光刻版图oasis格式简介
苏州墨空视觉技术有限公司 Oasis Camera 行星摄影相机系列 使用手册说明书
Oasis Camera行星摄影相机系列使用手册Version 1.12023.09.05苏州墨空视觉技术有限公司Suzhou Astroasis Vision Technology Co., Ltd.https://致力于为天文观测和摄影爱好者提供优质的产品与服务目录1. 产品介绍 (2)2.相机规格参数 (3)2.1. Oasis 290M (3)2.2. Oasis 415M (4)3. 装箱清单 (5)4. 外观和接口 (6)5. 软件安装和使用 (8)5.1. 安装软件 (8)5.2. 在Sharpcap中使用Oasis Camera (8)5.3. 通过ASCOM使用Oasis Camera (10)6. 焦平面调节 (13)6.1. 焦平面调节功能介绍 (13)6.2. 焦平面调节功能原理和使用方法 (13)1. 产品介绍Oasis Camera行星摄影相机系列是本公司研发的专业行星摄影相机。
在研发过程中我们对这个系列的产品进行了精雕细琢，目标是为了让用户在使用这些相机拍出令人惊叹的天文摄影照片的同时，也能拍得更轻松，更舒服。
我们行星摄影相机系列具有如下一些特色：1、集成后置焦平面调节功能，调节焦平面非常轻松、舒服2、内置256MB DDR3缓存，结合硬件实现的流水线、流控制功能，避免了数据的丢失或重传，从而使得数据传输非常流畅、稳定和高效，并且提高了帧率。
即使在USB 2.0下也能稳定传输图像。
3、外观简洁流畅，简约大方4、部分型号（Oasis 290M、Oasis 462C等）具有极致的高帧率除了行星摄影之外，该系列相机也可用于导星或者深空幸运成像等用途。
2. 相机规格参数以下是各型号相机的规格参数。
2.1.Oasis 290M2.2.Oasis 415M3. 装箱清单本产品包含的部件如图3-1所示。
图3-1 各部件的用途和说明如下。
4. 外观和接口Oasis Camera行星相机系列具有相同的外观和接口，如图4-1和4-2所示。
光刻版图oasis格式简介资料
3.1 integers类型说明3.1.1 unsigned-integerunsigned-integer的长度不确定，是由自己的值来确定的，如果数据长度有N个byte，每个byte的8个bits中只有7bits表示实际数据，最高一个bit表示后面是否还有数据。
0表示自己是最后一个byte。
最低位byte放在oasis文件的最前面。
举个例子就清楚了。
十进制的16383：正常的2进制表示是：11,1111,1111,1111，一共14个1。
在oasis文件中，由于只有7位能代表实际的数，所以我们把它写成x111,1111,y111,1111。
还是14个1。
但中间插入了一个x和y用来表示是否后面还有数据。
由于低字节优先，所以我们写成y111,1111,x111,1111。
然后将y 变成1，x变成0。
所以最后在oasis文件中的表示是1111，1111，0111，1111。
十进制的16384：正常的2进制表示是：100,0000,0000,0000，1后面一共14个0。
在oasis文件中，由于只有7位能代表实际的数，所以我们把它写成x000,0001,y000,0000,z000,0000。
1后面还是14个0。
但中间插入了一个x、y和z用来表示是否后面还有数据。
由于低字节优先，所以我们写成z000,0000,y000,0000, x000,0001。
然后将z变成1，y变成1，x变成1，。
所以最后在oasis文件中的表示是1000,0000,1000,0000, 0000,0001。
3.1.2 signed-integer知道了unsigned-integer以后，再变signed-integer就简单了。
还是举两个例子。
十进制的8191，正常的2进制表示是：1,1111,1111,1111，一共13个1。
在oasis文件中，由于第一个byte只有6位能代表实际的数，后面的byte 有7位能代表实际的数。
光刻工艺的几种模式
光刻工艺的几种模式光刻工艺是一种在半导体器件制造过程中使用的核心技术。
通过将光刻胶（photoresist）涂覆在硅片表面，然后使用光刻机将光投射到光刻胶上，形成模式，最后使用化学蚀刻（chemical etching）或蒸发镀膜（metallization）等工艺将模式转移到硅片上。
光刻工艺在半导体制造中有多种不同模式，下面将详细介绍其中几种常见的模式。
1.1X模式：1X模式是最早使用的光刻工艺模式。
在这种模式下，光源中的紫外光通过凸面光刻掩膜（photomask）投射到光刻胶层上。
光源与掩膜的比例通常为1:1，因此被称为1X模式。
这种模式需要较高的分辨率和更高的光刻机精度。
2.5X模式：5X模式是现代光刻工艺中更常见的一种模式。
在这种模式下，光源中的光通过凹面光刻掩膜的五倍镜投射到光刻胶层上。
光源与掩膜的比例为5:1，因此被称为5X模式。
这种模式相对于1X模式具有更高的成像能力和更好的分辨率。
3.并行光刻模式：并行光刻模式是一种可以同时处理多片硅片的光刻工艺模式。
在这种模式中，光源通过一个分束器（beam splitter）将光分成多个光束，然后通过反射镜照射到多个硅片上。
这种模式可以显著提高生产效率，但对于光刻胶和光刻机的要求也更高。
4.双折射光刻模式：双折射光刻模式是一种使用光的双折射性质来增强分辨率的光刻工艺模式。
在这种模式中，光源发出的光通过一个偏振器（polarizer）来过滤其中的一种偏振光。
经过投射到硅片上后，光通过另一个偏振器，选择性地透过或反射出来。
这种模式可以提高成像的分辨率，但需要更精确的光刻掩膜和光刻机。
总的来说，光刻工艺有多种模式，包括1X模式、5X模式、并行光刻模式和双折射光刻模式等。
每种模式都有其特点和适用范围，在不同的半导体制造应用中选择适合的模式是非常重要的。
光刻版的形成方法与流程
光刻版的形成方法与流程
光刻版（Photomask）的形成方法与流程如下：
1. 制作基底：首先，根据设计要求选择合适的基底材料，如石英玻璃或聚合物。
然后，将基底进行清洗和抛光，以确保表面平整和清洁。
2. 电子束曝光：使用计算机辅助设计软件（CAD）来设计光
刻版中的图案。
将设计好的图案转化为数字化的信息，然后使用电子束曝光设备，通过控制电子束的扫描路径，将图案准确地写入基底上。
3. 显影：将其暴露在化学溶液中，使曝光的部分获得显影作用。
曝光的部分将发生化学反应，从而将基底上的图案清晰地显现出来。
4. 蒸镀：将金属或其他合适的材料蒸镀到显影后的基底上。
这一步的目的是增加图案的反射率和耐久性。
5. 清洗：将光刻版进行清洗，以去除在之前步骤中产生的化学残留物和污染物。
清洗后，光刻版将变得干净且透明。
6. 检查和修复：对光刻版进行检查，如果发现任何缺陷或损坏，可以尝试修复。
修复通常涉及使用特殊的修复剂将局部区域填充或覆盖。
7. 最终检验：最后，对光刻版进行仔细的最终检验，以确保图
案的质量和准确性。
检验可以使用显微镜、光学仪器或其他相关工具进行。
8. 包装和保护：完成光刻版的制作后，将其放入适当的包装盒中，并采取必要的措施来保护光刻版，以防止损坏或污染。
以上是光刻版的形成方法与流程的基本概述，但实际的制作流程可能因不同的光刻技术、设备和应用领域而有所差异。
光刻工艺介绍
光刻工艺介绍一、定义与简介光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking, masking, 或microlithography。
在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成，这些部件是预先做在一块或者数块光罩上，并且结合生成薄膜，通过光刻工艺过程，去除特定部分，最终在晶圆上保留特征图形的部分。
光刻其实就是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成，现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm，我们这条线的目标6英寸砷化镓片上做到0.11um。
光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。
二、光刻工艺流程介绍光刻与照相类似，其工艺流程也类似：实际上，普通光刻工艺流程包括下面的流程：1)Substrate Pretreatment 即预处理，目的是改变晶圆表面的性质，使其能和光刻胶（PR）粘连牢固。
主要方法就是涂HMDS，在密闭腔体内晶圆下面加热到120℃，上面用喷入氮气加压的雾状HMDS，使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽和亲水健结构，反应充分后在23℃冷板上降温。
该方法效果远比传统的热板加热除湿好。
2)Spin coat即旋转涂光刻胶，用旋转涂布法能提高光刻胶薄膜的均匀性与稳定性。
光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂，感光剂在光照下会迅速反应。
一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm，而最好的工作转速在2000～3000rpm。
3)Soft Bake(Pre-bake)即软烘，目的是除去光刻胶中溶剂。
一般是在90℃的热板中完成。
4)Exposure即曝光，这也是光刻工艺中最为重要的一步，就是用紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面，从而把光罩上面的图形转移到晶圆表面上的光刻胶中。
光刻
×4或×5投影掩膜版在制版时容易 检查缺陷 版上缺陷可以修补
蒙膜(pellicle)保护防止颗粒玷污
1、高透明度 （散射小） 2、热膨胀小
投影掩膜版的材料：熔融石英
步进光刻机通常使用的投影 掩膜版缩小比例为5：1或4： 1。 投影掩膜版的尺寸 步进扫描光刻机使用的投影 掩膜版为4:1.
透镜类型 投影掩膜版现场 尺寸（mm） 硅上的曝光视场 （mm） 每个曝光视场的 芯片数（假设芯 片尺寸 5mmx5mm）
步进扫描光刻机
90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按 比例曝光，曝光场26×33mm。 透镜视场为一个细长条，在步进到下个位臵前，它通过校正 好的22x33mm像场扫描掩膜版。 扫描过程中具有调节聚焦的能力，使透镜缺陷和硅片平整度 变化能得到补偿。 优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿； 提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动， 增加了机械系统的精度要求。
两种工艺的比较
利用电子束刻蚀制作掩膜的工艺流程 复杂, 步骤多, 这样会增加制造成本同时制 作周期也比较长, 通常需要1个多月, 不利 于反复试验。而采用准分子激光技术制作 掩膜流程简单、步骤少, 这样成本就降低 了同时周期也短, 通常只要1周。
实验结果
刻蚀深度与激光照射次数之间的比例关系 接近线性比例。有4种基板材料。如下图所示。
Evaluating immersion's results
At this time, several XT:1250i 0.85NA immersion systems are operating in the field. Polarization is a resolution enhancement technology(RET) in its own right, the full potential of the technology is exploited in combination with immersion. Initial experiments combining immersion and polarization confirm the theoretical predictions. Both exposure latitude and DOF show significant improvements. The greatest advantage of polarized illumination is the reduction of mask error enhancement factor.
光刻机的光刻模板设计与制备
光刻机的光刻模板设计与制备光刻技术是半导体制造中关键的工艺步骤之一，它用于将芯片设计上的图案转移到硅片上。
光刻机是用来实现光刻技术的设备，它通过使用光刻模板将图案映射在硅片上。
然而，光刻模板的设计与制备对光刻工艺的成功与否起着至关重要的作用。
本文将重点介绍光刻机的光刻模板设计与制备的要点与技巧。
一、光刻模板设计光刻模板的设计是光刻技术的关键环节。
在光刻模板的设计过程中，需要考虑以下几个方面：1. 图案布局：根据芯片设计需求，合理布局图案，确保各个组件之间的距离和间隔满足要求。
在布局时要注意考虑到尺寸的压缩和拉伸等问题。
2. 图案分辨率：根据光刻机的性能和需求，确定合适的图案分辨率。
分辨率过低会导致图案失真，分辨率过高则会增加制备难度和成本。
3. 图案密度：根据芯片设计要求，平衡图案的密度与制备难度。
图案密度过高会增加制备的困难度和时间，而过低则会浪费硅片面积。
4. 光刻模板品质：选择合适的光刻模板材料，确保模板的平整度和表面质量。
光刻模板的平整度和表面质量会直接影响到光刻的效果和图案的准确性。
二、光刻模板制备光刻模板的制备是一个复杂的过程，需要经历图案转移、光刻、蚀刻等多个步骤。
下面将介绍光刻模板制备的主要步骤：1. 图案转移：将芯片设计上的图案转移到光刻模板上。
常用的方法有电子束曝光和光刻曝光等。
在图案转移过程中，需要考虑图案的对位和对中准确度。
2. 光刻：使用光刻胶将图案转移到光刻模板上。
光刻胶的选择和涂覆方式对光刻结果有很大影响。
在光刻过程中，需要控制光刻时间和光刻条件。
3. 蚀刻：将不需要的部分蚀刻掉，留下需要的图案。
蚀刻方法可分为干蚀刻和湿蚀刻两种。
在蚀刻过程中，要控制蚀刻速率和蚀刻深度。
4. 清洗和检测：在制备完成后，进行清洗和检测工作。
清洗是为了去除表面的污染物，保证光刻模板的表面质量。
检测是为了验证图案的准确性和质量。
三、光刻模板设计与制备的挑战与应对策略光刻模板的设计与制备中存在着一些挑战，如图案的复杂性、对位的准确性、材料的选择等。
集成电路培训资料
集成电路面临的产业挑战
技术壁垒
集成电路技术门槛高，需要投入 大量资金和人力资源。
知识产权保护
集成电路涉及大量知识产权，需 要加强知识产权保护，防止侵权
行为。
供应链管理
集成电路供应链复杂，需要加强 供应链管理，确保产品质量和交
货期。
集成电路的未来技术突破方向
先进制程技术
通过不断改进制造工艺，提高集成电路的性能和 降低功耗。
介绍常用的数字集成电路设计工具，如EDA工具、IP核等。
模拟集成电路设计
模拟集成电路基本概念
01
介绍模拟集成电路的基本原理、分类、特点和应用领域。
模拟集成电路设计流程
02
详细介绍模拟集成电路的设计流程，包括电路设计、仿真、版
图设计、测试等环节。
模拟集成电路设计工具
03
介绍常用的模拟集成电路设计工具，如SPICE、PSPICE等。
混合信号集成电路设计
混合信号集成电路基本概念
介绍混合信号集成电路的基本原理、分类、特点和应用领域。
混合信号集成电路设计流程
详细介绍混合信号集成电路的设计流程，包括电路设计、仿真、版 图设计、测试等环节。
混合信号集成电路设计工具
介绍常用的混合信号集成电路设计工具，如Cadence OrCAD等。
04
02
它实现了电子设备的小型化、高 效化和集成化，是现代电子技术 的重要成果之一。
集成电路的发展历程
1950年代
集成电路的初步探索阶段，人们 开始尝试将电子元件集成在一块
芯片上。
1960年代
集成电路进入发展阶段，出现了 许多重要的技术和发明，如硅平
面工艺和金属氧化物半导体（ MOS）技术。
第八章_基本光刻工艺流程-表面准备到曝光
第八章基本光刻工艺流程-表面准备到曝光概述最重要的光刻工艺是在晶圆表面建立图形。
这一章是从解释基本光刻工艺十步法和讨论光刻胶的化学性质开始的。
我们会按照顺序来介绍前四步（表面准备到对准和曝光）的目的和执行方法。
目的完成本章后您将能够：1．勾画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面。
2．解释正胶和负胶对光的反应。
3．解释在晶圆表面建立空穴和凸起所需要的正确的光刻胶和掩膜版的极性。
4．列出基本光刻十步法每一步的主要工艺选项。
5．从目的4的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的图形。
6．解释双重光刻，多层光刻胶工艺和平整化技术的工艺需求。
7．描述在小尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比增强工艺的应用。
8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。
9．比较每一种对准和曝光设备的优点。
介绍光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上的所规定的特定区域的基本操作（图8.1）。
Photolithography是用来定义这个基本操作的术语。
还有其它术语为Photomasking, Masking, Oxide或者Metal Removal （OR,MR）和Microlithography。
光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序，它是用来在不同的器件和电路表面上建立图形（水平的）工艺过程。
这个工艺过程的目标有两个。
首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形。
这个目标被称为晶圆的分辨率（resolution）。
图形尺寸被称为电路的特征图形尺寸（feature size）或是图像尺寸（image size）。
第二个目标是在晶圆表面正确定位图形（称为Alignment或者Registration）。
整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面，电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的（图8.2）。
请记住，最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。
图形定位的的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确的对准。
版图设计基础
• 交叠规则
• 两层之间交叠的最小尺寸。交叠规则定义 的两层为不同的层。
• 两层交叠，并且一层要伸出另一层的最小 尺寸
• 两层交叠，两层之间的最小尺寸
设计规则举例 • N阱层相关的设计规则及其示意图
• P+、N+有源区层相关的设计规则及其示意图
• Poly层相关的设计规则及其示意图
• Contact层相关的设计规则及其示意图
• Metal层相关的设计规则及其示意图
• Pad层相关的设计规则及其示意图
二、几何设计规则 －举例及问题讨论
当给定电路原理图设计其版图时，必须根据 所用的工艺设计规则，时刻注意版图同一层上 以及不同层间的图形大小及相对位置关系。然 而对于版图设计初学者来说，第一次设计就能 全面考虑各种设计规则是不可能的。为此，需 要借助版图设计工具的在线设计规则检查 （DRC）功能来及时发现存在的问题。
为了工艺上按比例缩小或版图编辑的需要， 合并接触采用图4.9（a）所示的分离式接触结 构，而不采用图4.9（b）的合并长孔结构。
版图的验证
• 版图设计完成后，还需要进行一系列的检 查和验证。
• 版图的验证包括：设计规则检查（DRC）、 电学规则检查（ERC）、版图参数提取以 及电路图与版图一致性检查（LVS）
• CIF格式 用文本命令来表示掩膜分层和版图图形，通过对 基本图形的描述、图形定义描述、附加图样调用 功能，可以实现对版图的层次性描述。采用字符 格式，可读性较强
EDIF格式 是电路的一种二进制描述，带有电路的单元符号 （symbol）信息，也是纯文本，主要用于电路数 据交换。EDIF文件可读性强
版图总结word
外延层：硅的外延发展的起因是为了提高双极器件和集成电路的性能。
外延层就是在重掺杂衬底上生长一层轻掺杂的外延层。
外延层的作用在优化PN结击穿电压的同时降低了集电极电阻。
在CMOS工艺中器件尺寸的缩小将闩锁效应降到最低。
定义：在基质衬底上按特定的结晶学生长的单晶薄膜。
衬底决定外延层的晶向。
外延：在合适的晶体衬底上生长的单晶半导体薄膜称为外延。
----47光刻：光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
这些结构首先以图形的形式制作在掩膜板的玻璃板上，通过紫外光透过掩膜板把图形转移到硅片上的光敏薄膜上。
光刻使用光敏材料和可控的曝光在硅表面形成三维图形。
光刻的过程是照相、光刻、掩膜、图形形成过程的总称。
总的来说，光刻就在将图形转移到一个平面的任一复制过程。
惨杂：在硅片制造过程中，有选择地引入杂质可以在硅片上产生器件。
这些杂质通过硅片上的掩膜窗口，进入硅的晶体结构中，形成掺杂区。
掺杂的工艺扩散和离子注入2种方法。
硅中固态杂质的扩散需要3个步骤：预淀积、推进（推阱）、和退火（激活杂质）。
预淀积过程中，硅片被送入到高温扩散炉中，杂质从源转移到扩散炉中，温度800到1100℃持续10~30分钟，杂质仅进入了硅片很薄的一层。
推进：在高温过程中（1000到1250℃），使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅中形成期望的结深。
退火：温度稍微升高一点，使杂质原子与硅中原子键合，激活杂原子。
离子注入是一种向硅材料中引入可控数量的杂质，以改变其电学性能的方法。
其中最主要的用途是掺杂半导体材料，离子注入能够重复控制杂质浓度和深度，在几乎所有的应用中都优于扩散。
扩散—离子注入1、精确控制杂质含量（误差在2%左右，扩散工艺为5~10%）2、很好的杂质均匀性（通过扫描的方法来控制杂质的均匀性）3、对杂质穿透深度有很好的控制（通过控制离子束能量控制杂质的穿透深度）4、低温工艺（注入温度在中温<125℃下进行）5、高速离子束能穿过薄膜6、更小的侧墙扩散，使器件分布间隔更加紧密，减小栅-源和栅-漏重叠。
光刻版图设计中的一些注意事项
光刻版图设计中的注意事项
目录
承片台 1.2cm 2cm
2寸和4寸片背面对版标记的距离
1. 2寸片，标记间距大于2cm, 小于4.2cm 2. 4寸片，标记间距大于9cm, 小于3cm
位于芯片之下的背面对版用的显微镜物镜
3cm 2cm
4.2cm
9cm
2寸片承片台 承片台上的透光孔
4寸片承片台
4um
4um 3um
3um 2um
3um
5um
3um 2um
80um 3um
1um
1um
简化的显影检测图形
曾经使用过的显影图形
缺点：不够精确， 正常显影看起来就象欠 的感觉
过显影的结果
显影不足的结果
改进版的简化显影图形
欧姆接触测试图形的设计 25um
测试图形的基本尺寸： 50x50um
为了测试方便，可以 放大到80x80um
a
b
a 第一版
第二版
不合理的版图设计
芯片和芯片上的带胶图形
版上的透光部分
暗版对版标记的设计
如果暗版是套刻版，如金属版，要给出适当 的透光的图形好能看到版下面的芯片上的对 版标记。
不易套刻的版，透光部分太小 版图设计合理一些的版，增加了透光部分
暗版的图形尺寸要求
如果暗版是微细图形，图形尺寸在允许的范 围内，最好大于3um，或5um。在允许的情 况下，图形越大工艺就会越顺利。
IC常用的文件格式
IC常用的文件格式1、 GDSIIGDS : Graphic Database System含义：GDSII流格式，常见的缩写GDSII，是一个数据库文件格式。
用于集成电路版图的数据转换，并成为事实上的工业标准。
GDSII是二进制文件，其中含有集成电路版图中的平面的几何形状，文本或标签，以及其他有关信息并可以由层次结构组成。
GDSII数据可用于重建所有或部分的版图信息，可以用作制作光刻掩模版。
GDSII文件格式于1978年由Calma(已经倒闭)公司发布。
用法：用于芯片的生产，也可用于制作MilkWay物理库。
2、CIFCIF：Caltech Intermediate Form含义：CIF是用于描述集成电路的文件格式，它提供了有限的用于描述芯片上不同层上的二维图形原语集。
改革是允许分层描述，这使得表示更简洁。
它还是一种可读的文本格式。
3、OASISOASIS：Open Artwork System Interchange Standard含义：OASIS是一种用于描述集成电路电子图形的语言。
该语言定义了矩形、梯形和多边形等几何形状所需的代码，定义了每种属性的类型、如何将他们组织成包含这些形状构成的图案的单元以及他们放置的相对位置。
OASIS用于取代GDSII格式。
2001年6月开始致力于创建OASIS格式，2004年3月，版本1.0发布。
问题1：为什么需要OASIS？答：集成电路的发展，从一开始的几十万门到现在的亿级门电路，最开始的GDSII文件越来越臃肿，为了给文件瘦身，因此决定开发OASIS。
问题2：为什么十几年来GDSII仍是主要格式？答：惯性，转换成本，信赖。
3、 LEFLEF: Library Exchange Format含义：LEF为库交换格式，它是描述库单元的物理属性，包括端口位置、层定义和通孔定义。
它抽象了单元底层的几何细节，提供了足够的信息，以便允许布线器在部队内部单元约束来进行修订的基础上进行单元连接。
光刻工艺基础知识PHOTO
光刻工艺基础知识PHOTO (注：引用资料)光刻工艺基础知识PHOTOPHOTO 流程?答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓Photo?答：Photo=Photolithography,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
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3.1 integers类型说明3.1.1 unsigned-integerunsigned-integer的长度不确定，是由自己的值来确定的，如果数据长度有N个byte，每个byte的8个bits中只有7bits表示实际数据，最高一个bit表示后面是否还有数据。
0表示自己是最后一个byte。
最低位byte放在oasis文件的最前面。
举个例子就清楚了。
十进制的16383：正常的2进制表示是：11,1111,1111,1111，一共14个1。
在oasis文件中，由于只有7位能代表实际的数，所以我们把它写成x111,1111,y111,1111。
还是14个1。
但中间插入了一个x和y用来表示是否后面还有数据。
由于低字节优先，所以我们写成y111,1111,x111,1111。
然后将y 变成1，x变成0。
所以最后在oasis文件中的表示是1111，1111，0111，1111。
十进制的16384：正常的2进制表示是：100,0000,0000,0000，1后面一共14个0。
在oasis文件中，由于只有7位能代表实际的数，所以我们把它写成x000,0001,y000,0000,z000,0000。
1后面还是14个0。
但中间插入了一个x、y和z用来表示是否后面还有数据。
由于低字节优先，所以我们写成z000,0000,y000,0000, x000,0001。
然后将z变成1，y变成1，x变成1，。
所以最后在oasis文件中的表示是1000,0000,1000,0000, 0000,0001。
3.1.2 signed-integer知道了unsigned-integer以后，再变signed-integer就简单了。
还是举两个例子。
十进制的8191，正常的2进制表示是：1,1111,1111,1111，一共13个1。
在oasis文件中，由于第一个byte只有6位能代表实际的数，后面的byte 有7位能代表实际的数。
所以我们把它写成x111,1111,y111,111z。
还是13个1。
但中间插入了一个x和y用来表示是否后面还有数据，插入了一个z作为符号位。
由于低字节优先，所以我们写成y111,111z,x111,1111。
然后将y变成1，x变成0。
由于是正数，所以z为0。
所以最后在oasis文件中的表示是1111，1110，0111，1111。
十进制的-8192，先表示十进制的8192，正常的2进制表示是：10,0000,0000,0000，1后面一共13个0。
在oasis文件中，由于第一个byte只有6位能代表实际的数，后面的byte 有7位能代表实际的数。
所以我们把它写成m000,0001,x000,0000,y000,000z。
1后面还是13个0。
但中间插入了一个x和y用来表示是否后面还有数据，插入了一个z作为符号位，前面补了一个m。
由于低字节优先，所以我们写成y000,000z,x000,0000,m000,0001。
然后将y变成1，x变成1，m变成0。
由于是负数，所以z为1。
所以最后在oasis文件中的表示是1000,0001,1000,0000,0000,0001。
3.2 real类型说明3.3 string类型说明string数据类型是一个复合的数据类型，它由一个表示字符串长度的unsigned-integer类型数据做为开头，后面加上真正的字符串。
字符串可以分成三种：b-string(binary string)，a-string(ascii string)和n-string (name string).3.4 delta类型说明delta是代表几何数据。
简单来说就是delta类型的数据中存放有长度和方向的信息。
其中分成4种：1-delta, 2-delta, 3-delta和g-delta。
分别进行说明3.4.1 1- delta1-delta是一种signed-integer的数据结构，其中signed-integer中的符号位就用来表示方向了；singed-integer中的表示数值的部分就用来表示长度。
我们举个例子。
比如二进制的1111,1001, 0010, 0011。
其中第一个方框中的1和singed-integer的含义一样，表示后面还有数据。
第二个方框中的1在signed-integer中表示正负符号，这里就表示方向，1表示向西或者向南（在正交坐标系中表示x和y轴的负方向，具体是x轴还是y轴由这个值出现的当前的场景来确定）。
第三个框中的0表示这是这个signed-integer数据的最后一个byte。
这个数据的长度是二进制的010,0011, 111, 100（去掉框内的数值，然后前后byte调转位置），这就是十进制的2300。
因此这个数值就是表示向西（或者向南）画2300长度的一条线。
3.4.2 2- delta2-delta是一种unsigned-integer的数据结构，其中unsigned-integer中的最低2bits（在oasis文件中最先出现的byte中的最低2bits）用来表示方向了，其他部分表示数值的大小，数值的大小就用来表示长度。
我们举个例子。
比如二进制的1001,1000, 0010, 1010。
其中第一个方框中的1和unsinged-integer的含义一样，表示后面还有byte表示同一个unsigned-integer数据。
第二个方框中的00这里就表示方向，00表示向东（在正交坐标系中表示x正方向，01表示向北，10表示向西，11表示向南）。
第三个框中的0表示这是这个unsigned-integer数据的最后一个byte。
这个数据的长度是二进制的010,1010, 001, 10（去掉框内的数值，然后前后byte调转位置），这就是十进制的1350。
因此这个数值就是表示向东（就是从当前位置，向x轴正方向）画长度1350的一条线。
3.4.3 3- delta3-delta是一种unsigned-integer的数据结构，其中unsigned-integer中的最低3bits（在oasis文件中最先出现的byte中的最低3bits）用来表示方向了，其他部分表示数值的大小，数值的大小就用来表示x轴和y轴的偏移长度。
我们举个例子。
比如二进制的1100,1101, 0000, 0001。
其中第一个方框中的1和unsinged-integer的含义一样，表示后面还有byte表示同一个unsigned-integer数据。
第二个方框中的101这里就表示方向，101表示西北方向（在正交坐标系中表示135度角的一条线，000表示向东，001向北，010表示向西，011表示向南，100表示东北方向，110表示西南方向，111表示东南方向）。
第三个框中的0表示这是这个unsigned-integer数据的最后一个byte。
这个数据的长度是二进制的000,0001, 100, 1（去掉框内的数值，然后前后byte调转位置），这就是十进制的25。
因此这个数值就是表示向西北方向（就是从当前位置，向135度角方向）画长度为sqrt(25*25+25*25)的一条线（x轴偏移25，y轴偏移25）。
3.4.4 g- deltag-delta有两种形式，一种是用一个单一的unsigned-integer的数据来表示；第二种是用一对unsigned-integer的数据来表示。
如果g-delta数据在文件中第一个出现的字节的最低位（bit0）是0，表示第一种类型的g-delta数据；如果是1，表示第二种类型的g-delta数据。
3.4.4.1 g- delta 第一种类型如果是第一种类型，只用一个unsigned-integer类型表示g-delta的类型。
unsigned-integer的在文件中出现的第一个字节的倒数第2到第4个bit（bit1到bit3）一共3个bits用来表示方向，同3-delta的形式。
举个例子，二进制的1110，1100，0000，0101。
其中第二个方框中的0表示这是第一种类型的g-delta格式，第一个方框中的1和unsinged-integer的含义一样，表示后面还有byte表示同一个unsigned-integer数据。
划下划线的110这里就表示方向，110表示西南方向（在正交坐标系中表示135度角的一条线，000表示向东，001向北，010表示向西，011表示向南，100表示东北方向，101表示西北方向，110表示西南方向，111表示东南方向）。
第三个框中的0表示这是这个unsigned-integer数据的最后一个byte。
这个数据的长度是二进制的000,0101, 110（去掉打框的和加下划线的数值，然后前后byte调转位置），就是十进制的46。
整个数据的含义就是沿西南方向画一条长度为sqrt(46×46+46×46)的线（也是就是将x轴坐标减少46，y坐标减少46，将这个点作为顶点，和原来坐标点相连画一条直线）。
3.4.4.2 g- delta 第二种类型如果是第二种类型，则用两个unsigned-integer的数据来表示。
第一个unsigned-integer在文件中的第一个byte的最低bit（bit0）必须为1，第一个byte的倒数第二个bit（bit1）表示x轴的方向，其它bit表示长度。
第二个unsigned-integer在文件中的第一个byte的最低bit（bit0）表示y轴的方向，其它bit表示长度。
因此，它能够表示任何方向的线段。
只有这种数据能够表示任何方向任何角度的线段，其它delta的类型都只能表示45度或者90度方向的线段。
举个例子，二进制的1011,1011,0000,0001，1011,0111,0000,1111。
其中第二个方框中的1表示这是第二种类型的g-delta格式，第一个方框中的1和unsinged-integer的含义一样，表示后面还有byte表示同一个unsigned-integer数据。
划下划线的1这里就表示方向，1表示向西（x轴负方向，0表示向东）。
第三个框中的0表示这是第一个unsigned-integer数据的最后一个byte。
这个数据的长度是二进制的000,0001, 011，10（去掉打框的和加下划线的数值，然后前后byte调转位置），就是十进制的46。
整个数据的含义就是x轴沿负方向减少长度46，取一条和y轴平行的直线。
后面y轴也取一条和x轴平行直线，两者相交得到一个点。
整个delta就是从当前位置到这个点画一条直线。
第四个方框中的1和unsinged-integer的含义一样，表示后面还有byte表示同一个unsigned-integer数据。