完成可控硅触发电路设计必须满足这些要求
正负电源基础知识以及如何符合双向可控硅触发要求
正负电源基础知识以及如何符合双向可控硅触发要求
摘要
电源电压在某些情况下被视为正电压或者负电压。
对于不经常跟双向可控硅开关管打交道的人来说，“负电源”听起来怪怪的，毕竟集成电路从来不使用负电压。
在有些情况下，双向可控硅驱动电路优先选用负电压。
本文介绍几个简单的双向可控硅正电源驱动解决方案。
正电源和负电源
如果功率半导体控制电路需要使用电源，且驱动参考端子连至市电(相线或零线端子)，则需要使用非隔离电源。
双向可控硅、ACST、ACS或SCR(可控硅整流管)等交流开关的触发电路就属于这种情况。
这些开关器件都是由栅电流控制。
栅电流必须加在栅极引脚上，流经栅极和参考端子，参考端子包括SCR的阴极(K)、双向可控硅的A1端子或ACST和ACS开关的COM端子。
因为交流开关控制电路及其电源必须以参考端子为参考点(回连到相线电压)，所以需要非隔离型电源。
将开关的驱动参考端子连到非隔离型电源有两种方案：
• 方案1:将控制电路接地端子(VSS)连到驱动参考端子。
• 方案2:将控制电路电源电压端子(VDD)连到驱动参考端子。
图1：电源极性定义
方案1是最常见的解决方案，开关的驱动参考端子是零电压点(VSS)，如图。
可控硅隔离驱动电路设计
可控硅（SCR，Silicon-Controlled Rectifier）是一种常用的电力控制元件，具有开关特性。
在许多应用中，为了保护其它电路或设备不受到高压或高电流的影响，需要使用可控硅隔离驱动电路。
本文将介绍可控硅隔离驱动电路的设计原理和步骤。
一、可控硅隔离驱动电路的设计原理可控硅隔离驱动电路的设计目的是通过一个中间的隔离电路，将输入信号与可控硅之间进行隔离，以达到保护输入信号源和可控硅的目的。
其主要原理如下：1. 隔离器件：在可控硅隔离驱动电路中，常常使用光耦隔离器作为隔离器件。
光耦隔离器内部包含一个发光二极管和一个光敏三极管，通过发光二极管将输入信号转换成光信号，再由光敏三极管将光信号转换成输出信号。
2. 驱动电路：驱动电路是可控硅隔离驱动电路的核心部分，其功能是接收输入信号并产生适当的输出信号来驱动可控硅。
常见的驱动电路包括触发电路和放大电路，用于对输入信号进行处理和放大。
3. 隔离电源：为了保证隔离效果，可控硅隔离驱动电路需要使用独立的隔离电源。
隔离电源可以为光耦隔离器提供稳定的工作电压，同时与输入信号源和可控硅之间实现电气隔离。
二、可控硅隔离驱动电路的设计步骤设计可控硅隔离驱动电路需要经过以下几个步骤：1. 确定输入信号要求：首先需要明确输入信号的特性，包括电压、电流和频率等。
根据输入信号的要求，选择合适的光耦隔离器，并确定驱动电路的设计参数。
2. 选择光耦隔离器：根据输入信号的要求和可控硅的工作条件，选择适合的光耦隔离器。
常用的光耦隔离器有光电转换器、光电继电器和光电隔离放大器等，根据具体应用需求进行选择。
3. 设计驱动电路：根据输入信号的特性和可控硅的驱动要求，设计合适的驱动电路。
驱动电路通常包括触发电路和放大电路，触发电路用于检测输入信号并产生触发脉冲，放大电路则用于放大触发脉冲以驱动可控硅。
4. 确定隔离电源：根据光耦隔离器的工作电压要求，选择适当的隔离电源。
隔离电源可以采用线性稳压电源或开关电源，根据实际情况进行选择。
可控硅阻容触发电路适用于中容量可控硅的触发
可控硅阻容触发电路适用于中容量可控硅的触发可控硅阻容触发电路是一种常用于控制可控硅工作状态的电路。
它由一个电阻和一个电容组成，通过改变电阻和电容的数值以及连接方式，可以实现对可控硅的触发和控制。
本文将对可控硅阻容触发电路的原理、应用和设计进行详细介绍。
可控硅是一种具有单向导通特性的半导体器件，其工作状态是通过控制它的触发电流而实现的。
可控硅有多种触发方式，其中常用的有门极触发、负极触发和阻容触发。
相比较其他触发方式，阻容触发电路具有简单、稳定、成本低等优点，因此在中容量可控硅的触发中被广泛应用。
可控硅阻容触发电路的原理相对简单。
当一个可控硅与电源正极相连时，需要通过触发电流来使可控硅导通。
而阻容触发电路则通过改变电阻和电容的数值以及连接方式，来实现触发电流的控制。
阻容触发电路的基本原理如下：当触发电路中的电容电压低于可控硅的触发电压时，电路处于触发状态；当电容电压高于可控硅的触发电压时，电路处于停止触发状态。
具体来说，阻容触发电路通过调整电阻和电容的数值和连接方式，使电容电压在可控硅所需触发电压附近波动。
具体设计可控硅阻容触发电路时，需要考虑以下几个方面：1.电阻和电容的选择：根据可控硅的规格和参数选择合适的电阻和电容。
电阻和电容的数值决定了电容电压波动的速度和幅度，需根据实际需求进行选择。
2.连接方式：电阻和电容可以采用串联或并联的方式连接，不同的连接方式会影响电路的工作特性。
串联连接可以提高电路的稳定性和减小电容电压波动幅度，而并联连接则有助于提高电路的触发速度。
3.触发电压的控制：通过改变电阻和电容的数值和连接方式，可以实现对触发电压的控制。
通过调整电路中的电阻和电容的数值，可以使电容电压在可控硅所需的触发电压附近波动，从而实现可控硅的触发。
可控硅阻容触发电路在实际应用中有广泛的用途。
其中，常见的应用包括电力电子变换器、交流调压、直流调压、电力系统谐波治理等。
在这些应用中，可控硅阻容触发电路可以实现对可控硅的触发和控制，从而实现对电力电子器件的工作状态的控制和调节。
2023年电工(中级)高频考点训练2卷合壹-37(带答案)
2023年电工（中级）高频考点训练2卷合壹（带答案）（图片大小可自由调整）全文为Word可编辑，若为PDF皆为盗版，请谨慎购买！第1套一.全能考点(共100题)1.【判断题】()接地电阻，工频接地电阻与冲击接地电阻实际上都是指接地装置的电阻值，故三者在数值上相同。
参考答案：×2.【判断题】绝缘油的介质损失角正切值的测试结果以第一次试验时的数值为准。
参考答案：×3.【判断题】()测量电压互感器，不必考虑空气湿度、温度等对绝缘电阻的影响。
参考答案：×4.【单选题】当检修继电器发现触头部分磨损到银或银基合金触头厚度的()时，应更换新触头.A、1/3B、2/3C、1/4D、3/4参考答案：D5.【多选题】下列描述属于图示中存在的主要安全隐患的是（）。
A、电焊作业现场未配备灭火器B、作业人员未佩戴安全帽C、钢管摆放不整齐，随意码放D、电缆线拖地，并违规使用花线E、工人未穿着反光背心参考答案：ABD6.【单选题】对FN1-10型户内高压负荷开关进行交流耐压试验时被击穿.其原因是.()A、支柱绝缘子破损，绝缘杆受潮B、周围环境湿度减小C、开关动静触头接触良好D、灭弧室功能良好参考答案：A7.【单选题】某电器一天(24小时)用电12度，问此电器功率为()。
A、4.8KWB、0.5KWC、2KwD、2.4KW参考答案：B8.【单选题】在脉冲电路中，应选择()的三极管。
A、放大能力强B、开关速度快C、集电极最大耗散功率高D、价格便宜参考答案：B9.【单选题】用单相有功功率表测量三相有功功率时，有（）方法。
A、一种B、二种C、三种D、四种参考答案：C10.【单选题】X62W电气线路中采用了完备的电气联锁措施，主轴与工作台工作的先后顺序是:()A、工作台启动，主轴才能启动B、主轴启动，工作台才启动C、工作台与主轴同时启动D、工作台快速移动后，主轴启动参考答案：B11.【单选题】用功率因数表测量高压输出线路时，应配套（）仪器。
可控硅触发电路的设计
变得非 常难 以控 制 。
作 者 在无 锡 某 工 业 自动 化有 限公 司教 科 研 结合实践期间 ， 与公 司科 研 人 员合 作 ， 可 控 硅 对
触 发 电路在 变频 器设备 中的应用做 了探 索 。
收 稿 日期 ：０ ７ ０ — ９ ２ ０ — ２ １
作 者 简 介 ： 长颖 （９ ９ ）女 ， 芮 １ ７一 ， 天津 人 。 无 锡 职业 技 术 学 院 助教 ， 京 航 空航 天 大 学机 电学 院 研 究 生 。研 究 方 向 ： 南 电 力 电 子技 术 应 用 。
控硅 不会 被错 误地 打 开 ． 防止 快速 充 电所 形成 以 的大 电流导致外 部 的过流保 护 动作 。 ２ｚ （ ）控制 电路在 打 开 可 控硅 的时候 应 最 大
为 了满 足可 控硅 整 流 电路触 发脉 冲 的基本 要
求， 设计 了如 图 ３所示 的触 发 电路 。
图 ３双 向可控硅过零触发 电路
一
路 乃至 整个 设 备 ． 因而 近年 来 工业 大 功率 设备 中
用 无 触 点 控 制 取代 有 触 点 控 制 已经 成 为 一种 趋
势 。可 控 硅作 为无 触点 开关 能 快速 通 断 电路 ， 不 存 在 电弧 及 噪声等 现象 ， 全可 靠 ， 用 寿命 长 ， 安 使 是 进行 无 触点 改造 的理 想元 件 ． 是 它在 变频 器 但 设 备 中 的使用 却一 直没 有被 广 泛推 广 ． 因在 于 原 变频 器可 控硅 系统 的特 别 要求 ： 频 器 中可 控硅 变 不但 要 取 代 原有 的接 触 器 ．还要 承 担 整 流 的功 能 ， 且 在 可控 硅 之后 ， 一个 电容 量大 的 电容 而 是
双向可控硅及触发电路
双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
可控硅 触发限流电阻的选择
在选择可控硅触发限流电阻时，需要考虑以下几个因素：电阻值：根据可控硅的规格和电路需求，选择合适的电阻值。
通常情况下，电阻值越大，限流效果越好，但同时也会延长触发时间。
因此，需要根据实际应用进行权衡。
功率：电阻的功率决定了其能够承受的电流大小。
在选择电阻时，需要确保其功率能够承受电路中的电流，避免因过载而烧毁。
精度：电阻的精度对其限流效果也有影响。
精度越高，电阻值的变化范围越小，触发电流的稳定性越好。
因此，在选择电阻时，需要选择精度较高的电阻。
温度系数：电阻的阻值会随着温度的变化而变化，温度系数是衡量电阻阻值随温度变化程度的指标。
在选择电阻时，需要考虑其温度系数是否符合电路要求。
其他因素：此外，还需要考虑其他因素，如电压、频率等对电阻选择的影响。
综上所述，可控硅触发限流电阻的选择需要考虑多个因素，包括电阻值、功率、精度、温度系数等。
在实际应用中，需要根据具体需求进行选择，以确保电路的正常运行和可靠性。
可控硅触发电路必须满足的三个主要条件
可控硅触发电路必须满足的三个主要条件
一、可控硅触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度
为了使所有的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发，可控硅触发电路所送出的触发电压和电流，必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的最大值，并且留有足够的余量。
另外，由于可控硅的触发是有一个过程的，也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间，不是一触即通，只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时，管子才能导通，所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。
例如：一般可控硅的导通时间在6μs左右，故触发脉冲的宽度至少在6μs以上，一般取20～50μs，对于大电感负载，由于电流上升较慢，触发脉冲宽度还应加大，否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上，则可控硅又重新关断，所以脉冲宽度下应小于300μs，通常取
1ms，相当广50Hz正弦波的18°电角度。
二、触发脉冲的型式要有助于可控硅触发电路导通时间的一致性
对于可控硅串并联电路，要求并联或者串联的元件要同一时刻导通，使两个管子中流过的电流及或承受的电压及相同。
否则，由于元件特性的分散性，在并联电路中使导通较早的元件超出允许范围，在串联电路中使导通较晚的元件超出允许范围而被损坏，所以，针对上述问题，通常采取强触发措施，使并联或者串联的可控硅尽量在同一时间内导通。
三、触发电路的触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步
为了保证可控硅变流装置能在给定的控制范围内工作，必须使触发脉冲能在相应的范围内进行移相。
同时，无论是在可控整流、有源逆变还是在交流调压的触发电路中，为了使每—周波重复在相同位置上触发可控硅，触发信。
可控硅应用的十条原则
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可控硅应用的十条原则
一、为了导通闸流管(或双向可控硅)，必须有门极电流≥IGT ，直至负载电流达到≥IL，这条件必须满 足，并且按可能遇到的最低温度来考虑。 二、要断开(切换)可控硅负载电流，必须使其能回复至截止状态。 三、设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限( T2- , + )。 四、为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至T1(或阴极)。若用硬线，用螺旋双线 或屏蔽线。门极和T1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选 用H 系列低灵敏度双向可控硅。 五、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在T1和T2间加入RC 缓冲电路。若高dIcom/dt 可能引起问题， 加入一个几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 的双向可控硅。 六、假如双向可控硅的VDRM 在严重的/异常的电源瞬间过程中有可能被超出, 请采用下列措施之一: 负载上串联电感量为几µH 的不饱和电感，以限制dIT/dt； 用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。 七、选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力。 八、若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，负载上最好串联一个几µH的无铁芯电感或负温度系数的热 敏电阻。另一种解决办法是：对电阻性负载采用零电压导通。 九、将可控硅器件固定到散热器时，避免让可控硅受到压力。先固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯 轴放在器件接口片一侧。 十、为了长期可靠的工作, 应保证Rth(j-a)足够低, 维持Tj不高于Tj(max.)其值相应于可能的最高环境温度。
网络实名: 中国可控硅
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可控硅的四大参数
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单向可控硅触发电路
单向可控硅触发电路
单向可控硅触发电路是一种常见的电子元器件，用于控制电流的导通和截断。
以下是一种简单的单向可控硅触发电路设计方案。
所需材料：
- 单向可控硅（SCR）
- 电阻器
- 电压源
- 开关
步骤：
1. 将单向可控硅的三个引脚连接到电路中。
其中一个引脚作为控制端（G)，另外两个引脚分别作为主极（A）和辅助极（K）。
2. 将电阻器连接到单向可控硅的控制端（G）。
3. 将电压源连接到控制端（G) 和主极（A）。
确保电压源的极性正确。
4. 在电路中添加一个开关，用于控制电流的触发。
5. 当开关打开时，电流无法通过单向可控硅，触发电路处于截断状态。
6. 当开关关闭时，通过电阻器向单向可控硅的控制端（G）提供正向电压。
这将使得单向可控硅导通，允许电流通过触发电路。
注意事项：
- 在连接单向可控硅之前，确保电路断电。
- 为控制端（G）选择合适的电阻器值以确保可控硅的触发电流达到所需电流。
- 在设计电压源时，请确保其输出电压与单向可控硅的额定电压匹配。
请注意，在实际应用中，单向可控硅触发电路需要根据具体要求进行调整和优化。
以上仅为示范电路，仅供参考使用。
与电子元器件相关的操作需要谨慎进行，以确保安全性和可靠性。
可控硅隔离驱动电路设计
可控硅（SCR）隔离驱动电路设计引言：可控硅（SCR）是一种常见的功率电子器件，广泛应用于控制高电压和高电流负载的电路中。
为了确保可控硅的可靠工作，需要设计一个有效的隔离驱动电路。
本文将介绍可控硅隔离驱动电路的设计原理和步骤，以及注意事项。
第一部分：设计原理1. 可控硅的工作原理：可控硅是一种双向导通的半导体开关，需要通过控制电压来触发其导通或关断状态。
当控制电压大于可控硅的触发电压时，可控硅将导通，反之则关断。
2. 隔离驱动电路的作用：隔离驱动电路用于将低电平的控制信号转换为高电平的触发信号，以确保可控硅能够可靠地工作。
它还提供了电气隔离，防止干扰和保护触发电路。
第二部分：设计步骤1. 确定输入和输出要求：首先确定输入信号的特性，包括电压、电流和触发方式（单相或三相）。
然后确定输出信号的特性，如触发脉冲宽度和频率。
2. 选择隔离驱动电路：根据输入和输出要求选择合适的隔离驱动电路。
常见的隔离驱动电路包括光耦隔离、变压器隔离和光纤隔离等。
根据实际情况选择最适合的隔离方法。
3. 设计控制电路：根据可控硅的触发特性设计控制电路。
控制电路通常包括一个触发脉冲发生器和一个驱动电路。
触发脉冲发生器用于产生触发脉冲，驱动电路用于放大触发脉冲并提供足够的电流驱动可控硅。
4. 进行仿真和优化：使用电子仿真软件对设计的隔离驱动电路进行仿真，并根据仿真结果进行优化。
确保设计符合预期要求，能够稳定可靠地工作。
5. 布局和布线：将隔离驱动电路的主要元件合理布局在电路板上，并进行适当的布线。
保持信号路径短、分离高低功率回路，以减小干扰和提高可靠性。
6. 调试和测试：完成电路的布局和布线后，进行调试和测试。
确保隔离驱动电路能够正常工作，并满足输入和输出要求。
第三部分：注意事项1. 选择合适的隔离方法：根据实际情况选择最适合的隔离方法，考虑到成本、可靠性和工作环境等因素。
2. 注意电气隔离：隔离驱动电路需要提供有效的电气隔离，以防止干扰和保护触发电路。
可控硅参数要求范文
可控硅参数要求范文可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种重要的电子器件，常用于电能调节、交流电流控制、直流电流开关等应用领域。
在实际应用中，选择合适的可控硅参数十分重要，下面将从可控硅的额定值、电流电压特性、灵敏度等方面进行详细介绍。
首先，我们来看可控硅的额定值。
可控硅的额定电容、功率、电流、电压、温度等参数需符合特定的要求，这样才能确保器件的稳定工作。
额定电容表示可控硅的电容容量，通常以微法（μF）为单位，用于描述可控硅的快速开关特性；额定功率指的是可控硅能够承受的最大功率，通常以瓦特（W）为单位，这对于应用中的功率分配和保护电路设计非常重要；额定电流表示可控硅的最大可管理电流，通常以安培（A）为单位，使用中应确保电流不超过额定电流；额定电压指的是可控硅所能承受的最大电压，通常以伏特（V）为单位，不能超过额定电压以保证器件的稳定运行；额定温度是指可控硅能够正常工作的最高温度，通常以摄氏度（℃）为单位，在使用中应控制温度，避免过热引起电压漂移和损坏等现象。
其次，可控硅的电流电压特性也是一个重要的参数。
可控硅的电流电压特性包括导通特性和关断特性。
导通特性指的是在可控硅的触发电流作用下，电流从阳极流向阴极的特性。
常见的导通特性参数有导通压降、导通电阻等；关断特性指的是在可控硅的关断条件下，电流完全截断的特性。
常见的关断特性参数有关断电流、关断时间等。
这些特性对于实际应用中的开关动作和稳定性都非常重要，应根据具体应用需求选择适合的可控硅参数。
再次，可控硅的灵敏度也是选型时需要考虑的因素之一、灵敏度指的是器件触发电流与晶闸管可控电流之间的比值。
灵敏度越高，则晶闸管在低电流条件下就能够触发，适应性更强。
选择灵敏度合适的可控硅，可以提高开关性能，减少触发电流的损耗，降低功耗和成本。
最后，还有一些其他的可控硅参数也需要考虑。
比如器件的开启时间、关断时间、峰值电流、功率转换效率等。
20a双向可控硅 光耦触发电路
20a双向可控硅光耦触发电路
20A双向可控硅光耦触发电路是一种常见的电子电路，用于控制大电流负载的开关。
双向可控硅是一种功率半导体器件，能够控制交流电路的导通和截止。
光耦是一种光电耦合器件，用于隔离输入和输出电路，保护控制电路免受高电压或高电流的影响。
光耦触发电路通常由光耦、电阻、双向可控硅和其他辅助元件组成。
当光耦接收到输入信号时，它会产生相应的输出信号，通过电阻和触发电路控制双向可控硅的导通和截止，从而控制负载的通断。
在设计20A双向可控硅光耦触发电路时，需要考虑输入信号的稳定性、光耦的灵敏度、双向可控硅的额定电流和电压等参数。
此外，还需要注意电路的绝缘性能、抗干扰能力和热稳定性，以确保电路稳定可靠地工作。
总的来说，20A双向可控硅光耦触发电路是一种重要的电子控制电路，应用广泛，涉及到电气、电子、通信等多个领域。
设计和应用时需要充分考虑电路的性能和稳定性，以确保其安全可靠地工作。
可控硅元件选型与使用
可控硅元件选型与使用首先，在选型可控硅元件时需要考虑其电气参数。
主要包括额定电流（IR），额定电压（VR），触发电流（IH），阻断电压（VDRM/VRRM）和耐冲击电流（ITSM）等。
这些电气参数决定了可控硅元件能承受的电流和电压范围。
根据实际电路的要求，选择合适的电气参数，避免超过可控硅元件的额定工作范围。
其次，需要考虑可控硅元件的封装类型。
常见的封装类型有TO-220、TO-247、TO-126等。
不同的封装类型具有不同的散热能力和安装方式。
在设计电路时，需要根据可控硅元件的功率损耗和散热要求来选择合适的封装类型，以确保可控硅元件能在正常工作温度下运行。
此外，还要考虑可控硅元件的响应速度和触发方式。
可控硅元件触发方式有电压触发和电流触发两种。
根据具体需求，选择合适的触发方式，并确保可控硅元件的响应速度能满足电路的要求。
如果需要快速切断电流，可以选择具有高响应速度的可控硅元件。
在使用可控硅元件时，还需要注意以下几点。
首先，要合理布置电路，避免可控硅元件直接暴露在高温环境或有害环境中，以防止可控硅元件过热或受到损坏。
其次，要防止可控硅元件在超过其额定电流或电压的情况下工作，以避免引起元件的热击穿或击穿，造成设备事故或故障。
同时，要注意可控硅元件的散热，合理选择散热器，确保可控硅元件能够在正常工作温度下运行。
可控硅元件的工作温度过高会导致其损坏或寿命缩短。
此外，还要注意可控硅元件的触发信号的保护。
在触发可控硅元件时，要确保触发信号的电压和电流不超过其额定值，以防止元件受到损坏。
最后，要定期检查和维护可控硅元件，及时更换老化或损坏的元件，以确保电路的正常工作和稳定性。
综上所述，可控硅元件的选型和使用需要考虑其电气参数、封装类型、响应速度和触发方式等因素。
同时，还要注意电路的布局、额定电流和电压、散热、触发信号的保护以及定期检查和维护等问题。
只有正确选型和使用可控硅元件，才能保证电路的正常工作和可靠性。
可控硅导通和关断的条件
可控硅导通和关断的条件
可控硅（SCR）是一种半导体器件，具有导通和关断的能力。
它
可以在电力控制和电子调节中发挥重要作用。
在使用可控硅进行电
力控制时，需要满足一定的条件才能实现可控硅的导通和关断。
首先，让我们来看看可控硅导通的条件。
可控硅导通需要满足
两个条件，正向电压和触发电流。
正向电压是指在可控硅的阳极和
阴极之间施加的电压，当这个电压达到一定的临界值时，可控硅才
能导通。
触发电流是指在可控硅的门极和阴极之间施加的电流脉冲，当这个电流脉冲达到一定的触发电流时，可控硅也能导通。
其次，让我们来看看可控硅关断的条件。
可控硅关断需要满足
两个条件，减小正向电压和减小阳极电流。
要关断可控硅，需要减
小施加在可控硅的阳极和阴极之间的电压，使其低于导通阈值。
此外，还需要减小可控硅的阳极电流，以达到关断的目的。
在实际应用中，可控硅的导通和关断条件需要根据具体的电路
设计和要求来进行调节和控制。
通过合理的电压和电流控制，可以
实现可控硅的可靠导通和关断，从而有效地实现电力控制和电子调
节的功能。
总的来说，可控硅导通和关断的条件是正向电压和触发电流对于导通，以及减小正向电压和减小阳极电流对于关断。
这些条件的合理控制和调节对于可控硅的正常工作和性能发挥起着至关重要的作用。
2023年电工(中级)备考押题2卷合壹(带答案)卷13
2023年电工（中级）备考押题2卷合壹（带答案）（图片大小可自由调整）全文为Word可编辑，若为PDF皆为盗版，请谨慎购买！第一卷一.全能考点(共100题)1.【单选题】直流电动机采用电枢回路串电阻启动，把启动电流限制在额定电流的()倍A、4~5B、3~4C、1~2D、2~2.5参考答案：D2.【单选题】焊接电缆的作用是()。
A、降低发热量B、绝缘C、保证接触良好D、传导电流参考答案：D3.【多选题】建筑施工企业违反本法规定，（）的，责令改正，可以处以罚款，并对在保修期内因屋顶、墙面渗漏、开裂等质量缺陷造成的损失，承担赔偿责任。
A、不履行保修义务B、不履行改造义务C、拖延履行保修义务D、不履行返工义务E、不履行服务义务参考答案：AC4.【判断题】()测量三相异步电动机各相绕组直流电阻，如电阻值相差过大则表示绕组中有短路，断路或接头不良等故障。
参考答案：√5.【判断题】单臂电桥使用完毕后，应先断开电源按钮，再断开检流计按钮。
参考答案：×6.【判断题】()蛋白质最好的食物来源是瘦肉、牛奶、鸡蛋、鱼类和大豆。
参考答案：√7.【单选题】一个满偏电流500μA，内阻200Ω的磁电系测量机构，要制成30V量程的电压表，应串联()Ω的附加电阻。
A、60000B、59800C、300D、59500参考答案：B8.【判断题】低压线路中的导线有裸导线、绝缘导线、地埋线三类。
参考答案：√9.【单选题】同步电动机停车时，如需进行电力制动，最方便的方法是()A、机械制动B、反接制动C、能耗制动D、电磁抱闸参考答案：C10.【单选题】检修后的电气设备，其绝缘电阻要合格，在经()检测合格后方能满足电路的要求。
A、检测直流电阻B、加大截面积C、通电试验D、断电试验参考答案：C11.【判断题】BG—5型晶体管功率方向继电器为零序方向时，可用于接地保护。
参考答案：√12.【判断题】测绘较复杂机床电气设备的电气控制线路图时，应以单元电路的主要元件为中心参考答案：√13.【单选题】单相交流电路无功功率计算公式是（）。
双向可控硅触发电路的设计方案
双向可控硅触发电路的设计方案1.工作原理：双向可控硅触发电路是基于硅控整流器的原理工作的。
当输入电压施加到可控硅的控制极上时，可控硅开始导通。
当控制极上的电压消失时，可控硅将停止导通。
因此，通过改变控制极上的电压，可以控制可控硅的导通和停止导通。
2.器件选择：为了设计一个有效的双向可控硅触发电路，我们需要选择合适的电子器件。
可控硅通常是一个主要的器件，可以选择具有高耐压和高导电能力的可靠型号。
此外，我们还需要选择适当的电阻、电容和二极管等元件。
3.电路图设计：根据双向可控硅触发电路的工作原理，我们可以设计以下电路图：[中英文混合的电路图]在上述电路图中，可控硅SCR1和SCR2分别代表两个可控硅元件。
它们通过RC电路控制，其中R1和C1用于控制SCR1，而R2和C2用于控制SCR2、这些电容用来改变控制极上的电压和电流，从而控制可控硅的导通和停止导通。
4.参数设计：为了实现双向可控硅触发电路的预期功能，我们需要根据所需的电压和电流范围来选择和设计输入电压和电流的参数。
这些参数将直接影响到电路的控制效果和可靠性。
5.电路实现：根据上述设计方案，可以使用电路模拟软件或电子电路实验平台来实现双向可控硅触发电路的原型。
在实现过程中，需要小心操作和注意安全措施，以避免电路短路、反接等问题。
6.电路测试：在电路实现完成后，需要进行测试以验证其正常工作和所需的性能指标。
这可以通过施加不同的电压和电流，并检查可控硅的导通和停止导通来实现。
7.优化和改进：根据测试结果和实际需要，可以对双向可控硅触发电路进行优化和改进。
这可能涉及电路参数的调整、元器件的更换或添加等改变。
通过不断优化和改进，可以使电路在实际应用中达到更好的性能和效果。
以上是一个双向可控硅触发电路的设计方案。
需要注意的是，实际的设计过程可能会涉及更多的细节和复杂性，具体的方案应根据实际需求和电路特性来确定。
可控硅触发电路的设计
图 ４ 可控硅开关模拟测试电路图
４．１ 开通、关断测试如表 １。
表 １ 可控硅控制电路正常工作测试
项目 开通测试 关断测试
实验条件
实验过程
实验结果
首 先 按 下 ＳＢ１ 使 测 试 电 ＬＥＤ１￣ ＬＥＤ７ 发光， 且万用
ＵＡＢ＝６Ｖ， ２４Ｖ， １１０Ｖ 单 片 路通电， 同时给光耦发低 表 读 数 分 别 为 ８．４Ｖ， ３４Ｖ，
机送低电平
电平
１５４Ｖ
ＬＥＤ１￣ ＬＥＤ７ 由 发 光 转 为
ＵＡＢ＝６Ｖ， ２４Ｖ， １１０Ｖ 单 片 在可控硅开通的情况下同 熄 灭 ， 且 万 用 表 读 数 都 为
机送高电平
时给光耦发高电平
０Ｖ
结论 可控硅全开通
可控硅关断
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由此可见， 可控硅在正常工作时能可靠的开 通和关断。
４．２ 干扰测试 通过上述实验我们可以看出， 该可控硅触发电路在正常工作时的抗干扰能力 很强。但是， 晶闸管有一个重要的特性参数－ 断态 电压临界上升率 ｄｖ／ｄｔ， 若电压上升率超过可控硅 的电压临界上升率 ｄｖ／ｄｔ 的值， 则会在无门极信 号的情况下开通， 即造成误触发。此类问题多发 生于电源的接通与断开的瞬间。为了限制电路电 压上升率过大， 确保可控硅安全运行， 我们在可 控硅两端并联 ＲＣ 阻容吸收电路。Ｒ、Ｃ 的参数可 通过下列公式选择： 电容的选择：
表二 可控硅控制电路干扰测试
实验条件
实验过程 实验数据 评 价
单片机发低 电平， 即 ｍｏｃ３０８３ 不工 作， 可控硅处 于断开状态
循环按下 ＳＢ１ 和 ＳＢ２ 连 续 １０００ 次
万用表读 数为零
晶闸管整 Ｃ 吸收回路可以 较好地抑制 ｄｖ／ｄｔ 的干扰。
可控硅开启条件
可控硅开启条件《可控硅开启条件》我曾经遇到过这样一个趣事。
我有个朋友叫小李，他在捣鼓一个小电路项目。
这个项目里用到了可控硅，可小李怎么都弄不明白为啥这可控硅有时候就是不开启，就像个倔脾气的老头，怎么哄都没用。
于是他跑来问我，这可控硅开启到底得满足啥条件啊？这就让我意识到，这个看似专业的问题，其实理解起来很有必要性啊，今天咱们就好好唠唠可控硅开启的条件。
首先，可控硅有三个电极，分别是阳极、阴极和门极。
其开启的首要条件是必须有合适的正偏电压。
也就是说，阳极的电压要比阴极的电压高，这就像是给一扇门设置好了方向，你得从正确的方向用力才能推开这扇可控硅的“门”。
一般情况下，阳极和阴极之间需要有一定的正向电压降，不同类型的可控硅这个电压的范围可能会有差异。
然后呢，光有这个正偏电压还不行，就像你找到了正确的门，但是没有钥匙也进不去。
这个“钥匙”就是门极的触发信号。
门极触发电流需要达到一定的值才行。
举个例子，如果把可控硅比作一个保险箱，anode - cathode之间的正偏电压是保险箱外面那个大锁的方向设定好了，但是你必须用钥匙（门极触发电流）插入特殊的锁眼（门极），而后达到足够的扭力（触发电流大小要求）才能打开保险箱，开启可控硅。
而且啊，这个触发信号的时间要求还挺严格的呢，就像钥匙必须在锁里转足够的圈数才行。
在实际的电路环境里，还有一个常常被忽略的因素就是温度。
我记得有一次在一个小实验室里，看着另一个爱鼓捣电路的同行在做有关可控硅的实验。
当时负责监测温度的仪器出了点小毛病，他没太在意。
结果发现可控硅开启变的很难控制，不该开启的时候开了，该开启的时候又不开了。
这就是因为温度对可控硅的开启条件有影响。
不同的可控硅有它适合的工作温度范围，温度过高或者过低都可能影响其内部的物理特性，从而影响开启。
举个例子，如果说可控硅是个人的话，温度就像是他周围的气温，太冷或者太热他都感觉不舒服，干活也不利索，也就是开启状态容易不正常。
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完成可控硅触发电路设计必须满足这些要求
在电子电路设计中，工程师们常常需要利用可控硅来完成一些电路系统的设计，其中，门极控制电路也被称为可控硅触发电路，是一种非常常见的电路设计结构。
那幺，在完成可控硅触发电路的设计时，我们所设计的电路系统都需要满足哪些条件呢？在今天的文章中，小编对这些条件进行了简单总结，大家一起来看看吧。
触发信号只能在门极为正、阴极为负时起作用
当利用可控硅完成触发电路设计时，其发出的触发信号可以是交流、直流或脉冲t，且触发信号只能在门极为正、阴极为负时起作用。
为了减小门极的损耗，触发信号常采用脉冲形式。
平时实际应用中常见的几种可控硅触发信号波形如下图图1所示。
（a）尖脉冲
（b）矩形脉冲
（c）正弦半波信号
（d）强触发脉冲。