硅微加速度计调研报告

I. 近十年硅微电容式加速度计发展综述

I.1. 概述

MEMS加速度计具有非常广泛的应用，由于其批量制造低成本的特性，在过去的若干年广泛应用于消费电子市场，取得了巨大的成功。然而MEMS加速度计的发展并不止步于此，新的研究成果不断出现，使人们相信MEMS加速度计不仅能在其擅长的小型化低成本低功耗方向更进一步，而且还具有冲击中高性能应用的潜力。

MEMS电容式加速度计主要有两种实现形式，一种是面内检测(In-plane)，另外一种是面外检测(Out-of-plane)，也就是z轴敏感的加速度计。而两者对比见下表所示：

同时在04年以前的工作中，硅微加速度计的精度在不断提高，同时面内和面外敏感的加速度计由于其各有特点，应用目标也不尽相同，因此都取得了很大的进步。下图为04年前电容式加速度计的发展趋势，可以看出面外传感的加速度计在性能上相对面内传感的结构有优势。同时加速度计的性能也在按照类似摩尔定律的规律提升。

从05年到15年，硅微电容式加速度计又经历了一段发展时期，展现出了两条相对独立的发展路线，逐渐诞生了一些产品可以适用于高端应用领域。同时也在低成本方面有了进一步的突破。

I.2. 主要团队成果介绍

A. Colibrys

结构简介：其目标定位实现一系列高性能MEMS加速度计，可能用于飞行器航姿稳定系统以及更严格的空间应用。因此采用了面外敏感（z轴敏感）的原理来实现高精度加速度计。该公司代表性产品RS9000系列采用了一种三层硅的结构，如下图所示：

每层硅片采用DRIE（深反应离子刻蚀）技术实现了非常厚的检测质量，从而降低了结构的布朗噪声。提高了分辨率。

该三层结构中，顶层和底层为固定电极。中间层为检测质量和支撑系统，同时三层硅通过一种Silicon Fusion Bonding（SFB）的键合技术连接在一起，保证了不同硅片之间的平衡性，同时也可以实现一个密封的腔体，从而能够控制结构所处环境的气体阻尼。

最新动态：在这个基础上，colibrys 2012年发表的文章介绍了一款导航级Sigma-Delta MEMS加速度计。该加速度计接口部分使用前放和ADC，其余电路全部在数字中完成。同时，采用闭环结构，降低了结构等效噪声和量化噪声，同时提高了结构的线性度，保证了振动环境下的性能。

在这些技术的支持下，该样机在温度（300ug残留），噪声（2ug/rt(Hz)），振动性能(10ug/g2)上均表现出优异的性能，其性能参数如下表所示：

在这个基础上，Colibrys在2014年展示了一个针对严峻环境下工作的加速度计。该加速度计使用开环原理工作，并且配合新的芯片粘贴技术，使其具有超高的鲁棒性，同时采用电荷平衡技术的读出电路，使其仍然能够保持足够好的性能。

该系列加速度计能够工作在超高辐射（150 MeV Xe ions at fluence of 106 Ions/cm2）和高温度下（175℃），并且能够抵抗10000g的冲击，满足了工业应用和空间应用。该系列加速度计实现了0.6ppmFs/rt(Hz)的分辨率，略低于其高性能闭环样机（≈0.1ppmFs/rt(Hz)）。

总之，Colibrys公司在保持加速度计性能的同时，关注其综合稳定性和环境适应性，已经走出实验室，推出了若干高性能的加速度计产品，其加速度计在若干领域成功替代了传统的方案。

参考文献：

[1] 2010 High Performance Inertial Navigation Grade Sigma-Delta MEMS Accelerometer

[2] 2010 RS9000, a Novel MEMS Accelerometer Family for Mil/Aerospace and Safety Critical Applications

[3] 2012 Breakthrough in High Performance Inertial Navigation Grade Sigma-Delta MEMS Accelerometer

[4] 2014 New generation of High Performance/High reliability MEMS accelerometers for harsh Environment

B. Farrokh Ayazi @ Georgia Institute of Technology

Ayazi团队在04年后，也发表了若干加速度计样机，并且具有其特点。该团队主要研发in-plane（面内运动）形式的MEMS加速度计。并且将其性能提高至与体微加工工艺相近的水平。

工作1：其第一代加速度计结构如下图所示，采用40um厚的SOI工艺，为了降低加速度计的布朗噪声，其检测质量上去掉了排孔，而该方式带来的缺陷通过干法释放的方式来解决。

电路方面，该工作改进了传统的开环Sigma-Delta检测方式，通过引入一个隔离前端放大器，将积分器与检测电容隔开，避免其相互影响，增强了系统的稳定性。同时，该工作将结构和电路集成在一块硅片上，展示出了表面工艺与IC易集成的优势，具有低成本的潜力。

工作二：其第二代样机大幅改进了工艺，同时也采用了闭环Sigma-Delta的检测方式，性能有了进一步的提高。新结构如下图所示：

为了进一步提高性能，降低布朗噪声，提高机械灵敏度。该团队从两个方面进行了改进，首先是采取low-pressure chemical vapor- deposited (LPCVD 低压化学气相沉积) 技术，在原有基础上减小电容间隙，从而提高灵敏度。其次，在结构释放过程中，刻意保留较厚的基底硅层，来增强检测质量的厚度，从而降低布朗噪声，而这也会最终反应在加速度计性能的提升上。其工艺简略流程如下：

其电路也采用了闭环的Sigma-Delta力平衡系统，增强了线性性和分辨率。第一第二代结构的对比也能很清楚的反映出新技术对性能的改善：

（a）第一代样机结构性能（b）第二代样机结构性能通过采用新的技术，检测质量的有效厚度从40um提高到120um，检测质量也从1.2mg 提升到5mg。在此结构的基础上，其制作的样机性能如下：