材料科学基础(第05章晶体缺陷)
材料科学基础晶体缺陷

第三节 位错的弹性特征 材料科学基础晶体缺陷 位错应变能的大小,以单位长度位错线上的应变能来表示,单位为J•M-1。 在数值上U=αGb2,其中b为柏氏矢量的大小,G为材料的剪切变模量。α为常数,螺位错为0.55—0.73, 常用0.5来简算;刃型位错为0.81—1.09,常用1.0来简算。
由于位错存在应变能,为减小这能量,位错线的分布一方面在可能的情况下尽量减小单位长度上的能量, 由位错结果决定的,只要晶体结构条件容许,柏氏矢量尽量小。另一方面就是减小位错线的长度,两点之间 只要结构容许,以直线分布。好像沿位错线两端作用了一个线张力。线张力和位错的能量在数量上是等价的。
材料科学基础晶体缺陷
一、位错的应变能
位错线周围的原子偏离了平衡位置,处于较高的能量状态,高出的能量称为位错的应变能,或简称位 错能。
来源:位错应变能主要是弹性应变能。弹簧或其他弹性体的弹性位能0.5kx2。同样在单位体积内弹性位能, 正应力引起的为0.5σε,而切应力引起的为0.5τγ。
在位错线的周围存在内应力,例如刃型位错,在多余半原子面区域为压应力,而缺少半原子面的区域存 在着拉应力;在螺位错周围存在的是切应力。所以位错周围存在弹性应变能。可见由于位错的存在,在其周 围存在一应力场,应力场的分布有机会进一步学习时再分析。
第三节 位错的基本概念
材料科学基础晶体缺陷
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长 或缩短,通常把半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。
滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运 动到位错线上的结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无外来原子将在晶体中产生新的 空位。空位的迁移速度随温度的升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另外,温度的变 化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是 无效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
材料科学 晶体缺陷

1. 位错的类型 位错 刃位错
螺位错
21
刃位错(edge dislocation): 晶体中已滑移区与未滑移区的边界线(即位错线) 若垂直于滑移方向,则会存在一多余半排原子面, 它象一把刀刃插入晶体中,使此处上下两部分晶体 产生原子错排,这种晶体缺陷称为刃位错。多余半
排原子面在滑移面上方的称正刃型位错,记为
注意
形成填隙原子时,原子挤入间隙位置所要的能量 比产生肖特基空位所需能量大,因此当温度不太高时, 肖特基缺陷的数目要比弗仑克尔缺陷的数目大得多。
6
Schottky缺陷的特点:
☺ 对于离子晶体, 带有正、负电荷的Schottky缺陷是成对出现的;
而金属晶体的Schottky缺陷则只会形成“体相空洞”;
= 4×26.98/6.022×1023×(4.049×10-8)3 g cm3 /cm3
2.6997g cm3
空位数 / cm 3 ( theoretical observed ) / mAl 原子 4.620 1020 / cm 3 7
Schottky 缺陷(空位缺陷)
1
缺陷的分类:
按纯几何的特征对点阵缺陷进行分类:
1. 点缺陷(零维缺陷) 2. 线缺陷(一维缺陷)
3. 面缺陷(二维缺陷) 4. 体缺陷(三维缺陷)
2
点缺陷 点缺陷是指发生在晶格中一个原子尺寸范围内的一 类缺陷。
1. 点缺陷的类型
Schottky 缺陷(肖特基缺陷) Frenkel 缺陷(弗仑克尔缺陷) 点缺陷 有序合金中的错位 置换式 化学缺陷 填隙式
☺ Schottky缺陷的多少会造成晶体表观密度的改变.
例1 已知金属铝属立方晶系, 空间点阵型为cF, 晶格常数a为 4.049×10-8 cm , 密度 observed 2.6790g cm3 , 求金属铝单位 体积 (cm3) 中的Schottky缺陷空位数.
《晶体缺陷》课件

热稳定性
晶体缺陷可能影响材料在高温下的稳 定性,降低其使用温度范围。
比热容
晶体缺陷可能影响比热容,改变材料 吸收和释放热量的能力。
光学性能的影响
折射率与双折射
光吸收与散射
晶体缺陷可能导致折射率变化和双折射现 象,影响光学性能。
晶体缺陷可能导致光吸收增强或光散射增 加,改变光学透射和反射特性。
荧光与磷光
热电效应
某些晶体缺陷可能导致热电效应增强,影响 热电转换效率。
介电常数
晶体缺陷可能影响介电常数,改变电场分布 和电容。
电阻温度系数
晶体缺陷可能影响电阻温度系数,改变温度 对电阻的影响。
热学性能的影响
热导率变化
晶体缺陷可能降低材料的热导率,影 响热量传递和散热性能。
热膨胀系数
晶体缺陷可能影响热膨胀系数,影响 材料在温度变化下的尺寸稳定性。
。
韧性下降
晶体缺陷可能导致材料韧性下 降,使其在受到外力时更容易
脆裂。
疲劳性能
晶体缺陷可能影响材料的疲劳 性能,降低其循环载荷承受能
力。
强度与延展性
晶体缺陷可能影响材料的强度 和延展性,从而影响其承载能
力和塑性变形能力。
电学性能的影响
导电性变化
晶体缺陷可能改变材料的导电性,影响其在 电子设备中的应用。
传感器
基于晶体缺陷的原理,可以设计新型传感器,如压力传感 器、温度传感器和气体传感器等,以提高传感器的灵敏度 和稳定性。
在新能源领域中的应用
太阳能电池
在太阳能电池中,可以利用晶体 缺陷来提高光吸收效率和载流子 的收集效率,从而提高太阳能电
池的光电转换效率。
燃料电池
在燃料电池中,可以利用晶体缺陷 来改善电极的催化活性和耐久性, 从而提高燃料电池的性能和稳定性 。
《材料科学基础》教学中的晶体缺陷

《材料科学基础》教学中的晶体缺陷第一篇:《材料科学基础》教学中的晶体缺陷《材料科学基础》教学中的晶体缺陷摘要:晶体缺陷是材料科学基础课中的重点和难点。
本章节内容比较抽象复杂,属于比较难理解和掌握的章节。
如何讲好讲清楚本章内容,使学生理解起来更容易、掌握起来更透彻,笔者就自身的课堂教学及具体知识点从多媒体教学的直观优势、将抽象概念与实际晶体相联系、加强师生间的互动及不可摒弃的板书四个方面进行了探讨。
关键词:晶体缺陷;多媒体教学;互动;教学体会中图分类号:G642.0 文献标志码:A 文章编号:1674-9324(2015)40-0223-02《材料科学基础》是高等学校材料化学相关专业的一门重要的专业基础课,主要研究材料的微观结构、微观过程,使学生掌握研究材料微观的方法,建立微观和宏观特性与性能间的联系及对应关系,并掌握材料成分、结构与性能之间的关系及其变化规律。
本课程是多学科知识的交叉与渗透,为后续专业课学习的基础,同时也是学生将来从事材料研究的理论基础。
“晶体缺陷”与前面章节“晶体结构”紧密相连,同时也是后续章节“材料的形变与再结晶”学习的基础,在《材料科学基础》课程内容中起到承上启下的作用。
此外,由于本章节涉及到晶体的内部微观,内容相对来说比较抽象,是历届学生反映最难理解掌握的章节。
如何清楚讲解该部分内容,使学生理解起来更容易、掌握起来更透彻,笔者就自身的课堂教学及具体知识点的讲解谈一些切身体会。
一、充分利用多媒体教学多媒体教学是目前比较普遍和先进的教学手段。
利用多媒体进行材料科学基础的教学,能够优化教学过程。
由于内容可以丰富多彩,多媒体教学也能从一定程度上激发学生的学习兴趣,从而充分调动了学生的积极性,并能提高教学质量。
多媒体教学具有非常好的直观优势,可以在很大程度上弥补学生在学习晶体缺陷时三维空间想象力的不足。
材料科学基础中,对晶体缺陷的定义是“在实际材料的微观结构中原子的排列或多或少地存在离开理想的区域,出现不完整性,通常把这种偏离完整性的区域称为晶体缺陷”。
《材料科学基础》教学中的晶体缺陷

《材料科学基础》教学中的晶体缺陷
晶体缺陷是晶体中的异常结构,它可以影响晶体的物理性质和力学性质。
在《材料科学基础》教学中,学生需要了解以下关于晶体缺陷的内容:
1. 晶体缺陷的分类:晶体缺陷可以分为内部缺陷和表面缺陷,内部缺陷包括缺位缺陷、离子缺陷、晶界缺陷、层缺陷等,而表面缺陷则包括裂纹、气孔、氧化物等。
2. 晶体缺陷的形成机制:晶体缺陷的形成可以由晶体原子或离子的迁移、晶体原子或离子的排斥、晶体原子或离子的结晶不足、晶体原子或离子的结晶过度等机制来解释。
3. 晶体缺陷的影响:晶体缺陷可以影响材料的物理性质和力学性质,例如热导率、电导率、磁导率等,以及材料的强度、韧性、硬度等。
4. 晶体缺陷的检测方法:常用的晶体缺陷检测方法包括X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、热扩散系数测定等。
材料科学基础晶体结构缺陷课后答案

3-1纯金属晶体中主要点缺陷类型有肖脱基空位和弗兰克空位,还有和弗兰克空位等量的间隙原子。
点缺陷附近金属晶格发生畸变,由此会引起金属的电阻增加,体积膨胀,密度减小;同时可以加速扩散,过饱和点缺陷还可以提高金属的屈服强度。
3-2答:在一定的温度下总是存在一定浓度的空位,这是热力学平衡条件所要求的,这种空位浓度为空位平衡浓度。
影响空位浓度的主要因素有空位形成能和温度。
3-3解:由exp(/)E V C A E kT =-138502201exp(/)111051000exp[()] 6.9510exp(/)29311238.31E V E V C A E kT C A E kT -⨯==-⨯=⨯- 3-4解:6002300112exp(/)11exp[()]exp(/)E V V E V C A E kT E C A E kT kT kT -==-⨯- 56600300121111ln/()8.61710(ln10)/() 1.98573873E V E C E eV C kT kT -=-=⨯⨯-=或190kJ/mol 3-5解:exp(/)e V C A E kT =-exp(/)i i C A E kT '=-由题设,A A '=,0.76, 3.0v i E eV E eV ==, 所以当T=293K 时538exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710293)] 3.3910exp(/)e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-⨯⨯=⨯'-当T=773K 时514exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710773)] 4.0210exp(/)e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-⨯⨯=⨯'-3-6答:1为左螺旋位错,2为负刃型位错,3为右螺旋位错,4为正刃型位错。
材料科学基础-第5章

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第二节 形核
一、自发形核
2. 临界大小
在一定过冷度下,ΔGV为负值,而σ恒 为正值。可见晶体总是希望有最大的体
五、结晶的一般过程
温度变化规律: 材料的熔体在熔点以上不断
散热,温度不断下降,到理论结 晶温度并不是马上变成固态的晶 体,继续降温而出现过冷。过冷 到某一程度开始结晶,放出结晶 潜热,可能会使其温度回升。到 略低于熔点的温度时,放出的热 量和散热可达到平衡,这时处于 固定温度,在冷却曲线上出现平 台。结晶过程完成,没有潜热的 补充,温度将重新不断下降,直 到室温。
第五章 晶体生长与晶体缺陷
• 概述 • §5.1 液体的性质和结构 • §5.2 凝固的热力学条件 • §5.3 形核过程 • §5.4 晶体的长大 • §5.5 铸锭的组织 • §5.6 单晶体的凝固
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第五章 晶体生长与晶体缺陷
• §5.7 玻璃态与金属玻璃 • §5.8 点缺陷 • §5.9 线缺陷 • §5.10 面缺陷
示为n为n单i 位n 体=积ex原p(子-数△小G/,knT)i为在n个原于中(含5.有1)i个原子的原子团 数 知目,当,△△GG增为加原时子,团n 与i 减数小目。相△同的G的单来个源原有子两的个自,一由个能与差固。、由液式相(5.1)
的自由能差有关,另一个是把固相与液相分开的界面能:前者在平 衡温度时为零,低于熔点时为负值,高于熔点时为正值;后者永 远为正值。
晶核而长大,所以金属凝固时,晶核必须要求等
材料科学-晶体缺陷

具有完善共格关系的界面
具有弹性畸变的共格界面
半共格界面
非共格界面
位错塞积群的一个重要效应是在它的前端引起应力集中。当 有n个位错被外加切应力τ推向障碍物时,在塞积群的前端 将产生n倍于外力的应力集中。
2.4 材料中面缺陷
严格来说,界面包括外表面(自由表面)和内界面。 表面是指固体材料与气体或液体的分界面,它与摩擦、 磨损、氧化、腐蚀、偏析、催化、吸附现象,以及光 学、微电子学等均密切相关;而内界面可分为晶粒边 界和晶内的亚晶界、孪晶界、层错及相界面等。
式中dW为产生dS表面所作的功。表面能也可以单位长度上 的表面张力(N/m)表示。 表面能与晶体表面原子排列致密程度有关,原子密排的 表面具有最小的表面能。所以自由晶体暴露在外的表面通 常是低表面能的原子密排晶面。
2.4.2 晶界和亚晶界
晶界 亚晶界 确定晶界位置用:
(1)两晶粒的位向差θ (2)晶界相对于一个点阵某一平面的夹角φ。 按θ的大小分类:
点缺陷
线缺陷
面缺陷
点缺陷
材料科学基础
第二章
点缺陷是最简单的晶体缺陷,它是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体 结构正常排列的一种缺陷。
晶体点缺陷包括:
空位
间隙原子
杂质
置换原子
点缺陷对结构和性能的影响
材料科学基础
第二章
点缺陷引起晶格畸变,能量升高,结构不稳定,易发生转变。 点缺陷的存在会引起性能的变化:
位错的直接观测: 利用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,简称TEM)可直 接观察到材料微结构中的位错。TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可 以穿过的薄膜。在没有位错存在的区域,电子通过等间距规则排列的各晶面时将 可能发生衍射,其衍射角、晶面间距及电子波长之间满足布拉格定律(Bragg's law)。而在位错存在的区域附近,晶格发生了畸变,因此衍射强度亦将随之变 化,于是位错附近区域所成的像便会与周围区域形成衬度反差,这就是用TEM观 察位错的基本原理,因上述原因造成的衬度差称为衍射衬度。 在图7和图8中,中间稍亮区域(晶粒)里的暗线就是所观察到位错的像。由于多 晶材料中不同晶粒的晶体学取向不同,因此晶粒之间亦存在衬度差别,这就是图 7和图8中中间区域较周围区域更亮的原因。值得注意的是,图中位错像所具有的 “蜿蜒”的形态,这是位错线在厚度方向穿过试样(薄膜)的位错在TEM下的典 型形态;还需注意的是图中位错像的终结处实际上是因为位错线到达了试样表面, 而非终结在了试样内部。所有位错都只能以位错环的形式终结于晶粒的内部。
材料科学基础晶体缺陷篇

作用下,原子沿滑移面同步
刚性地平移,滑移面上下两 部分晶体相对错动。按此模 型推算,晶体开始滑移所必 须的力:
←τ
滑 移 面
τ→
切应变: 切应力: ∵
a/2 1 a 2
m G
G 2
←τ τ→
G = 104~105 N/mm2
∴
而
τm= 103~104
N/mm2
G 30
τ实= 100 N/mm2
形成一个空位所需的能量为Ev; n个空位的组态由能改变:
ΔG = nEv - T( nSv + Sc)
ΔG = nEv - T( nSv + Sc)
其中组态熵:
S c k ln k ln N! ( N n)!n!
ln x! x ln x x
k[ N ln N ( N n) ln(N n) n ln n] G nEv nTSv kT [ N ln N ( N n) ln(N n) n ln n]
τ
B A b
部分晶体沿滑移面发生了部分
滑移。 • 滑移区与未滑移区交线为EF, EF线周围的原子失去了正常排 列。
τ
螺型位错模型 F B
D
τ
• 它们围绕着EF构成了一个以EF
O
2
1 O 2 2e 2
带正电荷的氧空位 带负电荷的点缺陷
Sn +4 Sn 2
电学性能变化,据此原理可测量周围气氛氧含量。
G H TS
二、点缺陷的平衡浓度
• 与线缺陷、面缺陷不同,点缺陷在热力学上是稳定的, 其平衡浓度随温度升高而增加。 • 设晶体中原子的正常位臵数N,空位数目为n ;
《晶体缺陷》PPT课件

则
z
Gb
2r
WS
1 2
R Gb2
r0 2r
dr
Gb 2 ln R
4 r0
Gb2 R
ES
4
ln r0
6.6.2 刃型位错应变能
类似可求得单位长度刃型位错应变能
Ee
Gb2
4 (1
v)
ln
R r0
51
6.6.3 混合位错的应变能
任何一个混合位错都可分解为一刃型位错和一个螺型位错,设其柏氏矢量b与位错线 交角为θ,则 :
有一定平衡数量的空位和间隙原子,其数量可近似算出。
设自由能F=U-TS U为内能,S为系统熵(包括振动熵SV和排列熵SC) 空位的引入,一方面由于弹性畸变使晶体内能增加; 另一方面又使晶体中混乱度增加,使熵增加。而熵 的变化包括两部分: ① 空位改变它周围原子的振动引起振动熵,SV ② 空位在晶体点阵中的排列可有许多不同的几何组 态,使排列熵SC增加。
18
6.2.3 混合位错
位错线上任一点的滑移矢量相同,但两者方向夹角呈 任意角度,图为混合位错的产生
6.3 柏氏矢量
柏氏矢量是描述位错性质的一个重要物理量,1939年 Burgers提出,故称该矢量为“柏格斯矢量”或“柏 氏矢量”,用b 表示
1.柏氏矢量的确定(方法与步骤)
1)人为假定位错线方向,一般是从纸背向纸面或由上 向下为位错线正向
设立刃型位错模型,
由弹性理论求得:
xx
D
y(3x2 (x2
y2) y2 )2
yy
D
y(x2 y2 ) (x2 y2)2
zz v(xx yy)
xz zx yz zy 0
xy
材料科学基础晶体结构缺陷

1.淬火 高温时晶体中的空位浓度很高,经过淬火后,空 位来不及通过扩散达到平衡浓度,在低温下仍保持了较 高的空位浓度。
2.冷加工 金属在室温下进行压力加工时,由于位错交割 所形成的割阶发生攀移,从而使金属晶体内空位浓度增 加。
3.辐照 当金属受到高能粒子(中子、质子、α粒子、电子 等)辐照时,晶体中的原子将被击出,挤入晶格间隙中, 由于被击出的原子具有很高的能量,因此还有可能发生 连锁作用,在晶体中形成大量的空位和间隙原子。
四、点缺陷的运动
晶体中的点缺陷并不是固定不动的,而是处于不断的运动过程 中。
三种运动形式:
①空位周围的原子,由于热激活,某个原子有可能获得足够 的能量而跳入空位中,并占据这个平衡位置。这时,在该原 子的原来位置上,就形成了一个空位。这一过程可以看作空 位向邻近阵点位置的迁移(空位的运动)。
②由于热运动,晶体中的间隙原子也可由一个间隙位置迁移 到另一个间隙位置(间隙原子的运动)。
③在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入 该空位,而使两者都消失,这一过程称为复合。
图2-7 点缺陷运动示意图
五、点缺陷对晶体材料性能的影响 一般情形下,点缺陷主要影响晶体的物理性
质,如比容(specific volume)、比热容(specific
heat volume)、电阻率(resistivity)、扩散系数、
③只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移 平面上滑移; ④位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变, 也有正应变; ⑤在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原 子具有较大的能量。
b、间隙原子
处于晶格间隙中的原子即为间隙原子。在 形成弗仑克尔空位的同时,也形成一个间隙原 子,另外溶质原子挤入溶剂的晶格间隙中后, 也称为间隙原子,他们都会造成严重的晶体畸 变。间隙原子也是一种热平衡缺陷,在一定温 度下有一平衡浓度,对于异类间隙原子来说, 常将这一平衡浓度称为固溶度或溶解度。
第五章结构缺陷及固溶体PPT优秀课件

M+ X M+ X
X M+ X M+
M+
M+ X
X M+ X M+
负离子空位
材料科学基础
2)填隙质点:
原子或离子进入晶体中正常结点之间的间隙位置, 成为填隙原子(或离子)或间隙原子(或离子)。
从成分上看,填隙质点可以是晶体自身的质点, 也可以 是外来 杂质的 质点。
材料科学基础
3)杂质原子:
注意:
1)位置关系强调形成缺陷时,基质晶体中正负离子格点 数之比保持不变,并非原子个数比保持不变。 2)在上述各种缺陷符号中,位于正常格点上,对格点数 的多少有影响,而不在正常格点上,对格点数的多少无影 响。 3)形成缺陷时,基质晶体中的原子数会发生变化,外加 杂质进入基质晶体时,系统原子数增加,晶体尺寸增大;
5.1.1点缺陷分类 分类方法分别有按照位置、成分和产生原
因等不同角度进行分类,不同分类方法可能产 生重叠交叉。
1. 按照位置和成分分类
空位
填隙质点
杂质原子
材料科学基础
1)空位:
正常结点没有被原子或离子所占据,成为空结 点,称为空位或空穴。
M+ X M+ X
X
X M+
M+ X M+ X
X M+ X M+
第五章 结构缺陷及固溶体
材料科学基础
缺陷的含义: 通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为结
构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。固体在热力 学上最稳定的状态是处于0K温度时的完整晶体状态, 其内部能量最低,原子或离子按理想的晶格点阵排列。 实际晶体:晶体中相对理想晶体结构的偏离,存在着
材料科学基础晶体结构缺陷

由于间隙正离子,使金属离子过剩
Zn1+x与Cdl+xO属于这种类型。过剩的金属离子进入间 隙位置,带正电,为了保持电中性,等价的电子被束缚在 间隙位置金属离子的周围加深,就是形成这种缺陷的缘 故。
精品课件,你值得拥有!
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晶体结构缺陷的定义
➢通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的 结构缺陷。
➢理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 ➢实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性。
缺陷对材料性能的影响
晶体结构缺陷的类型
分类方式:
几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷等 形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等
点缺陷(零维缺陷)
由于间隙正离子,使金属离子过剩型结构
e
(b)单质中的肖特基缺陷的 形成
杂质缺陷
定义:亦称为组成缺陷,是由外加杂质的引入所产生的缺 陷。
特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内,则杂质 缺陷的浓度与温度无关。
非化学计量缺陷
定义:指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它 是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。 如Fe1-xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。
➢ 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺陷 的尺寸都很小。
➢ 包 括 : 空 位 ( vacancy ) 、 间 隙 质 点 ( interstitial particle)、杂质质点(foreign particle)。
空位
杂质质点
间隙质点
线缺陷(一维缺陷)
指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排 列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二维 方向上很短。如各种位错(dislocation)。
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图3-6a 晶体局部滑移产生 刃型位错
21
刃型位错的特点:
刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原 子面在滑移面上边的称为正刃型位错,记为"┻";而 把多出在下边的称为负刃型位错,记为"┳"。其实这 种正、负之分只具相对意义而无本质的区别。
图3-6 刃型位错
22
刃型位错的特点:
第5章 晶体缺陷
5.1 点缺陷 5.2 位错 5.3 表面及界面
1
缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性 势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完 整性。 缺陷对材料性能的影响
2
缺陷的分类方式:
形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷
-xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。
特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。
是一种半导体材料。
4. 其它原因,如电荷缺陷,辐照缺陷等
6
5.1 点缺陷
1. 基本概念:如果在任何方向上缺陷区的尺寸都 远小于晶体或晶粒的线度,因而可以忽略不计, 那么这种缺陷就叫做点缺陷。 点缺陷是最简单 的晶体缺陷,它是在结点上或邻近的微观区域
面或内表面的正常结点位置上,而使晶体内部留下空位, vacancy 。 称为肖脱基(Schottky)空位;二是挤入点阵的间隙位置, 而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原子,则称为 弗兰克尔(Frenkel)缺陷;三是跑到其他空位中,使空 位消失或使空位移位。另外,在一定条件下,晶体表面上
如果脱离平衡位置的原子 的原子也可能跑到晶体内部的间隙位置形成间隙原子,如 进入到晶格间隙中,则同 时形成了等量的空位和间 图演示。 隙原子,这样的缺陷叫做 Frenkel defect。
3. 螺型位错: 位错线垂直于滑移方向,模型如图3-7所示。 晶体右上半部分在外力的作用下发生局部滑移,滑移面 为ABCD,滑移方向如图所示。
图3-7 晶体局部滑移产生的螺型位错
25
螺型位错的特点:
① 螺型位错无额外半原子面,原子错排是呈轴对称的。
② 根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不同,
陷叫做 Frenkel defect。
离子晶体:负离子不能到间隙; 局部电中性要求
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(a)弗仑克尔缺陷的形成 (空位与间隙质点成对出现)
(b)单质中的肖特基缺陷的 形成
Frenkel defect 和 Schottky defect产生示意图
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5.1 点缺陷
5.1.2 点缺陷的平衡浓度
1.
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5.2 位错
5.2.2 伯氏矢量
1. 伯氏矢量的确定:柏氏回路是在有缺陷的晶体中围绕缺陷区将 原子逐个连接而成的封闭回路。对于无法封闭的柏氏回路,为 了使其封闭(起点与终点重合),必须增加一个向量closure failure ,如图3-8所示。该向量就称为柏氏矢量,记做b。
图3-8 柏氏回路与柏氏矢量的确定
1)晶体中空位在热力学上是稳定的,一定温度T对应一平衡 浓度X 2)X与T呈指数关系,温度升高,空位浓度增大 3)空位形成能ΔUV大,空位浓度小
例如:已知铜中ΔUV=1.7×10-19J,A取为1,则
T 100K 300K 500K 700K 900K 1000K
n/N
10-57
10-19
10-11
b1 b2 b3 b4 0
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5.2 位错
5.2.2 伯氏矢量
5. 伯氏矢量的表示方法:可以用点阵矢量来表示 ,可用与伯 氏矢量同向的晶向指数来表示。
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5.2 位错
5.2.3 位错运动
• 位错的最重要性质之一是它可以在晶体中运动,而晶体宏 观的塑性变形是通过位错运动来实现的。晶体的力学性能 如强度、塑性和断裂等均与位错的运动有关。 • 位错的运动方式有两种最基本形式,即滑移和攀移。
热力学分析表明,在高于0K的任何温度下,晶体最稳
定的状态并不是完整晶体,而是含有一定浓度的点缺陷 状态,即在该浓度情况下,自由能最低。这个浓度就称 为该温度下晶体中点缺陷的平衡浓度。
空位形成能: 空位的出现破坏了其周围的结合状态,因 而造成局部能量的升高,由空位的出现而高于没有空位 时的那一部分能量称为“空位形成能”。
螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。
③ 螺型位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线,而且位
错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。
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螺型位错的特点:
④ 纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位错线
的平面都可以作为它的滑移面。但实际上,滑移通常是 在那些原子密排面上进行。 ⑤ 螺型位错线周围的点阵也发生了弹性畸变,但是,只有 平行于位错线的切应变而无正应变,即不会引起体积膨
畸变,既有切应变,又有正应变。就正刃型位错而言,
滑移面上方点阵受到压应力,下方点阵受到拉应力: 负刃型位错与此相反。
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刃型位错的特点:
在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原子具有较大的
平均能量。但该区只有几个原子间距宽,畸变区是狭长 的管道,所以刃型位错是线缺陷。
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5.2 位错
5.2.1 位错的基本类型和特征
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5.2 位错
5.2.2 伯氏矢量
3. 伯氏矢量的特性
① 柏氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变总累积的物理量。 该矢量的方向表示位错的性质与位错的取向,即位错运动 导致晶体滑移的方向;而该矢量的模|b|表示了畸变的程 度,称为位错的强度。 ② 柏氏矢量与回路起点及其具体途径无关。柏氏矢量是唯一 的,这就是柏氏矢量的守恒性。
5.2.2 伯氏矢量 3. 伯氏矢量的特性 ③ 若一个柏氏矢量为b的位错可以分解为柏氏矢量分别为b1, b2….bn的n个位错,则分解后各位错柏氏矢量之和等于原 位错的柏氏矢量,即 b= b1+b2+b3+……
bin bout b1 b2 b3
I b1
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5.2 位错
5.2.1 位错的基本类型和特征 1. 2. 位错的概念:位错是晶体的线 性缺陷。 刃型位错:刃型位错的位错线 垂直于滑移方向,模型如图所 示,相当于在正常排列的晶体 当中插入了半个原子面。拥有 半原子面的晶体部分,原子间 距减小,晶格受到压应力;在 缺少半原子面的晶体部分,原 子间距增大,晶体收到拉应力。
2.
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5.1 点缺陷
5.1.3 点缺陷的运动
3.
空位在晶体中的分布是一个动态平衡,其不断地与周围 原子交换位置,使空位移动所必需的能量,叫空位移动 能Em。空位移动所造成的原子迁移,即金属晶体中的 自扩散。(以后会学到)自扩散激活能相当于空位形成 能与移动能的总和。
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5.1 点缺陷
5.1.3 点缺陷的运动 3. 点缺陷对材料性能的影响 提高材料的电阻 定向流动的电子在点缺陷处受到非平 衡力(陷阱),增加了阻力,加速运动提高局部温度(发 热)。 加快原子的扩散迁移 空位可作为原子运动的周转站。 形成其他晶体缺陷 过饱和的空位可集中形成内部的空 洞,集中一片的塌陷形成位错。 改变材料的力学性能 空位移动到位错处可造成刃位错 的攀移,间隙原子和异类原子的存在会增加位错的运动 阻力。会使强度提高,塑性下降 。
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5.1 点缺陷
肖脱基缺陷:脱离平衡位置的原子如果逃逸到晶体外表
面,在原来位置只形成空位,没有形成间隙原子,这样
的空位缺陷叫做 Schottky defect 或 Schottky vacancy 。 弗兰克尔缺陷:如果脱离平衡位置的原子进入到晶格间 隙中,则同时形成了等量的空位和间隙原子,这样的缺
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5.2 位错
5.2.2 伯氏矢量 3. 伯氏矢量的特性 ③ 一根不分岔的位错线,不论其形状如何变化(直线、曲折 线或闭合的环状),也不管位错线上各处的位错类型是否
相同,其各部位的柏氏矢量都相同;而且当位错在晶体中
运动或者改变方向时,其柏氏矢量不变,即一根位错线具 有唯一的柏氏矢量。
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5.2 位错
内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷。
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5.1 点缺陷
2. 基本类型:
空位(vacancy) :实际晶体中某些晶格结点的原
子脱离原位,形成的空着的结点位置就叫做空位。
间隙原子(interstitial particle) :进入点阵间隙
中的原子称为间隙原子。
置换原子(foreign particle):那些占据原来基体
空位的出现提高了体系的熵值
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5.1 点缺陷
5.1.2 点缺陷的平衡浓度
2.
假设温度T和压强P条件下,从N个原子组成的完整晶体
中取走n个原子,即生成n个空位。并定义晶体中空位 缺陷的平衡浓度为:x=n/N
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5.1 点缺陷
5.1பைடு நூலகம்2 点缺陷的平衡浓度
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若已知ΔUV和ΔSV,则可由上式计算出任一温度T下的浓度X. 由上式可得:
原子平衡位置上的异类原子称为置换原子。
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置换原子
间隙原子
图5-3 半径较小的置换原子
图3-4 晶格空位 半径较大的置换原子
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5.1 点缺陷
脱离平衡位置的原子如果逃逸到晶体 外表面,在原来位置只形成空位,没有
5.1.1 点缺陷的形成形成间隙原子,这样的空位缺陷叫做
离开平衡位置的原子有三个去处:一是迁移到晶体表 Schottky defect 或 Schottky
刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边
界线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它 必与滑移方向相垂直,也垂直于滑移矢量。
滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面,