西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题

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模拟电子技术期末考试试卷及答案

《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题（20 分）1、二极管最主要的特性是.2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、.3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有、、。

4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。

5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。

二、选择题（20分）1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。

A、电子B、空穴C、正离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。

A、大于B、小于C、等于3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。

A、增大B、减小C、不变A．1500 B.80 C。

505、RC串并联网络在f=f0=1/2RC时呈。

A、感性B、阻性C、容性三、判断题（10分）（对的打“√"，错的打“×”)1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。

（）2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。

（）3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（)4、负反馈越深,电路的性能越稳定。

( )5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

( ）四、简答题：（25分)1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0。

7V。

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型？¥+-+R Su o(a)R Lu i R F(b)R 1R 2R 4R 5R 3u i +-+v cc-+V 1V 2u o C 1+-3、电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡五、计算题(25分）1、电路如下图所示，试求出电路A U、R i、和R0的表达式.2、电路如下图所示，求下列情况下U0和U I的关系式。

模拟电子技术期末考试卷答案一、填空题1、单向导电性2、正偏、反偏。

3、变压器、阻容、直接4、电压并联、电压串联、电流并联、电流串联5、AF=1，相位平衡条件二、选择题1、B A2、B3、B A4、A5、B三、判断题1、V2、V3、V4、X5、V四、简答题1、1．①D截至,U O＝2V ②D导通，U O＝1。

模拟电子技术基础期末试题

模拟电子技术基础期末试题单项选择题1.当半导体二极管施加正向电压时，有（）a、大电流和小电阻B、大电流和大电阻C、小电流和小电阻D、小电流和大电阻2。

当PN结正向偏置时，其内部电场为（）a、削弱b、增强c、不变d、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）a、反向偏置击穿状态B、反向偏置非击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置非导通状态4。

P型半导体是通过在本征半导体中掺杂（）而形成的。

a、3价元素b、4价元素c、5价元素d、6价元素5、pn结v―i特性的表达示为（）vd/vtvdi？i（e？1）i？i（e？1）dsdsa、b、vd/vti？艾莉？1d、身份证？EVD/vtsc、D6、多级放大电路与每个单级放大电路相比，其通带（）a、宽B、窄C、不变D，独立于每个单级放大电路7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4v，接入12kω的负载电阻后，输出电压降为3v，这说明放大电路的输出电阻为（）a、10kωb、2kωc、4kωd、3kω8。

三极管在放大状态下工作的条件是（）a、发射结正偏，集电结反偏b、发射结正偏，集电结正偏c、发射结反偏，集电结正偏d、发射结反偏，集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是（）a、恒输出电流、大直流等效电阻、小交流等效电阻B、恒输出电流、小直流等效电阻、大交流等效电阻C、恒输出电流、小直流等效电阻、小交流等效电阻D、恒输出电流、大直流等效电阻、大交流等效电阻10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源vcc应当（）a、短路b、开路c、保留不变d、电流源11.对于发射极电阻为re的共发射极放大器电路，在并联交流旁路电容器CE后，电压放大系数将（）a，减小B，增大C，保持不变D并变为零12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路a和b，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得a放大器的输出电压小，这说明a的（）a、输入电阻大b、输入电阻小c、输出电阻大d、输出电阻小13.为了使高内阻信号源和低阻负载良好配合，在信号源和低阻负载之间连接（）a、公共发射极电路B、公共基极电路C、公共集电极电路D、公共集电极公共基极串联电路14和NPN三极管的输出特性曲线。

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。

A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

A．输入电阻增大 B．输出量增大C．净输入量增大 D．净输入量减小11、交流负反馈是指。

A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。

A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。

A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。

(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题十一一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分）1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

（）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

（）3负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）4零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（）7半导体中的空穴带正电。

（）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）9实现运算电路不一定非引入负反馈。

（）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。

（）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。

（A）> （B）< （C）= （D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，放大器的输入信号频率增加时，其放大倍数将（）A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案：B2. 在放大电路中，静态工作点的选择应保证（）A. 电压放大倍数最大B. 功耗最小C. 失真最小D. 静态工作点位于交流负载线的中点答案：D3. 以下哪种电路属于电流串联负反馈（）A. 射极输出器B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压并联负反馈答案：A4. 在运算放大器的线性区，其输出电压与输入电压的关系为（）A. Vo = A (V+ - V-)B. Vo = A (V- - V+)C. Vo = A (V+ + V-)D. Vo = A (V+ V-)答案：A5. 以下哪种滤波器具有高通特性（）A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：B6. 以下哪种电路可以实现模拟乘法运算（）A. 比较器B. 积分器C. 微分器D. 乘法器答案：D7. 在模拟乘法器中，两个输入信号的频率分别为ω1和ω2，输出信号的频率可能包含以下哪些成分（）A. ω1B. ω2C. ω1 + ω2D. ω1 - ω2答案：ABCD8. 在运放组成的积分器电路中，输入信号为正弦波，输出信号波形为（）A. 正弦波B. 余弦波C. 直线D. 抛物线答案：D9. 以下哪种电路可以实现电压-频率转换（）A. 电压比较器B. 电压跟随器C. 电压-频率转换器D. 电压-电流转换器答案：C10. 在模拟电子技术中，以下哪种电路属于模拟乘法器（）A. 二极管乘法器B. 模拟乘法器C. 电压放大器D. 电流放大器答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 放大器的输入信号频率增加时，其放大倍数将______（填“增加”、“减少”、“不变”）。

答案：减少2. 放大电路中，静态工作点的选择应保证静态工作点位于______（填“交流负载线的中点”、“输入特性曲线的中点”、“输出特性曲线的中点”）。

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

模拟电子技术期末试卷及答案5套

学院 202 -202 学年第学期《模拟电子技术》试卷（A 卷专业级）考试方式：闭卷本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。

2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。

由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。

若已知I 1电流方向流入晶体管，则I 2电流方向与I 1电流方向、I 3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ；NPN 型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP 型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（） 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（） 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。

（） 4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V 。

（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。

模拟电子技术期末复习题及答案

模拟电子技术期末复习题及答案《电子技术基础2》复习题一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴。

（）2、P型半导体的多数载流子是空穴。

（）3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。

（）4、运算电路中一般引入负反馈。

（）5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

（）6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。

（）7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。

（）8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。

（）9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

（）10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。

（）11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。

（）12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。

（）13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。

（）14、共发射极放大电路输出与输入反相。

（）15、共基极放大电路输出与输入反相。

（）16、共集电极放大电路输出与输入反相。

（）17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

（）18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

（）19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。

（）20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。

（）21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。

（）22、运放的共模放大倍数越小越好。

（）23、运放的差模放大倍数越小越好。

（）24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。

（）26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。

（）27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。

（）28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。

西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。

每一小题２分，共２０分)（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ）A.掺杂浓度B.工艺C.温度D.晶体缺陷(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )A.正向导通状态B.反向电击穿状态C.反向截止状态D.反向热击穿状态(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( )A.PNP 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型锗管D.PNP 型硅管(4 )温度上升时，半导体三极管的( A )A.β和I CEO 增大，u BE 下降B.β和u BE 增大,I CEO 减小C.β减小，I CEO 和u BE 增大D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( )A.共集电极放大电路B.共基极放大电路C.共漏极放大电路D.共射极放大电路(6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( )A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈(7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( )A.A u 等于各级电压放大倍数之积B.R i 等于输入级的输入电阻C.R o 等于输出级的输出电阻D.A u 等于各级电压放大倍数之和(8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( )A.|A ud |B.|A uc |C.R idD.K CMR(9 )电路如图2所示，其中U 2=20V ,C=100μf 。

变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压U o ≈( )。

A.24VB.28VC.-28VD.-18V(10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是( )。

A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器D.窗口比较器2.填充题(每格1分，共20分)(11 )当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路U （图2）－－8V－2.2V ① ③ 图1对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真为＿＿＿＿失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为＿＿＿失真，这两种失真统称为＿＿＿＿＿失真或＿＿＿＿＿＿失真。

模拟电子技术基础试卷及答案（期末）

模拟电⼦技术基础试卷及答案（期末）第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所⽰电路中，（1）选d 为参考点，求a V 、b V 和c V ；（2）选c 为参考点，求a V 、b V 和d V 。

图1.1 习题1.1电路图解（1）当选d 为参考点时， V 3ada ==u V V 112cd bc bdb =-=+==u u u V ；V 1cdc -==u V （2）当选c 为参考点时， 4V 13dc ad a =+=+=u u V V 2bc b ==u V ；V 1dcd ==u V 1.2 求图1.2中各元件的功率，并指出每个元件起电源作⽤还是负载作⽤。

图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=?=P （吸收）； W 5.15.032=?=P （吸收） W 15353-=?-=P （产⽣）； W 5154=?=P （吸收）； W 4225=?=P （吸收）元件1、2、4和5起负载作⽤，元件3起电源作⽤。

1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.3 习题1.3电路图解 A2=I ； V13335=+-=I I U 电流源功率：W 2621-=?-=U P （产⽣），即电流源产⽣功率6W 2。

电压源功率：W 632-=?-=I P （产⽣），即电压源产⽣功率W 6。

1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=I A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合⾯求得：A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所⽰电路的ab U。

图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab-=?+++?-=U1.6求图1.6所⽰电路的a 点电位和b 点电位。

图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b=?-=V V 13b a =+-=V V 1.7 求图1.7中的I 及SU。

图1.7 习题1.7电路图解 A7152)32(232=?+-?+-=IV 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.8 试求图1.8中的I 、XI、U 及XU。

《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案

河北科技大学学年第学期《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案学院班级姓名学号题号一二三四五六七八九十总分得分一、选择填空题（每空1分，共10分）（ A ）1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。

A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路（ C ）2.选用差分放大电路的原因是。

A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂（ A ）3.若要实现电流—电压转换电路，应引入。

A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈（ A ）4.二极管外加正向电压时处于_______状态。

A.导通B.放大C.截止（ A ）5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成：放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。

A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节（ C ）6.直流稳压电源中滤波电路的目的。

A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动，使输出电压平滑（ B ）7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V，则该晶体管工作在状态。

A.饱和B.放大C.截止（ C ）8.直流负反馈是指：。

A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈（ D ）9.对于放大电路，所谓开环是指。

A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路（ D ）10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。

A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷，共（ 6 ）页，第（ 1 ）页模拟电子技术A 卷，共（ 6 ）页，第（ 2 ）页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题（共10分）1．（请在括号中标明“√”或“×”;每空1分，共5分）（ √ ）1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立，它只能放大交流信号。

《模拟电子技术基础》期末考试试题

《模拟电子技术基础》期末考试试题一、填空题（每空2.5分，共25分）1．电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________。

2．差分电路能够放大__________信号，抑制__________信号。

3．集成运算放大电路的理想化条件：A od= ，r id= 。

4．差分电路的两个输入端电压分别为U i1=2.00V，U i2=1.98V，则该电路的差模输入电压U id 为V，共模输入电压U ic为V。

5．差动放大器主要是利用电路结构的特性来减少零点漂移的。

6．多级放大电路各级之间的连接称为。

二、单项选择题（每小题2分，共20分）1．二极管两端电压大于电压时，二极管才导通。

A、击穿电压B、死区C、饱和D、夹断电压2．两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

A、βB、β2C、2βD、1+β3．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。

A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压4．放大器对不同频率分量呈现的增益不相等造成的失真叫。

A、饱和失真B、截止失真C、幅频失真D、相频失真5．晶体三极管属于控制器件。

A、电压B、电流C、电感D、电容6．运算放大器电路如图所示，其反馈极性和类型为。

A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈U I7．三极管放大电路中，若Q点设置得过低，则容易产生失真。

A、电源B、饱和C、频率D、截止8．一晶体管的极限参数：P CM=150mW，I CM=100mA，U（BR）CEO=30V。

若它的工作电压U CE=10V，则工作电流I C不得超过mA。

A、15B、100C、30D、1509．续上题，若工作电压U CE=1V，则工作电流I c不得超过mA。

A、15B、100C、30D、15010．续上题，若工作电流I c=1mA，则工作电压U CE不得超过V。

A、15B、100C、30D、150三、多项选择题（每小题2.5分，共15分）1．物质按导电性能可分为。

模拟电子技术基础期末试题

填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。

PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。

模拟电子技术基础试题(附答案)

模拟电子技术基础试题（附答案）一、填空题（每题2分，共20分）1. 常用的二极管符号有____和____两种。

2. 理想运放满足____、____、____和____四条条件。

3. 电容器充电过程中，其两端电压与充电时间的关系为____。

4. 晶体管的三个极分别为：发射极、____和____。

5. 稳压二极管的反向特性包括____和____两个部分。

6. 常用的放大器分类有____、____和____三种。

7. 整流电路按输入波形不同分为____、____和____三种。

8. 频率响应分析方法主要用于研究____、____和____等电路特性。

9. 常用的滤波器类型有____、____、____和____等。

10. 计数器按计数方式不同分为____、____和____三种。

二、选择题（每题2分，共20分）1. 下列哪个不是理想运放的条件？A. 无穷大的开环增益B. 输入端电阻无穷大C. 输出端电阻无穷大D. 输入端电压与输出端电压无关2. 下列哪个电路不是常用的整流电路？A. 单相全波整流电路B. 单相半波整流电路C. 三相半波整流电路D. 晶体管整流电路3. 下列哪个不是稳压二极管的反向特性？A. 反向漏电流B. 反向击穿电压C. 正向阻断特性D. 反向饱和电流4. 下列哪个不是常用的放大器分类？A. 电压放大器B. 功率放大器C. 运算放大器D. 滤波放大器5. 下列哪个不是常用的滤波器类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 陷波滤波器三、简答题（每题10分，共30分）1. 请简述二极管的工作原理。

2. 请简述运放的同相输入端和反相输入端的区别。

3. 请简述整流电路的作用及其分类。

四、计算题（每题15分，共45分）1. 有一个电容器C=47μF，充电电压U=5V，求充电时间t。

2. 请画出下列电路的频率响应曲线：（略）3. 有一个NPN型晶体管，其β=50，VCBO=5V，VCC=10V，VE=0V，求基极电流Ib、集电极电流Ic和发射极电流Ie。

模拟电子技术期末试卷8套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 姓名___ ___ 分数___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是，掺杂越多，则其数量一定越，相反，少数载流子应是，掺杂越多，则其数量一定越。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为，锗二极管的导通电压约为。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的区和区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成、、三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指随信号频率而变，称为特性，而输出信号与输入信号的随信号频率而变，称为特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足和两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是、、和。

二．选择题（每题2分，共分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A ）共基接法共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A ）β （B ） β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（C ）共射放大电路（6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE 。