WO3半导体气体传感器的研究进展

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直流反应磁控溅射WO3薄膜气敏特性研究

直流反应磁控溅射WO3薄膜气敏特性研究
Ⅵ N i g z e , ,H U M i g ,FEN G u C i ,CH EN n Y n —h n Yo — a 。 Pe g
( c ol fElc oi n f r t nEn iern Sh o o et nc dhromai r a o gneig,Ta jnU iest ini nvri y,Ta jn3 0 7 , hn ) in i 0 0 2 C ia
摘 要 : 用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的w0 薄膜气敏传感器, 3 通过 X D,E R S M和X S P 对该薄膜的晶体结构和化学
成 分进 行分析 , 研究 了不 同基片上制备的 WO a薄膜 的氨敏 特性 与薄膜厚 度 、 退火温 度 的关系. 实验 得到 的薄膜粒 径大小 约
3-0nn结果 表明 : 05 r, 在未抛光 的三氧化二铝基片上沉积厚 Байду номын сангаас为 4 r w0 0nn的 3薄膜 , 过 4 0 经 0 ℃退火 , 在体积 分数为 5 0 ×1
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第2 0卷
第 4期
传 感 术 学 报 技
ND AC AT S C N E J UR L O S NS HIES O NA F E ORS A TU oR
V0 . 0 No 4 12 .
Apr 2 07 .0
20 0 7年 4月
NH。中的灵敏度达到 3 0 而且气体选择性好 , 0, 响应一 复时间短, 以作为理想的氨敏元件。 恢 可
关键 词 : a WO 薄膜; 氨敏传感器; 直流反应磁控溅射
中图分 类号 : P l . : N 0 . 5 T 22 2T 34 05
文 献标识 码 : A
文章编 号 :0 41 9 ( 0 7 0 -7 00 10 -6 9 2 0 ) 40 6 -3

WO3光电催化材料的电子结构及催化性能研究

WO3光电催化材料的电子结构及催化性能研究

WO3光电催化材料的电子结构及催化性能研究随着环境污染问题的加剧,寻找高效、经济、环保的治污技术成为了当今社会亟需解决的问题之一。

而光电催化技术因其具有高效、无二次污染、可再生等优点,被认为是治污技术中的一种重要手段。

而WO3作为光电催化材料的一种,因其良好的催化性能以及广泛的应用前景,受到了越来越多的研究关注。

首先,我们需要了解WO3光电催化材料的电子结构。

WO3属于过渡金属氧化物,具有独特的电子结构特征。

它的晶体结构为六方晶系,是一种正交的六方密排结构,其中W离子为六面体配位,氧离子则处于八面体配位。

在它的能带结构中,最高占据态在氧的2p轨道上,而最低未占据态则位于W的5d轨道上。

这种能带结构导致了WO3的光电催化性能,使其能够利用光的能量来激发电子的运动,产生电子空穴对并在表面产生活性物种,从而实现催化反应。

其次,我们需要探讨WO3光电催化材料的催化性能。

WO3具有优异的催化性能,特别是在光催化反应中表现突出。

研究表明,WO3的光催化剂能够产生氧化还原对,并促使废水中的有机物质在光的作用下氧化分解,从而降低废水中有机物的含量。

此外,WO3还可用于其他催化反应中,如电化学催化、化学传感器等领域。

最后,我们需要探究提高WO3光电催化材料催化性能的方法。

WO3的催化活性主要受其晶体结构、表面性质和晶格缺陷等影响。

在研究中发现,WO3晶体表面的羟基(OH-)和氧空位(O2-)是其表面活性位。

而在制备过程中,制备方式和工艺条件等也会对WO3的催化性能产生影响。

因此,通过合理的制备方式和工艺条件来构造WO3的材料形态、晶面去向和表面结构等特性,能够有效地提高其催化性能。

综上所述,WO3光电催化材料具有优异的电子结构和催化性能,具有广泛的应用前景。

同时,在研究中提高其催化性能的方法也越来越多。

相信在不久的将来,WO3光电催化材料将在各种治污领域中发挥出更加重要的作用,为我们创造一个更加美好的生活环境。

金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展

金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展

金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展目录一、内容描述 (2)二、金属氧化物半导体气体传感器概述 (2)1. 传感器基本原理 (4)2. 金属氧化物半导体材料特性 (5)3. 气体传感器应用领域 (6)三、金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究现状 (7)1. 传感器材料改进 (8)(1)材料成分优化 (9)(2)纳米材料应用 (11)(3)复合氧化物材料研究 (12)2. 传感器结构改进 (13)(1)微型化设计 (14)(2)阵列式结构设计 (16)(3)集成化设计 (17)3. 气体检测技术与算法优化 (18)(1)气体识别技术提升 (19)(2)信号处理与算法优化 (20)(3)智能化识别系统研究 (22)四、金属氧化物半导体气体传感器选择性改进实验与分析 (23)1. 实验材料与设备 (24)2. 实验方案设计与实施 (26)3. 实验结果分析 (27)五、金属氧化物半导体气体传感器选择性改进的挑战与展望 (28)1. 面临的主要挑战 (29)2. 发展趋势及前景展望 (30)六、结论 (31)一、内容描述本文档主要介绍了金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展。

文章首先概述了金属氧化物半导体气体传感器的基本概念和原理,接着重点介绍了传感器选择性的重要性及其在实际应用中的挑战。

文章接着详细阐述了为提高传感器选择性所进行的研究和改进措施,包括材料设计、结构设计、工艺优化等方面。

对目前金属氧化物半导体气体传感器在选择性方面的最新进展进行了介绍,并分析了未来可能的研究方向和技术创新点。

文章总结了金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究的成果与不足,指出了实际应用中需要解决的问题和未来的发展趋势。

文档内容全面,旨在为相关领域的研究人员提供有价值的参考信息。

二、金属氧化物半导体气体传感器概述金属氧化物半导体气体传感器是一种基于金属氧化物半导体材料的气体检测装置,其工作原理是利用金属氧化物半导体材料对气体分子的吸附和电导变化来间接测量气体的浓度。

纳米WO3的性质及应用

纳米WO3的性质及应用

纳米WO3的性质及应用摘要:WO3是一种过渡金属半导体,位于元素周期表第 6 周期 VI B 族,带隙约为2.6eV,有着非常丰富的物理化学性能,本文就WO3性质及应用作一个简要的综述,并展望其发展方向。

关键词:WO3,性质,应用1 引言WO3是带隙约为2.6eV的过渡金属半导体,是一种重要的功能材料,因其优越的物理化学性能成为研究的热点。

WO3位于元素周期表第 6 周期 VI B 族,在自然界以钨华或钨赭石矿物态存,在空气和氧气中煅烧钨酸或仲钨酸铵,可以得到三氧化钨。

WO3的结构类似于ReO3的晶体,它的结构单元是钨离子位于八面体的中心,六个氧原子构成一个正八面体的顶点[1]。

退火温度和退火时间以及掺杂都对WO3的晶相有很大的改变。

WO3常见的晶系有单斜晶系,正交晶系,立方晶系和六方晶系。

WO3因其优越的物理化学性能在传感器,光电器件,太阳能电池,光催化等领域都有广泛的应用。

本文在前人研究的基础上就WO3的结构性质及应用作简要的概述。

2 性质及应用WO3的密度为7.2~7.4 g/cm3,沸点1700~2000℃之间,高于800℃时显著升华,三氧化钨不溶于除氢氟酸以外所有的无机酸,但易溶于碱金属氢氧化物的水溶液和碱金属氢氧化物及碳酸盐的溶体中。

水热法制备WO3的过程中很容易带上结晶水而得到WO3.nH2O,对其进行退火就能脱水得到WO3,很多科学家在上个世纪都对带结晶水的WO3进行过研究,发现其与WO3的性质并无不同。

2.1 气敏性能WO3具有很好的气敏性能,是一种很好的气敏材料,利用这一性质,可以制作为气敏传感器。

研究表明,氧化钨基气敏材料能准确检测出H2S,O3,NH3,NO2等,被认为最有前景的气敏材料之一。

WO3纳米材料由于比较面积大,所以具有较强的吸附功能,当它与空气中的H2、NH3接触时,会发生如下反应[2]:A+为H、Na等阳离子,当阳离子注入透明的WO3薄膜时, WO3的颜色由淡黄变为深蓝,AxWO3是含W5+的钨青铜。

WO_3基燃气敏感元件的研制

WO_3基燃气敏感元件的研制

第17卷第3期 湖南工程学院学报 Vo1.17.No .32007年9月 Journalof Hunan I nstitute of Engineering Sep t .2007收稿日期3基金项目湖南省教育厅科研基金资助项目(558)作者简介邓永和(),男,讲师,研究方向气敏智能材料、计算物理学WO 3基燃气敏感元件的研制邓永和1,王冬青1,胡爱钦1,于风梅2(1.湖南工程学院数理系,湖南湘潭411104;2.湖南工程学院数理系应用物理0601班,湖南湘潭411104) 摘 要:在三氧化钨粉体材料中加入4wt %瓷粉,以恒温600℃烧结1h 制成旁热式厚膜可燃性气体敏感元件.采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度的关系,讨论了元件的响应与恢复特性.实验结果显示:WO 3基元件在加热功率为600m W 时能开发成理想的乙醇、丙酮和汽油敏感元件.关键词:气体敏感元件;WO 3基;灵敏度;旁热式中图分类号:TP212.2 文献标识码:A 文章编号:1671-119X (2007)03-0031-030 引 言三氧化钨粉体材料是较早期研究开发的半导体气敏材料之一,先后出现了以三氧化钨为基体,添加贵金属催化剂制作出了还原性气体的气敏元件[1][2],并相继出现了用于检测H 2S [3][4]、NO 2[5][6]、N O x [7]、NH 3[8]等气敏元件.以上的工作比较全面的探讨了WO 3基元件对单一气体的气敏特性,取得了较好的研究成果,而目前对WO 3基元件在某一个相近系列的气体群或混合气体内探讨元件的气敏性能一直很少报道.有一些文献[1][2][4]显示气敏元件在制备过程中,添加剂的不同,会直接影响到材料的气敏特性.近年来,随着人们生活水平和环保意识的加强,人们对气敏元件提出了更高、更广的要求,在以三氧化钨为基体的元件中添加少量其他物质,能很好的改变元件对敏感气体的选择性和提高元件的灵敏度,因此备受国内外学者的关注.目前天然气、煤气等已经被广泛应用到生活与生产中,汽油、酒精等易挥发的可燃性气体也和人们的生活密切相关,研究一种能够迅速准确的检测这些与生活密切相关的可燃性气体的敏感元件是必要的,也能够适用于矿区可燃性气体浓度的检测,有效地避免安全事故的发生.1 试 验1.1 元件材料与制作工艺试验过程中在三氧化钨分析纯中按物质的质量比加入4%的瓷粉经球磨,采用传统的工艺制作成旁热式厚膜气敏元件,放入马弗炉中以恒温600℃烧结1h,放在空气中自然冷却,用金属铂作为电极,普通的自制绕线电阻作为加热电阻.1.2 测试原理图1 测试原理图 测试电路原理图如图1所示,利用元件电阻的变化引起回路中电阻R L 两端电压的变化,用电压表:2007-0-20:0C 7:1974-:.测量R L 两端电压V L ,测量回路电源采用稳定性很强的电压源,其中V H 为加热电压,V C 为测试电路的工作电压,V S 为元件在一定体积分数的被测气体中R L 两端电压,V 0为元件在空气中R L 两端电压,试验采用静态电压法测试.元件的静态电阻值R [1]:R =(V C V L-1)R L ;(1)元件对被测气体的灵敏度β[1]:β=V S V 0;(2)实验过程中,在一定气体浓度中,R L 两端电压变化到在同样的气体组分与浓度中R L 两端稳定电压的70%和90%时所经历的时间为响应时间;元件从被测气体中置于空气中,R L 两端电压变化到空气中稳定R L 两端电压的70%和90%时所经历的时间为恢复时间.2 实验结果与讨论2.1 气敏特性从表1中可以看出,在不同的加热功率下,元件对相同浓度的各种气体的灵敏度不同,且灵敏度峰值所对应的加热功率也不同,反映了元件对不同气体敏感时的工作温度要求是不同的,要使元件对气体的敏感性能最优,要求我们选择一个比较适合的工作温度.表1显示汽油在加热功率增加的过程中,灵敏度一直呈下降趋势,在低加热功率时,具有很高表1 气体的体积分数为10-3,元件的灵敏度β与加热功率的关系气体200m W 300mW 400m W 500m W 600m W 700m W 800m W 汽油52.1343.0229.2619.5913.879.188.24丙酮 2.457.9314.1518.2717.9318.5815.15乙醇2.16 4.248.079.169.648.237.85CH 4 1.05 1.10 1.16 1.20 1.301.35 1.24CO1.131.281.321.191.161.121.10的灵敏度,远远大于其它的气体,表现出很高的气体选择性.主要是因为低温时,汽油分子在元件表面吸附能力较强,随工作温度的增加吸附能力在下降,元件的灵敏度也会下降,对于汽油外的其他被测气体,元件的加热功率增加到一定时,气体与元件表面的吸附反应加强了,故灵敏度在增加.当加热功率大于700mW 时,元件的灵敏度都下降了,主要表现为由于元件温度的升高,元件本身的电阻率增加比较大,元件与气体的吸附反应能力也在减小,由吸附反应引起的电阻率的减小以及由工作温度增加引起的电阻率增加相互抵消一部分,元件的灵敏度下降了对于除汽油外的其它气体元件在加热功率为600mW 时,元件的灵敏度是比较大的,灵敏性能比较好.实验元件在加热功率为600mW 时,元件对被测气体的灵敏度β与气体浓度的关系见表2,元件对丙酮和汽油很敏感,其次是对乙醇,元件对低浓度的丙酮、汽油、乙醇具有很强的检测能力,比较适合开发出性能优越的气体传感器.而元件对C O 、CH 4的敏感性能却不理想.表2 试验元件在加热功率为600mW 时,元件的灵敏度β与气体体积分数的关系气 体气体体积分数(10-6)1002005001000汽油13.8716.6728.3448.13丙酮17.9319.7825.1434.02乙醇9.0410.2513.9720.14CH 41.101.121.201.312.2 响应与恢复特性元件的响应与恢复特性与元件的材料组成、工作温度、气体成分等因素有关,表3给出了元件在加热功率为600m W ,气体体积分数为10-3时元件的响应与恢复时间.响应的速度快慢依次为丙酮、汽油、乙醇,恢复速度的快慢依次为丙酮、乙醇、汽油,可以发现丙酮具有很好的吸附与脱附能力,比较适合于开发快速反应气敏元件.汽油和乙醇的脱附时间比较长.在实验过程中我们发现当加热功率小于450m W 时,元件的响应时间变化显著,加热功率大于450m W 后,响应时间的改善就不大了,而恢复性能则要求更高的加热功率,当加热功率达到800m W 时,元件的恢复时间就没有很大的变化了.因此在开发元件时,选取合适的加热电压和加热电阻,使加热功率在600m W 时,元件的性能比较好.表3 加热功率为600mW ,气体体积分数为10-3时,元件对不同气体的响应与恢复时间气 体响应时间(s )恢复时间(s )变化70%变化90%变化70%变化90%汽油11.522.338.2107.1丙酮8.314.218.555.0乙醇16.532.028.170.02.3 初期驰豫特性在实验中发现,WO 3基元件的电阻对温度的变化有一个滞后,元件的电阻从加热开始要经过一段时间后才会稳定下来,出现了初期驰豫特性通过测量元件在一定温度下稳定的静态电阻和以一定的升温速率达到同一温度的动态电阻的比较,动态电阻23 湖南工程学院学报 2007年..在300℃的温度下升温先下降,当温度高于300℃后升温,动态电阻开始上升,呈现出一定的半导体特性.在不同的加热功率下,元件达到的稳定值不同,需要的时间不同,加热功率越大电阻的极小值越小,达到极小值所需的时间也越短.3 结论(1)WO 3基中加入质量比为4%的瓷粉制作的旁热式气敏元件对丙酮、汽油、乙醇具有很强的敏感性能,对CO 、CH 4几乎不敏感;(2)WO 3基气敏元件的工作温度直接影响元件的灵敏度,对丙酮、汽油、乙醇在加热功率为600mW 时,具有很好的敏感性能和稳定性能;(3)元件对丙酮具有很好的响应与恢复性能,适合开发快速反应的气体敏感系统.参 考 文 献[1] 邓永和,唐世洪,谭子尤,等.掺杂离子对O 3气敏元件的影响[J ].传感器技术,2002,21(4):13-14.[2] 刘金浩,王 豫,董 亮,等.WO 3基功能材料的研究进展[J ].中国钨业,2005,20(5):17-21.[3] 全宝富,孙良彦.WO 3材料对H 2S 气体的敏感特性[J ].传感器世界,1996,2(2):27-30.[4] 黄世震,林 伟.纳米WO 3-ZnS 系H 2S 气体元件的研制[J ].传感器技术,2001,20(1):21-22.[5] 黄世震,林 伟.纳米WO 3材料对NO 2气敏特性的研究[J ].福州大学学报:自然科学版,2001,29(1):25-27.[6] T ongM S,Da G R,W u YD,et al .WO 3thin fil m preparedby PEC VD T echnique and Its Ga s Ensing P ro pe rties to NO 2[J ].Journa l of Ma t e rials Science,2001,36(10):2535-2538.[7] 赖云锋,黄世震,林 伟,等.用纳米WO 3制作NO x 气敏元件[J ].郑州轻工业学院学报(自然科学版),2000,15(4):49-51.[8] 李 玲,潘庆谊,程知萱,等.C NT -WO 3元件的氨敏特性研究[J ].无机材料学报,2006,21(1):151-156.Research on Com bustible Ga s Sen s or of WO 32Ba sedD E N G Yong -he 1,WAN G Dong -qing 1,HU A i -qin 1,Y U Feng -mei(1.Depa rt ment of Ma thematics and Physics,Hunan I nstit ute of Enginee ring,Xi angtan 411104,China;2.Appgied Physi c s 0601,Dept .of Ma ths .and Phy .,Hunan I nstit ute of Enginee ri ng,Xi angtan 411104,Ch i na )Abstrac t:M ixing 4w t%of porce lain powder int o WO 32based and hea ting f or one hour at stable te mperature 600℃,the heating ty pe thick fil m c om bustible gas sensitive sens or is m anuf actured.The r e lati onshi p bet ween thetepef acti on power and the sensitivity of sensors is studied,and the responding and rec ove r y ti me pr operty is a lso discussed ba sed on the steady v oltage m easure m ethod .The r e sults show that the most opti mum WO 32based com 2bustible gases (ethanol,acet one and ga s oline )sensitive sens ors a r e developed w ith 600mW tepefaction power .Key wor ds:gas sensitive sensor ;WO 32based;sensitivity;heating type33第3期 邓永和等:WO 3基燃气敏感元件的研制。

金属氧化物半导体气体传感器改性研究进展

金属氧化物半导体气体传感器改性研究进展

金属氧化物半导体气体传感器改性研究进展1. 本文概述金属氧化物半导体(MOS)气体传感器因其高灵敏度、低成本和易于制造等优点,在环境监测、工业控制和智能家居等领域得到了广泛应用。

传统的MOS气体传感器在实际应用中面临着选择性差、稳定性不足和响应时间长等问题。

为了解决这些问题,研究者们对MOS气体传感器进行了大量的改性研究,以期提高其性能和适用性。

本文旨在综述近年来在MOS气体传感器改性方面的研究进展,包括表面修饰、掺杂、纳米结构设计和功能化等方面的最新成果。

通过对这些改性策略的分析和讨论,本文将为未来MOS气体传感器的研究提供新的思路和方向。

2. 金属氧化物半导体气体传感器的基本原理金属氧化物半导体气体传感器是一类基于金属氧化物半导体材料对特定气体敏感性的气体检测设备。

这类传感器的工作原理主要基于金属氧化物表面的气体吸附和氧化还原反应。

当目标气体分子接触到金属氧化物表面时,会发生吸附作用,导致表面电荷分布的改变。

这种电荷变化会进一步影响半导体的电导率,从而实现对气体浓度的检测。

金属氧化物半导体材料,如SnOZnO、Fe2O3等,通常具有高的表面活性和良好的电子迁移率。

在纯净状态下,这些材料的电导率较低。

当这些材料暴露于目标气体中时,气体分子会与材料表面的氧空位或缺陷态发生反应,导致表面电荷状态的变化。

例如,当金属氧化物表面吸附还原性气体(如HCO等)时,表面氧原子被还原,从而释放出电子,增加了电导率。

相反,当吸附氧化性气体(如ONO2等)时,表面氧原子被氧化,导致电子消耗,电导率降低。

金属氧化物半导体气体传感器的响应特性还受到温度、湿度、气体流速等因素的影响。

在实际应用中,为了提高传感器的选择性和灵敏度,通常需要对金属氧化物半导体材料进行改性处理,如掺杂、表面修饰、纳米结构设计等。

这些改性方法可以优化材料的表面特性,提高其对特定气体的响应性和稳定性。

金属氧化物半导体气体传感器的基本原理是基于气体分子与金属氧化物表面的相互作用,通过监测电导率的变化来实现对气体浓度的检测。

WO3薄膜气敏光学传感特性研究

WO3薄膜气敏光学传感特性研究

C O 1示 值 误 差 士 2 , RP 0 , 配气 时 采用 氮 气 作 为零 气 ,
测试气 体氢 气作 为 标气 。 图 1 示为 掺 P 所 d的 WO。 薄膜 在未 通氢气 时及 通 入浓 度为 0 2 氢 气 时 的透光 率 。 .
开 始 受 到人 们 重 视 , 国、 色 列 以及 美 国等 先 后 对 德 以 WO。 的气致 变色 特性展 开 了研究 [ 7。 5 ]  ̄ 近几 年我们 对 wO。 其 掺 杂 薄 膜 的 制 备 、 构 、 及 结 性质 、 气致 变色 及 气 敏 机理 作 了大 量 研 究 。本 文 主要
温度下 烘干 。
些材 料制作 的气 敏器 件一般 是 根据 其 电阻 与气 体 浓度 的关 系来进 行 气敏 检 测 , 作 气 敏 电阻 型 传 感 器 。该 称 类 传感 器 对 工 作 温 度 有 一 定 要 求 , 般 需 要 加 温 至 一
6 3 以上 , 7K 不适 合在 低温 和不 可加 电 场合 下 使用 。为 了克服 电阻型金 属 氧 化 物 气 敏材 料应 用 的局 限性 , 近 年来 国内外开展 了一些 新材 料 气敏 光学 方法 的研 究 。 三氧 化钨是 一种 良好 的 电阻型 金属 氧 化物 气 敏材 料, 同时也 是一种 理想 的可 控变 色材 料 , 实现 对 可见 能
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雪 孝

20 年第8 3) 07 期( 卷 8
W O3 膜 气 敏 光 学传 感 特 性 研 究 薄
杨 晓 红 , 新 强 , 王 马 勇 冯 庆 ,
( .重庆 大学 数理 学 院 , 庆 4 0 4 1 重 0 0 4;2 .重庆 师范大 学 物理 学 与信息 技 术学 院 , 庆 4 0 4 ) 重 0 0 7 摘 要 : wO 。薄 膜 是 良好 的光 学 气敏 传 感 器材 料 。 采 用溶胶 凝胶 法制 备 了 Wo。 杂薄膜 , 样品在 不 同 掺 对

气体传感器中半导体材料性能的研究和应用

气体传感器中半导体材料性能的研究和应用

气体传感器中半导体材料性能的研究和应用气体传感器是一种非常重要的传感器类型,在很多领域都有广泛的应用。

其中,半导体气体传感器是其中一类性能较为优异的气体传感器。

半导体气体传感器的工作原理是基于半导体材料的电学性质变化来实现对气体浓度的检测。

因此,对于半导体材料本身的性能研究具有很大的重要性,并且也直接决定了半导体气体传感器的应用性能。

一、半导体材料的基本性质半导体是介于导体和绝缘体之间的一种物质。

半导体材料具有一些独特的电学性质,如光电效应、热电效应、半导体正负载流特性、PN结等。

因此,半导体材料广泛应用于电子信息技术中。

半导体材料的基本性质可以分为以下几个方面。

1. 能带结构能带理论是描绘半导体材料电学特性的基本理论。

能带结构分别为导带和价带,其中导带带隙与价带带隙之间存在禁带宽度。

在室温下,半导体的禁带宽度一般在1.1eV-4.08eV之间。

2. 晶体结构半导体材料具有晶体结构,所有晶体结构均是在空间点阵之上所排列出的原子序列。

常用的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。

晶体结构对于半导体材料的电学性质以及气敏性能均有着重要影响。

3. 费米能级费米能级是描述半导体材料中电子运动的基本概念。

费米能级高度将会决定半导体材料在电学特性上表现出导体或绝缘体的性质。

费米能级还决定了半导体材料中载流子浓度的大小。

二、半导体材料在气体传感器中的应用半导体材料在气体传感器中的应用主要是基于气敏机理来实现气体浓度的检测。

气敏机理可以分为两种类型,一种是化学吸附作用,另一种是电学效应。

化学吸附作用主要是通过吸附物对半导体发生表面化学反应,从而形成半导体表面的不均匀性,进而影响电学性质。

这种气敏机理的检测方法主要是基于阈值电压或电流的变化来实现气体浓度的测量。

电学效应主要是通过半导体材料的电学特性变化实现气体浓度的检测。

电学效应的气敏机理可以分为PN结气敏电阻效应、PN结气敏电容效应、MOS气敏电容效应等几种。

在具体的应用领域中,半导体气体传感器有着很广泛的应用。

气敏材料纳米多孔W03制备关键技术研究

气敏材料纳米多孔W03制备关键技术研究

摘要
归纳和总结 了制备 应用于气敏传感 器的纳米 多孔 w(。薄膜 的关键技术 , ) 论述 了降低材料 工作温度和
提 高灵 敏 度 的 多种 途 径 . 析 了其 各 自的 利弊 , 点 介 绍 了溶 胶一 胶 法 制 备 的 原 理 和 方 法 , 结 了其 应 用 于 制 备 传 分 重 凝 总
制备传感 器材料 时所面 临的问题 进行 了总结 , 析 了提 高材 分
物理气相 沉积 法 属 于传 统 的制 膜方 法 , 用较 广 泛 , 应 分 支也 较多 , 主要有 真空蒸 发法 和溅 射沉 积 法 。真 空 蒸发 法根 据其 加热源 的不 同 , 可细 分 为 电 弧加 热 蒸 发 法 、 又 电子 束蒸 发法 、 束加热 法口 等 , 中 电子束 蒸 发 法制 备 的 WO 激光 其 。 薄膜 质量最好 , 仅 纯 度 高 、 粒 分 散性 好 , 不 颗 而且 通 过 改 变 、 控制气 氛压力 和温 度 , 可制 得 颗粒 尺寸 不 同的纳 米 薄 膜 , 因 而发展 得也较 快 , 但是 薄 膜 的 强度 和黏 附 性 较差 , 不适 宜 且 大面积成 膜等 。溅射 沉 积 法 具有 成 膜速 度 快 、 度 高 、 】 纯 密 度大 以及机 械特 性 良好 等 优 点 , 通 过 控 制 气 体 压 力 和 温 可 度 , 得高性 能 W O 薄膜 。溅 射 沉 积 法 又可 细 分 为直 流 溅 制 。 射 、 射频溅射 、 控溅射 、 磁 反应溅 射口 、 。 脉冲溅 射 、 压溅 偏
用该方法 的实 验较 多 , 发 展 了改进 工 艺 。Mau a 并 r yma等口j 3 采用光辅 助 化学 气 相 沉 积 法 ( h t- V 对传 统 的化 学 气 P ooC D) 相 沉积法 进行 了改 进 , 沉 积 过程 中加 入低 压 汞 灯 , 加 了 在 增

三氧化钨的矿气气敏传感器的研究

三氧化钨的矿气气敏传感器的研究

李 巍(福建工程学院,福建 福州 350014)摘 要:以钨丝为原料,用气相法制备纳米WO3气敏材料,以WO3为基材,制备了矿气气敏传感器。

气敏性能测试表明,在2.5V加热电压下,该法制备出的传感器元件对5000ppm的矿气,灵敏度达2.6。

分析后认为制备的材料大小分布呈连续性,晶粒间的体缺陷是增加元件对矿气灵敏度的主要原因。

关键词:矿气 传感器 三氧化钨中图分类号:TN304.21 文献标识码:A 文章编号:1672-4801(2008)04-21-03引言矿气的主要成分是甲烷(CH4),CH4也是天然气、沼气和多种液体燃料的主要成分,是工业领域和日常生活中广泛使用的易燃易爆气体,在大气中爆炸的下限为5.3%。

国家《煤矿安全规程》中规定的CH4传感器的断电浓度更是低到0.5%~1.5%。

及时检测矿气的产生源、泄露源及浓度,对工矿安全运行、人身安全及环境保护有着十分重要的作用。

我国的中小煤矿中,2005年由于瓦斯爆炸造成一次死亡10人以上的事故共68起,死亡2683人。

事故频发引起了国务院以及国家相关各部委的关注,2007年煤矿安全技术改造资金达150亿元[1]。

因此,研制低成本、高灵敏度和良好选择性矿气传感器及相应敏感材料具有广阔市场。

三氧化钨(WO3)是一种宽带隙的n型半导体,卓越的灵敏度和选择性使其成为一种重要的金属氧化物气敏材料。

WO3传感器最早用于检测H2S和H2。

Yamazoe等人于1992年首次报道了WO3烧结物的涂层对极低浓度的NO x具有很好的选择性后,其他的研究者通过向其添加贵金属(Pd、Pt、Au)获得了具有更高的灵敏度和选择性的WO3材料,制备了对NO x更为快速响应的传感器[2]。

但至目前为止,很少有关于WO3材料检测矿气的报道。

薄膜WO3的制备方法主要有:溶胶-凝胶法、磁控溅射法、化学共沉淀法和脉冲电沉积法;粉体WO3的制备主要采用的是易得纳米颗粒的钨酸盐(如钨酸氨)高温分解法[3~4]。

掺杂WO3基材料的研究进展

掺杂WO3基材料的研究进展
() 3SO (:.1:b WO 一 n 21 . : c 酸 化法 制的 WO;d aWO- n 2100) () 3S O (: 1 () O) 3() 离子交换法制的 WO
WO 加 入 Z ( O) , n N 的溶 液 中制 备 了 Z 2掺 杂 的 n+ WO 气敏 材 料 。 研究 发现 , 掺入 z z 能极大 地提 高 n+ 后 元件 对 H' S的灵 敏度 ,当 Z 2 n+ 量 摩 尔 比为 2% 掺杂
T0 具有 适 宜 的离子微 观 结构 、高 的化学 稳 定 i, 性 和机 械 性 能 ,通 过 向 WO 中掺 杂 T 可 显 著 改 善 i 其 稳 定性 , 快 响应 时 间, 加 延长 寿命 等 。魏 少 红等 I 采 用溶 胶 一 凝胶 法 制 备 了 TO一 米粉 体 材 料 。 i WO 纳 发现 Tn 掺杂 可抑 制 晶粒 的生 长 ,提 高粉 体 材 料 i的 +
增 强 其对 气 体 的灵敏 度和 选择 性等 。本 文通 过对 近 年 来 掺 杂 WO 基 材 料 研 究 的 探 讨 ,从 主 族 金 属 掺
杂 、 渡 金 属 掺 杂 、 土 金 属 掺 杂 、 金 属 掺 杂 和 过 稀 非
多 元 杂 5个 方 面 介 绍 了 掺 杂 WO 基 材 料 的 研
器 灵 敏度 来 扩大 可 检 测 的高 N O 的浓 度 范 围 , 究 研 了通过 添 加极 微 量 SO 来 控制 WO 薄 膜 的微 观 结 n
收稿 日期 :0 10 — 0 2 1- 3 3 基金项 目: 重庆市教委科技项 目(J7 84 K000) 作者简介 : 胡亚萍(9 6 )女 , 18 一 , 河南商丘人 , 硕士研究生, 从事功能薄膜的研究; 杨晓g ( 6 —, 陕西临潼人, E1 8 1女, 9 教授, 硕士生导师, 主要从事功能薄膜的研 究。

WO3薄膜的制备及气敏特性研究进展

WO3薄膜的制备及气敏特性研究进展

ZHANG h oa ,YANG a h n Z a to Xio o g,M A n ,M U in u Yo g Ja g o
( c o lo y is& If r t nTeh oo y S h o fPh sc no mai c n lg ,Ch n qn r l iest o o g igNo ma v ri Un y,Ch n qn 0 0 7 o g ig 4 0 4 )

料的尺寸达 到纳 米级 时可 表现 出许多 特殊 效应L2, 信息 功 1]在 ’ 能材料 、 催化 、 性材 料 等领域 应用 广泛 。作 为过 渡金 属氧 化 磁 物, w03 薄膜材料 具有 电致 变色特性 , 在信息存储 器件 、 显示 器
件等[ ] 3 方面具有 广 阔的应 用前 景。纳米 w03 有较 大 的 比 具
6 0 的 范 围 内退 火 l 。X D 测 试 表 明 , 火 温 度 大 于 0℃ h R 退
30 0  ̄ WO 开始 由四方晶系结构向单斜晶 系转 变。真空蒸镀 C时 s 得到的 w03薄膜 结 构 比较 无 序 、 多孔 , 膜 中易 含 水 分 , 且 O. B h kE] o n e 证明此种情况下 的薄 膜化 学计 量可用 w(r・ H2 ” ) y 0
响 ; 对 今后 的发 展 方 向提 出 了 一 些 看 法 。 并
关 键 词
三氧化钨 气敏薄膜 制: P 1. T 221
文献标识码 : A
Re e r h Pr g e s i e a a i n a d Ga nstv t f W O3Th n fl s s a c o r s n Pr p r to n sSe ii iy o i- m i
A b ta t sr c W Osf m id o matma ei1 i i akn fs r tr ,whc a e n wieya p idi lcr c rmim swel s l s a ihh sb e d l p l eeto h o s a l a e n

WO3掺杂NiO的气敏性能研究

WO3掺杂NiO的气敏性能研究

2h即得不 同程度 的掺杂样 品。用 X D测试 分析 各样品的 R
晶形 结 构 。
用 N3。以 NO为 基体 材 料制 作 的气敏 元件 虽 然具 有 响 - ] i 应 复快 , 定性 比较好 等优 点 , 与 N型 半导体 S O, 稳 但 n Z O等气敏材料相 比, i n NO的气体灵敏度较低 , 这主要是 因
( o eeo hmi r n n io me t c n eHe a oma iesy X n in 50 7 C ia C l g fC e s ya dE vrn na S i c , n nN r l vri , ixa g4 30 , hn ) l t l e Un t
Abs r c t a t: Th n no p wd r e a o e Ni O i p e ae b hy oh r l meh r s r p rd y drt e ma t o d,a d i d p d wih W O3 Th n s o e t . e
mi rsr cu e j a ay e y XRD. e g s s n i vt fd p d mae il i d tce . e r s h h w t a h c o t t r S n l z d b u h T a e s ii o o e t r s S ee td T e u s s o h t t e t y a h s n i vt fWO3d p d Ni e sr i hg e h n p r i e s r a d t e s n i vt o e s ii o t y 一 o e O s n o s ih r t a u e N O s n o n h e st i f6% q ai rci n i y u t fa t l y o W O - o e O sb s , ih hg e tsn i v t t 2i 3 . t 5 , h l t s n i vt o H2 s 0 4 a 3 d p d Ni i e t wh c ih s e s ii o C1 s 7 5 a 0 o w i is e s i i t S i 3 . t t y 3 C e t y 2 0 o S h e s rh ss l cii odfee t a e tdf r n e e au e A s e s n o a o n rrs o s 0 C. o te sn o a e e t t t i r n s sa i e e t mp rt r . lo t e s r ss o e p n e vy f g t h h e a d r c v r o H2 . n e o e y t S Ke r s Ni y wo d : O;W0 3;d p n ;g s s n i vt o i g a e st i i y

WO3气敏材料的制备、改性及其性能研究

WO3气敏材料的制备、改性及其性能研究

WO3气敏材料的制备、改性及其性能研究WO3气敏材料的制备、改性及其性能研究概述WO3(Tungsten Trioxide)是一种重要的气敏材料,被广泛应用于气体传感器、光催化和电化学器件等领域。

本文将探讨WO3气敏材料的制备方法、改性措施以及其性能研究进展,旨在深入了解WO3气敏材料的特性和应用前景。

一、WO3气敏材料的制备方法目前,制备WO3气敏材料的方法主要包括物理法、化学法和生物法三种。

1. 物理法:物理法主要采用蒸发法、溅射法和热处理法等。

蒸发法通过升温使WO3在特定条件下蒸发并在冷凝器上沉积成薄膜。

溅射法则利用物理气相沉积的方法,在高真空条件下使WO3靶材蒸发并在基底上形成薄膜。

热处理法是将前驱体在特定温度下进行热分解,得到纳米级WO3材料。

2. 化学法:化学法主要包括溶胶凝胶法、水热法和气相沉积法等。

溶胶凝胶法通过溶胶的凝胶和干燥产生WO3凝胶,再利用焙烧过程将凝胶转变成WO3。

水热法则利用高温高压条件下,通过反应溶液中的化学反应得到WO3纳米颗粒。

气相沉积法通过反应气体中的化学气相在基底上形成WO3。

3. 生物法:生物法是利用生物体或微生物在特定条件下从溶液中还原金属盐,形成WO3纳米颗粒。

这种方法具有环境友好、易操作等特点,受到研究者的广泛关注。

二、WO3气敏材料的改性措施WO3气敏材料的性能可以通过改性手段进行调控和提高。

常见的改性措施主要有复合改性、掺杂改性和结构调控三种。

1. 复合改性:复合改性是将WO3与其他材料复合制备气敏材料。

常用的复合材料包括WO3与碳材料、金属氧化物和二维材料的复合。

复合材料的制备可以通过溶胶凝胶方法、共沉淀法和物理混合等方式进行。

2. 掺杂改性:掺杂改性是在WO3结构中引入其他元素,改变其结构和物性。

常见的掺杂元素包括铟、锡、锑等。

掺杂可以通过溶胶凝胶法、水热法和气相沉积等方法实现。

3. 结构调控:结构调控是通过制备不同形貌和尺寸的WO3气敏材料来改善其性能。

2023年半导体式气体传感器行业市场分析现状

2023年半导体式气体传感器行业市场分析现状

2023年半导体式气体传感器行业市场分析现状半导体式气体传感器是一种基于半导体材料电阻变化原理的气体检测设备。

它具有响应快、体积小、功耗低、成本较低等优势,被广泛应用于环境监测、工业安全、室内空气质量检测等领域。

目前,半导体式气体传感器市场正处于快速发展阶段。

首先,半导体式气体传感器市场正逐渐从传统工业应用扩展到智能家居、汽车、智慧城市等领域。

随着智能家居和智慧城市的快速发展,对气体传感器的需求也日益增加。

例如,智能家居中的室内空气质量检测、燃气检测等需求,都需要使用半导体式气体传感器来实现。

其次,环境污染问题引发了对气体传感器的需求增长。

随着环境污染问题的逐渐加剧,对空气质量、水质等的监测需求也日益增加。

半导体式气体传感器能够快速、准确地检测出环境中的有害气体,因此得到了环保部门和监测机构的广泛应用。

再次,半导体式气体传感器市场竞争激烈,产品更新换代速度快。

随着科技的不断进步,气体传感器技术也在不断创新。

新型材料、新工艺的应用使得气体传感器的性能不断提高,这也使得市场竞争变得更加激烈。

传感器制造商需要不断提升技术实力、降低成本,以获得更大的市场份额。

最后,半导体式气体传感器市场还存在一些挑战。

首先是传感器的可靠性和精度问题。

由于传感器需要在各种环境条件下稳定工作,因此可靠性是一个重要的考量指标。

同时,精度问题也是需要解决的难题。

其次是对新型气体传感器的需求。

随着工业化进程的发展,新型气体传感器市场潜力巨大,但研发周期长、技术难度高,制约了市场的发展。

最后是标准化和市场准入问题。

目前,半导体式气体传感器市场缺乏统一的标准,产品质量和性能差异较大。

同时,市场准入门槛低,导致市场中存在着一些性能不达标的产品。

综上所述,半导体式气体传感器市场目前正处于快速发展阶段。

随着智能家居和智慧城市的发展,环境污染问题的逐渐加剧,气体传感器的需求将进一步增长。

然而,市场竞争激烈,新技术的应用和产品质量的提升依然是面临的挑战。

WO3气敏传感材料及器件的研究进展

WO3气敏传感材料及器件的研究进展

文章编号:1001-9731(2020)12-12065-07WO3气敏传感材料及器件的研究进展*曾吉阳,荣茜,邓细宇,邝鑫雅,字包叶,马艺文,柳清菊(云南大学材料与能源学院,国家光电子能源材料国际联合研究中心,云南省微纳材料与技术重点实验室,昆明650091)摘要:随着人类的发展与社会的进步,人们对身边的环境问题越来越重视,尤其是对有毒有害气体的检测,而金属氧化物气敏传感器就可以解决这一问题㊂金属氧化物半导体气体传感器由于小巧㊁成本低廉㊁使用便捷㊁响应迅速等特点而被广泛的研究与应用㊂三氧化钨(WO3)作为一种典型的n型半导体气敏材料,因其独特的气敏性能在检测各种有毒有害气体方面引起了广泛关注㊂传感材料的结构与形貌㊁暴露晶面㊁氧化物和贵金属的引入对改善材料的气敏性能起着关键性的作用㊂总结了近几年对一维,二维和三维WO3材料的合成㊁界面的调控和对其改性方法㊁气敏性能的研究及相关机理的分析,提出了目前基于WO3的气敏传感器研究过程中存在的问题,并对其未来发展趋势进行了展望㊂关键词:气敏传感器;三氧化钨;纳米结构;气敏性能中图分类号: X502文献标识码:A D O I:10.3969/j.i s s n.1001-9731.2020.12.0100引言随着现代工业的急速发展,天然气㊁煤炭和石油等资源的使用产生了大量的有毒有害气体,不仅对环境造成了巨大的污染,还严重威胁了人类的身体健康,这引起人们的关注[1]㊂而气敏传感器凭借能有效监测环境中的有毒有害气体成为了该领域的研究热点㊂气敏传感器主要分为半导体式㊁固体电解质㊁接触燃烧式㊁电化学式气敏传感器等几类;半导体式气敏传感器又可分为电阻式和非电阻式两大类,电阻式传感器中以金属氧化物半导体气敏传感器应用最广㊂金属氧化物气敏传感器由于具有高灵敏度㊁低成本㊁稳定性好等特点在工农业生产㊁军事工程㊁医疗卫生㊁环境保护和人类生活等领域有着广泛的应用㊂其中,传感材料是核心㊂通常,金属氧化物半导体传感材料主要分为n型半导体材料,例如Z n O[2]㊁T i O[3]2㊁WO[4-5]3㊁I n2O[6]3㊁S n O[7-8]2㊁F e2O3[9-10]等;p型半导体材料如C r2O[11-12]3㊁C o3O[13-14]4㊁M n3O[15]4㊁N i O[16]和C u O[17-18]等㊂WO3作为一种典型的n型半导体金属氧化物,因为独特的光致变色㊁光催化㊁气敏等特性,得到了广泛的研究和应用[19-20]㊂金属氧化物半导体传感器的工作原理是通过被吸附的目标气体分子与气敏材料表面的化学吸附氧之间的反应而引起器件电阻的变化㊂因此,传感材料的形貌和微观结构对传感器的气敏性能有直接影响㊂目前对气敏材料的形貌调控及其相关气敏性能的研究有大量报道㊂本文综述了WO3的合成及其在气敏材料中的应用,概述了WO3气体传感材料的结构和基本机理,重点介绍了水热法㊁溶胶-凝胶法㊁静电纺丝法㊁离子溅射法等方法对WO3从0D到3D纳米结构形貌控制的研究和进展,分析了提高气敏性能的改进方法,并归纳了WO3气体传感材料目前存在的问题,对其未来发展趋势进行了展望㊂1 WO3晶体结构以及气敏机理WO3的能带间隙在2.6~3.2e V之间,理想的WO3晶体是一种类似于钙钛矿(R e O3)的晶体结构,在不同的温度条件下,WO3的晶体结构会呈现不同的晶型,如三斜晶系-δWO3㊁正交WO3㊁四方结构WO3㊁六方WO3㊁单斜晶系α-WO3和γ-WO3[21]㊂金属氧化物半导体气敏传感器的工作原理涉及了表面界面㊁气体吸附㊁催化㊁缺陷理论等多个方面,至今还没有一个完全统一的理论模型㊂对于WO3,吸附-脱附模型是大多数人接受的气敏机理模型,当传感材料暴露在空气中时,氧分子被化学吸附在WO3表面上,从导带中吸引电子而产生电子耗尽层,在一定温度下,吸附的氧可以进一步演化成活性氧离子,例如O2-㊁O-和O[22]2-,与目标气体分子反应从而引起材料的电信号变化㊂同时也发现电荷载流子受目标气体的浓度影响,例如,还原反应可以发生在还原气体和这些氧物种之间,导致被捕获的电子释放,见图1㊂作为广泛使用的定义,传感器响应S被定义为空气中传感器电阻(R a)与目标气体中传感器电阻56021曾吉阳等:WO3气敏传感材料及器件的研究进展*基金项目:国家自然科学基金资助项目(51562038),云南省自然科学基金重点资助项目(2018F Y001-011)收到初稿日期:2020-07-01收到修改稿日期:2020-10-09通讯作者:柳清菊,E-m a i l:q j l i u@y n u.e d u.c n 作者简介:曾吉阳(1995 ),男,重庆荣昌人,在读硕士,师承柳清菊教授,从事气敏材料与器件的研究㊂(R g )的比值(R a /R g )㊂有时,响应S 被定义为相对电阻变化,即S =(R a -R g )/R g ㊂响应和恢复时间为传感器在吸附和解吸过程中完成总电阻变化的90%所需的时间㊂此外,其他参数如最佳工作温度(T )㊁选择性㊁检测极限㊁重复性和长期稳定性对于综合评估传感特性也很重要㊂图1 O 2和H 2S 分子在I n 2O 3@WO 3纳米层系结构界面的吸附和反应过程示意图[23]F i g 1As c h e m a t i cd e m o n s t r a t i o no f t h ea d s o r pt i o n a n d r e a c t i o n p r o c e s s o fO 2a n dH 2Sm o l e c u l e s a tt h ei n t e r f a c eo ft h e h i e r a r c h i c a lI n 2O 3@WO 3na n o s t r u c t u r e [23]由上述机理可知,金属氧化物气敏传感器的传感性能与其表面的氧空位有直接关系,形成氧空位越多,表面吸附氧物种越多,气敏性能越高㊂而晶面上原子的不同排列方式和悬挂键数量是不同晶面氧空位形成差异的关键㊂近年来,许多研究证实了在具有高能量暴露面的可控形貌显示出很好的传感性能㊂H a n [24]和他的同事报道过使用酒石酸来调节水热法合成的三羧酸WO 3纳米薄片中(001)㊁(100)和(010)的比例,研究表明暴露较多(010)面的样品对1-丁胺表现出更好的气敏特性㊂J i a 等[25]采用水热法合成暴露(100)和(002)晶面的WO 3纳米棒,结果表明,暴露(002)晶面的WO 3对丙酮的气敏性能比暴露(100)晶面的更好㊂T i a n 等[26]以末端为WO 的六角状WO 3的(001)面为基准,揭示了氧密度主导的气敏机理㊂研究发现,高氧密度有利于WO 3对CO 和H 2等还原气体的气敏性能㊂因此,晶面原子的不同排列方式对材料表面氧空位的形成产生影响,从而影响气敏性能㊂2 WO 3气敏传感器的研究进展2.1 零维结构WO 3气敏材料零维结构的材料主要为纳米球㊁纳米颗粒和量子点㊂关于WO 3纳米粒子气敏传感的报道并不是很多,虽然颗粒纳米化后的比表面积有所提高,但是不足的是纳米化后造成的大的界面阻碍了电子迁移,因此经常气敏性能不理想[27]㊂然而通过掺杂或者贵金属改性,可以提高其气敏性能㊂利用贵金属对WO 3进行改性,主要是利用贵金属的敏化及催化作用,敏化包括化学敏化和电子敏化㊂化学敏化主要是将氧分子解离成化学吸附氧,通过之前气敏机理分析可知,化学吸附氧数量的增加将会提高材料的气敏性能㊂电子敏化主要是让贵金属和金属氧化物之间形成肖特基接触,提高电子的移动速率,进而提高材料的气敏性能㊂催化则是催化分子氧的离解,以促进氧分子转化为WO 3表面上的活性氧物种㊂同时贵金属与WO 3表面发生相互作用,导致WO 3费米能级的变化,也有利于气敏性能的提高㊂L i 等[28]通过简单的水热合成法向WO 3纳米颗粒中掺杂入A u 原子,提高了WO 3纳米颗粒对二甲苯气体的响应,在225ħ的工作温度下有效检测浓度为5ˑ10-6,响应值为26.5,检测极限能到200p pb ㊂A u 的掺入催化分子氧的解离,使化学吸附氧的数量增加,并且可以降低二甲苯脱氢的活化能,使其更容易分解,导致更高的响应值㊂L i 等[29]采用了硫酸酸化N a 2WO 4制备了WO 3纳米粒子,并利用基于电子吸附机理的改性浸渍法对纳米粒子表面进行了R u 催化改性,得到了平均粒径为28n m 的R u 负载的WO 3纳米颗粒,对人体呼出气体中的丙酮进行检测,在300ħ下检测到1.5ˑ10-6浓度的丙酮气体,响应值为6.8,是纯的WO 3纳米颗粒的5倍,气敏性能得到了显著提高,这是由于R u 负载在WO 3表面是氧化态,产生电子敏化效应,提高电子转移速率㊂2.2 一维结构WO 3气敏材料在各种WO 3纳米结构中,一维WO 3结构例如纳米棒㊁空纳米管㊁多孔纳米线和纳米纤维因具有较高的比表面积,同时保持良好的化学和热稳定性,这使其电学性质对表面化学吸附非常敏感,使得有效面积和活性位点比其他结构高,已被证明可有效提高气敏性能㊂Q i n 等[30]通过溶剂热法合成了具有准取向的W 18O 49纳米线,在450ħ的退火温度下所得到的产物结构高度疏松,交联孔使气体的扩散更加容易,制成的气敏传感器对N O 2气体展现出高的灵敏度和较快的响应速度㊂单纯的WO 3无法满足较高的气敏要求,通过掺杂其他金属氧化物构建半导体异质结可以有效提高材料的气敏性能㊂WO 3为n 型半导体,通过掺杂p 型半导体或者n 型半导体,可以构成p -n 异质结[31]或者n -n异质结[32],促进电子迁移,提高气敏性能㊂S e u n g b o k C h o i 等[33]通过在氧化气氛中热蒸发WO 3粉末,合成了由C r 2O 3纳米颗粒修饰的一维WO 3纳米棒,形成了C r 2O 3-WO 3的p -n 结,对2ˑ10-4乙醇气体的响应值为5.58,是纯的WO 3纳米棒的4.4倍,C r 2O 3进入WO 3的晶格中,形成晶格缺陷,增加乙醇气体的附着点,导致气敏性能的提高㊂Q i n 等[34]通过诱导溅射法制备了一种高度有序排列的C u O -WO 3核壳结构的纳米棒状材料,使工作温度降至室温,并且对N O 2有着660212020年第12期(51)卷良好的响应与选择性,这些结果与核-壳界面异质结势垒和导电载流子积累通道的独特排列有关如图2所示㊂F e n g等[35]则采用P t@M I L-101和静电纺丝技术设计了P t-C r2O3-W O3复合纳米纤维,P t纳米颗粒的尺寸为3n m,对二甲苯表现出优异的响应,对5ˑ10-6二甲苯的响应值为75.3㊂增强的气敏性能归因于C r2O3-W O3异质结㊁C r2O3的催化活性㊁多孔结构㊁P t纳米粒子的电子和化学敏化㊂多孔纳米棒和纳米管等分级结构在气敏领域的应用也受到了广泛关注㊂W o n-T a e K o o等[36]采用逐层自组装的方法,在聚合纳米纤维模板上采用静电纺丝方法制备了多孔W O3纳米管,在高湿度(90%)的环境下,纯的WO3纳米管对5ˑ10-6N O的响应值为63.59,这是因为高湿度大气中的水分子分解成羟基,并将电子传递给W O3㊂D i n g等[37]则以棉纤维作为模板,通过简单的渗透和煅烧工艺合成了新型掺杂碳的W O3微管,碳的引入将W O3的带隙从2.45e V降到了2.12e V,W O3纳米管是由约40n m的纳米粒子组成,其内部存在大量的中空和大孔,使其拥有更大的比表面积,在90ħ的工作温度下对0.5ˑ10-6的甲苯响应值为40,检测极限为50p p b㊂S u n g h o o nP a r k等[38]则使用热蒸发技术合成了W O3纳米棒,并用离子溅射方法在W O3纳米棒表面负载了P t颗粒,P t颗粒负载使含氧物质的溢出㊁气体化学吸附和解离增强,改善了W O3纳米材料对C O和N O2气体的响应㊂图2 W18O49/C u O核壳纳米棒阵列气敏机理示意图:(a)N O2吸附示意图;(b)能带平衡前图;(c)能带平衡后图[34]F i g2S c h e m a t i c i l l u s t r a t i o no f t h e g a s-s e n s i n g m e c h a n i s mf o r t h eW18O49/C u Oc o r e-s h e l l n a n o r o d s a r r a y:(a)N O2a d s o r p t i o nd i a g r a m;(b,c)e n g e r y b a n dd i a g r a m so f t h e W18O49/C u Oc o r e-s h e l l n a n o r o d sb e f o r ea n d a f t e r e q u i l ib r i u m[34]2.3二维结构WO3气敏材料典型的二维WO3结构如薄膜㊁纳米片或纳米板,由于其高的比表面积㊁表面活性㊁表面极化和丰富的氧空位等而使其具有良好的气敏性能㊂S.S.S h e n d a g e 等[39]使用水热法合成了WO3薄膜材料,薄膜厚为90 ~150n m,在100ħ的工作温度下,对5ˑ10-6的N O2气体的响应为10㊂A b d e l h a m i dB o u d i b a等[40]使用水热法在180ħ的环境下反应48h合成WO3纳米板,在200~300ħ的工作温度与高湿度(50%)的环境下对S O2气体有着良好的响应,最低检测浓度为1ˑ10-6㊂T a n等[41]在陶瓷衬底上采用电子束蒸发沉积WO3薄膜,然后通过原子层沉积(A L D)在WO3薄膜表面沉积R h纳米颗粒㊂当R h的A L D沉积周期为20时,样品表现出最好的选择性,与纯的WO3相比,选择性提高了约110%,在350ħ的工作温度下,对5ˑ10-6的C H4有着63.1的响应值,且最低检测浓度为0.1ˑ10-6,这可能是由于R h纳米粒子的表面催化作用㊂T a r oU e d a等[5]通过硝酸酸化钨酸钠制备WO3薄膜,再将R u掺入WO3中,R u的加入不仅使WO3对甲硫醇的最佳工作温度从175ħ降至125ħ,还提高了其对甲硫醇的催化活性,可以将甲硫醇降解为C O2,S O2和H2O㊂L i等[23]在WO3纳米片表面进行插入和拓扑化学转化,通过微波辅助在WO3纳米片上合成了分级I n2O3纳米复合材料(I n2O3@WO3),尺寸范围为12~20n m的I n2O3纳米粒子均匀固定在WO3纳米片的表面上,I n2O3@WO3样品在150ħ下对1ˑ10-576021曾吉阳等:WO3气敏传感材料及器件的研究进展H2S的响应高达143,是WO3纳米片的4倍,是纯I n2O3纳米晶体的13倍㊂石墨烯是一种新型二维材料,它由碳原子以s p2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格,自发现以来,因其优异的力学㊁电学㊁光学等特性,在众多科研领域得到应用㊂石墨烯具有热稳定性好㊁比表面大的特点,表面丰富的缺陷以及官能团可提供大量的化学活性位点,此外,较大的比表面积有利于WO3等其他传感材料分布均匀,通过协调效应增强传感性能㊂石墨烯与WO3复合,可以有效提高WO3的气敏性能㊂N o v i k o v等[42]合成了基于外延石墨烯的气体传感器并对其进行了优化,并通过进一步的退火显著改善了气敏性能,对N O2气体的响应比未退火石墨烯传感器的响应值高十倍,并且检测下限为0.6p p b㊂性能的提高是由于制备的氧化石墨烯-WO3复合纳米纤维具有特殊的多孔结构,并且氧化石墨烯纳米片与WO3纳米颗粒之间形成欧姆接触,有效改善了材料的比表面积和气体吸附能力㊂近些年石墨氮化碳(g-C3N4)因其优异的性能以及大的比表面积,吸引了众多关注㊂S.V i j a y a k u m a r 等[43]采用微波辐射制备了WO3-石墨氮化碳复合材料,WO3纳米颗粒分散于g-C3N4表面,制备成聚甲基丙烯酸甲酯光纤包层的光纤气体传感器,对乙醇有较好的选择性和灵敏度㊂2.4三维结构WO3气敏材料三维WO3是由纳米粒子㊁纳米片形成分级结构,典型的形状有微球㊁纳米花状㊁海胆状结构㊁介孔结构等不规则结构㊂由于独特的形貌结构,因此具有较大的比表面积㊁丰富的孔隙率,使其对各种气体有较高的气敏性能㊂因此,与其他维度的WO3传感材料相比, 3D分级多孔结构被认为是更有发展潜力的气体传感材料㊂W a n g等[44]通过钨酸钠酸化方法合成了由多个不规则的纳米片组成的纳米花状结构,由这些层片结构组成的传感器在90ħ条件下检测N O2气体,气体浓度为2p p b时,灵敏度达到12.8㊂J i e等[45]通过溶胶凝胶法地制备了石墨烯包覆的WO3纳米球状结构,通过测试气敏性能发现,G R包裹的WO3纳米微球复合材料表现出p型气体敏感行为,并且G R-WO3传感器对N O2气体的响应在室温条件下,随着气体浓度的增加而线性增加㊂Z h a o等[46]合成了大孔径(13n m)㊁高比表面积(128m2/g)的具有面心立方(F C C)有序介孔结构的WO3/P t纳米复合材料,如图3所示㊂尺寸为4n m的铂纳米颗粒均匀分布在孔中,通过化学和电子手段使WO3基质敏化以用于C O检测㊂图3 P E O-b-P S模板合成有序中孔WO3/P t过程[46]F i g3T h e s y n t h e s i s p r o c e s s o f o r d e r e dm e s o p o r o u sWO3/P tw i t hP E O-b-P S t e m p l a t e[46]模板法是利用已有的内在特征来调控所需纳米材料的形貌㊂根据模板的类型,可以得到空心球㊁空心六棱柱和介孔等不同形貌的WO3㊂碳球作为模板被广泛用于制备高质量的WO3空心球气敏材料,根据模板的形成分为两步法[47]和一步法[48]㊂此外,有团队还利用莲花花粉等生物模板制备了具有高孔双壳结构的WO3微球,完美地继承了模板的结构特征㊂在200ħ条件下,WO3微球对1ˑ10-4N O的灵敏度为46.2,响应和恢复时间分别为62和223s[49]㊂W u等[50]使用硅基作为硬模板合成了介孔P d负载的氢气传感器㊂P d的加入提高了WO3对H2的响应值和缩短了响应与恢复时间㊂Z h u等[51]合成了一种WO3-Z n O中空纳米球状的混合物,由42n m的颗粒组合而成,对丙酮气体有良好的选择性和响应值㊂柔性气体传感因在可穿戴和便携式电子产品㊁射频识别标签和监测易腐货物的智能包装中的潜在应用,引起了科学界的高度兴趣[52]㊂而聚吡咯(P P y)㊁聚苯胺(P A N I)和聚噻吩(P T h)等导电聚合物具有优异电学和力学性能㊂WO3通常与导电聚合物复合制备传感膜,在柔性器件和室温检测方面具有突出优势㊂860212020年第12期(51)卷H u a n g等[53]在柔性基板上使用电子印刷技术制备了WO3-P E D O T/P P SN O2气体传感器,与纯WO3传感器相比,传感性能的增强得益于P E D O T:P S S提供的导电通道㊁WO3-P E D O T:P S S界面上的形成的异质结㊂L i等[54]采用简易的原位化学氧化聚合方法合成了花状WO3纳米复合材料,并将其负载在柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(P A N I)基底上,制备了室温下工作的N H3传感器,与纯聚苯胺有机气敏传感器相比较,对N H3的响应值高6倍㊂H e等[31]通过两步水热合成法制作了表面由C u O修饰的WO3纳米花状的气敏传感器,在80ħ的工作温度下对H2S有着良好的响应㊂S u n等[55]在柔性P E T衬底上制备了用于智能三乙胺(T E A)传感器的P P y@WO3杂化物,在室温下对T E A具有高的灵敏度㊁良好的选择性,归因于WO3和P P y间的互补效应和界面形成了p-n异质结㊂3结语重点介绍了WO3气敏传感材料的研究现状及进展,综述了不同维度㊁不同尺寸㊁不同形貌的WO3气敏传感材料,以及贵金属和氧化物对其界面的修饰和改性㊂零维WO3纳米材料的比表面积与活性位点相对其他维度的更低,制备过程中更容易团聚,使颗粒粗化;一维WO3如纳米线㊁纳米棒等则具有较高的比表面积,使得有效面积和有效活性位点比其他结构高,使得有效活性位点比其他结构高,同时保持良好的化学和热稳定性,使其电学性质对表面化学吸附非常敏感;二维WO3如纳米片㊁纳米薄膜等则拥有可调制的表面活性㊁表面极化和富氧空位等特性,能够提供更多的吸附位点;三维WO3具有高的孔隙率,各种独特的形貌,如核-壳结构㊁介孔分级结构等,为氧离子和吸附气体能够提供更多的通道与孔洞㊂虽然WO3气敏材料性能的研究取得了一定的成果,但是还存在以下不足:对目标气体的选择性㊁灵敏度㊁稳定性不理想;工作温度一般在25~400ħ之间,高的工作温度既不利于传感器的长期稳定性,也增加了使用能耗㊂由于这些不足,影响了WO3气敏传感材料的发展,后续研发重点及发展趋势如下:(1)进一步从材料结构㊁能带结构㊁导电性能等方面对WO3气敏传感材料进行调控,有效降低工作温度,提高对目标气体的灵敏度和选择性㊂(2)抗湿性是目前WO3气敏传感材料在实际应用中的首要工作,高湿度环境下的气敏检测越发的重要,研制出能在潮湿的环境下具有高灵敏度㊁高选择性和高稳定性的WO3材料是一个重要的方向㊂(3)WO3气敏传感材料气敏性能变化的原因还需要从微观角度进一步分析㊂在对实验结果进行合理解释的基础上,依据材料固有性质及特殊的表面性质建立物理模型,深入分析并阐明其气敏机理㊂参考文献:[1] Z h a n g J,L i uX H,N e r i G,e t a l.N a n o s t r u c t u r e dm a t e r i-a l s f o r r o o m-t e m p e r a t u r e g a s s e n s o r s[J].A d v a n c e d M a-t e r i a l s,2016,28(5):795-831.[2] B h a t iVS,H o j a m b e r d i e v M,K u m a rM.E n h a n c e ds e n 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d g r a p h e n e(r G O)n a n o s h e e t sf o rh i g hs e l e c t i v i t y e t h a n o l g a ss e n-s o r s[J].A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2019,479:601-607.[14] Z h a n g X,W a n g J,X u a nL,e t a l.N o v e lC o3O4n a n o-c r y s t a l l i n e c h a i nm a t e r i a l a s ah i g h p e r f o r m a n c e g a s s e n-s o ra tr o o m t e m p e r a t u r e[J].J o u r n a lo f A l l o y sa n d96021曾吉阳等:WO3气敏传感材料及器件的研究进展C o m p o u n d s,2018,768:190-197.[15]H u Y,L iL,Z h a n g L C,e ta l.D i e l e c t r i cb a r r i e rd i s-c h a r g e p l a s m a-a s s i s t ed f a b r i c a t i o n o f g-C3N4-M n3O4c o m p o s i t ef o rh i g h-p e r f o r m a n c ec a t a l u m i n e s c e n c e H2Sg a ss e n s o r[J].S e n s o r sa n d A c t u a t o r s B:C h e m i c a l,2017,239:1177-1184.[16] N a k a t eU T,A h m a dR,P a t i lP,e t a l.U l t r a t h i nN i On a n o s h e e t sf o rh i g h p e r f o r m a n c e h y d r o g e n g a ss e n s o rd e v i c e[J].A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2020,506:144971(1-8).[17] M o l a v i R,S h e i k h iM H.F a c i l ew e t c h e m i c a l s y n t h e s i s o fA l d o p e dC u On a n o l e a v e s f o r c a r b o n m o n o x i d e g a s s e n-s o r a p p l i c a t i o n s[J].M a t e r i a l sS c i e n c e i nS e m i c o n d u c t o rP r o c e s s i n g,2020,106:104767(1-9).[18] Z h a n g H,L iH R,C a iL N,e t a l.P e r f o r m a n c e so f I n-d o pe dC u O-b a s e dh e t e r o j u n c t i o n g a s s e n s o r[J].J o u r n a lo fM a t e r i a l sS c i e n c e-M a t e r i a l s i nE l e c t r o n i c s,2020,31:910-919.[19] K i mJS,Y o o nJ W,H o n g YJ,e t a l.H i g h l y s e n s i t i v ea n ds e l e c t i v e d e t e c t i o n o f p p b-l e v e l N O2u s i n g m u l t i-s h e l l e d WO3y o l k-s h e l l s p h e r e s[J].S e n s o r s a n dA c t u a-t o r sB:C h e m i c a l,2016,229:561-569. [20] K r a s n o d e b s k a-O s t r e g aB,B i e l e c k aA,B i a d u nE,e t a l.M e s o p o r o u s f i l mo fWO3-t h e"s u n l i g h t"a s s i s t e dd e c o m-p o s i t i o no f s u r f a c t a n t i nw a s t e w a t e r f o r v o l t a mm e t r i c d e-t e r m i n a t i o no fP b[J].A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2016,388:746-752.[21] W o o d w a r dP M,S l e i g h tA W,V o g t T.S t r u c t u r e r e f i n e-m e n t o f t r i c l i n i c t u n g s t e n t r i o x i d e[J].J o u r n a l o f P h y s i c sa n dC h e m i s t r y o f S o l i d s,1995,56(10):1305-1315.[22] D a sS,J a y a r a m a nV.S n O2:a c o m p r e h e n s i v e r e v i e wo ns t r u c t u r e sa n d g a ss e n s o r s[J].P r o g r e s si n M a t e r i a l sS c i e n c e,2014,66:112-255.[23]Y i n L,C h e n D,H u M,e ta l.M i c r o w a v e-a s s i s t e dg r o w t ho f I n2O3n a n o p a r t i c l e s o nWO3n a n o p l a t e s t o i m-p r o v eH2S-s e n s i n g p e r f o r m a n c e[J].J o u r n a l o fM a t e r i a l sC h e m i s t r y A,2014,2(44):18867-18874.[24] H a nX,H a nX,L iL,e t a l.C o n t r o l l i n g t h em o r p h o l o-g i e s o fWO3p a r t i c l e s a n d t u n i n g t h e g a s s e n s i n gp r o p e r-t i e s[J].N e w J o u r n a lo fC h e m i s t r y,2012,36(11):2205-2208.[25]J i aQ,J iH,W a n g D,e t a l.E x p o s e d f a c e t s i n d u c e de n-h a n c e da c e t o n es e l e c t i v es e n s i n gp r o p e r t y o fn a n o s t r u c-t u r e d t u n g s t e n o x i d e[J].J o u r n a l o fM a t e r i a l sC h e m i s t r yA,2014,2(33):13602-13611.[26] T i a nF H,G o n g C,W uR,e t a l.O x y g e nd e n s i t y d o m i-n a t e d g a ss e n s i n g m e c h a n i s m o r i g i n a t e df r o m C O a d-s o r p t i o no n t h e h e x a g o n a lWO3(001)s u r f a c e[J].M a t e-r i a l sT o d a y C h e m i s t r y,2018,9:28-33. [27] A k a m a t s uT,I t o hT,I z uN,e t a l.N Oa n dN O2s e n s i n gp r o p e r t i e so f WO3a n d C o3O4b a s e d g a ss e n s o r s[J].S e n s o r s,2013,13(9):12467-12481.[28] L i F,G u oS,S h e nJ,e t a l.X y l e n e g a s s e n s o rb a s e do nA u-l o a d e dWO3㊃H2On a n o c u b e sw i t h e n h a n c e d s e n s i n gp e r f o r m a n c e[J].S e n s o r sa n d A c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2017,238:364-373.[29] L iY,H u aZ,W uY,e t a l.M o d i f i e d i m p r e g n a t i o ns y n-t h e s i s o fR u-l o a d e d WO3n a n o p a r t i c l e s f o r a c e t o n e s e n s-i n g[J].S e n s o r s a n dA c t u a t o r s B:C h e m i c a l,2018,265:249-256.[30] Q i nY,S h e n W,L iX,e t a l.E f f e c t o f a n n e a l i n g o nm i-c r o s t r u c t u r e a n dN O2-s e n s i n gp r o p e r t i e s o f t u n g s t e no x-i d en a n o w i r e ss y n t h e s i z e db y s o l v o t h e r m a lm e t h o d[J].S e n s o r sa n d A c t u a t o r s B:C h e m i c a l,2011,155(2):646-652.[31] H eM,X i eL,Z h a oX,e t a l.H i g h l y s e n s i t i v e a n d s e l e c-t i v e H2S g a ss e n s o r sb a s e d o nf l o w e r-l i k e WO3/C u Oc o m p o s i t e s o p e r a t i n g a tl o w/r o o m t e m p e r a t u r e[J].J o u r n a l o fA l l o y s a n dC o m p o u n d s,2019,788:36-43.[32] N a m B,K oTK,H y u nSK,e t a l.S e n s i t i v i t i e s o f a6:4(b y m o l a r r a t i o)Z n O/WO3c o m p o s i t en a n o p a r t i c l e s e n-s o r t o r e d u c i n g a n do x i d i z i n gg a s e s[J].A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2020,504:144104(1-10).[33] C h o i S,B o n y a n iM,S u nGJ,e t a l.C r2O3n a n o p a r t i c l e-f u n c t i o n a l i z e dWO3n a n o r o d s f o r e t h a n o lg a s s e n s o r s[J].A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2018,432:241-249.[34] Q i nY,Z h a n g X,L i uY,e t a l.H i g h l y a l i g n e da r r a y o fW18O49/C u Oc o r e-s h e l l n a n o r o d s a n d i t s p r o m i s i n g N O2s e n s i n gp r o p e r t i e s[J].J o u r n a lo f A l l o y s a n d C o m-p o u n d s,2016,673:364-371.[35] F e n g C,J i a n g Z,W u J,e t a l.P t-C r2O3-WO3c o m p o s i t en a n o f i b e r s a s g a s s e n s o r s f o r u l t r a-h i g hs e n s i t i v e a n d s e-l e c t i v ex y l e n ed e t e c t i o n[J].S e n s o r sa n d A c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2019,300:127008(1-8).[36] K o o W T,C h o i S J,K i m N H,e t a l.C a t a l y s t-d e c o r a t e dh o l l o w WO3n a n o t u b e su s i n g l a y e r-b y-l a y e rs e l f-a s s e m-b l y o n p o l y m e r i cn a n o f i b e r t e m p l a t e sa n dt h e i ra p p l ic a-t i o n i ne x h a l e db r e a t h s e n s o r[J].S e n s o r s a n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2016,223:301-310.[37] D i n g X,Z e n g D,Z h a n g S,e t a l.C-d o p e d WO3m i c r o-t u b e s a s s e m b l e d b y n a n o p a r t i c l e sw i t hu l t r a h i g h s e n s i t i v-i t y t o t o l u e n e a t l o wo p e r a t i n g t e m p e r a t u r e[J].S e n s o r sa n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2011,155(1):86-92.[38] P a r kS,K i m H,J i nC,e t a l.E n h a n c e dC O g a s s e n s i n gp r o p e r t i e s o fP t-f u n c t i o n a l i z e d WO3n a n o r o d s[J].T h e r-m o c h i m i c aA c t a,2012,542:69-73.[39] S h e n d a g e SS,P a t i l VL,V a n a l a k a r SA,e t a l.S e n s i t i v ea n d s e l e c t i v eN O2g a ss e n s o rb a s e do n WO3n a n o p l a t e s[J].S e n s o r sa n d A c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2017,240:426-433.[40] B o u d i b aA,Z h a n g C,B i t t e n c o u r tC,e t a l.S O2g a s s e n-s o r sb a s e do n WO3n a n o s t r u c t u r e s w i t hd i f f e r e n t m o r-p h o l o g i e s[J].P r o c e d i a E n g i n e e r i n g,2012,47:1033-1036.[41] T a nY,L e iY.A t o m i c l a y e r d e p o s i t i o no fR hn a n o p a r t i-c l e so n WO3t h i nf i l m f o r C H4g a ss e n s i n g w i t he n-h a n c e dd e t e c t i o nc h a r a c t e r i s t i c s[J].C e r a m i c sI n t e r n a-t i o n a l,2020,46(7):9936-9942070212020年第12期(51)卷[42] P e a r c eR ,I a k i m o vT ,A n d e r s s o n M ,e t a l .E p i t a x i a l l yg r o w n g r a ph e n e b a s e d g a ss e n s o r sf o r u l t r as e n s i t i v e N O 2d e t e c t i o n [J ].S e n s o r s a n dA c t u a t o r sB :C h e m i c a l,2011,155(2):451-455.[43] V i j a y a k u m a r S ,V a d i v e l S .F i b e r o p t i c e t h a n o l ga s s e n s o rb a s e d WO 3a n d WO 3/g C 3N 4n a n oc o m p o s i t e sb y an o v e l m i c r o w a v e t e c h n i q u e [J ].O p t i c s &L a s e rT e c h n o l o g y,2019,118:44-51.[44] W a n g C ,S u n R ,L iX ,e ta l .H i e r a r c h i c a l f l o w e r -l i k e WO 3n a n o s t r u c t u r e s a n d t h e i r g a s s e n s i n g p r o p e r t i e s [J ].S e n s o r sa n d A c t u a t o r sB :C h e m i c a l ,2014,204:224-230.[45] J i eX ,Z e n g D ,Z h a n g J ,e t a l .G r a p h e n e -w r a p pe d WO 3n a n o s p h e r e s w i t h r o o m -t e m p e r a t u r e N O 2s e n s i n g i n -d u c e db y i n t e rf a c e c h a r ge t r a n sf e r [J ].S e n s o r sa n dA c -t u a t o r sB :C h e m i c a l ,2015,220:201-209.[46] M a J ,R e nY ,Z h o uX ,e t a l .P t n a n o pa r t i c l e s s e n s i t i z e d o r d e r e d m e s o p o r o u s WO 3se m i c o n d u c t o r :g a ss e n s i n g p e rf o r m a n c e a n dm e c h a n i s ms t u d y [J ].A d v a n c e dF u n c -t i o n a lM a t e r i a l s ,2017,28(6):1705268.[47] Z e n g W ,D o n g C ,M i a oB ,e t a l .P r e p a r a t i o n ,c h a r a c t e r -i z a t i o n a n d g a ss e n s i n gp r o p e r t i e so f s u b -m i c r o n p o r o u s WO 3s p h e r e s [J ].M a t e r i a l sL e t t e r s ,2014,117:41-44.[48] L e eCY ,K i mSJ ,H w a n g I S ,e t a l .G l u c o s e -m e d i a t e d h y d r o t h e r m a l s y n t h e s i s a n d g a s s e n s i n g ch a r a c t e r i s t i c s o f WO 3ho l l o w m i c r o s p h e r e s [J ].S e n s o r sa n d A c t u a t o r s B :C h e m i c a l ,2009,142(1):236-242.[49] W a n g XX ,T i a nK ,L iH Y ,e t a l .B i o -t e m pl a t e d f a b r i -c a t i o no fh i e r a r c h i c a l l yp o r o u s WO 3m i c r o s ph e r e sf r o m l o t u s p o l l e n sf o r N O g a ss e n s i n g a tl o w t e m pe r a t u r e s [J ].R s cA d v a n c e s ,2015,5(37):29428-29432.[50] W uCH ,Z h uZ ,H u a n g SY ,e t a l .P r e p a r a t i o n of pa l l a -d i u m -d o p e dm e s o p o r o u s WO 3f o rh y d r o g e n g a ss e n s o r s [J ].J o u r n a l o fA l l o y s a n dC o m po u n d s ,2019,776:965-973.[51] Z h u Y ,W a n g H ,L i uJ ,e ta l .H i g h -pe rf o r m a n c eg a s s e n s o r sb a s e do nth e WO 3-S n O 2na n o s p h e r ec o m p o s i t e s [J ].J o u r n a l o fA l l o y s a n dC o m p o u n d s ,2019,782:789-795.[52] K o s k e l a J ,S a r f r a z J ,I h a l a i n e nP ,e t a l .M o n i t o r i n g t h e q u a l i t y o f r a w p o u l t r y b y d e t e c t i n g h y d r o ge n s u lf i d ew i t h pr i n t e ds e n s o r s [J ].S e n s o r sa n d A c t u a t o r sB :C h e m i -c a l ,2015,218:89-96.[53] L i nY ,H u a n g L ,C h e nL ,e t a l .F u l l yg r a v u r e -pr i n t e d N O 2g a s s e n s o r o n a p o l y i m i d e f o i l u s i n g WO 3-P E D O T :P S Sn a n o c o m p o s i t e s a n dA g el e c t r o d e s [J ].S e n s o r s a n d A c t u a t o r sB :C h e m i c a l ,2015,216:176-183.[54] L i S ,L i nP ,Z h a oL ,e t a l .T h e r o o mt e m pe r a t u r e g a s s e n s o r b a s e do nP o l y a n i l i n e @f l o w e r -l i k e WO 3n a n o c o m -p o s i t e sa n df l e x i b l e P E T s u b s t r a t ef o r N H 3d e t e c t i o n [J ].S e n s o r sa n d A c t u a t o r sB :C h e m i c a l ,2018,259:505-513.[55] S u n J ,S h uX ,T i a nY ,e t a l .P r e p a r a t i o no f p o l y p yr r o l e @WO 3hy b r i d sw i t h p -nh e t e r o j u n c t i o n a n d s e n s i n gp e r -f o r m a n c e t o t r i e t h y l a m i n e a t r o o mt e m p e r a t u r e [J ].S e n -s o r s a n dA c t u a t o r sB :C h e m i c a l ,2017,238:510-517.R e s e a r c h p r o g r e s s o fW O 3g a s s e n s i n g ma t e r i a l s a n dd e v i c e s Z E N GJ i y a n g ,R O N G Q i a n ,D E N G X i y u ,K U A N G X i n y a ,Z IB a o y e ,MA Y i w e n ,L I U Q i n g ju (N a t i o n a l C e n t e r f o r I n t e r n a t i o n a lR e s e a r c ho nP h o t o e l e c t r i c a n dE n e r g y M a t e r i a l sY u n n a nK e yL a b o r a t o r y o fM i c r o -n a n oM a t e r i a l s a n dT e c h n o l o g y ,S c h o o l o fM a t e r i a l s a n dE n e r g y ,Y u n n a nU n i v e r s i t y,K u n m i n g 650091,C h i n a )A b s t r a c t :W i t h t h ed e v e l o p m e n t o f h u m a nb e i n g s a n d t h e p r o g r e s s o f s o c i e t y ,p e o p l e p a y mo r e a n dm o r e a t t e n -t i o n t o t h e e n v i r o n m e n t a l p r o b l e m s ,e s p e c i a l l y t h e d e t e c t i o n o f t o x i c a n d h a r m f u l g a s e s .M e t a l o x i d e g a s s e n s o r s c a n s o l v e t h i s p r o b l e m.M e t a l o x i d e s e m i c o n d u c t o r g a s s e n s o r h a s b e e nw i d e l y s t u d i e d a n d a p pl i e db e c a u s e o f i t s s m a l l s i z e ,l o wc o s t ,c o n v e n i e n t u s e a n d q u i c k r e s p o n s e .T u n g s t e n t r i o x i d e (WO 3),a s a t y p i c a l n -t y p e s e m i c o n -d u c t o r g a s s e n s i n g m a t e r i a l ,h a s a t t r a c t e dw i d e a t t e n t i o n i n t h e d e t e c t i o n o f v a r i o u s t o x i c a n dh a r m f u l ga s e s d u e t o i t su n i q u e g a ss e n s i n gp r o p e r t i e s .T h es t r u c t u r ea n d m o r p h o l o g y o f s e n s i n g m a t e r i a l s ,t h ee x p o s e dc r y s t a l f a c e t s ,t h e i n t r o d u c t i o no f o x i d e s a n dn ob l em e t a l s p l a y ak e y r o l e i n i m p r o v i n g t h e g a s s e n s i n gpe rf o r m a n c e o f m a t e r i a l s .T h e r e f o r e ,i n t h i s p a p e r ,t h e r e c e n t s t u d i e so nt h e s yn t h e s i s ,i n t e r f a c e c o n t r o l ,m o d i f i c a t i o n m e t h -o d s ,g a s s e n s i n gp r o pe r t i e s a n d r e l a t e dm e c h a n i s m s of o n e -d i m e n s i o n a l ,t w o -d i m e n s i o n a l a n d t h r e e -d i m e n s i o n a l WO 3m a t e r i a l sw e r e s u mm a r i z e d ,t h e e x i s t i n gp r o b l e m s i n t h e r e s e a r c h p r o c e s s o fg a s s e n s o rb a s e do n WO 3at p r e s e n tw e r e p u t f o r w a r d ,a n d i t s f u t u r e d e v e l o p m e n t t r e n dw a s p r o s p e c t e d .K e y w o r d s :g a s s e n s o r ;t u n g s t e n t r i o x i d e ;n a n o s t r u c t u r e s ;g a s s e n s i n gpe rf o r m a n c e 17021曾吉阳等:WO 3气敏传感材料及器件的研究进展。

一维WO3纳米结构制备研究的综述

一维WO3纳米结构制备研究的综述

与其 形 成合 金液 滴 。随 着气 相 原 子在 液 滴表面 的不 断吸 附 和溶入 , 合金 液滴 达 到一 定 的饱 和度 , 晶体纳
的关键” 。因而一维纳米结构的制备一直是物理 、 “ 化 米 线 开始从 液滴 中析 出即纳 米线 开始成 核 。随后 , 气 学、 材料 等 多学科领 域 目前 研 究的热 点 。 态 原 子不断溶 入 合金液 滴 中 , 从而 促使 晶体 在液 固界
收稿 日期 :0 0 0 一 8 21—5O 基金项 目: 中阿地 质大学 ( 武汉 )李四光” “ 计划项 目资助 通讯联 系人 : 沈毅 ,— iss7 7 @l 3cr E ma : y 33 6 . n 1y o
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《 陶瓷 学 报) 0 0年 第 4期 21
固生长机制 , 这种生长机 制也被人们 经常用来 制备纳
作 为一种 重要 的过渡 金属 氧化 物 , 氧化 钨 因其独
面的进一步析 出, 使纳米线不断生长。
22 气 一固生长机 制 ( S) . V
特的电致变色n、 m 光致变色[1 12 1 -和气致变色n 特性 引
起 了人们 广泛的 兴趣 , 已被 用来 制备 大面积 的平 面显 示器 、 电致 变色的 “ 灵巧 窗 ”气体和 湿 度传感 器 、 学 、 光 调节器件 和 场发射 器 件 等 。因 此 材料 学 家 们对 一维
年代在成功合成 s 晶须的基础上提出的。随着材料 i
研 究者 的不断探 究 , 已经 利用此 理论 制备 了大 量纳米
学性质表现迥异 , 沿轴向的电荷输运效率远高于垂
直 于 轴 向的 方 向 ; 定尺 寸的 C S 纳 米 棒 在 有机 一 de
溶 剂 中也可 以形 成液 晶相 , 而形 成 一种新 的半导 体 从

三氧化钨

三氧化钨

纳米WO3材料的制备、应用及发展班级:** 姓名:** 学号:**摘要:结合近年来的相关文献,综述了纳米WO3材料的研究现状与进展,重点概述了超细WO3粉体和纳米WO3薄膜的各种制备方法及各自优缺点,并介绍了纳米WO3薄膜的稀有金属掺杂研究等;分析了纳米WO3材料的研究意义,介绍了纳米WO3材料在变色及催化等方面的应用。

最后分析了纳米WO3料应用的发展趋势。

关健词:纳米WO3材料制备方法、掺杂、改性、应用0引言自20世纪80年代以来,纳米科技迅速发展,纳米材料已成为凝聚态物理化学和材料科学的一个新的成长点[1,2]在信息功能材料、催化、磁性材料等方面具有广阔的应用前景。

纳米WO3材料是一种引人注目的可逆变色性(电/气致变色材料)和离子敏感性材料(如H2 , NH3 , NO2 , H2S,O3,O2等[3]。

纳米WO3也可用于共催化剂中,增强金属或金属氧化物催化剂的催化效果.此外,纳米W03因具有较大的比表面,表面效应显著,对电磁波有很强的吸收能力,可用作优良的太阳能吸收材料和隐形材料。

本文主要综述了纳米WO3薄膜与超细粉体的制备方法,纳米WO3薄膜的掺杂改性材料,研究现状及应用。

1纳米WO3材料的制备纳米WO3材料按制作方法和结构形式,可分为烧结型、薄膜型、厚膜型等。

其中烧结型、厚膜型气敏器件都以超细微粉作为原料[4]。

现在分别介绍纳米WO3薄膜和超细粉体的制备。

1.1纳米WO3薄膜的制备纳米WO3薄膜的制备方法很多,薄膜的性质与制备方法及工艺条件密切相关,用不同制备方法制备的WO3薄膜在尺寸和晶型等方面有所不同,仅就常见的方法简述如下。

1. 1. 1蒸发法利用物质在高温下的蒸发现象,可以制备各种薄膜材料。

蒸发法具有一些明显的优点,如较高的沉积速度、相对较高的真空度,以及由此导致的较高的薄膜纯度等。

蒸发法包括蒸发冷法、电子束蒸镀法、电弧蒸发法、激光蒸发法、空心阴极蒸发法、热蒸发法等,其中热蒸发法是使用比较多的方法之一R.Sivakumar等[5]采用电子束蒸镀法成功研制成了WO3薄膜.李建军等[6]也采用电子束蒸发法制备不同MoO3,掺杂量的氧化钨薄膜,都有较好的电致变色性能。

WO_3基气敏传感器

WO_3基气敏传感器
2. 2 WO3 基 NOx 气敏传感器 1991 年, Akiyama 等[ 23] 曾报道 WO3 陶瓷在 300 e
工作时是检测 NOx 的高敏感材 料。随后的两年里 人们研究了诸如半导体型、电化学型等各种类型的 NO2 气敏传感器[ 24 ) 28] , 并一致认为 WO3 是最具有前 景的 NO2 气敏传感器[ 29 ) 33] 。
1995 年, Inoue 等[34] 通 过 在 空 气 中 加 热 分 解 ( NH4 ) 10 W12O41 制备了 WO3 , 并采用丝网印刷法制备 了 WO3 厚膜型 NO2 气敏传感器, 该传感器可以检测
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化学进展
第 21 卷
出 2 ) 3ppm NO2 气 体, 而 且 稳 定 性 良 好。同 年, Sberveglieri[ 35] 等采用磁控溅射法制备了 WO3 薄膜, 并研 究 了 其 在 200 ) 500 e 的 温 度 范 围 内 对 1 ) 10ppm NOx 的敏感特性。结果表明, 该薄膜 在上述 条件下对 1 ) 10ppm 的 NOx 具有良好的重复性和气 敏响应, 并可以选择 性地检测出 CH4、CO 和 SO2 气 体, 其在 400 e 时对 10ppm NOx 的灵敏度为 118, 但 是该 研究 并 没有 探讨 其 气敏 机 理。1996 年, Nelli 等[ 36] 研究了纳米尺寸的 T-i W 氧化物薄膜对 015 ) 20ppm 的乙醇气体、CH4、CO 和 NO2 的气敏性能。结 果表明, 在上述气体中敏感膜对 NO2 的敏感特性最 好, 在最佳工作温度 300 e 时敏感膜对 20ppm NO2 的 灵敏度为 20。1997 年, Penza 等[ 37] 利用 WO3 薄膜作 敏感 涂层制备了表面声波 NOx 气敏传感器。1998 年, 该研究组利用 磁控溅射法制 备了 WO3 薄膜 型 NOx 气 敏传 感器, 同 时, 还 研究 了该 薄膜 对 NH3 、 H2 S、SO2 、CO 和 CH4 的敏感性 能。研究 结果表明, WO3 薄膜在 250 e 时对 NO x 具有良好的敏感特性, 其响应时间在 60s 以内[ 38] 。该研究组还研究了 Pd、 Pt、Au 掺杂的 WO3 薄膜对 NOx 的敏感性能[ 39] 。同 年, Kim[40] 等研 究了 WO3 薄膜 沉积 方式 的 变化 对 NOx 气敏特性的影响。Tomchenko 等[ 41] 则采用丝网 印刷法制备了 Bi2 O3 掺杂的 WO3 厚膜气敏传感器。 结果表明, 掺杂 Bi2O3 且厚度为 25Lm 的WO3 敏感膜 在 300 e 时对 2 ) 300ppm 的 NO 具有良好的气敏性 能, 在 该 温 度 下 对 163ppm NO 气 体 的 灵 敏 度 为 2196, 响应、恢复时 间分别为 214min 和 7min。1999 年, Lee 等[42] 、Chung 等[ 43] 、Yang 等[ 44] 和 Tomchenko 等[ 45] 先后研究了 WO3 基纳米晶和厚膜气敏传感器 对 NOx 的敏感特性。例如, Chung 等[ 43] 通过改变制 备工艺条件( 烧结温度、退火气 氛等) , 研究了 WO3 厚膜型 NO2 气敏传感器的敏感特性。结果表明, 经 700 e 烧结的 WO3 厚膜在低温 ( 100 e ) 时 对 NO2 气 体具有良好的气敏性能。Yang 等[44] 则详细研究了 黏结剂聚乙二醇( PVA ) 、Si 溶胶和 A l2O3 添加 剂对 NOx 敏感性能的影响。研究结果指出, 添加剂等对 WO3 基气敏传感器气敏性 能的影响主要是通 过对 晶界的修饰实现的, 而不是通过改变晶粒尺寸或者 电子浓度实现的。

wo3电导率

wo3电导率

wo3电导率(实用版)目录1.WO3 电导率的概述2.WO3 电导率的影响因素3.WO3 电导率的应用领域4.我国在 WO3 电导率研究方面的进展正文【1.WO3 电导率的概述】WO3,即钨酸三钠,是一种具有高电导率特性的无机化合物。

WO3 电导率是指钨酸三钠在特定条件下能够导电的程度。

它的电导率特性使其在众多领域具有广泛的应用前景。

【2.WO3 电导率的影响因素】WO3 电导率的高低受多种因素影响,主要包括以下几点:(1)晶体结构:WO3 晶体结构对其电导率有重要影响。

一般来说,晶体结构越规整,电导率越高。

(2)掺杂元素:在 WO3 中掺杂一定比例的其他元素,如硅、钼等,可以改变其电子结构和晶格结构,从而影响电导率。

(3)温度:WO3 的电导率随温度的升高而增大,但当温度过高时,由于晶体结构的破坏,电导率会下降。

(4)载流子浓度:载流子浓度越大,WO3 的电导率越高。

【3.WO3 电导率的应用领域】WO3 的高电导率特性使其在许多领域具有广泛的应用前景,主要包括:(1)固体氧化物燃料电池:WO3 可作为固体氧化物燃料电池的电解质材料,提高电池的性能。

(2)传感器:WO3 的高电导率特性使其可应用于各种传感器,如气体传感器、湿度传感器等。

(3)电化学器件:WO3 可作为电化学器件的电极材料,如超级电容器、电解水制氢等。

(4)光电器件:WO3 的高电导率特性使其在光电器件领域具有潜在的应用价值,如透明导电薄膜等。

【4.我国在 WO3 电导率研究方面的进展】我国在 WO3 电导率研究方面取得了显著的进展。

研究人员通过调控WO3 的晶体结构、掺杂元素和制备工艺等,不断提高其电导率。

此外,我国还积极开展 WO3 在各领域应用的研究,为实现 WO3 的产业化应用奠定了基础。

总之,WO3 的高电导率特性使其在多个领域具有广泛的应用前景。

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WO3半导体气体传感器的研究进展姓名:王杰学号:MZ14714WO3半导体气体传感器的研究进展一、引言目前环境空气质量的好坏已经成为人们日常生活中非常关注的话题。

为了保护和改善人们生活环境、提高空气质量,我们迫切地需要研发一种高灵敏度、低成本、易维护的气体传感器,从而能够有效地对有害、有毒、易燃、易爆的气体进行检测和检验。

因此,气体传感器成为目前研究的热点。

气敏材料是整个气体传感器的关键部分。

n型金属氧化物半导体WO3作为一种优良的气敏材料,具有气质变色、压敏效应等优点。

它可被应用为光学气敏材料、压敏型气敏材料、SAW气敏材料和电阻型气敏材料。

其中WO3作为电阻型气敏材料研究最为广泛、最为成熟,它可检测H2S、NO x、O3、H2、CH4、CO和NH3等气体。

它的工作机理是基于待测气体的吸附和紧随的表面反应过程所引起的电阻变化。

近年来,经过通过研究者的不断努力,人们在WO3半导体气敏材料的灵敏度、降低工作温度、选择性、响应/恢复时间、稳定性等性能指标上做出了众多的成就。

为了促进WO3半导体气体传感器早日实现商业化生产,我们还必须对WO各方面的气敏指标做进一步完善。

本文就WO3半导体气体传感器的应用场合、WO3体系和加工工艺进行论述。

二、WO3半导体气体传感器的应用场合WO3是一种宽带隙的 n 型半导体,作为一种优良的半导体气敏材料,已被认为是检测H2S 、NO x、O3和NH3等最有前景的新型氧化物气敏材料之一。

2.1 WO3基NO2气体传感器NO2气体为有毒有害气体,对人体呼吸系统损害大,同时是形成酸雨的主要物质。

因而 NO2气体的监控和检测,对环境保护和健康保障十分重要,研究开发 NO2气敏传感器具有学术研究价值和实用应用意义。

WO3作为一种近年来发展起来的半导体功能材料,在气敏传感器等领域得到越来越广泛的应用,其对 NO2气体表现出良好的气敏性。

Akiyama等曾报道WO3陶瓷在300℃工作时是检测NOx的高敏感材料。

随后的两年里人们研究了诸如半导体型、电化学型等各种类型的NO2气敏传感器,并一致认为WO3是最具有前景的NO2气敏传感器。

Inoue等通过在空气中加热分解(NH4)10W12O41制备了WO3,并采用丝网印刷法制备了WO3厚膜型NO2气敏传感器,该传感器可以检测出2~3ppm NO2气体,而且稳定性良好。

同年,Sberveglieri等采用磁控溅射法制备了WO3薄膜,并研究了其在200~500℃的温度范围内对1~10ppm NO x的敏感特性。

结果表明,该薄膜在上述条件对1~10ppm的NO x具有良好的重复性和气敏响应,并可以选择性地检测出CH4、CO和SO2气体,其在400℃时对10ppm NO x的灵敏度为118,但是该研究并没有探讨其气敏机理。

Thomas等采用激光剥蚀法制备了WO3敏感膜并研究了其在60~250℃范围内对NO和NO2的气敏性能。

结果表明,其灵敏度较低,响应时间长达数分钟。

最近,Xie和Piperno研究了真空热蒸发和磁控溅射法制备的WO3薄膜、亚微孔WO3敏感膜及电纺丝法制备的WO3纳米纤维对NO x的气敏性能。

例如,Xie采用真空热沉积法制备了WO3薄膜,研究了其对NO2的敏感特性。

结果表明,敏感膜的退火和工作温度对NO2的敏感性能起到重要的作用。

Piperno等采用电纺丝法制备了直径为150~200nm的纤维,该纳米纤维对CO没有响应,对NO2则具有良好的敏感性能。

2.2 WO3基H2S气体传感器在工业生产和日常生活中,H2S气体经常以一种空气污染物形式存在,H2S 气体浓度过高,不仅影响工业生产,而且会严重威胁人类和其他生物的生产,即使少量的H2S气体也会给人们的生活带来不便,工业上H2S在空气中允许的最大质量浓度为0.01mg/L ,因此迫切需要一种对H2S 气体敏感的气体元件。

一般认为,WO3接触H2S后引起负电荷载流子数目增大,从而引起n型半导体WO3电阻下降。

而贵金属Au的掺杂主要是降低气敏元件的响应时间,提高对H2S的灵敏度。

例如,Lin报道的非晶WO3薄膜经Au、Pd、Pt掺杂后,其达稳定阻值90%的响应时间缩短至1s以内。

Royster采用金属-有机物沉积工艺制备了WO3敏感膜并研究了其对H2S的敏感性能。

近年来,随着研究的不断深入,许多文献报道了WO3敏感膜对ppm量级的H2S气体敏感性能,随测试温度和H2S气体浓度的不同其响应时间从3s到104s不等。

例如,2005年,Ionescu制备的WO3纳米颗粒敏感膜在150~200℃范围内可检测出低至20ppb的H2S气体,其中,该敏感膜对1ppm H2S气体的灵敏度为3~5。

Stankova采用磁控溅射法制备的纯的和Pt掺杂的WO3敏感膜在200℃时可检测出100ppb的H2S气体。

WO3纳米晶敏感膜和WO3纳米线敏感膜对H2S气敏性能的研究也较为活跃。

而在400℃退火后的WO3纳米晶敏感膜比700℃退火后的敏感膜对H2S气体具有更好的响应。

Ponzoni制备的三维WO3纳米网络结构在300℃时对10 ppm H2S气体的灵敏度高达100。

Rout研究了WO3纳米颗粒、WO3纳米片和WO2.72纳米线在40~250℃范围内对1~1000ppm H2S 气体的敏感特性,其中WO2.72纳米线敏感膜在250℃时对1ppm H2S气体的灵敏度为121。

2.3 WO3基NH3气体传感器氨(NH3)是一种无色而具有强烈刺激性臭味的气体,比空气轻(比重为0.5),可感觉最低浓度为 5.3ppm。

氨是一种碱性物质,它对接触的皮肤组织都有腐蚀和刺激作用。

可以吸收皮肤组织中的水分,使组织蛋白变性,并使组织脂肪皂化,破坏细胞膜结构。

氨的溶解度极高,所以主要对动物或人体的上呼吸道有刺激和腐蚀作用,减弱人体对疾病的抵抗力。

1992年,Maekawa研究了Au掺杂的WO3敏感膜对空气中NH3的敏感特性。

但是在随后的几年里人们对WO3基NH3敏传感器的研究并不多,直到2000年以后人们对WO3基NH3传感器的研究才逐渐活跃起来。

例如,Xu采用Au和MoO3为添加剂制备了WO3氨敏传感器,该传感器甚至可在400℃的高温下操作,对NH3的检测极限可达1ppm。

Llobet采用浸渍涂覆法在Si基板上制备了WO3敏感膜,该敏感膜在250~350℃的温度范围内对NH3敏感,在300℃时对NH3的灵敏度最高,响应时间为15s,并对乙醇、甲烷、丙酮和水蒸气具有选择性。

Wang采用电纺丝法制备了WO3纳米纤维,如图4所示;并研究了该纳米纤维在350℃时对50~500ppm NH3的响应特性,如图5所示,经计算后得知,该纳米纤维对NH3具有较快响应(<20s)。

2.3 WO3基O3气体传感器目前O3被广泛应用到污水处理、消毒杀菌、医疗卫生上,当空气中O3的相对体积分数超过10-7时,对人体就要一定的危害。

臭氧对建筑材料、衣物及其他物质材料等也有损坏作用。

从20世纪90年代末开始人们对WO3基O3气敏传感器的研究逐渐活跃起来。

例如,2002年,Aguir采用射频反应磁控溅射法制备了WO3气敏传感器,并研究了其对O3的敏感性能及其在不同温度下的电性能。

2007年,Boulmani采用磁控溅射法制备了WO3气敏传感器,研究了溅射参数与O3气体的气敏响应之间的关系。

2008年,Belkacem制备了纳米Co掺杂的WO基气敏传感器。

结果表明,Co掺杂后使WO3由n型变成了p型并提高了其在O3气体中的电导。

王冬青惨入3%Nb2O5到WO3基体中做成O3敏感元件,发现其静态电阻和灵敏度均比较稳定,比较适合开发环境温度变化较小的O3敏感元件。

三、WO3体系3.1 纯WO xWO3具有钙钛矿型的晶体结构,禁带宽度约2.9eV。

由于W的电子亲和力不太强。

晶态WO3具有氧空位,故WO3属于n型半导体,作为施主能级的氧空位位于导带下约0.11 eV。

传感器是通过WO3与被测气体接触后表面电导发生变化进行检测。

一般情况下,WO3气敏材料是多晶结构,晶粒与晶粒通过晶界或脖颈彼此相连。

在清洁空气中,WO3晶粒表面吸附氧分子,并在一定温度下从WO3导带中俘获自由电子,形成化学吸附的氧离子(O-或O-2),在晶粒表面形成电子耗尽层,使得晶粒间晶界势垒升高,脖颈通道变窄。

能带结构中在晶界和脖颈处形成一个附加的电子势垒EB,阻碍了载流子的运动,使电子迁移率降低。

当还原性气体分子出现时,它们与吸附态的氧阴离子发生反应,其生成物以气态方式挥发,同时将氧所带的负电荷释放回WO3晶粒中,这样增加了WO3材料中参与导电的电子,又减弱了晶界处氧离子造成的电子运动势垒,增加了脖颈处的宽度,提高了载流子的迁移率,使材料的电导率明显增加;相反地,当氧化性气体出现时,气体分子被吸附在WO3晶粒表面,并从WO3导带中俘获自由电子,在晶粒表面形成电子耗尽层,使得晶粒间晶界势垒升高,使材料的电导率明显减小。

杨晓红在对纯WO3薄膜的气敏响应特征研究中,发现W-20-450 气敏薄膜对NO2气体敏感度好,最佳工作温度在 150 度到 180度之间。

图 6.6 为纯 WO3薄膜 W-20-450 对不同浓度 NO2气体的敏感度曲线,在 0.1ppm 的NO2气体中 Rgas/Rair 的值最大达到了 1.5 倍,但对1ppm 的 NO2气体 Rgas/Rair的值仍然达到了近 6 倍,即敏感度达近 500%。

3.2 WO3-陶瓷陶瓷材料是用天然或合成化合物经过成形和高温烧结制成的一类无机非金属材料。

它具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点。

可用作结构材料、刀具材料,由于陶瓷还具有某些特殊的性能,又可作为功能材料。

Meng等人用水热法制备的 Fe3O4/ WO3( 直径为40-80 nm长度约500nm) 的纳米棒,其中含5 wt % Fe3O4的复合材料对丙酮表现出很好的灵敏度,对200 ppb 丙酮的响应/恢复时间分别是9s和41s,已经符合从病人气息中检测丙酮浓度的变化对糖尿病进行诊断的要求。

3.4 WO3-金属Jun 等用溶胶-凝胶法制备了有金属( Pt、Ru、Pd、In ) 添加的 SnO2/ WO3纳米颗粒,其中含1 wt% Ru,5 wt% SnO2的 WO3在300 ℃展现出最好的灵敏度和选择性。

Jun 通过不同条件的对比试验,发现影响WO3气敏性能的因素很多,包括: 材料的退火温度、SnO2添加的比例和金属添加的种类、薄膜的厚度以及粘合剂的类型。

同样是用溶胶-凝胶法 Bai 等人制备的 WO3/ SnO2复合纳米材料,对 NO2最灵敏,其中 WO3摩尔比占 20% 的 WO3/SnO2在 200 ℃对 200 ppm 的NO2灵敏度是 186。

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