[整理]二氧化硅工艺规程.
二氧化硅制备
二氧化硅制备二氧化硅是一种重要的无机化合物，化学式为SiO2。
它在自然界中广泛存在，是许多岩石和矿石的主要成分之一。
二氧化硅也被广泛应用于工业生产和科学研究中。
制备二氧化硅的方法有多种，下面将介绍几种常见的方法。
1. 硅石熔融法硅石熔融法是制备二氧化硅最常用的方法之一。
首先将硅石粉碎成粉末，并加入一定比例的氢氧化钠或氢氧化钾作为熔剂。
然后，在高温下将硅石和熔剂混合熔融，使其反应生成硅酸钠或硅酸钾。
随后，将得到的硅酸钠或硅酸钾溶液与酸反应，生成二氧化硅沉淀。
最后，将沉淀经过过滤、洗涤和干燥等步骤，得到纯净的二氧化硅。
2. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种常用的低温制备二氧化硅的方法。
首先，将适量的硅源（如硅酸酯）溶解在有机溶剂中，形成胶体溶液。
然后，在适当的温度下，通过水解、缩聚等反应，使溶液中的硅源逐渐聚合成二氧化硅凝胶。
最后，将凝胶进行热处理，去除有机物，并得到纯净的二氧化硅。
3. 气相法气相法是一种高温制备二氧化硅的方法。
在这种方法中，将硅源（如硅酸酯）蒸发成气态，然后与氧气反应生成二氧化硅。
反应过程通常在高温和低压下进行，以促进反应的进行。
气相法制备的二氧化硅通常具有较高的纯度和较细的颗粒大小。
4. 水热法水热法是一种在高温高压水环境下制备二氧化硅的方法。
首先，在适当的温度和压力下，将硅源（如硅酸酯）和溶剂（如水）混合，并进行加热。
在水热反应的条件下，硅源会逐渐水解和缩聚，生成二氧化硅。
水热法制备的二氧化硅通常具有较高的纯度和较大的比表面积。
除了以上几种常见的制备方法，还有其他一些方法可以用于制备二氧化硅，如电解法、溶液法等。
每种方法都有其适用的场景和特点。
在工业生产中，根据不同的需求和要求，可以选择合适的制备方法。
二氧化硅是一种重要的无机化合物，具有广泛的应用价值。
通过不同的制备方法，可以得到纯净的二氧化硅，并应用于各个领域，如材料科学、化学工程、电子技术等。
未来，随着科学技术的不断发展，制备二氧化硅的方法也将不断创新和改进，以满足人们对不同性质二氧化硅的需求。
还原二氧化硅工艺
还原二氧化硅工艺二氧化硅是一种重要的无机化合物，广泛应用于电子、光学、化工等领域。
还原二氧化硅工艺是将二氧化硅还原为纯度较高的硅的过程，下面将介绍该工艺的基本原理和步骤。
一、工艺原理还原二氧化硅工艺的基本原理是通过将二氧化硅与还原剂反应，使二氧化硅分解生成硅和氧气。
常用的还原剂包括纯碳、氢气等。
具体反应方程式如下所示：SiO2 + C → Si + CO2SiO2 + 2H2 → Si + 2H2O二、工艺步骤1. 原料准备：将二氧化硅原料进行筛分和洗涤，去除杂质，使其纯度达到要求。
2. 混合反应：将经处理的二氧化硅原料与还原剂按一定比例混合，形成反应物。
3. 加热反应：将混合物加热至一定温度，使反应发生。
反应温度一般在1500℃以上，可根据具体情况进行调整。
4. 分离处理：经过加热反应后，得到的产物中含有硅和氧气，需要对其进行分离。
通常采用物理方法，如冷却、过滤等，将氧气与硅分离开来。
5. 精炼处理：分离出的硅还需要进行精炼处理，以提高其纯度。
精炼方法包括熔炼、晶体生长等，可以根据产品的要求选择合适的方法。
6. 产品制备：经过精炼处理后，得到的硅可以进行进一步加工，制备成不同形状和规格的产品，如硅片、硅棒等。
三、工艺优化为了提高还原二氧化硅工艺的效率和产品质量，可以进行一些优化措施。
以下是一些常用的优化方法：1. 优化原料：选择纯度高、颗粒均匀的二氧化硅原料，以减少杂质对反应的影响。
2. 优化反应条件：调整反应温度、时间和还原剂用量等参数，以提高反应效率和产物质量。
3. 优化分离处理：改进分离方法，提高氧气与硅的分离效果，减少产品中的氧含量。
4. 优化精炼处理：选择合适的精炼方法，提高产品的纯度和均匀性。
5. 优化产品制备：改进加工工艺，提高产品的形状和尺寸精度，以满足不同应用领域的需求。
通过以上优化措施，可以提高还原二氧化硅工艺的效率和产品质量，促进二氧化硅在各个领域的应用。
总结还原二氧化硅工艺是将二氧化硅还原为纯度较高的硅的过程。
二氧化硅工艺规程
编码：产品工艺规程二氧化硅Eryanghuagui2011－10月制定山西驭龙制藥有限公司山西驭龙制药有限公司二氧化硅工艺规程颁发部门：修订草人：审核人：批准人：质量部生效日期：起草日期：审核日期：批准日期：分发部门质量部、生产部、综合辅料车间变更摘要：1、目的、范围及责任目的：制订二氧化硅生产工艺规程，以提供生产车间组织生产和进行生产操作的依据。
适用范围：二氧化硅的生产。
责任：生产车间按该工艺规程组织生产和按该规程编制标准操作程序，生产技术部、质量部负责监督该规程的实施。
2、引用标准2.1中华人民共和国药典（2010版）二部3、产品名称及剂型：3.1产品名称：二氧化硅3.2汉语拼音：Eryanghuagui3.3剂型：药用辅料4、产品概述：4.1性状：本品为白色疏松的粉末；无臭、无味。
4.2用途：助流剂和助悬剂。
4.3包装规格：25kg/袋。
4.6有效期：24个月。
4.7贮藏：密闭保存。
5. 产品处方：5.1工艺处方粗品二氧化硅100g共制成 97.5g5.2 生产处方：粗品二氧化硅 1026kg共制成 1000kg6.工艺流程图 6.1. 工艺流程120℃ 40分钟120目7、制剂操作过程和工艺条件7.1取工艺处方中粗品二氧化硅至灭菌罐中，加温至120℃灭菌40分钟，再过120目的筛粉碎，即得。
8、批 量8.1 根据我公司综合辅料车间不锈钢炒锅的空白物料验证，结合本公司实际情况，试生产批量定为1吨，符合GMP 规范的批量划分原则。
8.2 每 批：1吨。
9、生产工艺及操作要求 9.1原料处理：9.2备 料：按批生产指令批用料量进行备料，准确称取粗品二氧化硅1000kg ， 贴上状态标志，并作好记录。
9.3灭菌将物料放入灭菌罐中，设定灭菌温度为120℃，灭菌时间控制40分钟。
灭菌过程中要随时注意观察容器内物料情况，并不断搅拌，防止结块。
每次开机前，检查无误后，方可进行干燥操作。
换品种清场时，要彻底清洗。
二氧化硅光波导膜材料的制备工艺
二氧化硅光波导膜材料的制备工艺首先，准备所需的原料和设备。
原料包括二氧化硅溶胶、有机硅预聚体、甲基异丙基醇、甲基丙烯酸、二甲基异丙醇胺等。
设备包括反应釜、磁力搅拌器、干燥箱、涂布机等。
第一步，制备二氧化硅溶胶。
将二氧化硅溶胶加入反应釜中，加入适量的甲基异丙醇胺作为催化剂，然后用磁力搅拌器进行搅拌。
控制反应温度在室温下，保持搅拌5-6小时，直到溶胶彻底稳定。
第二步，制备有机硅预聚体溶液。
将有机硅预聚体加入甲基丙烯酸中，加入甲基异丙基醇作为溶剂，进行混合搅拌，直到形成均匀的溶液。
第三步，制备二氧化硅光波导膜。
将二氧化硅溶胶和有机硅预聚体溶液按照一定的配比混合，得到二氧化硅光波导膜材料混合溶液。
然后将混合溶液倒入涂布机中，用匀涂刀将溶液均匀地铺在衬底上。
控制涂布速度和涂布厚度，以确保涂布均匀。
第四步，烘干和固化。
将涂布好的材料放入干燥箱中，进行烘干和固化。
控制温度和时间，以确保材料中的溶剂和水分完全揮发，二氧化硅和有机硅形成稳定的结构。
第五步，表面处理。
将固化好的二氧化硅光波导膜进行表面处理，以去除可能存在的不纯物质和光学散射源。
常用的表面处理方法包括化学机械抛光和等离子体刻蚀等。
最后，对制备好的二氧化硅光波导膜进行测试和性能评价。
常用的测试方法包括扫描电镜观察膜的微观形貌，透射光谱测试膜的光学特性，以及光波导器件的性能测试等。
通过以上的工艺步骤，可以得到一种制备二氧化硅光波导膜材料的常用方法。
这种制备方法简单易行，成本低廉，能够制备成高质量的二氧化硅光波导膜材料，使其在光通信和光学传感等领域具有广泛的应用价值。
二氧化硅到硅的工艺流程
二氧化硅到硅的工艺流程英文回答：The process of converting silicon dioxide into silicon involves several steps. Here is a brief overview of the process:1. Purification of silicon dioxide: The first step is to purify the silicon dioxide (also known as silica) to remove any impurities. This is usually done by treating the silica with chemicals such as hydrochloric acid or sulfuric acid to dissolve impurities.2. Reduction of silicon dioxide: Once the silica is purified, it is then reduced to silicon through a process called carbothermic reduction. In this process, silica is mixed with carbon (usually in the form of coke) and heated to high temperatures in an electric arc furnace. The carbon reacts with the oxygen in the silica, resulting in the formation of carbon monoxide gas and silicon.3. Refining of silicon: The silicon obtained from the reduction process is not pure enough for most applications and needs further refining. This is typically done through a process called zone refining or fractional crystallization. In zone refining, a small amount of impurity is added to the silicon and then the mixture is slowly passed through a heated zone. As the impurities move along the zone, they are gradually removed, resulting in a more purified silicon.4. Crystal growth: The refined silicon is then used to grow single crystal ingots through a process called Czochralski method or floating zone method. In the Czochralski method, a seed crystal is dipped into molten silicon and slowly pulled out, allowing a single crystal to grow. In the floating zone method, a small molten zone is created in the silicon rod and moved along the rod, allowing a single crystal to form.5. Wafer production: The single crystal ingots are then sliced into thin wafers using a diamond saw. These wafersserve as the base material for the production of electronic devices such as integrated circuits.6. Cleaning and polishing: The wafers are thoroughly cleaned to remove any contaminants and then polished to achieve a smooth surface.7. Doping: The final step in the process is to introduce impurities into the silicon wafers through a process called doping. This is done by exposing the wafers to specific gases or by ion implantation. Doping is essential for controlling the electrical properties of the silicon and enabling the fabrication of various types of electronic devices.中文回答：将二氧化硅转化为硅的工艺流程包括以下几个步骤：1. 二氧化硅的纯化，首先需要对二氧化硅（也称为二氧化硅）进行纯化，以去除任何杂质。
二氧化硅薄膜溅射技术生产工艺流程
二氧化硅薄膜溅射技术生产工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor.I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!二氧化硅薄膜的溅射技术生产工艺流程详解二氧化硅薄膜是半导体、光学和微电子等领域中广泛应用的重要材料，其溅射技术生产工艺流程是一种高效且精确的制备方法。
球形二氧化硅生产工艺
球形二氧化硅生产工艺引言球形二氧化硅是一种重要的材料，广泛应用于化工、建筑、电子、医疗等领域。
其特点是具有均匀的颗粒大小和高度的球形度，这使得它在各种应用中表现出色。
本文将深入探讨球形二氧化硅的生产工艺，包括原材料选择、生产过程、应用领域等方面，以帮助读者更全面地理解这一材料的制备过程和应用。
原材料选择球形二氧化硅的制备过程始于原材料的选择。
通常情况下，硅源可以是硅酸盐矿物，如硅灰石，或者是硅源化合物，如硅酸钠。
生产球形二氧化硅所需的溶剂通常是水。
这些原材料的选择对最终产品的质量和成本起着重要作用。
硅酸盐矿物通常需要经过矿石的破碎、磨碎和浸出等步骤，以提取硅源。
硅酸钠则需要与酸反应来制备硅源。
在这一步骤中，原材料的质量和纯度对最终产物的质量有着直接影响。
生产过程湿法制备湿法制备球形二氧化硅是一种常见的方法。
该过程包括以下主要步骤：1.硅源溶解：将选定的硅源与酸反应，产生硅酸。
2.沉淀：硅酸沉淀成硅酸二氧化硅。
3.沉淀处理：沉淀物通常需要经过过滤、洗涤和干燥等处理步骤，以获得球形二氧化硅颗粒。
这种湿法制备方法可产生均匀的球形二氧化硅颗粒，但需要大量的水和能源。
气相法制备气相法制备球形二氧化硅通常包括以下步骤：1.硅源蒸发：硅源物质在高温条件下蒸发成气体。
2.气体凝结：硅源气体冷却并凝结成球形颗粒。
这种方法节省了大量水资源，但要求严格的温度和气氛控制，以获得均匀的球形颗粒。
应用领域球形二氧化硅在多个领域中有着广泛的应用，以下是一些主要应用领域：化工工业球形二氧化硅常用作催化剂或吸附剂，用于化工反应中。
其均匀的颗粒大小和高比表面积使其成为理想的催化剂载体。
建筑材料在建筑材料领域，球形二氧化硅可以用于制备高性能混凝土和水泥，提高其强度和耐久性。
电子工业在电子工业中，球形二氧化硅广泛应用于半导体制造过程中，用作掩膜材料、绝缘材料和填充材料。
医疗领域球形二氧化硅还用于生产药物载体、药物输送系统和医用材料，其生物相容性使其在医疗领域备受欢迎。
纳米二氧化硅保温毡技术规程
纳米二氧化硅保温毡技术规程本规程是为了规范纳米二氧化硅保温毡技术在工程领域的具体应用，确保其安全可靠、高效节能、环保健康等方面的要求，制定的管理性文件。
规程主要包括以下几个方面：
1、技术指标：对纳米二氧化硅保温毡的物理、化学、机械等性能指标进行规定，确保其达到相关标准要求，并具备优越的性能表现；
2、施工规范：针对纳米二氧化硅保温毡施工过程中的各个环节进行明确的规定，包括施工前的准备、施工时的操作流程、防护措施、验收要求等内容，确保施工过程中的安全稳定和质量合格；
3、质量控制：规定纳米二氧化硅保温毡在生产加工过程中的质量控制要求，包括原材料的筛选、配比、加工、检测等环节，确保其生产工艺和质量达到标准要求；
4、使用与维护：规定纳米二氧化硅保温毡在使用过程中的维护保养要求，及时修补替换受损部分，延长保温性能使用寿命，从而确保其稳定可靠的使用效果。
纳米二氧化硅保温毡技术规程的制定，对于提高建筑保温施工质量、推广环保节能新技术、增进人民群众生产生活质量，具有非常重要的意义。
二氧化硅的工艺流程
二氧化硅的工艺流程英文回答：The process of producing silicon dioxide, also known as silica, involves several steps. Silica is a compound madeup of silicon and oxygen atoms, and it is widely used in various industries such as electronics, construction, and glass manufacturing.The first step in the process is the extraction of silicon from silicon-rich materials such as quartz. Quartzis a mineral that contains a high amount of silicon dioxide. To extract silicon, the quartz is crushed into small pieces and then heated at a high temperature in the presence of carbon. This process, known as carbothermic reduction, allows the silicon to separate from the oxygen in thequartz and form silicon metal.Once the silicon is obtained, it undergoes further purification to remove impurities. This purificationprocess involves several steps, including the use of acid leaching or chemical reactions to remove any remaining impurities. The purified silicon is then converted into a silicon compound, usually silicon tetrachloride (SiCl4), through a reaction with chlorine gas.The next step is the production of silica gel, which is a porous form of silicon dioxide. Silica gel is commonly used as a desiccant, or a substance that absorbs moisture. To produce silica gel, the silicon tetrachloride is reacted with water in a controlled environment. This reaction produces a gel-like substance, which is then dried and processed to obtain the final silica gel product.Another important process in the production of silicon dioxide is the manufacturing of fused silica. Fused silica is a high-purity form of silica that is used in the production of optical fibers, semiconductor components, and other high-tech applications. To produce fused silica, the silica gel is heated to a high temperature and melted. The molten silica is then cooled and solidified to form aglass-like material.In addition to these processes, there are various other methods for producing silicon dioxide, such as the sol-gel process and the vapor deposition method. These methods involve different chemical reactions and techniques to produce silicon dioxide with specific properties and characteristics.中文回答：二氧化硅的生产工艺包括几个步骤。
气相二氧化硅生产工艺
气相二氧化硅生产工艺
气相二氧化硅是一种用于微电子制造、光纤制造和太阳能电池等高科技领域的重要材料。
以下是气相二氧化硅生产工艺的步骤及过程。
首先，原料的制备。
气相二氧化硅的主要原料是硅源，一般采用硅化物作为硅源，如硅酮和三甲基硅烷。
原料需要经过净化和纯化处理，以提高二氧化硅的纯度。
其次，反应器的准备。
反应器通常采用化学气相沉积（CVD）工艺，需要准备特殊的反应器设备。
反应器的材料需要具备良好的耐高温性能和化学稳定性，常用的材料有石英和陶瓷。
然后，反应器的预处理。
预处理过程包括保养、清洗和烘烤等步骤，以确保反应器内的环境干净、无杂质，并使反应器达到理想的工作温度。
接下来是气相沉积。
气相二氧化硅的生产依赖于气相沉积技术，该过程是在特定的温度和压力下，将硅源气体中的硅原子和氧源（如氧气或二氧化氮）气体通过化学反应生成二氧化硅，然后在反应器壁上沉积下来。
最后是后处理。
在沉积结束后，需要进行后处理步骤，包括冷却、清洗和检测等工序。
冷却过程是将反应器内的温度降至室温以下，以防止二氧化硅再次反应。
清洗过程是将反应器内的残留物清洗干净，以保证下一次生产的品质。
检测过程是对生产的二氧化硅进行质量检查，以确保产品符合要求。
综上所述，气相二氧化硅的生产工艺包括原料的制备、反应器的准备、反应器的预处理、气相沉积和后处理等步骤。
这些步骤的精确控制和操作能力对于获得高质量的二氧化硅产品至关重要。
生产二氧化硅的工艺流程化学
生产二氧化硅的工艺流程化学下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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二氧化硅生产工艺流程
二氧化硅生产工艺流程一、原材料准备二氧化硅的主要原材料是石英砂，其含量应在99%以上。
同时还需要一定量的碳素材料作为还原剂。
原材料应进行筛分、洗涤等处理，确保质量符合要求。
二、石英砂还原将经过处理的石英砂和碳素材料按一定比例混合后送入电弧炉中进行还原反应。
电弧炉内加入高温电弧，使混合物产生高温反应，生成二氧化硅和一氧化碳等物质。
三、冷却与分离还原反应后，产生的气体混合物需要进行冷却和分离。
首先将混合物送入冷却器中降温，使气体中的二氧化硅凝结成颗粒状物质。
然后通过分离器对固体颗粒和剩余气体进行分离。
四、精细处理通过上述步骤得到的固体颗粒仍然存在一定程度上的杂质和不纯度。
因此需要对其进行精细处理。
首先将颗粒送入球磨机中进行细碎和混合，使其更加均匀。
然后通过浮选、磁选等方法将杂质和不纯物质分离出去，得到高纯度的二氧化硅颗粒。
五、成品包装经过精细处理后得到的高纯度二氧化硅颗粒需要进行包装。
一般采用塑料袋或铁桶等方式进行包装，并在外部进行标识和质量检测等工作。
六、环保措施在生产过程中，应采取一系列环保措施，减少废气和废水的排放。
例如，在电弧炉中加入适量的氧气，使反应更加充分，减少一氧化碳等有害物质的产生；同时还要对废水进行处理，达到国家相关标准。
七、安全措施二氧化硅生产过程中存在一定风险，因此需要采取一系列安全措施。
例如，在电弧炉操作时要注意防火防爆；在精细处理环节中要注意防止静电火花引起爆炸；同时还要对工人进行安全培训和防护措施等工作。
以上便是二氧化硅生产的详细流程。
通过原材料准备、石英砂还原、冷却与分离、精细处理、成品包装等环节的有机结合，可以生产出高纯度的二氧化硅，为人们的生产和生活提供了重要的物质基础。
同时，在生产过程中需要注意环保和安全等问题，确保生产过程安全可靠。
sio2湿法刻蚀工艺
sio2湿法刻蚀工艺Sio2湿法刻蚀工艺引言：Sio2湿法刻蚀工艺是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体器件制造和微电子技术领域。
本文将就Sio2湿法刻蚀工艺的原理、步骤和应用进行详细阐述，以便读者对该工艺有更深入的了解。
一、Sio2湿法刻蚀工艺的原理Sio2湿法刻蚀工艺是通过将硅基片浸泡在含有化学溶液的反应槽中，利用化学反应来去除硅基片上的Sio2膜。
该工艺的刻蚀速率可通过调节溶液中的温度、浓度和搅拌等因素来控制。
二、Sio2湿法刻蚀工艺的步骤Sio2湿法刻蚀工艺包括预处理、刻蚀和清洗等步骤。
1. 预处理：在进行Sio2湿法刻蚀前，需要对硅基片进行预处理。
首先，将硅基片放入去离子水或酸性溶液中进行清洗，去除表面的杂质和有机物。
然后，将硅基片放入HF酸中进行去氧化处理，以去除硅基片表面的氧化层。
2. 刻蚀：预处理后的硅基片放入含有刻蚀溶液的反应槽中进行刻蚀。
刻蚀溶液通常由HF酸和H2O2氧化剂组成。
刻蚀过程中，HF酸起到去除Sio2膜的作用，而H2O2氧化剂则提供刻蚀反应所需的氧气。
3. 清洗：刻蚀完成后，需要对硅基片进行清洗，以去除残留的刻蚀溶液和产生的杂质。
一般采用纯水或酸性溶液进行清洗，然后用氮气吹干硅基片。
三、Sio2湿法刻蚀工艺的应用Sio2湿法刻蚀工艺在半导体器件制造和微电子技术领域具有广泛的应用。
1. 刻蚀掩膜制备：Sio2湿法刻蚀可用于制备掩膜。
在制备半导体器件中，需要在硅基片表面涂覆一层Sio2膜作为掩膜，然后通过刻蚀去除掩膜上不需要的部分，从而形成所需的器件结构。
2. 制备微纳结构：Sio2湿法刻蚀还可用于制备微纳结构。
通过在硅基片上涂覆一层Sio2膜，并利用刻蚀工艺去除不需要的部分，可以制备出微纳米尺度的结构，如微通道、微孔等。
3. 表面处理：Sio2湿法刻蚀还可用于表面处理。
通过刻蚀硅基片表面的Sio2膜，可以改变硅基片的表面性质，如增加表面粗糙度、改变表面能等，从而实现对硅基片的功能改善。
(整理)气相二氧化硅的制备方法及其特性
气相二氧化硅的制备方法及其特性1 前言二十世纪初，橡胶工业的补强填料主要是氧化锌，到二十年代，炭黑的试制成功开创了橡胶的补强新时代。
炭黑的使用，使得橡胶的力学性能得到极大的提高，然而其最大的缺点是黑色，不能用于制备浅色或彩色制品。
直至四十年代，德国Degussa公司成功开发出以四氯化硅在氢氧焰中高温水解制备气相二氧化硅的工艺，才打破了黑色橡胶一统天下的局面，气相二氧化硅在橡胶工业尤其是硅橡胶行业中得到了极大的应用。
经历了几十年的发展，目前气相二氧化硅的制造已经达到非常高的水平，在产品的粒径、表面化学性质等方面的控制水平大大提高，朝着功能化、可设计化方向发展。
目前气相二氧化硅的制备核心技术和市场主要由德国、美国和日本几大公司控制，此外乌克兰和我国也有少量生产。
我国的气相二氧化硅工业起步较晚，目前生产气相二氧化硅的公司主要有沈阳化工股份有限公司，天津市蓟县松林白碳黑厂，广州吉必时科技实业有限公司和上海氯碱化工股份有限公司。
我国气相二氧化硅的生产和表面处理水平都与国外有很大的差距。
2 气相二氧化硅的制备方法气相二氧化硅是由卤硅烷（如四氯化硅、四氟化硅、甲基三氯化硅等）在氢氧焰中高温水解生成二氧化硅粒子，然后骤冷，颗粒经过聚集、分离、脱酸等后处理工艺而获得[1-3]。
在二十世纪六十至七十年代，气相二氧化硅主要是以四氯化硅为原料，生产工艺容易控制，但成本较高。
随着有机硅单体工业的发展，其副产物甲基三氯硅烷等的出路问题成了束缚其发展的瓶颈，它们一般是用于硅树脂和放水涂料，但是其用量有限，因此急需找到新的出路。
到八十年代，已经开发出以有机硅单体副产物或副产物和四氯化硅混合物为原料制备气相二氧化硅的工艺，这种工艺成本较低，社会经济效益较好。
气相二氧化硅新工艺的出现，改变了气相二氧化硅工业的发展模式，使得气相二氧化硅工业和有机硅单体工业之间的关系更加密切，它解决了有机硅单体工业副产物的出路问题，在气相二氧化硅生产过程中的副产物盐酸可返回有机硅单体合成车间用于单体的合成，而生产的气相二氧化硅产品则大部分用于有机硅产品的后加工，形成资源的循环利用。
二氧化硅到光伏板的工艺流程
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在开始二氧化硅到光伏板的制作流程之前，要做好充分的准备工作。
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编码：产品工艺规程二氧化硅Eryanghuagui2011－10月制定山西驭龙制藥有限公司山西驭龙制药有限公司二氧化硅工艺规程颁发部门：修订草人：审核人：批准人：质量部生效日期：起草日期：审核日期：批准日期：分发部门质量部、生产部、综合辅料车间变更摘要：1、目的、范围及责任目的：制订二氧化硅生产工艺规程，以提供生产车间组织生产和进行生产操作的依据。
适用范围：二氧化硅的生产。
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4.2用途：助流剂和助悬剂。
4.3包装规格：25kg/袋。
4.6有效期：24个月。
4.7贮藏：密闭保存。
5. 产品处方：5.1工艺处方粗品二氧化硅100g共制成 97.5g5.2 生产处方：粗品二氧化硅 1026kg共制成 1000kg6.工艺流程图 6.1. 工艺流程120℃ 40分钟120目7、制剂操作过程和工艺条件7.1取工艺处方中粗品二氧化硅至灭菌罐中，加温至120℃灭菌40分钟，再过120目的筛粉碎，即得。
8、批 量8.1 根据我公司综合辅料车间不锈钢炒锅的空白物料验证，结合本公司实际情况，试生产批量定为1吨，符合GMP 规范的批量划分原则。
8.2 每 批：1吨。
9、生产工艺及操作要求 9.1原料处理：9.2备 料：按批生产指令批用料量进行备料，准确称取粗品二氧化硅1000kg ， 贴上状态标志，并作好记录。
9.3灭菌将物料放入灭菌罐中，设定灭菌温度为120℃，灭菌时间控制40分钟。
灭菌过程中要随时注意观察容器内物料情况，并不断搅拌，防止结块。
每次开机前，检查无误后，方可进行干燥操作。
换品种清场时，要彻底清洗。
干燥完毕的物料装入到不锈钢桶中，称重，挂上粗品二氧化硅 包 装过 筛 充氮灭菌粉 碎物料卡，标明品名、批号、数量等，填写生产记录。
9.4 筛分：过120目的筛。
筛分完后做中间体检验。
过不了筛的物料回收。
9.5 内包装：核对聚乙烯塑料膜袋名、数量、检验单、包药规格与模具是否相符，核对无误后，按《BGL-101包装机标准操作规程》操作。
检查热缩机可以正常运转后，开始包装。
9.6 外包装：外包装前核对药品品名与包装物是否相符，核对内包装的检验报告单及产品批号、生产日期和有效期至等印字是否准确、清晰。
核对无误后按《GK35-6A袋口缝包机标准操作规程》操作，检查机器可以正常运转后，开始包装。
9.7入库：将检验合格的成品登记品名、批号、数量，缴入成品库，放置指定地点，批与批之间，不同品种之间应有明显界限不得混放。
10、质量监控工序监控点监控项目监控频次备料原辅料检验合格证、规格每批称量校验证、衡器、数量每次灭菌粉末温度、水分随时/班筛分粉末过120目随时/班包装粉末温度、压合、封包1-2次/班入库成品整洁，分区，数量每批11.工艺卫生和环境卫生11.1 工艺卫生人员进入不同生产区必须按相应的工作服更衣标准操作规程进行洗手、更衣、消毒方可进入相应生产区域。
物料进入不同生产区须按物料进入相应生产区域的标准操作规程从各自通道进入生产区。
备料、灭菌、筛分、内包装在洁净区内进行，外包装在一般生产区进行。
工场内墙壁、地面、天花板应平整、光滑，门窗应严密，并保持清洁。
工作前作好清洁，保持窗户明亮，无尘，地面无积水，无杂物，无与生产无关物品。
备料、、灭菌、筛分、内包装岗位工作服必须每周换洗两次，外包装岗位工作服每周换洗一次。
生产设备应保持清洁、无油、无尘埃，无跑、冒、滴、漏现象，所有生产设备均需持有卫生状态标识和运行状态标识卡。
11.2 环境卫生11.2.1一般生产区地面整洁，门窗玻璃、墙面、顶棚洁净完好，设备、管道、管线排列整齐并包扎光洁，无跑、冒、滴、漏现象，定期清洁、维修并记录。
设备、容器、工具按定置管理要求放置，并符合清洗标准。
生产场所不得吸烟，吃食品，不得存放与生产无关的物品和私人杂物。
不得大声喧哗。
11.2.2 30万级洁净区除符合以上一般生产区的要求外，还必须做到设备、容器、工具、管道保持清洁，经常消毒。
生产物料未彻底清洁前不得进入洁净区。
区域内的温、湿度控制应符合GMP的规定,一般温度为18-26℃，湿度45～65%。
质量部要指定专人定期检查本区域工艺卫生及洁净度，检查后并记录。
12.本产品工艺规程所需SOP名称和要求12.1.本产品工艺规程所需SOP编号SOP名称粉筛岗位标准操作规程灭菌岗位标准操作规程外包装岗位标准操作规程内包装岗位标准操作规程产品批号打印岗位标准操作规程电子秤标准操作规程不锈钢反应釜标准操作规程纯化水设备操作规程振动筛机操作规程袋口缝包机操作规程热缩机操作规程12.2 要求生产操作员应按照岗位SOP 所规定的内容操作。
QA 人员、生产管理员须依照相应SOP 规定项对生产过程严格监控。
13. 原辅材料、中间产品、成品质量标准和技术参数及贮存条件。
13.1、原辅料质量标准、贮存条件及复检前最长储存期品 名 执行标准贮 存 复检前最长贮存期粗品二氧化硅 HG2791-1996遮光，密封保存 2年13.2、半成品质量标准、成品法定标准、企业内控标准及依据： 13.2.1粗品二氧化硅质量标准检验项目 半成品质量标准性 状 应为乳白色的均匀粉末 干燥失重 减失重量不得过5.0%炽灼残渣 减失重量不得过干燥品重量的8.5% 重金属 含量不得过0.003%铅含量 含量不得过0.001%砷盐 应符合规定（0.0003%） 可溶性解离盐不得过4%含量按炽灼品计算，含SiO 2应不少于99.0% 贮存及贮存期限 置干燥处保存，贮存期限3个月。
包装机操作规程不锈钢反应釜清洁消毒标准操作规程交接班管理规程 批生产记录管理规程30万级洁净区清洁消毒标准操作规程 地漏清洁、消毒规程 电子秤保养规程 不锈钢炒锅保养规程 纯化水设备维护保养规程 振动筛机维护保养规程 袋口缝包机维护保养规程 水冷式螺杆机组维护保养规程 热缩机维护保养规程包装机维护保养规程13.2.3二氧化硅成品法定标准、企业内控标准及依据检验项目法定标准内控标准性状本品为白色疏松的粉末本品为白色疏松的粉末鉴别1、应呈正反应1、应呈正反应检查粒度通过七号筛（125um）的样品量应不低于供试量的85%通过七号筛（125um）的样品量应不低于供试量的85%氯化物与标准氯化钠溶液10.0ml制成的对照液比较，不得更浓（0.10%）与标准氯化钠溶液10.0ml制成的对照液比较，不得更浓（0.10%）硫酸盐与标准硫酸钾溶液5.0ml制成的对照液比较，不得更浓（0.5%）与标准硫酸钾溶液5.0ml制成的对照液比较，不得更浓（0.5%）铁盐与标准铁溶液3.0ml制成的对照液比较，不得过更深（0.015%）与标准铁溶液3.0ml制成的对照液比较，不得过更深（0.015%）干燥失重减失重量不得过5.0% 减失重量不得过5.0%重金属含重金属不得过百万分之三十含重金属不得过百万分之三十砷盐应符合规定应符合规定炽灼残渣减失重量不得过干燥品重量的8.5% 减失重量不得过干燥品重量的8.5% 酸碱度PH值应为5.0～7.0 PH值应为5.0～7.0含量按炽灼品计算，含SiO2应不少于99.0% 按炽灼品计算，含SiO2应不少于99.0%贮藏密闭、干燥处贮存13.2.4包装材料质量标准及内包材包装材料执行标准聚乙烯塑料膜YBB00072005聚乙烯塑料袋GB/T 8946-1998 14.所需进行验证关键工序及工艺验证具体要求类别序号名称主要验证内容工艺1 设备清洗物理检查、残留量、微生物限度验证、清洁效期验证2 产品工艺粉碎、细分、灭菌、包装验证15、原辅料消耗定额原辅料利用率≥95%品名定额%粗品二氧化硅 116、包装材料消耗定额：每1吨（40袋）包装物名称单位理论用量消耗率% 聚乙烯塑料膜个40 0.1% 聚乙烯塑料袋个40 0.1%17、物料平衡17.1筛分工序平衡计算：实出量+剩余量领用总量×100%要求限度：99%≤限度≤100%17.2包装工序平衡计算：包装品量+剩余量待包装总量×100%要求限度：99%≤限度≤100%17.3总成品率实际总成品数理论总成品数×100%要求限度：≥95%17.4要求收率：如超出上述范围，应查明原因，在小偏差范围内，应及时上报车间主任和QA监督员进行处理，并填写偏差记录；出现较大偏差时，应及时上报生产技术部和质量部进行处理。
平衡：当包装材料平衡率和产品平衡率不在此范围内时，应查及时明原因，填写偏差记录，并上报生产技术部和质量部进行处理。
18.设备一览表及生产能力名称型号生产能力数量包装称BGL-101 120袋/小时 1 袋口缝包机GK35-6A120袋/小时 1纯化水设备FSJ42R-2XB 2000kg/次 1 不锈钢反应釜CG300 500kg/次 1 振动筛机S49-500-S 2000kg/小时 119. 技术安全及劳动保护19.1设备安全19.1.1一切带压力的设备均应定期检查，压力表、安全阀是否灵敏可靠，设备均不得超负荷工作。
19.1.2 各种机械设备应定时维护保养。
19.1.3机械运转部位严禁摆放其它物品。
且运转时操作人员不得离开工作岗位，如发现问题及时停机，向车间领导反应，加以解决。
19.1.4机械设备检修时，应切断电源及其与电源有关管道（如水等），以免发生意外。
19.1.5新工人到车间上岗，必须进行技术安全教育，由车间指定专人带2-3个月，经车间岗位技术考核合格后方可单独上岗操作。
19.2安全用电19.2.1线路应保证完好，不得有任何裸露，以防发生意外事故。
电闸（开关）附近严禁摆放其它物品。
各种电器设备均应防止受潮漏电。
19.2.2所有电器设备禁止非电工人员拆弄，如发生异常应立即通知电工处理。
19.2.3不得用湿手拉闸、合闸。
19.3.防火防爆19.3.1消防器材应放置于指定地点，车间所有人员均应懂性能、会使用。
19.3.2所有压力表、温度计随时查看是否在正常范围内，以每6个月核校一次。
19.3.3疏水管、排气管应随时保持畅通。
19.3.4车间易燃物品（如酒精）不得在电器开关附近存放或使用。
20.劳动组织与岗位定员、标准生产周期岗位定员(人) 生产周期（小时）工艺员 1 1车间办公室 1称量、配料 2 1灭菌、筛分 4 10内包装 2 2外包装 4 2合计14 1621、环境保护21.1生产中产生的废水进入本厂总废水管道，经处理后排放。