晶体管在线测试仪原理
什么是晶体管测试仪？晶体管测试仪如何正确使用？
什么是晶体管测试仪？晶体管测试仪如何正确使用？一、晶体管测试仪作用可测试仪性能稳定，能自动读出准确数据，使用方便，适用于电子爱好者、电子开发者、设计者、与电子维修者必需小仪器。
它可测各种二极管，三极管，可控硅，MOS场效应管;能判断器件类型，引脚的极性，输出HFE，阀电压，场效应管的结电容，附加条件可测电容和电阻等。
特别适合晶体管配对和混杂表贴元件识别。
二、什么是晶体管测量仪器?众所周知，晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管(NPN 型和PNP型)的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性;测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
三、XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
QT2晶体管测试仪.
仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 页码 8/6 KTD 操作指导书 A/0 被测管2012/05/22 生效日期二极管测试其主要的原理即使仪器提供一个被测管需要的正反二个方向的电压，并且通过 Y 电流/度及 X 电压/度的选择，使其在示波管上显示所要的测量值。
本仪器提供了二种测试手段，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在上述的三极管测试中，利用 C、E 二极进行正向和反向测试，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在专用的二极管测试插孔中进行测试。
在小于500V 二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换，当置于“NPN”档二极管特性测试示波器取样电阻示波管操级时，其集电极插孔为正电压，置于“PNP”档级时，集电极插孔为负电压。
而在 3000V 二极管测试中其极性不变，可以通过二极管的测量端的变换达到极性的转换。
二极管的测试方法： 1. 通过二砐管的测试盒与仪器二极管测试孔相连，在特殊的情况下也可用合适的耐高作 B 8-1 B 8-2 图 B8-1 调压变压器 B8-2 高压变压器压线与插孔相连，被测管按面板所示的二极管极性与测试孔相连。
2. 3. 将集电极输出电压琴键按至 3000V 档级，此时并将峰值电压逆时针方向旋转至零。
示将 Y 电流/度置于 IB 范围内的合适档级，并将X 电压/度置于 UD 范围内的合适档级。
图(6 4．按入“测试”按钮，并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止。
5．由于高压测试插孔中具有高压，因此在按入“测试”按钮时，切勿接确测试插孔的任一端。
变更履历标记日期编制审核备注：核准审核编制仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 功耗限制电阻页码 8/7 KTD 操作指导书 A/0 2012/05/22 生效日期场效应管的测试可根据需要对漏源电流(IDS，最大漏源电流(IDSM饱和漏源电流被测管示波管放大器 (IDSS夹断电压(VP跨导(ｇＭ，最大电源电压(BVDS等参数进行测试。
QT2晶体管图示仪使用方法介绍[终稿]
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QT2晶体管图示仪使用方法介绍[终稿] QT2晶体管图示仪使用方法介绍Lab one QT2一、实验目的熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法～学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。
在不损坏器件的情况下～测量半导体器件的极限参数。
二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理1(概述YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线～并可测量其静态参数的测试仪器～尤其能在不损坏器件的情况下～测量其极限参数～如击穿电压、饱和压降等。
2(主要技术指标(1) Y轴偏转系数集电极电流范围为10μA/div~0.5A/div，分15档，误差不超过?5%;二极管反向漏电流0.2μA/div~5μA/div，分5档，2μA/div、5μA/div误差不超过?5%，1μA/div误差不超过?7%，0.5μA/div误差不超过?10%，0.2μA/div误差不超过?20%;外接输入为0.1V/div误差不超过?5%。
(2) X轴偏转系数集电极电压范围为0.1V/div~50V/div，分9档，误差不超过?5%;基极电压范围为0.1V/div~5V/div，分6档，误差不超过?5%;外接输入为0.05V/div误差不超过?7%。
(3) 阶梯信号阶梯电流范围为0.1μA/级~50mA/级，分18档;1μA/级~50mA/级，误差不超过?5%，0.1μA/级误差不超过?7%;阶梯电压范围为0.05V/级~1V/级，分5档，误差不超过?5%;串联电阻10Ω、10KΩ、0.1MΩ，分3档，误差不超过?10%;每簇级数4~10级连续可调。
2(4 集电极扫描电源、高压二极管测试电源其峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其中最大输出不低于下表:5V档 0~5V 10A50V档 0~50V 1A500V档 0~500V 0.1A3kV档 0~3kV 2mA功耗限制电阻0.5MΩ～分11档～误差不超过?10%。
晶体管测试仪
• “辉度”：调节图线亮度。
• “聚焦”、“辅助聚焦”：调节扫描线的 清晰度。
• 2．集电极扫描单元
• 当测试晶体三极管时，“集电极扫描信号” 相当于加在被测晶体管的集电极电源 （VCC或EC）。是将220V电网电压经“调 压变压器”加到“集电极扫描发生器”中， 整流后形成全波整流的扫描电压，因此， 其幅度可调。脉动频率为100Hz，通过“功 耗电阻”加到被测管上。
• ②“极性”开关：可改变阶梯信号的正负极 性。对三极管不同类型接法按表3.6.1 。
• ③“级／族”旋钮，调节阶梯信号的级数， 从4到12连续可调。
表3.6.1
NPN PNP 接法 管 管
发射 极接 地
基极 接地
＋－ －＋
• ④“阶梯作用”扳键分重复、关、单族三档。
• a．“重复”位置：这时阶梯波发生器处在 连续工作状态，输出周期性的阶梯信号， 一般特性曲线测试时都应置于“重复”位 置。
• b．“关”位置：阶梯信号停止输出。
• c．“单族”位置：将扳键中从中间位置每 接下一次，输出一族阶梯波，屏上短时间 显示一组曲线．这个工作位置适合快速的 过载测量，利用它的一次瞬间作用来观测 被测管的各种极限特性。
• ⑤“零电流”和“零电压”扳键：在中间位置时， 阶梯信号接到三极管基极。在“零电流”位置时， 被测管基极处于开路状态，可测ICEO特性。在
移位
集电极电压
放大单元
X轴放 大器
阶梯 选择 串连 电阻
级∕族 极性
阶梯信 号
基极电流源单元
零电流 常态
零电压 B
集电极电流
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数一．实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。
二．实验设备（1）XJ4810晶体管特性图示仪（2）QT 2晶体管图示仪（3）3DG6A 3DJ7B 3DG4三．实验原理1．双极型晶体（以3DG4NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理（1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即＝常数CE V B BEi I V R ∂∂= （1.1）它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。
各旋扭位置为峰值电压%80% 峰值电压范围0～10V 功耗电阻50Ω X 轴作用基极电压1V/度 Y 轴作用 阶梯选择μ20A/极 级/簇10 串联电阻10K 集电极极性 正（+）把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。
这样可测得图1.2：V CE V B BEi I V R 10=∆∆= （1.2）根据测得的值计算出i R 的值图1.1晶体管接法 图1.2输入特性曲线 （2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。
在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数FE h 。
晶体管接法如图1.1所示。
旋扭位置如下：峰值电压范围10V 峰值电压%80% 功耗电阻250Ω X 轴集电极电压1V/度 Y 轴集电极电流2mA/度 阶梯选择μ20A/度 集电极极性 正（+）得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出V V CE 5=时第2、4、6三根曲线对应的C I ，B I 计算出交流放大系数BC I I ∆∆=β （1.3） FE h >β主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。
晶体管特性测试仪的基本组成
更多电子元件资料
晶体管特性测试仪的基本组成
测试仪的基本组成如图所示,主要由集电极扫描发生器、阶梯波发生器、测试转换开关及工作于XY方式的示波器等组成。在图中,集电极扫描发生器用以产生频率为100Hz的正弦半波电压。它通常是由50Hz信号通过全波整流获得。正弦半波信号的极性及振幅可以改变,以满足各种测量的需要。阶梯波发生器用以产生与正弦半波信号同步变化的阶梯信号,阶梯信号的形成过程如图所示。
晶体管图示仪的测试原理
晶体管图示仪的测试原理晶体管图示仪是一种用于测试和分析晶体管性能的仪器。
它通过对晶体管进行电流-电压（I-V）特性曲线的测量，来评估晶体管的工作状态和性能。
晶体管图示仪的测试原理主要包括以下几个方面：1. 电流-电压特性测量：晶体管图示仪通过在晶体管的基极、发射极和集电极之间施加不同的电压，测量晶体管的电流-电压特性曲线。
这些特性曲线可以显示晶体管的工作区域、饱和区、截止区等工作状态，以及晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
2. 输入输出特性测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的输入输出特性。
输入特性是指在给定的集电极电压下，测量晶体管的基极电流与基极电压之间的关系；输出特性是指在给定的基极电流下，测量晶体管的集电极电压与集电极电流之间的关系。
通过测量输入输出特性，可以评估晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
3. 频率响应测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的频率响应特性。
频率响应是指晶体管在不同频率下的放大倍数和相位差。
通过测量频率响应，可以评估晶体管的截止频率、增益带宽等性能参数。
4. 功率测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的功率特性。
功率特性是指晶体管在不同电压和电流下的功率输出。
通过测量功率特性，可以评估晶体管的最大功率输出、效率等性能参数。
晶体管图示仪的测试原理基于电子学和半导体物理学的基本原理。
晶体管是一种半导体器件，其工作原理基于PN结和场效应晶体管的原理。
晶体管图示仪通过施加不同的电压和电流，可以改变晶体管的工作状态，从而测量和分析晶体管的性能。
总之，晶体管图示仪通过测量晶体管的电流-电压特性、输入输出特性、频率响应特性和功率特性，来评估晶体管的工作状态和性能。
它是一种重要的测试仪器，用于研究和开发半导体器件、电子电路和通信系统等领域。
晶体管在线测试仪
晶体管在线测试仪
一、实验目的
运用 555 和运放电路，制作一个简单测试仪，要求能判断晶体管 的类型以及其好坏
二、实验设计
方案一
1、实验原理 晶体管在线测试仪电路如图所示，测试仪主要由对称方波发生
器、反向器、 测试电路等部分组成。 对称方波发生器由 555 时基电路 A2 和阻容元件 R3、 构成， 第
2.1 数电的理论知识····························· ····3
2.2.1 实验验目的••••••••••••••••••••••••••••••••••••••3
2.2.3 实验原理••••••••••••••••••••••••••••••••••3 2.2.4 实验电路••••••••••••••••••••••••••••••••••4 2.2.5 器件选择••••••••••••••••••••••••••••••••••5 2.2.6 测试电路图••••••••••••••••••••••••••••••••6 2.2.7 模拟电路图••••••••••••••••••••••••••••••••7 2.2.8 实物图••••••••••••••••••••••••••••••••••••8
S 为 1×1 小型拨动式电源开关。G 选用 4F22 型 6V 层叠式 电池或 4 节 7 号 电池串联供给。
c、b、e 插孔可用市售三极管插座或用Φ0.3mm 左右的漆包 线刮去漆皮后绕 成弹簧状，然后将其垂直焊在印制电路板上，同时 分别引出 3 根导线并接上 3 种不同颜色的鳄鱼夹，以便在线测试。
课程设计诚然是一门专业课，给我很多专业知识以及专业技 能上的提升，同时又是一门讲道课，一门辩思课，给了我许多道，给 了我很多思，给了我莫大的空间。同时，设计让我感触很深。使我对 抽象的理论有了具体的认识。通过这次课程设计，我掌握了常用元件 的识别和测试；熟悉了常用仪器、仪表；了解了电路的连线方法；以
晶体管在线测试仪原理
6.15 晶体管在线测试仪在维修家用电路时经常会对晶体三极管的好坏进行判别，特别是焊在电路板上的三极管，如果不焊开引脚，则判别好坏比较困难，如果用本节介绍的小仪器便可使该问题迎刃而解。
1、电路原理晶体管在线测试仪电路如图所示，测试仪主要由对称方波发生器、反向器、测试电路等部分组成。
对称方波发生器由555时基电路A2和阻容元件R3、C1构成，A2第三脚输出的方波频率f=0.722/R3*C1≈4.6Hz。
反向器由555时基电路A1构成，它接成施密特触发器，A1的2、6两脚输入电平直接取自A2的第3脚，当输入低电平时，A1置位，第3脚输出高电平；当输入高电平时，A1复位，第3脚输出低电平，所以A1输出与A2输出始终保持反向。
A1与A2共同为仪器的测试部分提供极性定时改变的交变电源。
测试电路由三极管VT1、VT2、电位器RP1、RP2等组成的双向辅助电源与LED1、LED2极性相反的并联发光二极管构成的显示电路两部分构成。
合上电源开关S，仪器工作指示灯LED3长亮发光、LED1、LED2则交替发光。
若用鳄鱼夹将一只完好的NPN三极管按电路所示连接相应c、b、e插孔，由于被测管集电极c和发射极e之间存在饱和压降，负半周时，LED1、LED2均不发光，正半周时，通过R1提供基极偏流使被测管导通，LED2被旁路不发光而LED1发光；当待测的是PNP三极管时，情况正好相反，LED1被旁路不发光而LED2发光，从而可判断晶体管是PNP型还是NPN型。
如果被测管是坏管则有3种情况：①集电极与发射极间短路：此时c-e间无压降，发光管LED1、LED2被旁路，且是双向旁路均不发光；②集电极与发射极间开路：这时相当于电路未接入待测管，LED1、LED2都发光；③基极与集电极（或基极与发射极）存在短路或开路：它们都会使LED1、LED2、发光。
2、元器件选择LED1、LED2和LED3最好分别采用红色、绿色、和黄色3种不同颜色的发光二极管。
10_项目十_晶体管特性图示仪
第二任务 晶体管特性图示仪的使用
• 10）聚焦：调节旋钮使观点最清晰。 • （11）荧光屏；示波管屏幕，外有坐标刻度盘。 • （12）辅助聚焦：与聚焦钮配合使用，使光点最清晰。 • （13）Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行
集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 • （14）电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度0.1倍工作状态 • （15）垂直位移及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向上的位移。旋钮拉
校正的目的。
第二任务 晶体管特性图示仪的使用
• （19）X轴位移：调节迹线在水平方向上的位移。 • （20）X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、
基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 • （21）级/簇调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。 • （22）调零调节：测试前应先调整阶梯信号的起始及零电平的位置。
• 二、 晶体管特性图示仪的工作原理
•
要在一个坐标系中显示出晶体管的特性曲线，必须测出
两个参数，虽然不同的特性曲线的参数不同，但其基本原理
是相同的。下面以测量三极管的共发射极电路的输出特性曲
线为例进行介绍。
•
三极管的共发射极电路的输出特性曲线是表示晶体管集
-射间的电压Uce变化时，集电极电流Ic如何随之变化的曲线
获得，电压每秒钟脉动100次，电压每脉动一次可以做一
次来回的两次扫描，则每秒钟就可作200次扫描，图线基
本做到亮度平稳而不闪烁。如图10-1所示
• 图10-1 工频电压经全波整流后的波形图
•
在晶体管Uce的作用下，集电极电流Ic将随之发生变
化，其大小可通接在集电极上的电阻进行调节。
晶体测试仪的原理和应用
晶体测试仪的原理和应用1. 引言晶体测试仪是一种用于测试和分析晶体材料性质的仪器，它通过测量晶体的电学性质来评估晶体的质量和性能。
本文将介绍晶体测试仪的工作原理和在各个领域的应用。
2. 晶体测试仪的工作原理晶体测试仪的工作原理基于晶体的电学性质。
晶体作为一种带有周期性结构的材料，具有特殊的电学性质，如压电效应和应变电效应。
晶体测试仪利用这些特性来测量晶体的质量和性能。
2.1 压电效应晶体的压电效应是指在晶体受到外力压缩或拉伸时，会在晶体内部产生电荷分离现象。
晶体测试仪通过施加机械压力或应变到晶体上，并测量由压电效应产生的电荷或电压来评估晶体的质量和性能。
2.2 应变电效应晶体的应变电效应是指在晶体受到外力作用时，其产生的应变会导致晶体内部的电荷重分布。
晶体测试仪利用应变电效应来测量晶体的电阻、电容等电学参数，从而评估晶体的性能。
3. 晶体测试仪的应用晶体测试仪在多个领域都有广泛的应用。
以下是一些常见的应用领域：3.1 材料科学晶体测试仪在材料科学领域中用于研究晶体的物理和电学性质。
研究人员可以使用晶体测试仪来测量晶体的压电和应变电效应，从而深入了解晶体材料的行为和性质。
这对于材料设计和开发具有重要意义。
3.2 电子工程晶体测试仪在电子工程领域中用于评估和测试晶体管、压电陶瓷以及其他电子元件的性能。
通过测量晶体的电学参数，如电阻、电容和电感等，工程师可以确定晶体元件的特性，并根据测试结果来优化设计和生产过程。
3.3 能源领域晶体测试仪在能源领域中的应用越来越重要。
它可以用于测试和评估光伏晶体管的性能，以确定其转换效率和稳定性。
通过测量晶体管的电流-电压曲线，可以评估光伏晶体管的输出功率和性能损失。
3.4 医疗领域晶体测试仪在医疗领域中用于评估和测试生物传感器和医疗器械的性能。
通过测量晶体的电学参数，可以确定生物传感器的灵敏度和响应时间，以及医疗器械的电气安全性。
这对于研究和开发新型医疗设备具有重要意义。
晶体管_工作原理_输出
实验二晶体管测试一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、晶体管晶体管和场效应管的主要参数。
2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。
3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。
二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。
其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。
其它晶体管参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。
因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。
下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。
1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的大正向平均电流，由手册查得。
（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。
（3）晶体管大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的大反向电压。
可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。
（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。
可用电流表测得。
（5）高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。
（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。
由晶体管特性图示仪测得。
2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。
稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。
手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。
此值必须测定后才能使用稳压二极管。
可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。
（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。
使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到晶体管稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。
电子测试技术应用 专项课件 晶体管特性图示仪1(44页)
集电极电源
(1)峰值电压范围。分０～10V∕5Ａ、０～50V∕ 1Ａ、０～100V∕0.5Ａ、０～500V∕0.1Ａ四挡
(2)集电极电源极性按钮，可转换集电极电 压正负极性。
(3)功耗限制电阻，可作为被测半导体管集 电极的负载电阻。
(4)电容平衡。 (5) 辅助电容平衡。
Y轴部分
(1)垂直位移及电流∕度倍率开关。调节扫描线 在垂直方向的位移。旋钮拉出时放大器的增 益扩大10倍，电流∕度各挡的IC标称值×0.1， 同时指示灯亮。
置“簇”时，通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线。 使
用时“级∕簇”应置于适当位置，以利于观察。二簇特性曲线比 较
时，请勿误用单簇按键。 零电压、零电流。被测管未测之前，应先调整阶梯信号
的起始级在零电平的位置。
按下“零电流”键时，被测半导体管的基极处于开路状态， 就能 测量ICEO特性。
(2)左右测试插座插孔：插上专用插座，可测试F1、F2型管座 的功率晶体管。
＋
250Ω
1V/度 1mA/度 重复 10µA/级
＋
3DG6二簇特性曲线
二极管的测试（采用2CZ82）
⑴正向特性的测试
（2）反向特性的测试 测试二 极时部件管2CZ82
峰值电压范围 集电极电源极性 功耗限制电阻 Y“电流/度” X“电压/度”
各档级峰值电压与峰值电流：
功耗限止电阻：０～0.5Ｍ 分11档，误差不超过± 10%。
9.3.2 仪器面板结构及各部件 名称和作用
XJ4810型晶体管特性图示仪面板结构
示波管和控制部分
1电源开关及辉度调节。旋钮拉出，接通仪 器电源，旋转旋钮可改变示波管光点亮度 。
2 电源指示灯。接通电源时灯亮。 3 聚焦旋钮。调节该旋钮可使光点清晰。 4辅助聚焦旋钮。与聚焦旋钮配合使用，使光
晶体管测试仪原理
晶体管测试仪原理
晶体管测试仪是用于测试晶体管电性能的一种仪器。
它可以通过测量晶体管的电流放大倍数、漏极电流以及电流增益等指标来评估晶体管的工作状态和性能。
实现这些测试的原理主要包括以下几个方面。
首先，晶体管测试仪需要提供适当的电源电压和电流，以确保晶体管工作在正常的工作电压和电流范围内。
在测试时，晶体管通常会被连接到测试仪上，并通过适当的电路被驱动。
适当的电源电压和电流可以通过测试仪的控制面板或者控制程序进行设置。
其次，晶体管测试仪需要提供适当的测量电路来测量晶体管的电流放大倍数和漏极电流。
这通常通过建立一个特定的电路来实现，该电路包含了适当的电阻和电压测量装置。
在测试时，测量电路会将晶体管的输入信号和输出信号与适当的电阻相连，并通过电压测量装置来测量电阻上的电压。
根据欧姆定律和基尔霍夫定律，可以通过测量电压和电阻值来计算晶体管的电流放大倍数和漏极电流。
最后，晶体管测试仪可以通过适当的数据处理和显示装置来分析和显示测试结果。
数据处理通常涉及计算和记录测试结果，并将其显示在仪器的显示屏上。
这样，测试人员可以直观地了解晶体管的工作状态和性能。
总之，晶体管测试仪通过提供适当的电源和测量电路，以及数据处理和显示装置，可以实现对晶体管电性能的测量和评估。
这些测试的原理主要是基于电流和电压的测量，通过计算和分析来得出晶体管的工作参数。
晶体管测试仪 原理
晶体管测试仪原理晶体管测试仪是一种专门用于测试晶体管的电子设备。
它通过对晶体管的各种参数进行测试，能够检测晶体管的质量、性能和可靠性等方面的指标，为后续的工作提供数据支持。
那么，晶体管测试仪的具体原理是什么呢？晶体管测试仪的原理主要涉及到两个方面：电路方面和测试原理方面。
首先，我们来讲一下电路方面的原理。
晶体管测试仪的电路主要由信号源、放大器、滤波电路、比较器、自动控制电路和数码显示等组成。
信号源产生输入信号，经过放大器放大后，输入到待测的晶体管中，从而得到待测晶体管的输出信号。
将待测晶体管的输入和输出信号进行比较并进行测量，通过数字显示器直接输出测量结果，以此来确定晶体管的品质和性能等指标。
其次，我们来讲一下测试原理方面的原理。
晶体管测试仪主要通过测试晶体管的电流放大系数、截止频率、输出阻抗、漏电流、饱和电流等指标来评估晶体管的性能。
其中，电流放大系数是指用晶体管输出电流除以输入电流得到的比值；截止频率是指在特定的电压条件下，输入电信号的频率达到一定值时，输出信号的衰减达到一定的程度；输出阻抗是指在特定的电流和电压条件下，晶体管的负载电路看到的等效输入阻抗；漏电流是指在截止状态下，晶体管的电流流入基极电路的电流；饱和电流是指在饱和状态下，晶体管的电流大小。
为了进行精确测量，晶体管测试仪会使用一些特殊的测试方法，比如交流放大器、锁相放大器、桥式电路和自动测试等。
其中，交流放大器可以将输入信号和晶体管输出信号进行放大，并可以消除信号中的直流分量；锁相放大器可以通过相位差的检测来提高信号的灵敏度；桥式电路可以消除电阻温度系数、漂移等影响；自动测试可以提高测试的准确性和效率，自动完成测试过程。
综上所述，晶体管测试仪通过信号源、放大器、滤波电路、比较器、自动控制电路和数码显示等组成的电路，结合使用交流放大器、锁相放大器、桥式电路和自动测试等特殊测试方法，进行对晶体管的电流放大系数、截止频率、输出阻抗、漏电流、饱和电流等指标的精确测量，在数字显示器上直接输出测量结果，从而评估晶体管的品质和性能等指标。
JY-3晶体管测试仪技术说明书
JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。
晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。
该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。
本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。
当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。
2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。
2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。
中文菜单式界面，操作简便。
2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。
（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。
h FE1、h FE2可以自动分10档。
2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。
晶体管特性图示仪的工作原理
3.使用方法 4.测量注意事项
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7.5晶体管特性图示仪 第 七 章 电 子 元 器 件 测 量 仪 器
晶体管特性图示仪是一种采用图示法直接在 示波管上显示各种晶体管特性曲线的多用途测试 仪器，通过仪器的标尺刻度可直接读出晶体管的 各项参数。 功能： 测量各种 PNP 和 NPN 三极管的输入特性、输出 特性、电流放大特性； 测量各项反向饱和电流和反向击穿电压； 测量各类晶体二极管的正反向特性； 测量场效应管的漏极特性、转移特性、夹断电 压和跨导等； 测量单结晶体管和晶闸管的特性参数。
(2) 三极管的输入和输出特性曲线的测试原理框图。
图7.25 晶体三极管输出特性曲线测试原理框图
图7.26 晶体三极管输入特性曲线测试原理框图
第 七 章 电 子 元 器 件 测 量 仪 器
(3) 场效应管的漏极和转移特性曲线的测试原理框图。
图7.27 场效应管漏极特性曲线测试原理框图
图7.28 场效应管转移特性曲线测试原理框图
工作在低频电路中的元件参数通常采用电桥法进 行测量，是一种比较测量法，它是把被测量与同类性质 的标准量进行比较，从而确定被测量大小的方法。如万 用电桥。
7.3.1 电桥的分类及平衡条件
1.直流电桥
Rx =R2· R3/ R4
图7.6 直流电桥原理图
2.交流电桥
第 七 章 电 子 元 器 件 测 量 仪 器
7.4.2高频Q表的使用
1.主要技术指标
(1) Q值测量范围：10~1000分四挡 30；100；300；1000，准确度 ±10% (2) 电感量测量范围：0.1μH~100mH分六挡 0.1~1μH ； 1~10μH ； 10~100μH ； 0.1~1mH ； 1~10mH ； 10~100mH，准确度±5% (3) 电容量测量范围：1~460pF 主调电容 40~500pF；微调电容±3pF；准确度150pF以上为±1 ％ ；150pF以下为±1.5pF (4) 振荡频率范围：50kHz~50MHz分六挡
自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得1.8KV左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管0.7mA，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为0.46mm的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的0.01uF的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到1.2KV左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为1.2KV左右，若电压偏离1.2KV太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
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6.15 晶体管在线测试仪
在维修家用电路时经常
会对晶体三极管的好坏进行判别，特别是焊在电路板上的三极管，如果不焊开引脚，则判别好坏比较困难，如果用本节介绍的小仪器便可使该问题迎刃而解。
1、电路原理
晶体管在线测试仪电路如图所示，测试仪主要由对称方波发生器、反向器、测试电路等部分组成。
对称方波发生器由555时基电路A2和阻容元件R3、C1构成，A2第三脚输出的方波频率f=0.722/R3*C1≈4.6Hz。
反向器由555时基电路A1构成，它接成施密特触发器，A1的2、6两脚输入电平直接取自A2的第3脚，当输入低电平时，A1置位，第3脚输出高电平；当输入高电平时，A1复位，第3脚输出低电平，所以A1输出与A2输出始终保持反向。
A1与A2共同为仪器的测试部分提供极性定时改变的交变电源。
测试电路由三极管VT1、VT2、电位器RP1、RP2等组成的双向辅助电源与LED1、LED2极性相反的并联发光二极管构成的显示电路两部分构成。
合上电源开关S，仪器工作指示灯LED3长亮发光、LED1、LED2则交替发光。
若用鳄鱼夹将一只完好的NPN三极管按电路所示连接相应c、b、e插孔，由于被测管集电极c和发射极e之间存在饱和压降，负半周时，LED1、LED2均不发光，正半周时，通过R1提供基极偏流使被测管导通，LED2被旁路不发光而LED1发光；当待测的是PNP三极管时，情况正好相反，LED1被旁路不发光而LED2发光，从而可判断晶体管是PNP型还是NPN型。
如果被测管是坏管则有3种情况：①集电极与发射极间短路：此时c-e间无压降，发光管LED1、LED2被旁路，且是双向旁路均不发光；②集电极与发射极间开路：这时相当于电路未接入待测管，LED1、LED2都发光；③基极与集电极（或基极与发射极）存在短路或开路：它们都会使LED1、LED2、发光。
2、元器件选择
LED1、LED2和LED3最好分别采用红色、绿色、和黄色3种不同颜色的发光二极管。
RP1、RP2选用WS型有机实心微调电位器。
R1~R4可选用RTX-1/8W型碳膜电阻器。
C1选用CT4型独石电容器，C2选用CD11-16V型铝电解电容器。
S为1×1小型拨动式电源开关。
G选用4F22型6V层叠式电池或4节7号电池串联供给。
c、b、e插孔可用市售三极管插座或用Φ0.3mm左右的漆包线刮去漆皮后绕成弹簧状，然后将其垂直焊在印制电路板上，同时分别引出3根导线并接上3种不同颜色的鳄鱼夹，以便在线测试。
电路调试：合上电源开关S，用一只完好的1N4148型硅开关二极管调整电路的辅助电源部分，将二极管的正极插入c插孔，负极插在e插孔，调整电位器RP1使LED2发光（应由灭调到亮，如一开始就亮，应先调灭）；然后调换二极管的极性，调整RP2，同时使LED1由灭调到亮，至此调试结束。
电路其他部分不用调试。