第4章 功率衰减器--魏峰
第10章 频率合成器--魏峰
1) 基本原理
锁相环频率合成器的基本原理如图10 - 1 所示。压控振荡 器的输出信号与基准信号的谐波在鉴相器里进行相位比较,
当振荡频率调整到接近于基准信号的某次谐波频率时,环路
就能自动地把振荡频率锁到这个谐波频率上。这种频率合成 器的最大优点是结构简单,指标可以做得较高。由于它是利 用基准信号的谐波频率作为参考频率的,故要求压控振荡器 的精度必须在±0.5fR以内,如超出这个范围,就会错误地锁 定在邻近的谐波上,因此,选择频道比较困难。另外,它对 调谐机构性能要求也较高,倍频次数越多,分辨率就越差, 因此,这种方法提供的频道数是有限的。
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这个过程可以简化为三步:
(1) 频率累加器对输入信号进行累加运算,产生频率控 制数据或相位步进量。 (2) 相位累加器由N位全加器和N位累加寄存器级联而成, 对代表频率的二进制码进行累加运算,产生累加结果Y。 ( 3 ) 幅度 / 相位转换电路实质上是一个波形存储器,以 供查表使用。读出的数据送入D/A转换器和低通滤波器。
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2 MHz
fR =1 k Hz ÷2 0 0 0 fR
f0 鉴相器
LPF
VCO Ⅰ VCO Ⅱ
AMP
6 0 0 mV
÷1 0 0
5 0 0 k Hz~ 4 0 0 .0 1 k Hz
可变分频器 N
50000~ 4 0 0 0 1 k Hz
AMP
控制逻辑
图 10-2 数字式频率合成器
频率合成器的组成元器件有标准晶振频率源频率合成器芯片滤波器压控振荡器单22西安电子科技大学智能天线实验104现代pll的基本结构单片机plliclpfvco23西安电子科技大学智能天线实验1021pll各个部件的选购和设计图104中可以购买的专业生产厂家的产品有晶体振荡器pll集成电路单片机和vco压控振荡器需要设计的部分是低通滤波器lpf和单片机的程序
高频电子技术王卫东第三版 课后题答案
部电路是一个线性化双平衡 Gilbert 相乘器电路.
第五章。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
(1)高频信号的某一参数随消息信号的规律发生变化
的过程称为调制,其逆过程称为解调.其中消息信号
称为调制信号,高频信号称为载波信号.调制后的信
号称为已调波信号.
(2)按照调制信号的形成可将调制分为模拟调制和数
振回路好.
(9)高频小信号放大器采用谐振回路作负载,因此,该
放大器不仅有放大作用,而且也具有滤波或选频的作
用.而且由于输入信号较弱,因此放大器中的晶体管
可视为线性元件.高频电子电路中常采用 Y 参数等效
电路进行分析.衡量高频小信号放大器选择性两个重
要参数分别是 , .
(10)不考虑晶体管 的作用,高频小信号调谐放大器
1 按照电流导通角θ来分类,θ=180°的高频功率放
大器称为甲类功放,θ>90°的高频功率放大器称为
甲乙类功放,θ=90°的高频功率放大器称为乙类功
放,θ<90°的高频功率放大器称为丙类功放.
(1)高频功率放大器一般采用谐振回路作为负载,属
丙类功率放大器.其电流导通角θ<90°.兼顾效率和
输出功率,高频功放的最佳导通角为θ=70°.高频功
个”双向元件”,从而导致电路的不稳定.为了消除
的反馈作用,常采用单向化的办法变”双向元件”
为”单向元件”.单向化的方法主要有中和法和失配
法.
(15)晶体管单向化方法中的失配法是以牺牲增益来
换取电路的稳定,常用的失配法是共发-共基.
第二章.。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
微带低通滤波器的仿真设计
微带低通滤波器的仿真设计陕西理工学院毕业设计微带低通滤波器的仿真设计王艳磊(陕西理工学院电信工程系电子信息工程专业 2007级5班陕西汉中723000)指导教师:贾建科[摘要] 在实际的应用中~射频信号的频率范围非常广~通常所用的有用信号只是在很小的频段内~因此需要通过滤波器来实现。
滤波器是用来选择性地通过或抑制某一频段信号的装置。
在高频是滤波器通常由分布参数元件构成~因为其成本低且有较高的可重复性~而绝大部分分布参数滤波器都是用微带线设计的~通过在电路板上构成电路回路来实现滤波特性。
本文简要介绍了采用高低阻抗微带线实现分布参数低通滤波器的方法~并且着重通过一个具体设计实例给出微带滤波器的整个设计过程和AWR 仿真结果。
[关键词] 微带低通滤波器 AWR 仿真Design and Simulation of Microstrip Low-pass FilterWang Yan lei(Grade 07,Class 5,Major electronics and information engineering ,Electronics and informationengineering Dept.,Shaanxi University of Technology,Hanzhong 723000,Shaanxi)Tutor: Jia Jian Ke[Abstract]: In practical projects, the range of frequency is very wide. Useful signal is usually used only in a narrow band, so it needs filters. Filter is a device which is used to select frequency required. At high frequency, the filter is normallycomposed of distributed parameter components because of low cost and high repeatability. Most distributed parameter filters are designed by the microstrip line and achieve performance by constituting loop on the circuit board. This article briefly describes the method of achieving low-pass filter of distribution parameters with Stepped-Impedance, L-C Ladder Type Low-pass Filters and mainly gives the entire design process and the AWR simulation results based on a specific example.[Key words]: Microstrip Low-pass Filter AWR simulation陕西理工学院毕业设计目录第一章引言 (1)1.1研究的意义 (1)1.2滤波器的发展史 (1)国内外的研究动态 ........................................... 2 1.31.4 本设计主要完成的任务 (4)第二章微波滤波器及微带电路的基本理论 ......................... 5 2.1 微波网络 ................................................... 5 2.1.1 二端口网络 ............................................... 5 2.2 滤波器的传输函数 ........................................... 6 2.2.1 Butterworth响应 (7)Chebyshev2.2.2 响应 (7)Elliptical2.2.3 Function响应 ......................................8 2.3微波滤波器的参数 (9)2.4微带线的基本理论 ............................................ 9 第三章归一化原型滤波器设计 ................................. 12 3.1归一化低通原型滤波器 ....................................... 12 3.2切比雪夫低通原型 ........................................... 13 第四章微带低通滤波器的设计与仿真............................ 15 4.1 理论计算各元件的真实值 .................................... 15 4.2 理论计算微带低通滤波器的实际尺寸 .......................... 15 4.3 AWR软件的介绍 ............................................. 16 4.4仿真与实验结果 ............................................. 16 小结 ........................................................ 21 致谢 ........................................................ 22 [参考文献] (REFERENCES) . (23)陕西理工学院毕业设计附录(A)英文文献 (24)附录(B)英文文献的中文翻译 (30)陕西理工学院毕业设计第一章引言1.1研究的意义无线通信业务的迅猛发展,在给人们的沟通和生活带来方便的同时,无线通信系统也对无线电频谱资源的需求不断增加,使得目前适宜于无线通信的频谱资源变得越来越紧张。
高频电子线路张肃文第五版答案
高频电子线路张肃文第五版答案【篇一:高频电子线路期末考试精华版张肃文第四版】第一章绪论一、填空题1.无线通信系统一般由信号源、__________、__________、___________、输出变换器五部分组成。
2.人耳能听到的声音的频率约在__________到__________的范围内。
(20hz、20khz )3.调制有_________、__________、_________三种方式。
(调幅、调频、调相)4.无线电波在空间的传播方式有________、_________、__________三种。
(地波、天波、直线波)二、简答或作图题1.画出无线通信调幅发射机原理框图,并说明各部分的作用,同时画出波形示意图和频谱示意图。
2. 画出超外差接收机方框图,并说明各部分的作用,同时画出波形示意图和频谱示意图。
3.在接收设备中,检波器的作用是什么?试画出检波器前后的信号波形。
4.通信系统由哪些部分组成?各组成部分的作用是什么?答:通信系统由输入、输出变换器,发送、接收设备以及信道组成。
输入变换器将要传递的声音或图像消息变换为电信号(基带信号);发送设备将基带信号经过调制等处理,并使其具有足够的发射功率,再送入信道实现信号的有效传输;信道是信号传输的通道;接收设备用来恢复原始基带信号;输出变换器将经过处理的基带信号重新恢复为原始的声音或图像。
第三章选频网络1、串联谐振和并联谐振的特征,以及失谐时表现出的特性。
如:lc回路并联谐振时,回路_阻抗___最大,且为纯__电阻__。
当所加信号频率高于并联谐振回路谐振频率时,回路失谐,此时,回路呈容性,电流超前电压。
2、由于信号源内阻或负载电阻的影响,将使谐振回路的品质因数q,选频特性,通频带。
3、课后题 3.5 4、课后题 3.6 5、课后题 3.7 6、课后题 3.9 7、课后题 3.13有一耦合回路如图,已知f?f?1mhz,????1k??,r1?r2?20?,??1010212试求:1)回路参数l1、l2、c1、c2和m;2)图中a 、b两端的等效谐振阻抗zp; 3)初级回路的等效品质因数q1’; 4)回路的通频带bw;解:由已知条件可知两个回路的参数是全同c1=c2,q1=q2 ;的,即l1=l2,1)由得:?1000l1?l2??h?159?h6?02??1011c?c??f?159pf12262?6 (2??10)?159?10?0l又由于发生临界耦合时 (?0m)2?r1r2因此???0lm?1r1r2?120?20h?3.18?h6(1000)2zab?zp?rp????25k?r1?rf140?1?1000?2540?23)初级回路的等效品质因数为q1?r1?rf14)初级回路本身的品质因数为?1000q1?1??5020因此可得出通频带为: r1f01062?f0.7?2?2?hz?28.3khzq1508.图2-18所示电路为一等效电路,其中l=0.8uh,q0=100,c=5pf,c1=20pf,c2 =20pf,r=10k?,rl =5k?,试计算回路的谐振频率、谐振电阻。
电力电子课程设计_BUCK变换器设计
目录引言2第一章设计要求与方案 (2)1.1 课程设计要求 (2)1.2 方案确定 (3)第二章直流稳压电源设计 (3)2.1 设计要求 (3)2.2 直流稳压电源原理描述 (4)2.3 设计步骤及电路元件选择 (5)第三章Buck 变换器设计 (6)3.1 Buck 变换器基本工作原理 (6)3.2 Buck 变换器工作模态分析 (7)3.3 Buck 变换器参数设计 (10)3.3.1 Buck 变换器性能指标 (10)3.3.2 Buck 变换器主电路设计 (10)第四章控制电路设计 (12)4.1 直流—直流变换器控制系统原理 (12)4.2 控制电路设计 (14)第五章课程设计总结.........................................................................................17 参考文献..................................................................................................................18 附设计全图.. (18)08 电气一班潘维200830151402引言随着电力电子技术的高速发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多。
电子设备的小型化和低成本化使电源向轻、薄、小和高效率方向发展。
开关电源因其体积小,重量轻和效率高的优点而在各种电子信息设备中得到广泛的应用。
伴随着人们对开关电源的进一步升级,低电压,大电流和高效率的开关电源成为研究趋势。
开关电源分为AC/DC 和DC/DC,其中DC/DC 变换已实现模块化,其设计技术和生产工艺已相对成熟和标准化。
DC/DC 变换是将固定的直流电压变换成可变的直流电压,也称为直流斩波。
斩波电路主要用于电子电路的供电电源,也可拖动直流电动机或带蓄电池负载等。
第13章 射频微波系统--魏峰
宽 Δ 与邻信道频率的差值,单位为 Hz ; Sp 为本地振荡信号
与出现在频率为 fLO+Δ 处的邻信道噪声的功率比,单位为 dBc; PNSSB(dBc/Hz) 是本地振荡信号在差频 Δ 处的相位噪 声,单位为dBc/Hz,如图13-8所示。
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13.2.6 接收杂波响应
(13-11)
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♦
它由下列五大部分组合而成: 单边带相位噪声、本地振
荡源的噪声、中频选择性、中频带宽、同波道抑止率或截 获率。式中, ACS 对应于接收灵敏度的邻信道选择性,单 位为dB; CR为同信道抑止率,单位为dB; IFS为中频滤波器 在邻信道频带上的抑制衰减量,单位为dB;Bw为中频噪声频
♦
IP2 是用来判断混频器对半中频噪声的抑制能力的主
要参数。对于一个接收系统中混频器的输入二阶互调截 止点IP2INPUT的计算方式为
(13-13)
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3. 三阶互调截止点IP3
♦
IP3 是用来决定接收系统抵御内调制失真的能力,计算
步骤如下:
♦
(1) 绘出系统的电路方块图, 并标明各级的增益 ( 单位为 dB) 、三阶互调截止点 ( 单位为 dBm) 。对于滤波器和衰减器, IP3=∞。
(5) 本振辐射:
由于混频器的隔离不好,本振信号进入接收信号通路, 通过天线辐射,引起系统的三阶交调失真加重。
10
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13.2.2 接收机基本结构
接收机几乎都是超外差形式,即本振信号与接收信号 进行混频,得到中频信号,经放大处理后解调信号。 1. 基本电路
高频电子线路教案
高频电子线路教案信息工程学院高频电子线路教案(总页)第 3 讲时间:第 1 周3.1 高频小信号放大器3.1.1 高频小信号放大器工作原理3.1.2 放大器性能分析3.1.3 高频谐振放大器的稳定性3.1.4 多级谐振放大器3.1.5 高频集成放大器3.2 高频功率放大器的原理和特性3.2.1 丙类功放的工作原理3.2.2 高频谐振功率放大器的工作状态3.2.3 高频功放的外部特性3.3 高频功率放大器的高频效应3.4 高频功率放大器的实际线路3.4.1 直流馈电线路3.4.2 输出匹配网络3.4.3 高频功放的实际线路举例3.5 其他高频功放、功率合成器与射频模块放大器 3.5.1 D(丁)类高频功率放大器3.5.2 功率合成与分配器3.5.3 射频模块放大器3.1 高频小信号放大器高频小信号放大器的特点:(1)增益高(2)▲频带选择性好(3)稳定性高(4)噪音系数小3.1.1 高频小信号放大器工作原理3.1.2 放大器性能分析1.晶体管的高频等效电路2.单调谐放大器的性能参数(1) 电压放大倍数K(2) 输入导纳Y i(3) 输出导纳Y o(4) 通频带B 0.707与矩形系数Kr 0.13.1.3 高频谐振放大器的稳定性1.放大器的稳定性分析2. 提高放大器稳定性的方法(1)选择C‘bc比较小的晶体管,使反馈作用减弱(2)在电路设计上采取措施,减小反馈的作用,实现“单向化”▲中和法▲失配法对上一讲的回顾3.2.3 高频功放的外部特性1.高频功放的负载特性2.高频功放的振幅特性3.高频功放的调制特性(1)基极调制特性(2)集电极调制特性4. 高频功放的调谐特性3.5.2 功率合成器与分配器1. 功率合成器的作用2.魔T混合网络(1)合成网络(2)分配网络6.1 振幅调制6.1.1振幅调制信号分析例6-16.1.2 振幅调制电路6.2 调幅信号的解调6.2.1 调幅解调的方法6.2.2 二极管峰值包络检波器6.2.3 同步检波器例 6-26.3 混频6.3.1 混频的概述6.3.2 混频电路6.4 混频器的干扰6.4.1 信号与本振的自身组合干扰6.4.2 外来干扰与本振的组合干扰6.4.3 交叉调制干扰(交调干扰)6.4.4 互调干扰6.4.5 包络失真和阻塞干扰6.4.6 倒易混频总结本章内容简介6.1 振幅调制6.1.1振幅调制信号分析1.AM调幅波的分析已调波的振幅随调制信号线性变化,即调幅波的包络线性正比于调制信号。
微波技术基础第四章课后答案杨雪霞汇总-精品
【关键字】情况、方法、条件、模式、有效、和谐、加大、规律、稳泄、理想、方式、作用、结构、关系、简化、保证、取决于、方向、提髙、中心4-1谐振腔有哪些主要的参疑?这些参量与低频集总参数谐振回路有何异同点?答:谐振腔的主要特性参数有谐振频率、品质因数以及与谐振腔中有功损耗有关的谐振电导, 对于一个谐振腔来说,这些参数是对于某一个谐振模式而言的,若模式不同,这些参数也是不同的。
谐振频率具有多谐性,与低频中的回路,当其尺寸、填充介质均不变化时,只有一个谐振频率是不相同的。
任谐振回路中,微波谐振腔的固有品质因数要比集总参数的低频谐振回路髙的多。
一般谐振腔可以等效为集总参数谐振回路的形式。
4-2何谓固有品质因数、有载品质因数?它们之间有何关系?答:固有品质因数是对一个孤立的谐振腔而言的,或者说,是谐振腔不与任何外电路相连接 (空载)时的品质因数。
当谐振腔处于稳泄的谐振状态时,固有品质因数Qo的左义为WQo=27r——,其中W是谐振腔内总的储存能量,略是一周期内谐振腔内损耗的能量。
W T有载品质因数是指由于一个腔体总是要通过孔、环或探针等耦合机构与外界发生能量的耦合,这样不仅使腔的固有谐振频率发生了变化,而且还额外地增加了腔的功率损耗,从而导致品质因数下降,这种考虑了外界负载作用情况下的腔体的品质因数称为有载品质因数Q O 对于一个腔体,英中k为腔体和外界负载之间的耦合系数。
1 + R4-4考虑下图所示的有载RLC谐振电路。
计算其谐振频率、无载0。
和有载0“解:此谐振电路属于并联谐振电路,苴谐振频率为:无载时,Q = — =竿==/ *°°= 17.9说[L7 720X10~9/10X10_,2有载时,Qe=d = = --------- ---- ---------- = 40.25叫上/Z7 ^OxlO-'/lOxlO-12根据有载和无载的关系式—=—+丄得:Q L Q Q4-5有一空气填充的矩形谐振腔。
第6章 定向耦合器--魏峰
c / 10
Z0s Z0 1 k Z0 p Z0 1 k k
9
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步骤三: 利用下列公式计算出元件值: (1) 低通L-C式:
Z0s Ls 2f c 1 Cp 2f c Z 0 p
(2) 高通L-C式:
Cs Lp 1 2f c Z 0 s Z0 p 2f c
0.00 S2 1 -5.00 -10.00 -15.00 -20.00 -25.00 -30.00 -35.00 -40.00 0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 FR EQ[GHz] 0.85 0.90 0.95 1.00 S1 1 S4 1
S3 1
dB
21
图 6-8平行线型耦合器仿真结果
上置导体
(c)
图 6-9 微带槽线耦合器
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Z0 1 3 Z0 z
l Z0
Z 0 Z 0 e ( z ) Z 0o ( z )
Z0 2
Z0 4 Z0
(e)
图 6-9耦合线的变形
26
6.4 分支线型定向耦合器
♦
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6.4.1 分支线型定向耦合器原理
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(a )
输入端口 隔离端口 1 输入端口 直接端口
2
1
2
3 耦合端口
4 直接端口
3 耦合端口
4 隔离端口
(b )
C
图 6-9 Lange耦合器
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W ′ h h W S W
微波工程基础(李宗谦)-第四章
第四章
微波网络
6
归一化等效电压和归一化等效电流
V '( z ) kV ( z ), eT '( x, y )
1 I '( z ) I ( z ), k
1 eT ( x, y ), hT '( x, y ) khT ( x, y ) k
满足归一化条件和功率 关系,但等效电压和等 效电流仍不确定。
色散波无法定义单值的V、I和Zc ,V、I 没有明确的物理意义,具有不确定性。
2014-8-5
第四章
微波网络
4
微波技术中功率具有确定的意义,可直接测量,通过功率关系引 入等效电压和等效电流。
ET eT ( x, y )V ( z ) e : 模式横向电场,h : 模式横向磁场 H T hT ( x, y ) I ( z )
若构成网络的媒质(、、 )是线性的,即与场强的大小无关, 不随场强的变化而改变,该网络为线性网络; 微波网络使信号频率发生改变时为非线性网络。
2. 互易与非互易网络
若构成网络的媒质与场的传输方向无关,该网络为互易网络。
3. 对称与非对称网络
网络结构具有对称性。
4. 无耗与有耗网络 :Pl =0,不包含有损耗的器件。 5. 有源与无源:直流能量转为微波能量;微波信号频率转化;包含
Z ij Vi Ij
Vi Z ii Ii
I k 0, k i
Zii为除i端口外,其余端口电流为零(开 路)时,第i端口的电压与电流之比,即 其他端口开路时,第i端口的输入阻抗 (自阻抗)。
同理:
I k 0, k j
Zij为除j端口外,其余端口电流为零(开路)时,第i端口的电压 与第j端口电流之比,即除第j端口外,其余端口开路时,第j端口 到第i端口的转移阻抗(互阻抗)。 Yii为除i端口外,其余端口电压为零(短路)时,第i端口的电流与 电压之比,即其他端口短路时,第i端口的输入导纳(自导纳)。 Yij为除j端口外,其余端口电压为零(短路)时,第i端口的电流 与第j端口电压之比,即除第j端口外,其余端口短路时,第j端口 到第i端口的转移导纳(互导纳)。 第四章 微波网络
激光技术蓝信钜课后部分作业答案
第一章作业(激光技术--蓝信鉅,66页)答案2.在电光调制器中,为了得到线性调制,在调制器中插入一个1/4波片,(1)它的轴向应如何设置为佳? (2)若旋转1/4波片,它所提供的直流偏置有何变化?答:(1). 其快、慢轴与晶体主轴x 轴成450角(即快、慢轴分别与x‟、y‟轴平行)。
此时,它所提供的直流偏置相当于在电光晶体上附加了一个V 1/4的固定偏压(E x‟和E y‟的附加位相差为900);使得调制器在透过率T=50%的工作点上。
(2). 若旋转1/4波片,会导致E x‟和E y‟的附加位相差不再是900;因而它所提供的直流偏置也不再是V 1/4。
当然调制器的工作点也偏离了透过率T=50%的位置。
3.为了降低电光调制器的半波电压,采用4块z 切割的KDP 晶体连接(光路串联、电路并联)成纵向串联式结构。
试问:(1)为了使4块晶体的电光效应逐块叠加,各晶体的x 和y 轴取向应如何? (2) 若λ=0.628μm ,n 。
=1.51,γ63=23.6×10—12m /V ,计算其半波电压,并与单块晶体调制器比较之。
解:(1) 为了使晶体对入射的偏振光的两个分量的相位延迟皆有相同的符号,则把晶体x 和y 轴逐块旋转90安置,z 轴方向一致(如下图),(2).四块晶体叠加后,每块晶体的电压为: v 966106.2351.1210628.0412n 41V 41V 123-663302'2=⨯⨯⨯⨯⨯=⨯==-γλλλ而单块晶体得半波电压为:v 3864106.2351.1210628.02n V 123-663302=⨯⨯⨯⨯==-γλλ与前者相差4倍。
4.试设计一种实验装置,如何检验出入射光的偏振态(线偏光、椭圆偏光和自然光),并指出是根据什么现象? 如果一个纵向电光调制器没有起偏器,入射的自然光能否得到光强调制?为什么? 解:(1)实验装置:偏振片和白色屏幕。
a. 在光路上放置偏振片和白色屏幕,转动偏振片一周,假如有两次消光现象,则为线偏振光。
精品文档-电磁场、微波技术与天线(宋铮)-第7章
第7章 微波元件
图7-2-5 小功率波导匹配负载
第7章 微波元件
小功率同轴线匹配负载如图7-2-6所示,它是通过在同轴内
大功率匹配负载须采用“体”吸收的方法。考虑到热量吸收 的同时,还要考虑到散热问题。吸收物体可以是固体(如石墨和 水泥混合物)或液体(通常采用水)。大功率匹配负载常采用“水 负载”,利用流动的水作为微波吸收物质。水是一种很好的微波 吸收材料,其损耗角正切很大,能强烈地吸收微波功率。水的比 热很大,在流动的情况下,可以耗散很大的功率,故适宜作为大 功率微波吸收材料。图7-2-7给出了大功率波导水负载示意图, 它是在波导终端安置劈形玻璃容器,其内通以水,吸收微波功率。 流进的水吸收微波功率后温度升高,根据水的流量和进出水的温
(3) 当波由1、2两臂等幅反相输入时,则在3臂有“差” 输出,如图7-2-18(c)
(4) 当波由1臂输入时,则在2、3臂有等幅同相输出,即 S21=S31;当波由2臂输入时,则在1、3两臂有等幅同相输出, 即S12=S32
H面分支的等效电路相当于一个具有并联分支的传输线, 如图7-2-19所示。
第7章 微波元件
7.2.3 波导分支结构 1. E-T 如图7-2-14所示,分支在波导的宽边上,且与TE10波的
Ey分量平行,故也称为E面分支。 其结构特点为主波导的两 臂1、2以分支臂4(称为电臂)
当TE10波从4端口输入时,1与2端口将有等幅反相的输出, 其电场力线的分布如图7-2-15(a)所示。同理可得图7-215(b)、(c)的力线分布图。
弯头和弯曲改变的是传输方向,而极化方向不变。有时需
要改变极化方向而传输方向不变, 这就要用到均匀扭转,其
形状示于图7-2-10中,其长度一般选为
《光纤通信 (第三版) 》Gerd Keiser著交大第三次作业T_6023
推荐使用教材:《光纤通信 (第三版) 》Gerd Keiser 著,李玉权译,电子工业出版社作业二的知识点:第10-13章1. 论述为何WDM 系统中不易选用零色散点在1550nm 处的色散位移光纤(G.653)答:G.653色散位移光纤在C 波段和L 波段的色散一般为-1~3.5psnm •km ,在1550nm 是零色散,系统速率可达到20Gbit/s 和40Gbit/s ,是单波长超长距离传输的最佳光纤。
但是,由于其零色散的特性,在采用DWDM 扩容时,会出现非线性效应,导致信号串扰,产生四波混频FWM ,因此不适合采用DWDM 。
2. 一个WDM 光传输系统的信道间隔限制在500GHz ,在1536nm —1556nm 频带内可用波长信道为多少?答:3. 假设有一个EDFA 功率放大器,波长为1550nm 的输入信号功率为-1dBm ,得到的输出功率为27dBm.试求:(1)放大器的增益;(2)所需的最小泵浦功率。
答:(1) 135008.010501010≈⨯⨯⨯=∆∆=∆∆≈signal tune channel tune N λλλλ14.3dBm127log 10log 10)(10,10≈-==outs P P dB G(2)因为增益处于14dBm,查表得最小泵浦功率约为13mW4.根据EDFA所放置的位置,分别能用作哪三种放大?它们各自有哪些特点?它们的区别何在?答:EDFA作用于在线放大器,功率放大器,前置放大器,这三种。
特点在于增益高、带宽大、输出功率高、泵浦效率高、插入损耗低、对偏振态不敏感。
区别在于附加噪声使信号的SNR下降。
放大器带宽内增益谱不平坦影响多信道放大性能。
光放大器级联应用时,ASE噪声、光纤色散及非线性效应的影响会累积。
5.简述光功率计,光衰减器,可调谐激光器和光频谱分析仪的基本功能。
答:光功率计用于测量绝对光功率或通过一段光纤的光功率相对损耗。
在光纤系统中,测量光功率是最基本的,非常像电子学中的万用表。
一种高性能可编程衰减器设计
一种高性能可编程衰减器设计
吴畏
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2012(000)003
【摘要】可编程衰减器位于基站和终端之间,通过对射频信号的衰减控制,实现
对无线信号的模拟,从而实现对测试场景的模拟。
可编程衰减器提供多个数控接口,从小到大可以构建各个层次的测试网络。
所构成的衰减矩阵通过模拟空口信道实现移动、切换、覆盖等多种测试项。
【总页数】3页(P54-56)
【作者】吴畏
【作者单位】中煤科工集团重庆研究院
【正文语种】中文
【中图分类】TN715
【相关文献】
1.一种基于STM32的可编程激光能量衰减器 [J], 牛燕敏;苏俊宏
2.可编程光衰减器的新设计方法 [J], Schmi.,S;张兰秀
3.高性能程控光衰减器的设计 [J], 张家奎
4.一种高性能可编程光衰减器的设计方法 [J], 贺永亮;杨永跃;张家奎
5.高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现 [J], 王会智;李拂晓
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圆形截止波导
l 输入同轴线 输出同轴线
圆形截止波导
图 4-10 截止式衰减器
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♦
4.3.2 波导型衰减器
♦
♦
1. 吸收式衰减器
最简单的波导吸收式衰减器是在波导中平行于电场方 向放置具有一定衰减量的吸收片组成的。因为有损耗性
图 4-6仿真结果
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♦ ♦ ♦
设计实例三: 设计 10dBП 型异阻式( Z1=50 Ω , Z2=75Ω )固定
衰减器。
步骤一: 异阻式集总参数衰减器A=-10 dB,由公式(49)计算元件参数:
10 0.1 1 Z1 Z 2 Rp 87.14 2
一是半导体小功率快调衰减器,如 PIN 管或 FET 单片集成衰 减器; 二是开关控制的电阻衰减网络,开关可以是电子开关, 也 可以是射频继电器。
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♦
4.1.3 衰减器的主要用途
(1) 控制功率电平 : 在微波超外差接收机中对本振输出功率进行 控制,获得最佳噪声系数和变频损耗,达到最佳接收效果。在微波 接收机中,实现自动增益控制,改善动态范围。
1. T型同阻式(Z1=Z2=Z0) 对于图 4-2 ( a )所示 T 型同阻式衰减器,取 Rs1=Rs2 。我们可
以利用三个[A]参数矩阵相乘的办法求出衰减器的[A]参数
矩阵,再换算成[ S ]矩阵,就能求出它的衰减量。串联电阻 和并联电阻的[A]网络参数如下:
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衰减器的技术指标包括衰减器的工作频带、 衰减量、 功率
容量、 回波损耗等。
(1) 工作频带。 衰减器的工作频带是指在给定频率范围内使用衰减器,衰减量 才能达到指标值。由于射频/微波结构与频率有关,不同频段的元
器件,结构不同,也不能通用。现代同轴结构的衰减器使用的工
作频带相当宽,设计或使用中要加以注意。 (2) 衰减量。
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a 1
1
14.01
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♦
步骤二 : 利用 Microwave Office 仿真衰减器特性。由 上述计算结果画出电路图,如图进制4-3所示。
图4-3 T型同阻式固定衰减器电路图
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♦
仿真结果如图4-4所示。
图 4-4仿真结果
仿真结果如图4-8所示。
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图4-7 Π 型同阻式固定衰减器电路图
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Grap h 1 -8 -9 -1 0 -1 1 DB(|S[2 ,1 ]|) Sch ematic 1
-1 2 1 1 .2 1 .4 1 .6 1 .8 2 Freq u en cy (GHz)
(2) 去耦元件: 作为振荡器与负载之间的去耦合元件。
(3) 相对标准: 作为比较功率电平的相对标准。 (4) 用于雷达抗干扰中的跳变衰减器 : 是一种衰减量能突变的可 变衰减器,平时不引入衰减,遇到外界干扰时,突然加大衰减。
♦
从微波网络观点看,衰减器是一个二端口有耗微波网络。它
属于通过型微波元件。
10 2 Z1 Z 2 Rp 1 a 1 Rs1 Z1 Rp 1 a 1 Rs 2 Z 2 Rp 1
A 10
14
(4-8)
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♦
2. П 型异阻式
10 1 Z1 Z 2 Rp 2 1 1 a 1 1 R p1 Z 1 R s 1 1 1 a 1 1 Rp2 Z 1 R s 2
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♦
4.1.2 衰减器的基本构成
构成射频/微波功率衰减器的基本材料是电阻性材料。
通常的电阻是衰减器的一种基本形式,由此形成的电阻衰减网 络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同
波段的射频/ 微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果
是大功率衰减器,体积肯定要加大,关键就是散热设计。 随着现代电子技术的发展,在许多场合要用到快速调整衰减器。 这种衰减器通常有两种实现方式:
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4.2 集总参数衰减器
♦
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利用电阻构成的 T 型或 П型网络实现集总参数衰减器,通
常情况下,衰减量是固定的,由三个电阻值决定。电阻网络
兼有阻抗匹配或变换作用。两种电路拓扑如图4-2所示。图中 Z1、 Z2是电路输入端、 输出端的特性阻抗。根据电路两端使
用的阻抗不同,可分为同阻式和异阻式两种情况。
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♦ ♦
设计实例二: 设计10dBП 型同阻式(Z1=Z2=50Ω )固定衰减器。
♦
步骤一:同阻式集总参数衰减器A=-10dB,由公式(47)计算元件参数:
10 0.1 1 Rp Z0 71.15 2 1
R p1 R p 2 Z 0 a 1
A 10
(4-9)
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♦ ♦ ♦ ♦
4.2.3 集总参数衰减器设计实例 设计实例一: 设计一个5dBT型同阻式(Z1=Z2=50Ω )固定衰减器。 步骤一 : 同阻式集总参数衰减器 A=-5dB ,由公式 (4-6) 计算元件参数:
A 10
10
2 Rp Z0 82.24 1 Rs1 Rs 2 Z 0
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♦ ♦
对衰减器的要求是衰减量为 20lg|s21|(dB) ,端口匹 配10lg|s11|=-∞。 求解联立方程组就可解得各个阻值。下面就是这种衰 减器的设计公式。
10 2 Rp Z0 1 1 Rs1 Rs 2 Z 0 1
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(a )
(b )
( c)
图 4-9 三种同轴结构吸收式衰减器 (a) 填充; (b) 串联; (c) 带状线
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♦
2. 截止式衰减器 截止式衰减器又称“过极限衰减器”,是用截止波导制 成的。其结构如图 4-10 所示。它是根据当工作波长远 大于截止波长λ c时,电磁波的幅度在波导中按指数规律 衰减的特性来实现衰减的。
射频/微波电路导论
主讲人:魏 峰
第4章 功率衰减器
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♦
♦ ♦
4.1 功率衰减器的原理
4.2 集总参数衰减器 4.3 分布参数衰减器
♦
♦
4.4 PIN二极管电调衰减器
4.5 步进式衰减器
2
4.1 功率衰减器的原理
♦
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4.1.1 衰减器的技术指标
Rs1 Z1 Rp Rs2 Z2 Z1 Rp 1 Rs Rp 2 Z2
(a )
(b )
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图 4-2 功率衰减器 (a)T型功率衰减器; (b)Π 型功率衰减器
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♦
4.2.1 同阻式集总参数衰减器
同阻式衰减器两端的阻抗相同,即Z1= Z2,不需要考虑阻抗
变换,直接应用网络级联的办法求出衰减量与各电阻值的关系。
10 1 Rs Z 0 2 1 R p1 R p 2 Z 0 1
A 10
13
(4-7)
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♦ ♦ ♦
4.2.2 设计异阻式集总参数衰减器时,级联后要考虑阻抗变换。 下面分别给出两种衰减器的计算公式。 1. T型异阻式
P2 (m W) A(dB) 10 lg P 1 ( m W)
功率衰减器 A(dB )
(4-1)
1 P1
2 P2
4
图 4-1 功率衰减器
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可以看出,衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。衰减量 的大小由构成衰减器的材料和结构确定。衰减量用分贝作单位,便于 整机指标计算。 (3) 功率容量。 衰减器是一种能量消耗元件,功率消耗后变成热量。可以想象,材 料结构确定后,衰减器的功率容量就确定了。如果让衰减器承受的功 率超过这个极限值,衰减器就会被烧毁。设计和使用时,必须明确功 率容量。 (4) 回波损耗。 回波损耗就是衰减器的驻波比,要求衰减器两端的输入输出驻波比 应尽可能小。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电 路有影响,也就是说,与两端电路都是匹配的。设计衰减器时要考虑 这一因素。
A 10
12
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♦ ♦
2. П型同阻式(Z1=Z2=Z0) 对于图 4-2( b)所示 П型同阻式衰减器,取 Rp1=Rp2, 可 以用上述T型同阻式衰减器的分析和设计方法,过程完全 相同,即利用三个[A]参数矩阵相乘的办法求出衰减器 的[ A ]参数矩阵,再换算成[ S ]矩阵,就能求出它的 衰减量, 所得结果由式(4-7)给出。
图4-8 仿真结果
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4.3 分布参数衰减器
♦
♦ ♦
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4.3.1 同轴型衰减器
1. 吸收式衰减器 在同轴系统中,吸收式衰减器的结构有三种形式: 内外
导体间电阻性介质填充、内导体串联电阻和带状线衰减器转