电工电子元器件认识 - 晶体三极管结构与作用
晶体二极管和三极管
正半周波形正常 低频调 制信号 加一小偏压
t
O O
u ui
O 负半周波形压扁 (b)检波后的电流波形
D
ui
C 偏 压 R
uo
t
(a)检波前调幅波形
(c)小信号检波电路
图 26 小信号检波原理图解
信号。实际电路中的负载可以是耳机,也可以是下一级低频放 大器,由于直流信号对耳机或低频放大器的隔直流电容不起作 用,只有低频调制信号被送到耳机中发出声音或被下一级放大 器放大。小信号检波的原理图解如图 26 所示,图中( a)是 检波前的高频调幅波形, 经二极管检波后的电流波形如图 (b), (c)是小信号检波的实际电路。 二极管的另一个重要的用途就是整流。 整流是把 50 赫兹的 交流电变成直流,这在本丛书的上一册中作过介绍,这里就不
玻壳 引线 金属电极 引线
晶片
金属细丝
PN 结 (b)面接触型
支架
(a)点接触型 图 28 二极管的内部结构
硅管和锗管。这两种管子在起始导通电压上差别较大,所谓起
始导通电压就是二极管正向伏安特性非线性区域中的拐弯点所 对应的电压。一般硅管的起始导通电压约为 0.6V,锗管约为 0.2V。由于硅管的导通电压较高,用它作小信号检波时灵敏度 低, 线性差。 但硅管的反向耐压较高 , 允许的工作温度也较高, 因此适用于 整流和开关等大电流的场合。 锗管的 起始导通电压较小,反向耐压低,允 许的工作温度也较低, 因此适用于小 信号的检波电路。 晶体二极管有玻璃管壳、 金属管 壳、 塑料管壳和环氧树脂管壳等多种 封装形式。 (参见图 29)体积较小 的检波管一般都采用玻璃管壳(图 2 9 中最上面的那种) ,整流管多采用 图 29 几种常见的晶体二极管 塑料或环氧树脂管壳, 一些电流较大 的整流二极管采用金属管壳, 而且管壳的一端还做成螺杆状 (图 29 中最下面的那种) ,以便于在散热板上安装。 晶体二极管的种类和型号很多。 即使是同一型号的二极管, 因制造工艺等方面的原因,它们的实际性能也略有差别。用来 表明二极管性能的数据,叫作二极管的参数。二极管的主要参 数有下列几个: ⒈最大整流电流(IOM) : 是指二极管长期安全工作时允许通过的正向平均电流的最 大值。因为电流流过 PN 结时要耗散一定的功率,使结温升高。 当电流过大,结温超过一定的限度时就会把 PN 结烧坏。为了 保证安全,二极管整流时的工作电流不能超过此值。 ⒉最高 反向工作电压(VRM) : 这个参数又叫最大允许反向电压。是指允许加在二极管两 端反向电压的最大值, 它反映了二极管对反向电压的承受能力。
《晶体三极管》说课稿
《晶体三极管》说课稿尊敬的各位评委上/下午午好!我是来自涉县职教中心机电教研组电子电工专业青年教师jiayigzs,我今天说课的题目是《晶体三极管》。
下面我就教材分析、教法、学法、教学过程等四个方面进行今天的说课。
一、教材分析《晶体三极管》是由中等职业教育规划教材审定委员会审定教材,国防科技大学出版社出版的侯寅珊教授主编的《电子技术基础》模拟部分第一章的第三节的第一课时的教学内容。
本章第一节安排了“半导体PN结”、“晶体二极管”和“晶体三极管”三个关系密切的内容,本章内容是一个优秀的电子装配和维修人员必须熟练掌握的一项基本理论基础知识,对它的讲解清晰与否,直接影响学生对后续专业课程的学习和技能操作能力的提高。
因此第三节《晶体三极管》既是对上两节内容的必要延伸,又对学好后面的“三极管放大电路”、“负反馈放大电路”、“集成运算放大电路”等章节的内容起到承前启后的作用。
同时由于我们学校电子电工专业的学生毕业后要到电子企业从事电子产品组装工作,学生的技能之一就是使用散件设计、安装、及检测产品。
所以本节课作为专业基础理论知识课,显得尤为重要。
本课内容是在上节课了解了半导体二极管的基础之上,围绕PN结的理论开展的,条理清晰,环环相扣,结构完整,主要包括三个部分内容:(1)三极管的内部结构特点,(2)三极管的符号,三极管的符号,知道三极管的两种符号的画法,并知道发射极箭头的双重意义。
本课的学习目的在于充分发挥学生的主体性,引导他们积极投入学习实践。
因此将“三极管的符号”确定为教学重点。
“三极管的内部结构”是一个比较难以理解的知识点,对于刚初中毕业的学生来说,理解起来较困难,所以要求学生名必须建立一个明确的概念,知道三极管的三区两结的结构特点既是本课的教学重点,也是本课必须突破的一个难点。
[教学目标]1.知识与能力:让学生明确三极管的内部结构。
知道晶体三极管的分类,能画出晶体三极管的两中符号及其等效电路图。
2.方法与过程:培养学生观察、分析等逻辑思维能力和自己解决问题的能力;通过参与活动,锻炼学生面对挑战、勇于克服困难的能力;培养和提高口头表达能力;培养学生的团队意识,锻炼学生的小组协作能力;培养学生的创新精神,锻炼学生的自理能力、设计能力、手工制作能力。
最新《电工电子技术》习题-第7章
《电工电子技术》习题-第7章------------------------------------------作者xxxx------------------------------------------日期xxxx第7章基本放大电路【基本要求】理解晶体三极管的基本构造和工作原理;理解晶体三极管的放大、饱和、截止三种工作状态以及电流放大作用;理解共射极单管放大电路的基本结构和工作原理;掌握几种基本放大电路的分析计算以及多级放大电路的分析计算。
【重点】晶体三极管的放大、饱和、截止三种工作状态以及电流放大作用;共射极单管放大电路的基本结构和工作原理;几种基本放大电路的分析计算:静态工作点的估算和动态指标的近似计算;多级放大电路的分析计算。
【难点】晶体三极管的三种工作状态以及电流放大作用;几种基本放大电路的近似计算;多级放大电路的近似计算。
7。
1基本理论7。
1。
1 晶体三极管1. 要使三极管起放大作用,发射结必须正向偏置,集电结必须反向偏置,这是放大的外部条件。
因此,采用NPN型或PNP型三极管联接放大电路时,一定要注意集电极电源EC和基极E B极性的正确联接。
2 / 40另外,要使三极管起放大作用,基区必须做得很薄,基区的掺杂浓度必须远小于发射区的掺杂浓度,这是放大的内部条件。
对于NPN型三极管来说,这样才可以大大减少自由电子与空穴在基区复合的机会,使从发射区扩散过来的电子绝大部分到达集电区。
2。
三极管的输入特性I B=f(U BE)|U CE=常数与二极管的伏安特性相似,也有死区电压.三极管的输出特性I C=f(U CE)|I B=常数是一族曲线,可分为放大区、截止区和饱和区。
在输出特性曲线上近于水平的部分是放大区。
放大区具有恒流特性,且I C=β̄I B,β̄近似为常数。
此时发射结处于正偏,集电结处于反偏。
I B=0的曲线以下的区域是截止区,I C近似为零,发射结和集电结均处于反偏。
当UCE<UBE时,集电结处于正偏,三极管工作于饱和状态,UCE≈0。
注电考试最新版教材-第73讲 电工电子技术(九)
第七节半导体三极管及基本放大电路一、半导体三极管(一)基本结构半导体三极管(简称晶体管)是在一块半导体上生成两个PN结组成,有NPN和PNP两大类型,其结构和符号如图8-7-1所示。
由图可见,它们有三个区,分别称为发射区、基区和集电区。
三个区各引出一个电极,分别称为发射极E、基极B、集电极C。
发射区和基区之间形成的PN结称发射结,基区和集电区之间的PN结称集电结。
晶体管制造工艺的特点是:发射区掺杂浓度高,基区很薄且掺杂浓度很低,集电区掺杂浓度低且结面积比发射结大。
这些特点是晶体管具有电流放大能力的内部条件。
(二)晶体管的放大原理1.晶体管处于放大状态的条件:为了使晶体管具有放大作用,除了结构上的条件外,还必须有合适的外部条件。
这就是要求外加电压使发射结正偏,集电结反偏。
根据偏置要求,外加直流电源与管子的连接方式如图8-7-2所示。
2.晶体管内部载流子的传输过程:晶体管在放大电路中有三种连接方式(或称组态),即共发射极、共基极和共集电极接法,如图8-7-3所示。
为了分析晶体管的放大原理,简单介绍一下晶体管内部载流子的传输过程。
以共射接法的NPN型管为例(图8-7-4)。
(1)发射区向基区发射电子的过程:由于发射结正偏,发射区的多子(电子)向基区扩散,形成射极电子流IEN ,同时基区的少子(空穴)也会向发射区扩散,形成空穴流IEP。
由于基区掺杂浓度很低,这部分电流可忽略,IE ≈IEN,方向由发射极流出。
(2)电子在基区的扩散和复合过程:大量电子流人基区后,继续向集电结方向扩散,在扩散过程中,部分电子与基区的空穴相遇而复合,复合掉的空穴由基极电源来补充,从(三)晶体管的特性曲线。
《汽车电工电子技术基础(第2版) 》电子教案 第9章晶体三极管
9. 2三极管的电流放大作用
2.类型 三极管按制造材料可分为硅管和锗管两大类。这两类三极管
的特性基本相同,但硅管受温度影响较小,工作稳定,所以它较 广泛地应用于各种电路,如汽车电子调节器点火控制器、燃油喷 射系统电控单元等。根据三极管的内部结构可分为NPN型和PNP 型两种。目前,我国生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。 根据用途可分为放大管和开关管;根据功率可分为小功率管(功率小 于1 W)和大功率管(功率大于等于1 W)两种。
发射极之间的反向电流称为穿透电流,用Iceo表示。Iceo的大小一般 与管子的质量和温度有关。
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9. 4三极管的主要参数
3.集电极反向电流Icbo 发射极开路时,集电结的反向电流Icbo越小越好。
4.集电极最大允许电流Icm 当集电极电流Ic超一定值时,三极管的参数开始发生变化,特
别是电流放大系数β将下降。 β值下降到正常值的2/3时的集电极电 流称为集电极最大允许电流Icm 。 5.集电极最大允许耗散功率Pcm
9. 3. 1输入特性曲线
极 示电 。流输I入b同特基性极是与指发三射极极管之集间电电极压和U发be的射关极系之,间特电性压曲Uc线e一如定图时9 ,-5基所
9.3.2输出特性曲线
电流输Ic同出集特电性极是与指发三射极极管之基间极电电压流UIbc为e的常关数系时曲,线输。出当电Ib路不中同集时电,极可 得到不同的曲线,所以三极管共射极电路的输出特性曲线是一组 曲线族,如图9一6所示。
当集电极电流流过集电结时,集电结温度会升高,从而引起 三极管参数变化。当三极管受热而引起的参数变化不超过允许值 时,集电极消耗的最大功率称为集电极最大允许耗散功率Pcm
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高一电工电子所有知识点
高一电工电子所有知识点电工电子是一门涵盖电学和电子学的综合性学科,其内容广泛而繁杂。
本文将为你详细介绍高一电工电子的所有知识点,帮助你全面理解和掌握这门学科。
1. 电路基础知识- 电流、电压和电阻的概念及其关系- 欧姆定律及其应用- 线路的串、并联关系- 电路中功率的计算方法2. 半导体器件- 半导体的概念与特性- 二极管的结构、工作原理及应用- 晶体管的结构、工作原理及应用- MOS场效应管的结构、工作原理及应用3. 电子元器件- 电阻、电容和电感的概念、符号及特性- 二极管、三极管和集成电路的分类与特性- 可调元件(电位器、电容器)的特点及使用方法4. 电源与电路保护- 直流电源的组成与工作原理- 交流电源的组成与工作原理- 过载、短路及过压保护电路的设计与应用5. 信号与系统- 信号的分类与特性(模拟信号和数字信号)- 基本信号处理电路的设计与应用(滤波器、放大器等) - 时域与频域的转换与分析6. 传感器与检测技术- 常见传感器的分类及工作原理(温度、压力、湿度等) - 传感器测量电路的设计与应用- 信号调理电路的设计与应用7. 电子器件与系统应用- 放大电路的分类与特点- 音频放大电路和功率放大电路的设计与应用- 电子系统的组成与设计原则8. 数字电子技术- 数制与编码:二进制、八进制、十六进制等- 逻辑门电路及其运算(与门、或门、非门等)- 数码显示器、时序电路及计数器的设计与应用9. 电磁感应与电磁波- 法拉第电磁感应定律及其应用- 互感与自感的概念与特性- 电磁波的概念、分类与应用10. 电力系统与电能利用- 发电机的结构与工作原理- 变压器的结构与工作原理- 电力输送与配电系统的组成与设计11. 线路的安全与维护- 电工安全操作规程- 电工事故的防范与应急处理- 电力设备的检修与维护以上是高一电工电子的所有知识点的概览,希望对你理解这门学科有所帮助。
掌握这些知识点将为你今后学习和研究电工电子提供扎实的基础。
元器件认识实习实验报告
一、实验目的通过本次元器件认识实习,使学生了解和掌握常用电子元器件的基本特性、功能、应用以及识别方法,为后续电子电路设计和制作打下基础。
二、实验原理电子元器件是电子电路的基本组成单元,它们在电路中起着传递、控制、转换和储存电能的作用。
本实验主要涉及以下几种电子元器件:1. 电阻器:用于限制电路中的电流,起到降压、分压、限流、滤波等作用。
2. 电容器:用于储存电能,在电路中起到耦合、旁路、滤波、定时等作用。
3. 电感器:用于储存磁能,在电路中起到耦合、隔离、滤波、振荡等作用。
4. 晶体二极管:具有单向导电特性,在电路中起到整流、开关、稳压、限幅等作用。
5. 晶体三极管:具有放大、开关、稳压等作用。
6. 集成电路:由多个电子元器件组成的复杂电路,具有体积小、功能多、可靠性高等特点。
三、实验内容1. 电阻器、电容器、电感器的识别与测量(1)观察电阻器、电容器、电感器的实物外形,了解其颜色编码、引脚排列等。
(2)使用万用表测量电阻器、电容器的阻值、容量。
(3)分析电阻器、电容器的误差范围、温度系数等参数。
2. 晶体二极管、晶体三极管的识别与测量(1)观察晶体二极管、晶体三极管的实物外形,了解其引脚排列、封装形式等。
(2)使用万用表测量晶体二极管的正向导通电压、反向截止电压。
(3)测量晶体三极管的放大倍数、截止电压等参数。
3. 集成电路的识别与检测(1)观察集成电路的实物外形,了解其引脚排列、封装形式等。
(2)使用万用表检测集成电路的供电电压、工作电流。
(3)分析集成电路的典型应用电路,了解其在电路中的作用。
四、实验步骤1. 准备实验器材,包括万用表、电阻器、电容器、电感器、晶体二极管、晶体三极管、集成电路等。
2. 按照实验要求,依次识别和测量各种电子元器件。
3. 记录实验数据,分析实验结果。
4. 撰写实验报告,总结实验心得。
五、实验结果与分析1. 电阻器、电容器、电感器的测量结果符合理论值,误差在允许范围内。
电子管与晶体管
电子管与晶体管 SANY GROUP system office room 【SANYUA16H-《电工电子学(II)》课外综合阅读报告电子管与晶体管作者:周凌寒学号学院:机械工程学院时间:2015年6月20日摘要:电子管与晶体管在我们的生活中有着不可或缺的作用。
晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。
晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。
电子管是一种在气密性封闭容器(一般为玻璃管)中产生电流传导,利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件。
晶体二极管、晶体三极管、电子二极管、电子三极管又是这两种电子器件中的代表。
关键字:电子二极管、电子三极管、晶体二极管、晶体三极管一、电子管与晶体管的发明及发展历程(1)电子管电子管,是一种最早期的电信号放大器件。
早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中,近年来逐渐被半导体材料制作的放大器和集成电路取代。
1883年,发明大王托马斯·爱迪生正在为寻找电灯泡最佳灯丝材料,曾做过一个小小的实验。
他在真空电灯泡内部碳丝附近安装了一小截铜丝,希望铜丝能阻止碳丝蒸发。
但是他失败了,他无意中发现,没有连接在电路里的铜丝,却因接收到碳丝发射的热电子产生了微弱的电流。
当时爱迪生正潜心研究城市电力系统,没重视这个现象。
但他为这一发现申请了专利,并命名为“爱迪生效应”。
1904年,世界上第一只电子二极管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了,这使爱迪生效应具有了实用价值。
弗莱明也为此获得了这项发明的专利权。
1906年,美国发明家德福雷斯特(DeForestLee),在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板,从而发明了第一只真空三极管.1947年,美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人合作发明了晶体管——一种三个支点的半导体固体元件。
1904年,世界上第一只电子管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。
弗莱明为此获得了这项发明的专利权。
《电工电子技术》(曹建林) PPT课件:5.2 三极管
56 58
60
59
58
5.2 晶体管
晶体管的结构与特性曲线
3 特性曲线
(1)输入特性曲线
IB /μA 80 60
UCE≥1V
40
20
0
0.4 0.8
UBE /V
3DG6晶体管的输入特性曲线
晶体管的主要参数
C
+
B
UBE
-
E
UCE=0
C B
E
5.2 晶体管
晶体管的结构与特性曲线
3 特性曲线
(2)输出特性曲线
②饱和区 UCES ≈0 集电极和发射极之间相当于一个闭合的开关。
③放大区 IC=βIB 具有电流放大作用
5.2 晶体管
晶体管的结构与特性曲线
晶体管的主要参数
3 特性曲线
(2)输出特性曲线
工作 状态
放大
PN结偏置
发射结正偏 集电结反偏
特点 IC=βIB
等效
电流控制 器件
饱和 发射结正偏 UCES ≈0 闭合开关 集电结正偏
晶体管的主要参数
2 电流放大作用
IC mA
IB VT
C
µA
3DG6
+
B IE
E
UCC
RB
–
+ UBB –
mA
三极管电流放大实验电路
晶体管电流放大实验测试数据
实
验
电流
1
2
3
次
数
4
5
6
IB/μA 0 IC/mA ≈0 IE/mA ≈0
10 20 30 40 50 0.66 1.14 1.74 2.33 2.91 0.67 1.16 1.77 2.37 2.96
常用电子元器件系列知识培训——三极管篇
电子元器件系列知识--三极管晶体三极管的结构和类型晶体三极管,是半导体全然元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距特别近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三局部,中间局部是基区,两侧局部是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图从三个区引出相应的电极,分不为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结喊发射结,集电区和基区之间的PN结喊集电极。
基区特别薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管足识不常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引足的排列方式具有一定的规律,如图关于小功率金属封装三极管,按图示底视图位置放置,使三个引足构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为ebc;关于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引足朝下放置,那么从左到右依次为ebc。
目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管足的排列不尽相同,在使用中不确定管足排列的三极管,必须进行测量确定各管足正确的位置,或查寻晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用,事实上质是三极管能以基极电流微小的变化量来操纵集电极电流较大的变化量。
这是三极管最全然的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β〞表示。
电流放大倍数关于某一只三极管来讲是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失往了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
电子管与晶体管
电子管与晶体管 This manuscript was revised on November 28, 2020《电工电子学(II)》课外综合阅读报告电子管与晶体管作者:周凌寒学号学院:机械工程学院时间:2015年6月20日摘要:电子管与晶体管在我们的生活中有着不可或缺的作用。
晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。
晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。
电子管是一种在气密性封闭容器(一般为玻璃管)中产生电流传导,利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件。
晶体二极管、晶体三极管、电子二极管、电子三极管又是这两种电子器件中的代表。
关键字:电子二极管、电子三极管、晶体二极管、晶体三极管一、电子管与晶体管的发明及发展历程(1)电子管电子管,是一种最早期的电信号放大器件。
早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中,近年来逐渐被半导体材料制作的放大器和集成电路取代。
1883年,发明大王托马斯·爱迪生正在为寻找电灯泡最佳灯丝材料,曾做过一个小小的实验。
他在真空电灯泡内部碳丝附近安装了一小截铜丝,希望铜丝能阻止碳丝蒸发。
但是他失败了,他无意中发现,没有连接在电路里的铜丝,却因接收到碳丝发射的热电子产生了微弱的电流。
当时爱迪生正潜心研究城市电力系统,没重视这个现象。
但他为这一发现申请了专利,并命名为“爱迪生效应”。
1904年,世界上第一只电子二极管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了,这使爱迪生效应具有了实用价值。
弗莱明也为此获得了这项发明的专利权。
1906年,美国发明家德福雷斯特(DeForestLee),在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板,从而发明了第一只真空三极管.1947年,美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人合作发明了晶体管——一种三个支点的半导体固体元件。
1904年,世界上第一只电子管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。
弗莱明为此获得了这项发明的专利权。
晶体三极管教案
教学过程设计【新课内容】所以首先,我们来看一下晶体管的分类。
(1)按功率构分,可以分大功率,中功率,小功率晶体管。
如下图:我们都知道晶体管在工作的时候会发热,功率越大,那么产生的热量就会越多,因此,我们为了更好的让晶体管散热,一般情况下,会增加它的体积或者转小孔。
(2)晶体管按照结构还可以分为NPN型晶体管和PNP型晶体管。
接下来我将以NPN型晶体管为例来具体讲解晶体管。
首先我们来看下晶体管的结构及其特点。
大家看到下面这个图:我们先来看到左边的这个图,这是晶体管的内部结构图,从这个图中我们可以发现晶体管中有三个区。
最左边的这个N区我们把它称着发射区,中间的P区我们称它为基区,右边的这个N区我们称它为集电区。
如果我们在从这三个区引出电极的话,那么发射区引出电极为发射极,我们用字母e表示,从基区引出的电极我们称为基极,用字母b表示,相对应的我们的集电区引出的电极就为集电极,用字母c表示。
从这个结构图中我们还可以发现我们的发射区和基区的交界处构成了第一个PN结——发射结。
基区与集电区的交界处构成了第二个PN结——集电结。
这样我们就清楚了晶体管的结构。
我们可以把它简记为“三区三极两PN结”。
我们看完晶体管的结构,再来看一下他有什么特点?先看到发射区,它的特点是掺杂浓度高,基区的特点是杂质浓度低并且很薄,最后我们的集电区就只有一个特点那就是面积特别大。
从我们的教材29页1.3.2的(a)图也可以看到,晶体管的基区只有几微米到几十微米,但集电区却有几百微米,因此可以看出它的面积很大。
大家思考一下,为什么要把它制造成这样,我们可不可把基区做的很厚,并且它的杂质浓度高呢?(停顿一会)对,不行。
因为我们晶体管要工作的话需要发射区提供大量的载流子,并且这些载流子要很容易通过基区到达集电区,集电区要大量的空间来容纳这些载流子,所以我们再制造的时候需要在发射区高掺杂,把基区做的很薄,并且把集电区做的很大。
这也是晶体管工作的内部条件。
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晶体三极管结构与作用
任务目标;
三极管的结构、参数、及作用。
学习目标;
了解三极管的结构、参数、及作用。
晶体管又称三极管或晶体三极管,它的应用十分广泛,是电了电路中应用最重要的主要元件之一。
晶体三极管的主要作用是对信号进行放大或者工作在开关状态下对电路进行控制。
1、国产三极管型号的命名
国产三极管的命名及含义
2、日本晶体管型号命名及含义
3、欧洲晶体管型号命名
欧洲晶体管型号命名及含义
欧洲晶体管型号命名及含义
4、三极管的电路符号
三极管的电路符号
电路符号
a) PNP型b) NPN型
晶体三极管有三个电极,分别为;基极“B;,集电极“C",和发射机“E",在晶体管的电路符号中有一个带箭头的电极,分别表示三种意义:
1)表示该引脚是发射机;
2)表示该管的极性,箭头向外的表示是NPN管,箭头向里的表示是PNP管;
3)表示该管的电流方向。
5、三极管的种类
1)按材料和极性分:硅材料NPN型与PNP型晶体管和锗材料NPN型与PNP型晶体管。
2)按用途分:高频放大管和低频放大管。
3)按功率分:小功率(500MW}以下、中功率(500M4}3W}和大功率(3W)以上的晶体管。
4)按工作频率分:低频三极管(3MH}以下、高频三极管(3MH}以上和超高频三极管(儿白兆)。
5)按封装形式分:金属封装、玻璃封装和塑料封装的三极管。
如图2-75所示。
三极管
6、三极管的结构
三极管的结构
三极管结构示意图
a) NPN型 b)PNP型
它有集电结、发射结和N型半导体,P型半导体构成也就是说它有三层半导体和两个PN结组成。
对于PNP晶体管来说,它是有两块P型半导体和一块N型半导体组成,对于NPN型三极管来说是有两块N型半导体和一块P型半导体组成。
基极与集电极之问的PN结成为集电结,基极与发射极的PN结称为发射结。
7、三极管的工作条件
三极管不是两个PN结简单组合,它表现出与两个单独的PN结绝然不同的特性,这就是三极管最主要的特性即放大作用。
所谓放大,就是把微弱的电信号转换成一定强度的电信号。
无论是PNP型还是NPN型三极管,要使它具备放大作用发射结必须加正向电压Ube,集电结必须加高于
发射结的反向电压Uce,通常把发射极与基极之问的电压称为基极电压或偏置电压,把集电极与发射极之
问的电压称为集电极电压。
基极电压一般很小,锗管在0. 3V左右,硅管在0. 7V左右,集电极电压一般都在儿伏到十儿伏。
NPN型和PNP型管的电压极性相反,对NPN型管来说,基极高于发射极电位,集电极电位高于基极电位;对PNP型管来说则正好相反。
由于晶体管有NPN型和PNP型,所以外加电压的极性也不同,如上图所示,对于NPN型晶体管、集电极、基极,发射极三个电极的电位必须符合UC>UB>UE,对于PNP型晶体管、电源的极性与NPN型的相反,应符
UC<UB<UE。
8、三极管的工作状态
三极管具有饱和、放大、截止三种工作状态,如图2-77所示。
在放大器电路中,晶体管主要工作在放大状态;而在脉冲电路中,晶体管主要工作在饱和状态和截止状态,并且经常在这两种状态之问快速转换,通常称晶体管的这种工作状态为“开关状态”。
1)截止状态
三极管的截止状态是指基极加Ol输入电压时的工作状态,当发射极电压Ube<0. 5V 时,Ib和Ic都近似为零,三极管处于截止状态,相当于开关断开。
2)饱和状态
当三极管的发射结和集电结均处于正向偏置时,三极管处于饱和状态。
三极管饱和后,再增大Ib,集电极电流,Ic也不再增大。
这相当开关闭合,如图b所示。
3)放大状态
当三极管的发射结加正向偏压,集电结加反向偏置,且反向偏压大于正向偏置2倍或2倍以上时,三极管处于放大状态。
此时,基极小电流变化会引起集电极大电流变化,如图C所示。
a)截止状态
b)饱合状态
C)放大状态
二极管的工作状态
(1)元件作用
vT:晶体管起信号放大
作用。
vcc:直流供电电源,
为电路提供工作电压和电
流。
Rb:基极偏置电阻,电源电压通过Rb向基极提供合适的偏置电流IB。
C1:输入藕合电容,藕合输出交流信号Ui,并起隔离直流电的作用。
C2:输出祸合电容,祸合输入交流信号Ll e,并起隔离直流的作用。
Rc:集电极负载电阻,电源十B通过Rc为集电极供电,另一个作用是将放大的电流Ic 转换为放大的电压输出。
(2)电路工作原理
Ib电流经放大后获得对应的集电极电流,Ic电流大时,负载电阻Rc的压降也相应大,使集电极对地的电位降低,反之Ic电流变小时,集电极对地的电位升高。
在共发射极放大电路中,输出电压UO与输入信号电压Ui频率相同,相位相反,幅度得到放大。
三极管的这种以小变化的基极电流Ib控制大变化的集电极电流Ic的性能称为三极管的电流放大。
9、三极管的判别
1)极性的判别
将数字万用表置于二极管档,两表笔分别测试三个引脚,直到某引脚与另外两引脚有数字显示为止,此时,该引脚就为基极,如果接触该脚的表笔是红表笔,该管就是NPN 的,如果接触该脚的表笔是黑表笔则为PNP管。
2)如何判别三极管的集电极和发射机
(1)将数字万用表打到三极管的放大倍数档(HFE),把已经确认基极的三极管插入表上标有E,B, C的插孔中,正反测试两次观察,读值较大的一次为标准,那么孔中所插的引脚就是万用表上所标的该管的极性。
a)无读值或读值小 b)有读值或读值大
二极管基极的判别
(2)在确定基极时,也可以直接使用二极管档去测试基极与另外两个引脚的管压降,测试的结果必然是一次大数值显示,一次小数值显示,那么大一点数值的一端就为发射极,小一点数值的一端为集电极。
a)数值小 b)数值大
极性判别
(3)如何判别三极管是硅管还是锗管
如果想知道三极管是硅管还是锗管的话,可以直接用二极管档去测试它的管压降就可以了,硅管的基极与发射极的管压降为0. 6V-0. 7V,锗管基极与发射极的管压降为0. 2V-0. 3V0
10、场效应管
场效应管又称单极性晶体管,主要是通过改变输入的电压来改变输出电流的,属于电压控制器件、输入电阻较高,基本上不需要电流,且受温度及外界的辐射影响较小、便于大规模集成等优点,因此得到了广泛地应用。
场效应管英文缩写FET,场效应管是另一种具有正向受控作
用的半导体器件,从制作工艺上分为两大类型。
第一类:结型场效
应管;第二类:绝缘栅型场效应管MOSFET(又称金属一氧化物一半导
体型)简称MOS型场效应管。
1)结型场效应管
结型场效应管
结型场效应管
结型场效应管分N沟道和P沟道两类,如图2-81所示为N沟道结型场效应管,它是在一块N型半导体中扩散两个高浓度的P区,并引出两个电极连到一起,称为栅极G,在N 型半导体两端各引出一个电极,分别称为源极S和漏极D。
P区和N区之问分别形成两个PN结(耗尽层),中问的N区称为导电沟道,因此称为N沟道结型场效应管。
如下图所示为P沟道结型场效应管。
场效应管符号中箭头方向表示PN结正向偏置时栅极电流的方向。
N沟道结型场效应管结构 P沟道结型场效应管结构
2)工作原理
N沟道结型场效应管连接电路如图2-83
所示,在放大工作状态时,D, S极问加正向电
压Vdd, G,S极问加反向电压Vgg.。
由于栅极相
对漏、源极是处于低电位,使N沟道两侧PN结
承受反向偏置电压,所以改变加在PN结两端反
向偏置电压,就可改变耗尽层的宽度宽度,也
就改变了中问导电沟道的宽度。
这样利用电压
的变化来控制导电沟道中多数载流了的运动,
也就控制了导电沟道中电流的大小。
P沟道结型场效应管连接电路与N沟道结型场
效应管连接电路相反。
N沟道结型场效应管工作原理
11、场效应管的检测方法
1)用万用表检测结型场效应管
根据结型场效应管的结构,可检测出场效应管的三个电极。
用万用表的二极管档检测三个电极找出正反都通的两个电极,剩下的电极为控制极即栅极G,由于结型场效应管的源极和漏极可以互换,所以不必去区分D和S极。
用万用表的任意表笔连接栅极,另一表笔分别检测源极与漏极之问的压降。
如红表笔接栅极,黑表笔接其余两脚都通,且反向不通,则此管为N沟道结型场效应管。
如黑表笔接栅极,红表笔接其余两脚都通,且反向不通,则此管为P沟道结型场效应管。
而且场效应管是好的,否则场效应管损坏。
2)估测结型场效应管的放大能力
用万用表二极管档连接D和S极,用手捏住栅极,万用表的指示应变的很小,变化越大说明结型场效应管放大能力越高,灵敏度越好。