zener 二极体):当回授失效时的保护电路,回授失效时输出电压冲高,辅助电源电压相对提高,此时若没有保护电路,可能会造成零件损坏,若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode,当回授失效时Zener Diode会崩溃,使得Pin3脚提前到达1V,以此可限制输出电压,达到保护零件的目的.Z1值的大小取决于辅助电源的高低,Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值,原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W即可).3.3.13 R2(启动电阻):提供3843第一次启动的路径,第一次启动时透过R2对C7充电,以提供3843 VCC所需的电压,R2阻值较大时,turn on的时间较长,但短路时Pin瓦数较小,R2阻值较小时,turn on的时间较短,短路时Pin瓦数较大,一般使用220KΩ/2W M.O..3.3.14 R4 (Line Compensation):高、低压补偿用,使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之间).3.3.15 R3,C6,D1 (Snubber):此三个零件组成Snubber,调整Snubber的目的:1.当Q1 off瞬间会有Spike产生,调整Snubber可以确保Spike不会超过Q1的耐压值,2.调整Snubber可改善EMI.一般而言,D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好.R3使用2W M.O.电阻,C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V的陶质电容).3.3.16 Q1(N-MOS):目前常使用的为3A/600V及6A/600V两种,6A/600V的RDS(ON)较3A/600V小,所以温昇会较低,若IDS电流未超过3A,应该先以3A/600V为考量,并以温昇记录来验证,因为6A/600V的价格高于3A/600V许多,Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值.3.3.17 R8:R8的作用在保护Q1,避免Q1呈现浮接状态.3.3.18 R7(Rs电阻):3843 Pin3脚电压最高为1V,R7的大小须与R4配合,以达到高低压平衡的目的,一般使用2W M.O.电阻,设计时先决定R7后再加上R4补偿,一般将3843 Pin3脚电压设计在0.85V~0.95V 之间(视瓦数而定,若瓦数较小则不能太接近1V,以免因零件误差而顶到1V).3.3.19 R5,C3(RC filter):滤除3843 Pin3脚的杂讯,R5一般使用1KΩ 1/8W,C3一般使用102P/50V的陶质电容,C3若使用电容值较小者,重载可能不开机(因为3843 Pin3瞬间顶到1V);若使用电容值较大者,也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题.3.3.20 R9(Q1 Gate电阻 ):R9电阻的大小,会影响到EMI及温昇特性,一般而言阻值大,Q1 turn on / turn off的速度较慢,EMI特性较好,但Q1的温昇较高、效率较低(主要是因为turn off速度较慢);若阻值较小, Q1 turn on / turn off的速度较快,Q1温昇较低、效率较高,但EMI较差,一般使用51Ω-150Ω 1/8W.3.3.21 R6,C4(控制振荡频率):决定3843的工作频率,可由Data Sheet得到R、C组成的工作频率,C4一般为10nf的电容(误差为5%),R6使用精密电阻,以DA-14B33为例,C4使用103P/50V PE电容,R6为3.74KΩ1/8W精密电阻,振荡频率约为45 KHz.3.3.22 C5:功能类似RC filter,主要功用在于使高压轻载较不易振荡,一般使用101P/50V陶质电容.3.3.23 U1(PWM IC):3843是PWM IC的一种,由Photo Coupler (U2)回授信号控制Duty Cycle的大小,Pin3脚具有限流的作用(最高电压1V),目前所用的3843中,有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种,两者脚位相同,但产生的振荡频率略有差异,UC3843BN较KA3843快了约2KHz,fT的增加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、短路问题),因KA3843较难买,所以新机种设计时,尽量使用UC3843BN.3.3.24 R1、R11、R12、C2(一次侧迴路增益控制):3843内部有一个Error AMP(误差放大器),R1、R11、R12、C2及Error AMP组成一个负回授电路,用来调整迴路增益的稳定度,迴路增益,调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确,一般C2使用立式积层电容(温度持性较好).3.3.25 U2(Photo coupler)光耦合器(Photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式),当二次侧的TL431导通后,U2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧,此时3843由Pin6 (output)输出off的信号(Low)来关闭Q1,使用Photo coupler的原因,是为了符合安规需求(primacy tosecondary的距离至少需5.6mm).3.3.26 R13(二次侧迴路增益控制):控制流过Photo coupler的电流,R13阻值较小时,流过Photo coupler的电流较大,U2转换电流较大,迴路增益较快(需要确认是否会造成振荡),R13阻值较大时,流过Photo coupler 的电流较小,U2转换电流较小,迴路增益较慢,虽然较不易造成振荡,但需注意输出电压是否正常.3.3.27 U3(TL431)、R15、R16、R18调整输出电压的大小, ,输出电压不可超过38V(因为TL431 VKA最大为36V,若再加Photocoupler的VF值,则Vo应在38V以下较安全),TL431的Vref为2.5V,R15及R16并联的目的使输出电压能微调,且R15与R16并联后的值不可太大(尽量在2KΩ以下),以免造成输出不准.3.3.28 R14,C9(二次侧迴路增益控制):控制二次侧的迴路增益,一般而言将电容放大会使增益变慢;电容放小会使增益变快,电阻的特性则刚好与电容相反,电阻放大增益变快;电阻放小增益变慢,至于何谓增益调整的最佳值,则可以Dynamic load来量测,即可取得一个最佳值.3.3.29 D4(整流二极体):因为输出电压为3.3V,而输出电压调整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V),所以必须多增加一组绕组提供Photo coupler 及TL431所需的电源,因为U2及U3所需的电流不大(约10mA左右),二极体耐压值100V即可,所以只需使用1N4148(0.15A/100V).3.3.30 C8(滤波电容):因为U2及U3所需的电流不大,所以只要使用1u/50V即可.3.3.31 D5(整流二极体):输出整流二极体,D5的使用需考虑:a. 电流值b. 二极体的耐压值以DA-14B33为例,输出电流4A,使用10A的二极体(Schottky)应该可以,但经点温昇验証后发现D5温度偏高,所以必须换为15A的二极体,因为10A的VF较15A的VF 值大.耐压部分40V经验証后符合,因此最后使用15A/40V Schottky.3.3.32 C10,R17(二次侧snubber) :D5在截止的瞬间会有spike产生,若spike超过二极体(D5)的耐压值,二极体会有被击穿的危险,调整snubber可适当的减少spike的电压值,除保护二极体外亦可改善EMI,R17一般使用1/2W的电阻,C10一般使用耐压500V的陶质电容,snubber调整的过程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否会过热,应避免此种情况发生.3.3.33 C11,C13(滤波电容):二次侧第一级滤波电容,应使用内阻较小的电容(LXZ,YXA…),电容选择是否洽当可依以下三点来判定:a. 输出Ripple电压是符合规格b. 电容温度是否超过额定值c. 电容值两端电压是否超过额定值3.3.34 R19(假负载):适当的使用假负载可使线路更稳定,但假负载的阻值不可太小,否则会影响效率,使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半).3.3.35 L3,C12(LC滤波电路):LC滤波电路为第二级滤波,在不影响线路稳定的情况下,一般会将L3 放大(电感量较大),如此C12可使用较小的电容值.4 设计验证:(可分为三部分)a. 设计阶段验证b. 样品制作验证c. QE验证4.1 设计阶段验证设计实验阶段应该养成记录的习惯,记录可以验证实验结果是否与电气规格相符,以下即就DA-14B33设计阶段验证做说明(验证项目视规格而定).4.1.1 电气规格验证:4.1.1.1 3843 PIN3脚电压(full load 4A) :90V/47Hz = 0.83V115V/60Hz = 0.83V132V/60Hz = 0.83V180V/60Hz = 0.86V230V/60Hz = 0.88V264V/63Hz = 0.91V4.1.1.2 Duty Cycle , fT:4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) :Q1 MOSFET:4.1.1.5 辅助电源(开机,满载)、短路Pin max.:4.1.1.6 Static (full load)Pin(w) Iin(A) Iout(A) V out(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7115V/60Hz 18.6 0..31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.94.1.1.7 Full Range负载(0.3A-4A)(验证是否有振荡现象)4.1.1.8 回授失效(输出轻载)V out = 8.3V?90V/47HzV out = 6.03V?264V/63Hz4.1.1.9 O.C.P.(过电流保护)90V/47Hz = 7.2A264V/63Hz = 8.4A4.1.1.10 Pin(max.)90V/47Hz = 24.9W264V/63Hz = 27.1W4.1.1.11 Dynamic testH=4A,t1=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Rise)L=0.3A,t2=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Full)90V/47Hz264V/63Hz4.1.1.12 HI-POT test:HI-POT test一般可分为两种等级:输入为3 Pin(有FG者),HI-POT test为1500Vac/1? minute.Y-CAP使用Y2-CAP输入为2 Pin(无FG者),HI-POT test为3000Vac/1? minute.Y-CAP使用Y1-CAPDA-14B33属于输入3 PIN HI-POT test 为1500Vac/1 minute.4.1.1.13 Grounding test:输入为3 Pin(有FG者),一般均要测接地阻(Grounding test),安规规定FG到输出线材(输出端)的接地电阻不能超过100MΩ(2.5mA/3 Second).4.1.1.14 温昇记录设计实验定桉后(暂定),需针对整体温昇及EMI做评估,若温昇或EMI无法符合规格,则需重新实验.温昇记录请参考附件,D5原来使用BYV118(10A/40V Schottky barrier 肖特基二极管),因温昇较高改为PBYR1540CTX(15A/40V).4.1.1.15 EMI测试:EMI测试分为二类:Conduction(传导干扰)?Radiation(幅射干扰)?前者视规范不同而有差异(FCC : 450K - 30MHz,CISPR 22 :150K - 30MHz),前者可利用厂内的频谱分析仪验证;后者(范围由30M - 300MHz,则因厂内无设备必须到实验室验证,Conduction,Radiation测试资料请参考附件) .4.1.1.16 机构尺寸:设计阶段即应对机构尺寸验证,验证的项目包括: PCB尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位置及孔径、外壳孔寸….,若设计阶段无法验证,则必须在样品阶段验证.4.1.2 样品验证:样品制作完成后,除温昇记录、EMI测试外(是否需重新验证,视情况而定),每一台样品都应经过验证(包括电气及机构尺寸),此阶段的电气验证可以以ATE(Chroma)测试来完成,A TE测试必须与电气规格相符.4.1.3 QE验证:QE针对工程部所提供的样品做验证,工程部应提供以下交件及样品供QE验证.。
士兰微电子 AC-DC 产品简介
典型应用图
N
EMI FILTER
AC IN
L
DC OUT
SDH682X
新产品
1 GND 2 VCC 3 FB 4 BO
Drain Drain Drain HV
8 7 6 5集成MOS 电流检测电阻Silan 士兰微电子
内部框图
交叉式频率抖动，具有 自己的专利，改善EMI 集成可关断恒流源, 减小待机功耗，独 特工艺专利.
Silan 士兰微电子
SDH682X系列
SDH6823A 5V 2.1A 适配器
主要特色 demo外观
低待机功耗(230VAc, 25mW) 平均效率80%，满足EPA2.0标准 仅有一个差模电感 实现B/O功能，宽范围电压恒功率限制 100KHz频率，整机体积小 各种异常保护发生时自动重启 通过了各种安规测试( EMI, surge, ESD等)
Silan 士兰微电子
Part No. SD6861 SD6863 SD6864 SD6865 10W 14W 20W 26W 190V-265V Adapter Open Frame 14W 19W 24W 30W Adapter 8W 12W 18W 24W 85V-265V
SD686X系列
Ron 9.6 4.0 2.8 1.1 Ipeak 0.75 1.2 1.5 2.2
AC-DC产品和典型应用
Silan 士兰微电子
AC-DC 产品分布和应用
Silan AC/DC Product Profile & EE Applications
Applications Note
TGB4840CX 通信电源系统说明书
TGB4840CX通信电源系统说明书目录一、概述。
2二、电源模块说明。
2三、监控模块说明。
23.1显示说明。
23.2功能特别说明。
3四、性能参数与技术指标。
4附图系统工作原理图监控模块接线定义图监控模块接口定义图插箱正反面结构示意图一、概述TGB4860型通信电源系统是采用TB4810/48V10A整流模块及SMH监控单元，通过全面优化，推出的新一代通信电源设备。
本电源系统为模块化设计，选配灵活，该系统可靠性高，该系统结构简单、操作方便、智能化管理，是各小型设备用户的首选产品。
TGB4820CX/TGB4840CX电源分别提供尺寸为482x88x300和482x178x300两种插箱式嵌入通信电源系统，常用的标准配置有48V：20A，40A或24V：40A，80A。
产品命名方法：[ TGB ] [ vvii ][CX] [ f ]其中：①TGB表示交流220V输入H系列通信电源机柜系统。
②vv表示额定输出电压：24V/48V，ii表示额定输出电流：20A/40A/60A/80A。
③CX表示产品系列代号，即插箱CXB-4U---外形尺寸482x178x300；CXB-2U---外形尺寸482x88x300；④f为产品特征代号，采用数字1～9，缺省时为2；f：B1：功能：1、均浮充控制；2、电池过放电保护。
B2：功能：1、均浮充控制；B5：功能：1、标准机型。
目前常用产品有：TGB4840CXB1 TGB4840CXB5 TGB4820CXB1 TGB4820CXB5 二、整流模块功能说明输入经电磁干扰滤波、低频桥式整流电路，直流滤波电路变成高压直流，然后通过DC/DC 变换器输出稳定的直流电压。
控制电路由辅助电源供电；交流输入设有过欠压检测及保护；直流输出设有过压保护，过流及短路保护.三、监控模块说明1、采用微处理器数字技术，高精度AD,DA数字技术芯片。
2、采用12232点阵液晶显示，LED背光，实现全汉化显示。
SD4841
内置高压MOSFET电流模式PWM控制器系列
描述
SD4840/4841/4842/4843/4844是用于开关电源的内置 高压MOSFET电流模式PWM控制器系列产品。
该电路待机功耗低，启动电流低。在待机模式下，电 路进入打嗝模式，从而有效地降低电路的待机功耗。
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pF
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杭州士兰微电子股份有限公司
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第3页
SD4840/4841/4842/4843/4844
输出 电容
反向传 输电容
导通延 迟时间
上升 时间
关断延 迟时间
单位
A
mJ
V V W W/°C °C °C °C
电气参数(感应 MOSFET 部分，除非特殊说明， Tamb=25°C)
参数
符号
测试条件
漏源击穿电压 零栅压漏端电流
BVDSS IDSS
VGS=0V，ID=50μA VDS=650V. ，VGS=0V VDS=480V. ，VGS=0V
Tamb=125°C
10W
14W
12W
17W
14W
19W
16W
21W
85~265V
适配器
开放式
5W
7.2W
8W
12W
10W
14W
12W
15W
14W
18W
+-
+-
极限参数
参
数
漏栅电压（RGS=1MΩ）
栅源（地）电压
SD4840P67K65
Get格雅基于UC3524的开关电源设计设计
基于UC3524的开关电源设计设计洛阳理工学院毕业设计〔论文〕题目：基于UC3524的开关电源设计2021年5月16日基于UC3524的开关电源设计摘要随着开关电源在计算机、通信、航空航天、仪器仪表及家用电器等方面的广泛应用, 人们对其需求量日益增长, 并且对电源的效率、体积、重量及可靠性等方面提出了更高的要求。
电力电子技术的开展，特别是大功率器件IGBT和MOSFET的迅速开展，将开关电源的工作频率提高到相当高的水平，使其具有高稳定性和高性价比等特性。
开关电源技术的主要用途之一是为信息产业效劳。
信息技术的开展对电源技术又提出了更高的要求，从而促进了开关电源技术的开展。
开关电源中的功率调整管工作在开关状态，具有功耗小、效率高、稳压范围宽、温升低、体积小等突出优点，在通信设备、数控装置、仪器仪表、视频音响、家用电器等电子电路中得到广泛应用。
开关电源的高频变换电路形式很多, 常用的变换电路有推挽、全桥、半桥、单端正激和单端反激等形式。
本论文是基于芯片UC3524的开关电源系统设计。
关键词：开关电源，半桥，全桥，推挽,UC3524Switching Power Based on UC3524 ChipABSTRACTWith the switch power source extensive use in the field of computer, communicate by letter, aeronautics and astronautics, instrument appearance and domestic appliances etc., people increases by gradually to whose need amounts, have brought forward higher request to aspect such as power source efficiency, bulk factor and reliability.The electric power electronic technology development, specially high efficiency component IGBT and the MOSFET rapid development, enhances the switching power supply operating frequency to the quite high level, enable it to have the high stability and high performance-price ratio and so on the characteristic. One of switching power supply technology main uses is serves for the information industries. The information technology development also set a higher request to the power source technology, thus promoted the switching power supply technology development.Switching power supply in the power adjustment control work in the off state, with low power consumption, high efficiency, wide voltage range, low temperature rise, and other outstanding advantages of small size, the communication equipment, CNC equipment, Instrumentation, video audio, home appliances so widely used in electronic circuits. High frequency converter switching power supply so many forms of commonly used with push-pull converter, full bridge, half bridge, single-ended forward and the form of single-ended flyback.This paper is based on UC3524 chip switching power supply system design.KEY WORDS: Switching power supply，Half bridge，The bridge，The push-pull，UC3524目录前言 (1)第1章开关电源的根底知识 (2)1.1 开关电源的概述 (2)1.1.1 开关电源的组成 (2)1.1.2 开关电源的工作原理 (3)1.1.3 开关电源的特点 (4)1.2 开关电源主要结构 (4)1.2.1 串联式结构 (4)1.2.2 并联式结构 (5)开关电源的电路 (6)开关电源电路 (7)1.3.2 多电源电路的特点 (7)开关器件的选择与驱动 (8)电力二极管 (8)1.4.2 电力场效应管 (9)绝缘栅双极晶体管 (11)1.4.4 缓冲电路 (12)第2章开关电源的变换电路 (13)2.1 根本变换电路 (14)2.1.1 自激型推挽电路 (14)2.1.2 桥式变换电路 (18)2.1.3 半桥变换电路 (19)2.1.4 正激变换电路 (20)反激变换电路 (21)2.2 不同电路的特点 (22)第3章双端输出驱动器UC3524 (25)3.1 UC3524的简介 (25)3.1.1 UC3524的概述 (26)UC3524结构介绍 (26)3.2 UC3524的工作原理 (29)第4章基于UC3524的电源设计 (31)4.1 基于UC3524的高压电源结构 (31)4.2 各电源结构的分析 (32)第5章开关电源技术的开展 (37) (37) (38) (38)5.2.2 我国的开关电源市场 (39)结论 (41)谢辞 (42)参考文献 (43)附录 (43)外文资料翻译 ...................................................... 错误!未定义书签。
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SD4840/4841/4842/4843/4844
电气参数(除非特殊说明，VCC=12V，Tamb=25°C)
参
数
符号
测试条件
欠压部分 上电启动电压 关断电压 振荡部分 振荡频率 振荡频率抖动 振荡频率随温度的变化率 最大占空比 反馈部分
Vstart Vstop
FOSC FMOD
-Dmax
25°C≤Tamb≤+85°C
10W
14W
12W
17W
14W
19W
16W
21W
85~265V
适配器
开放式
5W
7.2W
8W
12W
10W
14W
12W
15W
14W
18W
+-
+-
极限参数
参
数
漏栅电压（RGS=1MΩ）
栅源（地）电压
SD4840P67K65
漏端电流脉冲 SD4841P67K65
注1
SD4842P67K65
SD4843P67K65
VCC,MAX VFB
总功耗
PD Darting
工作结温 工作温度 贮存温度 注：1. 脉冲宽度由最大结温决定；
TJ Tamb TSTG
2. L=51mH， TJ=25°C(起始)。
参 数 范围 1 1.5 2 3 4 15 30 68
140 200 21 -0.3~ VSD 1.5 0.017 +160 -25~ +85 -55~+150
静态漏 源导通 电阻
SD4840P67K65 SD4841P67K65 SD4842P67K65 RDS(ON) VGS=10V，ID=0.5A SD4843P67K65
SD4844P67K65
SD4840P67K65
输入 电容
SD4841P67K65 SD4842P67K65 SD4843P67K65
V
0.25 0.35 0.45 V
18 19 --
V
125 140 --
°C
200 --
--
ns
--
6
20
μA
1
3
5
mA
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管脚排列图
SD4840/4841/4842/4843/4844
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第6页
SD4840/4841/4842/4843/4844
2. 内置软启动电路 为了减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和，使得输出电流的最大值启动后缓慢
增加。上电时，使反馈电压值（决定输出电流的峰值）由内部决定，缓慢增加。从而决定了内部 的最大限制电流缓慢增加，经过约 15mS，软启动电路结束工作，对正常工作不影响。
管脚说明
管脚号 1 2 3 4 5
6，7，8
管脚名称 SGND PGND VCC FB NC Drain
I/O
-
控制电路地
-MOSFET 地- Nhomakorabea供电脚
I/O
反馈输入脚
-
空脚
O
漏端
功能描述
功能描述
SD4840/4841/4842/4843/4844是用于离线式开关电源集成电路。电路含有高压功率MOSFET， 优化的栅驱动电路以及电流模式PWM控制器。PWM控制器包含有振荡频率发生器及各个保护功 能。振荡电路产生的频率抖动，可以降低EMI。内置的软启动电路减小了电路启动时变压器的应 力。在轻载时，电路采用打嗝模式，可以有效的降低电路的待机功耗。保护功能包括：欠压锁 定，过压保护，过流保护和温度保护功能。电路的前沿消隐功能，保证MOSFET的开通有最短的 时间，消除了由于干扰引起的MOSFET的误关断。使用SD4840/4841/4842/4843/4844系列可减少 外围元件，增加效率和系统的可靠性，可用于正激变换器和反激式变换器。
ID=25mA
-- 12 --- 20 --- 33 --
-- 40 --
--
3
--
VDD=0.5BVDSS ， tr
ID=25mA
--
4
--
-- 15 --
-- 19 --
-- 25 --
VDD=0.5BVDSS ， td(OFF)
ID=25mA
-- 27 --- 30 --- 55 --- 70 --
电路的开关频率为67KHz，抖动的振荡频率，可以获 得较低的EMI。
内置15ms软启动电路，可以减小在上电过程中变压器 的应力，防止变压器饱和。
电路内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁 定，过压保护，脉冲前沿消隐，过流保护和温度保护功 能。在电路发生保护以后，电路可以不断自动重启，直到 系统正常为止。
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pF
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第3页
SD4840/4841/4842/4843/4844
输出 电容
反向传 输电容
导通延 迟时间
上升 时间
关断延 迟时间
封装类型 DIP-8-300-2.54
注：P 表示 DIP8 封装，67k 表示频率为 67KHz，65 表示耐压 650V。
打印名称 SD4840P67K65 SD4841P67K65 SD4842P67K65 SD4843P67K65 SD4844P67K65
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3. 频率抖动 为了降低 EMI，本电路使得振荡频率不断的变化，减小在某一个单一频率的对外辐射。振荡
频率在一个很小的范围内变动，从而简化 EMI 设计，更容易满足要求。频率变化的规律是：在 4mS 内由 65KHz 到 69KHz 变化，共有 16 个频率点。
4. 轻载模式 该方式可以有效地降低待机功耗。当 FB 大于 500mV，正常工作；当 350mV<FB <500mV 时
版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第1页
SD4840/4841/4842/4843/4844
典型输出功率能力
产品
SD4840P67K65 SD4841P67K65 SD4842P67K65 SD4843P67K65 SD4844P67K65
内部框图
190~265V
适配器
开放式
7W
9W
参
数
符号
SD4840P67K65
漏端连续电流 SD4841P67K65
SD4842P67K65
ID
(Tamb=25°C)
SD4843P67K65
SD4844P67K65
SD4840P67K65
信号脉冲雪崩 SD4841P67K65
能量注2
SD4842P67K65
EAS
SD4843P67K65
SD4844P67K65 供电电压 模拟输入电压范围
1. 欠压锁定和自启动电路 开始时，电路由高压 AC 通过启动电阻对 VCC 脚的电容充电。当 VCC 充到 12V，电路开始工
作。电路正常工作以后，如果电路发生保护，输出关断，由于电路此时供电由辅助绕组提供，VCC 开始降低，当 Vcc 低于 8 伏，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对 VCC 脚的电容 充电，启动电路重新工作。
打嗝模式高电平 打嗝模式低电平 保护部分
VBURH VBURL
过压保护 过热保护 前向边缘消隐时间 总待机电流部分
Vovp Tsd TLEB
启动电流 工作电流（控制部分）
Istart Iop
VCC=11V VCC=12V
最小值 典型值 最大值 单位
11 12 13
V
7
8
9
V
61 67 73 KHz
±1.5 ±2.0 ±2.5 KHz
-- 90 --
--
8
--
VDD=0.5BVDSS ， tf
ID=25mA
-- 10 --- 25 --- 32 --- 42 --
单位 pF pF nS nS nS nS
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第4页
SD4844P67K65
符号 VDGR VGS
IDM
参 数 范围 650 ±30 4 6 8 11 14
单位 V V
A
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第2页
SD4840/4841/4842/4843/4844
反馈源电流 反馈关断电压 关断延迟电流 内部软启动时间 限流部分
IFB VSD Idelay
ts
0V≤VFB≤3V
5V≤VFB≤VSD VFB=4V
SD4840P67K65
SD4841P67K65 峰值电流 SD4842P67K65 Iover 最大电感电流
SD4843P67K65
SD4844P67K65 打嗝模式控制
有两种情况，一种情况是，FB 电压由低到高，此时与低于 350mV 情况一样，开关不动作。另一 种情况是，FB 电压由高到低，为减小开关损耗，避免开关导通时间过短，此时调高电流比较器的 比较点，增加导通时间。
在轻载条件下，开关调节情况如下：轻载时，FB 电压在约 0.5V 以下。当 FB 电压由高到低变 化时，由于电流比较器的比较点较高，输出功率较大，输出电压升高（升高的快慢取决于负载的 大小），使得 FB 下降，直至 FB 电压低于 350mV；当 FB<350mV，开关不动作，输出电平下降