32768晶振
凌阳单片机简介
第1章 SPCE061A单片机简介 (1)1.1凌阳16位单片机 (1)1.2 SPCE061A简介 (2)1.2.1 总述 (2)1.2.2 性能 (2)1.2.3 结构概览 (3)1.2.4 芯片的引脚排列和说明 (4)1.2.5 特性 (6)1.2.6 SPCE061A最小系统 (7)1.2.7 SPCE061A开发方法 (8)1.2.8 应用领域 (10)北阳电子内部技术资料0第1章 SPCE061A单片机简介1.1 凌阳16位单片机随着单片机功能集成化的发展,其应用领域也逐渐地由传统的控制,扩展为控制处理、数据处理以及数字信号处理(DSP,Digital Signal Processing)等领域。
凌阳的16位单片机就是为适应这种发展而设计的。
它的CPU内核采用凌阳最新推出的µ’nSP™(Microcontroller and Signal Processor)16位微处理器芯片(以下简称µ’nSP™)。
围绕µ’nSP™所形成的16位µ’nSP™系列单片机(以下简称µ’nSP™家族)采用的是模块式集成结构,它以µ’nSP™内核为中心集成不同规模的ROM、RAM和功能丰富的各种外设接口部件,如图1.1所示。
图1.1µ’nSP™家族的模块式结构µ’nSP™内核是一个通用的核结构。
除此之外的其它功能模块均为可选结构,亦即这种结构可大可小或可有可无。
借助这种通用结构附加可选结构的积木式的构成,便可形成各种不同系列派生产品,以适合不同的应用场合。
这样做无疑会使每一种派生产品具有更强的功能和更低的成本。
µ’nSP™家族有以下特点:体积小、集成度高、可靠性好且易于扩展北阳电子内部技术资料1µ’nSP™家族把各功能部件模块化地集成在一个芯片里,内部采用总线结构,因而减少了各功能部件之间的连线,提高了其可靠性和抗干扰能力。
32768XTAL_DSO221SR
32.768≦fo≦50 * * * * * * *
Vcc
f_tol
Icc I_std L_CMOS SYM VOL VOH
+3.0 +2.7 +2.6 +2.25 +1.6 +4.5 −100 −80 −50 −50
− − − − − − 45 − Vccx0.9
+3.3 +3.0 +2.8 +2.5 +1.8 +5.0
Y:±100×10−6 Z:±80×10−6 B,W:±50×10−6
[型名]
C :2.5V
DSO221SR DSO321SR
2520サイズ 3225サイズ
D :1.8V Y :5.0V
ご用命の際は型名以外に特性コード(例EC)までご指定下さい。
項 目
特性コード
電源 電圧
周波数 許容偏差
出力周波数範囲 (kHz)
σ ps
Peak to peak ps tDJ+n*tRJ n=14.1(BER=1*10−12)(2)
(1)WAVECREST DTS-2075にて測定。 (2)tDJ:Deterministic jitter tRJ:Random jitter
この他の仕様、または特殊仕様については営業窓口にお問合せ下さい。
表面実装型水晶発振器〈カーエレクトロニクス用〉
DSO221SR/DSO321SR(kHz)
原寸大 DSO221SR
DSO321SR
■ 一般仕様
■ 特長
● 電源電圧:1.8V/2.5V/2.8V/3.0V/3.3V/5.0V
● スリーステート機能付き ● 低消費電流
32.768khz晶振的匹配电容
32.768khz晶振的匹配电容
32.768khz晶振可以简称为32.768K晶体振荡器,它是一种精确的时钟源,它能够提供准确的时间度量,它的完美的稳定性和准确度使它在很多地方受到了青睐,常用于时间跟踪、功能实施、数据传输等领域。
而且,其原理也非常容易理解,当将一个时钟驱动信号和一个震荡元件联系起来时,它会随着时间进行振荡,从而产生一个准确的时钟周期。
32.768K晶体振荡器不仅有极好的精度,还具有低功耗、低成本、小体积等优点,在时钟电路中流行着,在需要精确控制步进马达,产生低频及定时器应用等,都可以使用这种晶体振荡器。
相关电路中,对应32.768K晶体振荡器需要匹配的电容也就是所谓的旁路电容。
这种电容是用来补偿晶体振荡器内部的电气耦合和电容耦合,以使振荡器的工作量有一定的可调性,使输出电容有合理的封装和调节机制,可以搭建出多种独特的音乐,把旋转运动形成一个音乐的触发发生器。
旁路电容的容量的大小是根据32.768K晶体振荡器实际应用环境进行调整的,一般来说,容量通常是1pF至20pF之间。
除了调节旁路电容,还会根据实际应用专业容量厂家会帮助客户进行其他的调节设置。
在使用时,只需要注意安装和调试时的电容的耐压等等即可。
此外,旁路电容在应用中还有其他的需求,例如阻抗补偿、负压补偿等,它们都可以采用专业厂家及根据实际环境进行调整,以提高晶体振荡器工作效率。
总体来说,32.768K晶体振荡器需要匹配的旁路电容,它的容量一般在1pF至20pF之间,但最终还是要根据实际应用环境来调节最佳值,并且在设置完成后仍需多加注意,以确保其工作效果和稳定性。
晶振频率是32.768kHz的原因
晶振频率是32.768kHz的原因
振荡电路用于实时时钟RTC,对于这种振荡电路只能用32.768KHZ
的晶体,晶体被连接在OSC3 与OSC4 之间而且为了获得稳定的频率必须外加两个带外部电阻的电容以构成振荡电路。
32.768KHZ的时钟晶振产生的振荡信号经过石英钟内部分频器进行
15次分频后得到1HZ秒信号,即秒针每秒钟走一下,石英钟内部分频器只能进行15 次分频,要是换成别的频率的晶振,15次分频后就不是1HZ的秒信号,时钟就不准了。
32.768K=32768=2的15次方,数据转换比较方便、精确。
绝大多数的MCU 爱好者对MCU 晶体两边要接一个22pF附近的电容不理解,因为这个电容有些时候是可以不要的。
参考很多书籍,讲解的
很少,往往提到最多的是起稳定作用,负载电容之类的话,都不是很深入理
论的分析。
问题是很多爱好者不去关心这两个电容,他们认为按参考设计做就行了,本人也是如此,直到有一次一个手机项目就因为这个电容出了问题,损失了几百万之后,才开始真正的考虑这个电容的作用。
其实MCU 的振。
32.768khz晶振外接电容
在当今数字化、信息化高速发展的领域中,32.768kHz晶振外接电容作为一种重要的电子元器件,其应用范围越来越广泛。
本文将从浅入深,逐步探讨32.768kHz晶振外接电容的相关知识,并结合个人观点进行全面的评估和解析。
1. 什么是32.768kHz晶振外接电容32.768kHz晶振外接电容是一种用于振荡电路中的元器件,其频率为32.768千赫兹,通常用于实时时钟电路、微处理器、计时器、手表、温度计等设备中。
为了确保晶振正常工作,一般需要使用外接电容进行调节和稳定。
2. 32.768kHz晶振外接电容的应用领域由于32.768kHz晶振外接电容频率稳定、功耗低以及体积小等特点,因此在电子产品中得到了广泛的应用。
在实时时钟电路中,晶振外接电容可以提供精准的计时功能;在微处理器中,可以作为时钟信号源;在手表、温度计等设备中,也能提供准确的时间基准。
3. 为什么需要外接电容外接电容可以调节晶振的振荡频率,并提供稳定的工作环境。
在32.768kHz频率下,外接电容具有很高的稳定性和准确性,可以确保晶振在各种环境条件下正常振荡。
4. 个人观点和理解在现代电子设备中,时间的准确性和稳定性对于各种功能的正常运行至关重要,而32.768kHz晶振外接电容正是保证这一点的关键元器件之一。
随着科技的不断进步,对于更高精度的时间计量和稳定性要求也在不断提高,因此对于32.768kHz晶振外接电容的研究和应用也将迎来更多的挑战和机遇。
总结:通过对32.768kHz晶振外接电容的探讨,我们可以看到它在现代电子领域的重要性和广泛应用。
外接电容对晶振的稳定振荡起着至关重要的作用,而其在各种电子设备中的应用也不断拓展和深化。
对于未来,我认为随着技术的进步和需求的提高,对于32.768kHz晶振外接电容的研究和应用将会更加深入,为电子设备的发展提供更强大的支撑。
通过本文的解析,我对32.768kHz晶振外接电容的相关知识有了更深入的理解,相信在今后的工作和学习中能够更好地应用和实践。
32.768KHZ晶振的分析报告
32.768KHZ晶振的分析报告晶振一般叫做晶体谐振器,是一种机电器件,是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成,这种晶体有一个很重要的特性,如果给他通电,他就会产生机械振荡,反之,如果给他机械力,他又会产生电,这种特性叫机电效应,我们主板上面用到的32.768KHZ是插件2*6音叉型(柱状晶振),由于目前晶纬业公司供给我们的32.768KHZ晶振在出货之前出现了一些时间跑不准和晶振不起振的问题,以下是该公司给我们的良品与不良品的分析测试报告:晶纬业提供的报告中各个指标代表的是:Fr:串联频率。
(没有外接负载电容,即无穷大)FL:负载电容下频率Rr:串联电阻(没有负载电容下的电阻)DLD-Rr:激励电平相关性(不同激励电平下的最大电阻)DLD-dRr2:激励电平相关性(不同激励电平下的电阻变化值)C0:静态电容C1:动态电容从报告中可以明显的看出良品和不良品的区别:1、良品比不良品的晶振内阻低良品是在25K以内的,而不良品大多是在25——30的范围,起先以为这点是晶振不起振的主要原因,于是经过分析和网上找资料,得出晶振的内阻低只是干扰你的外围电路,况且干扰周围的电路影响也小,跟晶振的起振关系不大,不是引起晶振不起振的主要原因,关键不起振主要的原因还是晶体的稳定性不好,材质不好,同时和生产工艺也有关系,正常的2*6圆柱型晶体的插件工艺要求高,最大能承受烙铁的温度是235±5℃, 3 seconds,而能承受波峰焊(回流焊)是350℃,工厂过锅炉的温度是270℃,远远低于晶振承受的温度,因此可以排除工厂的生产工艺问题。
原先还怀疑是晶振单边外挂电容的影响,经过咨询PCF8563原厂的工程师,工程师说PCF8563时钟输出脚单边挂电容,组成串联型,稳定性高,另外PCF8563的技术工程师说这个芯片要求的精度是5-10PPM,用20PPM也可以,但是不良率方面就不敢保证。
另外不起振的原因也和外挂电容大小有关系,但是经过分析,由于是单边外挂电容,根据等效电路所知:PCF8563规格书要求图中CT variable外接负载电容为5~30pF左右,若取中心值18pF,同时考虑到电路板分布电容、芯片管脚电容、晶体自身寄生电容等都会影响总电容值,故实际配置CT 时,可各取15~18pF左右,并使用瓷片电容为佳,而我们电路里面外挂电容配置的正好是18pF,也在这个范围内,也可以排除外挂电容的问题。
32.768kHz晶振封装
石英晶体32.768khz 晶振封装全系列(一)32.768khz晶振是常用的时钟晶振,常用于手机电脑通信等,如果损坏了,会出现时间提早延迟甚至停止不走等问题,解决方法当然是换一个同封装的晶体了,价格不会很贵,但这个时候问题就来了,很多用户要重新购买这颗晶振的时候只能参照产品上面的印字,而有时候上面印的是32.768 有时印32.768khz,有时印厂家代码如A0N9有时甚至不印,这个时候您就需要了解这款晶体的主要封装有哪些,尺寸是多少以及市场大致价位在哪里才能决定买哪种了。
首先32768分有源和无源的区别.一般32.768kHZ这款晶振用得多的是无源的,接下来就看看无源谐振器有哪些封装了:1.圆柱晶体308和206(还有104,105,309等不常用),直插2个脚,不同品牌有不同名称,例如日本KDS叫DT-38 DT-26,EPSON叫C-002RX(2*6),柱晶308尺寸是3.0*8.0mm,206尺寸是2.0*6.0mm。
价格依品牌和精度的不同而不同且体积越小越贵,一般0.16~0.38之间。
2.FC-135,这个是爱普生品牌,无源贴片2个脚,KDS牌子的叫DST310S,他们的尺寸为3.2*1.5*0.8mm 还有一款FC-13F封装体积差不多,尺寸3.2*1.5*0.55mm。
市场参考价0.72~1.0元。
3.MC-146,mc-146是手机晶振中的一款,EPSON中的型号也叫SSP-T7-F,因为本身颜色漆黑体积细小,所以行话也脚“黑条子”,146质量较好的品牌还是爱普生KDS和Abarcon,价格在0.7--1.3元之间。
4.MC-306、MC-405、MC-406。
MC-306 32.768khz 尺寸8.0*3.8*2.54mm; MC-405/406 尺寸为10.4*4.06*3.6mm.这几款MC-306是市场最为常销的,参考价格:0.8元左右。
2.FC-135,这个是爱普生品牌,无源贴片2个脚,KDS牌子的叫DST310S,他们的尺寸为3.2*1.5*0.8mm 还有一款FC-13F封装体积差不多,尺寸3.2*1.5*0.55mm。
32.768khz 温补晶振电路
32.768khz 温补晶振电路
32.768kHz温补晶振电路通常由一个晶体振荡器和一些辅助元件组成,其目的是为了稳定地提供32.768kHz的时钟信号。
这个信号广泛应用于各种数字集成电路中,如实时时钟(RTC)等,作为计时基准。
以下是一个基本的32.768kHz温补晶振电路的组成部分:
1. 晶体:核心元件是石英晶体,它具有非常高的Q值,可以产生3
2.768kHz 的振荡频率。
2. 反相器:通常采用CMOS反相器,它为晶体提供偏置,使晶体工作在饱和区,以获得较大的增益。
3. 负载电容:C1和C2是晶体的负载电容,与反相器一起形成一个负阻,为晶体提供振荡所需的能量。
4. 温度补偿电容:C3和C4是温度补偿电容,通常连接到晶体的两个端子,以稳定其振荡频率。
5. 电阻:R1和R2是电阻,用于降低对晶体的驱动能量,防止晶体振坏或出现异常。
6. 反相器:inv2对invl的输出波形进行整形并驱动负载。
在实际应用中,为了确保32.768kHz温补晶振电路的稳定性,通常需要接上一个电容来稳定其振荡频率。
这是因为石英晶体的振荡频率受到外界环境温度、机械振动等因素的影响,容易发生波动和漂移。
通过加入一个适当的电容,可以形成一个谐振回路,使得晶振的振荡频率在一定范围内保持稳定。
此外,32.768kHz温补晶振电路具有体积小、功耗低等优点,被广泛应用于各种小型电子设备中,如腕表、电子计时器、温度计、LCD屏幕驱动器等的时钟电路中。
rtc 晶振标准
RTC的晶振是实时时钟的核心,主要为32768 Hz,它为分频计数器提供精确的与低功耗的实基信号。
这种晶振为外部晶振和内置晶振两种类型,其中振荡电路用于实时时钟RTC,只能用32.768KHZ的晶体,晶体被连接在OSC3与OSC4之间,为了获得稳定的频率必须外加两个带外部电阻的电容以构成振荡电路。
此外,晶振的主要指标有相位噪声、老化速度和频率的温度漂移等。
其中,中心频率越高越好,谐波越低越好;老化速度越慢越好;频率的温度漂移是重要的一个标准,一般晶振的标称输出对应常温下的测量结果,随着整个系统的工作状态和工作地点的变化,输出频率也会变化。
以上内容仅供参考,建议咨询专业人士获取更准确的信息。
32768Hz频率晶振与精确计时
32768Hz频率晶振与精确计时
32768Hz频率晶振与精确计时;从数字钟的精度考虑,晶振频率越高,
钟的计时准确度;补充说明:;1.频度越高计时精度越高,误差越小;假定我们要
求定时的时间为Ts,计数频率(晶振频率;Tc=Counter·Tosc=Counter/;对于我们要求的定时时间Ts,一定可以找到这样的一;Counter/Fosc小于=Ts小于=;并且不管最后计时次数是取Co,从数字钟的精度考虑,晶振频率越高,钟的计时准确
度就愈高,但这将使振荡器的耦电量增大,分频电路的级数也要增加,因此一
般选取石英晶体频率为32678HZ(或100KHZ),频率为32678HZ(或100KHZ),这样也便于分频得到1HZ的信号。
补充说明:
1.频度越高计时精度越高,误差越小。
假定我们要求定时的时间为Ts,计数频率(晶振频率)为Fosc,则计数同
期Tosc为计数频率的倒数,即Tosc=1/Fosc,则计数Counter次所用的时间为:
Tc=Counter·Tosc=Counter/Fosc
对于我们要求的定时时间Ts,一定可以找到这样的一个计数值Counter,使得以Fosc频率计数Counter次所用的时间Tc小于要定时的时间T,并且计数Counter+1次所用的时间Tc’大于T,即:
Counter/Fosc小于=Ts小于=(Counter+1)/Fosc,(不能时间取等号)
并且不管最后计时次数是取Counter还是Counter+1,计时的误差均小于Tosc,相对误差小于Tosc/Ts=1/(Fosc·Ts),可见晶振频率越高相对误差和绝对误差都要比频率低的晶振要小。
选取其中最接近的计数值,误差还可以缩小一倍。
晶振 32.768 压差
晶振32.768kHz的压差一般指的是该晶振在电路中正常工作时,所需要的电压差。
这种晶振常用于实时时钟(RTC)电路中,为RTC提供稳定的时钟信号。
晶振的压差通常由晶振本身的特性以及与之配合使用的电路决定。
如果晶振的压差过大,可能会导致晶振无法正常工作,甚至损坏晶振。
在实际应用中,为了确保晶振的正常工作,需要根据晶振的规格书和电路设计来确定合适的压差。
一般情况下,晶振生产商会在其规格书中明确标注出该晶振所需的压差范围。
在设计电路时,需要根据这个范围来选择合适的电源和电路元件,以确保晶振能够在正常的工作压差下工作。
需要注意的是,不同类型的晶振所需的压差可能会有所不同,因此在选择晶振时需要根据具体的应用需求和电路设计来确定合适的晶振类型。
32768晶振电容大小选取规则
32768晶振电容大小选取规则晶振是电子设备中常用的振荡器,用于提供稳定的时钟信号。
在电路设计中,晶振的电容大小是一个重要的参数。
本文将介绍关于32768晶振电容大小选取的规则。
1. 理解晶振电容的作用晶振电容主要用于调节晶振的工作频率和稳定性。
通常情况下,晶振电容越大,晶振的频率越稳定。
因此,正确选择晶振电容大小对于确保设备正常运行非常重要。
2. 考虑晶振的工作频率32768晶振是指振荡频率为32768赫兹的晶振。
在选取晶振电容大小时,需要考虑晶振的工作频率。
一般来说,晶振电容的值应该在晶振频率的1/10至1/100之间。
3. 参考晶振厂家的推荐值不同的晶振厂家可能会有不同的推荐值。
在选取晶振电容大小时,可以参考晶振厂家提供的数据手册或技术规格,查找推荐的电容值。
这些推荐值是基于厂家的实际测试和经验总结,可以提供较好的参考。
4. 考虑电路布局和干扰在选取晶振电容大小时,还需要考虑电路布局和干扰的因素。
晶振电容的大小可能会对电路的稳定性和抗干扰能力产生影响。
因此,在设计电路时,需要综合考虑晶振电容的大小和其他因素。
5. 实际测试和优化选取晶振电容大小的最佳方法是进行实际测试和优化。
可以根据实际的电路设计和要求,在不同的电容值下进行测试,评估晶振的稳定性和性能。
通过实际测试,可以找到最合适的晶振电容大小。
总结起来,选取32768晶振电容大小的规则包括理解晶振电容的作用、考虑晶振的工作频率、参考晶振厂家的推荐值、考虑电路布局和干扰因素,以及进行实际测试和优化。
正确选择晶振电容大小可以提高电路的稳定性和性能,确保设备正常运行。
32.768晶振
32.768
32.768KHZ晶振,32.768KHZ晶振,为实时晶振,工作电压为0.4V左右,系统时间基准时钟,上电之前为南桥内部提供工作所需时钟。
其作用在于产生原始的时钟频率,这个频率经过频率发生器的放大或缩小后就成了电脑中各种不同的总线频率。
电脑主板用的是石英晶体振荡器。
IC网络超市-第一价值网销售截图;
晶振32.768khz特点
1、小尺寸表面封装类型最合适高密度线路板
2、嵌人具有热抵抗的柱状晶体带来高的稳定特性
3、适合于小型移动通讯装备
晶振32.768khz封装;EC-140
晶振32.768khz标准规格图;
晶振32.768khz尺寸图;
晶振32.768khz内部引导连接;
故障现象;
周期有误,会影响主板系统时钟的准确性,会出现时间走不准的问题。
这跟我们常用的手机,有的手机时间走不准是一个道理。
对于INTEL、AMD、ATI芯片的主板,32.768晶振不起振,会导致主板不上电或上电后全板无复位。
对于NVIDIA芯片主板,32.768不起振则会出现跑CF或45(对应的数码卡),或数码卡跑FF(有可能会出现I/O(winbond83627)第18脚或21脚两者中有一个无时钟)。
32.768晶振引发的相关故障,看似简单,但也常常容易让我们忽视,针对短期失效板以及换过BGA的主板,应养成量测32.768波形的习惯,并注意其有无异响。
主板上最重要的晶振是实时晶振(32.768KHZ)和时钟晶振(14.318MHZ),实时晶振给南桥提供振荡频,主板上几乎所有的频率都是以时钟晶振为基础的。
如果它们损坏主板不能正常工作。
32.768khz无源晶振的匹配电容
32.768khz无源晶振的匹配电容
无源晶振通常需要匹配电容来调整其频率,以确保它在指定频率(例如32.768 kHz)下正常工作。
匹配电容的选择取决于晶振的参数,包括晶振的额定频率、等效串联电阻(ESR)、等效串联电感(ESL)等。
在设计32.768 kHz的无源晶振电路时,一般需要考虑以下几个步骤:
1.查阅晶振的规格书:从晶振的规格书中获取关键参数,特别是
额定频率、ESR等。
2.计算匹配电容:使用晶振厂家提供的公式或图表,计算匹配电
容的理论值。
这通常涉及将晶振的ESR与匹配电容相联合,以
形成LC谐振电路。
3.考虑电路布局:电路的布局对于晶振的匹配也很重要。
确保布
局合理,尽量减小电路中可能引入的干扰和损耗。
4.实际调试:在实际电路中,可能需要通过试验和调试来优化匹
配电容的值。
使用频谱分析仪或示波器等工具来监测晶振的输
出,并调整匹配电容以使其达到设计频率。
请注意,无源晶振的调谐和匹配可能因制造差异、环境温度等因素而有所变化。
因此,最终的匹配电容值可能需要通过实际测试和调试来确定。
最好的方法是参考晶振厂家提供的设计指南和规格书,并在实际电路中进行仔细的调试。
32768晶振multisim中的参数设置
32768晶振multisim中的参数设置
晶振位于Multisim 自带元件库中,目录路径为MasterDataBase ->Misc。
如果需要其他频率的晶振,需要自己创建元件,或者,修改已有的晶振。
修改之前,首先要了解晶振的电路模型。
晶体具有串联谐振的特性。
在完整等效电路中,电容Cq1、电感Lq1、电阻Rq1串联,表示其基音特性。
其他的为其各次谐波泛音。
C0 是晶振的静态电容,是以石英为介质,两个基板为电极构成的电容,其引脚、支架产生的电容也一并计入。
C0远大于Cqn。
晶体具有很大的Lq,约为几十毫亨;具有很小的Cq,小于0.01pF;以及很高的Q值,常大于10的五次方。
在Multisim中,采用基频等效电路来模拟晶振,LS,CS,RS和CO四个参数分别就是基频等效电路中的Lq,Cq、Rq和C0。
于是,您应该已经了解该如何修改了,根据串联谐振频率公式,修改LS和CS 两个参数,就可以改变其频率。
32.768无源 换 有源晶振 设计电路
32.768无源换有源晶振设计电路1. 介绍32.768无源晶振和有源晶振在电子电路领域中,晶振是一种用于产生稳定频率的重要元件。
32.768kHz晶振是一种常见的低频晶振,它常被用于实时时钟、计时器等应用中。
根据其内部结构和工作原理,晶振可以分为无源晶振和有源晶振两种。
2. 32.768无源晶振的特点和工作原理32.768无源晶振是一种 passiver 晶振,它不包含内部的振荡电路,需要外部的振荡电路才能产生振荡信号。
它的特点是简单、成本低、功耗小,但稳定性较差,振荡频率容易受到外部环境和电路参数的影响。
3. 有源晶振的特点和工作原理有源晶振是一种包含内部振荡电路的晶振,它可以独立产生振荡信号,不依赖外部电路。
有源晶振的特点是稳定性高、抗干扰能力强,但成本和功耗通常比无源晶振要高一些。
4. 为何要设计32.768无源换有源晶振电路尽管32.768无源晶振成本低、功耗小,但在一些对稳定性要求较高的应用中,如实时时钟、计时器等,无源晶振的性能可能无法满足要求。
此时,可以考虑设计一种32.768无源换有源晶振电路,将无源晶振替换为有源晶振,以提高系统的稳定性和性能。
5. 32.768无源换有源晶振电路设计要点在设计32.768无源换有源晶振电路时,需要考虑以下要点:5.1 端口兼容性:无源晶振和有源晶振的引脚定义可能不同,需要确保替换后的晶振能够正确连接到原有的电路中。
5.2 振荡电路设计:有源晶振通常需要配合外部的振荡电路,设计时需要考虑振荡电路的参数选择和布局。
5.3 电源管理:有源晶振通常需要外部供电,因此需要考虑电源管理电路的设计和稳定性。
5.4 抗干扰能力:有源晶振的抗干扰能力一般较强,但在实际设计中仍需要考虑电磁干扰和电源干扰等因素。
6. 32.768无源换有源晶振电路设计实例以实时时钟电路为例,介绍一种32.768无源换有源晶振电路的设计实例:6.1 确定替换晶振:首先选择一款性能稳定的32.768有源晶振,确认其引脚定义和电气特性。
ds1302晶振频率多少合适,时钟芯片DS1302可靠起振的方法
ds1302 晶振频率多少合适,时钟芯片DS1302 可靠起
振的方法
DS1302 是时钟,它的频率就是它的计时频率,32.768k 是2 的15 次
方,是秒的标准脉冲,按照DS1302 的折算可以转换成精确的时间,进行秒
分时日月年的计时,而瓷片电容的作用是在其有误差时进行调整误差,对一般使用者是用不到的,所以不接也行。
时钟芯片DS1302 可靠起振的方法
在实际使用中,我们发现DS1302 的工作情况不够稳定,主要表现在
实时时间的传送有时会出现误差,有时甚至整个芯片停止工作。
我们对
DS1302 的工作电路进行了分析,其与单片机系统的连接如图2 所示。
从图中可以看出,DS1302 的外部电路十分简单,惟一外接的元件是32768Hz 的晶振。
通过实验我们发现:当外接晶振电路振荡时,DS1302 计时
正确;当外接晶振电路停振时,DS1302 计时停止。
因此,我们认为32768Hz
晶振是造成DS1302 工作不稳定的主要原因。
32768晶振温度系数
32768晶振温度系数概述在电子器件领域中,晶振是一种广泛应用的电子元件,用于产生稳定的频率信号。
32768晶振是一种特殊的晶振,其频率被固定在32768赫兹(Hz)。
晶振温度系数是指晶振频率随温度变化的比例关系。
本文将探讨32768晶振的温度系数及其影响因素、应用范围以及相关技术。
32768晶振的温度系数及其影响因素晶振的温度系数通常用ppm/℃(百万分之一/摄氏度)来表示,表示频率随温度变化的每个摄氏度单位的变化量。
对于32768晶振,其温度系数通常在±10 ppm/℃之间。
晶振的温度系数受多种因素的影响,包括晶体材料、封装材料、加工工艺等。
晶体材料的热膨胀系数是影响温度系数的主要因素之一。
一般而言,晶体材料的热膨胀系数越大,温度系数就越高。
封装材料的热膨胀系数也会对温度系数产生影响。
此外,晶振的加工工艺以及温度补偿技术的使用也会对温度系数产生影响。
32768晶振的应用范围32768晶振通常被应用于实时时钟(Real-Time Clock,简称RTC)等领域,其稳定的频率信号可以用于计时和日期处理。
在大多数电子设备中,RTC用于记录和管理时间信息,同时也可以用于同步设备的操作。
由于32768晶振频率相对较低,而且具有较高的稳定性和较低的功耗,因此在无线通信、嵌入式系统和移动设备等领域广泛应用。
例如,移动电话、手持设备、汽车电子、数字摄像机等设备都需要精确的时间基准,而32768晶振正是满足这一需求的理想选择。
32768晶振的温度补偿技术为了进一步提高32768晶振的温度稳定性,温度补偿技术得到了广泛应用。
温度补偿技术通过在晶振电路中引入温度感测电路和补偿电路,以使晶振的频率随温度变化的影响最小化。
温度感测电路通常使用热敏电阻、热敏二极管或热电偶等感测元件。
这些感测元件能够随温度的变化而改变其电阻值或电压值。
补偿电路则根据感测元件输出的信号,通过改变晶振电路中的电容或电感值,来实现温度补偿的目的。
手机晶振
手机里6229也使用的是32.768KHZ的晶振产生时序电路基准信号。32.768kHz是RTC(实时时钟)晶振,用32.768是因为32768是2的15次幂,可以很方便的分频,很精确的得到一秒的计时。所有的RTC晶振一般都是32.768或是其倍频。在手机电路中还有一主时钟,一般为13MHz或是其倍频。之所以选用13M这样的时钟是为了与基站同步。
参数
Frequency Range頻率範圍
32.768KHz
Load Capacitance負載電容
12.5pf
Need to specify
Absolute Maximum Drive Level最大激勵電平
1.0µW差
±20ppm
at 25℃Need to specify
Storage Temperature Range保存溫度範圍
–55~+125℃
Shunt Capacitance靜態電容
0.8pF Typical
Aging[first year]第一年老化率
±3ppm Max
25℃±3℃
Insulation Resistance絕緣阻抗
500Mohm Min.
手机晶振32.768K价格:
Series Resistance諧振電阻
65KΩ Max
Turnover Temperature拐點溫度
25±5℃
Temperature Coefficient二次溫度係數
2
[-0.035±0.01]ppm/℃
Operating Temperature Range工作溫度範圍
–40~+85℃
at 25℃
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9 带有增加的电阻器 RQ的负电阻方法 ...................................................................................... 9
图表列表
1 针对 32kHz 振荡器的典型振荡裕度....................................................................................... 5 2 安全因子...................................................................................................................... 9
图片列表
1 一个音叉晶振的机械振荡................................................................................................... 2 2 一个晶振的等效电路 ........................................................................................................ 2 3 一个晶振的电抗.............................................................................................................. 2 4 主皮尔斯振荡器电路 ........................................................................................................ 3 5 针对一个 0ppm 晶振的频率与负载电容间的关系........................................................................ 4
Parasitic
(3)
示例:
晶振要求 12pF 的负载。 每个引脚上的寄生电容为 2pF。 CL1=(2×C负载) -C寄生=(2×12pF)-2pF=22 pF CL2=CL1=22pF
错误选择负载电容器的一个结果(测量起来很容器)就是会导致一个不正确的振荡频率。 图 5中给出了一个 显示频率与负载电容间关系的典型曲线。
内容
1 32 kHz 晶体振荡器 .......................................................................................................... 2 2 晶振选择 ...................................................................................................................... 3 3 印刷电路板 (PCB) 设计注意事项 .......................................................................................... 6 4 测试晶体振荡器 .............................................................................................................. 8 5 生产中的晶体振荡器 ........................................................................................................ 9
了按照公式 2中的公式计算必需的电容器,还有必要考虑所有寄生电容,诸如印刷电路板 (PCB) 走线和
MSP430 引脚电容。
CLoad
=
C'L1 C'L1
× +
C'L2 C'L2
(2)
ZHCA445B – August 2006 – Revised April 2009
SLAA322 — /sc/techlit/SLAA322 版权 © 2006–2009, Texas Instruments Incorporated
摘要 对于一个稳定的晶体振荡器,选择合适的晶振、正确的负载电路、和适当的电路板布局布线至关重要。 这个 应用报告总结了晶体振荡器功能并且解释了为 MSP430 超低功耗运行选择正确晶振所用到的参数。 此外, 还给出了正确电路板布局布线的提示和示例。 本文档还包含与可能振荡器测试相关的详细信息以确保大批量 生产中的稳定振荡器运行。
6 温度范围内一个音叉晶振的频率偏差 ..................................................................................... 5
7
没有负载电容器和带有负载电容器的布局布线(XIN 和 XOUT 相邻引脚是标准功能引脚) ...................... 7
ZHCA445B – August 2006 – Revised April 2009
SLAA322 — /sc/techlit/SLAA322 版权 © 2006–2009, Texas Instruments Incorporated
MSP430 32kHz 晶体振荡器
32762 Hz
32760 Hz 1 pF
3 pF
5பைடு நூலகம்pF
7 pF
9 pF
11 pF
13 pF
15 pF
Load Capacitance
图 5. 针对一个 0ppm 晶振的频率与负载电容间的关系
17 pF
19 pF
所有 MSP430 32kHz 振荡器有内置的负载电容器,CL1和 CL2。 在一些 MSP430 版本中,这些负载电容器是 固定的;在另外一些 MSP430 版本中,内部负载电容器的值可被设定或者可使用外部电容器。 详细信息, 请见数据表和 MSP430 系列用户指南。 不同的 MSP430 系列产品有以下的负载电容器配置: • MSP430x1xx:6pF(每个引脚 12pF 的固定有效电容),不建议使用外部电容器。 • MSP430F2xx:0pF 至 12.5pF(可编程有效电容),可使用外部电容器。 • MSP430F4xx:0pF 至 10pF(可编程有效电容),可使用外部电容器。
2.1 有效负载电容
皮尔斯电容器(请见图 4)使用两个负载电容器,CL1和 CL2,作为针对晶振的负载。 这些电容器与晶振的感 应器 (LM)(请见图 2)一起生成反馈环路所需的 180°相移。 从晶振的视图中看,这些电容器是一个通过 GND 的串行连接。 因此,如果使用两个等值的电容器,这些电容器的值必须是所需负载电容值的两倍。 为
8
针对 MSP430F41x 和 MSP430F1232IRHB 的带有外部电容器和接地护圈的布局(XIN 和 XOUT 相邻引脚
为 NC 引脚)。 ............................................................................................................. 7
每个 MSP430 有一个内置晶体振荡器,此振荡器可在 32768Hz(通常成为 32kHz)的音叉晶振上运行。 一 个 32kHz 音叉晶振的机械振荡(请见图 1)被转换成一个电信号。 一个晶振的等效电路(请见图 2)提供 了以下这些电气特性: • CM动态电容 • LM动态电容 • RM振荡期间的机械损失 • C0封装和引脚的寄生电容
1
32 kHz 晶体振荡器
1 32 kHz 晶体振荡器
1.1 晶振
对于一个超低功耗设计,只有低频晶振可用,这是因为使用高频振荡器时,流耗将会大幅增加。 音叉晶振通 常在基本频发振模式中的频率范围为 10kHz 至 200kHz 之间并且最大驱动功率为 1μW。 这些参数使它们成 为 MSP430 微控制器中 32768Hz 超低功耗晶体振荡器的首选。
32780 Hz 32778 Hz 32776 Hz
Crystal Frequency CL Dependent
Effective Load Capacitance
32774 Hz
32772 Hz
Frequency
32770 Hz 32768 Hz
Frequency Target
32766 Hz
32764 Hz
=
1 2π√LMCM
• FA(反谐振或者并行谐振频率),此外,还取决于 C0,封装和引脚的寄生电容,无法与其它参数一样精
确,CM和 LM。 因此,FA定义的频率不如 FS的明确。
1 FA = 2π√LMCM
1 + CM C0
+jX
Reactance
FA FS
Frequency
–jX
图 3. 一个晶振的电抗
晶振选择
C0显示在图 2中并且有晶振数据表指定,RM或者 ESR 也是如此。 CL是一个晶振所需的负载电容并且也由晶 振数据表指定。
1.2 振荡器
图 4中显示了一个振荡器的主电路。 必须完成两个参数才能启用振荡: • 振荡器启动时的闭环增益 ≥ 1 并且
稳定振荡时的闭环增益 = 1 • 闭环相移 = n×360°
CM RM
LM
C0
图 1. 一个音叉晶振的机械振荡