《模拟集成电路设计原理》期末考试

模拟集成电路设计考核试卷

A.运算放大器
B.乘法器
C.除法器
D.微分器
12.以下哪种放大器配置的输入阻抗最高？（）
A.共源
B.共栅
C.差分
D.电压跟随器
13.在模拟集成电路中，以下哪个参数影响放大器的热噪声？（）
A.电流
B.电压
C.频率
D.温度
14.以下哪个组件在模拟集成电路中用于调节电压？（）
A.运算放大器
B.电压比较器
C.电压基准
D.电流镜
15.关于电流镜的描述，列哪项是正确的？（）
A.提供电流增益
B.用于电压放大
C.用于电流采样
D.仅用于数字电路
16.以下哪种类型的反馈在放大器设计中可以稳定增益？（）
A.电压反馈
B.电流反馈
C.负反馈
D.正反馈
17.在模拟集成电路设计中，以下哪个参数影响放大器的功率消耗？（）
A.增益
B.驱动能力
A.功能测试
B.性能测试
C.热测试
D.安全测试
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.模拟集成电路设计时，以下哪些因素会影响MOSFET的阈值电压？（）
A.栅极长度
B.源漏间距
C.主体区掺杂浓度
D.温度
2.以下哪些是模拟集成电路中常见的噪声来源？（）
A.增益带宽积
B.开环增益
C.输入阻抗
D.输出阻抗
9.在模拟集成电路中，下列哪个部分通常用于实现模拟开关的功能？（）
A. MOSFET
B.二极管
C.晶体管
D.运算放大器
10.以下哪种类型的滤波器在模拟信号处理中用于去除高频噪声？（）

《集成电路设计原理》试卷及答案

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.（1分）年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。

2．（2分）摩尔定律是指。

3.集成电路按工作原理来分可分为、、。

4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、、、、和去胶。

5.（4分）MOSFET可以分为、、、四种基本类型。

6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有：、以及。

7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的和；作为PMOS 的源极和体端，作为NMOS 的源极和体端。

8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为和。

9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= V ，Y 2= V ，Y 3= V 。

DD 13210.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。

AB Y 1AB23二、画图题：（共12分）=+的电路图，要求使用的1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CDMOS管最少。

2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC=,画出其相应的电路图。

三、简答题：（每小题5分，共20分）1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？3.简述静态CMOS 电路的优点。

4.简述动态电路的优点和存在的问题。

四、分析设计题：（共38分1.（12分）考虑标准0.13m μ CMOS 工艺下NMOS 管，宽长比为W/L=0.26/0.13m m μμ，栅氧厚度为2.6ox t nm =，室温下电子迁移率2220/n cm V s μ=，阈值电压T V =0.3V,计算 1.0GS V =V 、0.3DS V =V 和0.9V 时D I 的大小。

模电期末考试题及答案最新

模电期末考试题及答案最新一、选择题（每题2分，共20分）1. 在放大电路中，晶体管的基极电流对集电极电流的影响是（）。

A. 很小B. 很大C. 没有影响D. 无法确定答案：B2. 以下哪个不是模拟信号的特点？（）A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可变化答案：B3. 运算放大器的理想工作条件是（）。

A. 电源电压无限大B. 输入电阻无穷大C. 放大倍数无穷大D. 所有选项都是答案：B4. 在模拟电路设计中，通常使用哪种类型的反馈来稳定放大器的工作？（）A. 正反馈B. 负反馈C. 无反馈D. 混合反馈答案：B5. 以下哪个元件不是构成放大电路的基本元件？（）A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 电感答案：C二、填空题（每空2分，共20分）1. 晶体管的三个工作区域分别是__________、__________和饱和区。

答案：截止区；放大区2. 在运算放大器中，输入端的电压差为零，这称为运算放大器的__________。

答案：虚短特性3. 一个理想的运算放大器具有__________输入电阻和__________输出电阻。

答案：无穷大；零4. 负反馈可以提高放大电路的__________和__________。

答案：稳定性；线性度5. 模拟信号的频率范围通常在__________赫兹到__________赫兹之间。

答案：0；无穷大三、简答题（每题10分，共20分）1. 请简述什么是负反馈，并说明负反馈在放大电路中的作用。

答案：负反馈是指将放大器输出的一部分信号以相反相位反馈到输入端的过程。

在放大电路中，负反馈可以提高电路的稳定性，减少非线性失真，提高输入阻抗，降低输出阻抗，从而改善电路的性能。

2. 解释什么是共模抑制比（CMRR）以及它在模拟电路设计中的重要性。

答案：共模抑制比（CMRR）是指差分放大器抑制共模信号的能力，即差分放大器对差模信号放大倍数与对共模信号放大倍数的比值。

CMRR在模拟电路设计中非常重要，因为它可以衡量放大器对差模信号与共模信号的区分能力，高CMRR意味着放大器对差模信号的放大能力强，对共模信号的抑制能力强，从而提高了信号的信噪比。

模电期末考试题库及答案

模电期末考试题库及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的输入端通常具有什么特性？A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 低输出阻抗D. 高输出阻抗答案：A2. 下列哪种元件不是模拟电路中的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D3. 理想运算放大器的开环增益是多少？A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 1答案：B4. 在模拟电路中，放大器的增益通常用哪个参数表示？A. 电压增益B. 电流增益C. 功率增益D. 阻抗增益5. 以下哪个不是模拟电路中的噪声来源？A. 热噪声B. 散粒噪声C. 互调噪声D. 逻辑噪声答案：D6. 模拟电路中，滤波器的作用是什么？A. 放大信号B. 过滤信号C. 转换信号D. 调制信号答案：B7. 模拟电路中，负反馈的作用是什么？A. 增加增益B. 减少增益C. 增加稳定性D. 减少稳定性答案：C8. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 可模拟连续时间信号D. 可模拟连续空间信号答案：B9. 在模拟电路中，理想二极管的正向导通电压是多少？B. 0.7VC. 无穷大D. 1.5V答案：A10. 模拟电路中的积分器通常由哪种元件组成？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 运算放大器答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，______ 通常用来表示放大器的输出信号与输入信号的比值。

答案：增益2. 运算放大器的输出端具有______的特性。

答案：低阻抗3. 模拟电路中的滤波器可以分为______滤波器和低通滤波器。

答案：高通4. 理想运算放大器的输入端是______的。

答案：虚断5. 模拟电路中的信号放大器通常由______、电容和电感等元件组成。

答案：运算放大器6. 模拟电路中的振荡器通常由______、电容和电感等元件组成。

答案：运算放大器7. 模拟电路中的负反馈可以减少放大器的______。

模拟CMOS集成电路复习题库及答案

模拟CMOS集成电路期末复习题库及答案整理人：李明1．MOSFET跨导g m是如何定义的。

在不考虑沟道长度调制时，写出MOSFET在饱和区的g m与V GS−V TH、√I D和1V GS−V TH的关系表示式。

画出它们各自的变化曲线。

2．MOSFET的跨导g m是如何定义的。

在考虑沟道长度调制时，写出MOSFET在饱和区的g m与V GS−V TH、√I D和1V GS−V TH的关系表示式。

画出它们各自的变化曲线。

解：MOSFET跨导g m的定义：由于MOSFET工作再饱和区时，其电流受栅源过驱动电压控制，所以我们可以定义一个性能系数来表示电压转换电流的能力。

更准确地说，由于在处理信号的过程中，我们要考虑电压和电流的变化，因此我们把这个性能系数定义为漏电流的变化量除以栅源电压的变化量。

我们称之为“跨导”，并用g m来表示，其数值表示为：在不考虑沟道长度调制时：在考虑沟道长度调制时：3．画出考虑体效应和沟道长度调制效应后的MOSFET小信号等效电路。

写出r o和g mb的定义，并由此定义推出r o和g mb表示式。

解：4．画出由NMOS和PMOS二极管作负载的MOSFET共源级电路图。

对其中NMOS二极管负载共源级电路，推出忽略沟道长度调制效应后的增益表示式，分析说明器件尺寸和偏置电流对增益的影响。

对PMOS二极管负载的共源级电路，对其增益表示式作出与上同样的分析。

5．画出MOS共源共栅级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。

并推出此共源共栅级电路的电压增益和输出电阻表示式。

解：6．画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS共源级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。

写出此电路的等效跨导定义式，并由此推出在不考虑沟道长度调制和体效应情况下的小信号电压增益表示式。

画出其漏电流和跨导随V in的变化曲线图。

7．画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS共源级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。

电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二．简答题（共5题，每题4分，共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。

模拟集成电路设计期末试卷

解：（1）
(2)
2、画出差动对的输入输出特性曲线（ΔID~ΔVin）。
要求：（1）标出曲线中关键转折点和极限点的坐标；
（2）由图分析：通过什么措施可以使差动对的线性度更好。
解：
其中，，增大ISS或减小W/L，可使电路的线性更好。
四．简答（（每题7分，共21分））
1、“MOS器件即使没有传输电流也可能导通”，这种说法正确么？为什么？
《模拟集成电路设计原理》期末考试
一．填空题（每空1分，共14分）
1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。
2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。
4、（9分）画出下图共源极高频模型的小信号等效电路，并利用小信号模型精确推导系统的极点频率。
解：（1）I3=I4=50μA，I5=I6=200μA，I7=500μA
（2）γ=0：VP=0.368V
γ=0.45V-1：VTH1（VP=0.368V）=0.78V，VP1=0.288V；VTH2（VP1=0.288V）=0.764V，VP2=0.304；VTH3（VP2=0.304V）=0.767V，VP3=0.301；VTH4（VP3=0.301V）=0.766V，VP4=0.302；VTH5（VP4=0.302V）=0.766V，VP4=0.302…….所以VP≈0.302V
解：可能。当时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以至于没有传输电流
五．分析计算题（共34分）
（下列题目中使用教材表2.1所列的器件数据，所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米。）

《集成电路设计原理》试卷及答案

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.（1分）年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。

2．（2分）摩尔定律是指。

3.集成电路按工作原理来分可分为、、。

4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、、、、和去胶。

5.（4分）MOSFET可以分为、、、四种基本类型。

6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有：、以及。

7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的和；作为PMOS 的源极和体端，作为NMOS 的源极和体端。

8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为和。

9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= V ，Y 2= V ，Y 3= V 。

DD 13210.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。

AB Y 1AB23二、画图题：（共12分）1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD=+的电路图，要求使用的MOS管最少。

2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC=,画出其相应的电路图。

三、简答题：（每小题5分，共20分）1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？3.简述静态CMOS 电路的优点。

4.简述动态电路的优点和存在的问题。

四、分析设计题：（共38分1.（12分）考虑标准0.13m μ CMOS 工艺下NMOS 管，宽长比为W/L=0.26/0.13m m μμ，栅氧厚度为2.6ox t nm =，室温下电子迁移率2220/n cm V s μ=，阈值电压T V =0.3V,计算 1.0GS V =V 、0.3DS V =V 和0.9V 时D I 的大小。

模电期末考试题目及答案

模电期末考试题目及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的基本工作模式不包括以下哪一项？A. 反相放大B. 同相放大C. 差分放大D. 功率放大答案：D2. 以下哪个元件不是构成模拟电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D3. 理想运算放大器的开环增益是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负无穷大答案：B4. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可存储性答案：B5. 模拟电路中的反馈类型不包括：A. 正反馈B. 负反馈C. 直流反馈D. 交流反馈答案：C6. 在模拟电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 衰减信号C. 选择性地通过信号D. 转换信号答案：C7. 模拟电路中的电源管理主要解决的问题是：A. 信号放大B. 信号滤波C. 电压转换D. 信号调制答案：C8. 模拟电路中的噪声主要来源于：A. 电源B. 信号源C. 环境干扰D. 所有以上答案：D9. 以下哪个不是模拟电路设计中考虑的因素？A. 稳定性B. 线性度C. 频率响应D. 逻辑运算答案：D10. 在模拟电路中，信号的传输特性通常用下列哪个参数来描述？A. 增益B. 相位C. 阻抗D. 所有以上答案：D二、简答题（每题10分，共20分）1. 简述运算放大器的工作原理及其应用。

答案：运算放大器是一种具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的放大器。

它通常由差分输入级、中间放大级和输出级构成。

运算放大器可以用于实现各种线性和非线性功能，如放大、滤波、积分和微分等。

在实际应用中，运算放大器被广泛用于信号处理、传感器信号调理、数据转换等领域。

2. 解释什么是负反馈，并说明其在模拟电路中的作用。

答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。

在模拟电路中，负反馈可以提高放大器的稳定性，减少非线性失真，提高增益的精确度，并且可以改善频率响应。

《模拟集成电路设计原理》期末考试试卷及答案

《软件工程基础训练》实训报告在倒入酒的方法中，首先判断当前酒量是否已经达到酒杯的容量。

如果是，则提示酒杯已满；如果不是，则将倒入的酒量加到当前酒量上。

实现一个方法，用于从酒杯中倒出酒。

该方法接受一个参数，表示要倒出的酒量。

在倒出酒的方法中，首先判断当前酒量是否大于等于要倒出的酒量。

如果是，则将当前酒量减去要倒出的酒量；如果不是，则提示酒量不足。

实现一个方法，用于获取当前酒量。

在获取酒量的方法中，直接返回当前酒量的值。

2.1.3程序流程图图 12.1.4设计代码package wmx;import java.io.BufferedReader;import java.io.IOException;import java.io.InputStreamReader;import java.util.StringTokenizer;public class Main1 {}}}}2.1.5代码运行截图图 22.2第二阶段2.2.1需求分析明确问题定义：首先需要明确问题的背景和涉及的实体，例如旅行者、手电筒、桥等。

同时，需要确定问题的目标，即如何让所有人尽快过桥。

确定约束条件：根据问题的描述，我们知道有一些约束条件，例如每个人过桥的速度不同，手电筒不能扔掉，只能两个人同时过桥等。

这些约束条件将影响解决方案的设计。

分析时间需求：由于目标是尽快让所有人过桥，因此需要分析每个人过桥所需的时间。

这将影响如何分配手电筒和如何安排过桥的顺序。

制定策略：基于上述分析，需要制定一个有效的策略来最大化过桥的速度。

这可能涉及到如何分配手电筒，如何安排过桥的顺序，以及如何返回等。

评估和优化：最后，需要对所制定的策略进行评估和优化。

这可能涉及到对策略的模拟、测试和比较，以便找到最优的解决方案。

2.2.2设计思路这是一个经典的过桥问题，通常称为“蒙提霍尔问题”。

在这个问题中，目标是让所有人尽快过桥。

根据题目的条件，每个人单独过桥的时间是已知的，但是两个人一起过桥的时间是较慢的那个人所需的时间。

模拟集成电路设计原理_试题库1

《模拟集成电路设计原理》试卷(答题卷)（1）一、填空题（共30分，每空格1分）1. MOSFET 是一个四端器件，现在大多数的CMOS 工艺中，P 管做在_____中，并且，在大多数电路中，P 管的衬底与______（高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得_________________________________________________。

2. 对增强型NMOS 来说，让其处于饱和时的条件为_______________________________，增强型PMOS 处于饱和时的条件为__________________________________________。

3. 在两级运放中，通常是用第一级运放实现_____________，用第二级运放实现_____________。

4. 实际工艺中，本征阈值电压并不适用于电路设计，因此在器件制造过程中，通常通过向沟道区注入__________来调整阈值电压，其实质是改变氧化层（栅氧）界面附近衬底的_______________。

5. 阈值电压为发生强反型时的栅压，对增强型NMOS 管来说，发生强反型时的条件为__________________________________________________。

6. 折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅结构相比，输出电压摆幅_______,但这个优点是以较大的________、较低的_______________、较低的_____________和较高的____________为代价得到的。

7. 对于一个负反馈系统来说，有前馈网络A 和反馈网络β，那么这个系统的开环增益为_______，闭环增益为________________，环路增益为____________。

8. 对于一个单极点系统来说，单位增益带宽为80MHz ，若现在带宽变为16MHz ，则环路增益为_________，闭环增益为_______。

集成电路期末试题及答案

集成电路期末试题及答案Michael Chen2022年1月10日第一部分：选择题1. 集成电路是指（）A. 多个电路板连接在一起B. 多个电子元件连接在一起C. 多个电气设备连接在一起D. 多个电子器件集成在一起答案：D2. 集成电路的分类依据是（）A. 外部尺寸B. 工作原理C. 制造工艺D. 功耗大小答案：C3. 集成电路的封装形式包括（）A. DIPB. SIPC. QFPD. 以上都是E. 以上都不是答案：D4. CMOS是指（）A. 生物科学中的一种病毒B. 一种通信协议C. 一种数字电路设计技术D. 一种模拟电路设计技术答案：C5. 集成电路的发展趋势是（）A. 更小封装B. 更低功耗C. 更高速度D. 以上都是答案：D第二部分：填空题1. 集成电路的最早应用是在（电子计算机）中。

2. 集成电路制造工艺的重要步骤包括薄膜沉积、光刻和（蚀刻）。

3. 集成电路的数字功耗由（开关功耗）和（短路功耗）组成。

4. 集成电路的封装形式除了DIP、SIP、QFP外，还有（BGA）。

5. 集成电路的发展史上的一个重要里程碑是第一个微处理器（Intel 4004）的发布。

第三部分：简答题1. 请简要解释集成电路的概念，并举例说明。

答：集成电路是将多个电子器件（如晶体管、电容器等）集成在一个芯片上的电路。

通过微影工艺在芯片上形成电路连接，实现各种电路功能。

例如，常见的操作放大器、时钟芯片、存储器等都是利用集成电路技术制造的。

2. 请介绍集成电路制造工艺中的薄膜沉积步骤。

答：薄膜沉积是集成电路制造工艺中的重要步骤之一。

它通过在芯片表面上沉积一层薄膜，为后续工艺提供基础。

常用的薄膜沉积工艺包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。

PVD是通过物理方法将金属或其它物质蒸发或溅射到芯片表面形成薄膜；CVD则是通过化学反应使气相中的化合物在芯片表面沉积。

薄膜沉积可以实现金属导线、绝缘层等结构的形成，为后续的光刻、蚀刻工艺提供基础。

北大集成电路原理与设计期末试卷2含答案

北京大学信息学院考试试卷装订线内请勿答题考试科目：模拟集成电路原理与设计考试时间：专业级班主讲教师___________姓名学号________________题号一二三四五六七总分得分说明：各MOSFET均工作在饱和区，除非另做说明。

1、电路如图1所示，图中各晶体管均工作于饱和区。

使用各晶体管的g m、r o（如M1的g m、r o表示为g m1、r o1）表示电路的R out。

（10分）图1解：133o o m OUT r r g A R ⋅⋅≈而A 即为点X 到点P 的增益：15OUT m R g A ⋅=很容易求得此折叠共源共栅放大器（辅助放大器）的输出阻抗为：()()[]95771311111||||o o o m o o m OUT r r r g r r g R ⋅⋅≈最终总的输出阻抗等于：()([]{}95771311115133133||||o o o m o o m m o o m o o m OUT r r r g r r g g r r g r r g A R ⋅⋅⋅⋅=)⋅⋅=2、计算如图2电路的增益。

（15分）图2解：此电路当中，电阻Rf 检测输出电压并向X 节点返回一个逾七成正比的电流，因此这种反馈可以看作是电压—电流型。

通过诺顿等效来代替Vin 和Rs 如下图左，并把Rs 看作是主放大器的输入电阻，断开环路如下图右，忽略沟道长度调制效应的影响，则开环增益为：()(F D m F S openINOUTOPEN O R R g R R I V R ||||,⋅⋅−==)这里S IN IN R V I ⋅=，电路的环路增益为。

且由于反馈网络仅由Rf 组成，OPEN O R Y ,21FR Y 121−=。

因此，电路的电压增益等于：()()()()F S S m F D F D m F S F IN OUT R R R g R R R R g R R R V V +⋅⋅+⋅⋅⋅−=/||1||||13、某电路的传输函数如下式所示，其中21p p ωω<<。

东南大学CMOS 模拟集成电路设计期末考试卷

东南大学考试卷（ A 卷）课程名称射频与通信集成电路设计考试学期 06-06-11 得分适用专业考试形式半开卷考试时间长度 120分钟一．问答题1．当传输线长度为1/4波长时，分别计算负载阻抗Z L =0和Z L =∞时的输入阻抗Z in 和负载端反射系数ΓL 。

2．当负载阻抗Z L =112.5Ω，传输线特征阻抗Z 0 = 50Ω时，采用特征阻抗为Z 1的1/4波长传输线完成阻抗匹配，如图1所示。

试计算特征阻抗Z 1的值。

Z LZ in图1二．已知发射机在2GHz 频率点的输出阻抗是Z T = (150+j75) Ω，天线的输入阻抗是Z A =(75+j15)Ω，如图2所示。

设计L 型匹配网络，使天线得到最大功率。

1．取参考阻抗Z 0 =75Ω，计算归一化阻抗z T 和z A 。

2．根据图3所示Smith 圆图中的阻抗变换轨迹，给出L 型匹配网络结构，并计算匹配网络中的元件值。

TAM图2z M = z A*z TC = 1-j1.22z T图3三．图4为无线接收机原理框图，输入端和级间为共轭匹配，每个模块的增益、噪声系数及IIP3分别示于模块的上下方。

1．计算接收机的总噪声系数F；2．计算接收机总IIP3。

LO BB Output图4四．放大器的信号流图如图5所示。

计算输入反射系数Γin = b 1 / a 1和输出反射系数Γout =b 2/a 2|bss=0 。

请列出方程并写出求解步骤。

b 1S 12a 1a 2S 21S 22b 2S 111bssΓLΓS图5五．图6给出了一个功率放大器的电路图，该电路的工作频率为ω0，传输线的特征阻抗Z 0等于负载电阻R L ，长度为l/4波长 (@ ω0)。

1．说明该功率放大器的类型，给出L 2和C 2的谐振频率。

2．说明L 1、C 1和传输线的作用。

图6六．画出超外差接收机和零中频接收机的原理框图，说明它们的优点和存在的问题。

模拟集成电路设计期末试卷word精品

《模拟集成电路设计原理》期末考试一•填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按________ 比例____ 缩小，CMOS电路被证明具有_较低—的制造成本。

2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和一区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义—跨导_来表示电压转换电流的能力。

3、入为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，入值____ 较小 _ （较大、较小）。

4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器—的作用。

5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成―恒定电流源_。

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为—共源共栅电流镜—结构。

&为方便求解，在一定条件下可用—极点一结点关联一法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为—C F（1 - A）__。

10、入为沟长调制效应系数，入值与沟道长度成—反比__ （正比、反比）。

二.名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS<V TH时，I D也并非是无限小，而是与V GS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。

3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说, 这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm6、N 阱:解：CMOS 工艺中，PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上，若衬底为 P 型，贝U PMOS 管要做在个N 型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N 型“局部衬底”叫做 N 阱。

(完整word版)模拟集成电路设计期末试卷

《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分)1、与其它类型的晶体管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。

2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区,电流受栅源过驱动电压控制,我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。

4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。

5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高,因此可以做成___恒定电流源_.6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。

8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示,电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。

10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。

二．名词解释（每题3分，共15分)1、阱解:在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应解:实际上，V GS =V TH 时，一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流，甚至当V GS <V TH 时,I D 也并非是无限小，而是与V GS 呈指数关系,这种效应叫亚阈值导电效应。

3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时,实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说,L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm解:对于某种具体的电路结构，定义inDV I ∂∂为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力 5、米勒定理解:如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/（1—A V -1），其中A V =V Y /V X .这种现象可总结为米勒定理。

模拟集成电路试题及答案

模拟集成电路试题及答案一、选择题1. 在模拟集成电路设计中，以下哪个因素不是影响电路性能的主要因素？A. 晶体管的尺寸B. 电源电压C. 温度D. 电路的布局答案：D2. 以下哪个不是模拟集成电路中的放大器类型？A. 共射放大器B. 共基放大器C. 共栅放大器D. 差分放大器答案：C二、填空题1. 在模拟集成电路中，________是用来减少晶体管的热噪声。

答案：晶体管的尺寸2. 模拟集成电路设计中，________是一种常用的信号处理方法。

答案：反馈三、简答题1. 简述模拟集成电路中使用差分放大器的优点。

答案：差分放大器的优点包括：- 提高了信号的共模抑制比（CMRR）。

- 减少了温度漂移。

- 增强了电路的稳定性。

2. 解释模拟集成电路中反馈的概念及其作用。

答案：反馈是指将放大器输出的一部分信号以某种方式返回到输入端。

反馈的作用包括：- 稳定放大器的增益。

- 减少非线性失真。

- 提高电路的带宽。

四、计算题1. 给定一个共射放大器，其基极电阻Rb=1kΩ，集电极电流Ic=2mA，求集电极电压Vc。

答案：首先计算集电极电阻Rc的值，Rc = Vcc / Ic，假设Vcc为5V，则Rc = 5V / 0.002A = 2.5kΩ。

然后计算Vc，Vc = Vcc - Ic * Rc= 5V - 0.002A * 2.5kΩ = 2.5V。

2. 假设一个差分放大器的差模增益为Ad，共模增益为Ac，求差模增益与共模增益的比值。

答案：差模增益与共模增益的比值即共模抑制比（CMRR），CMRR = Ad / Ac。

五、论述题1. 论述模拟集成电路设计中，如何通过电路设计来减少噪声和干扰。

答案：在模拟集成电路设计中，减少噪声和干扰的方法包括：- 使用低噪声元件。

- 优化电源管理，确保电源稳定性。

- 采用适当的布局和布线技术，减少电磁干扰。

- 使用屏蔽和接地技术来减少外部噪声的影响。

- 应用适当的信号处理技术，如滤波和信号隔离。

《模拟集成电路设计原理》期末考试

模拟集成电路设计考核试卷

《集成电路设计原理》试卷及答案

模电期末考试题及答案最新

模电期末考试题库及答案

模拟CMOS集成电路复习题库及答案

电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)

模拟集成电路设计期末试卷

《集成电路设计原理》试卷及答案

模电期末考试题目及答案

《模拟集成电路设计原理》期末考试试卷及答案

模拟集成电路设计原理_试题库1

集成电路期末试题及答案

北大集成电路原理与设计期末试卷2含答案

东南大学CMOS 模拟集成电路设计期末考试卷

模拟集成电路设计期末试卷word精品

(完整word版)模拟集成电路设计期末试卷

模拟集成电路试题及答案

最新《集成电路设计原理》试卷及答案