第二章 静电场分析
第02章 静电场分析(图片版)
则认为,在该处有一点电荷。 当带电体的尺寸<< 研究点到带电体的距离时,则可认 为带电体是一电量为q的点电荷。
第二节 库仑定律与电场强度
• 库仑定律
由实验得到的库仑定律是静电 场理论的基础,它给出了源点对 场点电荷的作用力。
q ' q (r r ) F (r ) 4 0 r r 3
第三节 真空中静电场的基本规律
• • • • • 静电场的基本方程 电位 真空 介质 无限空间 有限空间 能量
描述静电场的变量
(r ) 电荷密度——源变量 E (r ) 电场强度——场变量 D(r ) 电位移——场变量
(C / m 2 )
产生原因:电介质内 束缚电荷在外电场力 作用下发生位移,由 麦克斯韦通过实验证 实
E
l
束缚电荷
无极分子
q
点偶极子
电偶极矩 p ql
• 电介质的极化强度
p P = lim V 0 V
C/m
2
• 例:一个半径为a的均匀极化介质球,极化强度是 P0 ez ,求极 化电荷分布
• 电介质中的基本方程(高斯定理、介电常数) 真空中:
E =0
• 介电常数
实验证明:P e 0 E
由于E在顶面底面均无分量,即对两个面的通量 为零由高斯定理得: q 2 rhE er , 其中q h h
1
arLeabharlann bl b 又U E dr ln a 2 a 2U 即:l = 则E =er
b
ln b / a
U , D= E, 即可求得We r ln(b / a)
若闭合曲面内有多个点电荷,则
• 例题:真空中,假设在半径为a的球体内均匀分布着密度为 0 的电荷,试求任意点的电场强度。
第二章静电场恒定电场和恒定磁场
介质中的高斯定理表示为 式中电位移矢量为
在线性的各向同性的电介质中
例2.1在空气中放入一个带电量为Q、半径为a的球体,该球体的 相对介电常数为εr。求该球体内、外任意一点的电场强度。
解(1) 球内任意一点,设到球心距离为r,做高斯面为以r为半径的球面, 如图2.2所示。
由电场的对称性可知,E和D的方向为er,所以
大小、它们之间的距离和周围的电介质,即可以不用电容器。
例2.10同心金属球与球壳系统如图2.12所示,内导体球半径为a,外导体 球壳的内外半径分别为b和c,导体球与导体球壳带有等量异号电荷,它
们之间充满相对介电常数为 r 的电介质,球外为空气。求该导体系统
的电容。
解:根据高斯定理不难求出空间各点的电场强度,设导体球和导体球壳的 带电量分别是q和-q,则导体和导体球壳之间的电场强度的大小为
电场能为
WeΒιβλιοθήκη 1 2dVv
(2) 对于多导体系统
We
1 2
dV
v
例2.12半径分别为a和b的同轴线,外加电压为U,内圆柱体电荷量为正,外圆柱 面单位长度上的电荷量与内圆柱体等值异号。如图2.16(a)所示,两电极间在θ1的 角度内填充介电常数为ε的电介质,其余部分为空气,求同轴线单位长度上储存 的电场能量。
示,求在l长度上的外电感。
图2.25例2.20用图
例2.21一个半径为a的无限长直导线,在导线均匀流过的电流为I,求这个导线
在单位长度上的内电感,如图2.26所示(设导体内部的磁导率近似为μ0)。 解:截面上的磁通并没有与全部电流I交链,而只是与一部分电流交链,交链的总 磁链为
图2.26
2. 互 有两感个回路l1和l2,如图2.27所示。
第二章-静电场与导体
第二章静电场与导体教学目的要求:1、深入理解并掌握导体的静电平衡条件及静电平衡时导体的基本性质,加深对高斯定理和环路定理的理解,结合应用电场线这一工具,会讨论静电平衡的若干现象,会结合静电平衡条件去理解静电感应、静电屏蔽等现象,并会利用前章的知识求解电场中有导体存在时的场强和电势分布。
2、确理解电容的概念,并能计算几种特殊形式的电容器的电容值。
3、进一步领会静电能的概念、会计算一些特殊带电导体的静电能。
4、深刻理解电场能量的概念,会计算电场能。
教学重点:1、静电场中的导体2、电容和电容器教学难点:1、静电场的唯一定理§2.1 静电场中的导体§2.2 电容和电容器§2.3 静电场的能量§2.1 静电场中的导体1、导体的特征功函数(1)金属导体的特征金属可以看作固定在晶格点阵上的正离子(实际上在作微小振动)和不规则运动的自由电子的集合。
①大量自由电子的运动与理想气体中分子的运动相同,服从经典的统计规律。
②自由电子在电场作用下将作定向运动,从而形成金属中的电流。
③自由电子的平均速率远大与定向运动速率。
(2)功函数金属表面存在一种阻止自由电子从金属逸出的作用,电子欲从金属内部逸出到外部,就要克服阻力作功。
一个电子从金属内部跑到金属外部必须作的最小功称为逸出功,亦称功函数。
2、导体的静电平衡条件(1)什么是静电感应?当某种原因(带电或置于电场中)使导体内部存在电场时,自由电子受到电场力的作用而作定向运动,使导体一侧因电子的聚集而出现负电荷布另一侧因缺少电子而有正电荷分布,这就是静电感应,分布在导体上的电荷便是感应电荷。
(2)静电平衡状态当感应电荷在导体内产生的场与外场完全抵消时,电子的定向运动终止,导体处于静电平衡状态。
(3)静电平衡条件所有场源包括导体上的电荷共同产生的电场的合场强在导体内部处处为零。
静电平衡时:①导体是等势体。
②导体外表面附近的电场强度与导体表面垂直。
工程电磁场第二章静电场(二)解读
第2章 静电场(二)2.1 静电场的唯一性定理及其应用静电场中的待求量:电场强度E ,静电力F 。
静电场求解方法:(1) 直接由电场强度公式计算;(2) 求解泊松方程(或拉普拉斯方程)→电位→电场强度E 。
E ⇒-∇=⇒-=∇ϕϕερϕE 2唯一性定理的重要意义:确定静电场解的唯一性。
2.1.1 唯一性定理静电场中,满足给定边界条件的电位微分方程(泊松方程或拉普拉斯方程)的解是唯一的。
2.1.2 导体边界时,边界条件的分类(1) 自然边界条件:有限值参考点=∞→ϕr r lim(相当于指定电位参考点的值)(2) 边界衔接条件:σϕεϕεϕϕ=∂∂-∂∂=nn 221121(该条件主要用于求解区域内部)(3) 导体表面边界条件(a) 给定各导体表面的电位值。
(第一类边界条件) (b) 导体表面为等位面,给定各导体表面的电荷量。
该条件相当于给定了第二类边界条件。
在求解过程中,可通过积分运算确定任意常数。
S n ∂∂-=ϕεσ,(注:n 的正方向由介质导向导体内部)q dS r S=∂∂-⎰)(11ϕε (c) 给定某些导体表面的电位值及其它每一导体表面的电荷量。
相当于给定了第三类边界条件。
思考?为什么条件(a),或(c)可唯一确定电位函数,而条件(b)确定的电位函数相关任一常数? 答:边值问题的求解所需的边界条件有:自然边界条件、衔接条件和区域边界条件。
条件(a),(c)中,同时给定了边界条件和自然边界条件,与条件(2)结合,可唯一地确定场解;而条件(c)没有指定自然边界条件(电位参考点的值),因而,其解相差一个任意常数。
2.1.3 静电场唯一性定理的意义唯一性定理为静电场问题的多种解法(试探解、数值解、解析解等)提供了思路及理论根据2.1.4 等位面法1 等位面法:静电场中,若沿场的等位面的任一侧,填充导电媒质,则等位面另侧的电场保持不变。
2 等位面法成立的理论解释:等位面内填充导电媒质后,边界条件沿发生变化:(1)边界k 的等位性不变;(2)边界k 内的总电荷量不变。
第02章静电场(1)优秀课件
静电场特性的进一步认识:
(1)高斯定律中的电量 q 应理解为封闭面 S 所包围的全部正 负电荷的总和。 (2)静电场的电场线是不可能闭合的 ,而且也不可能相交。
(3)任意两点之间电场强度 E 的线积分与路径无关。真空中 的静电场和重力场一样,它是一种保守场。
(4)已知电荷分布的情况下,可以利用高斯定理计算电场强度, 或者可以通过电位求出电场强度,或者直接根据电荷分布计算电 场强度等三种计算静电场的方法。
按照国家标准,电位以小写希腊字母 表示,上式应写为
E
将电位表达式代入,求得电场强度与电荷密度的关系为
E(r) V
4π(r0)r(rrr3)dV
若电荷分布在一个有限的表面上,或者分布在一个有限的线段内,那么
可以类推获知此时电位及电场强度与电荷的面密度 S 及线密度l 的关系分别
为
(r)4π10
S(r)dS
自由空间中静电场的电场强度的环量处处为零,因此其电场 线是不可能闭合的,否则沿一条闭合电场线的电场强度的线积 分会因电场强度E与线元dl的方向处处一致而使环量不为零。由 此可以证明,任意两点之间电场强度的线积分与路径无关。
自由空间中的静电场是保守场。
例1 计算点电荷的电场强度。
点电荷就是指体积为零,但具有一定电量的电荷。由于点电荷的 结构具有球对称特点,因此若点电荷位于球坐标的原点,它产生的 电场强度一定与球坐标的方位角及无关。
(r) q 4π0r
求得电场强度 E 为
E 4 π q 0 1 r 4 π q 0 r 2e r 4 π q r 0 r 3
若直接根据电场强度公式(2-2-14),同样求得电场强度E为
EV 4π (r0 )re2 rdV4πq0r2er
静电场的基本概念
第二章 静电场2.1 静电场的基本概念基本内容和要求:(1)电荷守恒定律;库仑定律。
(2)电场强度的定义;场强迭加原理。
(3)点电荷系、简单带电体的场强计算。
一、 电荷及其量子化 电荷守恒定律二、库仑定律02211221r rq q k F F r r r =−=这里比例系数229/C m N 1000.9⋅×=k041πε=k22120m /N C 1085.8⋅×=−ε 真空介电常数注意:库仑定律只适用于点电荷!三、电场 电场强度1 试验电荷:电量足够小的点电荷注:(1)电场强度反映电场固有性质。
(2)电场强度的单位:N/C 或V/m3 E q F r r 0=四、场强计算 1 点电荷的场强=02004r rqq F r r πε这里是场源到场点.....P .的单位矢量.....r r 注:点电荷的电场是球对称场。
2 场强迭加原理⇒=∑i F F r r ∑=i E E r r这里i F r是第i 个电荷单独存在时对试验电荷的作用力;i E r是第i 个电荷单独存在时在场点P 产生的场强。
这里是到场点P 的单位矢量。
i r ri q 4 连续带电体的场强体分布:dV dq e ρ= (e ρ电荷体密度) 面分布:dV dq e σ= (e σ电荷面密度) 线分布:dV dq e λ= (e λ电荷线密度)例1 电偶极子在轴线上的场强。
θcos 22++−+−==+=E E E E E x x x x 0=+=−+y y y E E E)4(4220ly q E +=+πε,2/122)4(2cos l y l +=θ所以 2/3220)4(4l y qlE +=πε,沿轴负向x 讨论: 若,则y l <<304yql E πε≈定义电偶极距 l q p r r=,304yp E πεr r −≈例2 均匀带电细棒的场强分布。
204rdydE πελ= θθπsin )sin(dE dE dE x =−= θθπcos )cos(dE dE dE y =−−=因为y r a r =−=−)cos()sin(θπθπ 所以θθctg sin /a y a r −==即,因此 θθd a dy 2csc =ad dE 04πεθλ=最后得到)cos (cos 4sin 4210021θθπελθθπελθθ−===∫∫ad a dE E x x)sin (sin 4cos 4120021θθπελθθπελθθ−===∫∫ad a dE E y x 讨论:(1)P 点在细棒的中垂面上,21θπθ−=所以 10cos 2,0θπελaE E x y == (2)无限长的均匀带电细棒,πθθ==21,0,所以 0=y E(3)P 点在细棒的延长线上。
EM02静电场
ldx
l rd
----
S dxdy
S rd d z
S r 2 s in d d
dxdydz
rd d rd z
r 2 s in d r d d
18
1、电荷密度与电场强度 例2.2:半径为a的薄圆盘均匀带电,电荷面密 度为,求轴线上离圆心上方距离为l处P点的 电场强度。
28
真空中的静电场方程 2 、真空中的静电场方程 归纳:真空中的静电场方程 ★★★
高 斯 定 律 守 恒 定 理
积分式
微分式
积分式 微分式
真空中静电 场的电场强 q 度通过任一 S E ( r ) d S 0 真空中静电场 封闭曲面的 真空中静电场 的电场强度在 电通量,等 E (r ) 的电场强度沿 某点的散度, 0 于该封闭曲 任一闭合曲线 等于该点的电 面所包围的 的环量为0。 E ( r ) d l 0 荷体密度与真 真空中静电场 l 总电量与真 空介电常数之 的电场强度的 空介电常数 比。 旋度处处为 0。 之比。 E (r ) 0
q1=1C,P1(0,0,1),q2=4C,P2(0,1,0),
求位于P(0,-1,0)点的电场强度。 z
E2 E1
q1 q2 y
11
P x
0
1、电荷密度与电场强度 z 解:q1到P点的距离为r1= 2 , q2到P点的距离为r2=2, q1在P点的场强大小为:
E2
q1 q2 y
P x
0
E1
E 1 q 1 / 4 0 r 1 1 8 0 方向为:e r 1 e y e z / 2
第二章 静电场及其解法2_镜像、分量
静电场问题的常用解法
镜像法 分离变量法 复变函数法 格林函数法
另法:在极坐标系下讨论
点电荷——不接地导体球面
等位面电位不为零;
导体球总的感应电荷为零
ε
a
先设想导体球接地(同上例), 则导体球面电位为0,且存在总 电量为q’的感应电荷;可以上例 相同电量和位置的镜像电荷取代。
d’
q’
d
q
再考虑断开接地线的情形:须 保证球面总电量为0,即将-q’加 于导体球面上;还须保证球面为 等位面,即-q’应均匀分布于导体 球面上。这样就可以在球心虚设 一个镜像电荷-q’。
点电荷—无限大导体平面
z +q
x
-q
线电荷——无限大导体平面
z +ρ
x
-ρ
点电荷——相交半无限大导体平面
y B
a
b
+q
C
R1 R3 q 1 1 1 1 4 R R R R 2 3 4 1
x
n 平面可看作n 1的情形,则N 1 时,共有N 2n 1个镜像电荷
x, y A0 x B0 C 0 y D0 An cosk n x Bn sin k n x C n ch k n y Dn sh k n y
n 1
可见:通解函数的选择取决于边界条件;待 定系数的确定亦取决于边界条件。
第二章-静电场分析
E
lim F q qt 0 t
qR
4 0 R 3
q
40
1 R
z (x, y, z) 源点
R r r 场 点 (x, y, z)
当空间中同时有n个点电荷时,场 r r
点的电场等于各点电荷qi在该点产
生的电场强度的矢量和,即
O
E
n i 1
Ei
n i 1
qi Ri
40Ri3 n
i 1
qi
且 d R, 求单位长度的电容 .
解 设两金属线的电荷线密度为 2R
E E E 2π 0x 2π 0 (d x)
E
dR
U Edx
dR (1
1 )dx
R
2π 0 R x d x
ln d R ln d
o
P
x d x x Eπ 0来自R π 0 RE
单位长度的电容
电容:一个导体上的电荷量与此导体
相对于另一导体的电位之比,单位是法
拉(F).
C Qa Vab
电容的大小仅与导体的形状、相对位置、其间的
电介质有关,与所带电荷量无关。
二、电容计算应用举例——综合题目
1. 平行双导线,单位长度的电容 2. 同轴线内外导体间,单位长度的电容 3.
例 两半径为 R 的平行长直导线中心间距为 d ,
0
E
0
电线场性强、度均之匀E间、的各关向系同(性也的称电媒介质质的中本,构电关通系密)度: D与
D E
其中:
0r
因而,任何电介质中,静电场的方程,只要将前面
得出的方程中的介电常数 换0 成 即 可。
2.4 导体的电容
一、电容器(capacitor)与电容(capacitance)
第2章 静电场(4) 高斯通量定理
27
3、高斯定理的意义 1 e E dS
S
0
q
i
i
(1) 说明静电场是有源场,源即电荷。
q 0, e 0 , 电场线从+q 出发,+q 是源头; q 0, e 0 , 电场线止于 - q , - q 是尾闾。
(2) 高斯定理不仅适用于静电场, 亦适用于运动电荷的电场和随时间变 化的电场,是电磁场基本定理之一。
其中, E :电场强度, P :电极化强度
18
其中, 0 —— 真空中的介电常数 12 ( 8.854 10 F / m)(电容率) —— 介质的介电常数 ( 0 r ) (电容率) r —— 介质的相对介电常数 ( 1 e )(相对电容率)
e
利用高斯定理求场强 E 比较方便。
(2) 常见的具有对称性分布的电荷系统:
1) 球对称(球体,球面);
2) 柱对称(无限长柱体,无限长柱面); 3) 面对称(无限大平板,无限大平面)。
30
(3) 求电场分布的步骤:
1) 分析带电系统的对称性; 2) 选合适的高斯面:使面上场强的大小处处 相等(或部分 相等,部分为零),场强的方 向与曲面正交或平行。 3) 利用高斯定理求场强。
—— 介质的电极化率
0
SI单位: r 、e :(纯数)
、 0 :C2/Nm2
(F/m)
19
介 真空 空气
质
r
1 1.00059
变压器油
瓷
2.24
68
玻璃
钛酸钡
510
103104
20
性质
(1) D是辅助物理量, E 才是真实物理量。 (2) D是一个包含了场与介质极化两种性质的量。 (3) D 线只由自由电荷决定。
电磁场与电磁波第二章讲义
(r )
第二章 静 电 场
当r<a时,
Er 4r2
0 0
4
3
r3
所以
Er
0r 30
(r )
第二章 静 电 场
例 2 - 3 已知半径为a的球内、 外的电场强度为
E
er E0
a2 r2
(r a)
E
er E0 5
r 2a
3
r3 2a3
(r a)
们的连线, 同号电荷之间是斥力, 异号电荷之间是引力。点电
荷q′受到q的作用力为F′,且F′=-F,可见两点电荷之间的作用力 符合牛顿第三定律。
第二章 静 电 场
库仑定律只能直接用于点电荷。所谓点电荷,是指当带电体 的尺度远小于它们之间的距离时,将其电荷集中于一点的理想化 模型。 对于实际的带电体, 一般应该看成是分布在一定的区域 内,称其为分布电荷。用电荷密度来定量描述电荷的空间分布情 况。电荷体密度的含义是,在电荷分布区域内,取体积元ΔV, 若其中的电量为Δq,则电荷体密度为
(r)
P(r' )V '
4 0
r r' r r' 3
整个极化介质产生的电位是上式的积分:
(r) 1
4 0
V
P(r' ) (r r r' 3
4 0R2
R
q' q
4 0
R R3
式中:R=r-r′表示从r′到r的矢量;R是r′到r的距离;R°是R的单
位矢量;ε0是表征真空电性质的物理量,称为真空的介电常数,
其值为
电磁场与电磁波 第2章静电场
如果是一个闭合路径,则W=0 电场强度的环路线积分恒为零,即
应用斯托克斯定理
因此,静电场的电场强度 可以用一个标量函数 的梯度来表示,即定义
单位正实验电荷在电场中移动电场力做功
两点间的电位差定义为两点间的电压U,即
单位:V
电位函数不唯一确定,取
故可选空间某点Q作为电位参考点,空间任一点P的电位为 通常选取无限远作为电位参考点,则任一P点的电位为
在交界面上不存在 时,E、D满足折射定律。
D 1 n D 2 n 1 E 1 c1 o 2 E s 2 c2 os
E 1 t E 2 t E 1 si1 n E 2 si2n
图2.3.3 分界面上E线的折射
t电位函数 表示分界面上的衔接条件
Ax Ay Az
对应静电场的基本方程 E 0 ,矢量 A 可以表示一个静电场。
能否根据矢量场的散度来判断该矢量场是否是静电场?
2.3.2 分界面上的边界条件
1、 电位移矢量D的衔接条件 以分界面上点P作为观察点,作一
小扁圆柱高斯面( L 0)。
图2.3.1 在电介质分界面上应用高斯定律
根据 DdSq
V ' P d ' V S 'P e n d ' S 0
• 在均匀极化的电介质内,极化电荷体密度 p 0。
• 有电介质存在的场域中,任一点的电位及电场强度表示为
(r) 4 1 0 V '( r f r 'p )d' V S '( r f r 'p )d' S E (r ) 4 1 0 V '( f r p r )'3 r( r ')d' V S '( f r p r ) '3 r( r ')d' S
电磁场与电磁波第二章课后答案解析
第二章 静电场重点和难点电场强度及电场线等概念容易接受,重点讲解如何由物理学中积分形式的静电场方程导出微分形式的静电场方程,即散度方程和旋度方程,并强调微分形式的场方程描述的是静电场的微分特性或称为点特性。
利用亥姆霍兹定理,直接导出真空中电场强度与电荷之间的关系。
通过书中列举的4个例子,总结归纳出根据电荷分布计算电场强度的三种方法。
至于媒质的介电特性,应着重说明均匀和非均匀、线性与非线性、各向同性与各向异性等概念。
讲解介质中静电场方程时,应强调电通密度仅与自由电荷有关。
介绍边界条件时,应说明仅可依据积分形式的静电场方程,由于边界上场量不连续,因而微分形式的场方程不成立。
关于静电场的能量与力,应总结出计算能量的三种方法,指出电场能量不符合迭加原理。
介绍利用虚位移的概念计算电场力,常电荷系统和常电位系统,以及广义力和广义坐标等概念。
至于电容和部分电容一节可以从简。
重要公式真空中静电场方程:积分形式:⎰=⋅SS E 0d εq⎰=⋅ll E 0d微分形式: 0ερ=⋅∇E0=⨯∇E已知电荷分布求解电场强度:1,)()(r r E ϕ-∇=;⎰''-'=V Vd )(41)(|r r |r r ρπεϕ2,⎰'''-'-'=V V 3d |4))(()(|r r r r r r E περ3,⎰=⋅SS E 0d εq高斯定律介质中静电场方程:积分形式:q S=⋅⎰ d S D⎰=⋅ll E 0d微分形式:ρ=⋅∇D0=⨯∇E线性均匀各向同性介质中静电场方程:积分形式:εqS=⋅⎰ d S E⎰=⋅ll E 0d微分形式: ερ=⋅∇E0=⨯∇E静电场边界条件:1,t t E E 21=。
对于两种各向同性的线性介质,则2211εεttD D =2,s n n D D ρ=-12。
在两种介质形成的边界上,则n n D D 21=对于两种各向同性的线性介质,则n n E E 2211εε=3,介质与导体的边界条件:0=⨯E e n ; S n D e ρ=⋅若导体周围是各向同性的线性介质,则ερS n E =;ερϕS n -=∂∂静电场的能量:孤立带电体的能量:Q C Q W e 21212Φ== 离散带电体的能量:∑==ni i i e Q W 121Φ分布电荷的能量:l S V W l l S S Ve d 21d 21d 21ρϕρϕρϕ⎰⎰⎰===静电场的能量密度:E D ⋅=21e w 对于各向同性的线性介质,则2 21E w e ε=电场力:库仑定律:rrq q e F 2 4πε'=常电荷系统:常数=-=q e lW F d d常电位系统:常数==ϕlW F e d d题 解2-1 若真空中相距为d 的两个电荷q 1及q 2的电量分别为q 及4q ,当点电荷位于q 1及q 2的连线上时,系统处于平衡状态,试求的大小及位置。
第二章 静电场中的导体与电介质
第二章 静电场中的导体与电介质2.1 导体与电介质的区别:(1)宏观上,它们的电导率数量级相差很大(相差10多个数量级,而不同导体间电导率数量级最多就相差几个数量级)。
(2)微观上导体内部存在大量的自由电子,在外电场下会发生定向移动,产生宏观上的电流而电介质内部的电子处于束缚状态,在外场下不会发生定向移动(电介质被击穿除外)。
2.2静电场中的导体1. 导体对电场的响应:静电场中的导体,其内部的自由电子会发生定向漂移,电荷分布会发生变化,这是导体对电场的响应方式称为静电感应,导体表面会产生感应电荷,感应电荷激发的附加场会在导体内部削弱外电场直至导体内部不再有自由电子定向移动,导体内电荷宏观分布不再随时间变化,这时导体处于静电平衡状态。
2. 导体处于静电平衡状态的必要条件:0i E =(当导体处于静电平衡状态时,导体内部不再有自由电子定向移动,导体内电荷宏观分布不再随时间变化,自然其内部电场(指外场与感应电荷产生的电场相叠加的总电场)必为0。
3. 静电平衡下导体的电学性质:(1)导体内部没有净电荷,电荷(包括感应电荷和导体本身带的电荷)只分布在导体表面。
这个可以由高斯定理推得:ii sq E ds ε⋅=⎰⎰,S 是导体内“紧贴”表面的高斯面,所以0i q =。
(2)导体是等势体,导体表面是等势面。
显然()()0b a b i a V V E dl -=⋅=⎰,a,b 为导体内或导体表面的任意两点,只需将积分路径取在导体内部即可。
(3)导体表面以处附近空间的场强为:0ˆEn δε=,δ为邻近场点的导体表面面元处的电荷密度,ˆn为该面元的处法向。
简单的证明下:以导体表面面元为中截面作一穿过导体的高斯柱面,柱面的处底面过场点,下底面处于导体内部。
由高斯定理可得:12i s s dsE ds E ds δε⋅+⋅=⎰⎰⎰⎰,1s ,2s 分别为高斯柱面的上、下底面。
因为导体表面为等势面所以ˆE En=,所以1s E ds Eds ⋅=⎰⎰而i E =0所以0ds Eds δε=,即0ˆE n δε=(0δ>E 沿导体表面面元处法线方向,0δ<E 沿导体表面面元处法线指向导体内部)。
第二章 静电场分析
l
'
dq s (r' )dS'
连续分布在一个忽略面积的线形区域 l’上的电荷
Δq dq l ( r ) lim ' ' l ' 0 Δl dl
dl’内的元电荷
dq l (r' )dl
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4、点电荷与点电荷的函数表示 (1)函数定义
1 4π 0 1 qi (r' )( R ) i 1 i
N
图2.1.3 矢量叠加原理
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2.1.1 电荷和电荷分布
自然界中最小的带电粒子之一是电子,带电体总 是电子点量的整数倍,宏观上是大量微观粒子的平均 效应,常用电荷的连续分不来代替其分离性。
1、体电荷密度 当电荷连续分布在一个体积V’内时, 可用体电荷密度来描述其分布特性:
q eR q dR q 1 1 l E dl 40 l R 2 dl 4 R 2 4 ( R R ) 0 l 0 A B
E dl 0
结论
qE dl 0
静电场是保守场,电场力沿封闭路径 做功为零。
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由斯托克斯定理得
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② 叠加原理 由库仑定律和电场强度的定义可得单个点电荷 产生的电场强度
F q(r' )qt q(r' ) E p (r) e qt e V/m 2 R 2 R qt 4π 0 R 4π 0 R
一般表达式为:
Ep( r )
q( r' ) 4π 0 r r'
② 对于具有高度对称性的电场,利用高斯定律可以 方便的求出场强分布,但对于一般电场,高斯定 律只能确定任意闭曲面上的场强通量。 ③ 应用高斯定律可以导出电场分界面上法线分量的 边界条件。 计算步骤:
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0
1dq 1 1 dq l sin dE dE 4 2 aR d R 3 0 40 R 40 R
dE
有限长直线电荷的电场
1
40 R 1 40
l
3
dz ' dz '
dE z
l ( z z ' )
R
3
例2.2 一个均匀带电的环形薄圆盘,内半径为a,外半径 为b,面电荷密度为 s,求z轴上任意一点的电场强度
qi
r
r
y
1 i 1 40 Ri
例:两个点电荷位于(1,0,0)和(0,1,0), 带电量分别为20nC和-20nC,求(0,0,1)点处的 电场强度
2. 分布电荷的电场强度
(1)线电荷
线电荷密度(Charge Line Density): 当电荷分布在一细线(其横向尺寸与长度的比值很小) 上时,定义线电荷密度为单位长度上的电荷 面电荷密度(Charge Areal Density): 当电荷分布在一个表面上时, 定义面 电荷密度为单位面积上的电荷 q
电场强度
电通密度(电感应强度) D 0 E
静电场的旋度 电场力做功
c
E 0
s D ds Q v v dv 高斯定律 D v
电通量
F dl 0
积分形式 微分形式
静电场属于有散无旋场基本方程的总结
微分形式 积分形式
0
O
1 E 40
V (r )
R
3
V
RdV
例 有限长直线l上均匀分布着线密度为ρl的线电荷, 如下 图所示,求线外一点的电场强度。
l cos d dqdE z ' l dz 40 1 l E (cos cos ) z' r r ' ( a 1a z z ) 2 R a z 40 a ( z z ' )a z ] 1 1l [ l Ez (sin 1 sin 2 ) dz ' dE 3 40 4 R 无限长线电荷的场
s
2.2.2
静电场的高斯定律 (Gauss’ law)
定义:从闭合面内发出的总电通量,等于面内所 包围电荷总电量。
D ds Q 积分形式 s D d s Q dv v
s v
D dv 此式说明:空间任意存在正电荷密度的点,都发出电
散度与场源的关系
V
通量线(即电力线)
静电场是有散的
D v
微分形式
例:用高斯定律求孤立点电荷q在任意点P点产生的 电场强度
E E 0 用散度描述电场:
所以,静电场中电场强度 库仑定律 的旋度恒为零,即静电场 为无旋场(保守场) 电场强(capacitor)与电容(capacitance)
储存电荷的容器称为电容器,相互接近而又相互绝缘的任意 形状导体都可构成电容器。 电容:一个导体上的电荷量与此导体
相对于另一导体的电位之比,单位是法
拉(F).
Qa C Vab
电容的大小仅与导体的形状、相对位置、其间的 电介质有关,与所带电荷量无关。 二、电容计算应用举例——综合题目
例 真空中一个带电导体球,半径为a,所带电量为Q,试 计算球内外的电位与电场强度。
z P r R S (a, , )
等 位体 E= 0
dS
a
a
O
导 体内
导 体球
带电导体球的场分布 孤立带电导体球的场
2.1.4 电偶极子
电偶极子是指相距很近的两个等值异号的电荷。
Z P q r2
解题思路(步骤):
1. 根据电荷分布形状,以及 它与所求点电场之间的相对 位置关系,选择并建立坐标 系。 2. 确定源点、场点,及其位 置矢量,距离矢量。 3. 代入电场强度计算式,确 定积分上下限,求解。
2.1.3 电位函数 在静电场中,某点 P处的电位定义为把单位正电荷 “—”负号的物理意义:电位的增加总是朝着抗拒 从 P 点移到参考点 Q 的过程中静电力所作的功。若 电场强度的方向;电场强度的方向总是垂直于电位 正试验电荷qt从P点移到Q点的过程中电场力作功为 面,并从电位高处指向电位低处。 W,则P点处的电位为 Q W lim E dl P qt 0 q V (r ) 1 t dV ' q V 4 R E a 0 2 R 40 R q 1 S (r ) 1 E dl dS P 4 R 0 dl aR dR 40 S R l (r ) 1 dl E 40 l R
电位函数
静电场的旋度 电场力做功
电场强度
电通密度(电感应强度) 电通量
高斯定律
2.2.1
电通密度
电通密度与电通量
电感应强度,或电位移矢量
真空中, 它与电场强度的关系:
D 0E
D
电通量
(即通量的概念在电场中的应用)
D 所以, 表示单位面积上的电通量,称为电通密度。
D ds
P(r) R
dV
V
r
r
体积V内所有电荷在P(r)处所产 电场强度的矢量积分公式 生的总电场为
dq R dE S (3 r ) 1 E RdS 4 R 3 40 S 0 R ) R ( r V l (r ) 1 d V 3 E Rd l 3 4 R 4 l 0R
(2)面电荷
q l lim l 0 l
(3)体电荷
S q 体电荷密度(Charge Volume Density): V lim V 0 V
S 0
S lim
分布电荷所产生的电场强度 设电荷以体密度ρV(r′)分布在体积V内。在V内取一微小体 积元dV′,其电荷量dq=ρV(r)dV′,将其视为点电荷,则它 在场点P(r)处产生的电场为
用旋度描述电场:
电位函数
静电场的旋度 电场力做功
( E) ds E dl
s l
E d l 0 c 电通量 qE dl F dl W 0
c c 高斯定律
小 结
用散度描述电场: 库仑定律 用旋度描述电场:
电位函数
E
D v
D d s Q dv v
s v
E 0
E dl 0
c
2.3 电介质的极化与电通量密度
平板电容器电压变小
0
电介质
0
2.3 电介质的极化与电通量密度
一、 静电场中的物质
1. 静电场中的导体(如金属) 二、 电介质中的基本方程 (1 )导体内部任何一点的场强都等于零
q 1 1 q r1 r2 40 r2 r1 40 r1r2
d
r r1
qd cos 40 r 2
O
y 定义电偶极矩矢量的大小 为 p=qd,方向由 负电荷指向正电荷,即 p az qd则P点的电 位可以写成下列形式:
x
qd cos p ar 2 40 r 40 r 2
电子云
无极分子
He
原子核
2.有极分子( polar molecule) 在无外场作用下存在固有电矩.例如H2O Hcl CO SO2 因无序排列对外不呈现电性. H2O
有极分子
O
H
H
Pe
极化的结果在电 介质的内部和表 面形成极化电荷, 这些极化电荷在 介质内激发与外 电场方向相反的 电场
无外场下,所具有的电偶极矩称为固有电偶极矩. 在外电场中产生感应电偶极矩.
2、电场强度 E的切向分量(即平行于分界面的分
量),满足的边界条件。
1. 电通密度 D 的法向分量,满足的边界条件
D ds Q s D ds D1 nS D2 nS
取负梯度得电偶极子在P点处的电场强度为 p E (ar 2 cos a sin ) 3 40 r
z
> 0
电 力线
y 零电位面
电偶极子的电场线
< 0
qd cos 40 r 2
2.2
库仑定律
静电场的基本方程
用旋度描述电场:
用散度描述电场:
1. 平行双导线,单位长度的电容
2. 同轴线内外导体间,单位长度的电容 3.
例
且
d
两半径为 R 的平行长直导线中心间距为 d , R, 求单位长度的电容 .
E E E E 2π 0 x 2π 0 (d x) d R d R P 1 1 U Edx ( )dx x 2 π x d x 0 x dx R R d R d E ln ln E π 0 R π 0 R d 单位长度的电容 C π 0 ln d
解 设两金属线的电荷线密度为
2R
o
U
R
圆柱形电容器
( 2) E , ( RA r RB ) 2π 0 r R dr Q RB ( 3) U ln R 2π r 2π 0l RA 0
B A
(1)设两导体圆柱面单位长度上 分别带电 Q/l
2.1 电场强度与电位函数
• 库仑定律 • 电场强度 • 电位函数 • 电偶极子
2.1.1 库仑定律
库 仑 定 律 ( Coulom‘s Law) 是静电现象的基本实验定律, 表明固定在真空中相距为 R的 两点电荷q1与q2之间的作用力: 正比于它们的电荷量的乘积; 反比于它们之间距离的平方; 作用力的方向沿两者间的连 线;两点电荷同性为斥力, 异性为吸力。 q1q2 q1q2 F12 aR R 2 3 40 R 40 R