数字平板探测器培训..

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选择DR必然考虑到平板探测器的选择,平版探测器的性能指标会对图像 产生很大的影响。
目前市场上存在的平板探测器主要有两种: 非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器,从能量转换的方式来看,前者 属于直接转换平板探测器,后者属于间接转换平板探测器。
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概述
非晶硒平板探测器主要由非晶硒TFT构成。入射的X射线 使硒层产生电子空穴对,在外加偏压电场作用下,电子和 空穴对向相反的方向移动形成电流,电流在薄膜晶体管中 形成储存电荷量对应于入射X射线的剂量,通过读出电路 可以知道每一点的电荷量,进而知道每点的X射线剂量。 由于非晶硒不产生可见光,没有散射线的影响,因此可以 获得比较高的空间分辨率。
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概述
影响非晶硅平板探测器的图像质量的因素
-影响非晶硅平板探测器DQE的因素主要有两个方面:闪烁体的涂层和晶体管。 首先闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力,因此对DQE 会产生影响,目前常见的闪烁体涂层材料有两种:碘化铯和硫氧化钆。碘化铯 对X线的转换效率要高于硫氧化钆,但是碘化铯的成本比较高,将碘化铯加工成 柱状结构,可以进一步提高捕获X线的能力,并减少散射光。使用硫氧化钆做 涂层的探测器成像速度快,性能稳定,成本较低,但是转换效率不如碘化铯。 -其次将闪烁体产生的可见光转换成电信号的方式也会对DQE产生影响,薄膜 晶体管FTF的设计及工艺也会影响探测器的DQE。 -影响非晶硅平板探测器空间分辨率的因素:由于可见光的产生,存在散射现象 ,空间分辨率不仅仅取决于对散射光的控制技术。总的来说,间接转换平板探 测器的空间分辨率不如直接转换型平板探测器高。
平板探测器的主要指标
有效像素尺寸,如143um
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非晶硅平板探测器
非晶硅平板探测器 DQE 曲线
非晶硒平板探测器 DQE 曲线
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概述
由于DQE影响图像的对比度,空间分辨率影响图像对细节的分辨能力,在临床 应用中用应根据不同的检查部位来选择不同类型的平板探测器,对于像胸部这 样的检查,重点在于观察和区分不同组织的密度,因此对密度分辨率的要求 比较高,在这种情况下,宜使用非晶硅平板探测器的DR,这样DQE比较高,容 易获得较高对比度的图像,更有利于诊断;对于乳腺检查,需要对细节要有较 高的显像,对空间分辨率的要求很高因此宜采用非晶硒平板探测器,以获取高 空间分辨率的图像,目前绝大多数厂家的数字乳腺机都采用了非晶硒平板探测 器。
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概述
影响非晶硒平板探测器的图像质量的因素 -X线转换成电信号完全依赖于非晶硒层产生的电子空穴对,DQE的高低取决于 非晶硒产生的电荷能力。 -由于没有可见光的产生,不发生散射,空间分辨率取决于单位面积内薄膜晶体 管矩阵大小,矩阵越大薄膜晶体管的个数越多,空间分辨率越高,随着工艺的 提高可以做到很高的空间分辨率。
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概述
非晶硅平板探测器主要由碘化铯等闪烁涂层与薄膜晶体管(TFT) 构成。它的工作过程一般分为两步,首先闪烁晶体涂层将X射线能量 转换成可见光,其次TFT将可见光转换成电信号,由于在这个过程中 可见光会发生散射,对空间分辨率产生一定的影响,虽然新工艺中将 闪烁体加工成柱状以提高对X线的利用及降低散射,但散射光对空间 分辨率的影响不能完全消除。
数字平板探测器
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概述 非晶硅平板探测器介绍 非晶硅平板探测器厂家及类型
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概述源自文库
在平板DR数字化摄影中,X线能量转换成电信号是通过平板探测器 (Flat panel Detector)来实现的,所以平板探测器的特性会对DR图像质 量产生比较大的影响。
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非晶硅平板探测器
探测器为外围电路
探测器为外围电路由:时序控制器,行驱动电路,读出电路,A/D转换电路 ,通讯及控制电路组成。在时序控制器的统一指挥下行驱动将像素的电荷逐行 检出,经A/D转化电路转化成数字信号,由网络通讯接口发送至PC。
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非晶硅平板探测器
平板探测器的内部
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非晶硅平板探测器
非晶硅平板探测器组成:闪烁体、a-si FTF阵列、采集控制电路 非晶硅平板探测器获取一幅图像主要分为以下三步: -X 射线经过闪烁体转化为可见光。 -可见光经过A-SI FTF光电转换为电信号进行存储。 -电信号经过读出电路读出并经AD转换形成数字信号,传至计算机形成 数字图像。
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非晶硅平板探测器
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概述
由于早期非晶硒平板探测器制作工艺存在缺陷,大面阵探测器的稳定性较差 在市场占有率逐年减少,DR市场上主要以非晶硅平板探测器为主。 目前非晶硒平板探测器主要用于乳腺DR上。 以下主要介绍非晶硅平板探测器。
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概述 非晶硅平板探测器介绍 非晶硅平板探测器厂家及类型
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非晶硅平板探测器
闪烁体材料主要有:碘化铯(CSI:TI)、硫氧化钆( Gd2O2S:Tb)
柱状碘化铯(CSI:TI) 碘化铯和硫氧化钆发射光谱与 a-si光电二极管量子效率谱均在 波长550nm处出现峰值具有很好 的匹配性 使用CsI做涂层的探测器转换效率 比硫氧化钆涂层高。
硫氧化钆
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非晶硅平板探测器
A-si TFT 由具有光敏性的非晶硅光电二极管及不能感光 的三级管、行驱动线和列读出线构成
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概述
量子检测效率DQE与空间分辨率的关系 -对于同一种平板探测器,在不同的空间分辨率时,其DQE是变化的,极限的 DQE高,不等于在任何空间分辨率时DQE都高,DQE的计算公式如下: DQE=S2*MFT2/NSP*X*C S:信号平均强度,MFT是调制传递函数,X是X线曝光强度,NPS是系统噪声 功率谱,C是X线量子系数。 从公式可以看出在不同的MTF值中对应不同的DQE,也就是说在不同的空间分 辨率时有不同的DQE。
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概述
-非晶硅平板探测器的极限DQE比较高,但是随着空间分辨率的提高,其DQE 下降得较多,而非晶硒平板探测器的极限DQE不如非晶硅平板探测器高,但是 随着空间分辨率的提高,其DQE反而超过了非晶硅平板探测器。 -这种特性说明非晶硅平板探测器在区分组织密度差异的能力较强,而非晶硒 平板探测器在区分细微结构差异的能力较高。
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