第一章 晶体二极管和二极管整流电路(习题一)
(完整版)2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案,推荐文档
《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟总分：分班级：班命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错误）5. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（正确）8. 二极管具有单向导电性。
（正确）9. 二极管是线性器件。
（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误）13. 二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。
（正确）14. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。
（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
（正确）23. 半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。
电工基础第一章习题
晶体二极管及整流电路练习题（一）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN 结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管6、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定7、发光二极管发光时，工作在( )。
A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D．不确定8、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）A. 增大B. 减小C. 不变D. 等于零9、稳压二极管是利用PN结的（）。
A.单向导电性B.反向击穿性C.电容特性D.正向特性10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。
A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大12、关于晶体二极管的不正确叙述是：（）A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
二、判断题：1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。
2、（）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
晶体二极管和整流电路测试题
晶体二极管和整流电路测试题一．填空题：（每空2分，共40分）1．二极管的P 区接电位 端，极管的N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置，二极管截止；所二极管具有 性。
2．二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型； 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。
4．单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 、 等。
6．W7805的输出电压为 V ，额定输出电流为 A ；7．开关稳压电源的调整管工作在 状态，依靠调节调整管 的比例来实现稳压。
8．发光二极管能将电信号转换成 信号，它工作时需要加 偏置电压；光电二极管能将 转换成电信号，它工作时需要加 偏置电压；二．判断题：（每题2分，共10分）1．二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。
（ ）2．稳压二极管在工作中只能作反向连接。
（ ）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（ ）4．在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开，输出电压的平均值变为原来的一半。
（ ）5．二极管的反向漏电流越小，其单相导电性能越好。
（ ）三．选择题：（每题2分，共10分）1．图1.17所示符号中，表示发光二极管的为 （ ）2．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。
（ ）A ．0B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降3．．用万用表电阻挡测量小功率二极管性能好坏时，应把量程开关旋到 （ ）位置。
A ．R ×100B ．R ×1KC ．R ×1D ．R ×10K4．直流稳压电源中，滤波电路的作用是 （ ）A ．将交流电变为较平滑的直流电B ．将交流电变为稳定的直流电C ．滤除直流电中的交流成分D ．将交流电变为脉动直流电5．开关稳压电源效率高的主要原因是 （ ）A ．调整管工作在开关状态B ．输出端有LC 滤波电路C ．省去电源变压器D ．电路元件少四．技能实践题：（每题10分，共20分）A .B .C .D.图1.171．画出桥式整流电容滤波电路图，若要求V L ＝20V ，I L ＝100ｍA ，①试求电路元件的有关参数；②变压器二次电压的有效值V 2；③整流二极管参数V F 和V RM ；④滤波电容量和耐压值。
二极管和二极和二极整流电路练习题资料讲解
二极管和二极和二极整流电路练习题晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1、如图所示的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。
2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时R上的电压各为多少。
4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？复习题二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。
第一章 晶体二极管和整流电路
第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空题1、半导体中的多数载流子是由产生的；少数载流子是由产生的。
2、PN结加正向电压时，其空间电荷区（耗尽层）将，电阻值将。
PN结加反向电压时，其空间电荷区（耗尽层）将，电阻值将。
3、正偏二极管的动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而。
4、硅二极管的导通电压为伏，反向饱和电流I S为数量级；锗二极管的导通电压为伏，反向饱和电流为数量级。
5、二极管的伏安特性曲线，是加到二极管两端的和流过二极管的之间的关系曲线。
6、滤波电路的作用是使的直流电变成较的直流电。
7、在电路中，如果流过二极管的正向电流过大，二极管将会。
如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会。
8、如图2-1-1所示硅二极管电路，二极管处于状态，流过二极管的电流为。
9、桥式整流电路加电容滤波之后，不仅使输出直流电压V O变得，而且使输出电压的平均值。
10、稳压二极管应工作在伏安特性曲线的。
11、电容滤波电路常用在的场合；电感滤波电路常用在的场合。
12、将变成的过程叫做整流。
在单相整流电路中常用的整流形式有、和等几种。
13、如图2-1-2所示电路中，R L1两端的电压为伏，R L2两端的电压为伏。
14、如图2-1-3所示电路中，二极管为硅管时I= 毫安；若二极管为锗管，此时I= 毫安。
15、如图2-1-4所示电路中硅稳压二极管稳压电路中，电阻R起和的作用。
若R=0，将使和。
16、如图2-1-5所示电路中二极管为理想器件，V1工作在状态，V2工作在状态V AB= 。
17、半导体根据内部两种载流子的数量分布情况，分为、和三种类型。
18、P型半导体又称，其中是多数载流子，是少数载流子；N型半导体又称电子型，其中是多数载流子，是少数载流子。
19、单相整流电路是利用二极管的实现整流的，硅稳压二极管是利用二极管的特性来实现稳压的。
20、如图2-1-6所示电路中，V为理想二极管，S闭合时，P点电位是伏，S打开时，P点电位是伏。
电子技术基础第一章二极管及其应用练习(1)
电子技术基础第一章复习题一．判断题1．锗和硅是制作半导体器件的主要材料。
（ ） 2．二极管的正向电阻比反向电阻大。
（ ） 3．二极管两端加上正向电压就能导通。
（ ）4．二极管的型号基本能反应其所用半导体的材料. 性能. 类别及质量。
（ ） 5．二极管具有单项导电特性。
（ ）6．1N4000系列整流二极管封装上印有粗环线的一侧为二极管负极。
（ ） 7．漏电流越大，说明二极管的单项导电性越差。
（ ）8．发光二极管在使用时必须正向偏置，此外还应并接限流电阻。
（ ） 9．发光二极管的发光颜色是由外壳颜色决定的。
（ ） 10．发光二极管是一种将电信号转变成光信号的二极管。
（ ） 11．光敏电阻在使用时要注意正负极性。
（ ）12．整流二极管和硅稳压二极管一样，都能工作在反向击穿区。
（ ） 13．光电二极管必须加反向电压才能正常工作。
（ ） 14．变容二极管的结电容大小与外加反向偏压有关。
（ ）15．整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。
（ ） 16．滤波电容的耐压必须大于变压器二次电压2u 的峰值，即222U U ≥。
（ ） 17．在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值2U U L =.（ ） 18．整流的主要目的是将交流电压变换为脉动的直流电压。
（ ）19．单相桥式整流电路在输入交流电压的每半周内都有两只二极管导通。
（ ） 20．在变压器二次电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。
因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1.（ ） 21．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流二级管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（ ）22．滤波的主要目的是将脉动直流中的交流成分去掉。
（ ）23．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（ ） 24．滤波是利用电容两端电压不能突变或电感中电流不能突变的特性来实现的。
（ ） 25．整流电路中的滤波电容容量越大，或负载越大，输出电压越接近22U .（ ） 26. 若2U 为电源变压器二次电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为22U 。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
模电子练习题1
第一章晶体二极管整流滤波电路一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。
2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。
4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。
5、二极管的主要特性是具有。
二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。
6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。
导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。
7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。
8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。
9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。
10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。
11、硅管的死区电压为伏，锗管的区死区电压为伏。
12、PN结中的内电场会阻止多数载流子的运动，促使少数载流子的运动。
13、理想二极管正向导通时，其压降为V；反向截止时，其电流为μA。
14、半导体中的总电流是与的代数和。
15、在判别锗、硅二极管时，当测出正向压降为时，将认为此二极管为锗二极管；当测出正向压降为时，将认为此二极管为硅二极管。
16、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象被叫做现象。
17、在单相桥式整流电路中，如果流过负载电阻RL的电流是2A，则流过每只二极管的电流是。
18、在单相桥式整流电路中，如果电源变压器二次电源为120V，则每只二极管所承受的反向电压为。
19、在一块本征半导体两端加上电压，电子会向电源极移动形成电子电流。
20、二极管是由一个结加上两根金属引线经封装后构成的。
二、选择题1、P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）。
(完整word版)晶体二极管和二极管整流电路试题
晶体二极管一、选择题（每题分，计分)1。
二极管正向导通时，呈现····················（ )A. 较小电阻B。
较大电阻C。
不稳定电阻 D. 无法确定2。
硅稳压管稳压电路适用于·····················( ) A。
输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C。
输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D。
输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是···················( )A。
普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B。
普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C。
硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ） VA。
0。
2 B. 0.3 C。
0.5 D. 0。
75。
通常要求二极管正反向电阻相差················· ( ）A. 越小越好B。
晶体二极管及二极管整流电路试题
D. 将直流变为交流
13. 稳压二极管是利用二极管的（
）特征制造的特殊二极管。
A. 正向导通时电压变化小
B. 反向截止时电流小
C. 反向击穿时电压变化小而反向电流变化大
D. 单向导电
14. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（
）。
A. 大 B. 小 C. 相等
D. 无法判断
15. 电路如图所示，则处于导通状态的二极管是 ( ) 。
3. 半导体二极管主要是依靠 PN结而工作的。 （ ）
4. 二极管是线性器件。 （ ）
：
号
5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
考
6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）
（）
7. PN 结的单向导电性，就是 PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）
8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为
电阻往往起到限流的作用。
（）
二极管将会发生热击穿， 所以， 与其配合的
14. 整流电路由二极管组成， 利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）
15. 用两只二极管就可实现单相全波整流， 而单相桥式整流电路却用了四只二极管，
做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）
这样
16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择
：
截止。 （ ）
名
姓
9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）
10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）
11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏
晶体二极管和二极管整流电路
晶体二极管和二极管整流电路1、 在题图6-1所示的两个电路中，已知t u i ωsin 30=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u 。
的波形。
+u i -+u 0-+u i -+u 0-（a）（b）题图6－12、在题图6-2中，试求下列几种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，D A ，D B ）中通过的电流：（1）V A = V B = 0V ；（2）V A = +3V ，V B = 0V ；（3）V A = V B = + 3V 。
二极管的正向压降可忽略不计。
AB题图6－23、在图6-15所示的单相桥式整流电路中，如果（1）D 3接反，（2）因过电压D 3被击穿短路，（3）D 3断开，试分别说明其后果如何？+-图6－15 单向桥式整流电路~+-~（a）（b）4、 单相桥式整流电路如图6-15所示。
如果整流元件的极性联接发生下列错误之一，将会造成什么后果？（1） D 1极性接反； （2）D 1、D 2极性均接反； （3） D 2、D 4均接反； （4）D 1的正极虚焊断开。
若已知U=300V ，R L =300Ω。
（1）求整流电压平均值U O 、整流电流平均值I O ，每个二极管的平均电流I D 和所承受的最大反向电压U DRM 。
（2）若二极管D 1虚焊接触不良，存在接触电阻R=100Ω，则整流电流I o 的波形将如何？+-图6－15 单向桥式整流电路~+-~（a）（b）5、 某稳压电源如题图6-3所示，试问：（1）输出电压U O 的极性和大小如何？（2）电容器C 1和C 2的极性如何？它们的耐压应选多高？（3）负载电阻R L 的最小值约为多少？（4）如将稳压管D Z 接反，后果如何？（5）如R=0，又将如何？220VR L U o题图6－3。
二极管和二极和二极整流电路练习题
晶体二极管和二极管整流电路一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。
（）2、N型半导体中导电的是自由电子。
（）3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）4、在半导体内部，只有空穴是载流子。
（）5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
（）6、半导体中导电的是多数载流子。
（）7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。
二极管及整流电路试题及答案
二极管及整流电路试题及答案一、单选题1.二极管两端加正向电压时，A、立即导通B、超过死区电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过击穿电压就导通【正确答案】：B2.当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、大电容C、断开的开关D、接通的开关【正确答案】：D3.以下关于单相半波整流电路的各种叙述中，正确的是A、流过整流管的电流小于负载电流B、流过整流管的电流与负载电流相等C、整流管的端电压为零D、整流管承受的最大反向电压等于负载电压平均值【正确答案】：B4.普通二极管导通时，则二极管两端所加的电压是A、正向偏置B、反向偏置C、无偏置D、零偏置【正确答案】：A5.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为A、杂质半导体B、本征半导体C、P型半导体D、N型半导体【正确答案】：B6.二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、零偏B、反偏C、正偏D、击穿【正确答案】：C7.下图所示电路中，输入电压"-：'，；八」V,二kQ。
则当开关SI、S2均断开时，输出电压的平均值’为A、45VB、90vC、100vD、120v【正确答案】：A8.下列关于电感滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电感器的B、电感器端电压为电路输入脉动直流电中的直流分量;C、电路的输出电压平均值得到提升；D、电感量L越大，滤波效果便越好。
【正确答案】：D9.面接触型二极管比较适用于A、小信号检波B、小功率整流C、大电流开关D、大功率整流【正确答案】：D10.半导体中导电的载流子是A、电子B、空穴C、离子D、电子和空穴【正确答案】：D11.锗二极管的导通电压是A、0.1V左右B、0.3V左右C、0.5V左右D、0.7V左右【正确答案】：B12.电路如图，VD为理想二极管，则二极管的状态是A、导通B、截止C、击穿D、烧坏【正确答案】：A13.下图所示电路中，输入电压「「’•…'：l V,匚-kQ。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
《电工与电子技术基础》电子部分习题第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
01电子线路试卷-电子01晶体二极管和二极管整流电路单元测验.pptx
8、请在图（2）示单相桥式整流电路
I一 的四个桥臂上，按全波整流要求画上
UR1.
+四个整流二极管，并使输出电压满意
」 负载R1.所要求的极性。（2分）
图⑴
图（2）
9、单相整流电路是利用二极管的实现整流的，硅稳压二极管是利用二极管
PR1.r。
5、用万用电表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应将量程拨到（）Λ.RXl。或RXlkCB.R×1ΩC.RXl。 kC
三、推断题：（16分）
1、（）半导体器件一经击穿便将失效，因为击穿是不行逆的。
2、（）选择整流二极管主要考虑两个参数：反向击穿电压和正向平均电流。 3、（）单相桥式整流电路在输入沟通电压的每半周期内都有两只二极管导通。 4、（）硅稳压管的动态电阻愈大，稳压的性能越好。 5、（）一般二极管的正向运用没有稳压作用。 6、（）滤波是利用电容两端电压不能突变或电感中电流不能突变的特性来实现的。 7、（）用万用电表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒所连接的管脚是二极 管的负极，另一电极是正极。 8、（）晶体二极管的导通电压又叫门坎电压，硅管的导通电压是0.5伏。 四、问答题：（8分） 1、画出晶体二极管的伏安特性曲线图。（4分） 2、填写下表：（4分） 五、计算题：（30分） 上电压VR的波形。（6分） R
的特性来实现稳压的，即稳压二极管应工作在伏安特性曲线的
区。
10、如图（3）所示电路中，RIJ两端的电压为伏，Rl2两端的电压为伏。
11、如图（4）所示电路中，二极管为硅管时I=亳安；若二极管为错管，此时
12、如图（5）所示电路中，二极管为志向器件，Vl工作在状态，V2工作在
晶体二极管和整流电路测试题
第1章:晶体二极管和二极管整流电路一.填空题：1.二极管的P区接电位端,极管的N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置,二极管截止;所二极管具有性。
2.二极管的PN结面积不同可分为点接触型、面接触型和型；型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
3.普通二极管工作时要避免工作于，而稳压管通常工作于。
4.单相用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。
5.直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括、等。
8.发光二极管能将电信号转换成信号，它工作时需要加偏置电压;光电二极管能将转换成电信号，它工作时需要加偏置电压；二.1.二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM时会损坏。
（）9.稳压二极管在工作中只能作反向连接。
（）10电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（三.选择题：1.图1.17所示符号中，表示发光二极管的为（）000.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（）时，处于正向导通状态。
（）A .0B .死区电压C .反向击穿电压D .正向压降4.直流稳压电源中，滤波电路的作用是（）A .将交流电变为较平滑的直流电B .将交流电变为稳定的直流电C .滤除直流电中的交流成分D .将交流电变为脉动宜流电四.1.画出桥式整流电容滤波电路图，若要求V L =20V ,1 L =100m A ,①试求电路元件的有关参数;②变压器二次电压的有效值V 2;③整流二极管参数V F和 V RM2.图1.18给出了一些元器件的电路符号,请合理连线,构成一个5V的直流稳压电源。
五.综合题：1.二极管电路如图1. 20电压V 0o设二极管的导通电压降为0.7V。
2②导通区;③截止区;④击穿区。
A .B .C .D .图 1. 17 图 1.20V V ~220V ①②③④⑤⑥W 7805V 0=5\/+-+⑦⑧⑨⑩111213输入端输出端R L图1. 18。
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第一章 晶体二极管和二极管整流电路
一、填空
1．纯净的半导体称为 ；在纯净的半导体中掺入少量的硼元素，可形成 型半
导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，所以又称 型半导体，。
2．在本征半导体中掺入磷元素，可形成N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数
载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 。
3．如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V
后，二极管开始导通，这个电压称为
电压。
正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。
当反向电压增大到 V 时， 即称为 电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为 。
若反向电压
继续增大，容易发生 现象。
其中
稳压管一般工作在 区。
4．二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 _____
后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V 。
5．二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给
二极管加 电压，二极管截止。
6．用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表
明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。
两次测的
阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。
7．有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正
反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。
8．整流是指_______________________________________。
9．滤波是指 。
10．如图，V 为理想二极管。
状态 ， V AB = V
11
．图中，V 为硅二极管。
与A 接通时， V 的状态 ，V MN = V 与B 接通时， 的状态 ，V MN = V
6V
二、判断题
1．( )将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。
2．（ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3．（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
4．（ ）硅二极管门坎电压是0.3V ，正向压降是0.6V 。
5． ）硅的导通电压为0.3V ，锗的导通电压为0.7V 。
6．（ ）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
7．（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。
8．（ ）二极管正向使用时不能稳压。
9.（ ）单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。
三、单项选择题
1．（ ）如图，电源接通后，正确说法为
A H 1、H 2、H 可能亮。
B H 1、H 2、H 都不亮。
C H 1可能亮，H 2、H 不亮。
D H 1不亮，H 2、H 可能亮。
2.（ ）如图，V 为理想二极管
A V 导通，V A
B =0V 。
B V 导通，V AB =15V 。
C V 截止，V AB =12V 。
D V 截止，V AB =3V 。
3.（ ）二极管两端加上正向电压时
A 一定导通
B 超过死区电压才能导通
B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通
4.（ ）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会
A 变大
B 变小
C 不变化
D 不能确定
四、分析计算题
1．如图，V 1、V 2为理想二极管。
V AB = S 合上时，V P =
S 断开时，V P =
2．如图，试求下列几种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，D A ，D B ）中通过的电流：
（二极管的正向压降可忽略不计）。
（1）V A = V B = 0V ；
（2）V A = +3V ，V B = 0V ；
（3）V A = V B = + 3V 。
3K 12V V
A B
15V 3V
R
V 1 12V A B R V 2 S P
R D A
D B A
B
Y +12V
3.9k
题图6－2
3．变压器中心抽头式全波整流电路中，已知V
L =54V，I
L
=2A。
求：
1）电源变压器次级半个绕组电压V
2
；
2）整流二极管承受的最大反向电压V
RM
；
3）流过二极管的平均电流I
V。
4．在桥式整流电路中，已知V
L =9V，I
L
=1A。
求：
1）电源变压器次级电压V
2
；
2）整流二极管承受的最大反向电压V
RM
；
3）流过二极管的平均电流I
V。
5．桥式整流电路中，若:
1）V
内部短路，会出现什么现象？
1
虚焊，会出现什么现象？
2）V
1
3）V
方向接反，会出现什么现象？
1
4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响？
6．在桥式整流电路中，若要求输出电压为18V，负载电流为2A，试求：1）电源变压器次级电压V
；
2
；
2）整流二极管承受的最大反向电压V
RM
3）流过二极管的平均电流I。
V
4）若V
管内部短路，整流电路会出现什么现象？
1。